JPH0677124A - レジストの現像装置および現像方法 - Google Patents

レジストの現像装置および現像方法

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JPH0677124A JP4230159A JP23015992A JPH0677124A JP H0677124 A JPH0677124 A JP H0677124A JP 4230159 A JP4230159 A JP 4230159A JP 23015992 A JP23015992 A JP 23015992A JP H0677124 A JPH0677124 A JP H0677124A
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    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/30Imagewise removal using liquid means
    • G03F7/3021Imagewise removal using liquid means from a wafer supported on a rotating chuck

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  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 高精度のレジストの現像技術に関し、新規な
レジストの現像技術を提供することを目的とする。 【構成】 それぞれが温度調節機を備えた複数の現像液
容器と、前記複数の現像液容器に接続された混合器と、
前記混合器と前記現像液容器の各々との間に接続された
流量制御バルブと、前記混合器の現像液の温度を検出す
るための温度検出器と、前記温度検出器が検出した温度
に基づいて前記流量制御バルブを制御する制御系とを有
する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、レジストの現像技術に
関し、特に高精度のレジストの現像技術に関する。
【0002】近年、半導体集積回路装置の高密度化に伴
い、レジストパターンの高精度化が要求されている。な
お、本明細書において、レジストとはホトレジスト、電
子線(EB)レジスト等、エネルギ線に対して感度を有
するレジストをまとめて言うものとする。
【0003】
【従来の技術】レジストには、光、EB等のエネルギ線
が照射した部分が消滅するポジ型レジストとエネルギ線
の照射しなかった部分が消滅するネガ型レジストがあ
る。
【0004】以下、高分解能のEBレジストを例にとっ
て説明する。EBレジストとしては、スチレンベースお
よびメタクリル酸ベースのポジレジストやスチレンベー
スのネガレジスト等が用いられている。通常、EBレジ
ストはレチクル用石英基板やSi基板等の下地上にスピ
ナでスピンコートされ、EB露光される。
【0005】露光後のEBレジスト膜は現像処理され
る。一般に現像プロセスは、(1)現像、(2)リン
ス、(3)乾燥の工程を含む。
【0006】現像工程は、感光部分と非感光部分の化学
的性質の差を利用して有機溶媒によりEBレジスト膜を
選択的に溶解する工程である。現像液は、感光部分また
は非感光部分を溶解するのみでなく、同時に残されるE
Bレジスト膜を膨潤させる。
【0007】リンス工程は、現像液をリンス液に置換し
て現像を停止させる工程である。なお、リンス工程は現
像停止の機能と同時に現像液によって膨潤したレジスト
膜を引締め、収斂させる機能も有する。EBレジスト用
のリンス液としては、一般に現像液よりもレジストの溶
解性が低い有機溶媒が用いられる。
【0008】たとえば、ポジ型EBレジストに対して、
現像液としてメチルエチルケトンとメチルイソブチルケ
トンの混合液、リンス液としてイソプロピルアルコール
とメチルイソブチルケトンの混合液が用いられる。ま
た、ネガ型EBレジストに対して、現像液として酢酸イ
ソアミルとエチルセロソルブの混合液、リンス液として
エチルセロソルブが用いられる。
【0009】リンス液によって現像を停止し、レジスト
膜の膨潤を元の状態に戻した後、レジスト膜を乾燥すれ
