KR100879690B1 - 현상장치 및 현상방법 - Google Patents

현상장치 및 현상방법 Download PDF

Info

Publication number
KR100879690B1
KR100879690B1 KR1020070010859A KR20070010859A KR100879690B1 KR 100879690 B1 KR100879690 B1 KR 100879690B1 KR 1020070010859 A KR1020070010859 A KR 1020070010859A KR 20070010859 A KR20070010859 A KR 20070010859A KR 100879690 B1 KR100879690 B1 KR 100879690B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substrate
nozzle
rinse liquid
developer
developing
Prior art date
Application number
KR1020070010859A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20070080562A (ko
Inventor
츠요시 미츠하시
켄지 스기모토
Original Assignee
다이닛뽕스크린 세이조오 가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 다이닛뽕스크린 세이조오 가부시키가이샤 filed Critical 다이닛뽕스크린 세이조오 가부시키가이샤
Publication of KR20070080562A publication Critical patent/KR20070080562A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100879690B1 publication Critical patent/KR100879690B1/ko

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/30—Imagewise removal using liquid means
    • G03F7/3021—Imagewise removal using liquid means from a wafer supported on a rotating chuck
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/6715—Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67253—Process monitoring, e.g. flow or thickness monitoring

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)

Abstract

현상액과 린스액과 질소가스를 토출하는 일체노즐을, 평면에서 보아 기판의 회전중심 부근에 배치한다. 제어부는 전자개폐밸브를 조작함으로써, 현상과정에서는 기판을 회전시키면서 현상액의 공급을 계속하고, 린스과정에서는 현상액의 공급을 종료한 직후에 린스액의 공급을 시작하여, 현상과정의 기간을 단축한다. 또한, 린스과정이 종료한 직후에 질소가스의 공급을 시작하여 건조과정으로 이행한다. 이것에 의해, 기판의 접촉각이 커져도, 린스액의 입자가 발생하는 것을 억제하여 현상결함을 방지한다.
Figure R1020070010859
현상장치, 현상과정, 건조과정, 린스액, 현상결함, 일체노즐

