TWI656570B - Substrate liquid processing device, substrate liquid processing method, and memory medium - Google Patents

Substrate liquid processing device, substrate liquid processing method, and memory medium Download PDF

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Abstract

基板中心部不曝露於周圍氛圍，從一噴嘴所吐出的處理液從另一噴嘴吐出，將在基板表面朝向基板周緣部之處理液的流動堵住或不會朝向基板中心部推回。
基板液處理方法，係包含有：(a)使基板(W)繞垂直軸周圍旋轉；(b)一面從第1噴嘴(411)對基板的中心部供給處理液，一面從第2噴嘴(412)對基板供給處理液，此時，使從第2噴嘴所供給之處理液的著液點從基板之中心部往周緣部連續地移動；及(c)在上述(b)後，一面從第1噴嘴對基板的中心部繼續供給處理液，一面停止來自第2噴嘴之處理液的供給，使第2噴嘴移動至可對基板之中心部供給處理液的位置。

Description

基板液處理裝置、基板液處理方法及記憶媒體
本發明，係關於一面從噴嘴對旋轉之基板供給處理液，一面對該基板施加液處理的技術。
半導體裝置之製造工程，係包含有如下述之工程：使用光微影技術，在半導體晶圓等之基板的表面形成電路圖案。當以光阻作為遮罩而進行乾蝕刻時，則由於被稱為聚合物之反應生成物會不可避免地附著於基板的表面，因此，在下個工程去除該聚合物。
聚合物去除處理，係藉由例如下述方式來進行：一面使基板繞垂直方向軸線旋轉，一面對基板的中心部供給聚合物去除液。聚合物去除液，係於加熱後的狀態下進行供給，以提高反應性。聚合物去除液的溫度，係在從基板之中心部流過周緣部的過程下，因熱量被基板奪走而下降。又，由於基板的周緣部，係周邊速率高，因此，容易冷卻。因此，與基板之中心部相比，周緣部，係直至去除聚合物為止較耗費時間。
為了提升基板之面內之熱條件的均勻性，以 使聚合物去除液之著液點在基板的中心部與周緣部之間移動的方式，進行使吐出聚合物去除液之噴嘴移動的掃描吐出。但是，當進行該掃描吐出時，存在有噴嘴位於基板周緣部的上方時，基板中心部不會被聚合物去除液覆蓋而曝露於基板周圍氛圍(大氣環境)的情形，在該情況下，容易在基板之表面產生微粒等的缺陷。
專利文獻1，係揭示有將2個噴嘴設置於1個噴嘴臂的基板處理裝置。藉由使噴嘴臂旋轉的方式，該些2個噴嘴，係於俯視時，沿著通過基板之中心的圓弧軌道移動。2個噴嘴，係隔開基板之直徑之1/3左右的距離而安裝於噴嘴臂。專利文獻1，係記載有：一面從兩者之噴嘴吐出處理液，一面使該些2個噴嘴移動，藉此，可均勻地處理基板表面的整個區域，且可防止基板中心部曝露於基板周圍氛圍。
但是，專利文獻1的裝置，係產生如下述之狀況：從位於周緣部側之噴嘴所吐出的處理液會從位於中心部側的噴嘴被吐出，在基板表面，因離心力而阻礙朝向基板周緣部之處理液的流動。在像這樣的狀況下，由於藉由處理液從基板去除而流向周緣部側的物質會返回或停滯於中心部側，因此，不會被排出至外部而容易再附著於基板。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2007-088381號公報
本發明，係以提供一種液處理技術為目的，該液處理技術，係基板中心部不會曝露於基板周圍氛圍，且從位於周緣部側之噴嘴所吐出的處理液會從位於中心部側的噴嘴被吐出，在基板表面，不會阻礙朝向基板周緣部之處理液的流動。
根據本發明之一實施形態，提供一種基板液處理裝置，其特徵係，具備有：基板保持部，保持基板；旋轉驅動部，使前述基板保持部繞垂直軸周圍旋轉；第1噴嘴，對藉由前述基板保持部所保持之前述基板的至少中心部供給處理液；第2噴嘴，對藉由前述基板保持部所保持之前述基板供給前述處理液；第1處理液供給部，對前述第1噴嘴供給前述處理液；第2處理液供給部，對前述第2噴嘴供給前述處理液；第2噴嘴移動機構，使前述第2噴嘴在前述基板的中心部與周緣部之間移動；及控制部，至少控制前述第1處理液供給部、前述第2處理液供給部及前述第2噴嘴移動機構的動作，前述控制部，係在使處理液從前述第1噴嘴供給至前述基板的中心部時，使前述第2噴嘴從前述基板的中心部朝向周緣部移動，並且 使前述處理液從前述第2噴嘴供給，其後，於從前述第1噴嘴供給了處理液的狀態下，使來自前述第2噴嘴之前述處理液的吐出停止，並且使前述第2噴嘴從前述基板的周緣部朝向中心部移動，其後，於從前述第1噴嘴供給了處理液的狀態下，使前述處理液從前述第2噴嘴開始供給至前述基板。
