JP2004072120A - 現像方法及び現像装置及び液処理方法及び液処理装置 - Google Patents
現像方法及び現像装置及び液処理方法及び液処理装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2004072120A JP2004072120A JP2003302071A JP2003302071A JP2004072120A JP 2004072120 A JP2004072120 A JP 2004072120A JP 2003302071 A JP2003302071 A JP 2003302071A JP 2003302071 A JP2003302071 A JP 2003302071A JP 2004072120 A JP2004072120 A JP 2004072120A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- developing
- cup
- semiconductor wafer
- processing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Abstract
【解決手段】 処理を施される前記基板の周辺の第一の周辺域αから排気、さらに、第一の周辺域と基板との間の第二の周辺域βから排気自在に構成されているので、基板上の現像液に対する気流の影響を低減することができ、現像処理に施す現像液を適切に基板上の露光済みレジストに作用させることができる。
【選択図】 図2
Description
この現像処理部DEVは、上部に処理室内に所定の値に設定された温度・湿度がコントロールされたエアーを供給するエアー供給機構30が設けられており、処理室内に設けられたセンサー30aの検出データに基づき制御機構31により、所定の温度及び湿度に維持されるよう構成されている。
さらに、支持機構35は、図2に示すように支持機構の移動機構、例えばエアーシリンダー50により上下動自在に構成されている。
この塗布処理部COTは、上部に処理室内に所定の値に設定された温度・湿度がコントロールされたエアーを供給するエアー供給機構100が設けられており、処理室内に設けられたセンサー101の検出データに基づき制御機構31により、所定の温度及び湿度に維持されるよう構成されている。
まず、未処理の半導体ウエハWを複数枚収納したカセットCはカセットユニット部CUのカセット載置部U1に作業員又はカセット搬送ロボットにより配置される。この後、基板搬入出機構部U2の基板搬出入機構2によりカセットCから一枚毎半導体ウエハWは搬出され、基板搬出入機構2にて一旦半導体ウエハWは位置合わせされた後、半導体ウエハWはプロセスユニット部PUの基板受渡部8に引き渡される。
なお、前記現像1工程の場合を選択するのは、特に現像2工程に比べ、半導体ウエハWを点接触にて支持しているために面的な接触より半導体ウエハWに対する接触域と非接触域の温度のバラツキをより抑制できるので半導体ウエハWの歩留まりが向上できる。また、半導体ウエハWに処理液を供給する際、処理液の半導体ウエハWの裏面への回り込み半導体ウエハWの裏面中心部への進入を阻止するので、よりクリーンな状態に処理室内或いは半導体ウエハWを保つことができる。また、前記現像2工程の場合を選択するのは、特に現像1工程に比べ、処理液の供給時において半導体ウエハWを面接触しているので半導体ウエハWへの処理液の流量・処理液ノズルと半導体ウエハWとの間の現像液による表面張力による引き合い等による半導体ウエハWの横ズレ防止をより抑制することができる。また、半導体ウエハWを回転させて処理液を供給したい場合等、例えば処理液ノズルの処理液供給域が半導体ウエハWの直径の距離以下である場合は有効に半導体ウエハWに対して液盛りできる。
また、現像2工程においてはカップ60と半導体ウエハWとに現像液を同時に供給して、半導体ウエハW上に現像液を所定量に液盛りした後に、その状態を維持し半導体ウエハW上の現像液がこぼれないような回転数でチャック32を回転させ、半導体ウエハW上の現像液がこぼれない量にリンスノズル91から純水又は/及び純水に界面活性剤が添加された水溶液を供給し、半導体ウエハW上の現像液の濃度を所定の値に希釈させる。
この後、半導体ウエハWを保持するチャック32からエアーシリンダー50により支持ピン36はUPし、チャック32から半導体ウエハWは、再度、支持ピン36上に引き渡され、半導体ウエハWの現像処理を引き続き進行させる。したがって、現像液を希釈した後にカップ60を移動させ処理室内の気流を変化せしめる。
このような現像1工程・現像2工程にした場合においても、前述の(現像液希釈工程)をさらに追加しても良い。また、上述のような現像液希釈工程を行わない他の処理として、例えば、支持ピン36から半導体ウエハWはチャック32上に引き渡され、チャック32上に真空吸着により保持された後、チャック32を第一の回転数で回転させ半導体ウエハW上の現像液を一旦振り切り、或いは所定量の現像液が残存する状態つまり、現像液が乾ききらないうちに、リンス液を前記第一の回転数より低い第二の回転数で回転する半導体ウエハWの処理面に供給し、その後、第一の回転数より高い或いは略同一の第三の回転数にて半導体ウエハWを回転させ乾燥させるリンス乾燥工程を施しても良く、適宜、半導体ウエハWに形成されたレジスト膜に応じて処理することができることは言うまでもない。
