KR100879415B1 - 기판처리방법 및 기판처리장치 - Google Patents

기판처리방법 및 기판처리장치 Download PDF

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Abstract

기판의 표면으로 토출노즐로부터 세정액을 토출하게 하면서 토출노즐을 주사(走査)하여 기판을 스핀건조하게 할 때, 기판의 주연부에서의 액튐을 억제하고, 액튐에 의한 액적이 기판에 재부착하는 것을 방지할 수 있는 방법을 제공한다.
기판(W)를 스핀척(10)에 의해 수평자세로 파지하여 회전모터(14)에 의해 연직축 주위로 회전하게 하는 동시에, 순수(純水)토출노즐(20)의 토출구로부터 기판의 표면으로 세정액을 토출하게 하면서, 순수토출노즐의 토출구를 기판의 중심에 대향하는 위치로부터 기판의 주연(周緣)에 대향하는 위치까지 주사할 때, 토출노즐의 토출구가 기판의 중심에 대향하는 위치로부터 기판의 주연에 대향하는 위치까지 이동하는 과정에서 기판의 회전속도를 저하하게 한다.
기판처리장치, 기판처리방법, 순수, 순수토출노즐, 파이패스관, 전자삼방밸브,

Description

기판처리방법 및 기판처리장치{SUBSTRATE PROCESSING METHOD AND SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS}
도 1은 본 발명에 관련된 기판처리방법을 실시하기 위하여 사용되는 기판처리장치의 구성의 일 예를 나타내는 개략단면도이다.
도 2는 도 1에 나타낸 기판처리장치의 개략평면도이다.
도 3은 본 발명에 관련된 기판처리방법을 실시하는 형태의 일 예를 나타내고, 기판의 표면에 대한 토출노즐의 각 위치에 있어서의 기판의 회전속도를 나타내는 도이다.
도 4는 본 발명에 관련된 기판처리방법으로 스캔린스하였을 때의 액튐의 상태와, 종래의 방법으로 스캔린스 때의 액튐의 상태를 비교한 결과를 나타내는 도이다.
도 5는 본 발명에 관련된 기판처리방법을 실시하기 위하여 사용되는 기판처리장치의 다른 구성 예를 나타내는 개략단면도이다.
도 6은 본 발명에 관련된 기판처리방법을 실시하기 위하여 사용되는 기판처리장치의 더 다른 구성 예를 나타내는 개략단면도이다.
<부호의 설명>
10: 스핀척 12: 회전지축(回轉支軸)
14: 회전모터 16: 컵
20: 순수토출노즐 22: 순수공급관
24: 펌프 28: 개폐제어밸브
30: 순수토출노즐의 노즐파지부 32: 회전모터의 드라이버
34, 42, 50: 제어장치 36, 44: 바이패스관
38, 46: 전자삼방밸브 40: 유량제어밸브
48: 감압밸브 W: 기판
본 발명은, 반도체웨이퍼, 액정표시장치용 글래스 기판, 포토마스크용 글래스 기판, 광디스크용 기판 등의 기판을 수평면 내에서 연직축(鉛直軸) 주위로 회전하게 하고, 기판의 표면으로 순수 등의 세정액을 공급하면서 기판을 건조처리하는 기판처리방법 및 기판처리장치에 관한 것이다.
반도체장치의 제조 프로세스에 있어서는, 리소그래피기술을 이용하여, 예를 들면 실리콘기판 위에 포토레지스트를 도포하고, 노광기(露光機)를 사용하여 기판 위의 레지스트막에 회로패턴을 인화하며, 노광 후의 레지스트막을 현상액으로 현상하는, 등 각 공정을 행함으로써, 기판 위의 레지스트막에 회로패턴을 형성하고 있 다. 이 중 현상처리에 있어서는, 예를 들면 슬릿노즐에 의해, 기판의 표면에 형성된 노광 후의 레지스트막 위에 현상액을 공급하고, 그 후에, 기판을 수평면 내에서 연직축 주위로 회전하게 하면서 스트레이트 노즐의 토출구로부터 기판의 중심으로 순수 등의 세정액(린스액)을 토출한다. 기판의 중심에 공급된 세정액은, 원심력에 의해 기판의 주연방향으로 확산하여 기판 전체에 널리 퍼져, 기판표면의 레지스트막 위로부터 현상액을 씻어낸다. 이 세정처리(린스처리)가 종료하면, 노즐로부터 기판 위로의 세정액의 공급을 정지하고, 그 후에, 기판의 회전수를 더욱 증대하게 하여, 기판표면의 레지스트막 위의 세정액을 원심력에 의해 떨어냄으로써, 기판을 건조(스핀건조)하게 하고 있다.
그런데, 상기한 바와 같이 기판을 스핀건조하게 하면, 기판 위에 있어서 세정액의 액적(液滴)이 얼룩으로 잔류하는 등의 현상이 일어난다. 이것은, 현상처리 후의 기판에 있어서는 레지스트막의 표면에 친수성(親水性) 부분과 소수성(疏水性) 부분이 혼재하고 있음으로 해서, 기판 위에 있어서 세정액의 유지력에 편차가 발생해 버리기 때문이다. 이처럼 기판의 표면에 형성된 레지스트 패턴 위에 얼룩으로 잔류한 세정액의 액적은, 현상(現像)결함을 생기게 하는 요인으로 되는 것이 알려져 있다.
상기한 문제점을 해결하기 위하여, 기판을 스핀건조할 때에, 세정액토출노즐의 토출구로부터 세정액을 토출하면서, 그 토출노즐의 토출구를 기판의 중심부로부터 주변부로 향하여 주사하는 등의 방법(스캔린스법)이 제안되어 있다. 이 방법에 의하면, 기판의 중심으로부터 주연에 이르기까지 세정액의 액막이 형성되어 유지된 상태인 채로 건조가 진행하기 때문에, 친수성 부분과 소수성 부분이 혼재하는 레지스트막 표면이어도, 기판 위에 세정액의 액적이 잔류하기 어렵게 된다. 또한, 예를 들면 일본특허 제3694641호 공보에는, 세정액 토출노즐의 토출구로부터 세정액을 토출하게 하면서 토출노즐을 주사할 때, 에어분출노즐로부터 가스를 분출하게 하면서, 에어분출노즐을 세정액토출노즐과 일체로 혹은 동기(同期)하여 기판의 중심부로부터 주변부를 향하여 이동하게 하는 등의 방법도 제안되어 있다.
상기한 스캔린스에서는, 종래의 스핀건조에 비하여 현상결함을 대폭 저감하게 할 수 있지만, 현상결함의 발생을 없앨 수는 없다. 다시 말해, 스캔린스에서는, 세정액 토출노즐의 토출구로부터 세정액을 토출하게 하면서 그 토출구를 기판의 중심부로부터 주변부를 향하여 주사하지만, 기판의 주연부에서는, 난류의 영향을 받거나 주연부 일수록 회전속도가 커지는 것 등으로, 토출노즐로부터 기판 위로 토출 된 세정액의 튐을 생기게 하기 쉽다. 이 때문에, 액튐에 의한 액적이, 기판의 중심부로부터 주변부를 향하여 이동하고 있는 토출노즐로부터 중심부측의 표면에 비산하여 부착하고, 이 액적에 의해 현상결함이 발생하는 등의 문제점이 있다.
본 발명은, 이상과 같은 사정에 감안하여 안출된 것으로써, 기판의 표면으로 토출노즐의 토출구로부터 세정액을 토출하게 하면서 그 토출구를 기판의 중심부로부터 주연부까지 주사하여 기판을 스핀건조하게 할 때, 기판의 주연부에서의 액튐을 억제하여, 액튐에 의한 액적이 기판에 재부착하는 것을 방지하여, 현상결함 등의 발생을 없앨 수 있는 기판처리방법을 제공하는 것, 그리고, 그 방법을 적절하게 실시할 수 있는 기판처리장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
청구항1에 관련된 발명은, 기판을 수평자세로 파지하여 연직축 주위로 회전하게 하는 동시에, 토출노즐의 토출구로부터 기판의 표면으로 세정액을 토출하게 하면서, 상기 토출노즐의 토출구를 기판의 중심에 대향하는 위치로부터 기판의 주연(周緣)에 대향하는 위치까지 주사하는 기판처리방법에 있어서, 상기 토출노즐의 토출구가 기판의 중심에 대향하는 위치로부터 기판의 주연에 대향하는 위치까지 이동하는 과정에서 기판의 회전속도를 저하하게 하는 것을 특징으로 한다.
청구항2에 관련된 발명은, 청구항1에 기재한 기판처리방법에 있어서, 상기 토출노즐의 토출구가 기판의 중심에 대향하는 위치로부터 기판의 주연에 대향하는 위치까지 이동하는 도중에 기판의 회전속도를 적어도 1회 변경하는 것을 특징으로 한다.
청구항3에 관련된 발명은, 청구항1에 기재한 기판처리방법에 있어서, 상기 토출노즐의 토출구가 기판의 중심에 대향하는 위치로부터 기판의 주연에 대향하는 위치까지 이동함에 따라서 기판의 회전속도를 점차 저하하게 하는 것을 특징으로 한다.
청구항4에 관련된 발명은, 기판을 수평자세로 파지하는 기판파지수단과, 이 기판파지수단에 의해 파지된 기판을 연직축 주위로 회전하게 하는 기판회전수단과, 상기 기판파지수단에 의해 파지되어 상기 기판회전수단에 의해 회전하게 되는 기판의 표면으로 토출구로부터 세정액을 토출하는 토출노즐과, 이 토출노즐로 세정액을 공급하는 세정액공급수단과, 상기 토출노즐의 토출구를, 그 토출구로부터 기판의 표면으로 세정액을 토출하게 하면서 기판의 중심에 대향하는 위치로부터 기판의 주연에 대향하는 위치까지 주사하는 노즐이동수단을 구비한 기판처리장치에 있어서, 상기 토출노즐의 토출구가 기판의 중심에 대향하는 위치로부터 기판의 주연에 대향하는 위치까지 이동하는 과정에서 기판의 회전속도를 저하하게 하도록 상기 기판회전수단을 제어하는 제어수단을 더 구비한 것을 특징으로 한다.
청구항5에 관련된 발명은, 기판을 수평자세로 파지하여 연직축 주위로 회전하게 하는 동시에, 토출노즐의 토출구로부터 기판의 표면으로 세정액을 토출하게 하면서, 상기 토출노즐의 토출구를 기판의 중심에 대향하는 위치로부터 기판의 주연에 대향하는 위치까지 주사하는 기판처리방법에 있어서, 상기 토출노즐의 토출구가 기판의 중심에 대향하는 위치로부터 기판의 주연에 대향하는 위치까지 이동하는 과정에서, 상기 토출노즐의 토출구로부터 기판의 표면으로 토출되는 세정액의 토출유량을 저감하게 하는 것을 특징으로 한다.
청구항6에 관련된 발명은, 청구항5에 기재한 기판처리방법에 있어서, 상기 토출노즐의 토출구가 기판의 중심에 대향하는 위치로부터 기판의 주연에 대향하는 위치까지 이동하는 도중에 세정액의 토출유량을 적어도 1회 변경하는 것을 특징으로 한다.
청구항7에 관련된 발명은, 청구항5에 기재한 기판처리방법에 있어서, 상기 토출노즐의 토출구가 기판의 중심에 대향하는 위치로부터 기판의 주연에 대향하는 위치까지 이동함에 따라서 세정액의 토출유량을 점차 저감하게 하는 것을 특징으로 한다.
청구항8에 관련된 발명은, 기판을 수평자세로 파지하는 기판파지수단과, 이 기판파지수단에 의해 파지된 기판을 연직축 주위로 회전하게 하는 기판회전수단과, 상기 기판파지수단에 의해 파지되어 상기 기판회전수단에 의해 회전하게 되는 기판의 표면으로 토출구로부터 세정액을 토출하는 토출노즐과, 이 토출노즐로 세정액을 공급하는 세정액공급수단과, 상기 토출노즐의 토출구를, 그 토출구로부터 기판의 표면으로 세정액을 토출하게 하면서 기판의 중심에 대향하는 위치로부터 기판의 주연에 대향하는 위치까지 주사하는 노즐이동수단을 구비한 기판처리장치에 있어서, 상기 토출노즐의 토출구가 기판의 중심에 대향하는 위치로부터 기판의 주연에 대향하는 위치까지 이동하는 과정에서, 상기 토출노즐의 토출구로부터 기판의 표면으로 토출되는 세정액의 토출유량을 저감하게 하도록 상기 세정액공급수단을 제어하는 제어수단을 더 구비한 것을 특징으로 한다.
청구항9에 관련된 발명은, 기판을 수평자세로 파지하여 연직축 주위로 회전하게 하는 동시에, 토출노즐의 토출구로부터 기판의 표면으로 세정액을 토출하게 하면서, 상기 토출노즐의 토출구를 기판의 중심에 대향하는 위치로부터 기판의 주연에 대향하는 위치까지 주사하는 기판처리방법에 있어서, 상기 토출노즐의 토출구가 기판의 중심에 대향하는 위치로부터 기판의 주연에 대향하는 위치까지 이동하는 과정에서, 상기 토출노즐의 토출구로부터 기판의 표면으로 토출되는 세정액의 토출압을 저하하게 하는 것을 특징으로 한다.
청구항10에 관련된 발명은, 청구항9에 기재한 기판처리방법에 있어서, 상기 토출노즐의 토출구가 기판의 중심에 대향하는 위치로부터 기판의 주연에 대향하는 위치까지 이동하는 도중에 세정액의 토출압을 적어도 1회 변경하는 것을 특징으로 한다.
청구항11에 관련된 발명은, 청구항9에 기재한 기판처리방법에 있어서, 상기 토출노즐의 토출구가 기판의 중심에 대향하는 위치로부터 기판의 주연에 대향하는 위치까지 이동함에 따라서 세정액의 토출압을 점차 저하하게 하는 것을 특징으로 한다.
청구항12에 관련된 발명은, 기판을 수평자세로 파지하는 기판파지수단과, 이 기판파지수단에 의해 파지된 기판을 연직축 주위로 회전하게 하는 기판회전수단과, 상기 기판파지수단에 의해 파지되어 상기 기판회전수단에 의해 회전하게 되는 기판의 표면으로 토출구로부터 세정액을 토출하는 토출노즐과, 이 토출노즐로 세정액을 공급하는 세정액공급수단과, 상기 토출노즐의 토출구를, 그 토출구로부터 기판의 표면으로 세정액을 토출하게 하면서 기판의 중심에 대향하는 위치로부터 기판의 주연에 대향하는 위치까지 주사하는 노즐이동수단을 구비한 기판처리장치에 있어서, 상기 토출노즐의 토출구가 기판의 중심에 대향하는 위치로부터 기판의 주연에 대향하는 위치까지 이동하는 과정에서, 상기 토출노즐의 토출구로부터 기판의 표면으로 토출되는 세정액의 토출압을 저하하게 하도록 상기 세정액공급수단을 제어하는 제어수단을 더 구비한 것을 특징으로 한다.
이하, 본 발명의 최선의 실시 형태에 대하여 도면을 참조하면서 설명한다.
도 1 및 도 2는 본 발명에 관련된 기판처리방법을 실시하기 위하여 사용되는 기판처리장치의 구성의 일 예를 나타내고, 도 1은 기판처리장치의 개략단면도이며, 도 2는 그 개략평면도이다.
이 기판처리장치는, 표면에 노광 후의 레지스트막이 형성된 기판을 현상처리한 후에 세정처리(린스처리)하는 것으로, 기판(W)를 수평자세로 파지하는 스핀척(10), 상단부에 스핀척(10)이 고착되어 연직방향으로 지지된 회전지축(回轉支軸)(12), 그리고, 회전지축(12)에 회전축이 연결되어 스핀척(10) 및 회전지축(12)을 연직축 주위로 회전하게 하는 회전모터(14)를 구비하고 있다. 스핀척(10)의 주위에는, 스핀척(10) 위의 기판(W)를 둘러싸도록 컵(16)이 설치되어 있다. 컵(16)은, 도시하지 않는 지지기구에 의해 상하방향으로 왕복이동 가능하게 지지되고 있고, 컵(16)의 저부에는 배액관(排液管)(18)이 연통(連通)접속되어 있다. 또한, 도 1 및 도 2에는 도시를 생략하고 있지만, 기판(W) 위로 현상액을 공급하는 기구, 예를 들면, 하단면에 슬릿 형상 토출구가 설치된 현상액 토출노즐을 가지고, 그 슬릿 형상 토출구로부터 현상액을 토출하게 하면서, 현상액 토출노즐을, 그 슬릿 형상 토출구와 직교하는 수평방향으로 직선적으로 이동하게 하여, 기판(W) 위로 현상액을 공급하여 액을 채우는 현상액 공급기구, 혹은, 스트레이트 노즐로 이루어지는 현상액 토출노즐을 가지고, 그 현상액 토출노즐을, 선단의 토출구가 기판(W)의 중심부 바로 위에 배치되는 토출위치와 대기위치와의 사이에서 왕복이동하도록 지지하여, 현상액 토출노즐의 선단 토출구로부터 현상액을 기판(W)의 중심부 위로 토출하는 현상액 공급기구가 구비되어 있다.
또한, 컵(16)의 측방측 근방에는, 선단(先端)의 토출구로부터 세정액(린스액), 예를 들면 순수를 기판(W) 위로 토출하는 순수토출노즐(20)이 설치되어 있다. 순수토출노즐(20)은, 순수공급관(22)을 통하여 순수공급원으로 유로(流路)가 접속되고 있으며, 순수공급관(22)에 펌프(24), 필터(26) 및 개폐제어밸브(28)가 끼워져 있다. 순수토출노즐(20)은, 수평면 내에서 회동가능하게 노즐지지부(30)에 지지되고 있어, 도시하지 않는 회전구동기구에 의해 수평면 내에서 회동하게 된다. 그리고, 순수토출노즐(20)은, 선단의 토출구로부터 기판(W)의 표면으로 순수를 토출하게 하면서, 도 2 중에서 화살표a로 나타낸 바와 같이 토출구가 기판(W)의 중심에 대향하는 위치로부터 기판(W)의 주연에 대향하는 위치까지 주사되고, 또한, 2점쇄선으로 나타낸 바와 같이 컵(16)으로부터 바깥쪽으로 벗어난 대기위치와 실선으로 나타낸 바와 같이 토출구가 기판(W)의 중심부 바로 위에 배치되는 위치와의 사이에서 왕복이동하도록 하는 구성으로 되어 있다.
그리고, 이 기판처리장치는, 회전모터(14)의 드라이버(32)를 제어하여 회전모터(14)의 회전수, 즉 기판(W)의 회전속도를 조절하는 제어장치(34)를 구비하고 있다. 이 제어장치(34)에 의해, 화살표a로 나타낸 바와 같이 순수토출노즐(20)의 토출구가 기판(W)의 중심에 대향하는 위치로부터 기판(W)의 주연에 대향하는 위치까지 주사되는 과정에서 기판(W)의 회전속도가 저하하도록 회전모터(14)의 회전수가 제어된다. 구체적으로는, 도 3에 실선A로 나타낸 바와 같이, 순수토출노즐(20)의 토출구가 기판(W)의 중심에서 소정거리만 이동한 시점(도시 예에서는 기판(W)의 중심으로부터 60mm의 반경위치에 도달한 시점)에서 기판(W)의 회전속도를 저하(도 시 예에서는 1800rpm~2100rpm의 범위의 회전수로부터 1000rpm~1200rpm의 범위의 회전수로 감속)하게 하도록 제어된다. 기판(W)의 회전속도의 절환 타이밍은, 동작 프로그램에 근거하여 마이크로 컴퓨터로 제어하도록 하면 좋다. 또는, 엔코더에 의해 순수토출노즐(20)의 위치를 검출하여, 그 검출신호에 의해 기판(W)의 회전속도를 절환하도록 해도 좋고, 타이머를 사용하여, 순수토출노즐(20)의 주사 개시시점으로부터 소정시간이 경과한 시점에서 기판(W)의 회전속도를 절환하도록 해도 좋으며, 또한, 기판(W)의 회전횟수가 소정횟수에 도달한 시점에서 기판(W)의 회전속도를 절환하도록 해도 좋다. 그리고, 기판(W)의 회전속도를 변경하는 횟수는, 도 3에 나타낸 바와 같이 1회에 한하지 않고, 기판(W)의 회전속도를 단계적으로 저하하게 하도록 해도 좋다. 또는, 순수토출노즐(20)의 토출구가 기판(W)의 중심에 대향하는 위치로부터 기판(W)의 주연에 대향하는 위치까지 이동함에 따라서 기판(W)의 회전속도를 점차 저하, 예를 들면 직선적으로 감속하게 하도록 제어해도 좋다.
도 1 및 도 2에 나타낸 기판처리장치를 사용하여, 기판(W)의 표면에 형성된 노광 후의 레지스트막 위로 현상액을 공급하여 레지스트막을 현상처리한 후에, 기판(W)를 비교적 저속으로 회전하게 하면서 기판(W) 위로 순수를 공급하여 세정처리하고, 기판(W)표면의 레지스트막 위로부터 현상액을 씻어내어 제거하며, 이 뒤에, 기판(W)를 비교적 고속으로 회전하게 하여서 스핀건조(스캔린스)처리한다. 스캔린스할 때는, 기판(W)을 비교적 고속, 예를 들면 1800rpm~2100rpm의 범위 내의 회전속도로 회전하게 하는 동시에, 순수토출노즐(20)의 토출구로부터 순수를 기판(W) 위로 토출하게 하면서, 순수토출노즐(20)을 주사한다. 이 때, 순수토출노즐(20)의 토출구가 기판(W)의 중심에 대향하는 위치로부터 기판(W)의 주연에 대향하는 위치까지 이동하는 과정에 있어서, 순수토출노즐(20)의 토출구가 소정위치, 예를 들면 기판(W)의 중심으로부터 60mm의 반경위치에 도달한 시점에서 기판(W)의 회전속도를 절환하여, 예를 들면 1000rpm~1200rpm의 범위 내의 회전속도로 감속하게 한다. 순수토출노즐(20)의 토출구가 기판(W)의 주연에 대향하는 위치에 도달하면, 순수토출노즐(20)로부터 기판(W) 위로의 순수의 공급을 정지하고, 순수토출노즐(20)을 대기위치까지 이동하게 한다. 그리고, 기판(W)의 건조처리가 종료하면, 기판(W)의 회전을 정지하게 한다.
상기한 바와 같은 방법으로 스캔린스하였을 때(도 3에 실선A로 나타낸다)의 액튐의 상태와, 종래 방법과 같이 기판(W)의 회전속도를 변화하게 하지 않고 스캔린스 때의 액튐의 상태를 비교한 결과를 도 4에 나타낸다. 도 3에 파선B로 나타낸 바와 같이 기판(W)의 회전속도를 2500rpm으로 유지한 채 스캔린스하였을 때의 기판(W)의 표면상태를 도 4의 (b)에 나타내고, 도 3에 파선C로 나타낸 바와 같이 기판(W)의 회전속도를 1800rpm ~ 2100rpm으로 유지한 채 스캔린스하였을 때의 기판(W)의 표면상태를 도 4의 (c)로 나타내고 있지만, 기판의 회전속도를 저하하게 함으로써 액튐의 상태가 개선된다. 본 발명에 관련된 방법으로 스캔린스하였을 때는, 도 4의 (a)에 나타낸 바와 같이, 기판의 회전속도를 1800rpm ~ 2100rpm으로 유지한 채 스캔린스하였을 때에 비해, 기판(W)의 주연부에 있어서의 순수의 액튐이 더 억제되어, 액튐에 의한 액적이 기판(W)의 중앙부측 표면에 비산하여 부착하는 것이 방지되는 것을 알았다.
다음으로, 도 5는, 본 발명에 관련된 기판처리방법을 실시하기 위하여 사용되는 기판처리장치의 다른 구성 예를 나타내는 개략단면도이다.
이 기판처리장치에는, 순수공급관(22)으로부터 도중에 분기된 바이패스관(36)이 구비되어 있고, 바이패스관(36)은 다시 순수공급관(22)에 합류하도록 유로(流路)가 구성되어 있다. 순수공급관(22)과 바이패스관(36)의 분기위치에는 전자삼방(電磁三方)밸브(38)가 구비되어 있고, 바이패스관(36)에, 순수토출노즐(20)로 공급되는 순수의 유량을 저감하게 하기 위한 유량조정밸브(40)가 끼워져 있다. 또한, 이 장치는, 전자삼방밸브(38)의 절환동작을 제어하는 제어장치(42)를 구비하고 있다.
도 5에 나타낸 기판처리장치를 사용하여 스캔린스할 때는, 기판(W)을 비교적 고속의 일정속도, 예를 들면 1800rpm~2100rpm의 회전속도로 회전하게 하여, 순수공급관(22)을 통해 순수토출노즐(20)로 순수를 공급하고, 순수토출노즐(20)의 토출구로부터 순수를 기판(W) 위로 토출하게 하면서, 순수토출노즐(20)을 주사한다. 이 때, 순수토출노즐(20)의 토출구가 기판(W)의 중심에 대향하는 위치로부터 기판(W)의 주연에 대향하는 위치까지 이동하는 과정에 있어서, 순수토출노즐(20)의 토출구가 소정위치, 예를 들면 기판(W)의 중심으로부터 60mm의 반경위치에 도달한 시점에서, 제어장치(42)로부터의 제어신호에 의해 전자삼방밸브(38)를 절환하여, 바이패스관(36)을 통해 유량조정밸브(40)를 거쳐 순수토출노즐(20)로 순수가 공급되도록 한다. 이로써, 기판(W)의 주연부근에서는, 기판(W)의 중심부근에 비해 토출노즐(20)의 토출구로부터 기판(W)의 표면으로 토출되는 순수의 토출유량이 저감한다. 이 결과, 기판(W)의 주연부에 있어서의 순수의 액튐이 억제되어, 액튐에 의한 액적이 기판(W)의 중앙부측 표면으로 비산하여 부착하는 것이 방지된다.
그리고, 도 5에 나타낸 장치구성에서는, 순수토출노즐(20)로부터의 순수의 토출유량을 1회만 저감하게 하지만, 순수토출노즐(20)의 토출구가 기판(W)의 중심에 대향하는 위치로부터 기판(W)의 주연에 대향하는 위치까지 이동하는 과정에서 순수토출노즐(20)로부터의 순수의 토출유량을 단계적으로 저감하게 할 수 있도록 하는 장치구성으로 하여도 좋고, 혹은, 순수토출노즐(20)의 토출구가 기판(W)의 중심에 대향하는 위치로부터 기판(W)의 주연에 대향하는 위치까지 이동함에 따라서 순수토출노즐(20)로부터의 순수의 토출유량을 점차 저감하게 하도록 하는 장치구성으로도 좋다.
또한, 도 6은, 본 발명에 관련된 기판처리방법을 실시하기 위하여 사용되는 기판처리장치의 또 다른 구성 예를 나타내는 개략단면도이다.
이 기판처리장치에는, 도 5에 나타낸 장치와 마찬가지로, 순수공급관(22)으로부터 도중에 분기되어 다시 순수공급관(22)으로 합류하는 바이패스관(44)이 구비되어 있으며, 순수공급관(22)과 바이패스관(44)과의 분기위치에 전자삼방밸브(46)가 구비되어 있다. 그리고, 바이패스관(44)에는, 순수토출노즐(20)로의 순수의 공급압을 저하하게 하기 위한 감압밸브(48)가 끼워져 있다. 또한, 이 장치는, 전자삼방밸브(46)의 절환동작을 제어하는 제어장치(50)를 구비하고 있다.
도 6에 나타낸 기판처리장치를 사용하여 스캔린스할 때는, 기판(W)을 비교적 고속의 일정속도, 예를 들면 1800rpm ~ 2100rpm의 회전속도로 회전하게 하여, 순수 공급관(22)을 통해 순수토출노즐(20)로 순수를 공급하고, 순수토출노즐(20)의 토출구로부터 순수를 기판(W) 위로 토출하게 하면서, 순수토출노즐(20)을 주사한다. 이 때, 순수토출노즐(20)의 토출구가 기판(W)의 중심에 대향하는 위치로부터 기판(W)의 주연에 대향하는 위치까지 이동하는 과정에 있어서, 순수토출노즐(20)의 토출구가 소정위치, 예를 들면 기판(W)의 중심으로부터 60mm의 반경위치에 도달한 시점에서, 제어장치(50)로부터의 제어신호에 의해 전자삼방밸브(46)를 절환하여, 바이패스관(44)을 통해 감압밸브(48)를 거쳐 순수토출노즐(20)로 순수가 공급되도록 한다. 이로써, 기판(W)의 주연 부근에서는, 기판(W)의 중심부근에 비해 순수토출노즐(20)의 토출구로부터 기판(W)의 표면으로 토출되는 순수의 토출압이 저하한다. 이 결과, 도 5에 나타낸 장치와 마찬가지로, 기판(W)의 주연부에 있어서의 순수의 액튐이 억제되어, 액튐에 의한 액적이 기판(W)의 중앙부측 표면에 비산하여 부착하는 것이 방지된다.
그리고, 도 6에 나타낸 장치구성에서는, 순수토출노즐(20)로부터의 순수의 토출압을 1회만 저하하게 하지만, 순수토출노즐(20)의 토출구가 기판(W)의 중심에 대향하는 위치로부터 기판(W)의 주연에 대향하는 위치까지 이동하는 과정에서 순수토출노즐(20)로부터의 순수의 토출압을 단계적으로 저하하게 할 수 있도록 하는 장치구성으로 하여도 좋고, 혹은, 순수토출노즐(20)의 토출구가 기판(W)의 중심에 대향하는 위치로부터 기판(W)의 주연에 대향하는 위치까지 이동함에 따라서 순수토출노즐(20)로부터의 순수의 토출압을 점차 저하하게 하도록 하는 장치구성으로 하여도 좋다.
청구항1에 관련된 발명의 기판처리방법에 의하면, 토출노즐의 토출구가 주사되어서 기판의 주연 부근까지 이동하였을 때에는, 토출노즐의 토출구가 기판의 중심부근에 위치할 때에 비해서 기판의 회전속도가 저하하고 있으므로, 기판주변부의 건조에 미치는 난류의 영향은 저하하고, 또한, 기판의 주연부의 회전속도도 기판의 중심부에 비해 커서는 안된다. 이 때문에, 기판의 주연부에 있어서의 세정액의 액튐이 억제되어, 액튐에 의한 액적이 토출노즐로부터 중심부측의 기판표면에 비산하여 부착하는 것이 방지되므로, 현상결함 등의 발생을 없앨 수 있다.
청구항2에 관련된 발명의 기판처리방법에서는, 토출노즐의 토출구가 기판의 중심에 대향하는 위치로부터 기판의 주연에 대향하는 위치까지 이동하는 도중에 기판의 회전속도가 저속으로 바뀜으로써, 기판의 주연부에 있어서의 세정액의 액튐을 억제할 수 있다.
청구항3에 관련된 발명의 기판처리방법에서는, 토출노즐의 토출구가 기판의 중심에 대향하는 위치로부터 기판의 주연에 대향하는 위치까지 이동함에 따라 기판의 회전속도가 점차 저하함으로써, 기판의 주연부에 있어서의 세정액의 액튐을 억제할 수 있다.
청구항4에 관련된 발명의 기판처리장치에 있어서는, 제어수단에 의해 기판회전수단이 제어되어, 토출노즐의 토출구가 기판의 중심에 대향하는 위치로부터 기판의 주연에 대향하는 위치까지 이동하는 과정에서 기판의 회전속도가 저하된다. 따라서, 청구항4에 관련된 발명의 기판처리장치를 사용하면, 청구항1에 관련된 발명 의 기판처리방법을 적절하게 실시하여, 상기 효과를 얻을 수 있다.
청구항5에 관련된 발명의 기판처리방법에 의하면, 토출노즐의 토출구가 주사되어 기판의 주연부근까지 이동하였을 때에는, 토출노즐의 토출구가 기판의 중심 부근에 위치할 때에 비해, 토출노즐의 토출구로부터 기판의 표면으로 토출되는 세정액의 토출유량이 저감하고 있다. 이 때문에, 기판의 주연부에 있어서의 세정액의 액튐이 억제되어, 액튐에 의한 액적이 토출노즐로부터 중심부측의 기판표면에 비산하여 부착하는 것이 방지되므로, 현상결함 등의 발생을 없앨 수 있다.
청구항6에 관련된 발명의 기판처리방법에서는, 토출노즐의 토출구가 기판의 중심에 대향하는 위치로부터 기판의 주연에 대향하는 위치까지 이동하는 도중에 세정액의 토출유량이 소유량(小流量)으로 절환됨으로써, 기판의 주연부에 있어서의 세정액의 액튐이 억제된다.
청구항7에 관련된 발명의 기판처리방법에서는, 토출노즐의 토출구가 기판의 중심에 대향하는 위치로부터 기판의 주연에 대향하는 위치까지 이동함에 따라서 세정액의 토출유량이 점차 저감함으로써, 기판의 주연부에 있어서의 세정액의 액튐이 억제된다.
청구항8에 관련된 발명의 기판처리장치에 있어서는, 제어수단에 의해 세정액공급수단이 제어되어, 토출노즐의 토출구가 기판의 중심에 대향하는 위치로부터 기판의 주연에 대향하는 위치까지 이동하는 과정에서, 토출노즐의 토출구로부터 기판의 표면으로 토출되는 세정액의 토출유량이 저감된다. 따라서, 청구항8에 관련된 발명의 기판처리장치를 사용하면, 청구항5에 관련된 발명의 기판처리방법을 적절하 게 실시하여, 상기 효과를 얻을 수 있다.
청구항9에 관련된 발명에 기판처리방법에 의하면, 토출노즐의 토출구가 주사되어 기판의 주연 부근까지 이동하였을 때에는, 토출노즐의 토출구가 기판의 중심부근에 위치할 때에 비해, 토출노즐의 토출구로부터 기판의 표면으로 토출되는 세정액의 토출압이 저하하고 있다. 이 때문에, 기판의 주연부에 있어서의 세정액의 액튐이 억제되어, 액튐에 의한 액적이 토출노즐로부터 중심부측의 기판표면에 비산하여 부착하는 것이 방지되므로, 현상결함 등의 발생을 없앨 수 있다.
청구항10에 관련된 발명의 기판처리방법에서는, 토출노즐의 토출구가 기판의 중심에 대향하는 위치로부터 기판의 주연에 대향하는 위치까지 이동하는 도중에 세정액의 토출압이 저압으로 절환됨으로써, 기판의 주연부에 있어서의 세정액의 액튐이 억제된다.
청구항11에 관련된 발명의 기판처리방법에서는, 토출노즐의 토출구가 기판의 중심에 대향하는 위치로부터 기판의 주연에 대향하는 위치까지 이동함에 따라서 세정액의 토출압이 점차 저하함으로써, 기판의 주연부에 있어서의 세정액의 액튐이 억제된다.
청구항12에 관련된 발명에 기판처리장치에 있어서는, 제어수단에 의해 세정액공급수단이 제어되어, 토출노즐의 토출구가 기판의 중심에 대향하는 위치로부터 기판의 주연에 대향하는 위치까지 이동하는 과정에서, 토출노즐의 토출구로부터 기판의 표면으로 토출되는 세정액의 토출압이 저하된다. 따라서, 청구항12에 관련된 발명의 기판처리장치를 사용하면, 청구항9에 관련된 발명의 기판처리방법을 적절하 게 실시하여, 상기 효과를 얻을 수 있다.

Claims (12)

  1. 기판을 수평자세로 파지하여 연직축 주위로 회전하게 하는 동시에, 토출노즐의 토출구로부터 기판의 표면으로 세정액을 토출하게 하면서, 상기 토출노즐의 토출구를 기판의 중심에 대향하는 위치로부터 기판의 주연(周緣)에 대향하는 위치까지 주사하는 기판처리방법에 있어서,
    상기 토출노즐의 토출구가 기판의 중심에 대향하는 위치로부터 기판의 주연에 대향하는 위치까지 이동하는 과정에서 기판의 회전속도를 저하하게 하는 것을 특징으로 하는 기판처리방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 토출노즐의 토출구가 기판의 중심에 대향하는 위치로부터 기판의 주연에 대향하는 위치까지 이동하는 도중에 기판의 회전속도를 적어도 1회 변경하는 것을 특징으로 하는 기판처리방법.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 토출노즐의 토출구가 기판의 중심에 대향하는 위치로부터 기판의 주연에 대향하는 위치까지 이동함에 따라서 기판의 회전속도를 점차 저하하게 하는 것을 특징으로 하는 기판처리방법.
  4. 기판을 수평자세로 파지하는 기판파지수단과,
    이 기판파지수단에 의해 파지된 기판을 연직축 주위로 회전하게 하는 기판회전수단과,
    상기 기판파지수단에 의해 파지되어 상기 기판회전수단에 의해 회전하게 되는 기판의 표면으로 토출구로부터 세정액을 토출하는 토출노즐과,
    이 토출노즐로 세정액을 공급하는 세정액공급수단과,
    상기 토출노즐의 토출구를, 그 토출구로부터 기판의 표면으로 세정액을 토출하게 하면서 기판의 중심에 대향하는 위치로부터 기판의 주연에 대향하는 위치까지 주사하는 노즐이동수단을 구비한 기판처리장치에 있어서,
    상기 토출노즐의 토출구가 기판의 중심에 대향하는 위치로부터 기판의 주연에 대향하는 위치까지 이동하는 과정에서 기판의 회전속도를 저하하게 하도록 상기 기판회전수단을 제어하는 제어수단을 더 구비한 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  5. 기판을 수평자세로 파지하여 연직축 주위로 회전하게 하는 동시에, 토출노즐의 토출구로부터 기판의 표면으로 세정액을 토출하게 하면서, 상기 토출노즐의 토출구를 기판의 중심에 대향하는 위치로부터 기판의 주연에 대향하는 위치까지 주사하는 기판처리방법에 있어서,
    상기 토출노즐의 토출구가 기판의 중심에 대향하는 위치로부터 기판의 주연에 대향하는 위치까지 이동하는 과정에서, 상기 토출노즐의 토출구로부터 기판의 표면으로 토출되는 세정액의 토출유량을 저감하게 하는 것을 특징으로 하는 기판처 리방법.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 토출노즐의 토출구가 기판의 중심에 대향하는 위치로부터 기판의 주연에 대향하는 위치까지 이동하는 도중에 세정액의 토출유량을 적어도 1회 변경하는 것을 특징으로 하는 기판처리방법.
  7. 제5항에 있어서,
    상기 토출노즐의 토출구가 기판의 중심에 대향하는 위치로부터 기판의 주연에 대향하는 위치까지 이동함에 따라서 세정액의 토출유량을 점차 저감하게 하는 것을 특징으로 하는 기판처리방법.
  8. 기판을 수평자세로 파지하는 기판파지수단과,
    이 기판파지수단에 의해 파지된 기판을 연직축 주위로 회전하게 하는 기판회전수단과,
    상기 기판파지수단에 의해 파지되어 상기 기판회전수단에 의해 회전하게 되는 기판의 표면으로 토출구로부터 세정액을 토출하는 토출노즐과,
    이 토출노즐로 세정액을 공급하는 세정액공급수단과,
    상기 토출노즐의 토출구를, 그 토출구로부터 기판의 표면으로 세정액을 토출하게 하면서 기판의 중심에 대향하는 위치로부터 기판의 주연에 대향하는 위치까지 주사하는 노즐이동수단을 구비한 기판처리장치에 있어서,
    상기 토출노즐의 토출구가 기판의 중심에 대향하는 위치로부터 기판의 주연에 대향하는 위치까지 이동하는 과정에서, 상기 토출노즐의 토출구로부터 기판의 표면으로 토출되는 세정액의 토출유량을 저감하게 하도록 상기 세정액공급수단을 제어하는 제어수단을 더 구비한 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  9. 기판을 수평자세로 파지하여 연직축 주위로 회전하게 하는 동시에, 토출노즐의 토출구로부터 기판의 표면으로 세정액을 토출하게 하면서, 상기 토출노즐의 토출구를 기판의 중심에 대향하는 위치로부터 기판의 주연에 대향하는 위치까지 주사하는 기판처리방법에 있어서,
    상기 토출노즐의 토출구가 기판의 중심에 대향하는 위치로부터 기판의 주연에 대향하는 위치까지 이동하는 과정에서, 상기 토출노즐의 토출구로부터 기판의 표면으로 토출되는 세정액의 토출압을 저하하게 하는 것을 특징으로 하는 기판처리방법.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 토출노즐의 토출구가 기판의 중심에 대향하는 위치로부터 기판의 주연에 대향하는 위치까지 이동하는 도중에 세정액의 토출압을 적어도 1회 변경하는 것을 특징으로 하는 기판처리방법.
  11. 제9항에 있어서,
    상기 토출노즐의 토출구가 기판의 중심에 대향하는 위치로부터 기판의 주연에 대향하는 위치까지 이동함에 따라서 세정액의 토출압을 점차 저하하게 하는 것을 특징으로 하는 기판처리방법.
  12. 기판을 수평자세로 파지하는 기판파지수단과,
    이 기판파지수단에 의해 파지된 기판을 연직축 주위로 회전하게 하는 기판회전수단과,
    상기 기판파지수단에 의해 파지되어 상기 기판회전수단에 의해 회전하게 되는 기판의 표면으로 토출구로부터 세정액을 토출하는 토출노즐과,
    이 토출노즐로 세정액을 공급하는 세정액공급수단과,
    상기 토출노즐의 토출구를, 그 토출구로부터 기판의 표면으로 세정액을 토출하게 하면서 기판의 중심에 대향하는 위치로부터 기판의 주연에 대향하는 위치까지 주사하는 노즐 이동수단을 구비한 기판처리장치에 있어서,
    상기 토출노즐의 토출구가 기판의 중심에 대향하는 위치로부터 기판의 주연에 대향하는 위치까지 이동하는 과정에서, 상기 토출노즐의 토출구로부터 기판의 표면으로 토출되는 세정액의 토출압을 저하하게 하도록 상기 세정액공급수단을 제어하는 제어수단을 더 구비한 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4684858B2 (ja) * 2005-11-10 2011-05-18 東京エレクトロン株式会社 リンス処理方法、現像処理方法、現像処理装置、制御プログラムおよびコンピュータ読取可能な記憶媒体
JP5166802B2 (ja) * 2007-09-13 2013-03-21 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板処理装置および基板処理方法
JP5192206B2 (ja) * 2007-09-13 2013-05-08 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板処理装置および基板処理方法
CN101459047B (zh) * 2007-12-13 2010-11-10 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 半导体晶片表面的清洗方法
JP5151629B2 (ja) * 2008-04-03 2013-02-27 東京エレクトロン株式会社 基板洗浄方法、基板洗浄装置、現像方法、現像装置及び記憶媒体
JP5305331B2 (ja) * 2008-06-17 2013-10-02 東京エレクトロン株式会社 現像処理方法及び現像処理装置
JP5261077B2 (ja) 2008-08-29 2013-08-14 大日本スクリーン製造株式会社 基板洗浄方法および基板洗浄装置
JP4927158B2 (ja) * 2009-12-25 2012-05-09 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法、その基板処理方法を実行させるためのプログラムを記録した記録媒体及び基板処理装置
CN102125921B (zh) * 2010-01-20 2012-09-05 常州瑞择微电子科技有限公司 一种光掩模在清洗过程中的传输方法
US20110180113A1 (en) * 2010-01-28 2011-07-28 Chin-Cheng Chien Method of wafer cleaning and apparatus of wafer cleaning
KR101266620B1 (ko) 2010-08-20 2013-05-22 다이닛뽕스크린 세이조오 가부시키가이샤 기판처리방법 및 기판처리장치
JP5615650B2 (ja) 2010-09-28 2014-10-29 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理方法および基板処理装置
JP2012114409A (ja) * 2010-11-04 2012-06-14 Tokyo Electron Ltd 基板洗浄方法、基板洗浄装置及び基板洗浄用記憶媒体
JP5789400B2 (ja) * 2011-04-12 2015-10-07 東京エレクトロン株式会社 液処理方法及び液処理装置
JP5712061B2 (ja) * 2011-06-16 2015-05-07 株式会社荏原製作所 基板処理方法及び基板処理ユニット
JP6076011B2 (ja) * 2012-02-09 2017-02-08 東京エレクトロン株式会社 基板処理ブラシ及び基板処理装置
JP6444438B2 (ja) * 2012-02-09 2018-12-26 東京エレクトロン株式会社 基板処理ブラシ及び基板処理装置
CN102580941A (zh) * 2012-02-27 2012-07-18 上海集成电路研发中心有限公司 提高晶圆清洁度的清洗方法及清洗甩干设备
CN103464401B (zh) * 2012-06-08 2017-12-19 盛美半导体设备（上海）有限公司 用于倒装芯片清洗的方法与装置
SG11201609642QA (en) 2014-06-16 2016-12-29 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus, method of transferring a substrate and device manufacturing method
JP6454245B2 (ja) * 2014-10-21 2019-01-16 東京エレクトロン株式会社 基板液処理方法及び基板液処理装置並びに基板液処理プログラムを記憶したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体
US10163664B2 (en) 2014-10-31 2018-12-25 Ebara Corporation Substrate cleaning apparatus and substrate cleaning method
CN110268513A (zh) * 2017-01-27 2019-09-20 东京毅力科创Fsi公司 用于在工艺室中旋转和平移衬底的系统和方法
JP6769335B2 (ja) * 2017-02-22 2020-10-14 東京エレクトロン株式会社 処理レシピの評価方法、記憶媒体、処理レシピ評価用の支援装置、及び液処理装置
JP6980457B2 (ja) * 2017-08-23 2021-12-15 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理方法および記憶媒体
JP7088810B2 (ja) * 2018-11-07 2022-06-21 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法および基板処理装置

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001232307A (ja) 2000-02-21 2001-08-28 Hitachi Ltd 洗浄方法および洗浄装置
JP2004014844A (ja) * 2002-06-07 2004-01-15 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置及び基板処理方法
WO2005015627A1 (en) 2003-08-07 2005-02-17 Ebara Corporation Substrate processing apparatus, substrate processing method, and substrate holding apparatus
WO2005098919A1 (ja) 2004-04-06 2005-10-20 Tokyo Electron Limited 基板洗浄装置、基板洗浄方法及びその方法に使用するプログラムを記録した媒体

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19522525A1 (de) * 1994-10-04 1996-04-11 Kunze Concewitz Horst Dipl Phy Verfahren und Vorrichtung zum Feinstreinigen von Oberflächen
JP3315611B2 (ja) * 1996-12-02 2002-08-19 三菱電機株式会社 洗浄用２流体ジェットノズル及び洗浄装置ならびに半導体装置
JP3834542B2 (ja) * 2001-11-01 2006-10-18 東京エレクトロン株式会社 基板洗浄装置及び基板洗浄方法
TW561516B (en) * 2001-11-01 2003-11-11 Tokyo Electron Ltd Substrate processing apparatus and substrate processing method
JP2005235736A (ja) * 2004-01-22 2005-09-02 Aisin Seiki Co Ltd 燃料電池用膜電極接合体及びその製造方法、燃料電池
JP4324527B2 (ja) * 2004-09-09 2009-09-02 東京エレクトロン株式会社 基板洗浄方法及び現像装置

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001232307A (ja) 2000-02-21 2001-08-28 Hitachi Ltd 洗浄方法および洗浄装置
JP2004014844A (ja) * 2002-06-07 2004-01-15 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置及び基板処理方法
WO2005015627A1 (en) 2003-08-07 2005-02-17 Ebara Corporation Substrate processing apparatus, substrate processing method, and substrate holding apparatus
WO2005098919A1 (ja) 2004-04-06 2005-10-20 Tokyo Electron Limited 基板洗浄装置、基板洗浄方法及びその方法に使用するプログラムを記録した媒体

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