根據本發明之另一實施形態，提供一種基板處理裝置中之基板液處理方法，該基板處理裝置，係具備有：基板保持部，保持基板；旋轉驅動部，使前述基板保持部繞垂直軸周圍旋轉；第1噴嘴，對藉由前述基板保持部所保持之前述基板的至少中心部供給處理液；第2噴嘴，對藉由前述基板保持部所保持之前述基板供給前述處理液；第1處理液供給部，對前述第1噴嘴供給前述處理液；第2處理液供給部，對前述第2噴嘴供給前述處理液；及第2噴嘴移動機構，使前述第2噴嘴在前述基板的中心部與周緣部之間移動，該基板液處理方法，其特徵係，具備有：(a)使基板繞垂直軸周圍旋轉；(b)一面從第1噴嘴對旋轉之前述基板的中心部供給處理液，一面從第2噴嘴對旋轉之前述基板供給處理液，此時，使從前述第2噴嘴所供給之處理液的著液點從前述基板之中心部朝向前述基板的周緣部移動；(c)在前述(b)後，一面從前述第1噴嘴對旋轉之前述基板的中心部繼續供給處理液，一面停止來自前述第2噴嘴之處理液的供給，使前述第2噴嘴朝向前述旋轉之基板的中心部移動；及(d)在前述(c)後，從 前述第2噴嘴對旋轉之前述基板供給處理液。
根據本發明之又另一實施形態，提供一種記憶媒體，其特徵係，記錄有程式，該程式，係在被用以控制基板液處理裝置之動作的電腦所執行時，使前述電腦控制前述基板液處理裝置而執行上述基板液處理方法。
根據上述本發明之實施形態，在一方之噴嘴對基板的中心部供給處理液時，使從另一方之噴嘴所吐出之處理液的著液點從基板之中心部朝向周緣部移動，而不使其往其反方向移動。因此，從上述一方的噴嘴所吐出而在基板表面朝向基板周緣部之處理液的流動藉由從另一方之噴嘴所吐出的處理液堵住或不會朝向基板中心部推回。
W‧‧‧基板(半導體)
4‧‧‧控制部(控制裝置)
31‧‧‧基板保持部
33‧‧‧旋轉驅動部
41，414‧‧‧第1噴嘴移動機構(噴嘴臂及臂驅動機構)
42，424‧‧‧第1噴嘴移動機構(噴嘴臂及臂驅動機構)
411‧‧‧第1噴嘴(第1處理液噴嘴)
421‧‧‧第2噴嘴(第2處理液噴嘴)
711‧‧‧第1處理液供給部(處理液供給部)
721‧‧‧第2處理液供給部(處理液供給部)
[圖1]表示本發明之一實施形態之基板處理系統之概略構成的平面圖。
[圖2]表示包含於上述基板處理系統之處理單元的概略平面圖。
[圖3]前述處理單元的概略縱剖面圖。
[圖4]用以說明在聚合物去除工程中之處理液噴嘴之動作的說明圖。
[圖5]用以說明在聚合物去除工程中之處理液噴嘴之 動作的時序圖。
[圖6]用以說明在聚合物去除工程中之處理液噴嘴之其他動作的時序圖。
圖1，係表示本實施形態之基板處理系統之概略構成的圖。以下，係為了明確位置關係，而規定彼此正交的X軸、Y軸及Z軸，並將Z軸正方向設成為垂直向上方向。
如圖1所示，基板處理系統1，係具備有搬入搬出站2與處理站3。搬入搬出站2與處理站3，係鄰接設置。
搬入搬出站2，係具備有載體載置部11與搬送部12。在載體載置部11，係載置有以水平狀態收容複數片晶圓W的複數個載體C。
搬送部12，係鄰接設置於載體載置部11，在內部具備有基板搬送裝置13與收授部14。基板搬送裝置13，係具備有保持晶圓W的基板保持機構。又，基板搬送裝置13，係可朝向水平方向及垂直方向移動及以垂直軸為中心旋轉，並使用基板保持機構，在載體C與收授部14之間進行晶圓W的搬送。
處理站3，係鄰接設置於搬送部12。處理站3，係具備有搬送部15與複數個處理單元16。複數個處理單元16，係並排設置於搬送部15的兩側。
搬送部15，係在內部具備有基板搬送裝置17。基板搬送裝置17，係具備有保持晶圓W的基板保持機構。又，基板搬送裝置17，係可朝向水平方向及垂直方向移動及以垂直軸為中心旋轉，並使用基板保持機構，在收授部14與處理單元16之間進行晶圓W的搬送。
處理單元16，係對藉由基板搬送裝置17所搬送的晶圓W進行預定之基板處理。
又，基板處理系統1，係具備有控制裝置4。控制裝置4，係例如電腦，具備有控制部18與記憶部19。在記憶部19，係儲存有控制在基板處理系統1所執行之各種處理的程式。控制部18，係藉由讀出並執行記憶於記憶部19之程式的方式，控制基板處理系統1的動作。
另外，該程式，係亦可為記錄於可藉由電腦讀取的記憶媒體者，且亦可為從該記憶媒體安裝於控制裝置4的記憶部19者。作為可藉由電腦讀取之記憶媒體，係有例如硬碟(HD)、軟碟片(FD)、光碟(CD)、磁光碟(MO)、記憶卡等。
如上述般所構成的基板處理系統1，係首先，搬入搬出站2之基板搬送裝置13從載置於載體載置部11的載體C取出晶圓W，並將取出的晶圓W載置於收授部14。載置於收授部14的晶圓W，係藉由處理站3的基板搬送裝置17，從收授部14被取出，而搬入至處理單元16。
搬入至處理單元16的晶圓W，係在藉由處理單元16進行處理後，藉由基板搬送裝置17，從處理單元16被搬出，而載置於收授部14。而且，載置於收授部14之處理完畢的晶圓W，係藉由基板搬送裝置13返回到載體載置部11的載體C。
其次，參閱圖2及圖3，說明關於處理單元16的概略構成。
