JP5012393B2 - 塗布、現像装置、塗布、現像方法及び記憶媒体 - Google Patents
塗布、現像装置、塗布、現像方法及び記憶媒体 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5012393B2 JP5012393B2 JP2007265487A JP2007265487A JP5012393B2 JP 5012393 B2 JP5012393 B2 JP 5012393B2 JP 2007265487 A JP2007265487 A JP 2007265487A JP 2007265487 A JP2007265487 A JP 2007265487A JP 5012393 B2 JP5012393 B2 JP 5012393B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- module
- liquid
- acid
- coating
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Description
前記レジスト膜が基板表面に光を透過する液膜を形成した状態で露光を行う液浸露光により露光された後、前記基板の表面に前記液膜を構成する液体が残留した状態で、当該液体に酸を溶解させてこの液体からレジスト膜に当該酸を供給するために、前記基板に前記酸を含む処理ガスを吐出するガス吐出部と、基板に吐出された余剰な前記処理ガスを除去するための排気部と、を備えたガス処理モジュールと、
前記レジスト中に発生した酸により触媒反応を起こして露光領域の現像液に対する溶解性を変化させるために前記処理ガスが供給された基板を加熱する加熱モジュールと、
前記加熱モジュールにて加熱された基板を現像して前記レジスト膜にパターンを形成するための現像モジュールと、
を備えたことを特徴とする。
ガス処理モジュールのガス吐出部により前記レジスト膜が基板表面に光を透過する液膜を形成した状態で露光される液浸露光により露光された後、前記基板の表面に前記液膜を構成する液体が残留した状態で、当該液体に酸を溶解させてこの液体からレジスト膜に当該酸を供給するために、前記基板に前記酸を含む処理ガスを吐出する工程と、
ガス処理モジュールの排気部により基板に吐出された余剰な前記処理ガスを除去する工程と、
加熱モジュールにより前記レジスト中に発生した酸により触媒反応を起こして露光領域の現像液に対する溶解性を変化させるために前記処理ガスが供給された基板を加熱する工程と、
現像モジュールにより前記加熱モジュールにて加熱された基板を現像して前記レジスト膜にパターンを形成する工程と、
を備えたことを特徴とする。
例えば前記処理ガスを吐出するために基板を基板保持部に載置する工程と、
前記基板保持部を囲うように設けられるカップ部の底部から余剰な処理ガスを排気する工程と、
前記基板保持部に載置され、前記処理ガスを供給済みの基板に洗浄液を供給する工程と、
前記基板から洗浄液を除去するために前記基板保持部により基板を回転させる工程と、
前記基板から除去された洗浄液を前記カップ部の底部から廃液する工程と、
を備え、
前記基板を加熱する工程は、前記洗浄液が除去された基板を加熱する工程である。
前記コンピュータプログラムは、上述の表面露光方法を実施するためのものであることを特徴とする記憶媒体。
また、この手法によれば液浸露光後、基板に残留した液体に酸をスプレーするような手法と異なり、レジスト膜において酸濃度が低くなった前記液体下の表面領域以外の領域に酸が供給されることが抑えられるので、過剰に酸が供給される領域が発生することが抑えられる。この点からも良好なレジストパターンの形状を得ることができると考えられる。
DEV 現像モジュール
D 液滴
L 洗浄液
R レジスト膜
W ウエハ
100 制御部
22 スピンチャック
4 ガス処理モジュール
51A ガス吐出ノズル
51B 洗浄液吐出ノズル
61 露光領域
62 未露光領域
Claims (8)
- 露光されることにより酸発生剤から酸を生じる化学増幅型のレジストを基板表面に塗布してレジスト膜を形成する塗布モジュールと、
前記レジスト膜が基板表面に光を透過する液膜を形成した状態で露光を行う液浸露光により露光された後、前記基板の表面に前記液膜を構成する液体が残留した状態で、当該液体に酸を溶解させてこの液体からレジスト膜に当該酸を供給するために、前記基板に前記酸を含む処理ガスを吐出するガス吐出部と、基板に吐出された余剰な前記処理ガスを除去するための排気部と、を備えたガス処理モジュールと、
前記レジスト中に発生した酸により触媒反応を起こして露光領域の現像液に対する溶解性を変化させるために前記処理ガスが供給された基板を加熱する加熱モジュールと、
前記加熱モジュールにて加熱された基板を現像して前記レジスト膜にパターンを形成するための現像モジュールと、
を備えたことを特徴とする塗布、現像装置。 - 前記レジストは露光された領域が現像液に溶解されるポジ型のレジストであることを特徴とする請求項1記載の塗布、現像装置。
