JP4027420B2 - 放射線分析を受ける試料用の試料ホルダ - Google Patents

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Description

【0001】
本発明は、検査される材料用のキャリアからなる放射線分析を受ける試料用の試料ホルダに関する。
【0002】
そのような試料ホルダ用の試料キャリアは、特開平5−312698号公報によって既知である。
【0003】
当該の材料の試料は(例えばX線である)放射線に照射され、また入射放射線は、試料の中に検査される材料の構成及び構造の特徴である放射線を発生させるような材料の分析の方法は既知である。X線が使用される場合、この分析方法は、X線蛍光分光測定法或いはXRFとして既知である。XRFの特別な形式は、X線がかすめ角(即ち、いわゆる限界角である、完全なX線反射のための角度よりも小さい角度)で試料に投射され、全反射XRF或いはTXRFと称されるもの、或いは試料の中で発生した蛍光放射線は、限界角度よりも小さい角度で発せられるもの(かすめ放射XRF或いはGEXRF)である。両方の分析方法は、上部の少しの原子層から放射される蛍光放射線のみを検出するという事実に基づき、それにより実質的に、非全反射のX線蛍光の場合よりも良い信号対雑音比が得られる。結果として、TXRF及びGEXRFによって元素の非常に低い濃度が検出されうる。
【0004】
該TXRF及びGEXRF分析技術は、非常に小さい(0.5°あるいはそれよりも小さいオーダの)入射或いは放射角を使用するため、標本の表面の滑らかさに関しては、厳しい要求が課せられる。これは、検査される材料が少量である場合、試料キャリアの表面の滑らかさに関してもまた、厳しい要求が課せられることを意味する。検査される表面の小さな異質物は、結果を逸脱させることになりうる。従って、非常に小さい角度で放射線を使用した分析技術を可能にする、平坦で滑らかな表面を有する試料キャリアが必要とされる。
【0005】
引用された特開平5−312698号公報で説明された試料ホルダは、ポリビニルで作られた試料キャリアからなる。この材料は、説明された分析技術のために充分平坦で滑らかである。検査される材料は、しばしば特に水である液体中の溶液として試料キャリアに与えられ;液体は蒸発し、よって溶解された材料を固体の状態で残す。上述の理由により、残された材料は、滑らかで均質な表面を形成することが望ましい。合成材料で作られた試料キャリアは、合成材料の湿潤特性のために、その上に置かれた液体の小滴は、均等には乾燥しないという欠点を有する。結果として、溶剤の乾燥は、しばしば所望の試料材料の均等な分布を生産することを失敗する。残された試料材料の境界画定は再現可能ではないことは、更なる欠点であり、それにより、照射装置に置かれたときに材料の部分が照射されないということが非常によく起こりうる。これは、所与の量の溶剤の中の所与の材料の量に関心がある場合の、定量測定の場合に欠点となる。
【0006】
本発明は、所与の一定の領域内に試料材料を有する溶液の均等な乾燥を可能にする請求項1の序文部で開示される種類の試料ホルダを提供することを目的とする。このために、本発明による試料ホルダは、検査される材料と接触するキャリアの表面は、キャリアの第2の表面部分の接触角よりも小さい液体接触角を有する第1の表面部分からなることを特徴とする。第1の表面部分の接触角は、溶剤による完全な湿潤が、該領域で起こるように選ばれる。溶剤の蒸発の間、湿潤境界は後退しないため、この領域は、均等に濡れたままである。従って、異質物となる乾燥箇所はなくなる。
【0007】
本発明による試料ホルダの実施例は、キャリアの表面は1つの材料からなることと、第1の表面部分の液体接触角は、第1の表面部分の材料の構造を変更することにより実現されることとを特徴とする。試料キャリアは、従って表面で働く作用を使用することにより、たやすく製造されうる。
【0008】
本発明による試料ホルダの他の実施例は、キャリアが合成材料から作られることを特徴とする。合成材料は、表面で働く作用による接触角の縮小を実現するために非常によく適している。構造の変更は、紫外線放射への照射によってはっきりと実現されうる。合成材料のポリマー性質は、わずかに乱され、所望の構造の変更をもたらす。
【0009】
本発明の更なる実施例では、紫外線放射の照射は、酸素が存在するときに実行される。紫外線光に照射された合成材料の反応は、それ自身が紫外線放射の照射によってより反応的にされた酸素の存在によって加速される。
【0010】
本発明の他の実施例は、第2の表面部分の液体接触角は、第1の表面部分の接触角よりも大きい液体接触角を有する材料の層を、第2の表面部分の上に置くことによって実現されることを特徴とする。所与の環境では、所与の溶剤に対して比較的小さな接触角を有する材料を使用することと、続いて濡らされない領域に対して当該の材料に対するより大きな接触角を分け与えることとが魅力的である。このようにして達成された効果は、原則として濡らされる領域に対する接触角を縮小することによって得られたものと同じである。この材料は、摩擦や粉砕によってたやすく使用される材料であることが望ましい。
