JP3584262B2 - 蛍光x線分析用試料前処理システムおよびそれを備えた蛍光x線分析システム - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、基板表面などに存在する被測定物を溶解後乾燥させて基板表面に保持する試料前処理装置と、基板の搬送を行う搬送装置と、試料前処理装置および搬送装置を制御する制御装置とを備えた蛍光X線分析用試料前処理システムならびにそれを備えた蛍光X線分析システムに関するものである。
【0002】
【従来の技術】
そのような蛍光X線分析システムにおいて、特にシステム全体の操作を容易にしたものがある(特願2001−270604参照)。この蛍光X線分析システムでは、試料前処理装置を構成する気相分解装置および試料回収装置が、それぞれ自動開閉シャッターを有し、制御装置により、搬送装置で基板を搬出入する際に適切に開閉される。ここで、試料前処理装置内ではフッ化水素などの反応性ガスが用いられるが、通常の動作においては、装置内に高濃度の反応性ガスが存在する状態では自動開閉シャッターは開かれることはなく、また、仮に開かれたとしても、装置内は外部よりも圧力が低くなるように設定されているので、装置内の反応性ガスが外部の他の装置に影響するほど流出することはまず考えられない。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、何らかの誤動作などにより、ある程度の濃度の反応性ガスが装置内に存在する状態で、しかも、装置内の圧力が外部の圧力に比べて十分には低くない場合に、自動開閉シャッターが開くと、装置内から外部へ反応性ガスが流出して、その結果、外部にある搬送装置や蛍光X線分析装置を腐食させ、寿命を縮めるおそれがある。
【0004】
本発明は、このような問題に鑑みてなされたもので、基板表面などに存在する被測定物を溶解後乾燥させて基板表面に保持する試料前処理装置と、基板の搬送を行う搬送装置と、試料前処理装置および搬送装置を制御する制御装置とを備えた蛍光X線分析用試料前処理システムならびにそれを備えた蛍光X線分析システムにおいて、試料前処理装置の外部にある搬送装置などの腐食防止および長寿命化を十分に図れるものを提供することを目的とする。
【0005】
【課題を解決するための手段】
前記目的を達成するために、本願第1の発明である蛍光X線分析用試料前処理システムは、以下の気相分解装置、試料回収装置、搬送装置および制御装置を備える。なお、気相分解装置および試料回収装置が試料前処理装置を構成する。
【0006】
気相分解装置は、基板表面に存在する被測定物または基板表面に形成された膜の表面もしくは膜中に存在する被測定物を分解室内で反応性ガスにより溶解後乾燥させて基板表面に保持する。試料回収装置は、回収室内で、表面に被測定物が存在する基板に溶液を滴下して保持具で保持しながら基板表面で移動させ、被測定物を回収後乾燥させて基板表面に保持する。搬送装置は、前記分解室から回収室への基板の搬送を行う。制御装置は、前記気相分解装置、試料回収装置および搬送装置を制御する。そして、この試料前処理システムは、前記気相分解装置および試料回収装置に設けられた自動開閉シャッターと、前記気相分解装置および試料回収装置により構成される試料前処理装置内外の差圧を検知する差圧検知手段と、前記試料前処理装置内の前記反応性ガスの濃度を検知する濃度検知手段とを有する。さらに、前記制御装置が、前記差圧検知手段で検知した差圧および前記濃度検知手段で検知した濃度がそれぞれ所定の範囲内にあることを確認して、前記自動開閉シャッターを開く。
【0007】
本願第1の発明によれば、制御装置が、試料前処理装置内外の差圧および試料前処理装置内の反応性ガスの濃度がそれぞれ所定の範囲内にあることを確認して、自動開閉シャッターを開くので、試料前処理装置内から外部へ反応性ガスが流出することがなく、外部にある搬送装置などの腐食防止および長寿命化を十分に図れる。
【0008】
本願第2の発明は、前記本願第1の発明である蛍光X線分析用試料前処理システムと、前記気相分解装置または試料回収装置により基板表面に保持された被測定物に1次X線を照射して発生する蛍光X線の強度を測定する蛍光X線分析装置とを備えた蛍光X線分析システムであって、前記搬送装置が、前記分解室から蛍光X線分析装置への基板の搬送および前記回収室から蛍光X線分析装置への基板の搬送をも行い、前記制御装置が、前記蛍光X線分析装置をも制御する。本願第2の発明によっても、前記本願第1の発明と同様の作用効果がある。
【0009】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の一実施形態である蛍光X線分析システムについて、構成から説明する。図1(a),(b)の一部を破断した平面図、正面図に示すように、この蛍光X線分析システムは、まず、気相分解装置20および試料回収装置30を有する試料前処理装置10と、試料台41に載置された基板1上の被測定物2にX線源42から1次X線43を照射して発生する蛍光X線44の強度を検出手段45で測定する蛍光X線分析装置40と、前記試料前処理装置10から蛍光X線分析装置40へ基板1を搬送する搬送装置50とを備える。
【0010】
この実施形態では、試料に対し1次X線を微小な入射角で照射する全反射蛍光X線分析装置40を採用し、X線源42は、X線管、単色化のための分光素子などを有し、検出手段45には、SSDなどを用いる。蛍光X線分析装置40は、ロボットハンドなどの搬送手段46を有しており、導入室のカセット47と試料台41との間で、基板1を搬送する。
【0011】
前記搬送装置50は、レールの上で本体が前後に移動自在なロボットハンドであり、そのハンド部50aに基板1を載置して、基板1を、蛍光X線分析システムのカセット台5に載置されたカセット3(所定の投入位置)から試料前処理装置10の分解室21または回収室31へ、分解室21から回収室31へ、分解室21または回収室31から蛍光X線分析装置40の導入室のカセット47へ、導入室のカセット47からもとのカセット台5に載置されたカセット3へ、搬送する。カセット台5には、複数のカセット3を載置できる。
【0012】