Description

현상장치 및 현상방법{DEVELOPING APPARATUS AND DEVELOPING METHOD}
도 1(A)∼1(C)는 종래 예에 의한 린스과정과 건조과정의 기판의 정면도와 평면도.
도 2는 실시예에 의한 현상장치의 개략구성을 나타내는 도면.
도 3(A)는 일체(一體)노즐의 수직단면도.
도 3(B)는 일체노즐의 수평단면도.
도 4는 기판에 현상처리를 행하는 순서를 나타내는 타이밍 차트.
도 5는 일체노즐로부터 기판에 현상액을 공급하고 있는 모양을 나타내는 모식도.
도 6은 현상패턴의 선폭과 시간과의 관계를, 종래의 퍼들(puddle)현상 방식과 비교하여 나타내는 모식도.
도 7은 일체노즐로부터 기판에 순수를 공급하고 있는 모양을 나타내는 모식도.
도 8은 일체노즐로부터 기판에 질소가스의 공급을 시작하였을 때의 모양을 나타내는 모식도.
도 9는 일체노즐로부터 기판에 질소가스의 공급을 시작하였을 때의 모양을 나타내는 모식도.
도 10은 변형 실시예에 의한 노즐의 사시도.
도 11은 변형 실시예에 의한 노즐의 사시도.
도 12(A), 12(B), 12(C)는 변형 실시예에 의한 현상장치의 주요부의 평면도.
도 13은 변형 실시예에 의한 노즐의 위치를 나타내는 정면도.
본 발명은 반도체 웨이퍼, 포토마스크(photomask)용 유리기판, 액정표시장치용, 플랫 패널 디스플레이(flat-panel display)용 유리기판, 광디스크용 기판 등 (이하, 간단히 「기판」이라고 칭함)에 현상처리를 행하는 현상장치 및 현상방법에 관한 것이다.
기판의 표면에 형성된 레지스트막을 현상처리하는 방법의 한 가지로서, 퍼들(puddle)현상 방식이 널리 이용되고 있다(예컨대, 일본국 특개2003-109894호 공보에 개시됨). 이 현상방식은 이하에 설명하는 바와 같이 현상과정, 린스과정, 및 건조과정으로 크게 나눌 수 있다.
먼저, 기판에 대하여 현상액 노즐을 이동시키면서 현상액을 공급하여, 기판상에 현상액의 퍼들을 형성한다. 이 상태에서 소정기간이 경과할 때까지 기판을 정지시켜, 현상반응을 진행시킨다(현상과정). 그 후, 기판에 린스액(rinsing liquid)(예컨대, 순수(純水))을 공급함과 아울러 기판을 회전시키고, 현상반응을 정지시켜 세정한다(린스과정). 린스가 종료하면, 린스액의 공급을 정지함과 아울 러, 기판을 고속회전시켜 건조시킨다(건조과정).
이를 위하여, 현상처리유닛(unit)은 기판을 회전가능하게 지지하는 회전지지수단이나, 현상액 노즐 및 린스액 노즐 등을 구비하고 있다. 현상장치는 현상처리유닛을 복수대 탑재하여, 현상처리를 병렬적으로 행하도록 구성되어 있다.
(Ⅰ)
그러나, 이러한 구성을 갖는 종래 예의 경우에는 다음과 같은 문제가 있다.
즉, 현상처리를 행하는 기판의 표면은 레지스트막이 형성되어 있고, 기판의 접촉각(기판표면과 물방울의 접선 사이를 이루는 각)은 일반적으로 크고, 액체를 튀기는 성질이 강하다. 기판의 접촉각은 i선에서부터 KrF로, KrF에서부터 ArF로 노광기의 파장이 단파장화(短波長化)하는 중에서, 이들에 사용되는 레지스트 재료에 따라 커지게 되고 있다. 또한, 가까운 장래, 실용화가 가까이에 있는 액침(液浸)노광에 사용되는 있는 레지스트를 고려하면, 접촉각이 더 커지는 것이 예상되고 있다.
이와 같이 기판의 접촉각이 커지게 되면, 기판을 양호하게 건조시킬 수 없는 문제가 있다. 도 1(A), 도 1(B), 도 1(C)를 참조하여 설명한다. 도 1(A)∼도 1(C)는 종래 예에 의한 린스과정과 건조과정의 기판의 정면도와 평면도이다. 도 1(A)는 기판(W)을 회전시키면서, 린스액 노즐(71)로부터 린스액을 공급하고 있는 모양을 나타내고 있다. 도시하는 바와 같이, 기판(W)상에 공급된 린스액은 기판(W)의 중심에서부터 주연측(周緣側)으로 유동하여 기판(W) 바깥으로 버려진다. 이때, 기판(W)상에는 린스액의 액막(液膜, R)이 형성되어 있다.
도 1(B)는 린스액의 공급을 정지하여, 기판(W)을 털어내 건조하고 있는 모양을 나타내고 있다. 기판(W)상에 액막(R)을 형성하고 있던 린스액은 그 대부분이 기판(W) 바깥으로 버려지지만, 일부는 기판(W)상에서 입자 상태로 변형한다. 도 1B 에 있어서, 입자 상태로 된 각 입자를 부호 r을 붙여서 나타낸다. 여기에서, 기판(W)의 접촉각이 클수록, 린스액은 입자(r)로 되기 쉽다. 린스액은 입자(r)가 충분히 작으면, 기판(W)의 회전에 의한 원심력이 린스액의 입자(r)에 작용하지 않고, 기판(W)상에 계속하여 잔류하는 일이 있다. 그리고, 기판(W)상에 잔류하고 있는 동안에 레지스트의 성분이 이 린스액의 입자(r)에 용해하여 버린다. 그 결과, 건조과정이 종료한 기판(W)상에는 도 1C에 도시하는 바와 같이 린스액의 입자(r)에 용해한 레지스트의 성분이 석출되어 현상(現象)결함(k)으로 되는 문제가 있다.
(Ⅱ)
또한, 종래의 방법 및 장치에서는, 기판에 현상처리를 행하기 위하여 필요로 하는 시간이 긴 문제가 있다. 현상처리의 각 과정을 비교하면 현상과정이 가장 길어, 현상처리의 전(全) 기간의 약 반을 차지하고 있다. 이 현상과정에 있어서 진행하는 현상반응은 구체적으로는 현상 계면에서의 중화반응이지만, 중화반응의 진행에 따라 현상액의 알칼리 농도가 열화(劣化)(저하)한다. 이 때문에, 현상 계면에서의 중화반응의 속도는 점점 떨어진다. 따라서, 그 만큼을 예상하여, 현상과정의 기간이 정해지고 있다.
이와 같이 현상처리에 필요로 하는 시간이 길기 때문에, 현상장치의 처리능력의 더 나은 향상에 대응하는 것이 곤란하게 되어 있다. 한편, 현상장치의 처리 능력의 향상을 위해, 탑재하는 현상처리유닛의 대수를 더 증가시켜 처리능력의 향상을 도모하는 것은 가격 및 풋프린트(footprint)의 관점에서 현실적이지 않았다.
본 발명은 이러한 사정을 감안하여 이루어진 것으로서, (Ⅰ)기판의 접촉각이 큰 것에 기인하는 현상결함의 발생을 방지할 수 있는 현상장치 및 현상방법을 제공하는 것을 목적으로 한다. 또한, (Ⅱ)기판에 현상처리를 행하는 시간을 단축할 수 있는 현상장치 및 현상방법을 제공하는 것을 목적으로 한다
본 발명은 이러한 목적을 달성하기 위하여, 다음과 같은 구성을 채용한다.
즉, 본 발명은 기판에 현상처리를 행하는 현상장치로서, 상기 장치는 이하의 요소를 포함한다:
기판을 회전가능하게 지지하는 회전지지수단;
현상액을 기판에 공급하는 현상액 노즐;
린스액을 기판에 공급하는 린스액 노즐;
불활성 가스를 기판에 공급하는 불활성 가스 노즐;
기판의 회전과, 현상액, 린스액, 및 불활성 가스의 공급을 제어하는 제어수단.
상기 린스액 노즐과 상기 불활성 가스 노즐은 평면에서 보아 각각 기판의 회전중심 부근의 위치에서 병설(竝設)되고,
상기 제어수단은 기판을 회전시키면서 회전중심 부근에 린스액을 공급한 후로서, 기판상에 린스액의 액막이 존재하고 있는 동안에, 회전중심 부근에 불활성 가스의 공급을 시작한다.
본 발명에 따르면, 린스액 노즐과 불활성 가스 노즐을 평면에서 보아 각각 기판의 회전중심 부근의 위치에서 병설하도록 구성하고 있으므로, 린스액 노즐을 기판의 회전중심 부근으로부터 크게 퇴피시키는 일 없이, 불활성 가스를 기판의 회전중심 부근에 공급할 수 있다. 이 때문에, 제어수단에 의해, 기판의 회전중심 부근에의 공급을 린스액으로부터 불활성 가스로, 즉시 바꿀 수 있다. 또한, 린스액 및 불활성 가스를 기판의 회전중심 부근에 거의 바로 위에서부터 공급할 수 있으므로, 기판상을 린스액이 회전중심 부근에서부터 동심원상으로 넓어지도록 함과 아울러, 기판의 건조를 회전중심 부근에서부터 동심원상으로 진행시킬 수 있다. 이러한 구성에 있어서, 불활성 가스의 공급을, 린스액의 공급이 정지된 후에, 또한 기판면 상에는 린스액이 여전히 액막상태로 존재하고 있는 동안에 개시시킨다. 공급된 불활성 가스는 린스액의 액막을 쪼개고, 기판의, 액막이 쪼개진 부분은 건조한다. 한편, 「기판의 회전중심 부근」은 기판의 회전중심도 포함하는 의미이다.
또한, 기판을 회전시키고 있으므로, 일단, 린스액의 액막이 쪼개지면, 쪼개진 부분이 기판의 외주방향으로 향하여 신속히 확대되어, 기판 전체가 건조한다. 이와 같이, 기판상에 린스액의 액막이 형성되어 있는 상태로부터 직접 기판이 건조한 상태로 되어, 린스액의 입자가 발생하는 타이밍은 없다. 따라서, 가령 기판의 접촉각이 커져도, 기판상에 린스액의 입자가 잔류할 염려가 없어, 레지스트의 성분이 린스액에 용해하는 것에 의한 현상결함도 방지할 수 있다.
상술한 발명에 있어서, 또한, 상기 불활성 가스 노즐을, 평면에서 보아 기판 의 회전중심 부근에서 미동(微動)시키는 구동수단을 구비하고 있는 것이 바람직하다. 평면에서 보아 기판의 회전중심 부근에서 불활성 가스 노즐을 미동시키는 구동수단을 구비하고 있는 것으로, 불활성 가스의 공급을 시작할 때, 불활성 가스 노즐을 신속하게 미동시켜 불활성 가스의 공급을 시작할 수 있다.
상술한 발명에 있어서, 상기 구동수단은 또한, 상기 린스액 노즐을, 평면에서 보아 기판의 회전중심 부근에서 미동시키는 것이 바람직하다. 린스액 노즐도 미동시키도록 구동수단을 구성하였으므로, 불활성 노즐을 이동시킴과 아울러 린스액 노즐을 퇴피시킬 수 있다. 또한, 린스액 노즐과 불활성 가스 노즐의 구동수단을 공통화하는 것으로 현상장치의 구조를 간략화할 수 있다.
상술한 발명에 있어서, 또한, 상기 린스액 노즐이 평면에서 보아 기판의 회전중심 부근에 배치되어 있을 때에, 상기 현상액 노즐도 평면에서 보아 기판의 회전중심 부근에서 병설되고, 상기 제어수단은 기판을 회전시키면서, 현상액의 회전중심 부근에의 공급으로부터 린스액의 회전중심 부근에의 공급으로, 즉시 바꿀 수 있는 것이 바람직하다. 현상액 노즐과 린스액 노즐을 평면에서 보아 각각 기판의 회전중심 부근의 위치에서 병설하도록 구성하고 있으므로, 현상액 노즐을 기판의 회전중심 부근으로부터 크게 퇴피시키는 일 없이, 린스액을 기판의 회전중심 부근에 공급할 수 있다. 이 때문에, 제어수단에 의해, 기판의 회전중심 부근에의 공급을 현상액으로부터 린스액으로, 즉시 바꿀 수 있다. 이것에 의해, 기판에 새로운 현상액을 계속적으로 공급하여 현상반응의 속도의 저하를 방지함과 아울러, 소망의 타이밍에서 정지시킬 수 있다. 한편, 기판을 회전시키면서 행하므로, 새로운 현상 액을 기판 전체에 신속하게 널리 퍼지게 할 수 있다. 이상으로부터, 종래의 퍼들현상 방식에 비교하여, 기판에 현상처리를 행하는 시간을 단축할 수 있다.
상술한 발명에 있어서, 상기 린스액 노즐과 상기 불활성 가스 노즐은 일체로 구성되어 있는 것이 바람직하다. 린스액 노즐과 불활성 가스 노즐을, 평면에서 보아 각각 기판의 회전중심 부근의 위치에서 병설하는 것, 또는 각각 기판의 회전중심 부근으로 향한 자세로 병설하는 것을 바람직하게 실현할 수 있다.
상술한 발명에 있어서, 상기 현상액 노즐은 상기 린스액 노즐 및 상기 불활성 가스 노즐과 일체로 구성되어 있는 것이 바람직하다. 현상액 노즐과 린스액 노즐을, 평면에서 보아 각각 기판의 회전중심 부근의 위치에서 병설하는 것, 또는 각각 기판의 회전중심 부근으로 향한 자세로 병설하는 것을 바람직하게 실현할 수 있다.
또한, 본 발명은 기판에 현상처리를 행하는 현상장치로서, 상기 장치는 이하의 요소를 포함한다:
기판을 회전가능하게 지지하는 회전지지수단;
현상액을 기판에 공급하는 현상액 노즐;
린스액을 기판에 공급하는 린스액 노즐;
불활성 가스를 기판에 공급하는 불활성 가스 노즐;
기판의 회전과, 현상액, 린스액, 및 불활성 가스의 공급을 제어하는 제어수단.
상기 구성에 있어서 린스액 노즐과 상기 불활성 가스 노즐은 각각 기판의 회 전중심 부근으로 향한 자세로 병설되고,
