JP2008041722A - 基板処理方法および基板処理装置 - Google Patents

Abstract

【課題】基板の表面に形成された露光後のレジスト膜を現像処理するときに、パターン寸法の微細化に伴って起こるレジストパターン倒壊の発生を防止することができ、後工程に悪影響を及ぼす心配が無く、現像プロセスにおいてレジスト膜上への現像液の液盛り性が悪くなることもない方法を提供する。
【解決手段】基板Ｗの表面に形成された露光後のレジスト膜を現像処理する工程後、現像処理後のレジスト膜をリンス処理する工程前に、溶剤吐出ノズル３２から疎水性樹脂を含む溶剤を基板表面のレジスト膜上へ供給して、レジスト露出面を疎水性樹脂被膜で被覆し、その後にリンス処理しスピン乾燥する。
【選択図】図１

Description

この発明は、半導体ウエハ、液晶表示装置用ガラス基板、フォトマスク用ガラス基板、光ディスク用基板等の基板の表面に形成された露光後のレジスト膜に現像液を供給して現像処理を行う基板処理方法および基板処理装置に関する。

近年、半導体装置の製造プロセスにおいては、パターン寸法の微細化による高集積化が進められている。このパターン寸法の微細化に伴ってレジストパターンのアスペクト比が高くなり、これに伴い、現像工程におけるレジストパターンの倒壊現象が大きな問題となりつつある。基板の表面に形成されたレジストパターンが倒壊する現象には、いくつかのモードが存在することが知られている。その１つとして、現像後に、レジストパターン上へ純水（リンス液）を吐出してリンス処理し、基板を鉛直軸回りに回転させてスピン乾燥する際に、パターンとパターンとの隙間に現像液や純水などの液体が存在すると、パターンに対し液体のラプラス力が働き、パターンが倒壊してしまう、といったことが知られている。

ここで、液体のラプラス力に起因するレジストパターンに掛かる応力σは、次式で表される。
σ＝〔６γ（Ｈ／Ｗ）^２ｃｏｓθ〕／Ｄ
上式において、γは液体の表面張力であり、Ｈ、ＷおよびＤは、それぞれパターンの高さ、パターンの幅およびパターンとパターンとの距離である。θは、レジストと液体との接触角である。

上式から分かるように、レジストパターンに掛かる応力σを小さくして、レジストパターンの倒壊を防止するためには、液体の表面張力γを小さくすればよい。このような改善手段として、表面張力を低下させる界面活性剤が含まれたリンス液を使用してリンス処理することが行われている（例えば、特許文献１参照。）。あるいは、レジストと液体との接触角θを９０°付近に制御すれば、応力σはほぼ０となるので、レジストパターンの倒壊を防止することが可能である。
特開２００４−１４８４４号公報（第１１−１３頁、図８、図１０、図１１）

しかしながら、界面活性剤を含むリンス液を用いてリンス処理する場合には、レジストパターンの表面に界面活性剤が残ってしまい、後工程に悪影響を及ぼす可能性がある。また、現像プロセス以前にレジストと液体との接触角θが９０°付近となるように制御すると、現像プロセスにおいてレジスト膜上に現像液を盛ることが難しくなる。

この発明は、以上のような事情に鑑みてなされたものであり、パターン寸法の微細化に伴って起こるレジストパターン倒壊の発生を防止することができ、界面活性剤を含むリンス液を用いてリンス処理する場合のように後工程に悪影響を及ぼす、といった心配が無く、また、現像プロセスにおいてレジスト膜上への現像液の液盛り性が悪くなることもない基板処理方法を提供すること、ならびに、その方法を好適に実施することができる基板処理装置を提供することを目的とする。

請求項１に係る発明は、基板の表面に形成された露光後のレジスト膜上へ現像液を供給してレジスト膜を現像処理する現像工程と、基板表面に形成された現像処理後のレジスト膜上へリンス液を供給してリンス処理するリンス工程と、基板を水平姿勢で鉛直軸回りに回転させて、基板表面に形成されたリンス処理後のレジスト膜を乾燥させる乾燥工程とを含む基板処理方法において、前記現像工程後、前記リンス工程前に、基板表面に形成された現像処理後のレジスト膜上へ疎水性樹脂を含む溶剤を供給して、レジスト露出面を疎水性樹脂被膜で被覆することを特徴とする。

請求項２に係る発明は、基板の表面に形成された露光後のレジスト膜上へ現像液を供給してレジスト膜を現像処理する現像工程と、基板表面に形成された現像処理後のレジスト膜上へリンス液を供給してリンス処理するリンス工程と、基板を水平姿勢で鉛直軸回りに回転させて、基板表面に形成されたリンス処理後のレジスト膜を乾燥させる乾燥工程とを含む基板処理方法において、前記現像工程において、基板表面に形成された露光後のレジスト膜上へ疎水性樹脂を含む溶剤が混合された現像液を供給して、レジスト露出面を疎水性樹脂被膜で被覆することを特徴とする。

請求項３に係る発明は、請求項１または請求項２に記載の基板処理方法において、前記疎水性樹脂を含む溶剤は、現像液に比べて比重が大きいものが使用されることを特徴とする。

請求項４に係る発明は、基板の表面に形成された露光後のレジスト膜上へ現像液を供給してレジスト膜を現像処理する現像工程と、基板表面に形成された現像処理後のレジスト膜上へリンス液を供給してリンス処理するリンス工程と、基板を水平姿勢で鉛直軸回りに回転させて、基板表面に形成されたリンス処理後のレジスト膜を乾燥させる乾燥工程とを含む基板処理方法において、前記現像工程後、前記リンス工程前に、基板表面に形成された現像処理後のレジスト膜上へリンス液を供給して予備リンス処理し、その後に、レジスト膜上へ疎水性樹脂を含む溶剤を供給して、レジスト露出面を疎水性樹脂被膜で被覆することを特徴とする。

請求項５に係る発明は、基板の表面に形成された所定パターンを有するレジスト膜上へ洗浄液を供給してレジスト膜を洗浄処理する洗浄工程と、基板表面に形成された洗浄処理後のレジスト膜上へリンス液を供給してリンス処理するリンス工程と、基板を水平姿勢で鉛直軸回りに回転させて、基板表面に形成されたリンス処理後のレジスト膜を乾燥させる乾燥工程とを含む基板処理方法において、前記洗浄工程後、前記リンス工程前に、基板表面に形成された洗浄処理後のレジスト膜上へリンス液を供給して予備リンス処理し、その後に、レジスト膜上へ疎水性樹脂を含む溶剤を供給して、レジスト露出面を疎水性樹脂被膜で被覆することを特徴とする。

請求項６に係る発明は、請求項４または請求項５に記載の基板処理方法において、前記疎水性樹脂を含む溶剤は、リンス液に比べて比重が大きいものが使用されることを特徴とする。

