JP2001104861A - 液処理装置及びその方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 水平に保持した基板に対し供給ノズルを水平
にスキャンさせて処理液例えば現像液の供給を行い、供
給ノズルの吐出孔と基板表面とが離れた後にプルバック
現象が起きにくい液処理装置を提供すること。 【解決手段】 ウエハ裏面側よりも処理液の付着力が大
きな材料により構成された液切り用のリングを、スピン
チャックにより水平に保持された基板と僅かな隙間を介
してその周囲を囲むように設ける。供給ノズルを基板の
一端側から他端側へ処理液の供給を行いながら移動さ
せ、基板の他端側近傍にて供給ノズルの吐出孔と、前記
液切り用のリングの頂部とを接近させる。このとき表面
張力で繋がった供給ノズルの吐出孔及び基板表面の処理
液が液切り用のリング側へと流れるようにして切り離さ
れるため、余分な処理液が基板表面に戻ることを抑える
ことができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、例えばレジストが
塗布され、露光処理がされた基板の表面に現像液を供給
して現像処理を行う液処理装置及びその方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体ウエハ（以下ウエハという）や液
晶ディスプレイのＬＣＤ基板の表面上に回路パターンを
形成するためのマスクは以下の工程により形成される。
即ち、先ずウエハ表面にフォトレジスト溶液（以下レジ
ストという）の塗布を行い、光等の照射を行う。前記レ
ジストが例えばネガ形ならば光の当った部分が硬化し、
硬化しない部分即ちレジストの溶けやすい部分を現像液
により溶解して目的とするマスクが形成される。現像処
理装置は、半導体ウエハを吸着保持して回転させるスピ
ンチャックとスピンチャック上の半導体ウエハに現像液
を供給する現像液供給ノズルを備えている。

【０００３】従来、上述のような現像工程で用いられる
現像液供給ノズルとしては、図１０(ａ)に示されるウエ
ハＷの直径方向に対応する長さに亘って多数の吐出孔１
１が配列された供給ノズル１２が用いられる。

【０００４】図１０(ｂ)で、この供給ノズル１２による
現像液の吐出について以下に説明する。供給ノズル１２
をウエハＷの中央部にて吐出孔１１がウエハＷの表面か
ら例えば１mm上方になるように位置させ、吐出孔１１か
ら現像液をウエハＷ表面の直径方向中央部に供給しつ
つ、ウエハＷを１８０度回転させる。こうすることで、
ウエハＷの直径方向に亘って中央部から現像液が吐出さ
れながらウエハＷ一円に広げられ液盛りを完了できる。
同時にウエハＷ表面全体に現像液の液膜が所定の厚さで
形成されることになる。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】ところで、従来、線幅
の均一性を確保するために現像液を半導体ウエハ上面一
円に液盛りする工程は、液盛りされた現像液の合計貯溜
時間を極力同一に近づけることが要求される。そのため
に現像液を速やかに半導体ウエハに塗布する必要がある
ため、現像液の供給圧力を高くしている。

【０００６】しかしながら、従来の現像処理方法だと現
像液供給ノズルは均一に吐出させる目的で吐出孔の径が
小さく供給圧力も高く設定してあるために吐出流速が高
くなる。そのために、半導体ウエハ表面への初期吐出時
には半導体ウエハ表面の溶解部分に与える衝撃が強くな
り、線幅の均一性が低下するおそれがある。

【０００７】また、半導体ウエハの供給ノズルに亘る中
央付近は、最初に吐出した現像液と最後に吐出した現像
液が重なる部分が出てくるために新旧の現像液が混じり
合い、より現像が進み中央付近の線幅の均一性が損なわ
れるおそれもある。

【０００８】まして、半導体ウエハを回転させながら現
像液を吐出させるために、現像液の慣性力により現像液
を液盛りした時の液面の浪打ちが発生し、現像液の混じ
り合い方も激しいところとそうでないところが発生し現
像の均一性が悪化してしまうという問題もある。

【０００９】そこで、上述したものと同様の現像液供給
ノズルを使い図１０(ｃ)に示すような塗布手段を用いる
場合が考えられる。図１０(ｃ)は、ウエハＷの周縁外側
に供給ノズル１２を移動させ配置し、この位置より吐出
を行いながら反対側のウエハ周縁外側までの間をさらに
移動させるスキャン方式である。