蛍光X線分析システムは、半導体製造装置などが置かれるクリーンルーム6とそこで製造された半導体基板1を分析する分析室7とを隔てる壁8を突き抜けるように設置され、カセット台5のみがクリーンルーム内にある。カセット台5に載置されたカセット3と搬送装置50との間には図示しないシャッターが設けられている。
【0013】
蛍光X線分析システムは、前記試料前処理装置10、蛍光X線分析装置40、搬送装置50、カセット台5に載置されたカセット3と搬送装置50との間のシャッターなどを共通の環境(ソフトウエア)で制御するコンピュータなどの制御装置60を、例えば蛍光X線分析装置40内に配置して備える。各装置は、共通の基台上で、全体として一つの筐体に一体的に設けられている。
【0014】
試料前処理装置10のうち、気相分解装置20は、基板表面に存在する被測定物または基板表面に形成された膜の表面もしくは膜中に存在する被測定物を分解室21内で反応性ガスにより溶解後乾燥させて基板表面に保持する。試料回収装置30は、分解室21の上に配置された回収室31内で、表面に被測定物が存在する基板に溶液を滴下して保持具で保持しながら基板表面で移動させ、被測定物を回収後乾燥させて基板表面に保持する。
【0015】
ここで、気相分解装置20の構成について詳細に説明する。図2(a),(b)の平面図、正面図に示すように、この気相分解装置20の分解室21は、例えばPTFE(ポリ四フッ化エチレン、登録商標テフロン)製の箱であり、搬送装置のハンド部50aに対向する側に、開閉自在の内側シャッター21aを有している。すなわち、分解室21は、右端が斜め下向きに開口しており、その開口を下方から塞ぐのが、前後方向に細長い矩形の板状の内側シャッター21aである。
【0016】
この内側シャッター21aは、開閉機構70により開閉自在であり、開閉機構70は、以下の支持部70a、回動板70b,70c,70d,70e、空気圧シリンダ70f、取付部70gなどからなるリンク機構である。支持部70aは、内側シャッター21aの下面中央部に取り付けられた四角柱状の部材である。回動板70b,70c,70d,70eは、右端部において、支持部70aの上部および下部を、ピンなどを介して回動自在に前後から挟持する2組の板状の部材である。回動板70b,70c,70d,70eの左端部は、分解室21の下方で固定された取付部70gの上部および下部を、ピンなどを介して回動自在に前後から挟持する。空気圧シリンダ70fは、左右方向において支持部70aと取付部70gとの間にあって、本体下部が、下側回動板70d,70eの中央部により、ピンなどを介して回動自在に前後から挟持され、伸縮する軸の先端部が、ピンなどを介して取付部70gに回動自在に取り付けられる。すなわち、空気圧シリンダ70fの軸が延出すると、図3の正面図に示したように、内側シャッター21aは下方に下がって開く。
【0017】
このように構成すると、分解室21を形成する箱体と内側シャッター21aとが機械的に連結されていないので、箱体のみを気相分解装置20から取り外して、装置20の外で洗浄などのメンテナンスを行うのが容易である。
【0018】
さらに、図2に示すように、閉じた内側シャッター21aから、上方の回収室31からの空気が流れ落ちる空間を隔てて、気相分解装置20の外壁に、図示しない開閉機構により開閉自在の外側シャッター27が設けられている。分解室21内には、配管22aから反応性ガスとしてフッ化水素が導入され、例えばシリコンウエハである基板1表面に形成された酸化膜を溶解するとともに、膜の表面または膜中に存在する汚染物質などの被測定物を溶解し、配管22bから排出される。基板1表面に膜が形成されていない場合には、基板1表面に存在する被測定物が溶解される。
【0019】
気相分解装置20は、分解室21内に洗浄液として超純水を流して洗浄する分解室洗浄手段23、すなわち、洗浄液導入配管23aおよび排出配管23bを有している。また、分解室21内に不活性ガスとして清浄な窒素を流して、フッ化水素を追い出すとともに、基板1に生じた液滴を乾燥させる液滴乾燥手段24、すなわち、窒素導入配管24aおよび排出配管24bを有している。なお、液滴乾燥手段では、不活性ガスを流す代わりに、または不活性ガスを流すことに加えて、分解室内を減圧(真空排気)して、基板に生じた液滴を乾燥させてもよい。この場合、真空排気と不活性ガスの導入を繰り返し行ってもよい。
【0020】
さらに、気相分解装置20は、基板1が分解室21内の所定の位置に載置されるように、内周に下向き狭小のテーパ25aが付いた基板台25を有している。すなわち、基板台25は、搬送装置のハンド部50aに干渉しないように一部を切り欠いた輪状で、内周に下向き円錐側面の一部をなすテーパ面25aが形成され、仕切り板26を介して分解室21内に固定されている。
【0021】
次に、試料回収装置30の構成について詳細に説明する。図4(a),(b)の平面図、正面図に示すように、この試料回収装置30の回収室31は、上部にファン11およびフィルター12が設けられた例えばPVC(ポリ塩化ビニル)製の箱であり、分解室21の上に配置され、搬送装置のハンド部50aに対向する側に、図示しない開閉機構により開閉自在のシャッター31aを有している。そのシャッター31a近傍(図4(a)中1点鎖線で囲む範囲)において回収室31の底板には多数のパンチング孔31bがあけられており、ファン11およびフィルター12を介して回収室31に流入した清浄な空気が、分解室21の内側シャッター21aの外側(右側)へ流れ落ちるようになっている(図3のように分解室21の内側シャッター21aが開いている場合には、その内側(左側)にも流れ落ちる)。試料回収装置30は、以下の回収液移動手段32、回収液乾燥手段33、保持具洗浄手段34および回転台35を有している。
【0022】
回収液移動手段32は、その先端部下側にある保持具32aを、回転台35に載置された基板1の上方において基板1の外側と中心間で円弧状に移動させるアームであり、保持具32aを上下方向にも移動させることができる。保持具32aは例えばPTFE製のノズルであり、分解室21のさらに下方のタンクから、溶液(フッ化水素酸)4が供給される。回転台35は、載置された基板1を水平面内で回転させる。すなわち、試料回収装置30は、保持具32aから基板1の外周近傍に滴下した例えば100μリットルの溶液4を、基板1を回転させながら、保持具32aと基板1で挟むようにして保持しつつ基板1上で中心まで移動させて、基板1表面に存在する被測定物を回収する。