請求項７に係る発明は、請求項１ないし請求項６のいずれかに記載の基板処理方法において、前記疎水性樹脂を含む溶剤は、非水溶性のものが使用されることを特徴とする。

請求項８に係る発明は、請求項１ないし請求項７のいずれかに記載の基板処理方法において、前記疎水性樹脂は、疎水性樹脂被膜とリンス液との接触角が７０°〜１１０°となるものが使用されることを特徴とする。

請求項９に係る発明は、請求項１ないし請求項８のいずれかに記載の基板処理方法において、前記疎水性樹脂は、フッ素系樹脂またはシリコン系樹脂であることを特徴とする。

請求項１０に係る発明は、請求項１ないし請求項９のいずれかに記載の基板処理方法において、前記乾燥工程において、基板を水平姿勢に保持して鉛直軸回りに回転させるとともに、吐出ノズルの吐出口から基板の表面へリンス液を吐出させつつ、前記吐出ノズルの吐出口を基板の中心に対向する位置から基板の周縁に対向する位置まで走査することを特徴とする。

請求項１１に係る発明は、基板を水平姿勢に保持する基板保持手段と、この基板保持手段によって保持された基板の表面に形成された露光後のレジスト膜上へ現像液を吐出する現像液吐出ノズルと、この現像液吐出ノズルへ現像液を供給する現像液供給手段と、基板表面に形成された現像処理後のレジスト膜上へリンス液を吐出するリンス液吐出ノズルと、このリンス液吐出ノズルへリンス液を供給するリンス液供給手段と、前記基板保持手段によって保持された基板を鉛直軸回りに回転させる基板回転手段とを備えた基板処理装置において、基板表面に形成された現像処理後のレジスト膜上へ疎水性樹脂を含む溶剤を吐出する溶剤吐出手段と、この溶剤吐出手段へ疎水性樹脂を含む溶剤を供給する溶剤供給手段とをさらに備えたことを特徴とする。

請求項１２に係る発明は、基板を水平姿勢に保持する基板保持手段と、この基板保持手段によって保持された基板の表面に形成された露光後のレジスト膜上へ現像液を吐出する現像液吐出ノズルと、この現像液吐出ノズルへ現像液を供給する現像液供給手段と、基板表面に形成された現像処理後のレジスト膜上へリンス液を吐出するリンス液吐出ノズルと、このリンス液吐出ノズルへリンス液を供給するリンス液供給手段と、前記基板保持手段によって保持された基板を鉛直軸回りに回転させる基板回転手段とを備えた基板処理装置において、前記現像液供給手段は、疎水性樹脂を含む溶剤が混合された現像液を前記現像液吐出ノズルへ供給することを特徴とする。

請求項１３に係る発明は、請求項１１または請求項１２に記載の基板処理装置において、前記現像液吐出ノズルは、下端面にスリット状吐出口を有し、前記基板保持手段によって静止状態で保持された基板に対し、前記スリット状吐出口と直交する方向へ直線的に移動しつつ、前記スリット状吐出口から基板表面のレジスト膜上へ現像液を吐出して、レジスト膜の全面に現像液を膜状に盛るスリットノズルであることを特徴とする。

請求項１４に係る発明は、請求項１１または請求項１２に記載の基板処理装置において、前記現像液吐出ノズルは、前記基板保持手段によって保持され前記基板回転手段によって低速で回転させられている基板の中心部へ先端吐出口から現像液を吐出して、基板表面のレジスト膜の全面に現像液を拡げ現像液を塗布するストレートノズルであることを特徴とする。

請求項１５に係る発明は、基板を水平姿勢に保持する基板保持手段と、この基板保持手段によって保持された基板の表面に形成された所定パターンを有するレジスト膜上へ洗浄液を吐出する洗浄液吐出ノズルと、この洗浄液吐出ノズルへ洗浄液を供給する洗浄液供給手段と、基板表面に形成された洗浄処理後のレジスト膜上へリンス液を吐出するリンス液吐出ノズルと、このリンス液吐出ノズルへリンス液を供給するリンス液供給手段と、前記基板保持手段によって保持された基板を鉛直軸回りに回転させる基板回転手段とを備えた基板処理装置において、基板表面に形成された洗浄処理後のレジスト膜上へ疎水性樹脂を含む溶剤を吐出する溶剤吐出手段と、この溶剤吐出手段へ疎水性樹脂を含む溶剤を供給する溶剤供給手段とをさらに備えたことを特徴とする。

請求項１に係る発明の基板処理方法によると、現像工程後、リンス工程前に、基板表面のレジスト膜上へ疎水性樹脂を含む溶剤が供給されて、現像処理によって新たに露出したレジストパターン表面（レジスト露出面）が疎水性樹脂被膜で被覆されるので、基板をリンス処理しスピン乾燥させる際に、リンス液は、疎水性樹脂被膜を介してレジスト露出面と接触することとなる。このように、リンス液が直接的には疎水性の樹脂被膜と接触することになるので、レジストパターンとリンス液との接触角θは９０°付近となる。このため、リンス処理後に基板を鉛直軸回りに回転させてスピン乾燥させたときに、パターンとパターンとの隙間にリンス液が存在しても、リンス液のラプラス力に起因するレジストパターンに掛かる応力σが低減するので、レジストパターンの倒壊が防止される。この場合、レジスト膜の表面が疎水性樹脂被膜で被覆されるだけであって、レジスト膜自体の化学組成は変わらない。また、疎水性樹脂を含む溶剤は、基板のリンス処理によって基板上から除去され、もしくは、スピン乾燥時に蒸発するので、基板上に残留することがない。さらに、レジスト膜の表面に疎水性樹脂被膜が形成されるのは現像工程後であるので、現像工程においてレジスト膜上に現像液を盛ることが難しくなることもない。
したがって、請求項１に係る発明の基板処理方法によると、レジスト膜の諸特性を維持したままで、パターン寸法の微細化に伴って起こるレジストパターン倒壊の発生を防止することができ、界面活性剤を含むリンス液を用いてリンス処理する場合のように後工程に悪影響を及ぼす心配が無く、レジスト膜上への現像液の液盛り性が悪くなることもない。