【００１０】例えばこのようなスキャン方式では、供給
ノズル１２がウエハＷ上方を通過してウエハＷの端部上
方を離れるとき、図１１(ａ)中のＰに示すように吐出孔
１１近傍の現像液は、ウエハＷの表面上に塗布された現
像液と吐出孔１１から供給される現像液とが夫々の表面
張力で繋がったまま引き伸ばされた状態となる。

【００１１】しかし供給ノズル１２の移動により吐出孔
１１と処理液とが離れると、その反動で表面張力により
引き伸ばされていたＰの部分の現像液がウエハＷ表面の
周縁端部へと戻るプルバック現象が起こり、これにより
ウエハＷの周縁部表面には図１１(ｂ)に示すように他の
ウエハＷ表面より多くの現像液が供給されるため、線幅
が不均一になるという問題が生じてしまう。

【００１２】本発明はこのような事情の下になされたも
のであり、基板表面において均一な液処理を行うことの
できる液処理装置及びその方法を提供することを目的と
する。

【００１３】

【課題を解決するための手段】本発明に係る液処理装置
は、基板を水平に保持する基板保持部と、この基板保持
部に保持された基板の一端側から他端側へ移動して基板
表面に処理液に供給を行う供給ノズルと、この供給ノズ
ルが基板の他端側から外方側に離れるときに表面張力に
より基板の他端と供給ノズルとの間に介在している処理
液を基板から切り離して付着するために、僅かな隙間を
介して基板の周囲を囲むように設けられた液切り用のリ
ングと、を備え、前記液切り用のリングは、処理液に対
する付着力が基板よりも大きな材料により構成されたこ
とを特徴とする。

【００１４】従って供給ノズルが他端側から外方側に離
れるときに処理液のプルバック現象の発生を抑えられる
ので、基板表面全体に亘って均一な液処理を行うことが
できる。

【００１５】前記液処理装置は、前記供給ノズルと基板
及び／または前記液切り用のリングとを相対的に昇降さ
せるための昇降機構と、供給ノズルが基板の他端側から
離れるときに基板表面及び／または前記液切り用のリン
グ頂部に対する当該供給ノズルの相対高さを低くしてい
きながら移動するように制御する制御部とを備えた構成
としてもよい。また供給ノズルは、例えば基板の有効領
域の幅とほぼ同じかそれ以上の長さに亘って吐出孔が配
列され、基板の一端側から他端側へと移動して基板表面
に処理液の供給を行うように構成される。液切り用のリ
ングは、例えば基板保持部に保持された基板を囲み、基
板に対して昇降自在に設けられたカップに設けられる。

【００１６】また本発明に係る液処理方法は、基板保持
部に基板を保持する工程と、供給ノズルを前記基板の一
端側から他端側へ移動しながら供給ノズルから基板表面
に処理液を供給する工程と、供給ノズルが基板の他端側
から外方側に離れるときに、僅かな隙間を介して基板を
囲むように設けられた液切り用のリングと基板の他端と
供給ノズルとの間に、表面張力により処理液が介在する
工程と、その後供給ノズルが更に外方側に移動したとき
に、前記処理液が基板の他端から離れて液切り用のリン
グに付着する工程と、を含むことを特徴とする。

【００１７】

【発明の実施の形態】図１及び図２は本発明に係る液処
理装置を現像装置に適用した実施の形態を示す概略図で
ある。２は基板であるウエハＷの裏面中心部を真空吸着
し、水平に保持する基板保持部をなすスピンチャックで
ある。このスピンチャックは駆動部２０により回転及び
昇降できるように構成されている。

【００１８】ウエハＷがスピンチャック２に吸着保持さ
れた状態において、ウエハＷの側方を囲むようにしてカ
ップ３が設けられており、カップ３は各々上下可動な外
カップ３１と内カップ３２とからなる。内カップ３２は
円筒の上部側が上方内側に傾斜し、上部側開口部が下部
側開口部より狭くなるように形成されており、昇降部３
０により外カップ３１が上昇すると外カップ３１の移動
範囲の一部において連動して昇降するように構成されて
いる。

