TW201528404A - 基板液處理裝置及基板液處理方法 - Google Patents

基板液處理裝置及基板液處理方法 Download PDF

Info

Publication number
TW201528404A
TW201528404A TW103134893A TW103134893A TW201528404A TW 201528404 A TW201528404 A TW 201528404A TW 103134893 A TW103134893 A TW 103134893A TW 103134893 A TW103134893 A TW 103134893A TW 201528404 A TW201528404 A TW 201528404A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
liquid
storage tank
substrate
processing
nozzle
Prior art date
Application number
TW103134893A
Other languages
English (en)
Other versions
TWI619188B (zh
Inventor
Yasuhiro Takaki
Koji Tanaka
Shun Tominaga
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Publication of TW201528404A publication Critical patent/TW201528404A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI619188B publication Critical patent/TWI619188B/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment

Abstract

可對基板之兩面同時供給相同組成的處理液，且在混合了所供給之處理液後予以回收而再利用的基板液處理裝置中，謀求作為裝置全體有效地運用。 基板液處理裝置，係具有：第1處理液供給機構(100)，具有吐出儲存於第1儲槽(102)之處理液的第1噴嘴(304)，且藉由第1噴嘴對基板之第1面供給處理液；第2處理液供給機構(200)，具有吐出儲存與儲存於第1儲槽之處理液相同組成之處理液之第2儲槽(202)的第2噴嘴(306)，且藉由第2噴嘴對基板之第2面供給處理液；及處理部(300)，藉由由第1及第2噴嘴供給的處理液，對基板進行處理。從第1、第2噴嘴供給至基板後而混合的處理液，係藉由回收管線(312)再流回第2儲槽。