請求項２に係る発明の基板処理方法によると、現像工程において、基板表面のレジスト膜上へ疎水性樹脂を含む溶剤が混合された現像液が供給されて、現像処理によって新たに露出したレジストパターン表面（レジスト露出面）が疎水性樹脂被膜で被覆されるので、基板をリンス処理しスピン乾燥させる際に、リンス液は、疎水性樹脂被膜を介してレジスト露出面と接触することとなる。このように、リンス液が直接的には疎水性の樹脂被膜と接触することになるので、レジストパターンとリンス液との接触角θは９０°付近となる。このため、リンス処理後に基板を鉛直軸回りに回転させてスピン乾燥させたときに、パターンとパターンとの隙間にリンス液が存在しても、リンス液のラプラス力に起因するレジストパターンに掛かる応力σが低減するので、レジストパターンの倒壊が防止される。この場合、レジスト膜の表面が疎水性樹脂被膜で被覆されるだけであって、レジスト膜自体の化学組成は変わらない。また、疎水性樹脂を含む溶剤は、基板のリンス処理によって基板上から除去され、もしくは、スピン乾燥時に蒸発するので、基板上に残留することがない。さらに、現像工程前には、レジスト膜の表面に疎水性樹脂被膜が形成されていないので、現像工程においてレジスト膜上に現像液を盛ることが難しくなることもない。
したがって、請求項２に係る発明の基板処理方法によると、レジスト膜の諸特性を維持したままで、パターン寸法の微細化に伴って起こるレジストパターン倒壊の発生を防止することができ、界面活性剤を含むリンス液を用いてリンス処理する場合のように後工程に悪影響を及ぼす心配が無く、レジスト膜上への現像液の液盛り性が悪くなることもない。

請求項３に係る発明の基板処理方法では、現像工程後に疎水性樹脂を含む溶剤を基板表面のレジスト膜上へ供給した場合において、現像液に疎水性樹脂を含む溶剤が混合した後に混合液が２層に分離するときには、または、現像工程において疎水性樹脂を含む溶剤が混合された現像液を基板表面のレジスト膜上へ供給した場合において、現像液と疎水性樹脂を含む溶剤との混合液が２層に分離するときには、疎水性樹脂を含む溶剤が下層側となることにより、現像処理によって新たに露出したレジストパターン表面に疎水性樹脂を含む溶剤が確実に接触して、レジストパターン表面に疎水性樹脂被膜が形成されることとなる。

請求項４に係る発明の基板処理方法によると、現像工程後、リンス工程前において、基板が予備リンス処理された後に、基板表面のレジスト膜上へ疎水性樹脂を含む溶剤が供給されて、現像処理によって新たに露出したレジストパターン表面（レジスト露出面）が疎水性樹脂被膜で被覆されるので、基板をリンス処理しスピン乾燥させる際に、リンス液は、疎水性樹脂被膜を介してレジスト露出面と接触することとなる。このように、リンス液が直接的には疎水性の樹脂被膜と接触することになるので、レジストパターンとリンス液との接触角θは９０°付近となる。このため、リンス処理後に基板を鉛直軸回りに回転させてスピン乾燥させたときに、パターンとパターンとの隙間にリンス液が存在しても、リンス液のラプラス力に起因するレジストパターンに掛かる応力σが低減するので、レジストパターンの倒壊が防止される。この場合、レジスト膜の表面が疎水性樹脂被膜で被覆されるだけであって、レジスト膜自体の化学組成は変わらない。また、疎水性樹脂を含む溶剤は、基板のリンス処理によって基板上から除去され、もしくは、スピン乾燥時に蒸発するので、基板上に残留することがない。さらに、レジスト膜の表面に疎水性樹脂被膜が形成されるのは予備リンス処理後であって現像工程後であるので、現像工程においてレジスト膜上に現像液を盛ることが難しくなることもない。
したがって、請求項４に係る発明の基板処理方法によると、レジスト膜の諸特性を維持したままで、パターン寸法の微細化に伴って起こるレジストパターン倒壊の発生を防止することができ、界面活性剤を含むリンス液を用いてリンス処理する場合のように後工程に悪影響を及ぼす心配が無く、レジスト膜上への現像液の液盛り性が悪くなることもない。

請求項５に係る発明の基板処理方法によると、洗浄工程後、リンス工程前において、基板が予備リンス処理された後に、基板表面のレジスト膜上へ疎水性樹脂を含む溶剤が供給されて、レジストパターン表面（レジスト露出面）が疎水性樹脂被膜で被覆されるので、基板をリンス処理しスピン乾燥させる際に、リンス液は、疎水性樹脂被膜を介してレジスト露出面と接触することとなる。このように、リンス液が直接的には疎水性の樹脂被膜と接触することになるので、レジストパターンとリンス液との接触角θは９０°付近となる。このため、リンス処理後に基板を鉛直軸回りに回転させてスピン乾燥させたときに、パターンとパターンとの隙間にリンス液が存在しても、リンス液のラプラス力に起因するレジストパターンに掛かる応力σが低減するので、レジストパターンの倒壊が防止される。この場合、レジスト膜の表面が疎水性樹脂被膜で被覆されるだけであって、レジスト膜自体の化学組成は変わらない。また、疎水性樹脂を含む溶剤は、基板のリンス処理によって基板上から除去され、もしくは、スピン乾燥時に蒸発するので、基板上に残留することがない。
したがって、請求項５に係る発明の基板処理方法によると、レジスト膜の諸特性を維持したままで、パターン寸法の微細化に伴って起こるレジストパターン倒壊の発生を防止することができ、界面活性剤を含むリンス液を用いてリンス処理する場合のように後工程に悪影響を及ぼす心配が無い。

請求項６に係る発明の基板処理方法では、予備リンス処理後に疎水性樹脂を含む溶剤を基板表面のレジスト膜上へ供給した場合において、リンス液に疎水性樹脂を含む溶剤が混合した後に混合液が２層に分離するときには、疎水性樹脂を含む溶剤が下層側となることにより、レジストパターン表面に疎水性樹脂を含む溶剤が確実に接触して、レジストパターン表面に疎水性樹脂被膜が形成されることとなる。

請求項７に係る発明の基板処理方法では、疎水性樹脂を含む溶剤と現像液（もしくは洗浄液）やリンス液とが相互に溶解することなく疎水性樹脂を含む溶剤と現像液（もしくは洗浄液）やリンス液とが層分離し、溶剤層中に疎水性樹脂が高濃度に含有された状態で、レジストパターン表面に疎水性樹脂が接触して、レジストパターン表面に疎水性樹脂被膜が形成される。

請求項８に係る発明の基板処理方法では、リンス液のラプラス力に起因するレジストパターンに掛かる応力を確実に低減させることができる。

請求項９に係る発明の基板処理方法では、レジストパターン表面が疎水性のフッ素系樹脂被膜またはシリコン系樹脂被膜で被覆されることにより、レジストパターンとリンス液との接触角が９０°付近となり、リンス液のラプラス力に起因するレジストパターンに掛かる応力を確実に低減させることができる。

請求項１０に係る発明の基板処理方法では、スキャンリンス法により基板をスピン乾燥させるときに、ミストが基板上に付着して現像欠陥となることを防止することができる。

請求項１１に係る発明の基板処理装置においては、溶剤供給手段によって溶剤吐出手段へ疎水性樹脂を含む溶剤が供給されて溶剤吐出手段から基板表面のレジスト膜上へ疎水性樹脂を含む溶剤が吐出されるので、リンス液吐出ノズルからリンス液がレジスト膜上へ吐出される前に、現像処理によって新たに露出したレジストパターン表面に疎水性樹脂被膜が形成される。したがって、請求項１１に係る発明の基板処理装置を使用すると、請求項１および請求項４に係る各発明の基板処理方法を好適に実施することができ、上記した作用効果が奏される。