【００１９】内カップ３２上端部には、上方内側に傾斜
しその先端（上端）が細くなるように形成されたナイフ
リング４が設けられている。これは後述する供給ノズル
からウエハＷ表面へと供給される処理液が、ウエハＷの
周縁端部にてウエハＷ裏面に回り込むことを防止し、内
カップ３２を伝って下方側へと滴下するように導くため
のものであり、このため内カップ３２が下降状態にある
とき、ナイフリング４の上端部はウエハＷ外縁と僅かな
隙間を介してその周囲を囲むように位置決めされる。ま
た上述の理由により、ナイフリング４の材質には処理液
例えば現像液に対するウエハＷ裏面の付着力よりも付着
力が大きいこと、一定の耐薬性を有すること及びリング
状の加工が施せるもの、といった条件を満たすことが要
求される。このナイフリング４の材料には例えばアルミ
ナ（Ａｌ2Ｏ3）が用いられ、その位置は内カップ３２が
下降状態にあるときに図５（ａ）に示すように、例えば
上端部とウエハＷ表面との距離ａ１が１ｍｍ、内側先端
とウエハＷ外縁との距離ａ２が３ｍｍとなるように設定
される。

【００２０】カップ３の下部側はスピンチャック２の周
囲を囲む円板３３と、円板３３の周り全周に亘って凹部
を形成し、底面に排液口３４が形成されている液受け部
３５とにより構成されている。この液受け部３５の側面
より僅かに内側に外カップ３１（及び内カップ３２）が
収まっており、前記凹部とカップ３とによりウエハＷの
上方レベル及び下方レベルに跨ってウエハＷの側方を囲
っている。また円板３３周縁部には上端がウエハＷ裏面
に接近する断面山形のリング体３６が設けられている。

【００２１】次にカップ３の外側について説明する。図
１にも示すように外カップ３１の外側には例えば上部側
カップ３１ａの一辺と平行になるようにＸ方向に延びる
ガイドレール５が設けられている。図１で示す状態で
は、ガイドレール５の一端側には供給ノズルを移動させ
る第１の移動機構６が、他端側には洗浄ノズル５０を移
動させる第２の移動機構５１が夫々位置しており、これ
ら移動機構６，５１がガイドレール５に案内されてウエ
ハＷの上方を移動できるように構成されている。また図
１において第１の移動機構６及び第２の移動機構５１が
夫々示されている位置は、非作業時における第１の移動
機構６及び第２の移動機構５１の待機部５２，５３であ
り例えば上下可動の板状体により構成されている。

【００２２】第１の移動機構６について図３を用いて説
明すると、Ｙ方向に配列される多数の処理液の吐出孔７
１を有する供給ノズル７を吊下げ支持するアーム部６１
が、移動部であるベース部６２を介して第１のガイドレ
ール５に沿って移動できる構成となっている。前記供給
ノズル７は例えばウエハＷの有効領域（デバイスの形成
領域）の幅と同じかそれ以上の長さに亘って吐出孔７１
が配列されていることが必要であり、この例ではウエハ
Ｗの直径より僅かに大きく、前記ナイフリング４の内側
先端部上方付近までをカバーするように配列されてい
る。ベース部６２は例えばボールネジ機構６３などによ
り構成される昇降機構６４を有しており、例えばモータ
などの図示しない動力源からの駆動力によりアーム部６
１をＺ方向へ移動（上下）させることができる。前記供
給ノズル７はアーム部６１の先端側の回転軸部６５にて
吊下げ支持されており、この回転軸部６５は図示しない
駆動機構により左右に回転できるように構成されている
ため、供給ノズル７から処理液が吐出される方向を下方
垂直方向を中心にＸ方向前後に傾けることができる。

【００２３】これまで述べてきた駆動部２０、昇降部３
０、第１の移動機構６及び第２の移動機構５１は夫々制
御部８と接続されており、例えば駆動部２０によるスピ
ンチャック２の昇降に応じて第１の移動機構６による処
理液の供給（スキャン）を行うように、各部を連動させ
たコントロールを可能としている。またカップ３、第１
の移動機構６及び第２の移動機構５１は箱状の筐体８１
により囲まれた一ユニットとして形成されており、図示
しない搬送アームによりウエハＷの受け渡しがなされ
る。これについては後述する。