【0011】
本発明の上記のそして他の面は、以下に説明される実施例を参照にして、明白となり明らかにされる。
【0012】
図面において:
図1は、検査される材料が溶解された小滴を乾燥する異なる段階とともに従来の技術の試料キャリアの断面図を示す図であり;
図2は、比較的小さな液体接触角を有する中心領域及び比較的大きな液体接触角を有する外側の領域からなる本発明による試料キャリアの斜視図を示す図であり;
図3は、検査される材料が溶解された小滴を乾燥する異なる段階とともに本発明による試料キャリアの断面図を示す図である。
【0013】
図1は、例えばポリビニルである合成材料から作られる試料キャリア2を示す。この材料は、TXER及びGEXRF分析技術とっては、充分平坦であり、滑らかであるが、ほとんどの合成材料の様に、特に水では比較的大きな液体接触角という欠点を有する。試料キャリア上には、検査される材料が溶解された、例えば水である溶剤の小滴4が置かれている。溶剤の蒸発は、検査される材料を残す。TXER及びGEXRF分析技術とっては、残された材料は滑らかな表面を有さねばならない;しかしながら、比較的大きな液体接触角により、表面の滑らかさと規則性を乱す乾燥箇所が起こる。図は、溶剤の小滴4の蒸発過程の3つの段階を示す。
【0014】
溶剤の小滴が試料キャリアの表面に与えられたとき、(例えば70°の)比較的大きな液体接触角α1を有する液体領域6−1が、処理されていない合成材料上に展開する。小滴が蒸発すると、小滴の境界は段階6−2及び6−3を通って後退し、比較的大きな液体接触角が維持される。α1、α2及びα3の値は等しいままである。
【0015】
図2は、液体接触角が実質的に残る領域10の接触角よりも小さいような方法で作られた領域8が形成される表面上の試料キャリア2の斜視図である。しかしながら、以下において図3を参照に説明されるように、領域10は代わりに、この領域における液体接触角が実質的に残る領域8の接触角よりも大きいような方法で作られうる。
【0016】
図3は、比較的小さな接触角を有する領域8及び比較的大きな接触角を有する領域10からなる試料キャリアの断面図である。領域8は、例えば紫外線(UV)光、酸素と組み合わせたUV光、コロナ放電やプラズマによる活性化或いは化学的といった様々な方法によって実現しうる。これらの処理は、それ自身として既知であり、例えばポリカーボネート(商標名レキサン(Lexan))、ポリメタクリル酸メチル(商標名パースペックス(Perspex))或いはポリプロピレンといった様々な合成材料に与えられる。
【0017】
本発明の実施例では、ポリカーボネートの試料キャリアは、酸素(O2)及びUV光の組合せによって処理される。第1の空間において酸素は185nmの波長のUV光にさらされ、これによりオゾン(O3)を形成する。ポリカーボネートの試料キャリアは、処理を受けない領域10がマスクによってマスクされる第2の空間へと導かれる。第2の空間では更に、第1の気体空間の中で処理された気体混合物が収容され、その後そこで254nmの波長のUV光の照射が実行される。この照射の間、ポリマー分子或いはポリカーボネートと反応する自由な酸素原子が形成される。結果として、この材料の構造は、液体接触角が実質的に小さくなり、約0°であるほど小さいような方法で変更される。
【0018】
本発明の他の実施例は、ほぼ大気圧の空気の中でのコロナ放電を使用する。合成材料のキャリアは、次にコロナ放電へと導かれ、処理されない部分は再びマスクされる。
【0019】
プラズマ処理もまた使用されうる。無線周波数の波或いはマイクロ波周波数の波は、気体のプラズマを生じさせるために使用される。気体については、例えば0のオーダの−1ミリバールの気圧での窒素(N2)、酸素、(O2)二酸化炭素(CO2)或いはアンモニアガス(NH3)が使用されうる。合成材料の試料キャリアはプラズマの中へと導入され、処理されない部分は再びマスクされる。
【0020】
化学的な処理もまた適用されうる。合成材料の試料キャリアは、酸化クロム(Cr23)が溶解されている、水で希釈された硫酸(H2SO4)の中へと導入される。処理されない部分は再びマスクされる。
【0021】
全ての場合において、処理時間は実験的に決定されるべきである;これは、処理の有効性に関する基準は充分に小さい液体接触角の発生であるため、たやすく実行されうる。
【0022】