상기 제어수단은 기판을 회전시키면서 회전중심 부근에 린스액을 공급한 후이며, 기판상에 린스액의 액막이 존재하고 있는 동안에, 회전중심 부근에 불활성 가스의 공급을 시작한다.
본 발명에 따르면, 린스액 노즐과 불활성 가스 노즐을 각각 기판의 회전중심 부근으로 향한 자세로 병설하도록 구성하고 있으므로, 린스액을 공급하였던 위치에서부터 린스액 노즐을 크게 퇴피시키는 일 없이, 불활성 가스를 기판의 회전중심 부근에 공급할 수 있다. 이 때문에, 제어수단에 의해, 기판의 회전중심 부근에의 공급을 린스액으로부터 불활성 가스로, 즉시 바꿀 수 있다. 이러한 구성에 있어서, 불활성 가스의 공급을, 린스액의 공급이 정지된 후에, 또한 기판면상에는 린스액이 여전히 액막상태로 존재하고 있는 동안에 개시시킨다. 공급된 불활성 가스는 린스액의 액막을 쪼개고, 기판의, 액막이 쪼개진 부분은 건조한다. 한편, 「기판의 회전중심 부근」은 기판의 회전중심도 포함하는 의미이다.
또한, 기판을 회전시키고 있으므로, 일단, 린스액의 액막이 쪼개지면, 쪼개진 부분이 기판의 외주방향으로 향하여 신속히 확대되어, 기판 전체가 건조한다. 이와 같이, 기판상에 린스액의 액막이 형성되어 있는 상태로부터 직접 기판이 건조한 상태로 되어, 린스액의 입자가 발생하는 타이밍은 없다. 따라서, 가령 기판의 접촉각이 커져도, 기판상에 린스액의 입자가 잔류할 염려가 없어, 레지스트의 성분이 린스액에 용해하는 것에 의한 현상결함도 방지할 수 있다.
상술한 발명에 있어서, 또한, 상기 린스액 노즐이 기판의 회전중심 부근으로 향한 자세로 배치되어 있을 때에, 상기 현상액 노즐도 기판의 회전중심 부근으로 향한 자세로 병설되고, 상기 제어수단은 기판을 회전시키면서, 현상액의 회전중심 부근에의 공급으로부터 린스액의 회전중심 부근에의 공급으로, 즉시 바꿀 수 있는 것이 바람직하다. 현상액 노즐과 린스액 노즐을 기판의 회전중심 부근으로 향한 자세로 병설하도록 구성하고 있으므로, 현상액을 공급하였던 위치부터 현상액 노즐을 크게 퇴피시키는 일 없이, 린스액을 기판의 회전중심 부근에 공급할 수 있다. 이 때문에, 제어수단에 의해, 기판의 회전중심 부근에의 공급을 현상액으로부터 린스액으로, 즉시 바꿀 수 있다. 이것에 의해, 기판에 새로운 현상액을 계속적으로 공급하여 현상반응의 속도의 저하를 방지함과 아울러, 소망의 타이밍에서 정지시킬 수 있다. 한편, 기판을 회전시키면서 행하므로, 새로운 현상액을 기판 전체에 신속하게 널리 퍼지게 할 수 있다. 이상으로부터, 종래의 퍼들현상 방식에 비교하여, 기판에 현상처리를 행하는 시간을 단축할 수 있다.
또한, 본 발명은 기판에 현상처리를 행하는 현상장치로서, 상기 장치는 이하의 요소를 포함한다:
기판을 회전가능하게 지지하는 회전지지수단;
현상액을 기판에 공급하는 현상액 노즐;
린스액을 기판에 공급하는 린스액 노즐;
불활성 가스를 기판에 공급하는 불활성 가스 노즐;
기판의 회전과, 현상액, 린스액, 및 불활성 가스의 공급을 제어하는 제어수단.
상기 구성에 있어서, 상기 현상액 노즐과 상기 린스액 노즐은 평면에서 보아 각각 기판의 회전중심 부근의 위치에서 병설되고,
상기 제어수단은 기판을 회전시키면서, 현상액의 회전중심 부근에의 공급으로부터 린스액의 회전중심 부근에의 공급으로, 즉시 바꿀 수 있다.
본 발명에 따르면, 현상액 노즐과 린스액 노즐을 평면에서 보아 각각 기판의 회전중심 부근의 위치에서 병설하도록 구성하고 있으므로, 현상액 노즐을 기판의 회전중심 부근으로부터 크게 퇴피시키는 일 없이, 린스액을 기판의 회전중심 부근에 공급할 수 있다. 이 때문에, 제어수단에 의해, 기판의 회전중심 부근에의 공급을 현상액으로부터 린스액으로, 즉시 바꿀 수 있다. 또한, 현상액 및 린스액을 기판의 회전중심 부근에 거의 바로 위에서부터 공급할 수 있으므로, 현상액 또는 린스액이 기판의 회전중심 부근으로부터 동심원상으로 퍼지도록 할 수 있다. 이것에 의해, 기판에 새로운 현상액을 계속적으로 공급하여 현상반응의 속도의 저하를 방지함과 아울러, 소망의 타이밍에서 정지시킬 수 있다. 한편, 기판을 회전시키면서 행하므로, 새로운 현상액을 기판 전체에 신속하게 널리 퍼지게 할 수 있다. 이상으로부터, 종래의 퍼들현상 방식에 비교하여, 기판에 현상처리를 행하는 시간을 단축할 수 있다.
또한, 본 발명은 기판에 현상처리를 행하는 현상방법으로서, 상기 방법은 이하의 요소를 포함한다:
기판에 현상액을 공급하여 기판을 현상하는 현상과정;
기판에 린스액을 공급하면서, 기판을 회전시켜서 린스를 행하는 린스과정;
상기 린스과정이 종료한 후로서, 기판상에 린스액의 액막이 존재하고 있는 동안에, 기판의 회전중심 부근에 불활성 가스의 공급을 시작하고, 기판을 건조하는 건조과정.
본 발명에 따르면, 기판에 린스액을 공급하는 린스과정이 종료한 후로서, 기판상에 린스액의 액막이 존재하고 있는 동안에, 불활성 가스의 공급을 시작함으로써, 공급된 불활성 가스는 린스액의 액막을 쪼갠다. 그리고, 기판의, 액막이 쪼개진 부분은 건조한다. 또한, 기판을 회전시키고 있으므로, 일단, 린스액의 액막이 쪼개지면, 쪼개진 부분이 기판의 외주방향으로 향하여 신속히 확대되어, 기판 전체가 건조한다. 이와 같이, 기판상에 린스액의 액막이 형성되어 있는 상태로부터 직접 기판이 건조한 상태로 되어, 린스액의 입자가 발생하는 일은 없다. 따라서, 가령 기판의 접촉각이 커져도, 기판상에 린스액의 입자가 잔류할 염려가 없어, 레지스트의 성분이 린스액에 용해하는 것에 의한 현상결함도 방지할 수 있다.
상술한 발명에 있어서, 상기 현상과정은 그 기간이 종료할 때까지 현상액의 공급을 계속함과 아울러, 상기 린스과정은 현상액의 공급이 종료한 직후에, 린스액의 공급을 시작하는 것이 바람직하다. 현상과정은 현상액을 계속적으로 공급함으로써, 현상 계면에는 항상 새로운 현상액이 공급되어, 현상반응의 속도가 저하하는 일이 없다. 따라서, 현상과정에 필요로 하는 시간을 단축시킬 수 있다. 또한, 린스과정은 현상액의 공급이 종료한 직후에 린스액의 공급을 시작하므로, 현상을 즉시 종료시켜 현상의 지나침을 방지함과 아울러, 린스과정으로 이행시킬 수 있다. 이상으로부터, 기판에 현상처리를 행하는 시간을 단축할 수 있다.
한편, 본 명세서는 다음과 같은 현상장치 및 현상방법에 의한 발명도 개시하고 있다.
(1)기판에 현상처리를 행하는 현상장치로서, 상기 장치는 이하의 요소를 포함한다:
기판을 회전가능하게 지지하는 회전지지수단;
현상액을 기판에 공급하는 현상액 노즐;
린스액을 기판에 공급하는 린스액 노즐;
불활성 가스를 기판에 공급하는 불활성 가스 노즐;
기판의 회전과, 현상액, 린스액, 및 불활성 가스의 공급을 제어하는 제어수단.
상기 구성에 있어서, 상기 린스액 노즐과 상기 불활성 가스 노즐은 평면에서 보아 각각 기판의 회전중심 부근의 위치에서 병설되고, 상기 제어수단은 기판을 회전시키면서, 린스액의 회전중심 부근에의 공급으로부터 불활성 가스의 회전중심 부근에의 공급으로, 즉시 바꿀 수 있다.
상기 (1)에 기재한 발명에 따르면, 린스액 노즐과 불활성 가스 노즐을 평면에서 보아 각각 기판의 회전중심 부근의 위치에서 병설하도록 구성하고 있으므로, 제어수단에 의해 기판의 회전중심 부근에의 공급을 린스액으로부터 불활성 가스로, 즉시 바꿀 수 있다. 따라서, 불활성 가스의 공급이 개시될 때는 린스액의 공급이 정지되어 있어도 기판면상에는 린스액이 여전히 액막상태로 존재하고 있다. 따라서, 청구항 1과 마찬가지의 작용 효과를 얻을 수 있다.
(2)기판에 현상처리를 행하는 현상방법으로서, 상기 방법은 이하의 요소를 포함한다:
기판에 현상액을 공급하여 기판을 현상하는 현상과정;
기판에 린스액을 공급하면서, 기판을 회전시켜 린스를 행하는 린스과정;
상기 린스과정이 종료한 직후에 기판의 회전중심 부근에 불활성 가스의 공급을 시작하고, 기판을 건조하는 건조과정.
상기 (2)에 기재한 발명에 따르면, 기판에 린스액을 공급하는 린스과정이 종료한 직후는 기판면상에는 린스액이 여전히 액막상태로 존재하고 있다. 이때에 불활성 가스를 기판의 회전중심 부근에 공급하므로, 청구항 19와 마찬가지의 작용 효과를 얻을 수 있다.
발명을 설명하기 위한 현재의 바람직하다고 생각되는 몇 가지의 형태가 도시되어 있지만, 발명이 도시된 대로의 구성 및 방책에 한정되는 것은 아니라는 것이 이해될 것이다.
이하, 본 발명의 바람직한 실시예를 도면에 근거하여 상세하게 설명한다.
도 2는 실시예에 의한 현상장치의 개략구성을 나타내는 도면이고, 도 3(A)는 일체(一體)노즐(11)의 수직단면도이며, 도 3(B)는 일체노즐(11)의 수평단면도이다.
이 현상장치는 수평자세의 기판(W)의 하면을 흡착 지지하는 스핀척(spin chuck, 1)을 구비하고 있다. 스핀척(1)의 하단에는, 제1 모터(3)의 출력축이 연직 상향으로 접속되어 있다. 제1 모터(3)의 구동에 의해, 기판(W)을 소정의 회전수로 회전시킨다. 이때, 기판(W)의 회전중심(C)은 제1 모터(3)의 출력축의 연장상이다. 스핀척(1)과 제1 모터(3)는 본 발명에서의 회전지지수단에 상당한다.
또한, 스핀척(1)의 주위에는, 기판(W)으로부터 털어낸 순수나 현상액 등을 회수하는 컵(도시 생략)이 설치되어 있다. 스핀척(1)의 위쪽에는, 질소가스와 린스액과 현상액을 토출하는 일체노즐(11)을 구비하고 있다.
도 3(A), 3(B)를 참조한다. 일체노즐(11)은 원통형상의 외관(外管, 13)과, 외관(13)의 중공부(中空部)에 삽입되어 있는 원통형상의 중관(中管, 15)과, 중관(15)의 중공부에 삽입되어 있는 원통형상의 내관(內管, 17)을 가져, 3중 관을 구성하고 있다. 이들 외관(13), 중관(15) 및 내관(17)의 중심축은 일치하도록 배치되어 있다. 또한, 중관(15) 및 내관(17)의 하단은 정면에서 보아, 같은 위치까지 뻗어있지만, 외관(13)의 하단은 중관(15) 및 내관(17)보다 높은 위치에서 고정되어 있다.
외관(13)의 하단으로부터 아래쪽으로 돌출하고 있는 중관(15)의 하부에는, 현상액의 기판(W)상에의 착액(着液)의 충격을 완화시키는 액차단부재(19)가 설치되어 있다. 액차단부재(19)는 평면에서 보아, 원고리(圓環) 형상이며, 그 상면(19a)은 외주측에 걸쳐 아래쪽으로 경사져 있다. 또한, 이 경사는 외주측일수록 경사가 커지도록 만곡(彎曲)되어 있다.
외관(13)의 내주면과 중관(15)의 외주면으로 둘러싸이는, 평면에서 보아 원고리 형상의 공간(이하, 「제1 공간」이라고 부른다)(A1)은 일체노즐(11)내의 현상액의 유로(流路)이다. 이 제1 공간(A1)의 위쪽에는 현상액배관(配管, 21)의 일단 이 접속되고, 제1 공간(A1)의 하면은 토출구멍으로 된다.
마찬가지로, 중관(15)의 내주면과 내관(17)의 외주면으로 둘러싸이는, 평면에서 보아 원고리 형상의 공간(이하, 「제2 공간」이라고 부른다)(A2)은 일체노즐(11)내의 린스액의 유로이다. 이 제2 공간(A2)의 위쪽에는 린스액배관(27)의 일단이 접속되고, 제2 공간(A2)의 하면은 토출구멍으로 된다.
그리고, 내관(17)의 중공부(이하, 「제3 공간」이라고 부른다)(A3)은 일체노즐(11)내의 질소가스의 유로이다. 이 제3 공간(A3)의 위쪽에는 질소가스배관(35)의 일단이 접속되고, 제3 공간(A3)의 하면이 토출구멍으로 된다.
이 일체노즐(11)이 기판(W)의 회전중심(C)으로부터 기판(W) 면에 대하여 수직 위쪽에 위치할 때, 상기 제1 공간(A1), 상기 제2 공간(A2) 및 상기 제3 공간(A3)이 기판(W)의 회전중심(C) 부근으로부터 동심원상으로 형성되고, 실질적으로 평면에서 보아 기판(W)의 회전중심(C) 부근에서 현상액 노즐, 린스액 노즐, 및 질소가스 노즐이 병설되는 것으로 된다. 따라서, 기판(W)의 회전중심(C) 부근에 현상액, 린스액, 또는 질소가스 중 어느 것이라도 공급할 수 있다. 한편, 일체노즐(11)은 본 발명에서의 현상액 노즐과 린스액 노즐과 불활성 가스 노즐을 일체적으로 구성한 것에 상당한다.