請求項１２に係る発明の基板処理装置においては、現像液供給手段によって現像液吐出ノズルへ供給され現像液吐出ノズルから基板表面のレジスト膜上へ吐出される現像液に疎水性樹脂を含む溶剤が混合されているので、リンス液吐出ノズルからリンス液がレジスト膜上へ吐出される前に、現像処理によって新たに露出したレジストパターン表面に疎水性樹脂被膜が形成される。したがって、請求項１２に係る発明の基板処理装置を使用すると、請求項２に係る発明の基板処理方法を好適に実施することができ、上記した作用効果が奏される。

請求項１３に係る発明の基板処理装置では、基板保持手段によって静止状態で保持された基板に対しスリットノズルが移動しつつ、そのスリットノズルのスリット状吐出口から基板表面のレジスト膜上へ現像液が吐出されて、レジスト膜の全面に現像液が膜状に盛られることにより、レジスト膜の現像処理が行われる。

請求項１４に係る発明の基板処理装置では、基板保持手段によって保持され基板回転手段によって低速で回転させられている基板の中心部へストレートノズルの先端吐出口から現像液が吐出されて、基板表面のレジスト膜の全面に現像液が拡げられ塗布されることにより、レジスト膜の現像処理が行われる。

請求項１５に係る発明の基板処理装置においては、溶剤供給手段によって溶剤吐出手段へ疎水性樹脂を含む溶剤が供給されて溶剤吐出手段から基板表面のレジスト膜上へ疎水性樹脂を含む溶剤が吐出されるので、リンス液吐出ノズルからリンス液がレジスト膜上へ吐出される前に、レジストパターン表面に疎水性樹脂被膜が形成される。したがって、請求項１５に係る発明の基板処理装置を使用すると、請求項５に係る発明の基板処理方法を好適に実施することができ、上記した作用効果が奏される。

以下、この発明の最良の実施形態について図面を参照しながら説明する。
図１ないし図３は、この発明に係る基板処理方法である基板の現像処理方法を実施するために使用される現像処理装置の構成の１例を示し、図１は、現像処理装置の概略構成を示す平面図であり、図２は、図１のII−II矢視断面図であり、図３は、図１のIII−III矢視断面図である。

この現像処理装置は、基板Ｗの現像処理が行われる装置中央部に、基板Ｗを水平姿勢に保持するスピンチャック１０、上端部にスピンチャック１０が固着され鉛直に支持された回転支軸１２、および、回転支軸１２に回転軸が連結されスピンチャック１０および回転支軸１２を鉛直軸回りに回転させる回転モータ１４が配設されている。スピンチャック１０の周囲には、スピンチャック１０上の基板Ｗを取り囲むように円形の内側カップ１６が配設されており、内側カップ１６は、図示しない支持機構により上下方向へ往復移動自在に支持されている。内側カップ１６の周囲には、矩形状の外側カップ１８が配設されている。

外側カップ１８の左右両側には、それぞれ待機ポット２０、２０が配設されている。外側カップ１８および待機ポット２０の一方の側部には、外側カップ１８および待機ポット２０の連接方向と平行にガイドレール２２が配設されている。ガイドレール２２には、アーム駆動部２４が摺動自在に係合しており、アーム駆動部２４にノズルアーム２６が保持されている。ノズルアーム２６には、現像液吐出ノズル２８が水平姿勢で吊着されている。現像液吐出ノズル２８は、詳細な構造の図示を省略しているが、下端面に長手方向に延びるスリット状吐出口を有している。現像液吐出ノズル２８は、図示しない現像液供給管を通して、現像液を貯留した現像液槽に流路接続されている。この現像液吐出ノズル２８は、ガイドレール２２と直交する方向に配置されている。そして、アーム駆動部２４により、ノズルアーム２６をガイドレール２２に沿って水平方向へ直線的に往復移動させて、現像液吐出ノズル２８を矢印Ａで示す方向に走査し、その逆方向に戻すことができる構成となっている。

また、外側カップ１８の後方側近傍には、先端の吐出口からリンス液、例えば純水を基板Ｗ上へ吐出する純水吐出ノズル３０、および、先端の吐出口から疎水性樹脂を含む溶剤を基板Ｗ上へ吐出する溶剤吐出ノズル３２が配設されている。純水吐出ノズル３０は、図示しない純水供給管を通して純水供給源に流路接続されており、溶剤吐出ノズル３２は、図示しない溶剤供給管を通して、疎水性樹脂を含む溶剤を貯留した溶剤貯留槽に流路接続されている。純水吐出ノズル３０および溶剤吐出ノズル３２は、回転駆動部３４に回動可能に支持された１つのノズル保持部３６に保持されている。そして、回転駆動部３４によってノズル保持部３６を鉛直軸回りに回動させることにより、純水吐出ノズル３０および溶剤吐出ノズル３２が矢印Ｂで示す方向へ水平面内で回動するような構成となっている。

疎水性樹脂としては、後述するようにレジストパターン表面に疎水性樹脂被膜が形成されたときに、その疎水性樹脂被膜と純水（リンス液）との接触角が７０°〜１１０°となるものが使用され、例えばフッ素系樹脂、シリコン系樹脂などが使用される。また、溶剤としては、非水溶性のものを使用するのが好ましく、また、現像液に比べて比重が大きいものを使用するのが好ましい。非水溶性の溶剤を用いるのは、後述するように現像工程後に疎水性樹脂を含む溶剤を基板表面のレジスト膜上へ供給した場合に、疎水性樹脂を含む溶剤と現像液とが相互に溶解して疎水性樹脂が混合液中に拡散する、といったことがないようにし、溶剤層中に疎水性樹脂が高濃度に含有された状態で、現像処理によって新たに露出したレジストパターン表面に疎水性樹脂が接触するようにさせるためである。また、現像液よりも比重が大きい溶剤を用いるのは、疎水性樹脂を含む溶剤と現像液とが２層に分離して、疎水性樹脂を含む溶剤が下層側となることにより、疎水性樹脂を含む溶剤がレジストパターン表面と確実に接触するようにさせるためである。このような溶剤として、例えばハイドロフロロエーテルなどが使用される。疎水性樹脂を含む溶剤として使用される市販品の１例を示すと、住友スリーエム株式会社製のノベックＥＧＣ−１７００、ＥＧＣ−１７２０が用いられる。