【0023】
回収液乾燥手段33は、その先端部に下向きに設けられたランプ33aを、基板1の上方において基板1の外側と中心間で円弧状に移動させるアームである。すなわち、試料回収装置30は、基板1の中心上方にランプ33aを移動させ、被測定物を回収した溶液4を加熱して被測定物を乾燥させる。この乾燥時にも、回転台35で基板1を水平面内で回転させる。
【0024】
保持具洗浄手段34は、図5(a)に示すように、底付き円筒状の内槽34aとその外側の輪状の外槽34bとを有する容器において、内槽34a上方に洗浄液として超純水を供給してオーバーフローさせる配管34cを設け、外槽34b下部にオーバーフローした洗浄液を排出する配管34dを設けたものである。図4において、試料回収装置30は、回収液移動手段32により、保持具32aを基板1の外周からさらに外側にある保持具洗浄手段34の内槽34a上方にまで移動させ、図5(a)のように上下に移動させる。すなわち、保持具32aの少なくとも下端部を洗浄液に浸漬させて洗浄する。供給側の配管34cは、洗浄後の内槽34a内の洗浄液に含まれる汚染物を流入させないために、図示のように内槽34a内の洗浄液と非接触にすることが好ましい。なお、洗浄は、洗浄液を保持具32aに吹き付けて行ってもよい。この場合には、図5(b)のように、供給側の配管34cを開口が上向きになるように設け、下方から保持具32aに洗浄液を吹き付ける。
【0025】
さて、前述したように、気相分解装置20および試料回収装置30は、試料前処理装置10を構成し、図2の自動開閉シャッター21a,27,31aを有するが、さらに、装置10(20,30)内外の差圧を検知する差圧検知手段13(図4(b)または図2(b))と、装置10内の前記反応性ガスの濃度を検知する濃度検知手段14(図2(b))とを有する。差圧検知手段13は、例えば試料回収装置30(回収室31)の右側の壁の下部を貫通するように取り付けられた圧力センサーであり、濃度検知手段14は、例えば気相分解装置20の右側の壁の下部(分解室21よりも下)を貫通するように取り付けられたフッ化水素の濃度センサーである。
【0026】
前述したように、気相分解装置20と試料回収装置30とは、パンチング孔31b(図4(a))により連通しているので、両装置20,30内は同圧であり、差圧検知手段13は、両装置20,30に対し1つ設ければ足りる。また、これも前述したように、前記パンチング孔31b(図4(a))を通して、試料回収装置30内(回収室31)から気相分解装置20内(分解室21の右方)へ空気が流れるので、濃度検知手段14を気相分解装置20に取り付ければ、試料回収装置30内の反応性ガスも検出することができる。
【0027】
そして、前記制御装置60(図1)が、差圧検知手段13で検知した差圧および濃度検知手段14で検知した濃度がそれぞれ所定の範囲内にあることを確認して、自動開閉シャッター21a,27,31aを開く。なお、以上に説明した蛍光X線分析システムから、蛍光X線分析装置40と、搬送装置50および制御装置60における蛍光X線分析装置40に関わる機能とを取り除いたものが、蛍光X線分析用試料前処理システムを構成する。
【0028】
次に、この蛍光X線分析システムが備える図1の前記制御装置60に、操作者の選択に応じて、以下のVPDモード、VPTモードおよびTXRFモードのいずれかを実行させるためのプログラムについて詳細に説明する。前記VPDモードにおいては、まず、搬送装置50に、基板1を所定の投入位置から分解室21へ搬送させる。次に、気相分解装置20に、反応性ガスを分解室21内に導入させ、所定時間後に分解室から追い出させる。次に、搬送装置50に、基板1を回収室31へ搬送させる。次に、図4の試料回収装置30に、溶液4を基板1に滴下させる。次に、試料回収装置30に、滴下した溶液4を保持具32aで保持しながら基板1表面で移動させて被測定物を回収させる。次に、試料回収装置30に、被測定物を乾燥させる。次に、図1の搬送装置50に、基板1を蛍光X線分析装置40へ搬送させる。次に、蛍光X線分析装置40に、1次X線43を被測定物2に照射させて発生する蛍光X線44の強度を測定させる。次に、搬送装置50に、基板1を前記投入位置へ搬送させる。
【0029】
前記VPTモードにおいては、まず、搬送装置50に、基板1を所定の投入位置から分解室21へ搬送させる。次に、気相分解装置20に、反応性ガスを分解室21内に導入させ、所定時間後に分解室から追い出させる。次に、搬送装置50に、基板1を蛍光X線分析装置40へ搬送させる。次に、蛍光X線分析装置40に、1次X線43を被測定物2に照射させて発生する蛍光X線44の強度を測定させる。次に、搬送装置50に、基板1を前記投入位置へ搬送させる。前記TXRFモードにおいては、まず、搬送装置50に、基板1を所定の投入位置から蛍光X線分析装置40へ搬送させる。次に、蛍光X線分析装置40に、1次X線43を被測定物2に照射させて発生する蛍光X線44の強度を測定させる。次に、搬送装置50に、基板1を前記投入位置へ搬送させる。
【0030】
次に、この蛍光X線分析システムの動作について説明する。図1のクリーンルーム6内において、カセット台5に基板1、例えば汚染物質を分析すべきシリコンウエハを収納したカセット3が載置され、そのカセット3内(所定の投入位置)の基板1を所定の条件で前処理、分析すべき旨が図示しない入力手段から制御装置60に入力されると、蛍光X線分析システムの各装置が以下のように動作するよう制御される。ここで、前処理および分析の条件は、基板1ごとに、制御装置60の表示手段(図示せず)を見ながら、入力手段(図示せず)により設定可能であり、試料前処理装置10、蛍光X線分析装置40、搬送装置50の各装置が共通の環境で制御されるので、蛍光X線分析システム全体の操作が容易である。
【0031】