- 加熱モジュールにて加熱処理を行う前に、前記ガス処理モジュールにより処理された基板表面に洗浄液を供給して、前記液浸露光により残留した液体を除去するための洗浄部が設けられることを特徴とする請求項1または2に記載の塗布、現像装置。
- 前記ガス処理モジュールは、前記洗浄部と、前記ガス吐出部により処理ガスが吐出され、且つ前記洗浄部により洗浄液が供給される基板を載置する回転自在な基板保持部と、前記基板保持部を囲うように設けられるカップ部と、前記カップ部の底部から前記基板に供給された洗浄液を廃液するための廃液部と、を備え、
前記排気部は前記カップ部の底部から前記余剰な処理ガスを排気することを特徴とする請求項3記載の塗布、現像装置。 - 前記ガス処理モジュールは、筐体を備え、その筐体内に前記洗浄部が設けられていることを特徴とする請求項3または4記載の塗布、現像装置。
- 塗布モジュールにより露光されることにより酸発生剤から酸を生じる化学増幅型のレジストを基板表面に塗布してレジスト膜を形成する工程と、
ガス処理モジュールのガス吐出部により前記レジスト膜が基板表面に光を透過する液膜を形成した状態で露光される液浸露光により露光された後、前記基板の表面に前記液膜を構成する液体が残留した状態で、当該液体に酸を溶解させてこの液体からレジスト膜に当該酸を供給するために、前記基板に前記酸を含む処理ガスを吐出する工程と、
ガス処理モジュールの排気部により基板に吐出された余剰な前記処理ガスを除去する工程と、
加熱モジュールにより前記レジスト中に発生した酸により触媒反応を起こして露光領域の現像液に対する溶解性を変化させるために前記処理ガスが供給された基板を加熱する工程と、
現像モジュールにより前記加熱モジュールにて加熱された基板を現像して前記レジスト膜にパターンを形成する工程と、
を備えたことを特徴とする塗布、現像方法。 - 前記処理ガスを吐出するために基板を基板保持部に載置する工程と、
前記基板保持部を囲うように設けられるカップ部の底部から余剰な処理ガスを排気する工程と、
前記基板保持部に載置され、前記処理ガスを供給済みの基板に洗浄液を供給する工程と、
前記基板から洗浄液を除去するために前記基板保持部により基板を回転させる工程と、
前記基板から除去された洗浄液を前記カップ部の底部から廃液する工程と、
を備え、
前記基板を加熱する工程は、前記洗浄液が除去された基板を加熱する工程であることを特徴とする請求項6記載の塗布、現像方法。 - 露光された領域に含まれる酸発生剤から酸を生じ、露光後加熱されることで前記酸がその露光された領域の現像液に対する溶解性を変化させる触媒反応を起こす化学増幅型のレジストを基板表面に塗布してレジスト膜を形成する塗布モジュールと、前記酸触媒反応を起こすための加熱モジュールと、その加熱モジュールにて加熱された基板を現像して前記レジスト膜にパターンを形成するための現像モジュールと、を備えた塗布、現像装置に用いられるコンピュータプログラムが記憶された記憶媒体であって、
前記コンピュータプログラムは、請求項6または7に記載の表面露光方法を実施するためのものであることを特徴とする記憶媒体。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007265487A JP5012393B2 (ja) | 2007-10-11 | 2007-10-11 | 塗布、現像装置、塗布、現像方法及び記憶媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007265487A JP5012393B2 (ja) | 2007-10-11 | 2007-10-11 | 塗布、現像装置、塗布、現像方法及び記憶媒体 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009094398A JP2009094398A (ja) | 2009-04-30 |
JP5012393B2 true JP5012393B2 (ja) | 2012-08-29 |
Family
ID=40666058
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007265487A Expired - Fee Related JP5012393B2 (ja) | 2007-10-11 | 2007-10-11 | 塗布、現像装置、塗布、現像方法及び記憶媒体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5012393B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009295716A (ja) * | 2008-06-04 | 2009-12-17 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法及び基板処理装置 |