また、点接触に比べより半導体ウエハWの裏面を支持する摩擦が増えることとなるので、半導体ウエハWの横ズレ防止ができる。ただし、支持部材200の線接触を大きすぎる、例えばリング状にすると半導体ウエハWの処理において半導体ウエハWの処理面にリング状のムラが発生する恐れがある。したがって、半導体ウエハWの処理面に処理ムラが発生しない程度の線接触に設定しておく必要がある。しかしながら、上記の例として支持部材200をリング状は好ましくないと記載したがリング状でも良い程度のスペックでも良い場合には、当然リング状を否定するものではない。
なお、前記気体変動機構は、カップの移動に連動して気流の変動を起こすものであれば上記実施例にとらわれず、例えばカップの移動に連動或いは基づいてカップ内からの排気がなされるものであれば物理的でも良いし或いは電気的になされるものであれば実施例に制限されないことは言うまでもない。また、このように構成したことにより、第一の周辺域からの排気量と第一の周辺域からの排気と第二の周辺域からの排気との排気量を略同一としたい場合、機械的にカップ60の上下動したとしても、常に排気の全体量は一定なので制御が容易となり、システムの小型化を図ることができる。さらに、第一の周辺域の排気面積と第二の周辺域の排気面積が異なる、例えば、第一の周辺域の排気面積>第二の周辺域の排気面積、このような異なる関係にあるとき、排気系が一つとし、機械的にカップ60の上下動に連動しているので制御がさらに容易となり、処理室内の圧力の安定性を向上することができる。もって基板の処理の歩留まりを向上することができる。また、第一の周辺域からの排気時間と第二の周辺域からの排気時間が異なる、例えば、第一の周辺域からの排気時間>第二の周辺域からの排気時間、このような異なる関係にあるとき、排気系が一つとし、機械的にカップ60の上下動に連動しているので制御がさらに容易となり、処理室内の圧力の安定性を向上することができる。もって基板の処理の歩留まりを向上することができる。
上述したように、装置内の熱の影響をも考慮することで、処理液の劣化等を抑制するとともに、基板の熱影響を抑制し基板の歩留まりを向上することができる。
W;半導体ウエハ(基板)
CU;カセットユニット部
IFU;インターフェイスユニット部
COT;塗布処理部
DEV;現像処理部
PU;プロセスユニット部
30,100;エアー供給機構
31;制御機構
35,104;支持機構
37;リング部材(液侵入防止機構)
32,102;チャック(保持機構)
α;第一の周辺域
β;第二の周辺域
60,110;カップ(第一の囲い体)
75,113;壁部(第二の囲い体)
Claims (23)
- 基板上の露光済みレジストを現像する方法であって、処理を施される前記基板の周辺の第一の周辺域から排気する工程と、前記第一の周辺域と前記基板との間の第二の周辺域から排気する工程と、を具備したことを特徴とする現像方法。
- 基板上の露光済みレジストを現像する方法であって、前記基板の現像進行中は前記基板の周辺の第一の周辺域から排気する工程と、前記第一の周辺域と前記基板との間の第二の周辺域から排気及び第一の周辺域から排気する工程と、を具備したことを特徴とする現像方法。
- 基板上の露光済みレジストを現像する方法であって、前記基板を支持した状態で現像処理工程を行う際は前記基板の周辺の第一の周辺域から排気する工程と、前記基板を真空吸着にて保持した状態でリンス工程を行う際は前記第一の周辺域と前記基板との間の第二の周辺域から排気する工程と、を具備したことを特徴とする現像方法。
- 処理室内で基板上の露光済みレジストを現像する方法であって、前記基板の裏面側を真空吸着により保持し前記基板に対して現像液を供給する第一の工程と、前記基板の裏面側を支持し現像処理を進行させる第二の工程と、を具備し、前記第一と第二の工程において前記処理室内の気流の流れを変化せしめることを特徴とする現像方法。
- 処理室内で基板上の露光済みレジストを現像する方法であって、前記基板の裏面側を支持し前記基板に対して現像液を供給する第一の工程と、前記基板裏面側を支持し現像処理を進行させる第二の工程と、前記基板の裏面側を真空吸着により保持し前記基板に対してリンス液を供給する第三の工程と、を具備し、前記第一の工程又は/及び第三の工程と第二の工程とにおいて前記処理室内の気流の流れを変化せしめることを特徴とする現像方法。
- 処理室内で基板上の露光済みレジストを現像する方法であって、前記基板の裏面側を真空吸着により保持し前記基板に対して現像液を供給した後、基板上の現像液濃度を変化せしめる第一の工程と、前記基板裏面側を支持し現像処理を進行させる第二の工程と、を具備し、前記第一と第二の工程において前記処理室内の気流の流れを変化せしめることを特徴とする現像方法。
- カップ内で基板上の露光済みレジストを現像する方法であって、前記基板の裏面側を支持或いは保持し前記基板及びカップに対して同時に現像液を供給する工程を具備したことを特徴とする現像方法。
- カップ内で基板上の露光済みレジストを現像する方法であって、前記基板の裏面側を支持或いは保持し前記基板及びカップに対して同時に現像液を供給する工程と、前記基板上の現像液の濃度を変化させる工程を具備したことを特徴とする現像方法。
- カップ内で基板上の露光済みレジストを現像する方法であって、前記カップ内の第一の領域で基板を囲い現像液を供給する工程と、前記カップ内の前記第一の領域より狭い第二の領域で基板を囲いリンス液を供給する工程と、を具備したことを特徴とする現像方法。