さて、この蛍光X線分析システムでは、前処理および分析の条件として、大別してVPDモード、VPTモード、TXRFモードの3種類のモードがあり、最初に、VPD(Vapor Phase Decomposition)モードでの蛍光X線分析システムの動作を説明する。
【0032】
まず、搬送装置50が、基板1を分解室21へ搬送し、図2の基板台25に載置する。搬送の際、気相分解装置20の自動開閉シャッター21a,27が開く。より具体的には、制御装置60(図1)が、まず、差圧検知手段13で検知した差圧が所定の範囲内にあること、例えば気相分解装置20の内圧が装置20外の圧力よりも小さいことを確認し、自動開閉シャッター21aを開く。気相分解装置20の内圧が装置20外の圧力以上である場合には、エラー表示がなされ、自動開閉シャッター21aは開かれない。これは、万一、分解室21内にかなりの濃度でフッ化水素が残っており、かつ装置20の内圧が装置20外の圧力以上である場合に自動開閉シャッター21aを開くと、差圧の関係から前述した試料前処理装置10(20,30)外から回収室31を経由した空気の流れが適切に形成されていないため、分解室21から出たフッ化水素が滞留し、さらに、自動開閉シャッター27が閉じていてもその気密性が不十分であると、そこから試料前処理装置10外へ流出するおそれがあるので、これを防止するためである。
【0033】
次に、再度気相分解装置20の内圧が装置20外の圧力よりも小さいことを確認し、かつ濃度検知手段14で検知したフッ化水素濃度が所定の範囲内にあること、例えば所定値以下であることを確認し、自動開閉シャッター27を開く。気相分解装置20の内圧が装置20外の圧力以上である場合、または、フッ化水素濃度が所定値よりも大きい場合には、エラー表示がなされ、自動開閉シャッター27は開かれない。
【0034】
このように、制御装置60(図1)が、試料前処理装置10(20,30)内外の差圧および試料前処理装置10内の反応性ガスの濃度がそれぞれ所定の範囲内にあることを確認して、自動開閉シャッター21a,27を開くので、試料前処理装置10内から外部へ反応性ガスが流出することがなく、外部にある搬送装置50などの腐食防止および長寿命化を十分に図れる。
【0035】
また、基板台25には、内周に下向き狭小のテーパ25aが付いているので、基板1がハンド部50a上で所定の位置から多少ずれていても、基板1を基板台25に載置するだけで、自重で滑ってはまり込むようにして適切に位置決めされるので、続く回収、分析が正確に行われる。基板1の搬送後、気相分解装置20の自動開閉シャッター21a,27が閉じる。
【0036】
次に、自動開閉シャッター21a,27が閉じて密閉された分解室21内にフッ化水素が配管22aから導入され、基板1表面に形成された酸化膜を溶解するとともに、膜の表面または膜中に存在する汚染物質などの被測定物を溶解し、配管22bから排出される。基板1表面に膜が形成されていない場合には、基板1表面に存在する被測定物が溶解される。フッ化水素導入の際、排出側の配管22bのバルブが導入側の配管22aのバルブよりも先に開くことが好ましいが、逆でも同時でもよい。このフッ化水素による気相分解は、設定により例えば10分間行われる。
【0037】
所定時間の気相分解が終了すると、液滴乾燥手段24により分解室21内が排気されながら窒素が流され、フッ化水素が追い出されるとともに、基板1に生じた液滴が乾燥される。これにより、以降の搬送において、液滴に搬送装置のハンド部50aが接触して腐食されることがなく、ハンド部50a上で基板1が滑って搬送が不正確になることもない。フッ化水素が、搬送装置50側や蛍光X線分析装置40(図1)側に流入して、腐食などの原因となることもない。また、定期的に、分解室洗浄手段23により分解室21内に超純水が流されて洗浄される。このように、分解室21内の洗浄も自動化されるので、蛍光X線分析システムの操作がいっそう容易になる。
【0038】
次に、搬送装置50が、基板1を図4の回収室31へ搬送し、基板1の中心が回転台35の回転中心に合致するように載置する。搬送の際、気相分解装置20および試料回収装置30の自動開閉シャッター21a,27,31aが開く。より具体的には、制御装置60(図1)が、まず、基板1を分解室21へ搬送する際と同様に、気相分解装置20(図2)の内圧が装置20外の圧力よりも小さいことを確認し、自動開閉シャッター21aを開く。気相分解装置20の内圧が装置20外の圧力以上である場合には、エラー表示がなされ、自動開閉シャッター21aは開かれない。次に、再度差圧検知手段13で検知した差圧から気相分解装置20の内圧が装置20外の圧力よりも小さいことを確認し、かつ濃度検知手段14(図2)で検知したフッ化水素濃度が所定値以下であることを確認し、自動開閉シャッター27,31aを開く。気相分解装置20の内圧が装置20外の圧力以上である場合、または、フッ化水素濃度が所定値よりも大きい場合には、エラー表示がなされ、自動開閉シャッター27,31aは開かれない。基板1の搬送後、自動開閉シャッター21a,27,31aが閉じる。
【0039】
このように、分解室21から回収室31への基板1の搬送も搬送装置50で行うので、人手による汚染が回避されて正しい分析ができる。また、制御装置60(図1)が、試料前処理装置10(20,30)内外の差圧および試料前処理装置10内の反応性ガスの濃度がそれぞれ所定の範囲内にあることを確認して、自動開閉シャッター21a,27,31aを開くので、試料前処理装置10内から外部へ反応性ガスが流出することがなく、外部にある搬送装置50などの腐食防止および長寿命化を十分に図れる。
【0040】
続いて、試料回収装置30が、保持具32aから基板1の外周近傍に滴下した溶液4を、基板1を回転させながら、保持具32aで保持しつつ基板1上で中心まで移動させて、基板1表面に存在する被測定物(気相分解装置20により基板1表面に保持された被測定物)を回収する。回収工程における溶液4の滴下位置や保持具32aの移動経路は、これに限定されず、種々考えられる。回収後、保持具32aを上昇させ保持具洗浄手段34の内槽34a上方にまで移動させて上下させ、洗浄液に浸漬させて洗浄する。このように、保持具32aの洗浄も自動化されるので、蛍光X線分析システムの操作がいっそう容易になる。