次に、上記したような構成を備えた現像処理装置による処理動作の１例について、図４に示した模式図を参照しながら説明する。
図４の（ａ）に示すように、表面に露光後のレジスト膜Ｒが形成された基板Ｗが装置内に搬入されて、スピンチャック１０に基板Ｗが保持されると、図４の（ｂ）に示すように、現像液吐出ノズル２８のスリット状吐出口から現像液Ｄを吐出させつつ、アーム駆動部２４によって現像液吐出ノズル２８を矢印Ａ（図１および図２参照）で示す方向に走査する。これにより、基板Ｗ上に現像液Ｄが供給されて液盛りされる。現像液吐出ノズル２８が右側の待機ポット２０の位置まで移動すると、現像液の吐出を停止させて、アーム駆動部２４により現像液吐出ノズル２８を矢印Ａで示す方向と逆方向へ移動させ、現像液吐出ノズル２８を元の左側の待機ポット２０の位置まで戻す。そして、基板Ｗ上に現像液Ｄを盛った状態で基板Ｗを静止させたままにして、基板Ｗの表面上のレジスト膜Ｒを現像する。

上記した基板Ｗ上への液盛り操作に続いて、図４の（ｃ）に示すように、溶剤吐出ノズル３２（および純水吐出ノズル３０）を回動させて、図４の（ｄ）に示すように、溶剤吐出ノズル３２の先端吐出口を基板Ｗの中心部直上位置へ移動させる。そして、基板Ｗ上に現像液Ｄを盛ってから所定時間が経過すると、溶剤吐出ノズル３２の先端吐出口から疎水性樹脂を含む溶剤Ｈを基板Ｗの中心部へ吐出する。基板Ｗ上へ供給された疎水性樹脂を含む溶剤Ｈは、基板Ｗの全面に拡がる。この際に、基板Ｗを低速で回転させるようにしてもよい。このように、基板Ｗ上へ疎水性樹脂を含む溶剤Ｈが供給されることにより、図５に部分拡大断面図を示すように、現像処理によって新たに露出したレジストパターンＲＰの表面（レジスト露出面）に疎水性樹脂被膜ＳＣが形成され、レジスト露出面が疎水性樹脂被膜ＳＣで被覆される。

続いて、図４の（ｅ）に示すように、純水吐出ノズル３０（および溶剤吐出ノズル３２）の先端吐出口を基板Ｗの中心部直上位置に配置した状態で、図４の（ｆ）に示すように、純水吐出ノズル３０の先端吐出口から純水ＤＷを基板Ｗの中心部へ吐出する。この際に、基板Ｗを低速で回転させるようにしてもよい。これにより、レジスト膜Ｒ上から現像液や溶解物、溶剤などが純水ＤＷで洗い流される。純水吐出ノズル３０（および溶剤吐出ノズル３２）は、純水の吐出が終わると、図１に示した元の位置へ回動して戻される。そして、純水の吐出後に、図４の（ｇ）に示すように、基板Ｗを回転させて、遠心力により基板Ｗ上から純水を飛散させて除去し、基板Ｗをスピン乾燥させる。この際、内側カップ１６を上昇させておく。このリンス処理・スピン乾燥の際には、レジストパターンＲＰの表面が疎水性樹脂被膜ＳＣで被覆されているので（図５参照）、レジストパターンＲＰ（直接的には疎水性樹脂被膜ＳＣ）と純水との接触角θは９０°付近となる。このため、レジストパターンＲＰとレジストパターンＲＰとの隙間に純水が存在しても、純水のラプラス力に起因するレジストパターンＲＰに掛かる応力が低減するので、レジストパターンＲＰの倒壊が防止される。基板Ｗの乾燥処理が終了すると、図４の（ｈ）に示すように、基板Ｗの回転を停止させ、基板Ｗは、スピンチャック１０上から取り去られて装置内から搬出される。

また、図１ないし図３に示した現像処理装置を使用し、基板上に現像液を盛った後に、その液盛り操作に続いてレジスト膜を予備リンス処理し、その後にレジスト膜上へ疎水性樹脂を含む溶剤を供給するようにしてもよい。このような処理動作について、図６に示した模式図を参照しながら説明する。

図６の（ａ）、（ｂ）に示すように、現像処理は、上記した処理動作と同様に行われる（図４の（ａ）、（ｂ）参照）。基板Ｗ上に現像液Ｄを液盛りしてから所定時間が経過すると、図６の（ｃ）に示すように、純水吐出ノズル３０（および溶剤吐出ノズル３２）を回動させて、純水吐出ノズル３０の先端吐出口を基板Ｗの中心部直上位置へ移動させ、純水吐出ノズル３０の先端吐出口から純水ＤＷを基板Ｗの中心部へ吐出する。この際に、基板Ｗを低速で回転させるようにしてもよい。これにより、基板Ｗの表面上のレジスト膜Ｒの現像反応が停止し、レジスト膜Ｒ上から現像液や溶解物が純水ＤＷで洗い流される。

予備リンス処理に続いて、図６の（ｄ）に示すように、溶剤吐出ノズル３２（および純水吐出ノズル３０）の先端吐出口を基板Ｗの中心部直上位置に配置した状態で、図６の（ｅ）に示すように、溶剤吐出ノズル３２の先端吐出口から疎水性樹脂を含む溶剤Ｈを基板Ｗの中心部へ吐出する。基板Ｗ上へ供給された疎水性樹脂を含む溶剤Ｈは、基板Ｗの全面に拡がる。この際に、基板Ｗを低速で回転させるようにしてもよい。このように、基板Ｗ上へ疎水性樹脂を含む溶剤Ｈが供給されることにより、上記した処理動作における場合と同様に、現像処理によって新たに露出したレジストパターンの表面に疎水性樹脂被膜が形成され、レジスト露出面が疎水性樹脂被膜で被覆される。疎水性樹脂としては、上記と同様のものが使用され、また、疎水性樹脂を含む溶剤も、上記と同様のものが使用されるが、純水（リンス液）に比べて比重が大きい溶剤を使用すると、疎水性樹脂を含む溶剤と水とが２層に分離して、疎水性樹脂を含む溶剤が下層側となることにより、疎水性樹脂を含む溶剤がレジストパターン表面と確実に接触するようになるので好ましい。

上記した工程以後のリンス処理およびスピン乾燥は、図６の（ｆ）〜（ｉ）に示すように、上記した処理動作と同様に行われる（図４の（ｅ）〜（ｈ）参照）。そして、リンス処理・スピン乾燥の際には、レジストパターンの表面が疎水性樹脂被膜で被覆されているので、上記した処理動作における場合と同様に、レジストパターンとレジストパターンとの隙間に純水が存在しても、純水のラプラス力に起因するレジストパターンに掛かる応力が低減するので、レジストパターンの倒壊が防止される。

次に、図７および図８は、この発明に係る基板処理方法である基板の現像処理方法を実施するために使用される現像処理装置の別の構成例を示し、図７は、現像処理装置の概略構成を示す平面図であり、図８は、この現像処理装置の現像液供給系を示す模式図である。図７において、図１で使用した符号と同一の符号を付した各部材は、図１に関して説明した上記各部材と同一の機能、作用を有するものであり、それらについての説明を省略する。