다시, 도 2를 참조한다. 현상액배관(21)의 타단측에는 현상액공급원(23)이 연통 접속되어 있다. 현상액공급원(23)은 현상액을 수용하고 있는 용기이며, 본 장치내에 설치되어 있다. 이들 현상액배관(21) 및 현상액공급원(23)은 현상액공급부로서 기능하고 있다. 또한, 현상액배관(21)에는 전자개폐밸브(25)가 설치되어 있다.
린스액배관(27)의 타단측에는, 2개의 분기관(29a, 29b)으로 분기되어 있고, 각각 순수공급원(31a)과 계면활성제용액공급원(31b)에 연통 접속되어 있다. 순수공급원(31a)은 세정실내의 유틸리티(utility) 등으로서 구비되는 것으로도 좋다. 계면활성제용액공급원(31b)은 계면활성제와 순수를 소정의 비율로 혼합하는 칭량조(秤量槽, weighing tank)이다. 한편, 본 명세서에서는, 순수 및 계면활성제용액을 「린스액」이라고 총칭한다. 이들 린스액배관(27), 분기관(29a, 29b), 순수공급원(31a), 및 계면활성제용액공급원(31b)은 린스액공급부로서 기능하고 있다. 또한, 각 분기관(29a, 29b)에는 각각 전자개폐밸브(33a, 33b)가 설치되어 있다.
질소가스배관(35)의 타단측에는, 질소가스공급원(37)이 연통 접속되어 있다.
질소가스공급원(37)은 세정실내의 유틸리티 등으로서 구비하는 것으로도 좋다. 이들 질소가스배관(35) 및 질소가스공급원(37)은 질소가스공급부로서 기능하고 있다. 또한, 질소가스배관(35)에는 전자개폐밸브(39)가 설치되어 있다.
일체노즐(11)의 상부는 하우징(housing, 41)에 의해 덮어져 있다. 하우징(41)내에는 방열/흡열의 양쪽 기능을 갖는 펠티에 소자(Peltier device, 43)가 수용되어 있어, 일체노즐(11)의 외관(13)을 가열 또는 냉각한다. 이것에 의해, 일체노즐(11)의 제1 공간(A1)내의 현상액 및 제2 공간(A2)내의 린스액의 온도를 일괄하여 조절한다. 하우징(41)과 펠티에 소자(43)는 본 발명에서의 온도조절수단에 상당한다.
또한, 일체노즐(11)의 측부에는 아암(47)의 일단측이 접속되고, 그 타단측 (他端側)에는 제2 모터(49)의 회전축이 연직 상향으로 접속되어 있다. 그리고, 제2 모터(49)의 구동에 의해, 기판(W)으로부터 벗어난 위치에 설치되어 있는 대기포트(standby pot, 도시 생략)와, 평면에서 보아 기판(W)의 회전중심(C) 부근과의 사이를 일체노즐(11)이 왕복 선회 이동 가능하게 구성되어 있다.
제어부(51)는 상술한 제1 모터(3)와 제2 모터(49)와 전자개폐밸브(25, 33a, 33b, 39)와 펠티에 소자(43)를 통괄적으로 조작한다. 제어부(51)는 각종 처리를 실행하는 중앙연산처리장치(CPU)나, 연산처리의 작업영역으로 되는 RAM(Random·Access Memory)이나, 각종 정보를 기억하는 고정 디스크 등의 기억매체 등에 의해 실현되고 있다. 제어부(51)는 본 발명에서의 제어수단에 상당한다.
다음에, 도면을 참조하여, 현상장치의 동작에 대하여 설명한다. 도 4는 기판에 현상처리를 행하는 순서를 제시하는 타이밍 차트이다. 도 4에 도시하는 바와 같이 현상처리는 크게 현상과정과 린스과정과 건조과정으로 나누어지므로, 이하에서는 각 과정으로 나누어 설명한다. 한편, 일체노즐(11)내의 현상액과 린스액은 소정의 온도로 되도록 펠티에 소자(43)의 방열량 및 흡열량이 조작되어 있는 것으로 한다.
<현상과정 시각 t1∼시각 t2>
노광된 결과, 표면에 포토레지스트(photoresist)막이 형성된 기판(W)이 현상장치내로 반송되면, 기판(W)은 수평자세로 스핀척(1)에 흡착 지지된다. 그 후, 제어부(51)는 제1 모터(3)의 구동을 개시시켜, 기판(W)을 소정의 회전속도(수백rpm∼수천rpm)로 회전시킨다.
제어부(51)는 계속하여 제2 모터(49)를 구동시켜, 대기포트(도시 생략)의 위치에 있는 일체노즐(11)을 평면에서 보아 기판(W)의 회전중심(C) 부근으로 선회 이동시켜 정지시킨다. 선회 이동시키고 있을 때, 제어부(51)는 폐쇄상태에 있는 전자개폐밸브(25)를 개방시켜, 현상액공급원(23)으로부터 현상액배관(21)을 통하여 일체노즐(11)로 현상액을 안내한다. 안내된 현상액은 일체노즐(11)내의 제1 공간(A1)을 흐름과 아울러, 소정의 온도로 조절되어, 제1 공간(Al)의 하면으로부터 토출된다. 토출된 현상액은 액차단부재(19)의 상면(19a) 전체 둘레에 걸쳐 충돌한 후, 이 상면(19a)에 형성된 경사를 따라 아래쪽으로 유동하여, 액차단부재(19)의 외주연(外周緣) 전체 둘레로부터 아래로 흐른다.
아래로 흐른 현상액은 일체노즐(11)의 선회 이동에 맞춰, 먼저 기판(W)의 주연측으로부터 공급된다. 일체노즐(11)이 평면에서 보아 기판(W)의 회전중심(C) 부근으로 이동하여 정지한 후는 시각 t2까지, 현상액이 기판(W)의 회전중심(C) 부근으로 계속 공급된다.
도 5를 참조한다. 도 5는 일체노즐(11)로부터 기판(W)에 현상액을 공급하고 있는 모양을 나타내는 모식도이다. 도시한 바와 같이, 액차단부재(19)의 외주연 전체 둘레로부터 아래로 흐른 현상액은 기판(W)에 착액하면, 원심력을 받아서 기판(W)상을 외주방향으로 유동하여 넓어진다. 한편, 착액한 위치로부터 내주방향으로 일부 흐른다. 그리고, 기판(W)의 주연측(周緣側)으로부터 현상액이 버려진다.
이 때문에, 기판(W)에는 항상 새로운 현상액이 순환되고 있는 상태로 유지되어 있다. 따라서, 현상액의 알칼리의 농도는 열화(劣化)하는 일이 없으므로, 현상 반응(중화반응)의 속도는 현상과정을 통하여 저하하지 않는다.
도 6은 현상패턴의 선폭(CD: Critical Dimension)과 시간과의 관계를, 종래의 퍼들현상 방식과 비교하여 나타내는 모식도이다. 도 6 에 있어서, 실선은 본 실시예에 의한 경우이며, 점선은 종래의 퍼들현상 방식에 의한 경우를 나타내고 있다. 또한, 도 6에 표시하는 부호 D는 선폭의 목표값이다. 도시하는 바와 같이, 현상 시작시각 t1에 있어서는 본 실시예와 종래의 퍼들현상 방식의 어느 것도, 현상패턴의 선폭이 감소하는 비율은 변하지 않는다. 즉, 현상반응의 속도는 같은 정도이다. 그러나, 본 실시예에서는, 시간이 경과하여도 현상패턴의 선폭이 감소하는 비율에 변화가 없는 것에 대하여, 종래의 퍼들현상 방식에서는, 시간의 경과와 함께 현상패턴의 선폭이 감소하는 비율이 떨어지고 있다. 이 때문에, 본 실시예에 따르면, 퍼들현상 방식에 비교하여 더욱 단시간에 현상패턴의 선폭을 목표값 D까지 감소시킬 수 있다.
<린스과정(1) 시각 t2∼시각 t3>
시각 t2에 있어서, 제어부(51)는 개방상태에 있는 전자개폐밸브(25)를 폐쇄시킴과 아울러, 폐쇄상태에 있는 전자개폐밸브(33a)를 개방시킨다. 한편, 제1 모터(3)는 계속적으로 구동하고 있어, 기판(W)은 소정의 회전속도로 회전하고 있다.
이것에 의해, 현상액의 기판(W)에의 공급은 정지된다. 또한, 순수공급원(31a)으로부터 일체노즐(11)내에 순수가 안내된다. 순수는 제2 공간(A2)을 흐름과 아울러, 소정의 온도로 조절되어, 제2 공간(A2)의 하면으로부터 토출된다.
도 7은 일체노즐(11)로부터 기판(W)에 순수를 공급하고 있는 모양을 나타내 는 모식도이다. 토출된 순수는 기판(W)상에 그대로 아래로 흐르고, 원심력을 받아서 기판(W)상을 외주방향으로 유동하여 넓어진다. 이 때문에, 기판(W)상에는 순수의 액막(R)이 형성되어 있다. 한편, 착액한 위치로부터 내주방향으로도 일부 흐른다. 그리고, 기판(W)의 주연측으로부터 순수가 버려진다.
이상과 같이 기판(W)상에 있었던 현상액을 순수로 치환함으로써, 즉시 현상반응을 정지시킬 수 있다. 이 때문에, 도 6에 도시하는 바와 같이, 현상패턴의 선폭이 목표값 D로 되는 소망의 타이밍으로 정확하게 현상반응을 정지시킬 수 있다.
<린스과정(2) 시각 t3∼시각 t4>
시각 t3에 있어서, 개방상태에 있는 전자개폐밸브(33a)를 폐쇄시킴과 아울러, 폐쇄상태에 있는 전자개폐밸브(33b)를 개방시킨다.
이것에 의해, 순수로부터 계면활성제용액으로 바꿀 수 있다. 계면활성제용액은 순수와 마찬가지로 온도조절된 후에 제2 공간(A2)의 하면으로부터 토출된다. 토출된 계면활성제용액은 기판(W)상을 유동하여, 기판상에 계면활성제용액의 액막이 형성된다. 한편, 계면활성제용액의 액막에 대하여도, 편의상, 순수의 액막(R)과 같은 부호 「R」을 사용한다.
<건조과정 시각 t4∼시각 t5>
시각 t4에 있어서, 제어부(51)는 제1 모터(3)를 조작하여, 기판(W)을 더욱 고속의 회전속도로 회전시킨다. 또한, 개방상태에 있는 전자개폐밸브(33b)를 폐쇄시킴과 아울러, 폐쇄상태에 있는 전자개폐밸브(39)를 개방시킨다.
이것에 의해, 계면활성제용액의 기판(W)에의 공급은 정지된다. 또한, 질소 가스공급원(37)으로부터 일체노즐(11)내로 질소가스가 안내되어, 제3 공간(A3)의 하면으로부터 분사된다. 질소가스의 분사가 시작될 때는 계면활성제용액의 기판(W)에의 공급이 정지된 직후이며, 여전히 계면활성제용액의 액막(R)이 기판(W)의 면(面)상 전체에 존재하고 있다.
도 8은 일체노즐(11)로부터 기판(W)에 질소가스의 공급을 시작하였을 때의 모양을 나타내는 모식도이다. 도시하는 바와 같이, 분사된 질소가스는 기판(W)의 회전중심(C) 부근의 액막(R)을 쪼개지도록 계면활성제용액을 주위로 불어 날려버린다. 그리고, 계면활성제용액의 액막(R)이 쪼개진 회전중심(C) 부근이 건조한다.
또한 도 9에 도시하는 바와 같이, 일단, 계면활성제용액의 액막(R)이 쪼개지면, 쪼개진 부분은 기판(W)의 외주방향으로 향하여 신속히 확대되어, 건조한 부분도 신속히 넓어진다. 그리고, 기판(W) 전체가 건조된다.
신속히 건조가 진행되면, 기판(W)상에 린스액의 액막(R)이 형성되어 있는 상태로부터 직접 기판(W)이 건조한 상태로 되어, 계면활성제용액의 입자가 발생하는 타이밍은 없다. 한편, 예컨대, 계면활성제용액의 입자가 발생한 경우라도, 기판(W)의 회전에 의한 원심력과 질소가스에 의한 풍압(風壓)에 의해, 기판(W) 바깥으로 날려버릴 수 있다.
그리고, 시각 t5까지 기판(W)을 건조시키면, 건조과정을 종료한다.
이와 같이, 본 실시예에 의한 현상장치에 따르면, 현상액과 린스액과 질소가스를 토출하는 일체노즐(11)를 구비하고 있으므로, 일체노즐(11)을 평면에서 보아 기판(W)의 회전중심(C) 부근에 정지시킨 채, 전자개폐밸브(25, 33a, 33b, 39)를 개 방/폐쇄시키는 것만으로, 기판(W)의 회전중심(C) 부근에 공급되는 기액(氣液)의 종류를 즉시 바꿀 수 있다.
구체적으로는, 현상액의 공급을 정지한 직후에 순수를 공급하여 현상반응을 종료시킬 수 있으므로, 본 실시예와 같이, 현상과정을 종료하기 직전까지 현상액을 공급하는 것이 가능하다. 이것에 의해, 현상반응의 속도가 최후까지 저하하는 일이 없다. 따라서, 현상과정의 기간을 단축할 수 있으므로, 현상처리 전체를 행하는 시간을 단축할 수 있다. 또한, 소망의 타이밍으로 현상액으로부터 순수로 바꾸는 것으로, 즉시 현상반응을 정지시킬 수 있다. 따라서, 소망의 선폭의 현상패턴이 얻어지는 현상처리를 정확하게 행할 수 있다.
또한, 계면활성제용액의 공급을 정지한 직후에 질소가스를 분사하므로, 기판(W)상에 계면활성제용액의 액막(R)이 있는 상태로부터 직접, 신속하게 건조시킬 수 있다. 이 때문에, 포토레지스트 막의 영향에 의해 기판(W)의 접촉각이 커서 계면활성제용액이 입자로 되기 쉬운 경우라도, 계면활성제용액의 입자가 발생하는 것을 억제할 수 있다. 이 결과, 계면활성제용액은 레지스트의 성분이 용해될 만큼 충분한 시간, 기판(W)상에 잔류하지 않는다. 따라서, 기판(W)이 건조한 후에, 레지스트의 성분의 석출 등에 의한 현상결함을 초래하는 일이 없다.