- カップ内で基板上の露光済みレジストを現像する方法であって、前記カップ外の領域を排気しつつ前記基板の裏面側を支持し前記基板及びカップに対して現像液を供給する工程と、前記カップ内の領域と前記カップ外の領域を同時に排気しつつ前記基板の裏面側を保持し前記基板にリンス液を供給する工程と、を具備したことを特徴とする現像方法。
- カップ内で基板上の露光済みレジストを現像する方法であって、前記基板の裏面側を支持する工程と、前記基板の裏面側を真空吸着により保持した後で再度前記基板の裏面側を支持し前記基板に対して現像液を供給する工程と、を具備したことを特徴とする現像方法。
- 基板上の露光済みレジストを現像する装置であって、前記基板の周囲に配置される第一の囲い体と、この第一の囲い体の周囲に配置される第二の囲い体と、この第二の囲い体と前記第一の囲い体との間の領域及び前記第一の囲い体内の領域を各々独立して及び/又は同時に排気自在に構成された排気機構と、を具備したことを特徴とする現像装置。
- 基板上の露光済みレジストを現像する装置であって、前記基板の周囲に配置される第一の囲い体と、この第一の囲い体の周囲に配置される第二の囲い体と、前記第一の囲い体内に配置され前記基板を支持する支持機構と、前記第一の囲い体内に配置され前記基板を真空吸着により保持する保持機構と、前記支持機構で前記基板が支持されている際は前記第一の囲い体と前記第二の囲い体との間の領域から排気する排気機構と、を具備したことを特徴とする現像装置。
- 前記第一の囲い体は上下動自在に構成されていることを特徴とする請求項12又は13記載の現像装置。
- カップ内で基板上の露光済みレジストを現像する装置であって、前記基板の裏面側を支持或いは保持し前記基板及びカップに対して現像液を供給する現像液供給機構を具備したことを特徴とする現像装置。
- 基板上の露光済みレジストを現像する装置であって、前記基板の裏面側に配置され現像液が前記基板裏面の中心部に進入するのを防止する液進入防止機構と、この液進入防止機構に設けられ前記基板を支持する支持機構と、を具備したことを特徴とする現像装置。
- 基板上の露光済みレジストを現像する装置であって、前記基板の裏面側に配置され現像液が前記基板裏面の中心部に進入するのを防止する防止部を備えた液進入防止機構と、この液進入防止機構の前記防止部より前記基板の中心部方向に設けられ前記基板を支持する複数の支持機構と、を具備したことを特徴とする現像装置。
- カップ内にて基板上の露光済みレジストを現像する装置であって、前記基板の裏面側に配置され現像液が前記基板裏面の中心部に進入するのを防止する防止部を備えた液進入防止機構と、この液進入防止機構の前記防止部より前記基板の中心部方向に設けられ前記基板を支持する複数の支持機構と、この支持機構により前記基板が支持され現像処理進行中は前記カップ内からの排気を停止する制御機構と、を具備したことを特徴とする現像装置。
- 基板上の露光済みレジストを現像する装置であって、前記基板の周囲に配置される第一の囲い体と、この第一の囲い体の周囲に配置される第二の囲い体と、前記第一の囲い体内に配置され前記基板を真空吸着により保持する保持機構と、前記第一の囲い体内に配置され且つ前記基板の裏面側に配置され現像液が前記基板裏面の中心部に進入するのを防止する液進入防止機構と、この液進入防止機構に設けられ前記基板を支持する複数の支持機構と、前記第二の囲い体と前記第一の囲い体との間の領域及び前記第一の囲い体内の領域を同時或いは選択的に排気自在に構成された排気機構と、を具備したことを特徴とする現像装置。
- 前記液進入防止機構は上下動自在に構成されていることを特徴とする請求項16,17,18又は19記載の現像装置。
- 基板に処理液を供給して処理を施す方法であって、前記基板の周辺の第一の周辺域から排気する工程と、前記第一の周辺域と前記基板との間の第二の周辺域から排気及び第一の周辺域から排気する工程と、を具備したことを特徴とする液処理方法。
- 温・湿度コントロールされた気体が供給される処理室内に配置されたカップ内で基板に処理液を供給して処理を施す方法であって、前記温・湿度コントロールされた気体の供給を停止せずに前記基板の処理中は前記カップ内からの排気を低下又は停止し、前記カップ外から前記気体を排気することを特徴とする液処理方法。
- 処理室内に配置されたカップ内で基板に処理液を供給して処理を施す装置であって、前記カップの上下動の動作と連動し前記処理室内の気流の流れを変化せしめる気流変動機構を具備したことを特徴とする液処理装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003302071A JP2004072120A (ja) | 2002-07-22 | 2003-07-19 | 現像方法及び現像装置及び液処理方法及び液処理装置 |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002244352 | 2002-07-22 | ||
JP2003302071A JP2004072120A (ja) | 2002-07-22 | 2003-07-19 | 現像方法及び現像装置及び液処理方法及び液処理装置 |