この現像処理装置において、現像液吐出ノズル３８には、現像液供給管４０が連通接続されており、現像液供給管４０に開閉制御弁４２が介挿されている。現像液供給管４０は、液体混合器４４に連通接続され、液体混合器４４に、現像液４６を貯留した現像液槽４８に流路接続されポンプ５０が介挿された現像液供給配管５２が連通接続されている。また、液体混合器４４には、疎水性樹脂を含む溶剤５４を貯留した溶剤貯留槽５６に流路接続されポンプ５８が介挿された溶剤供給配管６０が連通接続されている。そして、現像液槽４８から現像液供給配管５２を通して液体混合器４４へ供給される現像液に、溶剤貯留槽５６から溶剤供給配管６０を通して液体混合器４４へ供給される疎水性樹脂を含む溶剤が、液体混合器４４において混合され、疎水性樹脂を含む溶剤が混合された現像液が液体混合器４４から現像液供給管４０を通して現像液吐出ノズル３８へ供給される構成となっている。図１ないし図３に示した現像処理装置における場合と同様に、疎水性樹脂としては、レジストパターン表面に疎水性樹脂被膜が形成されたときに、その疎水性樹脂被膜と純水（リンス液）との接触角が７０°〜１１０°となるものが使用され、例えばフッ素系樹脂、シリコン系樹脂などが使用される。また、溶剤としては、非水溶性のものを使用するのが好ましく、また、現像液に比べて比重が大きいものを使用するのが好ましい。

外側カップ１８の後方側近傍には、先端の吐出口からリンス液、例えば純水を基板Ｗの中心部上へ吐出する純水吐出ノズル６２が配設されている。純水吐出ノズル６２は、図示しない純水供給管を通して純水供給源に流路接続されている。純水吐出ノズル６２は、回転駆動部６４に回動可能に支持されたノズル保持部６６に保持されている。そして、回転駆動部６４によってノズル保持部６６を鉛直軸回りに回動させることにより、純水吐出ノズル６２が矢印Ｃで示す方向へ水平面内で回動して、図７に示した待機位置と先端の吐出口が基板Ｗの中心部直上に配置される吐出位置との間で往復移動するような構成となっている。

図７に示した現像処理装置による処理動作の１例について、図９に示した模式図を参照しながら説明する。
図９の（ａ）に示すように、表面に露光後のレジスト膜Ｒが形成された基板Ｗが装置内に搬入されて、スピンチャック１０に基板Ｗが保持されると、図９の（ｂ）に示すように、現像液吐出ノズル３８のスリット状吐出口から疎水性樹脂を含む溶剤が混合された現像液ＨＤを吐出させつつ、アーム駆動部２４によって現像液吐出ノズル３８を矢印Ａ（図７参照）で示す方向に走査する。これにより、基板Ｗ上に現像液ＨＤが供給されて液盛りされる。現像液吐出ノズル３８が右側の待機ポット２０の位置まで移動すると、現像液の吐出を停止させて、アーム駆動部２４により現像液吐出ノズル３８を矢印Ａで示す方向と逆方向へ移動させ、現像液吐出ノズル３８を元の左側の待機ポット２０の位置まで戻す。そして、基板Ｗ上に現像液ＨＤを盛ってから所定時間が経過するまで基板Ｗを静止させたままにして、基板Ｗの表面上のレジスト膜Ｒを現像する。このとき、基板Ｗ上へ供給された現像液ＨＤには疎水性樹脂を含む溶剤が混合されているので、図１ないし図３に示した現像処理装置を使用して現像処理を行った場合と同様に、現像処理によって新たに露出したレジストパターンの表面（レジスト露出面）に疎水性樹脂被膜が形成され、レジスト露出面が疎水性樹脂被膜で被覆される。

基板Ｗ上に液盛りしてから所定時間が経過すると、図９の（ｃ）に示すように、純水吐出ノズル６２を回動させて、図９の（ｄ）に示すように、純水吐出ノズル６２の先端吐出口を基板Ｗの中心部直上位置へ移動させ、純水吐出ノズル６２の先端吐出口から純水ＤＷを基板Ｗの中心部へ吐出する。この際に、基板Ｗを低速で回転させるようにしてもよい。これにより、基板Ｗの表面上のレジスト膜Ｒの現像反応が停止し、レジスト膜Ｒ上から現像液や溶解物、溶剤などが純水ＤＷで洗い流される。純水吐出ノズル６２は、純水の吐出が終わると、図７に示した元の位置へ回動して戻される。そして、純水の吐出後に、図９の（ｅ）に示すように、基板Ｗを回転させて、遠心力により基板Ｗ上から純水を飛散させて除去し、基板Ｗをスピン乾燥させる。この際、内側カップ１６を上昇させておく。このリンス処理・スピン乾燥の際には、図１ないし図３に示した現像処理装置を使用して現像処理を行った場合と同様に、レジストパターンの表面が疎水性樹脂被膜で被覆されているので、レジストパターン（直接的には疎水性樹脂被膜）と純水との接触角θは９０°付近となる。このため、レジストパターンとレジストパターンとの隙間に純水が存在しても、純水のラプラス力に起因するレジストパターンに掛かる応力が低減するので、レジストパターンの倒壊が防止される。基板Ｗの乾燥処理が終了すると、図９の（ｆ）に示すように、基板Ｗの回転を停止させ、基板Ｗは、スピンチャック１０上から取り去られて装置内から搬出される。

なお、図１ないし図３および図７に示した現像処理装置では、基板Ｗ上へ純水（リンス液）を吐出してレジスト膜をリンス処理するのに、ストレートノズル型式の純水吐出ノズル３０、６２を使用するようにしているが、下端面にスリット状吐出口を有しスリット状吐出口と直交する方向へ直線的に移動しつつスリット状吐出口から基板表面のレジスト膜上へ純水（リンス液）を吐出して、現像液が盛られたレジスト膜上へ純水を盛るスリットノズルを用いるようにしてもよい。

次に、図１０および図１１は、この発明に係る基板処理方法である基板の現像処理方法を実施するために使用される現像処理装置のさらに別の構成例を示し、図１０は、現像処理装置の概略構成を示す平面図であり、図１１は、その概略縦断面図である。

この現像処理装置は、基板Ｗの現像処理が行われる装置中央部に、基板Ｗを水平姿勢に保持するスピンチャック６８、上端部にスピンチャック６８が固着され鉛直に支持された回転支軸７０、および、回転支軸７０に回転軸が連結されスピンチャック６８および回転支軸７０を鉛直軸回りに回転させる回転モータ７２が配設されている。スピンチャック６８の周囲には、スピンチャック６８上の基板Ｗを取り囲むように円形のカップ７４が配設されており、カップ７４は、図示しない支持機構により上下方向へ往復移動自在に支持されている。