【0041】
次に、試料回収装置30は、基板1の中心上方にランプ33aを移動させ、被測定物を回収した溶液4を加熱して被測定物を乾燥させる。この乾燥時にも、回転台35で基板1を水平面内で回転させる。これにより、被測定物が、基板1上で偏って乾燥して拡がりすぎることがないので、いっそう正しい分析ができる。また、回収室31が分解室21の上に配置され、ファン11およびフィルター12を介して回収室31に流入した清浄な空気が、パンチング孔31bを通って分解室21の内側シャッター21aの外側へ流れ落ちるようになっているので、蛍光X線分析システム全体の設置面積が十分に小さくなるとともに、回収室31が清浄に保たれる。なお、保持具32aが被測定物を回収した溶液4の上方から退避した後であれば、保持具32aの洗浄と被測定物の乾燥は、どちらを先に行ってもよく、並行して行ってもよい。
【0042】
次に、図1において、搬送装置50が、被測定物2を回収した基板1を蛍光X線分析装置40の導入室のカセット47へ搬送する。搬送の際、図4の試料回収装置30の自動開閉シャッター31aが開く。より具体的には、制御装置60(図1)が、差圧検知手段13で検知した差圧から試料回収装置30の内圧が装置30外の圧力よりも小さいことを確認し、かつ濃度検知手段14(図2)で検知したフッ化水素濃度が所定値以下であることを確認し、自動開閉シャッター31aを開く。試料回収装置30の内圧が装置30外の圧力以上である場合、または、フッ化水素濃度が所定値よりも大きい場合には、エラー表示がなされ、自動開閉シャッター31aは開かれない。基板1の搬送後、自動開閉シャッター31aが閉じる。
【0043】
このように、制御装置60(図1)が、試料前処理装置10(20,30)内外の差圧および試料前処理装置10内の反応性ガスの濃度がそれぞれ所定の範囲内にあることを確認して、自動開閉シャッター31aを開くので、試料前処理装置10内から外部へ反応性ガスが流出することがなく、外部にある搬送装置50などの腐食防止および長寿命化を十分に図れる。
【0044】
次に、図1の蛍光X線分析装置40は、搬送手段46で基板1を試料台41へ搬送して載置し、全反射蛍光X線分析を行う。分析後、基板1は搬送手段46により導入室のカセット47へ搬送され、さらに、搬送装置50によりカセット台5に載置されたもとのカセット3へ搬送される。なお、最初の基板1の分析中に、次の基板の回収、その次の基板の分解を同時に行えば、全体の前処理および分析作業をいっそう迅速に行える。
【0045】
さて、以上がVPD(Vapor Phase Decomposition)モードでの蛍光X線分析システムの動作説明であるが、次に、VPT(Vapor Phase Treatment)モードでの動作を説明する。VPTモードでは、試料回収装置30による被測定物の回収を行わないので、被測定物が濃縮されず、分析における感度はVPDモードほど大きく向上しないが、基板1における被測定物の分布を知ることができる。また、VPTモードにおいても、被測定物が、気相分解装置20でフッ化水素に溶解後乾燥されることより微小な粒状になり、全反射蛍光X線分析において感度が向上する。
【0046】
VPTモードでの動作は、図2で気相分解装置20において液滴乾燥手段24により分解室21内が排気されながら窒素が流され、フッ化水素が追い出されるとともに、基板1に生じた液滴が乾燥される段階まで、VPDモードと同じである。VPTモードでは、この次に、搬送装置50が、被測定物2を保持した基板1を蛍光X線分析装置40の導入室のカセット47(図1)へ搬送する。搬送の際、気相分解装置20の自動開閉シャッター21a,27が開く。
【0047】
より具体的には、制御装置60(図1)が、まず、VPDモードで基板1を回収室31へ搬送する際と同様に、気相分解装置20の内圧が装置20外の圧力よりも小さいことを確認し、自動開閉シャッター21aを開く。気相分解装置20の内圧が装置20外の圧力以上である場合には、エラー表示がなされ、自動開閉シャッター21aは開かれない。次に、再度気相分解装置20の内圧が装置20外の圧力よりも小さいことを確認し、かつ濃度検知手段14で検知したフッ化水素濃度が所定値以下であることを確認し、自動開閉シャッター27を開く。気相分解装置20の内圧が装置20外の圧力以上である場合、または、フッ化水素濃度が所定値よりも大きい場合には、エラー表示がなされ、自動開閉シャッター27は開かれない。基板1の搬送後、気相分解装置20の自動開閉シャッター21a,27が閉じる。
【0048】
このように、制御装置60(図1)が、試料前処理装置10(20,30)内外の差圧および試料前処理装置10内の反応性ガスの濃度がそれぞれ所定の範囲内にあることを確認して、自動開閉シャッター21a,27を開くので、試料前処理装置10内から外部へ反応性ガスが流出することがなく、外部にある搬送装置50などの腐食防止および長寿命化を十分に図れる。この後、図1の蛍光X線分析装置40による分析、搬送装置50によるもとのカセット3への搬送が、VPDモードと同様になされる。
【0049】
さらに、TXRFモードでは、気相分解装置20による気相分解も行わず、すなわち、試料前処理装置10による前処理を全く行わない。前処理が不要な基板(試料)1に対応したもので、このモードでは、搬送装置50が、カセット台5に載置されたカセット3から蛍光X線分析装置40の導入室のカセット47へ、基板1を搬送する。この後、蛍光X線分析装置40による分析、搬送装置50によるもとのカセット3への基板1の搬送が、VPDモードと同様になされる。すなわち、蛍光X線分析システムは、通常の全反射蛍光X線分析装置として機能する。
【0050】