【００２４】次に本実施の形態における作用について説
明する。先ずスピンチャック２がカップ３の上方まで上
昇し、既に前工程でレジストが塗布され、露光処理され
たウエハＷが図示しない搬送アームからスピンチャック
２に受け渡される。そしてウエハＷが図１実線で示す所
定の位置に来るようにスピンチャック２が下降する。な
おこのとき外カップ３１及び内カップ３２は共に下降し
た状態である。

【００２５】続いて第１の移動機構６が外カップ３１の
外側基準位置からガイドレール５に沿って上部側カップ
３１ａとウエハＷ周縁との間に対応する位置まで案内さ
れ、続いてその位置からウエハＷの周縁外側の待機位置
まで下降する。このとき供給ノズル７の位置（高さ）は
ウエハＷに対して現像液の供給を行う高さにセットされ
るため、吐出孔７１はウエハＷ表面レベルよりも例えば
１ｍｍ程度高い位置に置かれる（図４(ａ)）。

【００２６】ここで図示しない駆動機構により回転軸部
６５を回転させ、図４(ｂ)に示すように進行方向と逆方
向へ吐出孔７１が向くように角度θ１例えば１０度供給
ノズル７を傾けて、現像液の吐出及び供給ノズル７のス
キャンを開始する。こうしてウエハＷの一端側から他端
側へと移動して（図５中右から左へ移動して）ウエハＷ
の表面には例えば１．２ｍｍの高さの液膜が形成され
る。このとき供給ノズル７の移動は、当該供給ノズル７
の吐出孔７１が配列されている吐出領域の中心がウエハ
Ｗの中心上方を通過するようにして行われ、例えば約２
５０ｍｍ／ｓｅｃのスキャンスピードで行われる。

【００２７】そして供給ノズル７がウエハＷの周縁端部
に近づくと、制御部８は回転軸部６５をスキャン開始時
とは逆に角度θ１回転させる信号を送信し、図４(ｃ)に
示すようにＣ１の位置にて吐出孔７１の吐出方向を図４
(ｂ)で傾ける以前の垂直下方側へ向くように戻す。同時
に供給ノズル７のスキャンスピードを例えば１０ｍｍ／
ｓｅｃ程度に落とす。

【００２８】ここで供給ノズル７のスキャンを行いなが
ら昇降機構６４によりアーム部６１を下降をさせ、図５
(ａ)に示す矢印の方向へ例えば水平方向から見て角度θ
２斜め下の方向に向けて供給ノズル７が移動するように
制御する。この角度θ２は供給ノズル７が、その移動に
より吐出孔７１とナイフリング４の先端が接触せず且つ
例えば１ｍｍ程度の位置まで接近してすれ違うことがで
きるように決定する。

【００２９】供給ノズル７の下降を開始してからも現像
液の供給は続いており、この吐出孔７１から供給される
現像液とウエハＷ表面に供給された供給液は図５(ｂ)の
ｂ１に示すように現像液の表面張力で繋がった状態とな
っている。ここで既述のようにナイフリング４は現像液
に対するウエハＷ裏面の付着力よりも大きな付着力を持
つ材料で作られているので、ナイフリング４と吐出孔７
１とが接近することで吐出孔７１から吐出される現像液
がナイフリング４の先端に付くと、吐出孔７１とウエハ
Ｗ表面とを繋いでいる部分の現像液がナイフリング４側
へと引き寄せられる。

【００３０】そして図６(ａ)に示すように吐出孔７１と
ナイフリング４の先端とが極めて接近した状態で相対的
にすれ違うため、吐出孔７１から滴下する現像液がナイ
フリング４により切り取られるような状態となり、吐出
孔７１を離れた現像液はナイフリング４の内側から、ま
た残りの現像液についてはナイフリング４の外側から、
夫々内リング３２を伝って下方側へと流れて液受け部３
５へと貯溜され、これらの現像液は排液口３４から図示
しないドレインラインを通って排出される。

【００３１】なお図６(ａ)の状態において吐出孔７１と
離れたウエハＷ側の現像液は僅かにウエハＷ上の液膜へ
と戻るものの、上述のようにして余分な現像液のほとん
どがナイフリング４側へと流れているため、現像結果に
影響を与えるほどの量ではなく、従ってウエハＷの裏面
側へと流れることもない。