또한, 예컨대, 계면활성제용액의 입자가 기판(W)상에 발생한 경우라도, 기판(W)의 회전에 의한 원심력과 질소가스에 의한 풍압에 의해, 계면활성제용액의 입자를 기판(W) 바깥으로 날려 버릴 수 있다.
또한, 일체노즐(11)은 평면에서 보아 기판(W)의 회전중심(C) 부근에 위치하 고 있으므로, 기판(W) 면에 거의 직각으로 각종 기액을 입사(入射)시킬 수 있다. 이 때문에, 기판(W)의 회전중심(C) 부근으로부터 동심원상으로 각종 액체가 확산되도록 각종 액체를 공급할 수 있다. 또한, 질소가스에 의한 기판(W)의 건조를, 회전중심(C) 부근으로부터 동심원상으로 진행시킬 수 있다.
또한, 단일의 아암(47)과 단일의 제2 모터(49)에 의해 일체노즐(11)을 선회 이동시키므로, 현상장치의 구조를 간략화할 수 있다.
또한, 린스과정에 있어서 기판(W)에 공급되는 계면활성제용액은 표면장력이 비교적 작으므로, 현상패턴 사이로 들어가고 있는 계면활성제용액이 날려 버려지거나, 건조할 때에 현상패턴을 인장하는 일이 없다. 따라서, 건조과정에 있어서, 현상패턴이 붕괴되는, 소위 패턴 붕괴를 방지할 수 있다.
또한, 일체노즐(11)의 제2 공간(A2)내의 린스액을 온도조절함으로써, 건조과정에 필요로 하는 시간의 편차나 장시간화를 억제할 수 있다. 이것에 의해, 레지스트 성분의 용해에 의한 현상결함을 억제할 수 있다.
또한, 하우징(41) 및 펠티에 소자(43)로 이루어지는 단일의 온도조절수단에 의해 현상액과 린스액을 아울러 온도조절하도록 구성함으로써, 각각 별개로 온도조절수단을 설치하는 경우에 비교하여 구성을 간략화할 수 있다.
또한, 일체노즐(11)은 액차단부재(19)를 구비하고 있으므로, 기판(W)에 현상액을 부드럽게 착액시킬 수 있다.
또한, 현상과정의 시작시에 있어서, 대기포트(도시 생략)의 위치로부터 평면에서 보아 기판(W)의 회전중심(C) 부근에 일체노즐(11)을 선회 이동시키고 있을 때 부터 현상액을 토출시키도록 구성하고 있으므로, 현상액은 먼저 기판(W)의 주연측으로부터 공급된다. 이것에 의해, 현상액의 공급을 기판(W)의 중앙에서 시작하는 경우에 비교하여, 현상액이 착액할 때에 들어오는 기포인 마이크로(micro) 기포의 의 발생을 억제할 수 있다.
본 발명은 상기 실시형태에 한정되는 일은 없고, 하기와 같이 변형 실시할 수 있다.
(1)상술한 실시예에서는, 현상액과 린스액과 질소가스를 토출하는 일체노즐(11)을 구비하고 있지만, 이러한 구성에 한정되지 않는다.
예컨대, 도 10에 도시하는 바와 같이, 단일의 원통형상으로 구성되고, 그 하부에 단일의 토출구멍이 형성되어 있는 일체노즐(61)이라도 좋다. 도시하는 바와 같이, 일체노즐(61)의 상부에는 현상액배관(21)과 린스액배관(27)과 질소가스배관(35)이 각각 접속되어 있고, 각 기액은 공통의 토출구멍으로부터 토출된다.
또한, 도 11에 도시하는 바와 같이, 액체, 기체의 종류 마다 현상액 노즐(63a), 린스액 노즐(63b), 질소가스 노즐(63c)을 별개로 구비하도록 구성하여도 좋다. 한편, 이 경우라도, 현상액 노즐(63a), 린스액 노즐(63b), 질소가스 노즐(63c)을 합쳐서 지지하는 단일의 아암(이하, 단일아암이라고 함)을 구비하도록 구성하여도 좋다. 혹은 각 노즐(63a, 63b, 63c)을 개별적으로 지지하는 3개의 아암(이하, 각각을 개별아암이라고 함)을 구비하도록 구성하여도 좋다.
또한, 상술한 단일아암 또는 개별아암에, 실시예에 있어서 설명한 제2 모터(49)를 적용하여도 좋지만, 다음과 같이 변형하여도 좋다. 즉, 상술한 실시예에 서는, 평면에서 보아 기판(W)의 회전중심(C) 부근에 노즐(11)을 선회 이동시키는 것으로 정지시켰지만, 회전중심(C) 부근으로 이동시킨 현상액 노즐(63a), 린스액 노즐(63b), 질소가스 노즐(63c)을, 또한, 평면에서 보아 기판(W)의 회전중심(C) 부근의 범위내에 있어서 이동 또는 회전시키도록 구성하여도 좋다. 여기에서, 이동이란, 회전중심(C) 부근에 지지된 각 노즐(63a, 63b) 및 노즐(63c) 중 적어도 어느 하나의 토출구멍이 기판(W)의 회전중심(C)을 향하도록 하는 위치에 이동시키는 것을 말한다. 이동시키는 거리는 예컨대, 20∼30mm 정도이다. 또한, 회전이란, 회전중심(C) 부근에 지지된 각 노즐(63a, 63b, 63c) 중 적어도 어느 하나의 토출구를 기판(W)의 회전중심(C)을 향하도록 하는 자세로 변위시키는 것을 말한다. 이하에서는, 평면에서 보아 기판(W)의 회전중심(C) 부근의 범위내에서의 노즐(63a, 63b, 63c)의 이동 또는 회전을 단지 「미동(微動)」이라고 기재하고, 상술하는 선회 이동과 구별한다.
도 12(A), 도 12(B), 도 12(C)를 참조하여 설명한다. 도 12(A)∼도 12(C)는 각각 변형 실시예에 의한 현상장치의 주요부의 평면도이다. 현상액 노즐(64a), 린스액 노즐(64b), 질소가스 노즐(64c)은 서로 밀접하면서, 각각 선회궤도(L)상에 위치하도록 단일아암(48)에 의해 일괄하여 지지되어 있다. 한편, 각 노즐(64a, 64b), 노즐(64c)의 토출구멍은 모두 연직 하향이다. 단일아암(48)의 기단부(基端部)에는 제2 모터(49)가 연결되어 있다. 한편, 단일아암(48)과 제2 모터(49)는 본 발명에서의 구동수단에 상당한다.
그리고, 도시 생략한 제어부가 제2 모터(49)를 조작하여, 기판(W) 위쪽으로 부터 어긋난 대기위치(도 12(A)에 있어서 일점쇄선으로 표시하는 위치)로부터 각 노즐(64a, 64b, 64c)을 일괄하여 기판(W)의 회전중심(C) 부근까지 선회 이동시키면서, 현상액 노즐(64a)로부터 현상액을 토출시킨다. 그리고, 현상액 노즐(64a)이 평면에서 보아 기판(W)의 회전중심(C)의 위치로 이동되면, 단일아암(48)의 선회 이동을 정지시킨다(도 12(A)에서 실선으로 표시하는 위치). 이것에 의해, 기판(W)의 회전중심(C)에 현상액이 공급된다. 이 현상과정으로부터 린스과정으로 옮겨갈 때는 제어부가 제2 모터(49)를 조작하는 것으로 단일아암(48)을 약간 선회 이동시켜, 린스노즐(64b)을 평면에서 보아 기판(W)의 회전중심(C)의 위치에서 정지시킨다(도 12(B)에서 실선으로 표시하는 위치). 한편, 이 약간의 선회 이동이 상술하는 미동에 상당한다.
이것에 의해, 린스액이 기판(W)의 회전중심(C)에 공급된다. 또한, 린스과정으로부터 건조공정으로 옮겨갈 때는 다시 제어부가 제2 모터(49)를 조작함으로써 단일아암(48)을 미동시켜, 질소가스 노즐(64c)을 평면에서 보아 기판(W)의 회전중심(C)의 위치에서 정지시킨다(도 12(C)에서 실선으로 표시하는 위치). 이것에 의해, 질소가스가 기판(W)의 회전중심(C)에 공급된다. 이와 같이, 공급하는 액체 및 기체의 종류 마다 복수의 노즐(64a, 64b, 64c)을 구비하는 경우라도, 기판(W)의 회전중심(C) 부근에서 미동시킴으로써, 기판(W)의 회전중심(C)에 현상액, 린스액, 또는 질소가스를 공급할 수 있다. 한편, 공급하는 액체·기체의 종류를 바꿀 때는 약간의 선회 이동으로 끝나므로, 바꿈 동작을 신속하게 행할 수 있다. 이 때문에, 상기 실시예와 마찬가지의 효과를 얻을 수 있다. 또한, 각 노즐(64a, 64b, 64c)을 일체로 미동시키기 때문에, 장치 구성을 간략화할 수 있어, 제어부에 의한 제어도 복잡하게 되는 일은 없다.
복수의 노즐을 미동시키는 구성은 도 12에서 설명한 변형 실시예에 한정되지 않는다. 예컨대, 현상액 노즐(63a), 린스액 노즐(63b), 질소가스 노즐(63c)를 일괄하여 이동 또는/및 회전시켜 미동시키는 공용(共用) 구동부를, 제2 모터(49)와는 별개로 구비하도록 구성하여도 좋다. 이 공용 구동부는 상술한 단일아암(48)의 선단에 설치되어도 좋고, 단일아암(48)의 임의의 위치에 설치되어도 좋다.
또한, 각 노즐(63a, 63b, 63c)을 각각 별개로 미동시키는 현상액용 구동부와 린스액용 구동부와 질소가스용 구동부를 구비하도록 구성하여도 좋다.
이들 현상액용 구동부, 린스액용 구동부, 및 질소가스용 구동부는 단일구동 기구의 선단에 설치되어도 좋고, 개별 아암의 임의의 위치에 설치되어도 좋다.
그리고, 실제로 기액을 공급하는 타이밍을 따라, 순서대로 각 노즐(63a, 63b, 63c)의 토출구가 기판(W)의 회전중심(C)에 대향하도록 평면에서 보아 기판(W)의 회전중심(C) 부근의 범위내(예컨대, 20∼30mm 정도의 범위내)에서 각 노즐(63a, 63b, 63c)을 미동시키도록 하여도 좋다.
한편, 공용 구동부, 현상액용 구동부, 린스액용 구동부, 및 질소가스용 구동부 중 적어도 어느 하나가 연결된 단일아암(48) 또는 개별아암은 본 발명에서의 구동수단에 상당한다.
또한, 실시예에서 설명한 일체노즐(11)에 대하여도 상술한 구동수단을 적용하고, 각 기액의 토출의 타이밍에 따라, 각 기액의 토출구가 기판(W)의 회전중 심(C)을 향하도록 기판(W)의 회전중심(C) 부근에서 일체노즐(11)을 미동시키도록 구성하여도 좋다.
(2)또한, 상술한 실시예에서는, 평면에서 보아 기판(W)의 회전중심(C) 부근의 위치에 일체노즐(11)을 설치하고 있었지만, 노즐의 위치는 이에 한정되지 않는다. 도 13에 도시하는 바와 같이, 평면에서 보아 기판(W)의 회전중심(C) 부근으로부터 벗어난 위치에 현상액 노즐(65a), 린스액 노즐(65b), 질소가스 노즐(65c)을 별개로 설치하고, 각 토출구멍이 기판(W)의 회전중심(C) 부근으로 향한 자세로 각 노즐(65a, 65b, 65c)을 병설하여도 좋다. 그리고, 위쪽으로부터 비스듬하게 기판(W)의 회전중심(C) 부근에 기액을 공급하여도 좋다.
(3)상술한 실시예에 있어서, 건조과정에서의 질소가스의 공급 기간은 적당하게 바꿀 수 있다. 즉, 시각 t4로부터 건조과정의 종료하는 시각 t5까지 질소가스를 공급하여도 좋고, 시각 t4로부터 약간의 기간만 질소가스를 공급하여도 좋다.
(4)상술한 실시예에서는, 질소가스를 공급하는 구성이었지만, 불활성 가스이면 질소가스에 한정되지 않는다.
(5)상술한 실시예에서는, 현상과정에 있어서, 기판(W)을 회전시키면서 현상액의 공급을 계속하도록 구성하였지만, 이에 한정되지 않는다. 현상과정에 있어서는 종래와 같이, 퍼들현상 방식을 채용하여도 좋다. 즉, 기판(W)상에 현상액 퍼들을 형성하고 퍼들을 기판(W)을 현상과정이 종료할 때까지 정지시키는 것으로 현상처리를 행하도록 하여도 좋다. 지지하여 퍼들을 구성하도록 동작시켜도 좋다. 이것에 의해서도, 기판(W)의 접촉각이 큰 것에 기인하는 현상결함의 발생을 방지할 수 있다.
(6)상술한 실시예에서는, 린스과정의 전반(前半)에 순수를 기판(W)에 공급하고, 후반(後半)에 계면활성제용액을 공급하도록 구성하고 있었지만, 이에 한정되지 않는다. 예컨대, 린스과정을 통하여 항상 계면활성제용액을 공급하도록 구성하여도 좋다.
혹은 순수를 공급하면서, 계면활성제를 공급함으로써, 기판(W)상에서 계면활성제용액이 생성되도록 구성하여도 좋다.
(7)상술한 실시예에서는, 온도조절수단으로서, 하우징(41)과 펠티에 소자(43)을 구비한, 소위 전자냉열(電子冷熱)이라고 불리는 것을 채용하고 있었지만, 적절한 공지의 온도조절수단으로 변경할 수 있다.
본 발명은 그 사상 또는 본질로부터 벗어나지 않고 다른 구체적인 형태로 실시할 수 있고, 따라서, 발명의 범위를 나타내는 것으로서, 이상의 설명이 아니고, 부가된 청구범위를 참조하여야 한다.
본 발명에 의하면, 기판의 접촉각이 커져도, 린스액의 입자가 발생하는 것을 억제하여 현상결함을 방지할 수 있고, 또한 기판에 현상처리를 행하는 시간을 단축할 수 있다.