この他に、基板1に酸化膜が形成されておらず、膜を溶解する必要がないような場合には、試料前処理において、試料回収装置30による被測定物の回収のみを行うDADD(Direct acid Droplet Decomposition)モードも設定可能である。このモードでは、搬送装置50が、カセット台5に載置されたカセット3から試料回収装置30の回収室31へ、基板1を搬送する。搬送の際、図4の試料回収装置30の自動開閉シャッター31aが開く。より具体的には、制御装置60(図1)が、差圧検知手段13で検知した差圧から試料回収装置30の内圧が装置30外の圧力よりも小さいことを確認し、かつ濃度検知手段14(図2)で検知したフッ化水素濃度が所定値以下であることを確認し、自動開閉シャッター31aを開く。試料回収装置30の内圧が装置30外の圧力以上である場合、または、フッ化水素濃度が所定値よりも大きい場合には、エラー表示がなされ、自動開閉シャッター31aは開かれない。基板1の搬送後、自動開閉シャッター31aが閉じる。
【0051】
この場合にも、制御装置60(図1)が、試料前処理装置10(20,30)内外の差圧および試料前処理装置10内の反応性ガスの濃度がそれぞれ所定の範囲内にあることを確認して、自動開閉シャッター31aを開くので、試料前処理装置10内から外部へ反応性ガスが流出することがなく、外部にある搬送装置50などの腐食防止および長寿命化を十分に図れる。この後、試料回収装置30による被測定物の回収、保持具32aの洗浄、被測定物の乾燥、搬送装置50による蛍光X線分析装置40の導入室のカセット47への基板1の搬送、蛍光X線分析装置40による分析、搬送装置50によるもとのカセット3への基板1の搬送が、VPDモードと同様になされる。
【0052】
以上に説明した蛍光X線分析システム、蛍光X線分析用前処理システムにおいては、分解室21の上に回収室31が配置されるように、気相分解装置20の上に試料回収装置30を備えたが、本発明の蛍光X線分析システム、蛍光X線分析用前処理システムにおいては、このような位置関係に限定されず、上下逆でもよく、また、水平方向に並べて備えてもよい。ただし、どのような位置関係にあっても、両装置20,30間に連通や空気の流れがない場合には、差圧検知手段13や濃度検知手段14は、両装置20,30にそれぞれ設ける必要がある。
【0053】
【発明の効果】
以上詳細に説明したように、本発明の蛍光X線分析用前処理システム、蛍光X線分析システムによれば、制御装置が、試料前処理装置内外の差圧および試料前処理装置内の反応性ガスの濃度がそれぞれ所定の範囲内にあることを確認して、自動開閉シャッターを開くので、試料前処理装置内から外部へ反応性ガスが流出することがなく、外部にある搬送装置などの腐食防止および長寿命化を十分に図れる。
【図面の簡単な説明】
【図1】(a)は、本発明の一実施形態である蛍光X線分析システムの平面図、(b)は、同システムの正面図である。
【図2】(a)は、同システムの気相分解装置の平面図、(b)は、同装置の正面図である。
【図3】同装置の別の状態を示す正面図である。
【図4】(a)は、同システムの試料回収装置の平面図、(b)は、同装置の正面図である。
【図5】(a)は、同システムの試料回収装置の保持具洗浄手段であって保持具を洗浄液に浸漬させるものの正面図、(b)は、同手段であって保持具に洗浄液を吹き付けるものの正面図である。
【符号の説明】
1…基板、2…被測定物、4…溶液、10…試料前処理装置(気相分解装置および試料回収装置)、13…差圧検知手段、14…濃度検知手段、20…気相分解装置、21…分解室、21a,27,31a…自動開閉シャッター、30…試料回収装置、31…回収室、32a…保持具、40…蛍光X線分析装置、43…1次X線、44…蛍光X線、50…搬送装置、60…制御装置。
Claims (2)
- 基板表面に存在する被測定物または基板表面に形成された膜の表面もしくは膜中に存在する被測定物を分解室内で反応性ガスにより溶解後乾燥させて基板表面に保持する気相分解装置と、
回収室内で、表面に被測定物が存在する基板に溶液を滴下して保持具で保持しながら基板表面で移動させ、被測定物を回収後乾燥させて基板表面に保持する試料回収装置と、
前記分解室から回収室への基板の搬送を行う搬送装置と、
前記気相分解装置、試料回収装置および搬送装置を制御する制御装置とを備えた蛍光X線分析用試料前処理システムであって、
前記気相分解装置および試料回収装置に設けられた自動開閉シャッターと、前記気相分解装置および試料回収装置により構成される試料前処理装置内外の差圧を検知する差圧検知手段と、前記試料前処理装置内の前記反応性ガスの濃度を検知する濃度検知手段とを有し、
前記制御装置が、前記差圧検知手段で検知した差圧および前記濃度検知手段で検知した濃度がそれぞれ所定の範囲内にあることを確認して、前記自動開閉シャッターを開く蛍光X線分析用試料前処理システム。 - 請求項1の蛍光X線分析用試料前処理システムと、
前記気相分解装置または試料回収装置により基板表面に保持された被測定物に1次X線を照射して発生する蛍光X線の強度を測定する蛍光X線分析装置とを備えた蛍光X線分析システムであって、
前記搬送装置が、前記分解室から蛍光X線分析装置への基板の搬送および前記回収室から蛍光X線分析装置への基板の搬送をも行い、
前記制御装置が、前記蛍光X線分析装置をも制御する蛍光X線分析システム。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001282907A JP3584262B2 (ja) | 2001-09-18 | 2001-09-18 | 蛍光x線分析用試料前処理システムおよびそれを備えた蛍光x線分析システム |
DE10242896A DE10242896B4 (de) | 2001-09-18 | 2002-09-16 | Probenvorverarbeitungsvorrichtung zur Röntgenfluoreszenzanalyse und Röntgenfluoreszenzspektrometervorrichtung |