處理單元16，係具有腔室(處理單元殼體)20，在該腔室20內，係設置有基板保持機構30、處理流體供給部40及罩杯50。
基板保持機構30，係具備有基板保持部31、旋轉軸32及旋轉驅動部33。基板保持部31，係可水平地保持晶圓W。旋轉驅動部33，係經由旋轉軸32使基板保持部31旋轉，藉此，使保持於基板保持部31的晶圓W繞垂直方向軸線旋轉。
處理流體供給部40，係具有第1噴嘴臂41(第1噴嘴移動機構)與第2噴嘴臂42(第2噴嘴移動機構)。
在第1噴嘴臂41的前端部，係設置有：第1處理液噴嘴411，吐出作為處理液的聚合物去除液(藥液)；沖洗噴嘴412，吐出作為沖洗液的DIW(純水)；及溶劑噴嘴413。溶劑噴嘴413，係吐出DIW與具有相溶性而表面張力低於DIW且較DIW高揮發性的有機溶劑，在此為IPA(異丙醇)。
在第2噴嘴臂42的前端部，係設置有：第2 處理液噴嘴421，吐出作為處理液的聚合物去除液(與第1處理液噴嘴421吐出的聚合物去除液相同者)；及乾燥氣體噴嘴422。乾燥氣體噴嘴422，係吐出較無塵室內之空氣低濕度的氣體(較佳，係較無塵室內之空氣低濕度且低氧氣濃度的氣體)，在此為氮氣。
第1噴嘴臂41，係可藉由臂驅動機構414繞垂直方向軸線旋轉(圖2之箭頭M1)，又可沿垂直方向升降。藉由使第1噴嘴臂41旋轉的方式，可使設置於第1噴嘴臂41的噴嘴411，412，413位於晶圓W中心部之上方的位置(或晶圓W中心之正上方的位置)與晶圓W周緣部之上方的位置之間的任意位置。
第2噴嘴臂42，係可藉由臂驅動機構424繞垂直方向軸線旋轉(圖2之箭頭M2)，又可沿垂直方向升降。藉由使第2噴嘴臂42旋轉的方式，可使設置於第2噴嘴臂42的噴嘴421，422位於晶圓W中心部之上方的位置(或晶圓W中心之正上方的位置)與晶圓W周緣部之上方的位置之間的任意位置。
第1、第2噴嘴臂41，42，係不限於如上述之擺動動作(旋轉運動)類型者，亦可為使噴嘴沿水平方向直線地平移運動的線性動作(直動)類型者。
液承接杯50，係包圍基板保持機構30，在從噴嘴411，412，413，421供給至旋轉的晶圓W後，回收從晶圓W甩脫的液體。
在各噴嘴(411，412，413，421，422)中，係 從對應之處理流體供給部(第1處理液供給部711、沖洗液供給部712、溶劑供給部713、第2處理液供給部721、乾燥氣體供給部722)供給有處理流體(液體或氣體)。雖省略圖示，但各處理流體供給部，係由處理流體供給源、處理流體管線及流量調整機器所構成，該處理流體供給源，係由儲槽、鋼瓶、工廠用供給源等所構成，處理流體管線，係連接處理流體供給源與對應的噴嘴，該流量調整機器，係介設於處理流體管線的開關閥、流量調節閥等。
另外，由於聚合物去除液，係於加熱後的狀態下被供給至晶圓W，因此，在第1及第2處理液噴嘴411，421用之處理液供給部711、712及對應的處理流體管線，係設置有加熱器或保溫材料(皆未圖示)等。
其次，除了圖2、圖3以外，另參閱圖4、圖5，說明關於處理單元16的動作。以下說明之處理單元16的動作，係藉由一面參閱儲存於記憶部19(參閱圖1)的製程配方，一面執行儲存於記憶部19之控制程式的方式來自動地執行，藉由控制裝置4的控制部18控制處理單元16之各種構成要素(噴嘴臂、處理流體供給部等)的方式來自動地執行。
圖4，係說明處理液噴嘴411，421之動作的示意圖；圖5，係表示處理液噴嘴411，421之半徑方向位置(Pos(單位mm))、來自處理液噴嘴411，421之聚合物去除液的吐出流量(Q(單位ml/min))之經時變化的時序圖。在圖5中，處理液噴嘴411，421的位置(Pos)，係以從晶圓W之中心(Wc)起的距離表示。亦即，所謂位置0mm，係指噴嘴位於晶圓之中心之正上方的意思；所謂位置150mm，係指噴嘴位於晶圓W(12吋晶圓)之周緣之正上方的意思；所謂位置200mm，係指位於比晶圓W之周緣更往半徑方向外側之起始位置(待機位置)(H)的意思。在圖5中，處理液噴嘴411的位置及吐出流量，係以實線來表示，處理液噴嘴421的位置及吐出流量，係以虛線來表示。
首先，藉由基板搬送裝置17(參閱圖1)，晶圓W會被搬入至處理單元16的腔室20內，且藉由基板保持機構30的基板保持部31予以保持晶圓W。其次，藉由基板保持機構30的旋轉驅動部33，使藉由基板保持部31所保持的晶圓W繞垂直軸周圍旋轉。該晶圓W之旋轉，係持續直至對該晶圓W之一連串的處理工程結束。
使第1處理液噴嘴411從起始位置移動，使其位於晶圓W之中心之上方(正上方)的位置。又，使第2處理液噴嘴421位於不與第1處理液噴嘴411碰撞而鄰接於第1處理液噴嘴411之晶圓W之中心部之上方的位置(在水平方向上從中心之上方之位置稍微分離的位置)(以上，參閱圖4(a)、圖5之14秒附近)。在此所謂「晶圓W之中心部」，係指包含晶圓W之旋轉中心點即「晶圓W之中心」之具有某種程度擴展之區域的意思。又，在該作用的說明中，第1處理液噴嘴411及第2處理液噴嘴421的移動，係藉由使第1噴嘴臂41及第2噴嘴臂旋轉的方 式實現。