ばEBレジストの現像プログラムは終了する。近年、レ
ジスト現像プロセスにおいて、新たな欠陥が問題となっ
ている。現像プロセスによって開口を形成した領域に、
1μm程度まで達する残渣が発生する。この現象は、特
にポジ型レジストの場合に多い。この欠陥発生の原因
は、以下のように考えられる。
【0010】現像工程においては、レジストが現像液に
溶解する。現像液はレジストに対し、高い溶解性を有し
ている。ポジ型EBレジストの現像処理終了後の残膜率
は90%程度でしかない。ネガ型EBレジストの溶解性
はポジ型EBレジストよりは低いが、無視できない大き
さである。
【0011】ところで、現像工程からリンス工程に移る
際、現像液とリンス液の接触混合が生じる。現像液中に
多量に溶解していたレジスト成分が、リンス液中に移る
際、リンス液の低い溶解度によって析出を起こし、下地
表面上に残渣として再付着する。
【0012】たとえば、レチクルの窓部分に約1μm直
径の残渣が付着すると、1/5縮小露光を行なっても被
露光物上に約0.2μmの欠陥が発生する。高集積度の
半導体集積回路装置にとっては、約0.2μmの欠陥は
致命的である。
【0013】このような欠陥発生は、ネガ型レジストに
限らず、ポジ型レジストにおいても発生する。また、E
Bレジストのみでなく、ホトレジストにおいても生じ
る。
【0014】このような、レジスト再付着による欠陥発
生は、現像液とリンス液のレジストに対する溶解度の差
に原因がある。溶解度の急変を防止するためには、複数
のリンス液、または複数組成の現像液とリンス液の混合
液を準備し、レジストに対する溶解度を徐々に変えなが
ら現像工程からリンス工程に移ることが考えられる。
【0015】
【発明が解決しようとする課題】以上説明したように、
現像プロセスにおいて、現像液とリンス液のレジストに
対する溶解度の差により、レジストがレチクル表面に再
付着すると、表面欠陥を発生する。
【0016】本発明の目的は、新規なレジストの現像技
術を提供することである。本発明の他の目的は、一旦溶
解したレジストが、下地表面上に再付着するのを防止す
ることができるレジストの現像技術を提供することであ
る。
【0017】
【課題を解決するための手段】本発明のレジスト現像装
置は、それぞれが温度調節機を備えた複数の現像液容器
と、前記複数の現像液容器に接続された混合器と、前記
混合器と前記現像液容器の各々との間に接続された流量
制御バルブと、前記混合器の現像液の温度を検出するた
めの温度検出器と、前記温度検出器が検出した温度に基
づいて前記流量制御バルブを制御する制御系とを有す
る。
【0018】また、本発明のレジスト現像方法は、温度
の異なる現像液を別々の容器に準備する工程と、前記温
度の異なる現像液を混合し、所定温度の現像液を調整す
る工程と、前記温度を調整した現像液を用いてレジスト
を現像する工程とを含む。
【0019】
【作用】複数の現像液容器に現像液を収納し、異なる温
度に設定し、温度の異なる現像液を混合器で混合するこ
とにより、所望の温度の現像液を得ることができる。現
像工程において、現像液の温度を変化させると、種々の
態様の現像処理が可能となる。
【0020】たとえば、低温の現像液を用いて現像を行
なうと、レジストプロファイルは改善される。高温の現
像液を用いて現像処理を行なえば、現像処理に要する時
間が短縮化される。
【0021】所定温度で所定速度の現像を行い、現像終
点に達する前に現像液の液温を徐々に低下させると、現
像液に対するレジストの溶解度は徐々に低下する。現像
液に対するレジストの溶解度が十分低下すれば、実質的
に現像は停止する。
【0022】このような温度変化を用いれば、現像液を
リンス液に置換することなく、現像を停止させることが
可能となる。現像液に対するレジストの溶解度を十分低
くした後に、現像液をリンス液に切り換えれば、現像液
中に溶解していたレジストの再付着は防止することがで
きる。
【0023】なお、この場合、現像停止は現像液とリン
ス液との置換によるものではなく、現像液の温度変化に
よって行なわれる。レジスト膜の膨潤を元に戻す作用
は、従来通りリンス液によって行なわれる。
【0024】
【実施例】図1に、本発明の実施例によるレジストの現
像装置を示す。キャニスタタンク1a、1bは、同種類