US10/244,384 US6735276B2 (en) | 2001-09-18 | 2002-09-17 | Sample preprocessing system for a fluorescent X-ray analysis and X-ray fluorescence spectrometric system using the same |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001282907A JP3584262B2 (ja) | 2001-09-18 | 2001-09-18 | 蛍光x線分析用試料前処理システムおよびそれを備えた蛍光x線分析システム |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2003090809A JP2003090809A (ja) | 2003-03-28 |
JP3584262B2 true JP3584262B2 (ja) | 2004-11-04 |
Family
ID=19106489
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2001282907A Expired - Fee Related JP3584262B2 (ja) | 2001-09-18 | 2001-09-18 | 蛍光x線分析用試料前処理システムおよびそれを備えた蛍光x線分析システム |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6735276B2 (ja) |
JP (1) | JP3584262B2 (ja) |
DE (1) | DE10242896B4 (ja) |
Families Citing this family (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4377755B2 (ja) | 2004-06-15 | 2009-12-02 | 株式会社東芝 | 全反射蛍光x線分析方法 |
JP3912606B2 (ja) * | 2004-10-26 | 2007-05-09 | 株式会社リガク | X線薄膜検査装置と、プロダクトウエーハの薄膜検査装置およびその方法 |
US7539282B2 (en) * | 2005-04-07 | 2009-05-26 | Cooper Environmental Services Llc | XRF analyzer |
US7535989B2 (en) * | 2006-10-17 | 2009-05-19 | Innov-X Systems, Inc. | XRF system with novel sample bottle |
US8064570B2 (en) * | 2006-12-20 | 2011-11-22 | Innov-X-Systems, Inc. | Hand-held XRF analyzer |
WO2009023847A1 (en) * | 2007-08-16 | 2009-02-19 | Caldera Pharmaceuticals, Inc. | Well plate |
JP4939359B2 (ja) * | 2007-10-05 | 2012-05-23 | 株式会社リガク | 蛍光x線分析システムおよびそのシステムに用いるプログラム |
WO2009082373A1 (en) * | 2007-12-21 | 2009-07-02 | Innov-X Systems, Inc. | Hand-held xrf analyzer |
KR100959388B1 (ko) * | 2008-04-03 | 2010-05-24 | 코리아테크노(주) | 반도체 웨이퍼 오염물질 측정장치의 vpd유닛과 그도어개폐장치 |
JP2011527015A (ja) | 2008-07-01 | 2011-10-20 | カルデラ・ファーマシューティカルズ・インコーポレーテッド | 障壁を透過する検体の移送を測定する方法および装置 |
US20100017020A1 (en) * | 2008-07-16 | 2010-01-21 | Bradley Hubbard-Nelson | Sorting system |
RU2494380C1 (ru) * | 2012-03-30 | 2013-09-27 | Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Геологический институт Сибирского отделения Российской академии наук (ГИН СО РАН) | Поляризационный рентгеновский спектрометр |
RU2494381C1 (ru) * | 2012-04-06 | 2013-09-27 | Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Геологический институт Сибирского отделения Российской академии наук (ГИН СО РАН) | Поляризационный спектрометр |
RU2494382C1 (ru) * | 2012-04-06 | 2013-09-27 | Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Геологический институт Сибирского отделения Российской академии наук (ГИН СО РАН) | Энергодисперсионный поляризационный рентгеновский спектрометр |
JP6481168B2 (ja) * | 2015-04-13 | 2019-03-13 | 株式会社リガク | 蛍光x線分析システム |
KR102539899B1 (ko) * | 2015-06-30 | 2023-06-02 | 일리노이즈 툴 워크스 인코포레이티드 | 인라인 x-선 측정 장치 및 방법 |
RU2611713C1 (ru) * | 2015-11-10 | 2017-02-28 | Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Геологический институт Сибирского отделения Российской академии наук (ГИН СО РАН) | Рентгеновский анализатор |