カップ７４の手前側近傍には、先端の吐出口から現像液を基板Ｗ上へ吐出する現像液吐出ノズル７６が配設されている。この現像液吐出ノズル７６は、矢印Ｄで示す方向へ水平面内で回動可能にノズル保持部７８に保持されており、図１０に示した待機位置と先端の吐出口が基板Ｗの中心部直上に配置される吐出位置との間で往復移動するような構成となっている。そして、現像液吐出ノズル７６は、低速で回転する基板Ｗの中心部へ先端吐出口から所定量の現像液を滴下して供給し、基板Ｗの表面に形成された露光後のレジスト膜の全体に現像液を塗布する。また、カップ７４の側方側近傍には、先端の吐出口からリンス液、例えば純水を基板Ｗ上へ吐出する純水吐出ノズル８０が配設されている。純水吐出ノズル８０は、図示しない純水供給管を通して純水供給源に流路接続されている。純水吐出ノズル８０は、矢印Ｅで示す方向へ水平面内で回動可能にノズル保持部８２に保持されており、図１０に示した待機位置と先端の吐出口が基板Ｗの中心部直上に配置される吐出位置との間で往復移動するような構成となっている。そして、純水吐出ノズル８０は、低速で回転する基板Ｗの中心部へ先端吐出口から純水を吐出して、基板Ｗ表面のレジスト膜をリンス処理する。また、カップ７４の底部には排液管８４が連通接続されている。

上記したような構成の現像処理装置において、現像液吐出ノズル７６へ疎水性樹脂を含む溶剤を供給する現像液供給系（図８参照）を備えるようにする。そして、図７に示した現像処理装置と同様の上記した操作・手順（図９参照）で現像処理、リンス処理およびスピン乾燥を行うことにより、レジストパターンの倒壊を防止することができる。

また、図１０および図１１に示した構成の現像処理装置において、疎水性樹脂を含む溶剤を基板Ｗ上へ吐出する溶剤吐出ノズルを別に設置する。そして、図１ないし図３に示した現像処理装置と同様の上記した操作・手順（図４および図６参照）で現像処理、リンス処理およびスピン乾燥を行うことにより、レジストパターンの倒壊を防止することができる。

なお、上記した実施形態では、現像液吐出ノズル２８、３８のスリット状吐出口から現像液を吐出させつつ現像液吐出ノズル２８、３８を走査して、基板表面のレジスト膜上に現像液を液盛りするスリットスキャン方式や、現像液吐出ノズル７６（ストレートノズル）から基板の表面中心部へ現像液を供給し基板を回転させて基板の表面全体に現像液を拡げる現像方式について説明したが、現像処理方法は特に限定されず、基板を回転させつつスプレイノズルから基板表面のレジスト膜上へ現像液を噴出させる現像方式などについても、この発明は広く適用し得るものである。

また、リンス処理後に基板をスピン乾燥させる場合において、いわゆるスキャンリンス法を適用して基板を乾燥処理するとき、すなわち、基板を水平姿勢に保持して鉛直軸回りに回転させるとともに、純水（リンス液）吐出ノズルの吐出口から基板の表面へ純水（リンス液）を吐出させつつ、純水吐出ノズルの吐出口を基板の中心に対向する位置から基板の周縁に対向する位置まで走査して基板を乾燥処理するときにも、この発明に係る方法によると、レジストパターンの倒壊を効果的に防止することができる。

さらに、上記した実施形態では、基板を現像処理した後に、リンス処理およびスピン乾燥する場合において、基板表面に形成されたレジスト膜上へ疎水性樹脂を含む溶剤を供給して、現像処理によって新たに露出したレジストパターン表面を疎水性樹脂被膜で被覆する現像処理方法について説明したが、既に所定パターンのレジスト膜が表面に形成されている基板を薬液等で洗浄処理した後に、リンス処理およびスピン乾燥する場合についても、この発明は適用可能である。すなわち、基板表面に形成された所定パターンを有するレジスト膜上へ洗浄液を供給してレジスト膜を洗浄処理した後、レジスト膜上へリンス液を供給して予備リンス処理し、その後に、レジスト膜上へ疎水性樹脂を含む溶剤を供給して、レジストパターン表面に疎水性樹脂被膜を形成する。このように、レジストパターン表面を疎水性樹脂被膜で被覆することにより、その後に基板をリンス処理およびスピン乾燥させた際に、レジストパターンとレジストパターンとの隙間にリンス液が存在しても、リンス液のラプラス力に起因するレジストパターンに掛かる応力が低減するので、レジストパターンの倒壊を防止することができる。

この発明に係る基板処理方法である基板の現像処理方法を実施するために使用される現像処理装置の構成の１例を示す概略平面図である。 図１のII−II矢視断面図である。 図１のIII−III矢視断面図である。 図１ないし図３に示した現像処理装置による処理動作の１例について説明するための模式図である。 現像処理によって新たに露出したレジストパターンの表面が疎水性樹脂被膜で被覆される状態を示す部分拡大断面図である。 図１ないし図３に示した現像処理装置による処理動作の別の例について説明するための模式図である。 この発明に係る基板処理方法である基板の現像処理方法を実施するために使用される現像処理装置の別の構成例を示す概略平面図である。 図７に示した現像処理装置の現像液供給系を示す模式図である。 図７に示した現像処理装置による処理動作の１例について説明するための模式図である。 この発明に係る基板処理方法である基板の現像処理方法を実施するために使用される現像処理装置のさらに別の構成例を示す概略平面図である。 図１０に示した現像処理装置の概略縦断面図である。

符号の説明

１０、６８ スピンチャック
１２、７０ 回転支軸
１４、７２ 回転モータ
１６ 内側カップ
１８ 外側カップ
２０ 待機ポット
２２ ガイドレール
２４ アーム駆動部
２６ ノズルアーム
２８、３８、７６ 現像液吐出ノズル
３０、６２、８０ 純水吐出ノズル
３２ 溶剤吐出ノズル
３４、６４ 回転駆動部
３６、６６、７８、８２ ノズル保持部
４０ 現像液供給管
４４ 液体混合器
４６ 現像液
４８ 現像液槽
５２ 現像液供給配管
５４ 疎水性樹脂を含む溶剤
５６ 溶剤貯留槽
６０ 溶剤供給配管
７４ カップ
Ｗ 基板

Claims (15)