Related Child Applications (4)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004301203A Division JP2005109513A (ja) | 2002-07-22 | 2004-10-15 | 現像方法及び現像装置及び液処理方法及び液処理装置 |
JP2005047256A Division JP3847767B2 (ja) | 2002-07-22 | 2005-02-23 | 基板処理方法及び基板処理装置 |
JP2005177098A Division JP2005340845A (ja) | 2002-07-22 | 2005-06-17 | 基板処理装置及び基板処理方法並びに基板の製造方法 |
JP2006239374A Division JP2007036268A (ja) | 2002-07-22 | 2006-09-04 | 基板処理方法及び基板処理装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004072120A true JP2004072120A (ja) | 2004-03-04 |
JP2004072120A5 JP2004072120A5 (ja) | 2006-08-03 |
Family
ID=32032838
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003302071A Pending JP2004072120A (ja) | 2002-07-22 | 2003-07-19 | 現像方法及び現像装置及び液処理方法及び液処理装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2004072120A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008177436A (ja) * | 2007-01-19 | 2008-07-31 | Tokyo Electron Ltd | 現像処理装置 |
DE102009007260B3 (de) * | 2009-02-03 | 2010-06-10 | Suss Microtec Lithography Gmbh | Vorrichtung zum Beschichten eines Substrats |
JP2013129193A (ja) * | 2011-12-20 | 2013-07-04 | Oce Printing Systems Gmbh | 構成要素から堆積物をクリーニングする装置 |
JP2022020735A (ja) * | 2017-08-10 | 2022-02-01 | 東京エレクトロン株式会社 | 液処理方法 |
Citations (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63111960U (ja) * | 1987-01-13 | 1988-07-19 | ||
JPH04174848A (ja) * | 1990-11-08 | 1992-06-23 | Fujitsu Ltd | レジスト塗布装置 |
JPH0997757A (ja) * | 1995-09-28 | 1997-04-08 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板回転式現像装置 |
JPH09326361A (ja) * | 1996-03-05 | 1997-12-16 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | レジスト現像処理方法 |
JPH10214768A (ja) * | 1997-01-29 | 1998-08-11 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
JPH1187225A (ja) * | 1997-09-12 | 1999-03-30 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
JP2001102298A (ja) * | 1999-07-28 | 2001-04-13 | Tokyo Electron Ltd | 現像装置、液処理装置及び現像方法 |
JP2001104861A (ja) * | 1999-10-05 | 2001-04-17 | Tokyo Electron Ltd | 液処理装置及びその方法 |
JP2001126982A (ja) * | 1999-08-17 | 2001-05-11 | Tokyo Electron Ltd | 液処理装置及びその方法 |
JP3257038B2 (ja) * | 1991-06-04 | 2002-02-18 | ソニー株式会社 | 現像方法及び現像装置 |
JP2002064044A (ja) * | 2000-08-17 | 2002-02-28 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置および基板処理システム |
JP2002118051A (ja) * | 2000-10-10 | 2002-04-19 | Tokyo Electron Ltd | 塗布装置及び塗布方法 |