の現像液、たとえば酢酸イソアミルとエチルセルソルブ
の混合液を収容する。
【0025】これらのキャニスタタンク1a、1bから
の配管は、恒温槽2a、2bを通って所定温度に保持さ
れ、制御バルブ3a、3bを介して混合器4で混合され
る。各恒温槽2は、たとえば約10〜25℃内の任意温
度に設定できる。恒温槽2aは、たとえば10℃に設定
され、恒温槽2bはたとえば25℃に設定される。
【0026】制御バルブ3a、3bを制御することによ
り、これらの現像液の混合比を調節することにより、混
合器4から供給される現像液は、たとえば上述の場合、
約10〜25℃の範囲で自由に設定できる。
【0027】なお、混合器4にはさらに他のラインが接
続されている。キャニスタタンク1n、恒温槽2n、制
御バルブ3nを含むラインはその一例である。これらの
ラインは異なる温度の同一種類の現像液を供給するため
や、異なる現像液を供給するために用いることができ
る。また、さらにパージ用のライン等を設けることもで
きる。混合器4より下流側に、さらに制御バルブを接続
してもよい。
【0028】混合器4の出力ラインは、フィルタ5を介
してスプレチップ21に供給される。スプレチップの代
わりに、滴下ノズルを用いてもよい。スプレチップ21
には、さらにリンス液を収容するキャニスタタンク1
1、恒温槽12、制御バルブ13、フィルタ15を含む
他のラインも接続されている。なお、リンス液用に別の
パイプライン、別のスプレチップないし滴下ノズルを設
けてもよい。
【0029】混合器4には温度検出器17が設けられて
おり、接触式、または非接触式に混合器4内の現像液の
温度を検出する。検出された温度は、制御回路18に電
気信号の形で送られ、制御回路18からは各制御バルブ
3を制御する電気信号が供給される。
【0030】たとえば、制御バルブ3a、3bを制御し
て所定温度Tの現像液を供給しようとする場合、混合器
4の温度が設定温度よりも高い時は制御回路18は低温
側の制御バルブ3aをより開き、高温側の制御バルブ3
bをより絞るように制御する。
【0031】スプレチップ21の下には、スピナ25が
配置されている。スピナ25においては、モータ26の
駆動軸に接続されたプレート27が配置され、その周囲
はカップ29によって囲まれている。
【0032】なお、温度の異なる同一種類の現像液を2
種類用いる場合を説明したが、3種類以上の温度の異な
る現像液を用いてもよい。混合比を所定量変化させた時
の温度変化を小さくすれば、その分温度制御精度を上げ
られる。また、レジストの溶解度があまり変わらなけれ
ば、異なる組成の現像液を用いることも可能である。
【0033】このような現像装置によれば、現像液を所
定温度に設定して現像処理を行なうことができる。たと
えば、高精度のプロファイルを得るために、現像液を低
温に保持してゆっくり現像を進めることや、高速で現像
処理を行なうために現像液を高温に保持して現像を行な
うことができる。
【0034】また、制御回路18にタイマ、メモリ、比
較回路等を含め、時間の関数として温度プロファイルを
設定し、温度が変化する現像処理を行なうことができ
る。たとえば、所定の一定温度で現像の大部分を行い、
その後、現像終了まで、タイマの測定する時間の経過と
共に現像液の温度を徐々に低下させ、現像液の温度低下
によって現像を停止させることができる。
【0035】温度検出器17は、混合器4内の現像液の
温度を検出する。制御回路18は、検出温度を設定温度
と比較し、検出温度が設定温度と異なる時は、両者が一
致する方向に混合比を変化させるように制御バルブ3を
制御する。
【0036】また、同一現像液を供給するラインを多数
設定し、それぞれの温度を徐々に変化させるようにし、
現像終了間際に現像液を切り換えて、その温度を階段的
に変化させるようにすることもできる。
【0037】スプレチップ21から供給する現像液の温
度低下により現像が終了した後は、現像液の供給を停止
し、キャニスタタンク11のリンス液を同一スプレチッ
プ21から供給する。リンス液を供給することによって
現像液を除去し、膨潤したレジストを引締め、元の状態
に戻す。
【0038】なお、現像液供給ラインとリンス液供給ラ
インの結合位置前にバルブを設けてもよい。また、スプ