CN108257854B (zh) * | 2017-09-27 | 2020-09-11 | 苏州太阳井新能源有限公司 | 一种图形化掩模的制造方法 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09251210A (ja) * | 1996-03-15 | 1997-09-22 | Toshiba Corp | レジストパターンの形成方法 |
JP3909028B2 (ja) * | 2002-03-01 | 2007-04-25 | 東京エレクトロン株式会社 | 現像処理方法及び現像処理装置 |
JP4209819B2 (ja) * | 2004-07-15 | 2009-01-14 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板加熱装置及び基板加熱方法 |
JP4746979B2 (ja) * | 2005-12-19 | 2011-08-10 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
-
2007
- 2007-10-11 JP JP2007265487A patent/JP5012393B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2009094398A (ja) | 2009-04-30 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4535489B2 (ja) | 塗布・現像装置 | |
JP4830523B2 (ja) | 塗布、現像装置、塗布、現像方法及びその方法を実施するためのコンピュータプログラム。 | |
JP4797662B2 (ja) | 塗布、現像方法、塗布、現像装置及び記憶媒体 | |
JP4654120B2 (ja) | 塗布、現像装置及び塗布、現像方法並びにコンピュータプログラム | |
TWI492281B (zh) | 塗佈、顯像裝置、顯像方法及記憶媒體 | |
JP2009194034A (ja) | 洗浄装置及びその方法、塗布、現像装置及びその方法、並びに記憶媒体 | |
JP2010219168A (ja) | 基板処理装置、基板処理方法、塗布、現像装置、塗布、現像方法及び記憶媒体 | |
JP4912180B2 (ja) | 露光・現像処理方法 | |
JP2008198820A (ja) | 基板処理方法及び基板処理装置 | |
KR101760310B1 (ko) | 현상 처리 장치, 현상 처리 방법 및 컴퓨터 기억 매체 | |
JP4748683B2 (ja) | 液処理装置 | |
JP5018388B2 (ja) | 塗布、現像装置、塗布、現像方法及び記憶媒体 | |
JP5012393B2 (ja) | 塗布、現像装置、塗布、現像方法及び記憶媒体 | |
JP4678740B2 (ja) | 塗布処理方法及び塗布処理装置 | |
JP2010141162A (ja) | 基板の処理方法、プログラム、コンピュータ記憶媒体及び基板処理システム | |
JP2010182715A (ja) | 現像処理方法及び現像処理装置 | |
JP2007294544A (ja) | 保護膜除去装置、薬液の回収方法及び記憶媒体 | |
JP4807749B2 (ja) | 露光・現像処理方法 | |
JP5018690B2 (ja) | 塗布、現像方法及び塗布、現像装置。 | |
JP2008042004A (ja) | パターン形成方法およびパターン形成装置 | |
JP4745174B2 (ja) | 保護膜除去後の除去液回収システムおよび保護膜除去後の除去液回収方法 | |
JP2011233799A (ja) | 現像処理方法 | |
JP2013251316A (ja) | 現像処理方法、現像処理装置、プログラム及びコンピュータ記憶媒体 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20091104 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110927 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20111128 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20111221 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20120508 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120521 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150615 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |