JP6076011B2 - 基板処理ブラシ及び基板処理装置 - Google Patents

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Description

本発明は、基板から除去対象物を除去するための基板処理ブラシ及び基板処理装置に関するものである。
従来より、半導体部品やフラットパネルディスプレイなどを製造する場合には、半導体ウエハや液晶基板などの基板を基板保持機構で保持した状態で、基板の表面（主面：回路形成面）に対してエッチング処理や成膜処理や洗浄処理などの各種の処理を繰り返し行っている。
そして、基板に対して各種の処理を行う際に、基板の裏面にパーティクル等の汚染物質が付着したり、基板の裏面に凸部が形成されてしまうことがある。この基板の裏面に付着した汚染物質や基板の裏面に形成された凸部は、基板の各種処理に悪影響を及ぼすおそれがある。
そのため、基板処理ブラシを基板の裏面に押圧しながら回転させることによって基板の裏面に対して洗浄や研磨などの処理を施して、基板の裏面から汚染物質や凸部などの除去対象物を除去している。この基板処理ブラシは、回転軸に接続した基台に複数個のブラシ本体を基台の回転方向に並べて環状に取付けた構成となっている（たとえば、特許文献１参照。）。
特開２０１１−２０６８６７号公報
ところが、上記従来の基板処理ブラシでは、基板から除去対象物の除去を行う際に、複数個に分割形成されたブラシ本体を基板の裏面に押圧しながら回転させるために、基板から受ける反力によって分割形成された各ブラシ本体が基板に対して傾いてしまい、基板から除去対象物を良好に除去することができなくなるおそれがあった。
そこで、本発明では、基板から除去対象物を除去するための基板処理ブラシにおいて、回転軸に接続した基台と、前記基台に取付けられ、回転方向に向けて等間隔をあけて複数個配置したブラシ本体と、前記基台の中央部に形成され、前記ブラシ本体に処理液を供給する１つの処理液供給口と、隣接する前記ブラシ本体の間に前記基台の回転中心から外周へ向けて放射状に形成されており、前記１つの処理液供給口と前記ブラシ本体の外周外方とを連通し、前記１つの処理液供給口から供給された処理液を前記ブラシ本体の外方へ排出する排液溝とを有することにした。
また、前記基台は、前記回転軸に接続した剛体からなるベース体と、前記ベース体とブラシ本体との間に介設した前記ブラシ本体よりも硬度の低い弾性体からなる緩衝体とを有することにした。
また、前記ブラシ本体は、外周部及び内周部を下向き凸状に形成して、外周部及び内周部に前記基板との接触面を形成するとともに、外周部と内周部との間に前記基板に接触しない非接触面を形成することにした。
また、前記ブラシ本体は、前記接触面の面積よりも前記非接触面の面積を広くすることにした。
また、前記外周部の接触面の高さを前記内周部の接触面の高さよりも高くすることにした。
また、前記ブラシ本体は、前記基板との接触面の面積よりも前記基台との取付面の面積を大きくすることにした。
また、前記排液溝を前記基台の回転中心から外周へ向けて拡幅させることにした。
また、前記排液溝を前記基台の回転方向に向けて傾斜させることにした。
また、本発明では、回転する基板処理ブラシを用いて基板から除去対象物を除去するための基板処理装置において、前記基板処理ブラシは、回転軸に接続した基台と、前記基台に取付けられ、回転方向に向けて等間隔をあけて複数個配置したブラシ本体と、前記基台の中央部に形成され、前記ブラシ本体に処理液を供給する１つの処理液供給口と、隣接する前記ブラシ本体の間に前記基台の回転中心から外周へ向けて放射状に形成されており、前記１つの処理液供給口と前記ブラシ本体の外周外方とを連通し、前記１つの処理液供給口から供給された処理液を前記ブラシ本体の外方へ排出する排液溝とを有する
ことにした。
また、前記基板の外周端縁に沿って伸延する基板支持体で前記基板の外周端縁を支持することにした。
また、前記処理液供給口から処理液を供給する処理液供給機構と、前記処理液供給機構から供給する処理液の流量を制御する制御手段とを有し、制御手段は、前記基板処理ブラシで前記基板の内周側を処理するときよりも、前記基板処理ブラシで前記基板の外周側を処理するときに、前記処理液供給口から供給する前記処理液の流量が少なくなるように前記処理液供給機構を制御することにした。
そして、本発明では、基板処理ブラシを基板に押圧しながら回転させて除去対象物の除去処理を行っても、基板から受ける反力によってブラシ本体が基板に対して傾くことを抑制することができ、基板から除去対象物を良好に除去することができる。
基板処理装置を示す平面図。 基板処理ユニットを示す平面図。 同正面図。 基板研磨手段を示す側面図。 基板処理ブラシを示す正面図（ａ）、底面図（ｂ）、断面図（ｃ）。 他の基板処理ブラシを示す正面図（ａ）、底面図（ｂ）、断面図（ｃ）（ｄ）。 他の基板処理ブラシを示す底面図。 基板処理装置の動作説明図。 基板処理装置の動作説明図。 基板処理装置の動作説明図。 基板処理装置の動作説明図。
以下に、本発明の具体的な構成について図面を参照しながら説明する。なお、以下の説明では、基板の裏面を基板処理ブラシで研磨する基板処理装置について説明するが、本発明は基板を研磨処理する場合に限られず、基板処理ブラシを用いて洗浄処理する場合などにも適用することができる。
図１に示すように、基板処理装置１は、筺体２の前端部に基板搬入出台３を形成するとともに、基板搬入出台３の後部に基板処理室４を形成している。
基板搬入出台３は、基板５（ここでは、半導体ウエハ。）を複数枚（たとえば、25枚。）まとめて収容した複数個（ここでは、３個。）のキャリア６を左右に並べて載置している。
そして、基板搬入出台３は、キャリア６と後部の基板処理室４との間で基板５の搬入及び搬出を行う。
基板処理室４は、中央部に基板搬送ユニット７を配置し、基板搬送ユニット７の一側部に基板反転ユニット８と２個の基板処理ユニット９とを並べて配置するとともに、基板搬送ユニット７の他側部に３個の基板処理ユニット９を並べて配置している。
基板搬送ユニット７は、前後に伸延する搬送室10の内部に基板５を１枚ずつ保持して搬送するための基板搬送装置11を収容する。
この基板搬送装置11は、前後に走行する走行台12に１枚の基板５を保持するアーム13を進退・昇降及び回転可能に取付けている。
そして、基板搬送装置11は、基板搬入出台３と基板反転ユニット８との間や基板反転ユニット８と基板処理ユニット９との間で基板５を１枚ずつ搬送する。
基板処理室４では、基板搬送装置11が、基板搬入出台３の所定のキャリア６から１枚の基板５を表面（主面：回路形成面）を上側に向けた状態で受取り、その基板５を基板反転ユニット８に受渡す。基板反転ユニット８では、基板５の表裏を反転させる。その後、再び基板搬送装置11が、基板反転ユニット８から基板５を裏面を上側に向けた状態で受取り、その基板５をいずれかの基板処理ユニット９に受渡す。基板処理ユニット９では、基板５の裏面が研磨処理される。研磨処理が終了すると、基板搬送装置11が基板５を基板処理ユニット９から基板反転ユニット８に搬送する。基板反転ユニット８で基板の表裏を反転させ、再び基板搬送装置11が基板反転ユニット８から基板５を表面を上側に向けた状態で受取り、その基板５を基板搬入出台３の所定のキャリア６に受渡す。
基板反転ユニット８は、基板搬送装置11から受取った基板５を表裏反転させる。