レチップの代わりに滴下ノズル等を用いることもでき
る。また、現像液の温度を10〜25℃の範囲で変化さ
せる場合を説明したが、温度範囲はこの範囲に限るもの
ではない。なお、通常のクリーンルームでは設定温度が
23℃であり、有機溶媒を現像液として用いる場合は蒸
発熱によって現像液の温度が下がるため、クリーンルー
ムと同程度の温度にするためには25℃付近の温度が好
適である。
【0039】しかしながら、より高温に現像液を加熱
し、より高速の現像を行なうこともできる。また、10
℃では現像が停止しない現像液を用いる場合には、温度
範囲をさらに低温側に広げることもできる。
【0040】また、リンス液の他、純水供給ライン等を
接続することもできる。混合器4の温度を検出し、制御
回路18で所定温度の現像液の混合比を制御する場合を
説明したが、さらに現像中のレジストをモニタし、その
出力信号を制御回路18に供給して制御を行なうように
することも可能である。
【0041】高解像度のレジストの現像においては、現
像液の温度を徐々に低下させることによって現像を停止
させることにより、現像液中に一旦溶解したレジストが
再度析出してレチクル表面に再付着するような現象を防
止することができる。このため、再付着によってレチク
ルが不良品となる事故を防止し、高精度のレチクルを高
歩留りで製造することができる。
【0042】以上実施例に沿って本発明を説明したが、
本発明はこれらに制限されるものではない。たとえば、
種々の変更、改良、組み合わせ等が可能なことは当業者
に自明であろう。
【0043】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
現像液の温度を種々に可変制御することのできる現像装
置が提供される。
【0044】また、現像液をリンス液に置換する前に実
質的に現像を停止するレジストの現像方法が提供され
る。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施例によるレジストの現像装置を示
すブロック図である。
【符号の説明】
1、11 キャニスタタンク 2、12 恒温槽 3、13 制御バルブ 4 混合器 5、15 フィルタ 17 温度検出器 18 制御回路 21 スプレチップ 22 スピナ 26 モータ 27 プレート 29 カップ

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 それぞれが温度調節機を備えた複数の現
    像液容器(1、2)と、 前記複数の現像液容器に接続された混合器(4)と、 前記混合器と前記現像液容器の各々との間に接続された
    流量制御バルブ(3)と、 前記混合器の現像液の温度を検出するための温度検出器
    (17)と、 前記温度検出器が検出した温度に基づいて前記流量制御
    バルブを制御する制御系(18)とを有するレジスト現
    像装置。
  2. 【請求項2】 前記制御系が、温度変化プロフィールを
    記憶する記憶手段と、時間の経過を測定するタイマと、
    検出温度と前記記憶手段に記憶された温度を比較し、前
    記流量制御バルブを制御する制御信号を発生する演算制
    御回路を含む請求項1記載のレジスト現像装置。
  3. 【請求項3】 前記温度調節機が約10〜25℃の範囲
    で温度を調節することのできる請求項1ないし2記載の
    レジスト現像装置。
  4. 【請求項4】 温度の異なる現像液を別々の容器に準備
    する工程と、 前記温度の異なる現像液を混合し、所定温度の現像液を
    調整する工程と、 前記温度を調整した現像液を用いてレジストを現像する
    工程とを含むレジスト現像方法。
  5. 【請求項5】 現像の進行と共に前記温度の異なる現像
    液の混合比を変化し、混合した現像液の温度を下げる請
    求項4記載のレジスト現像方法。
  6. 【請求項6】 前記混合した現像液の温度を測定し、所
    定温度からのずれがある時は、ずれを補償する方向に前
    記混合比を変化させる工程を含む請求項4ないし5記載
    のレジスト現像方法。
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