【００３２】そして内カップ３２上方にて供給ノズル７
のスキャン及び現像液の供給を停止する。ここでウエハ
Ｗへの現像液の複数回吐出が必要な場合には、前記停止
位置にて、図４(ａ)で示したように供給ノズル７をスキ
ャンさせる高さ例えばウエハＷ表面から１ｍｍ上方まで
上昇させ、前回とは逆の方向にＰ度傾け、しかる後前回
スキャンしたルートを戻るように例えば現像液の供給を
行う。

【００３３】現像液の塗布終了後、ウエハＷの静止現像
が行われる。そして第１の移動機構６は基準位置である
待機部５２へと戻り、この第１の移動機構６と入れ替わ
って待機部５３から第２の移動機構５１がウエハＷ側へ
と移動する。そして、ウエハＷの中央上方に洗浄ノズル
５０の吐出部が位置するように位置決めすると共にスピ
ンチャック２が回転し、洗浄ノズル５０から洗浄液例え
ば純水がウエハＷ中心部に供給されてウエハＷの遠心力
によりウエハＷの中心部から周縁部へ広がり、現像液が
洗い流される。その後このウエハＷはスピン乾燥などの
工程を経て現像処理が終了する。

【００３４】これまで述べてきたように、本発明に係る
実施の形態ではスピンチャック２により保持されたウエ
ハＷの周囲を僅かな隙間を介して囲むナイフリング４を
設け、ウエハＷの一端側から他端側へスキャンして現像
液の供給を行う供給ノズル７がウエハＷの端部を離れる
際に、当該供給ノズル７の吐出孔７１と前記ナイフリン
グ４の先端とが僅かな隙間を介して相対的にすれ違い、
表面張力で繋がっている吐出孔７１及びウエハＷ表面上
の現像液を人為的に切り離しているので、従来のように
吐出孔７１を離れた現像液がその表面張力によりウエハ
Ｗ上へ戻るプルバック現象の発生を抑えられる。

【００３５】またナイフリング４の材料には、ウエハＷ
裏面よりも大きな表面張力を有するもの例えばアルミナ
が用いられており、これによりウエハＷ上に供給する必
要のない余分な現像液をナイフリング４側へと引き付け
ることができ、なお一層プルバック現象の発生を抑える
ことができる。従って吐出孔７１から切り離された現像
液のうちウエハＷ側へ向う現像液の量が少なくなるの
で、仮にウエハＷ外周に前記現像液が付着したとしても
ウエハＷ裏面側へ当該現像液が回り込む量も減少し、従
ってウエハＷ周縁部表面上の膜厚が安定するので均一な
パターンの線幅が得られる。

【００３６】更にナイフリング４の先端部の高さはウエ
ハＷの表面よりも僅かに低くなるように設定してあり、
供給ノズル７は吐出孔７１がこのナイフリング４先端部
とすれ違って現像液を切り離せるように進行方向斜め下
の方向へスライドするので、従来ならばウエハＷ表面へ
プルバックしてしまう余分な現像液をナイフリング４側
へと導くことができる。

【００３７】更にまたナイフリング４は内カップ３２の
上端部に設けられ、スピンチャック２により保持された
ウエハＷの周り全周を囲っているので、供給ノズル７の
スキャン時に吐出孔７１の左右端からウエハＷの外側領
域に余分な現像液が供給されたとしても、ナイフリング
４の表面張力により当該現像液を内カップ３２側へと導
き、ウエハＷ外縁に供給される現像液の量を減らすこと
ができる。

【００３８】ここで図７は本発明に係る他の実施の形態
を示したものであり、これは前記実施の形態で図４(c)
にて供給ノズルを垂直にするまで平行にスキャンしてい
たものを、Ｃ１の地点よりも手前の地点Ｃ０から供給ノ
ズル７が水平面に対して角度θ３下方側にスライドする
ようにしてスキャンを行うものである。図７ではＣ１か
ら供給ノズル７を更に角度θ４下方側にスライドさせる
例を示したが、ナイフリング４先端の位置を高くしてＣ
０から角度θ３のまま下降するようにしてナイフリング
４とすれ違い、吐出孔７１から現像液を切り離すように
してもよい。