基板処理ユニット９は、図２及び図３に示すように、ケーシング14の内部に、基板５を保持するとともに基板５を回転させるための基板保持手段15と、基板５を処理する基板処理手段として基板５の裏面を研磨するための基板研磨手段16と、研磨時に基板５の裏面にリンス液（純水）を供給するためのリンス液供給手段17と、研磨後の基板５の裏面を洗浄するための基板洗浄手段18を収容している。これらの基板保持手段15、基板研磨手段16、リンス液供給手段17、基板洗浄手段18は、制御手段19に接続しており、制御手段19によって駆動制御される。なお、制御手段19は、基板処理ユニット９だけでなく基板搬送ユニット７や基板反転ユニット８などの制御も行う。
基板保持手段15は、ケーシング14に回転駆動機構20を取付け、回転駆動機構20に円板状のターンテーブル21を水平に取付けている。このターンテーブル21の端縁部には、基板５の外周端縁を保持する開閉可能な３個の基板保持体22を円周方向に等間隔をあけて配置するとともに、基板保持体22の左右側方に基板５の外周端縁に沿って円弧状に伸延する傾斜面で基板５の外周端縁を支持する基板支持体23を配置している。また、ターンテーブル21の外周側方をカップ24で囲っている。基板保持体22は、開閉機構25によって開閉する。回転駆動機構20及び開閉機構25は、制御手段19に接続しており、制御手段19によって駆動制御される。
基板研磨手段16は、図３及び図４に示すように、基板５の上方にアーム27を設けている。このアーム27は、ケーシング14内に略水平に設けられた直線状のガイドレール45に沿って移動自在になっている。そして、アーム27には、アーム27を略水平に移動させるスキャン駆動機構46が連結されている。このスキャン駆動機構46は、例えば、ボールねじとこのボールねじを回転させるモータとにより構成することができる。そして、このスキャン駆動機構46により、アーム27は基板保持手段15に保持された基板５の上方を移動することができる。スキャン駆動機構46は、制御手段19に接続しており、制御手段19によって駆動制御される。
アーム27には、基板保持手段15に保持された基板５に対して、アーム27を昇降させるアーム昇降駆動機構47が設けられている。このアーム昇降駆動機構47は、例えばシリンダにより構成することができる。アーム昇降駆動機構47とアーム27とは、第１連結部材48を介して連結されている。アーム昇降駆動機構47とスキャン駆動機構46とは、第２連結部材49を介して連結されている。そして、アーム27は、第１連結部材48、アーム昇降駆動機構47及び第２連結部材49とともに、ガイドレール45に沿って移動することができる。アーム昇降駆動機構47は、制御手段19に接続しており、制御手段19によって駆動制御される。
基板研磨手段16には、アーム27の前端に上下に伸延する回転軸28が回動自在に取り付けられ、回転軸28の下端部に基板処理ブラシとしての研磨ブラシ29が取付けられている。回転軸28には、従動プーリ50が設けられている。また、アーム27上にはブラシ回転駆動機構30が設けられ、ブラシ回転駆動機構30の駆動軸51に駆動プーリ52が設けられている。ブラシ回転駆動機構30は、例えばモータにより構成することができる。駆動プーリ52と従動プーリ50には伝導ベルト53が巻き掛けられている。これにより、ブラシ回転駆動機構30の回転駆動力が伝導ベルト53を介して回転軸28に伝達され、研磨ブラシ29が回転する。ブラシ回転駆動機構30は、制御手段19に接続しており、制御手段19によって駆動制御される。
研磨ブラシ29は、図５に示すように、回転軸28に着脱可能に取付けた円筒状の基台31の下部にブラシ本体としての複数個（ここでは、８個）の砥石（ポリビニルアルコールやフェノール樹脂などの母材に炭化珪素やダイヤモンドなどを含有させて成型したものでもよい。）からなる研磨部材32を回転軸28の回転方向に向けて間隔をあけて貼着している。基台31は、回転軸28に接続した金属や樹脂等の剛体からなる円筒状のベース体33の下部にシリコンゴムやポリオレフィンスポンジやポリウレタンなどの弾性体からなる円筒状の緩衝体34を貼着している。すなわち、複数個の研磨部材32が、それぞれベース体33との間に研磨部材32よりも硬度の低い緩衝体34を介設した構成となっている。これにより、基板５が撓んでいても複数個の研磨部材32と貼着している部分の緩衝体34が基板５の撓みに合わせて変形することができ、研磨部材32を基板５の処理面に良好に追従させることができる。
ここで、研磨部材32は、外周部を下向き凸状に形成することで断面を逆Ｌ字形状にして、外周部に基板５と接触する接触面を形成するとともに、内周部に基板５と接触しない非接触面を形成している。そして、研磨部材32は、研磨部材32と基板５とが接触する接触面（研磨部材32の下端面）の面積よりも、基台31に貼着された研磨部材32の取付面（研磨部材32の上端面）の面積の方が大きくなるようにしている。
なお、研磨部材32は、基板５との接触面の面積よりも基台31との取付面の面積を大きくすればよく、断面形状を逆Ｌ字形状に形成した場合に限られず、下向き台形状に形成してもよい。これにより、研磨部材32の取付面の面積が大きくなるので、研磨部材32が基板５と接触したときに圧力を分散させることができ、より安定的に処理することができる。
また、研磨部材32は、基板５との接触面を１ヶ所だけ形成した場合に限られず、接触面を複数ヶ所形成してもよい。たとえば、図６（ａ）〜（ｃ）に示す研磨部材32'では、外周部及び内周部を下向き凸状に形成することで断面を逆凹字形状にして、外周部及び内周部に基板５との接触面を形成するとともに、外周部と内周部との間に非接触面を形成している。非接触面の面積は、各接触面の面積よりも広くして、研磨部材32が基板５と接触したときに圧力を良好に分散させることができるようにしている。下向き凸状に形成した接触面の高さ（接触面と非接触面との上下差（非接触面の深さ））は、処理時に基板５に押圧して接触させたときに凸状部分が折れない高さとしている。凸状部分の基部（接触面と非接触面との境界部分）には、丸味を施して凸状部分の強度を確保している。接触面の高さは、外周部と内周部とで同一としてもよく、図６（ｄ）に示す研磨部材32"のように、外周部の高さを内周部の高さよりも高くしてもよい。外周部の方が内周部よりも回転速度が速く処理時により効果的に機能するため、外周部の高さを高くして、外周部を基板５に確実に接触させることにより、基板５を良好に処理することができる。
この研磨ブラシ29には、研磨部材32に向けて処理液を供給する処理液供給機構35が接続されている。処理液供給機構35は、処理液供給源54からバルブ55を備えた処理液供給管56を介して、基台31の中央部に形成された処理液供給口36から処理液を研磨部材32に向けて供給する。処理液供給機構35（バルブ55）は、制御手段19に接続されており、制御手段19によって処理液の供給が制御される。ここでは、処理液として、基板５（除去対象物）と研磨部材32との接触によって発生する摩擦熱を冷却するための純水を用いている。
研磨ブラシ29は、基台31の下部に複数個の研磨部材32を回転方向に向けて等間隔をあけて配置している。これにより、隣接する研磨部材32の間に放射状の間隙が形成される。この間隙は、基台31の中央部に形成した処理液供給口36と研磨部材32の外周外方とを連通しており、処理液供給口36から供給された処理液を研磨部材32の外方へ排出する排液溝37として機能する。
このように、研磨ブラシ29は、排液溝37を基台31の回転中心から外周へ向けて放射状に形成することで、処理液を円滑に排出することができる。また、図７(a)に示すように、研磨ブラシ29aは、研磨部材32の個数を多くして（ここでは、２４個）、排液溝37aの個数を多くすることで、処理液をより円滑に排出することができる。また、研磨処理においては、研磨部材の角部と除去対象物との接触回数が多くなるほど除去能力が高くなる。そのため、研磨部材の個数を多くして研磨部材32の角部の数を多くすることにより、除去対象物との接触頻度が増大して、除去対象物を迅速に除去することができる。さらに、図７(b)に示すように、研磨ブラシ29bは、排液溝37bを基台31の回転中心から外周端縁に向けて拡幅させてもよい。図７(c)に示すように、研磨ブラシ29cは、排液溝37cを基台31の回転方向に向けて傾斜状に形成してもよい。これらによっても、処理液をより円滑に排出することができる。
リンス液供給手段17は、図２及び図３に示すように、リンス液供給ノズル39と、リンス液供給ノズル39にリンス液を供給するリンス液供給機構38とで構成されている。リンス液供給機構38は、リンス液供給源57とバルブ58を備えたリンス液供給管59を介してリンス液供給ノズル39にリンス液を供給する。リンス液供給ノズル39は、その先端部を基板５の中央に向けている。リンス液供給機構38（バルブ58）は、制御手段19に接続しており、制御手段19で供給制御される。
基板洗浄手段18は、図２及び図３に示すように、基板５の上方にアーム41を設けている。このアーム41は、ケーシング14内に略水平に設けられた直線状のガイドレール45に沿って移動自在になっている。そして、アーム41には、アーム41を略水平に移動させるスキャン駆動機構40が連結されている。このスキャン駆動機構40は、例えば、ボールねじとこのボールねじを回転させるモータとにより構成することができる。そして、このスキャン駆動機構40により、アーム41は基板保持手段15に保持された基板５の上方を移動することができる。スキャン駆動機構40は、制御手段19に接続しており、制御手段19によって駆動制御される。
また、基板洗浄手段18は、アーム41の前端下部に基板洗浄ノズル（２流体ノズル）42を取付けている。基板洗浄ノズル42は、洗浄液供給機構43に接続している。洗浄液供給機構43は、たとえば純水と窒素ガスなどの２種類の供給源60,61とバルブ62,63を備えた洗浄液供給管64,65を介して基板洗浄ノズル42に２種類の流体を供給し、基板洗浄ノズル42で２種類の流体を混合して処理液を生成し、その処理液を基板５へ向けて供給する。洗浄液供給機構43（バルブ62,63）は、制御手段19に接続しており、制御手段19で供給制御される。
基板処理装置１は、以上に説明したように構成しており、制御手段19に設けた記録媒体44に記録された各種のプログラムに従って制御手段19で駆動制御され、基板５の処理を行うようにしている。ここで、記録媒体44は、各種の設定データや後述する基板処理プログラム等の各種のプログラムを格納しており、ＲＯＭやＲＡＭなどのメモリーや、ハードディスク、ＣＤ−ＲＯＭ、ＤＶＤ−ＲＯＭやフレキシブルディスクなどのディスク状記録媒体などの公知のもので構成される。
そして、基板処理装置１では、制御手段19が記録媒体44に記録された基板処理プログラムに従って以下に説明するように基板５の裏面を研磨する。
まず、基板搬入出台３に載置されたキャリア６から、基板搬送装置11が基板５を取り出し、基板反転ユニット８に受け渡す。続いて、基板反転ユニット８において基板５の表裏を反転させ、裏面（回路形成面とは反対面）を上側に向けた状態にする。そして、図３に示すように、基板５の裏面を上側に向けた状態で基板搬送装置11が基板処理ユニット９に搬入する。搬入された基板５は、基板処理ユニット９の基板保持手段15によって水平に保持される。その際に、基板５が基板支持体23の上部に載置され、その後、制御手段19によって開閉機構25を駆動することで基板５の端縁部が基板保持体22で保持される。
次に、図８に示すように、制御手段19によって基板研磨手段16のスキャン駆動機構46を駆動することで、研磨ブラシ29を基板５の右側方の退避位置から基板５の中央の処理開始位置まで移動させる。なお、基板洗浄手段18の基板洗浄ノズル42は、基板５の左側方の退避位置で待機させる。
次に、図９に示すように、制御手段19によって基板保持手段15の回転駆動機構20を駆動し、ターンテーブル21を所定回転数で回転させて基板５を水平に保持したまま回転させる。また、制御手段19によって基板研磨手段16のスキャン駆動機構46及びブラシ回転機構30を制御し、研磨ブラシ29を回転させながら基板５の裏面に所定の圧力で押圧させた状態で基板５の裏面の中心から外周端縁へ向けて移動させる。その際に、制御手段19によって処理液供給機構35を駆動し、処理液供給口36から研磨ブラシ29の研磨部材32に向けて処理液を供給する。また、制御手段19によってリンス液供給手段17のリンス液供給機構38を駆動し、リンス液供給ノズル39から基板５の裏面に向けて純水を供給する。
これにより、研磨ブラシ29の研磨部材32が基板５の除去対象物に接触し、基板５から除去対象物を剥離する。剥離した除去対象物は、処理液及びリンス液によって基板５から除去される。基板５に供給された処理液は排液溝37から研磨ブラシ29の外部に排出され、リンス液とともに回転する基板５の遠心力によって基板５の外周外方へ排出される。
ここで、基板５の内周側の所定範囲を研磨ブラシ29で処理する際には、制御手段19によって処理液供給機構35及びリンス液供給機構38を駆動して、所定流量の処理液及びリンス液を供給する。具体的には、基板５の内周側の所定範囲よりも外周側を研磨ブラシ29で処理する際には、リンス液の供給を停止又は抑制して、基板５の内周側の所定範囲を処理するときよりも処理液やリンス液の流量が少なくなるようにしている。基板５の内周側を研磨ブラシ29で処理しているときには、回転する基板５の遠心力の作用で処理液及びリンス液が円滑に基板５の外周外方へ排出される。しかし、基板５の外周側を研磨ブラシ29で処理しているときには、基板５上を流れてきたリンス液の流動が基板５の外周部において研磨ブラシ29によって乱されるため、処理液及びリンス液が基板５の外周外方へ円滑に排出されずに基板５の表面側へ流れ込むおそれがある。そのため、研磨ブラシ29で基板５の内周側を処理するときよりも外周側を処理するときに、処理液の流量を少なくすることで、基板５の外周部においてリンス液の流れを乱さずに処理液及びリンス液を基板５の外周外方へ円滑に排出し、処理液及びリンス液が基板５の表面側へ流れ込むのを防止することができる。さらに、基板５の外周端縁に沿って伸延する基板支持体23で基板５の外周端縁を支持しているために、より確実に処理液及びリンス液が基板５の表面側へ流れ込むのを防止することができる。なお、基板５の外周端縁に沿って伸延する基板支持体23で基板５の外周端縁を支持することで、研磨ブラシ29で基板５を押圧しても基板５は撓みにくくなり、均一に処理することができる。
次に、図10に示すように、制御手段19によってリンス液供給手段17のリンス液供給機構38を停止し、リンス液供給ノズル39から基板５の裏面への純水の供給を停止する。また、制御手段19によって基板研磨手段16のスキャン駆動機構46を駆動することで研磨ブラシ29を基板５の右側方の退避位置まで移動させるとともに、基板洗浄手段18のスキャン駆動機構40を駆動することで基板洗浄ノズル42を基板５の左側方の退避位置から基板５の中央の処理開始位置まで移動させる。
次に、図11に示すように、制御手段19によって基板洗浄手段18のスキャン駆動機構40及び洗浄液供給機構43を駆動して、基板洗浄ノズル42から基板５に向けて洗浄液を供給させながら、基板洗浄ノズル42を基板５の裏面の中心から外周端縁へ向けて移動させる。これにより、基板洗浄手段18で基板５の裏面全面を洗浄する。