Claims (20)

  1. 기판에 현상처리를 행하는 현상장치로서, 상기 장치는,
    기판을 회전가능하게 지지하는 회전지지수단;
    현상액을 기판에 공급하는 현상액 노즐;
    린스액을 기판에 공급하는 린스액 노즐;
    불활성가스를 기판에 공급하는 불활성가스 노즐;
    기판의 회전과, 현상액, 린스액, 및 불활성가스의 공급을 제어하는 제어수단;
    상기 불활성 가스 노즐을, 평면에서 보아 기판의 회전중심 부근에서 미동시키는 구동수단; 을 포함하며,
    상기 린스액 노즐과 상기 불활성가스 노즐은, 평면에서 보아 각각 기판의 회전중심 부근의 위치에 병설되고,
    상기 린스액 노즐의 토출구멍과 상기 불활성가스 노즐의 토출구멍은 서로 별개로 형성되며,
    상기 제어수단은, 기판을 회전시키면서 회전중심 부근에 린스액을 공급한 후로서, 기판상에 린스액의 액막이 존재해 있는 동안에, 회전중심 부근에 불활성가스의 공급을 시작하는 것을 특징으로 하는 현상장치.
  2. 삭제
  3. 제1항에 있어서,
    상기 구동수단은 또한 상기 린스액 노즐을, 평면에서 보아 기판의 회전중심 부근에서 미동시키는 것을 특징으로 하는 현상장치.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 구동수단은 또한 상기 현상액 노즐을, 평면에서 보아 기판의 회전중심 부근에서 미동시키는 것을 특징으로 하는 현상장치.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 린스액 노즐이 평면에서 보아 기판의 회전중심 부근에 배치되어 있을 때에, 상기 현상액 노즐도 평면에서 보아 기판의 회전중심 부근에서 병설되고,
    상기 제어수단은 기판을 회전시키면서, 현상액의 회전중심 부근에의 공급으로부터 린스액의 회전중심 부근에의 공급으로 즉시 바꿀 수 있는 것을 특징으로 하는 현상장치.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 린스액 노즐과 상기 불활성 가스 노즐은 일체로 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 현상장치.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 현상액 노즐은 상기 린스액 노즐 및 상기 불활성 가스 노즐과 일체로 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 현상장치.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 린스액은 계면활성제를 포함하는 용액인 것을 특징으로 하는 현상장치.
  9. 기판에 현상처리를 행하는 현상장치로서, 상기 장치는,
    기판을 회전가능하게 지지하는 회전지지수단;
    현상액을 기판에 공급하는 현상액 노즐;
    린스액을 기판에 공급하는 린스액 노즐;
    불활성가스를 기판에 공급하는 불활성가스 노즐;
    기판의 회전과, 현상액, 린스액, 및 불활성가스의 공급을 제어하는 제어수단;
    상기 현상액 노즐과 상기 린스액 노즐을 사이에 개재하도록 설치되고, 상기 현상액 노즐 내의 현상액, 및 상기 린스액 노즐 내의 린스액의 온도를 공통되게 조절하는 온도조절수단; 을 포함하며,
    상기 린스액 노즐과 상기 불활성가스 노즐은, 평면에서 보아 각각 기판의 회전중심 부근의 위치에 병설되고,
    상기 린스액 노즐의 토출구멍과 상기 불활성가스 노즐의 토출구멍은 서로 별개로 형성되며,
    상기 제어수단은, 기판을 회전시키면서 회전중심 부근에 린스액을 공급한 후로서, 기판상에 린스액의 액막이 존재해 있는 동안에, 회전중심 부근에 불활성가스의 공급을 시작하는 것을 특징으로 하는 현상장치.
  10. 기판에 현상처리를 행하는 현상장치로서, 상기 장치는,
    기판을 회전가능하게 지지하는 회전지지수단;
    현상액을 기판에 공급하는 현상액 노즐;
    린스액을 기판에 공급하는 린스액 노즐;
    불활성가스를 기판에 공급하는 불활성가스 노즐;
    기판의 회전과, 현상액, 린스액, 및 불활성가스의 공급을 제어하는 제어수단;
    상기 현상액 노즐과 상기 린스액 노즐을 사이에 개재하도록 설치되고, 상기 현상액 노즐 내의 현상액, 및 상기 린스액 노즐 내의 린스액의 온도를 공통되게 조절하는 온도조절수단; 을 포함하며,
    상기 린스액 노즐과 상기 불활성가스 노즐은, 각각 기판의 회전중심 부근을 향한 자세로 병설되고,
    상기 린스액 노즐의 토출구멍과 상기 불활성가스 노즐의 토출구멍은 서로 별개로 형성되며,
    상기 제어수단은, 기판을 회전시키면서 회전중심 부근에 린스액을 공급한 후로서, 기판상에 린스액의 액막이 존재해 있는 동안에, 회전중심 부근에 불활성가스의 공급을 시작하는 것을 특징으로 하는 현상장치.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 린스액 노즐이 기판의 회전중심 부근을 향한 자세로 배치되어 있을 때에, 상기 현상액 노즐도 기판의 회전중심 부근을 향한 자세로 병설되고,
    상기 제어수단은, 기판을 회전시키면서, 현상액의 회전중심 부근에의 공급으로부터 린스액의 회전중심 부근에의 공급으로 즉시 바꿀 수 있는 것을 특징으로 하는 현상장치.
  12. 제10항에 있어서,
    상기 린스액 노즐과 상기 불활성 가스 노즐은 일체로 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 현상장치.
  13. 제12항에 있어서,
    상기 현상액 노즐은 상기 린스액 노즐 및 상기 불활성 가스 노즐과 일체로 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 현상장치.
  14. 제10항에 있어서,
    상기 린스액은 계면활성제를 포함하는 용액인 것을 특징으로 하는 현상장치.
  15. 삭제
  16. 기판에 현상처리를 행하는 현상장치로서, 상기 장치는,
    기판을 회전가능하게 지지하는 회전지지수단;
    현상액을 기판에 공급하는 현상액 노즐;
    린스액을 기판에 공급하는 린스액 노즐;
    불활성가스를 기판에 공급하는 불활성가스 노즐;
    기판의 회전과, 현상액, 린스액, 및 불활성가스의 공급을 제어하는 제어수단;
    상기 린스액 노즐을, 평면에서 보아 기판의 회전중심 부근에서 미동시키는 구동수단; 을 포함하며,
    상기 현상액 노즐과 상기 린스액 노즐은, 평면에서 보아 각각 기판의 회전중심 부근의 위치에 병설되고,
    상기 현상액 노즐의 토출구멍과 상기 린스액 노즐의 토출구멍은 서로 별개로 형성되며,
    상기 제어수단은, 기판을 회전시키면서, 현상액의 회전중심 부근으로의 공급으로부터 린스액의 회전중심 부근으로의 공급으로, 즉시 바꿀 수 있는 것을 특징으로 하는 현상장치.
  17. 삭제
  18. 제16항에 있어서,
    상기 구동수단은 또한, 상기 현상액 노즐을, 평면에서 보아 기판의 회전중심 부근에서 미동시키는 것을 특징으로 하는 현상장치.
  19. 기판에 현상처리를 행하는 현상방법으로서,
    상기 방법은,
    기판에 현상액을 공급하여 기판을 현상하는 현상과정;
    기판에 린스액을 공급하면서, 기판을 회전시켜서 린스를 행하는 린스과정;
    상기 린스과정이 종료한 후로서, 기판상에 린스액의 액막이 존재하고 있는 동안에, 기판의 회전중심 부근에 불활성 가스의 공급을 시작하고, 기판을 건조하는 건조과정; 을 포함하는 것을 특징으로 하는 현상방법.
  20. 제19항에 있어서,
    상기 현상과정은 그 기간이 종료할 때까지 현상액의 공급을 계속함과 아울러,
    상기 린스과정은 현상액의 공급이 종료한 직후에, 린스액의 공급을 시작하는 것을 특징으로 하는 현상방법.
KR1020070010859A 2006-02-07 2007-02-02 현상장치 및 현상방법 KR100879690B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2006-00029963 2006-02-07
JP2006029963A JP4781834B2 (ja) 2006-02-07 2006-02-07 現像装置および現像方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20070080562A KR20070080562A (ko) 2007-08-10
KR100879690B1 true KR100879690B1 (ko) 2009-01-21