JP2002151376A (ja) * | 2000-11-07 | 2002-05-24 | Tokyo Electron Ltd | 現像処理方法及び現像処理装置 |
JP2002164410A (ja) * | 2000-09-13 | 2002-06-07 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理装置及び基板処理方法 |
-
2003
- 2003-07-19 JP JP2003302071A patent/JP2004072120A/ja active Pending
Patent Citations (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63111960U (ja) * | 1987-01-13 | 1988-07-19 | ||
JPH04174848A (ja) * | 1990-11-08 | 1992-06-23 | Fujitsu Ltd | レジスト塗布装置 |
JP3257038B2 (ja) * | 1991-06-04 | 2002-02-18 | ソニー株式会社 | 現像方法及び現像装置 |
JPH0997757A (ja) * | 1995-09-28 | 1997-04-08 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板回転式現像装置 |
JPH09326361A (ja) * | 1996-03-05 | 1997-12-16 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | レジスト現像処理方法 |
JPH10214768A (ja) * | 1997-01-29 | 1998-08-11 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
JPH1187225A (ja) * | 1997-09-12 | 1999-03-30 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
JP2001102298A (ja) * | 1999-07-28 | 2001-04-13 | Tokyo Electron Ltd | 現像装置、液処理装置及び現像方法 |
JP2001126982A (ja) * | 1999-08-17 | 2001-05-11 | Tokyo Electron Ltd | 液処理装置及びその方法 |
JP2001104861A (ja) * | 1999-10-05 | 2001-04-17 | Tokyo Electron Ltd | 液処理装置及びその方法 |
JP2002064044A (ja) * | 2000-08-17 | 2002-02-28 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置および基板処理システム |
JP2002164410A (ja) * | 2000-09-13 | 2002-06-07 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理装置及び基板処理方法 |
JP2002118051A (ja) * | 2000-10-10 | 2002-04-19 | Tokyo Electron Ltd | 塗布装置及び塗布方法 |
JP2002151376A (ja) * | 2000-11-07 | 2002-05-24 | Tokyo Electron Ltd | 現像処理方法及び現像処理装置 |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008177436A (ja) * | 2007-01-19 | 2008-07-31 | Tokyo Electron Ltd | 現像処理装置 |
DE102009007260B3 (de) * | 2009-02-03 | 2010-06-10 | Suss Microtec Lithography Gmbh | Vorrichtung zum Beschichten eines Substrats |
JP2013129193A (ja) * | 2011-12-20 | 2013-07-04 | Oce Printing Systems Gmbh | 構成要素から堆積物をクリーニングする装置 |
JP2022020735A (ja) * | 2017-08-10 | 2022-02-01 | 東京エレクトロン株式会社 | 液処理方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7338223B2 (en) | Developing method and apparatus for performing development processing properly and a solution processing method enabling enhanced uniformity in the processing | |
JP3563605B2 (ja) | 処理装置 | |
US8286293B2 (en) | Substrate cleaning device and substrate processing apparatus including the same | |