次に、図３に示すように、制御手段19によって基板洗浄手段18のスキャン駆動機構40を駆動することで基板洗浄ノズル42を基板５の左側方の退避位置まで移動させる。その後、基板５を水平に保持して回転させ続けることにより、基板５の裏面を乾燥処理し、乾燥処理の終了後に基板５の回転を停止する。
その後、基板搬送装置11によってターンテーブル21の上部から基板5を基板反転ユニット８へ搬出する。基板反転ユニット８において、基板５は反転され、基板５の表面が上側に向いた状態となる。その後、基板搬送装置11が基板５を基板反転ユニット８から搬出し、キャリア６に搬入する。
以上に説明したようにして、基板処理装置１は、基板処理プログラムによって基板５の処理（裏面の研磨）を行っている。
そして、上記基板処理装置１では、研磨部材32と基板５との接触面の面積よりも研磨部材32と基台31との取付面の面積を大きくしているために、研磨部材32が基板５と接触したときに圧力を分散させることができ、基板５から受ける反力によって研磨部材32が基板５に対して傾くことを抑制することができ、基板５から除去対象物を良好に除去することができる。特に、研磨部材32の外周部及び内周部を下向き凸状に形成して、外周部及び内周部に基板５との接触面を形成するとともに、外周部と内周部との間に基板５に接触しない非接触面を形成することで、研磨部材32が基板５と接触したときの圧力を確実に分散させることができ、基板５から受ける反力によって研磨部材32が基板５に対して傾くことをより一層抑制することができる。また、研磨部材32が基板５と接触する部分が外周部と内周部の２つとすることで、基板５に対して傾くことを抑制するとともに、接触面の面積を小さくして効果的に処理することができる。また、複数個の研磨部材32が、それぞれベース体33との間に研磨部材32よりも硬度の低い緩衝体34を介設した構成となっている。これにより、複数個の研磨部材と貼着している部分の緩衝体34がそれぞれ変形することができ、研磨部材32を基板５の処理面に良好に追従させることができる。
１ 基板処理装置
19 制御手段
29 研磨ブラシ
31 基台
32 研磨部材
33 ベース体
34 緩衝体
36 処理液供給口
37 排液溝

Claims (11)

  1. 基板から除去対象物を除去するための基板処理ブラシにおいて、
    回転軸に接続した基台と、
    前記基台に取付けられ、回転方向に向けて等間隔をあけて複数個配置したブラシ本体と、
    前記基台の中央部に形成され、前記ブラシ本体に処理液を供給する１つの処理液供給口と、
    隣接する前記ブラシ本体の間に前記基台の回転中心から外周へ向けて放射状に形成されており、前記１つの処理液供給口と前記ブラシ本体の外周外方とを連通し、前記１つの処理液供給口から供給された処理液を前記ブラシ本体の外方へ排出する排液溝と、
    を有し、
    前記ブラシ本体は、外周部及び内周部を下向き凸状に形成して、外周部及び内周部に前記基板との接触面を形成するとともに、外周部と内周部との間に前記基板に接触しない非接触面を形成し、前記接触面の面積よりも前記非接触面の面積を広くしたことを特徴とする基板処理ブラシ。
  2. 前記基台は、前記回転軸に接続した剛体からなるベース体と、前記ベース体とブラシ本体との間に介設した前記ブラシ本体よりも硬度の低い弾性体からなる緩衝体とを有することを特徴とする請求項１に記載の基板処理ブラシ。
  3. 基板から除去対象物を除去するための基板処理ブラシにおいて、
    回転軸に接続した基台と、
    前記基台に取付けられ、回転方向に向けて等間隔をあけて複数個配置したブラシ本体と、
    前記基台の中央部に形成され、前記ブラシ本体に処理液を供給する１つの処理液供給口と、
    隣接する前記ブラシ本体の間に前記基台の回転中心から外周へ向けて放射状に形成されており、前記１つの処理液供給口と前記ブラシ本体の外周外方とを連通し、前記１つの処理液供給口から供給された処理液を前記ブラシ本体の外方へ排出する排液溝と、