Family

ID=38334177

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020070010859A KR100879690B1 (ko) 2006-02-07 2007-02-02 현상장치 및 현상방법

Country Status (5)

Country Link
US (2) US7922405B2 (ko)
JP (1) JP4781834B2 (ko)
KR (1) KR100879690B1 (ko)
CN (1) CN101017332B (ko)
TW (1) TWI412064B (ko)

Families Citing this family (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4937678B2 (ja) * 2006-08-29 2012-05-23 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理方法および基板処理装置
JP5096849B2 (ja) * 2007-09-13 2012-12-12 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板処理装置および基板処理方法
JP5084656B2 (ja) * 2008-07-29 2012-11-28 東京エレクトロン株式会社 現像処理方法及び現像処理装置
JP4700117B2 (ja) 2009-02-25 2011-06-15 東京エレクトロン株式会社 現像処理方法
CN102096343A (zh) * 2009-12-09 2011-06-15 北大方正集团有限公司 一种显影腔和显影机台
JP5615650B2 (ja) 2010-09-28 2014-10-29 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理方法および基板処理装置
JP5683259B2 (ja) * 2010-12-28 2015-03-11 ラピスセミコンダクタ株式会社 基板処理装置及び基板処理方法
CN102445840A (zh) * 2011-11-29 2012-05-09 上海华力微电子有限公司 涂布显影装置
CN103631100A (zh) * 2012-08-29 2014-03-12 无锡华润上华半导体有限公司 晶圆显影装置及方法
CN102937779A (zh) * 2012-11-22 2013-02-20 上海集成电路研发中心有限公司 一种显影液喷涂轨道机及其喷涂方法
JP5779168B2 (ja) * 2012-12-04 2015-09-16 東京エレクトロン株式会社 周縁部塗布装置、周縁部塗布方法及び周縁部塗布用記録媒体
JP6111104B2 (ja) * 2013-03-15 2017-04-05 株式会社Ｓｃｒｅｅｎセミコンダクターソリューションズ 基板洗浄乾燥方法および基板現像方法
AT515147B1 (de) * 2013-12-09 2016-10-15 4Tex Gmbh Verfahren und Vorrichtung zum Behandeln von Gegenständen mit einer Flüssigkeit
JP6235364B2 (ja) * 2014-02-14 2017-11-22 東芝メモリ株式会社 現像装置および現像方法
JP6148210B2 (ja) * 2014-06-17 2017-06-14 東京エレクトロン株式会社 現像方法及びコンピュータ読み取り可能な記録媒体
JP6742748B2 (ja) 2016-02-17 2020-08-19 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 現像ユニット、基板処理装置、現像方法および基板処理方法
JP6666164B2 (ja) * 2016-02-17 2020-03-13 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
US10386723B2 (en) 2016-03-04 2019-08-20 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Lithography patterning with flexible solution adjustment
KR102000019B1 (ko) * 2017-04-28 2019-07-18 세메스 주식회사 액 공급 유닛, 기판 처리 장치, 기판 처리 방법
CN109212793A (zh) * 2018-09-30 2019-01-15 惠科股份有限公司 一种用于显示面板的制造设备和清洗方法
KR102631793B1 (ko) 2018-11-08 2024-02-01 삼성전자주식회사 약액 공급 구조물 및 이를 구비하는 현상장치
CN113759675A (zh) * 2020-06-05 2021-12-07 长鑫存储技术有限公司 半导体设备及其操作方法
CN114779583B (zh) * 2022-03-09 2023-03-31 扬州思普尔科技有限公司 一种高效定位半导体晶圆加工用显影装置