其次，第1處理液噴嘴411以小流量(例如500ml/min)開始聚合物去除液之吐出，並且將第1處理液噴嘴411朝向晶圓W之周緣部之上方的位置開始移動。亦即，第1處理液噴嘴411，係最初以聚合物去除液之朝晶圓W表面上的著液點成為晶圓W之中心的方式，吐出聚合物去除液，其後，第1處理液噴嘴411，以聚合物去除液之著液點朝向晶圓W之周緣部移動的方式進行移動。第1處理液噴嘴411從晶圓W之中心之上方的位置開始移動之同時，第2處理液噴嘴421移動至晶圓之中心之上方的位置，停止於此。與該停止幾乎同時，第2處理液噴嘴421以大流量(例如1000ml/min)開始聚合物去除液之吐出。亦即此時，第2處理液噴嘴421，係以使著液點成為晶圓W之中心的方式，吐出聚合物去除液(以上，參閱圖4(b)、圖5之15秒附近)。
從第1處理液噴嘴411及第2處理液噴嘴421供給至晶圓W之表面的聚合物去除液，係因離心力而朝向晶圓W之周緣部擴散同時流動，晶圓W之表面的整個區域被聚合物去除液的液膜覆蓋。附著於晶圓W之表面的聚合物，係藉由聚合物去除液去除，所去除的聚合物，係與聚合物去除液一起往晶圓W之周緣的外方飛散。
第1處理液噴嘴411到達晶圓W之周緣部之上方的位置後(亦即，來自第1處理液噴嘴411之聚合物去除液的著液點成為晶圓W的周緣部後)，停止來自第1 處理液噴嘴411之聚合物去除液的吐出，其後直接使第1處理液噴嘴411朝向晶圓W之中心之上方的位置移動(以上，參閱圖4(c)、圖5之18秒附近)。
第1處理液噴嘴411到達晶圓W之中心之上方的位置之前(亦即第1處理液噴嘴411與位於晶圓W之中心之上方的第2處理液噴嘴421碰撞之前)，第2處理液噴嘴421朝向晶圓W之周緣部之上方的位置開始移動。與該開始移動幾乎同時，使至目前為止大流量之來自第2處理液噴嘴421之聚合物去除液的吐出流量減少為小流量。第1處理液噴嘴421到達晶圓W之中心之上方的位置時，第1處理液噴嘴421在該位置停止，與該停止幾乎同時，第1處理液噴嘴421以大流量開始聚合物去除液之吐出(以上，參閱圖4(d)、圖5之20秒附近)。
另外，如圖6的時序圖所示，亦可在第2處理液噴嘴421朝向晶圓W之周緣部之上方的位置開始移動後，直至第1處理液噴嘴411到達晶圓中心為止的期間(為了簡略記載，而稱為「更換期間」)，將來自第2處理液噴嘴421之聚合物去除液的吐出流量維持在大流量，第1處理液噴嘴411到達晶圓中心後，使來自第2處理液噴嘴421之聚合物去除液的吐出流量減少為小流量。藉由像這樣，可在上述更換期間內確實地防止聚合物去除液之液膜變得不存在於晶圓中心附近的情形。亦即，在上述更換期間內，係並非均從第1、第2處理液噴嘴411、421對晶圓W之中心直接地供給聚合物去除液，從第2處理液 噴嘴421供給至晶圓W之中心之半徑方向外側的聚合物去除液朝向晶圓中心擴散，藉此，晶圓之中心被聚合物去除液的液膜覆蓋。當晶圓W的表面為疏水性時，由於聚合物去除液難以朝向晶圓中心擴散，因此，聚合物去除液之液膜變得不易存在於晶圓中心附近。藉由使第2處理液噴嘴421之吐出流量增加的方式，由於聚合物去除液會因液勢(fluid momentum)而朝向晶圓中心強制地擴散，因此，能以聚合物去除液的液膜覆蓋晶圓中心附近。
第2處理液噴嘴421到達晶圓W之周緣部之上方的位置後，停止來自第2處理液噴嘴421之聚合物去除液的吐出，其後直接使第2處理液噴嘴421朝向晶圓W之中心之上方的位置移動(以上，參閱圖4(e)、圖5之24秒附近)。
第2處理液噴嘴421到達晶圓W之中心之上方的位置之前(亦即第2處理液噴嘴421與位於晶圓W之中心之上方之位置的第1處理液噴嘴411碰撞之前)，第1處理液噴嘴411朝向晶圓W之周緣部之上方的位置開始移動，並且與該開始移動幾乎同時，使至目前為止大流量之來自第1處理液噴嘴411之聚合物去除液的吐出流量減少為小流量。於第1處理液噴嘴411到達晶圓W之中心之上方的位置稍微之前的時點，位於晶圓W之中心之上方之位置的第2處理液噴嘴421朝向晶圓W的周緣部開始移動，並且使來自第2處理液噴嘴421之聚合物去除液的吐出流量減少為小流量(參閱圖5之25秒附近)。
藉由上述之說明而可理解，第1處理液噴嘴411及第2處理液噴嘴421，係一面交互替換其功能，一面對晶圓W供給聚合物去除液。
進行來自第1處理液噴嘴411及第2處理液噴嘴421之聚合物去除液的供給僅預先設定的時間後，其次，從沖洗噴嘴412供給作為沖洗液的DIW而進行沖洗處理。
具體而言，係例如在從第1處理液噴嘴411對晶圓W之中心供給聚合物去除液的狀態下，吐出聚合物去除液之第2處理液噴嘴421到達晶圓W的周緣部後，停止來自第2處理液噴嘴421之聚合物去除液的吐出。而且，第2處理液噴嘴421，係並非朝向晶圓W的中心移動而是退避至起始位置。而且，使沖洗噴嘴412移動至晶圓W之中心之上方的位置而固定於該位置，並且從沖洗噴嘴412開始DIW的吐出，在其後立即停止來自第1處理液噴嘴411之聚合物去除液的吐出。藉由從沖洗噴嘴412所供給的DIW，去除殘留於晶圓W上的聚合物去除液及反應生成物等。