Description

基板液處理裝置及基板液處理方法
本發明，係關於在對基板供給處理液而施加預定處理的基板液處理裝置中，將處理液回收進行再利用的技術。
在半導體裝置的製造中，係對半導體晶圓等的基板施加洗淨處理、濕蝕刻處理等的液處理。作為用於進行像這樣的液處理之基板液處理裝置的處理液供給機構，眾所皆知是具備有下述者：儲槽，儲存處理液；循環管線，從儲槽流出再流回儲槽；分歧管線，從循環路徑分歧；及液處理單元(模組)，具有對基板吐出從循環路徑經由分歧管線而供給之處理液的噴嘴。
在專利文獻1中，作為上述形式的基板液處理裝置，揭示有具備分別對基板之上面及下面同時供給相同處理液的上面用噴嘴及下面用噴嘴者。分別從上面用噴嘴及下面用噴嘴供給至基板的處理液，係無法避免地在液處理單元內混合，從液處理單元被排出。被排出的處理液，係被回收而進行再利用。在專利文獻1所記載的基板 液處理裝置中，對上面用噴嘴供給處理液的處理液供給機構與對下面用噴嘴供給處理液的處理液供給機構之大半的構成要素(例如儲槽及循環管線)，係共通的。因此，所回收的處理液，係不會被區別成基板的上下面而予以供給。
但是，通常，基板的狀態，係在上下面並不相同。因此，或者因為其他理由，存在有應供給至基板之上面的液體所需要的狀態與應供給至基板之下面的液體所需要的狀態不同之情形。在專利文獻1的裝置中，係無法對應於像這樣的要求。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2006-080547號公報
本發明，係提供下述技術者：可對基板的第1面及第2面(第1面之背面)同時供給相同組成的處理液，且在構成為供給至基板之第1面及第2面的處理液被混合後回收再利用的基板液處理裝置中，可對基板的第1面及第2面供給不同狀態的處理液。
根據本發明之一實施形態，提供一種基板液處理裝置，係具備有：第1處理液供給機構，具有儲存處理液的第1儲槽與吐出儲存於前述第1儲槽之處理液的第1噴嘴，且藉由前述第1噴嘴對基板之第1面供給處理液；第2處理液供給機構，具有儲存與儲存於前述第1儲槽之處理液相同組成之處理液的第2儲槽與吐出儲存於前述第2儲槽之處理液的第2噴嘴，且藉由前述第2噴嘴對基板之第2面供給處理液；處理部，藉由由前述第1噴嘴及第2噴嘴供給的處理液，對基板進行處理；及回收管線，從前述處理部將從前述第1噴嘴及第2噴嘴供給至基板後而混合的處理液回收，再流回前述第2儲槽。
根據本發明之上述實施形態，由於在第1處理液供給機構及第2處理液供給機構中之一方的供給機構，亦即屬於第2供給機構之儲槽的第2儲槽回收處理液，故可使包含於被供給至基板之第2面之處理液中之回收液的含有量比包含於被供給至基板之第1面之處理液中之回收液的含有量更多。藉此，可活用因回收液被包含於處理液中而產生的優點，或者，可減少因回收液被包含於處理液中所致之缺點。因此，可更效率良好地處理基板。
100‧‧‧第1處理液供給機構
102‧‧‧第1儲槽
104‧‧‧第1循環管線
110‧‧‧第1加熱器
112‧‧‧第1分歧管線
140‧‧‧連通路
200‧‧‧第2處理液供給機構
202‧‧‧第2儲槽
204‧‧‧第2循環管線
210‧‧‧第2加熱器
212‧‧‧第2分歧管線
300‧‧‧液處理單元(處理部)
304‧‧‧第1噴嘴
306‧‧‧第2噴嘴
312‧‧‧回收管線
[圖1]表示發明之一實施形態之基板液處理裝置之構成的處理液電路圖。
以下，參照圖式說明發明之實施形態。
如圖1所示，基板液處理裝置，係具備有：複數個(在圖1，係僅表示3個)液處理單元(處理部)300，對基板進行液處理；第1處理液供給機構100，對液處理單元300供給處理液；及第2處理液供給機構200。
各液處理單元300，係具有：旋轉夾盤302，以水平姿勢保持基板，並且繞鉛直軸線旋轉；第1噴嘴304，對保持於旋轉夾盤302之基板W例如半導體晶圓的上面(例如，屬於電路形成面的表面)供給處理液；及第2噴嘴306，對基板W的下面(例如未形成電路的背面)供給處理液。
各液處理單元300，係具有：液承接杯308，接住在供給至基板W之後，從基板W飛濺的處理液並將其回收。
第1處理液供給機構100，係具有：第1儲槽102，儲存處理液；及第1循環管線104，從第1儲槽102流出再流回第1儲槽102。在第1循環管線104，係設置有泵106。泵106，係形成從第1儲槽102流出而通過第 1循環管線104流回第1儲槽102的循環流。在泵106的下游側中，第1循環管線104，係從上游側依序介設有：過濾器108，去除包含於處理液之微粒等的污染物質；第1加熱器110；及溫度計109。
從第1循環管線104，分歧對應於各液處理單元300的第1分歧管線112。在第1分歧管線112的末端，係連接有第1噴嘴304。在第1分歧管線112，係介設有用於控制流動的閥114(開關閥、流量調節閥等)，以便因應所需而從第1噴嘴304對基板W的上面供給處理液。
第2處理液供給機構200，係具有與第1處理液供給機構100相同的構成。具有：第2儲槽202，儲存處理液；及第2循環管線204，從第2儲槽202流出再流回第2儲槽202。儲存於第2儲槽202的處理液，係具有與儲存於第1儲槽之處理液相同的組成。另外，在本說明書中，「相同組成」，係指兩儲槽內之處理液之作為目標的組成相同，即使隨著時間經過或裝置的運轉，不可避免地在兩儲槽內之處理液的組成產生若干差(例如，起因於液成分之蒸發等的濃度差，或污染之含有量的差)，該狀況亦不會成為問題，且兩儲槽內的處理液係解釋為具有相同組成。