【００３９】なお本実施の形態においてナイフリングの
材料にアルミナを挙げたが、アルミナ同様に現像液の付
着力がＰＣＴＦＥ（テフロン樹脂またはその他接触角の
高い樹脂材料）以上である材料として、例えばステンレ
スを用いることも可能である。

【００４０】なお本実施の形態に係る液処理装置は、現
像処理に限らずレジストの塗布処理、洗浄処理に適用し
てもよい。

【００４１】次に上述の現像装置をユニットに組み込ん
だ塗布・現像装置の一例の概略について図８及び図９を
参照しながら説明する。図８及び図９中、９はウエハカ
セットを搬入出するための搬入出ステ−ジであり、例え
ば２５枚収納されたカセットＣが例えば自動搬送ロボッ
トにより載置される。搬入出ステ−ジ９に臨む領域には
ウエハＷの受け渡しア−ム９０がＸ，Ｚ，Ｙ方向および
θ回転（鉛直軸回りの回転）自在に設けられている。更
にこの受け渡しア−ム９０の奥側には、例えば搬入出ス
テ−ジ９から奥を見て例えば右側には塗布・現像系のユ
ニットｕ１（塗布ユニット９２，現像ユニット９１）
が、左側、手前側、奥側には各々のユニットが多段に重
ねられ構成された加熱・冷却系のユニットｕ２，ｕ３，
ｕ４が夫々配置されている。また、塗布ユニット９２，
現像ユニット９１と加熱・冷却系ユニットとの間でウエ
ハＷの受け渡しを行うための、例えば昇降自在、左右、
前後に移動自在かつ鉛直軸まわりに回転自在に構成され
たウエハ搬送ア−ムＭＡが設けられている。但し図８で
は便宜上ユニットｕ２及びウエハ搬送ア−ムＭＡは描い
ていない。

【００４２】塗布・現像系のユニットにおいては、例え
ば上段に２個の上述の現像装置を備えた供えた現像ユニ
ット９１が、下段に２個の塗布ユニット９２が設けられ
ている。例えば加熱・冷却系のユニットにおいては、加
熱ユニットや冷却ユニット、疎水化処理ユニット等がユ
ニットＵ２，Ｕ３，Ｕ４の中に７段の棚状に収納配置さ
れた構造となっている。

【００４３】塗布・現像系ユニットや加熱・冷却系ユニ
ットを含む上述の部分をプロセスステーションブロック
と呼ぶことにすると、このプロセスステーションブロッ
クの奥側にはインタ−フェイスブロック１００を介して
露光装置１０１が接続されている。インタ−フェイスブ
ロック１００は例えば昇降自在、左右、前後に移動自在
かつ鉛直軸まわりに回転自在に構成されたウエハ搬送ア
−ム１０２により露光装置１０１の間でウエハＷの受け
渡しを行うものである。

【００４４】この装置のウエハの流れについて説明する
と、先ず外部からウエハＷが収納されたウエハカセット
Ｃが前記搬入出ステ−ジ９に搬入され、ウエハ搬送ア−
ム９０によりカセットＣ内からウエハＷが取り出され、
既述の加熱・冷却ユニットＵ３の棚の一つである受け渡
し台を介してウエハ搬送ア−ムＭＡに受け渡される。次
いでユニットＵ３の一の棚の処理部内にて疎水化処理が
行われた後、塗布ユニット９２にてレジスト液が塗布さ
れ、レジスト膜が形成される。レジスト膜が塗布された
ウエハＷは加熱ユニットで加熱された後、ユニットＵ４
のインターフェースブロック１００のウエハ搬送アーム
１０２と受渡し可能な冷却ユニットに搬送され、処理後
にインタ−フェイスブロック１００，ウエハ搬送アーム
１０２を介して露光装置１０１に送られ、ここでパタ−
ンに対応するマスクを介して露光が行われる。露光処理
後のウエハをウエハ搬送アーム１０２で受け取り、ユニ
ットＵ４の受け渡しユニットを介してプロセスステーシ
ョンブロックのウエハ搬送アームＭＡに渡す。