另外，如圖5的時序圖所示，在已結束來自第1處理液噴嘴411及第2處理液噴嘴421之聚合物去除液之最後的吐出時(參閱圖5之68~70秒附近)，亦可使兩噴嘴411，421暫時返回到起始位置。在該情況下，係以使晶圓W之表面不乾掉的方式，藉由未圖示的其他噴嘴，對晶圓表面供給DIW。
在從沖洗噴嘴412對晶圓W供給DIW僅預先設定的時間後，使溶劑噴嘴413移動至晶圓W之中心之上方的位置而固定於該位置，並且從溶劑噴嘴413開始IPA的吐出，在其後立即停止來自沖洗噴嘴412之DIW的吐出。藉由從溶劑噴嘴413所供給的IPA，置換晶圓W上的DIW。
其次，使第2噴嘴臂42旋轉，使乾燥氣體噴嘴422朝向晶圓W之中心之上方的位置移動。於乾燥氣體噴嘴422到達晶圓W之中心之上方的位置稍微之前的時點，使第1噴嘴臂41旋轉，且使位於晶圓W之中心之上方之位置的溶劑噴嘴413朝向晶圓W之周緣部移動。乾燥氣體噴嘴422到達晶圓W之中心之上方的位置後，從乾燥氣體噴嘴422開始氮氣之吐出，並且使乾燥氣體噴嘴422朝向晶圓W的周緣部移動。以使從乾燥氣體噴嘴422所吐出的氮氣之朝晶圓W表面之碰撞點維持在比從溶劑噴嘴413所吐出的IPA之朝晶圓W表面的著液點更往半徑方向內側之位置的方式，使溶劑噴嘴413及乾燥氣體噴嘴422朝向晶圓W的周緣部移動。藉此，晶圓W表面狀的乾燥區域慢慢地擴展，最後晶圓W的表面全體便乾燥。藉由以上，聚合物去除用之一連串的工程結束。
上述的實施形態，係設置可吐出加熱後之聚合物去除液而彼此獨立移動的2個噴嘴(第1處理液噴嘴411及第2處理液噴嘴421)，將來自其中之一(以下，為了簡化記載，將於晶圓中央部上方靜止的噴嘴亦稱為「噴 嘴1」)的聚合物去除液之朝晶圓表面的著液點固定於晶圓中心部，另一方面，使來自另一方之噴嘴(以下，為了簡化記載，將移動的噴嘴亦稱為「噴嘴2」)之聚合物去除液的著液點從中心部往周緣部移動。
亦即，由於持續從噴嘴1對晶圓中心部供給聚合物去除液，因此，不會在晶圓表面的中心部產生未被聚合物去除液覆蓋的區域(露出於晶圓周圍氛圍的區域)。
又，使從噴嘴2所吐出之聚合物去除液的著液點朝向晶圓周緣部移動，藉此，存在於晶圓表面上的聚合物朝向晶圓周緣部被推出。因此，可效率良好地從晶圓表面排出從晶圓表面剝離的聚合物。
而且，一面使著液點從晶圓中心部往周緣部移動，一面從噴嘴2供給加熱後之聚合物去除液，藉此，可提高晶圓W表面的溫度及與晶圓表面接觸之聚合物去除液的溫度相對於晶圓徑方向的均勻性。因此，可提升聚合物去除處理的面內均勻性。
又，由於從噴嘴2所吐出的聚合物去除液，係在從噴嘴1吐出至晶圓中心部後，對形成有朝向周緣部流動之聚合物去除液的液膜賦予向下的力，因此，以將形成液膜之聚合物去除液壓入至圖案之凹部中的方式發揮作用。因此，可更效率良好地去除位於比晶圓的中心部更往半徑方向外側之位於圖案之凹部內的聚合物。
另外，假如噴嘴2一面使朝晶圓表面的著液點從周緣部往中心部移動，一面吐出聚合物去除液時，則 在從噴嘴1供給至晶圓中心部後，一邊在晶圓表面上形成膜而一邊朝向周緣部流動的聚合物去除液會朝向基板中心部推回。於是，從晶圓表面暫時剝離之聚合物再附著於晶圓的可能性會變高。而且，由於從噴嘴1供給至晶圓中心部而朝向晶圓周緣部流動之聚合物去除液的流動與從噴嘴2所吐出的聚合物去除液會激烈地碰撞，因此，產生較大的液體飛濺(飛濺)。然而，由於上述實施形態，係在使噴嘴2返回到晶圓中心部之上方的位置時，從噴嘴2吐出聚合物去除液，因此，不會產生像這樣的事態。
又，上述的實施形態，係從噴嘴1，2同時地將從噴嘴1吐出聚合物去除液時之噴嘴1，2的總吐出流量較多地分配於噴嘴1。亦即，使著液點從中心部往周緣部移動時之噴嘴2的吐出流量，係小於固定地對中心部供給處理液之噴嘴1的吐出流量。因此，無關來自噴嘴2之聚合物去除液的著液位置，不會阻礙朝向晶圓周緣部之處理液的流動。又，可確實地以聚合物去除液覆蓋晶圓的表面全體。
上述的實施形態，雖係交互替換2個噴嘴(第1處理液噴嘴411及第2處理液噴嘴421)的功能，但並不限定於此。亦即，亦可使一方例如第1處理液噴嘴411僅具有對晶圓中心部供給處理液的功能，且使另一方例如第2處理液噴嘴421僅具有一面使朝晶圓表面之著液點從中心部往周緣部移動，一面吐出處理液的功能。在該情況下，上述一方之噴嘴411，係於處理液供給中，不需要藉 由以控制部18所控制而動作的第1噴嘴臂41來加以保持。具體而言，控制部18，係在使處理液從第1噴嘴411供給至晶圓中心部時，使第2噴嘴421從晶圓中心部朝向周緣部移動，並且使處理液從第2噴嘴421供給，其後，於從第1噴嘴411供給了處理液的狀態下，使來自第2噴嘴421之處理液的吐出停止，並且使第2噴嘴421從晶圓周緣部朝向中心部移動，其後，於從第1噴嘴411供給了處理液的狀態下，使處理液從第2噴嘴421開始供給至晶圓，使第2噴嘴421從晶圓中心部朝向周緣部移動。又，亦可固定於腔室20內的任意位置，例如液承接杯50之外側的位置。在該情況下，從該固定之噴嘴所吐出的處理液，係穿過晶圓W之上方的空間而到達晶圓W的中心。