1. 基板の表面に形成された露光後のレジスト膜上へ現像液を供給してレジスト膜を現像処理する現像工程と、
   基板表面に形成された現像処理後のレジスト膜上へリンス液を供給してリンス処理するリンス工程と、
   基板を水平姿勢で鉛直軸回りに回転させて、基板表面に形成されたリンス処理後のレジスト膜を乾燥させる乾燥工程と、
   を含む基板処理方法において、
   前記現像工程後、前記リンス工程前に、基板表面に形成された現像処理後のレジスト膜上へ疎水性樹脂を含む溶剤を供給して、レジスト露出面を疎水性樹脂被膜で被覆することを特徴とする基板処理方法。
2. 基板の表面に形成された露光後のレジスト膜上へ現像液を供給してレジスト膜を現像処理する現像工程と、
   基板表面に形成された現像処理後のレジスト膜上へリンス液を供給してリンス処理するリンス工程と、
   基板を水平姿勢で鉛直軸回りに回転させて、基板表面に形成されたリンス処理後のレジスト膜を乾燥させる乾燥工程と、
   を含む基板処理方法において、
   前記現像工程において、基板表面に形成された露光後のレジスト膜上へ疎水性樹脂を含む溶剤が混合された現像液を供給して、レジスト露出面を疎水性樹脂被膜で被覆することを特徴とする基板処理方法。
3. 前記疎水性樹脂を含む溶剤は、現像液に比べて比重が大きいものが使用される請求項１または請求項２に記載の基板処理方法。
4. 基板の表面に形成された露光後のレジスト膜上へ現像液を供給してレジスト膜を現像処理する現像工程と、
   基板表面に形成された現像処理後のレジスト膜上へリンス液を供給してリンス処理するリンス工程と、
   基板を水平姿勢で鉛直軸回りに回転させて、基板表面に形成されたリンス処理後のレジスト膜を乾燥させる乾燥工程と、
   を含む基板処理方法において、
   前記現像工程後、前記リンス工程前に、基板表面に形成された現像処理後のレジスト膜上へリンス液を供給して予備リンス処理し、その後に、レジスト膜上へ疎水性樹脂を含む溶剤を供給して、レジスト露出面を疎水性樹脂被膜で被覆することを特徴とする基板処理方法。
5. 基板の表面に形成された所定パターンを有するレジスト膜上へ洗浄液を供給してレジスト膜を洗浄処理する洗浄工程と、
   基板表面に形成された洗浄処理後のレジスト膜上へリンス液を供給してリンス処理するリンス工程と、
   基板を水平姿勢で鉛直軸回りに回転させて、基板表面に形成されたリンス処理後のレジスト膜を乾燥させる乾燥工程と、
   を含む基板処理方法において、
   前記洗浄工程後、前記リンス工程前に、基板表面に形成された洗浄処理後のレジスト膜上へリンス液を供給して予備リンス処理し、その後に、レジスト膜上へ疎水性樹脂を含む溶剤を供給して、レジスト露出面を疎水性樹脂被膜で被覆することを特徴とする基板処理方法。
6. 前記疎水性樹脂を含む溶剤は、リンス液に比べて比重が大きいものが使用される請求項４または請求項５に記載の基板処理方法。
7. 前記疎水性樹脂を含む溶剤は、非水溶性のものが使用される請求項１ないし請求項６のいずれかに記載の基板処理方法。
8. 前記疎水性樹脂は、疎水性樹脂被膜とリンス液との接触角が７０°〜１１０°となるものが使用される請求項１ないし請求項７のいずれかに記載の基板処理方法。
9. 前記疎水性樹脂は、フッ素系樹脂またはシリコン系樹脂である請求項１ないし請求項８のいずれかに記載の基板処理方法。
10. 前記乾燥工程において、基板を水平姿勢に保持して鉛直軸回りに回転させるとともに、吐出ノズルの吐出口から基板の表面へリンス液を吐出させつつ、前記吐出ノズルの吐出口を基板の中心に対向する位置から基板の周縁に対向する位置まで走査する請求項１ないし請求項９のいずれかに記載の基板処理方法。
11. 基板を水平姿勢に保持する基板保持手段と、
    この基板保持手段によって保持された基板の表面に形成された露光後のレジスト膜上へ現像液を吐出する現像液吐出ノズルと、
    この現像液吐出ノズルへ現像液を供給する現像液供給手段と、
    基板表面に形成された現像処理後のレジスト膜上へリンス液を吐出するリンス液吐出ノズルと、
    このリンス液吐出ノズルへリンス液を供給するリンス液供給手段と、
    前記基板保持手段によって保持された基板を鉛直軸回りに回転させる基板回転手段と、
    を備えた基板処理装置において、
    基板表面に形成された現像処理後のレジスト膜上へ疎水性樹脂を含む溶剤を吐出する溶剤吐出手段と、
    この溶剤吐出手段へ疎水性樹脂を含む溶剤を供給する溶剤供給手段と、
    をさらに備えたことを特徴とする基板処理装置。
12. 基板を水平姿勢に保持する基板保持手段と、
    この基板保持手段によって保持された基板の表面に形成された露光後のレジスト膜上へ現像液を吐出する現像液吐出ノズルと、
    この現像液吐出ノズルへ現像液を供給する現像液供給手段と、
    基板表面に形成された現像処理後のレジスト膜上へリンス液を吐出するリンス液吐出ノズルと、
    このリンス液吐出ノズルへリンス液を供給するリンス液供給手段と、
    前記基板保持手段によって保持された基板を鉛直軸回りに回転させる基板回転手段と、
    を備えた基板処理装置において、
    前記現像液供給手段は、疎水性樹脂を含む溶剤が混合された現像液を前記現像液吐出ノズルへ供給することを特徴とする基板処理装置。
13. 前記現像液吐出ノズルは、
    下端面にスリット状吐出口を有し、前記基板保持手段によって静止状態で保持された基板に対し、前記スリット状吐出口と直交する方向へ直線的に移動しつつ、前記スリット状吐出口から基板表面のレジスト膜上へ現像液を吐出して、レジスト膜の全面に現像液を膜状に盛るスリットノズルである請求項１１または請求項１２に記載の基板処理装置。
14. 前記現像液吐出ノズルは、
    前記基板保持手段によって保持され前記基板回転手段によって低速で回転させられている基板の中心部へ先端吐出口から現像液を吐出して、基板表面のレジスト膜の全面に現像液を拡げ現像液を塗布するストレートノズルである請求項１１または請求項１２に記載の基板処理装置。
15. 基板を水平姿勢に保持する基板保持手段と、
    この基板保持手段によって保持された基板の表面に形成された所定パターンを有するレジスト膜上へ洗浄液を吐出する洗浄液吐出ノズルと、
    この洗浄液吐出ノズルへ洗浄液を供給する洗浄液供給手段と、
    基板表面に形成された洗浄処理後のレジスト膜上へリンス液を吐出するリンス液吐出ノズルと、
    このリンス液吐出ノズルへリンス液を供給するリンス液供給手段と、
    前記基板保持手段によって保持された基板を鉛直軸回りに回転させる基板回転手段と、
    を備えた基板処理装置において、
    基板表面に形成された洗浄処理後のレジスト膜上へ疎水性樹脂を含む溶剤を吐出する溶剤吐出手段と、
    この溶剤吐出手段へ疎水性樹脂を含む溶剤を供給する溶剤供給手段と、
    をさらに備えたことを特徴とする基板処理装置。

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