TWI656570B (zh) | Substrate liquid processing device, substrate liquid processing method, and memory medium | |
JP5616205B2 (ja) | 基板処理システム、基板処理方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体 | |
US7722267B2 (en) | Substrate processing apparatus | |
US7766565B2 (en) | Substrate drying apparatus, substrate cleaning apparatus and substrate processing system | |
JP7197376B2 (ja) | 基板処理方法及び基板処理装置 | |
WO2018030516A1 (ja) | 基板処理装置、基板処理方法および記憶媒体 | |
US7690853B2 (en) | Substrate processing apparatus | |
JP5154102B2 (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
JP2011205004A (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
JP6603487B2 (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
US20080198341A1 (en) | Substrate processing apparatus with integrated cleaning unit | |
JP2007036268A (ja) | 基板処理方法及び基板処理装置 | |
US20080196658A1 (en) | Substrate processing apparatus including a substrate reversing region | |
KR20240027875A (ko) | 기판 처리 장치 및 그 반송 제어 방법 | |
JP2003197718A (ja) | 基板処理装置及び基板処理方法 | |
JP2004072120A (ja) | 現像方法及び現像装置及び液処理方法及び液処理装置 | |
JP2002329661A (ja) | 基板処理装置及び基板処理方法及び基板の製造方法 | |
JP2005340845A (ja) | 基板処理装置及び基板処理方法並びに基板の製造方法 | |
JP6831889B2 (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
JP2005109513A (ja) | 現像方法及び現像装置及び液処理方法及び液処理装置 | |
JP3847767B2 (ja) | 基板処理方法及び基板処理装置 | |
JP2002166217A (ja) | 基板処理装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20031111 |
|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20031006 |
|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20041019 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060620 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20060620 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20071220 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20090205 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20090206 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090303 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090402 |
|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20090611 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20090824 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100326 |
|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712 Effective date: 20100510 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20101109 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20101217 |