在上述的實施形態中，從2個處理液噴嘴所吐出的處理液雖係聚合物去除液，但並不限定於此，亦可為例如聚合物去除液以外的洗淨液或蝕刻液等。在該情況下，亦從晶圓中心部失去液膜，藉此，可一面防止晶圓中心部曝露於晶圓之周圍的氛圍，一面防止藉由洗淨或蝕刻而從晶圓表面暫時去除的物質再附著於晶圓W表面。而且，由於可提高晶圓面內之溫度條件的均勻性，因此，可提升洗淨處理或蝕刻處理的面內均勻性。
在上述的實施形態中，從2個處理液噴嘴所吐出的處理液雖已加熱，但並非限定於此，亦可為常溫。在該情況下，亦從晶圓中心部失去液膜，藉此，可一面防止晶圓中心部曝露於晶圓周圍氛圍，一面防止從晶圓表面 暫時去除的物質再附著於晶圓表面。
處理對象之基板，係並非限定於半導體晶圓W，亦可為玻璃基板、陶瓷基板等其他基板。

Claims (15)

  1. 一種基板液處理裝置，其特徵係，具備有：基板保持部，保持基板；旋轉驅動部，使前述基板保持部繞垂直軸周圍旋轉；第1噴嘴，對藉由前述基板保持部所保持之前述基板的至少中心部供給處理液；第2噴嘴，對藉由前述基板保持部所保持之前述基板供給前述處理液；第1處理液供給部，對前述第1噴嘴供給前述處理液；第2處理液供給部，對前述第2噴嘴供給前述處理液；第2噴嘴移動機構，使前述第2噴嘴在前述基板的中心部與周緣部之間移動；及控制部，至少控制前述第1處理液供給部、前述第2處理液供給部及前述第2噴嘴移動機構的動作，前述控制部，係在使處理液從前述第1噴嘴供給至前述基板的中心部時，使前述第2噴嘴從前述基板的中心部朝向周緣部移動，並且使前述處理液從前述第2噴嘴供給，其後，於從前述第1噴嘴供給了處理液的狀態下，使來自前述第2噴嘴之前述處理液的吐出停止，並且使前述第2噴嘴從前述基板的周緣部朝向中心部移動，其後，於從前述第1噴嘴供給了處理液的狀態下，使前述處理液從前述第2噴嘴開始供給至前述基板。
  2. 如申請專利範圍第1項之基板液處理裝置，其中，更具備有：第1噴嘴移動機構，使前述第1噴嘴在前述基板的中心部與周緣部之間移動，前述控制部，係進行前述第1噴嘴移動機構之動作的控制，前第2噴嘴從前述基板的周緣部朝向中心部移動，在前述第2噴嘴對前述基板開始供給處理液且對前述基板的中心部供給處理液時，使前述第1噴嘴從前述基板的中心部朝向周緣部移動，並且使前述處理液從前述第1噴嘴供給，其後，於從前述第2噴嘴供給了處理液的狀態下，使來自前述第1噴嘴之前述處理液的吐出停止，並且使前述第1噴嘴從前述基板的周緣部朝向中心部移動，其後，於從前述第2噴嘴供給了處理液的狀態下，從前述第1噴嘴對前述基板開始供給前述處理液。
  3. 如申請專利範圍第1項之基板液處理裝置，其中，前述控制部，係在前述第2噴嘴從前述基板周緣部朝向中心部移動而對前述基板開始供給處理液之後，於從前述第1噴嘴對前述基板之中心部供給了處理液的狀態下，一面使前述處理液從前述第2噴嘴供給，一面使前述第2噴嘴從前述基板的中心部往周緣部移動。
  4. 如申請專利範圍第2項之基板液處理裝置，其中， 前述控制部，係在前述第1噴嘴一面供給前述處理液，一面從基板的中心部往周緣部移動時，使前述處理液從前述第2噴嘴供給至前述基板的中心部，使前述第2噴嘴對前述基板之中心部供給前述處理液時之來自前述第2噴嘴之前述處理液的供給流量比前述第2噴嘴從前述基板之中心部朝向周緣部移動時的供給流量大。
  5. 如申請專利範圍第2項之基板液處理裝置，其中，前述控制部，係使前述第2噴嘴供給至前述基板之中心部之處理液的供給流量比前述第2噴嘴從前述基板之中心部朝向周緣部移動時的供給流量大，且使前述第1噴嘴供給至前述基板之中心部之處理液的供給流量比前述第1噴嘴從前述基板之中心部朝向周緣部移動時的供給流量大。
  6. 如申請專利範圍第5項之基板液處理裝置，其中，前述控制部，係在前述第2噴嘴對前述基板中心部供給前述處理液而前述第1噴嘴從前述基板的中心部開始往周緣部移動後，減少來自前述第1噴嘴之處理液的吐出流量。
  7. 如申請專利範圍第1項之基板液處理裝置，其中，前述控制部，係使前述第2噴嘴從前述基板之周緣部 往中心部移動時的移動速度比從中心部往周緣部移動時的移動速度高。
  8. 如申請專利範圍第2項之基板液處理裝置，其中，前述控制部，係使前述第2噴嘴從前述基板之周緣部往中心部移動時的移動速度比從中心部往周緣部移動時的移動速度高，或使前述第1噴嘴從前述基板之周緣部往中心部移動時的移動速度比從中心部往周緣部移動時的移動速度高。