    を有し、
    前記ブラシ本体は、外周部及び内周部を下向き凸状に形成して、外周部及び内周部に前記基板との接触面を形成するとともに、外周部と内周部との間に前記基板に接触しない非接触面を形成し、前記外周部の接触面の高さを前記内周部の接触面の高さよりも高くしたことを特徴とする基板処理ブラシ。
  4. 前記ブラシ本体は、前記接触面の面積よりも前記非接触面の面積を広くしたことを特徴とする請求項３に記載の基板処理ブラシ。
  5. 前記ブラシ本体は、前記基板との接触面の面積よりも前記基台との取付面の面積を大きくしたことを特徴とする請求項１〜請求項４のいずれかに記載の基板処理ブラシ。
  6. 前記排液溝を前記基台の回転中心から外周へ向けて拡幅させたことを特徴とする請求項１〜請求項５のいずれかに記載の基板処理ブラシ。
  7. 前記排液溝を前記基台の回転方向に向けて傾斜させたことを特徴とする請求項１〜請求項６のいずれかに記載の基板処理ブラシ。
  8. 回転する基板処理ブラシを用いて基板から除去対象物を除去するための基板処理装置において、
    前記基板処理ブラシは、
    回転軸に接続した基台と、
    前記基台に取付けられ、回転方向に向けて等間隔をあけて複数個配置したブラシ本体と、
    前記基台の中央部に形成され、前記ブラシ本体に処理液を供給する１つの処理液供給口と、
    隣接する前記ブラシ本体の間に前記基台の回転中心から外周へ向けて放射状に形成されており、前記１つの処理液供給口と前記ブラシ本体の外周外方とを連通し、前記１つの処理液供給口から供給された処理液を前記ブラシ本体の外方へ排出する排液溝と、
    を有し、
    前記ブラシ本体は、外周部及び内周部を下向き凸状に形成して、外周部及び内周部に前記基板との接触面を形成するとともに、外周部と内周部との間に前記基板に接触しない非接触面を形成し、前記接触面の面積よりも前記非接触面の面積を広くしたことを特徴とする基板処理装置。
  9. 回転する基板処理ブラシを用いて基板から除去対象物を除去するための基板処理装置において、
    前記基板処理ブラシは、
    回転軸に接続した基台と、
    前記基台に取付けられ、回転方向に向けて等間隔をあけて複数個配置したブラシ本体と、
    前記基台の中央部に形成され、前記ブラシ本体に処理液を供給する１つの処理液供給口と、
    隣接する前記ブラシ本体の間に前記基台の回転中心から外周へ向けて放射状に形成されており、前記１つの処理液供給口と前記ブラシ本体の外周外方とを連通し、前記１つの処理液供給口から供給された処理液を前記ブラシ本体の外方へ排出する排液溝と、
    を有し、
    前記ブラシ本体は、外周部及び内周部を下向き凸状に形成して、外周部及び内周部に前記基板との接触面を形成するとともに、外周部と内周部との間に前記基板に接触しない非接触面を形成し、前記外周部の接触面の高さを前記内周部の接触面の高さよりも高くしたことを特徴とする基板処理装置。
  10. 前記基板の外周端縁に沿って伸延する基板支持体で前記基板の外周端縁を支持することを特徴とする請求項８又は請求項９に記載の基板処理装置。
  11. 前記処理液供給口から処理液を供給する処理液供給機構と、
    前記処理液供給機構から供給する処理液の流量を制御する制御手段と、
    を有し、
    制御手段は、前記基板処理ブラシで前記基板の内周側を処理するときよりも、前記基板処理ブラシで前記基板の外周側を処理するときに、前記処理液供給口から供給する前記処理液の流量が少なくなるように前記処理液供給機構を制御することを特徴とする請求項８又は請求項９に記載の基板処理装置。
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