【００４５】この後ウエハＷは加熱ユニットで所定温度
に加熱され、しかる後冷却ユニットで所定温度に冷却さ
れ、続いて現像ユニット９１に送られて現像処理され、
レジストマスクが形成される。しかる後ウエハＷは搬入
出ステ−ジ９上のカセットＣ内に戻される。

【００４６】

【発明の効果】以上のように本発明によれば、ウエハ周
縁部におけるプルバック現象の発生を抑えられるので、
基板表面上に過剰な処理液が供給されるおそれが減少
し、均一性の高い液処理が行える。またウエハ周縁部に
供給された処理液が裏側へ回り込むことも抑えられる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る液処理装置の実施の形態を表す平
面図である。

【図２】本発明に係る液処理装置の実施の形態を表す断
面図である。

【図３】前記液処理装置の供給部を示す側面図である。

【図４】前記液処理装置の作用について示した説明図で
ある。

【図５】前記液処理装置の作用について示した説明図で
ある。

【図６】前記液処理装置の作用について示した説明図で
ある。

【図７】本発明に係る液処理装置の他の実施の形態によ
る作用について示した説明図である。

【図８】前記液処理装置を組み込んだ塗布・現像装置の
一例を示す斜視図である。

【図９】前記液処理装置を組み込んだ塗布・現像装置の
一例を示す平面図である。

【図１０】従来の液処理装置の一例を表す説明図であ
る。

【図１１】従来の液処理装置により基板上に形成される
液膜の様子を表す説明図である。

【符号の説明】

Ｗ ウエハ ２ スピンチャック ３ カップ ３１ 外カップ ３２ 内カップ ４ ナイフリング ５ ガイドレール ６ 第１の移動機構 ６２ ベース部 ６４ 昇降機構 ６５ 回転軸部 ７ 供給ノズル ７１ 吐出孔 ８ 制御部 ８１ 筐体

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 2H096 AA25 AA27 GA02 GA21 4D075 AC64 AC84 DA08 DC21 EA45 4F042 AA07 EB07 EB18 EB19 5F046 LA04 LA14

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基板を水平に保持する基板保持部と、 この基板保持部に保持された基板の一端側から他端側へ
   移動して基板表面に処理液の供給を行う供給ノズルと、 この供給ノズルが基板の他端側から外方側に離れるとき
   に表面張力により基板の他端と供給ノズルとの間に介在
   している処理液を基板から切り離して付着するために、
   僅かな隙間を介して基板の周囲を囲むように設けられた
   液切り用のリングと、を備え、 前記液切り用のリングは、処理液に対する付着力が基板
   よりも大きな材料により構成されたことを特徴とする液
   処理装置。
2. 【請求項２】 前記供給ノズルと基板及び／または前記
   液切り用のリングとを相対的に昇降させるための昇降機
   構と、供給ノズルが基板の他端側から離れるときに基板
   表面及び／または前記液切り用のリング頂部に対する当
   該供給ノズルの相対高さを低くしていきながら移動する
   ように制御する制御部とを備えることを特徴とする請求
   項１記載の液処理装置。
3. 【請求項３】 供給ノズルは、基板の有効領域の幅とほ
   ぼ同じかそれ以上の長さに亘って吐出孔が配列され、基
   板の一端側から他端側へと移動して基板表面に処理液の
   供給を行うことを特徴とする請求項１または２記載の液
   処理装置。
4. 【請求項４】 液切り用のリングは、基板保持部に保持
   された基板を囲み、基板に対して昇降自在に設けられた
   カップに設けられていることを特徴とする請求項１、２
   または３記載の液処理装置。
5. 【請求項５】 基板保持部に基板を保持する工程と、 供給ノズルを前記基板の一端側から他端側へ移動しなが
   ら供給ノズルから基板表面に処理液を供給する工程と、 供給ノズルが基板の他端側から外方側に離れるときに、
   僅かな隙間を介して基板を囲むように設けられた液切り
   用のリングと基板の他端と供給ノズルとの間に、表面張
   力により処理液が介在する工程と、 その後供給ノズルが更に外方側に移動したときに、前記
   処理液が基板の他端から離れて液切り用のリングに付着
   する工程と、を含むことを特徴とする液処理方法。