  9. 一種基板液處理方法，係基板處理裝置中之基板液處理方法，該基板處理裝置，係具備有：基板保持部，保持基板；旋轉驅動部，使前述基板保持部繞垂直軸周圍旋轉；第1噴嘴，對藉由前述基板保持部所保持之前述基板的至少中心部供給處理液；第2噴嘴，對藉由前述基板保持部所保持之前述基板供給前述處理液；第1處理液供給部，對前述第1噴嘴供給前述處理液；第2處理液供給部，對前述第2噴嘴供給前述處理液；及第2噴嘴移動機構，使前述第2噴嘴在前述基板的中心部與周緣部之間移動，該基板液處理方法，其特徵係，具備有：(a)使基板繞垂直軸周圍旋轉；(b)一面從第1噴嘴對旋轉之前述基板的中心部供給處理液，一面從第2噴嘴對旋轉之前述基板供給處理液，此時，使從前述第2噴嘴所供給之處理液的著液點從前述基板之中心部朝向前述基板的周緣部移動； (c)在前述(b)後，一面從前述第1噴嘴對旋轉之前述基板的中心部繼續供給處理液，一面停止來自前述第2噴嘴之處理液的供給，使前述第2噴嘴朝向前述旋轉之基板的中心部移動；及(d)在前述(c)後，從前述第2噴嘴對旋轉之前述基板供給處理液。
  10. 如申請專利範圍第9項之基板液處理方法，其中，(e)在前述(d)後，一面從前述第2噴嘴對前述旋轉之前述基板的中心部供給處理液，一面從前述第1噴嘴對旋轉之前述基板供給處理液，此時，使從前述第1噴嘴所供給之處理液的著液點從前述基板之中心部往前述基板的周緣部連續地移動。
  11. 如申請專利範圍第9項之基板液處理方法，其中，(f)在前述(d)後，一面從前述第1噴嘴對前述旋轉之前述基板的中心部繼續供給處理液，一面從前述第2噴嘴對旋轉之前述基板供給處理液，此時，使從前述第2噴嘴所供給之處理液的著液點從前述基板之中心部往前述基板的周緣部連續地移動。
  12. 如申請專利範圍第10項之基板液處理方法，其中，來自前述第1噴嘴及前述第2噴嘴之前述處理液的供給流量，係分別控制為使對前述基板之中心部供給前述處 理液時的供給流量比使前述處理液的著液點從前述基板之中心部往前述基板之周緣部連續地移動時的供給流量大。
  13. 如申請專利範圍第9項之基板液處理方法，其中，前述處理液，係溫度高於常溫的液體。
  14. 如申請專利範圍第9項之基板液處理方法，其中，前述處理液，係洗淨液或蝕刻液。
  15. 一種記憶媒體，其特徵係，記錄有程式，該程式，係在被用以控制基板液處理裝置之動作的電腦所執行時，使前述電腦控制前述基板液處理裝置而執行如申請專利範圍9項之基板液處理方法。
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Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6910164B2 (ja) * 2017-03-01 2021-07-28 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置および基板処理方法
JP6986399B2 (ja) * 2017-09-14 2021-12-22 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理方法および記憶媒体
JP6910526B2 (ja) * 2018-02-13 2021-07-28 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体
JP7169865B2 (ja) * 2018-12-10 2022-11-11 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置および基板処理方法
JP7197376B2 (ja) * 2019-01-17 2022-12-27 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法及び基板処理装置
CN112233996A (zh) * 2019-07-15 2021-01-15 长鑫存储技术有限公司 晶圆清洗装置、晶圆处理设备及晶圆清洗方法
KR20210024387A (ko) * 2019-08-23 2021-03-05 세메스 주식회사 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치
TW202137839A (zh) * 2019-12-17 2021-10-01 日商東京威力科創股份有限公司 基板處理方法及基板處理裝置
CN112735983B (zh) * 2020-12-30 2022-12-16 上海至纯洁净系统科技股份有限公司 一种单晶圆载体清洗高度集成装置
KR20220097680A (ko) * 2020-12-30 2022-07-08 세메스 주식회사 노즐 대기 포트와 이를 포함하는 기판 처리 장치 및 이를 이용한 노즐 세정 방법
JP2022124070A (ja) * 2021-02-15 2022-08-25 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置、および、筒状ガードの加工方法