本発明の他の実施例は、比較的小さな液体接触角を有する試料キャリアを使用する。この目的上、上記の方法のうちのいずれか1つによって処理された合成材料或いは本質的に小さな液体接触角が選択されうる。この試料キャリアの表面領域10は、みつろう或いはシリコンワックスといった比較的大きな液体接触角を有する材料を摩擦あるいは粉砕する事により形成される。そのような層は、例えば数ナノメートルの非常に小さい厚さのみを必要とし、そのためこの材料の非常に小さな量のみが要求される。
【0023】
検査される材料の溶剤としては、水のみが述べられたが、従来の技術に熟練した者には、例えばアルコール(エタノール)といったの溶剤もまた使用されうることが明らかであろう。その場合は、大きな液体接触角を有する領域を形成するため、例えばポリテトラフルオロエチレン(商標名テフロン(Teflon))或いはシリコンポリマーといった異なる合成材料が選択される必要がある。

Claims (3)

  1. 検査される材料を含む試料用の試料ホルダであって、前記試料は放射線分析を受ける試料であり、前記検査される材料用のキャリアを有し、
    前記検査される材料を含んだ溶液と接触する前記キャリアの表面は、第1の表面部分と、前記第1の表面部分と接し且つ前記第1の表面部分を囲む第2の表面部分とを有し、前記第1の表面部分は前記第2の表面部分の接触角よりも小さい液体接触角を有する、試料ホルダであり、
    前記キャリアの前記表面は1つの材料を有し、前記第1の表面部分の前記液体接触角は前記第1の表面部分の前記材料の構造の変更により実現され、前記キャリアは合成材料から作られ、前記構造の前記変更は、紫外線放射への露出、酸素の存在下での紫外線放射への露出、コロナ放電への露出又はプラズマへの露出により実現されることを特徴とする、試料ホルダ。
  2. 第2の表面部分の液体接触角は、第1の表面部分の接触角よりも大きい液体接触角を有する材料の層を、第2の表面部分上に付着させることによって実現されることを特徴とする請求項1に記載の試料ホルダ。
  3. 第1の表面部分の接触角よりも大きい液体接触角を有する材料は、ワックス状の材料であることを特徴とする請求項に記載の試料ホルダ。
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Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19754978C2 (de) 1997-12-11 2000-07-13 Bruker Daltonik Gmbh Probenträger für die MALDI-Massenspektrometrie nebst Verfahren zur Herstellung der Platten und zum Aufbringen der Proben
WO2000067293A1 (en) * 1999-04-29 2000-11-09 Ciphergen Biosystems, Inc. Sample holder with hydrophobic coating for gas phase mass spectrometers
AU3986501A (en) 2000-02-23 2001-09-03 Zyomyx Inc Chips having elevated sample surfaces
DE10043042C2 (de) * 2000-09-01 2003-04-17 Bruker Daltonik Gmbh Verfahren zum Belegen eines Probenträgers mit Biomolekülen für die massenspektrometrische Analyse
JP3584262B2 (ja) * 2001-09-18 2004-11-04 理学電機工業株式会社 蛍光x線分析用試料前処理システムおよびそれを備えた蛍光x線分析システム
JP2003098068A (ja) * 2001-09-25 2003-04-03 Hitachi Ltd 平面型セル及びそれを用いた分析装置
US20040023410A1 (en) * 2002-08-05 2004-02-05 Catherine Stacey Method and apparatus for continuous sample deposition on sample support plates for liquid chromatography-matrix-assisted laser desorption/ionization mass spectrometry
JP4170049B2 (ja) * 2002-08-30 2008-10-22 シャープ株式会社 パターン形成基材およびパターン形成方法
JP4148858B2 (ja) * 2003-09-01 2008-09-10 株式会社日立ハイテクノロジーズ 反応セル、これらを備えた生化学的及び/又は免疫学的自動分析装置、並びに反応セルの内壁部表面改質方法