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100187445B1 (ko) * 1996-06-05 1999-04-15 김광호 웨이퍼 세정 방법 및 장치
KR200211252Y1 (ko) * 1997-12-06 2001-04-02 김영환 반도체 웨이퍼 현상장치

Family Cites Families (44)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
SE389054B (sv) * 1975-11-18 1976-10-25 Lundbergs Fab Ab N Munstycke for tillforsel av tva komponenter vid framstellning av ett cellplastskikt mellan ett ror och en omgivande form
FR2470632A1 (fr) * 1979-12-07 1981-06-12 Elf Aquitaine Procede et dispositif de dispersion de gaz combustibles dans l'atmosphere
JPH0211252A (ja) 1988-06-29 1990-01-16 Kawasaki Steel Corp 連続鋳造による冷間圧延用スラブの製造方法
US5783367A (en) * 1989-09-20 1998-07-21 Fujitsu Limited Process for production of semiconductor device and resist developing apparatus used therein
JP3169666B2 (ja) 1992-02-13 2001-05-28 富士通株式会社 現像装置及び現像方法
JP2971681B2 (ja) * 1992-10-02 1999-11-08 東京エレクトロン株式会社 処理装置
US5485644A (en) * 1993-03-18 1996-01-23 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Substrate treating apparatus
JPH07135137A (ja) * 1993-06-24 1995-05-23 Hitachi Ltd 現像処理方法および装置
JPH07235473A (ja) * 1994-02-24 1995-09-05 Hitachi Ltd 液体供給方法及び回転式液体供給装置及び回転式レジスト現像処理装置
KR0164007B1 (ko) * 1994-04-06 1999-02-01 이시다 아키라 미세 패턴화된 레지스트막을 가지는 기판의 건조처리방법 및 장치
JPH088163A (ja) * 1994-06-21 1996-01-12 Sony Corp パターン形成方法
JP3280883B2 (ja) * 1996-05-08 2002-05-13 東京エレクトロン株式会社 現像処理方法及び現像処理装置
KR100211252B1 (ko) 1996-09-25 1999-07-15 전주범 코일형 콘덴서와 그 제조방법
JP3642892B2 (ja) * 1996-09-27 2005-04-27 大日本スクリーン製造株式会社 処理液吐出ノズルおよび基板処理装置
JP3393534B2 (ja) * 1997-05-16 2003-04-07 タツモ株式会社 処理液供給ノズルシステム
US6689215B2 (en) * 1998-09-17 2004-02-10 Asml Holdings, N.V. Method and apparatus for mitigating cross-contamination between liquid dispensing jets in close proximity to a surface
DE19845605A1 (de) * 1998-10-05 2000-04-06 Agfa Gevaert Ag Konzentrat und daraus hergestellter wäßriger Entwickler für bildmäßig bestrahlte Aufzeichnungsmaterialien
JP3652169B2 (ja) 1999-04-30 2005-05-25 大日本スクリーン製造株式会社 基板現像装置
JP3479613B2 (ja) * 1999-06-21 2003-12-15 東京エレクトロン株式会社 現像処理方法および現像処理装置
JP3322853B2 (ja) * 1999-08-10 2002-09-09 株式会社プレテック 基板の乾燥装置および洗浄装置並びに乾燥方法および洗浄方法
JP3703428B2 (ja) * 2000-12-18 2005-10-05 キヤノン株式会社 電子源基板および画像形成装置の製造方法
JP3926589B2 (ja) 2001-07-23 2007-06-06 大日本スクリーン製造株式会社 基板の現像処理装置
US20030003402A1 (en) * 2001-07-02 2003-01-02 Advanced Micro Devices, Inc. Method and apparatus to prevent pattern collapse of photoresist layer due to capillary forces
JP3854166B2 (ja) * 2001-07-23 2006-12-06 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
US6955485B2 (en) * 2002-03-01 2005-10-18 Tokyo Electron Limited Developing method and developing unit
JP2004006672A (ja) * 2002-04-19 2004-01-08 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理方法および基板処理装置
US6770424B2 (en) * 2002-12-16 2004-08-03 Asml Holding N.V. Wafer track apparatus and methods for dispensing fluids with rotatable dispense arms
US7486377B2 (en) * 2003-12-02 2009-02-03 Tokyo Electron Limited Developing method and developing apparatus
JP4369325B2 (ja) * 2003-12-26 2009-11-18 東京エレクトロン株式会社 現像装置及び現像処理方法
JP4535489B2 (ja) * 2004-03-31 2010-09-01 東京エレクトロン株式会社 塗布・現像装置
JP4343025B2 (ja) * 2004-05-18 2009-10-14 東京エレクトロン株式会社 現像装置及び現像方法
JP4043455B2 (ja) * 2004-05-28 2008-02-06 東京エレクトロン株式会社 液処理装置及び液処理方法
US8277569B2 (en) * 2004-07-01 2012-10-02 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Substrate treating apparatus and substrate treating method
JP4324527B2 (ja) * 2004-09-09 2009-09-02 東京エレクトロン株式会社 基板洗浄方法及び現像装置
TWI286353B (en) * 2004-10-12 2007-09-01 Tokyo Electron Ltd Substrate processing method and substrate processing apparatus
JP2006310724A (ja) * 2004-11-10 2006-11-09 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置および基板処理方法
JP4410119B2 (ja) * 2005-02-03 2010-02-03 東京エレクトロン株式会社 洗浄装置、塗布、現像装置及び洗浄方法
JP4937559B2 (ja) * 2005-09-14 2012-05-23 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板処理装置および基板処理方法
JP4761907B2 (ja) * 2005-09-28 2011-08-31 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板処理装置
US7435692B2 (en) * 2005-10-19 2008-10-14 Tokyo Electron Limited Gas jet reduction of iso-dense field thickness bias for gapfill process
JP4684858B2 (ja) * 2005-11-10 2011-05-18 東京エレクトロン株式会社 リンス処理方法、現像処理方法、現像処理装置、制御プログラムおよびコンピュータ読取可能な記憶媒体
JP4494332B2 (ja) * 2005-11-29 2010-06-30 東京エレクトロン株式会社 リンス処理方法、現像処理装置、および制御プログラム
JP2007173732A (ja) * 2005-12-26 2007-07-05 Sokudo:Kk 基板処理装置
JP4771816B2 (ja) * 2006-01-27 2011-09-14 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100187445B1 (ko) * 1996-06-05 1999-04-15 김광호 웨이퍼 세정 방법 및 장치
KR200211252Y1 (ko) * 1997-12-06 2001-04-02 김영환 반도체 웨이퍼 현상장치

Also Published As

Publication number Publication date
JP2007214200A (ja) 2007-08-23
JP4781834B2 (ja) 2011-09-28
KR20070080562A (ko) 2007-08-10
TW200805446A (en) 2008-01-16
US20110170855A1 (en) 2011-07-14
US20070183775A1 (en) 2007-08-09
US7922405B2 (en) 2011-04-12
US9195140B2 (en) 2015-11-24
CN101017332A (zh) 2007-08-15
CN101017332B (zh) 2010-05-26
TWI412064B (zh) 2013-10-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100879690B1 (ko) 현상장치 및 현상방법
US8980013B2 (en) Substrate cleaning method and substrate cleaning apparatus
US8440266B2 (en) Developing device, developing method and storage medium
US7968278B2 (en) Rinse treatment method and development process method
KR100879415B1 (ko) 기판처리방법 및 기판처리장치
KR101015659B1 (ko) 기판 세정방법 및 현상 장치
US7841787B2 (en) Rinsing method, developing method, developing system and computer-read storage medium
US8678684B2 (en) Developing method
JP4937678B2 (ja) 基板処理方法および基板処理装置
TWI607294B (zh) 顯像方法、顯像裝置及記憶媒體
KR20080020485A (ko) 기판처리방법 및 기판처리장치
JP4730787B2 (ja) 基板処理方法および基板処理装置
KR20080031617A (ko) 기판의 현상처리방법 및 기판의 현상처리장치
JP2008016781A (ja) 基板処理方法および基板処理装置
KR101061700B1 (ko) 기판의 현상 처리 방법, 기판의 처리 방법 및 현상액 공급노즐
JP2009047740A (ja) 現像装置
US20070059640A1 (en) Processing method of substrate and processing apparatus of substrate
JP2008294476A (ja) 基板の現像処理方法及び現像処理装置

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
AMND Amendment
E601 Decision to refuse application
J201 Request for trial against refusal decision
AMND Amendment
B701 Decision to grant
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20121227

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20131219

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20141219

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20151217

Year of fee payment: 8

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20161219

Year of fee payment: 9

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20171219

Year of fee payment: 10

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20181219

Year of fee payment: 11

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20191219

Year of fee payment: 12