TWI776399B (zh) * 2021-02-22 2022-09-01 頂程國際股份有限公司 濕式處理設備與濕式處理方法
KR102615758B1 (ko) * 2021-05-10 2023-12-19 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 방법

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW201528404A (zh) * 2013-10-17 2015-07-16 Tokyo Electron Ltd 基板液處理裝置及基板液處理方法

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08148459A (ja) * 1994-11-18 1996-06-07 Toshiba Corp 半導体基板の洗浄方法
US7300598B2 (en) * 2003-03-31 2007-11-27 Tokyo Electron Limited Substrate processing method and apparatus
JP2006086415A (ja) * 2004-09-17 2006-03-30 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板洗浄装置
JP2007088381A (ja) 2005-09-26 2007-04-05 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置および基板処理方法
JP5090089B2 (ja) * 2006-10-19 2012-12-05 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
JP5317504B2 (ja) * 2008-03-24 2013-10-16 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 現像装置および現像方法
JP5151629B2 (ja) * 2008-04-03 2013-02-27 東京エレクトロン株式会社 基板洗浄方法、基板洗浄装置、現像方法、現像装置及び記憶媒体
JP5284004B2 (ja) * 2008-08-20 2013-09-11 芝浦メカトロニクス株式会社 基板の処理装置
US8707974B2 (en) * 2009-12-11 2014-04-29 United Microelectronics Corp. Wafer cleaning device
JP5852871B2 (ja) * 2011-12-12 2016-02-03 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法および基板処理装置
JP6223839B2 (ja) * 2013-03-15 2017-11-01 東京エレクトロン株式会社 基板液処理方法、基板液処理装置および記憶媒体
US9704730B2 (en) * 2013-05-28 2017-07-11 Tokyo Electron Limited Substrate cleaning apparatus, substrate cleaning method and non-transitory storage medium
JP6221954B2 (ja) * 2013-08-05 2017-11-01 東京エレクトロン株式会社 現像方法、現像装置及び記憶媒体
JP5994749B2 (ja) * 2013-08-05 2016-09-21 東京エレクトロン株式会社 現像装置、現像方法及び記憶媒体
JP6064875B2 (ja) * 2013-11-25 2017-01-25 東京エレクトロン株式会社 液処理装置、液処理方法及び記憶媒体
JP5995881B2 (ja) * 2014-01-09 2016-09-21 東京エレクトロン株式会社 基板洗浄方法、基板洗浄装置、及びコンピュータ読み取り可能な記録媒体
JP6384200B2 (ja) * 2014-08-28 2018-09-05 東京エレクトロン株式会社 現像方法、現像装置、及び記憶媒体

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW201528404A (zh) * 2013-10-17 2015-07-16 Tokyo Electron Ltd 基板液處理裝置及基板液處理方法

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