RU2612051C1 (ru) * | 2015-11-10 | 2017-03-02 | Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Геологический институт Сибирского отделения Российской академии наук (ГИН СО РАН) | Анализатор тяжелых элементов |
RU2614318C1 (ru) * | 2015-11-12 | 2017-03-24 | Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Геологический институт Сибирского отделения Российской академии наук (ГИН СО РАН) | Рентгеновский анализатор золота и тяжелых элементов |
RU2611726C1 (ru) * | 2015-12-11 | 2017-02-28 | Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Геологический институт Сибирского отделения Российской академии наук (ГИН СО РАН) | Рентгеновский спектрометр |
RU2677486C1 (ru) * | 2018-01-30 | 2019-01-17 | Совместное предприятие в форме закрытого акционерного общества "Изготовление, внедрение, сервис" | Универсальный автоматизированный рентгенофлуоресцентный анализатор |
JP7302504B2 (ja) * | 2020-02-27 | 2023-07-04 | 株式会社島津製作所 | 蛍光x線分析装置 |
Family Cites Families (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS58204357A (ja) * | 1982-05-24 | 1983-11-29 | Idemitsu Kosan Co Ltd | 螢光x線分析方法およびその装置 |
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US5395446A (en) * | 1988-11-21 | 1995-03-07 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor treatment apparatus |
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JP3399671B2 (ja) * | 1994-12-12 | 2003-04-21 | 宮崎沖電気株式会社 | 全反射蛍光x線分析器用サンプル作製装置とコンタミネーションの凝集方法 |
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JP3784696B2 (ja) * | 2001-11-07 | 2006-06-14 | Necエレクトロニクス株式会社 | 半導体ウエハ表面不純物の回収方法および回収装置 |
-
2001
- 2001-09-18 JP JP2001282907A patent/JP3584262B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2002
- 2002-09-16 DE DE10242896A patent/DE10242896B4/de not_active Expired - Lifetime
- 2002-09-17 US US10/244,384 patent/US6735276B2/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US6735276B2 (en) | 2004-05-11 |
JP2003090809A (ja) | 2003-03-28 |
US20030053589A1 (en) | 2003-03-20 |
DE10242896B4 (de) | 2007-08-02 |
DE10242896A1 (de) | 2003-04-03 |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080813 Year of fee payment: 4 |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090813 Year of fee payment: 5 |
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S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090813 Year of fee payment: 5 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100813 Year of fee payment: 6 |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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SG99 | Written request for registration of restore |
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