US20090215192A1 (en) * 2004-05-27 2009-08-27 Stratos Biosystems, Llc Solid-phase affinity-based method for preparing and manipulating an analyte-containing solution
US7527976B2 (en) * 2005-02-18 2009-05-05 Freescale Semiconductor, Inc. Processes for testing a region for an analyte and a process for forming an electronic device
US7713053B2 (en) * 2005-06-10 2010-05-11 Protochips, Inc. Reusable template for creation of thin films; method of making and using template; and thin films produced from template
WO2007133714A2 (en) * 2006-05-12 2007-11-22 Stratos Biosystems, Llc Analyte focusing biochips for affinity mass spectrometry
CN103792165B (zh) * 2014-02-10 2015-12-02 南京大学 一种微纳米尺度液体浸润形貌观测方法
CN108982299A (zh) * 2018-05-25 2018-12-11 北京理工大学 一种基于全反射原理的微结构表面润湿状态判断方法
CN108709901A (zh) * 2018-08-10 2018-10-26 中国原子能科学研究院 一种用于全反射x光荧光光谱仪直接测量滤膜载大气颗粒的压环装置

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2218264A1 (de) * 1972-04-10 1973-10-31 Appelt Otto Heinrich Dipl Ing Verfahren zur praeparation von fluessigkeitsproben fuer die roentgenfluoreszenzanalyse
US4155826A (en) * 1975-04-14 1979-05-22 Nitto Electric Industrial Co., Ltd. Process for surface treating molded articles of fluorine resins
US4473457A (en) * 1982-03-29 1984-09-25 Eastman Kodak Company Liquid transport device providing diversion of capillary flow into a non-vented second zone
JPS59176329A (ja) * 1983-03-25 1984-10-05 Mitsubishi Monsanto Chem Co 表面に親水性領域と疎水性領域とが形成された透明な成形物およびその使用方法
US4957582A (en) * 1989-03-16 1990-09-18 Eastman Kodak Company Capillary transport zone coated with adhesive
US5220591A (en) * 1989-10-19 1993-06-15 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Total reflection X-ray fluorescence apparatus
JPH04249736A (ja) * 1990-12-31 1992-09-04 Jasco Corp 赤外スペクトル測定用溶出液濃縮容器
JP3063934B2 (ja) * 1992-05-14 2000-07-12 日本電信電話株式会社 X線をプローブとする分析法用薄膜測定試料調製法および当該方法により調製された薄膜測定試料
US5544218A (en) * 1994-10-28 1996-08-06 Moxtek, Inc. Thin film sample support
US6627571B1 (en) * 2000-03-01 2003-09-30 Symyx Technologies, Inc. Method and system for the situ synthesis of a combinatorial library of supported catalyst materials

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