在第2循環管線204，係設置有泵206。泵206，係形成從儲槽202流出而通過第2循環管線204流回第2儲槽202的循環流。在泵206的下游側中，第2循 環管線204，係從上游側依序介設有：過濾器208，去除包含於處理液之微粒等的污染物質；第2加熱器210；及溫度計209。
從第2循環管線204，分歧對應於各處理單元10的第2分歧管線212。在第2分歧管線212的末端，係連接有第2噴嘴306。在第2分歧管線212，係介設有用於控制流動的閥214(開關閥、流量調節閥等)，以便因應所需而從第2噴嘴306對基板W的下面供給處理液。
在各液處理單元300之液承接杯308的底部，係分別連接有分歧回收管線310。該些分歧回收管線310會匯流而成為1個回收管線312，且連接於第2儲槽202。
基板液處理裝置，係更具有：儲槽液補充部320，分別經由補充管線322、324，將處理液或處理液構成成分補充至第1儲槽102及第2儲槽202。在第1儲槽102及第2儲槽202，係設置有用於廢棄該些儲槽102、202內之處理液的排液部330。
在第1儲槽102內，係設置有複數個在圖示例中為2個擋板102a、102b。擋板102a、102b，係設置為使第1儲槽102內的主流F1蛇行，而儘可能使主流F1流經的距離變長，以便使流入至第1儲槽102內之液體(從第1循環管線104流回的處理液、從補充管線322供給的處理液、通過後述之連通路140而從第2儲槽202流入的處理液)與存在於第1儲槽102內的處理液充分混合 之後，流出至第1循環管線104。
相同地，在第2儲槽202內，係設置有複數個在圖示例中為2個擋板202a、202b。擋板202a、202b，係設置為使第2儲槽202內的主流F2蛇行，而儘可能使主流F2流經的距離變長，以便使流入至第2儲槽202內之液體(從第2循環管線204流回的處理液、從回收管線312流回的處理液、從補充管線324供給的處理液)與存在於第2儲槽202內的處理液充分混合之後，流出至第2循環管線204。
第1儲槽102與第2儲槽202，係藉由連通路140來連通。當第2儲槽202內之處理液的液位成為預定高度以上時，第2儲槽202內的處理液，係經由連通路140溢流，流入至第1儲槽102內。當然，其逆向之流動亦即當第1儲槽102內之處理液的液位成為預定高度以上時，第1儲槽102內的處理液，亦可能經由連通路溢流，流入至第2儲槽202內。
第1儲槽102及第2儲槽202，係如圖1概略所示，可形成為具有儲存處理液之2個分離之儲存空間的單一構造物。在該情況下，連通路140，係例如可由形成於將2個儲存空間加以分隔之壁的穴或插入至該穴的管件等所構成。亦可形成為使第1儲槽102及第2儲槽202相互獨立的構造物，以取代該構成。在該情況下，連通路140，係例如可由連結2個儲槽的管路而構成。
在第1儲槽102及第2儲槽202，係分別設置 有用於檢測儲槽內之處理液之液位的液位感測器102c、202c。
液處理裝置，係具備有控制裝置4。控制裝置4，係例如為電腦，具備有控制部18與記憶部19。在記憶部19中，係儲存有控制在液處理裝置所執行之各種處理的程式。控制部18，係藉由讀出並執行記憶於記憶部19的程式，來控制液處理裝置的動作。
另外，該程式，係記錄於藉由電腦可讀取之記憶媒體者，亦可為由其記憶媒體安裝於控制裝置4之記憶部19者。作為藉由電腦可讀取之記憶媒體，係例如有硬碟(HD)、軟碟片(FD)、光碟(CD)、磁光碟(MO)、記憶卡等。
接下來，針對運用液處理裝置之一例，以處理液為有機藥液的情況為例進行說明。另外，在本例中，有機藥液供給至背面，係主要僅將基板加溫而進行者。本例，係在1個處理單元中處理1片基板之際，從第1噴嘴304以每分1升(以下省略為「LPM」)之流量將溫度70℃的處理液供給至基板的上面(電路形成面的表面)1分鐘(60秒)，與此同時，或大致同時從第2噴嘴306以1.5LPM之流量將溫度80℃的處理液供給至基板的下面(未形成電路之面的背面)1分鐘。
一開始，在第1儲槽102及第2儲槽202，係分別裝入有30升處理液者。又，開始運轉後，藉由泵106，以20LPM的流量，從第1儲槽102將處理液送出至 第1循環管線104，藉由泵206，以25LPM的流量，從第2儲槽202將處理液送出至第2循環管線204。
以使溫度計109之計測值成為預定值的方式，亦即以使從第1噴嘴304供給至基板W之處理液的溫度成為預定值例如70℃的方式，根據溫度計109之計測值，反饋控制第1加熱器110的輸出。此時，第1加熱器110的最大輸出，係例如為15kw左右。相同地，以使溫度計209之計測值成為預定值的方式，亦即以使從第2噴嘴306供給至基板W之處理液的溫度成為預定值例如80℃的方式，根據溫度計209之計測值，反饋控制第2加熱器210的輸出。此時，第2加熱器210的最大輸出，係例如為20kw左右。
與對基板W執行液處理之液處理單元300的台數相對應之量的處理液，係經由第1分歧管線112，從第1循環管線104被輸送至液處理單元300。未朝向液處理單元300之剩餘的處理液，係通過第1循環管線104流回第1儲槽102。由於存在有經由構成第1循環管線104之配管構件的散熱，故在通過第1循環管線104直至流回第1儲槽102的期間，處理液的溫度會稍微下降。
相同地，與對基板W執行液處理之液處理單元300的台數相對應之量的處理液，係經由第2分歧管線212，從第2循環管線204被輸送至液處理單元300。未朝向液處理單元300之剩餘的處理液，係通過第2循環管線204流回第2儲槽202。由於存在有經由構成第2循環 管線204之配管構件的散熱，故在通過第2循環管線204直至流回第2儲槽202的期間，處理液的溫度會稍微下降。
在執行液處理之各1台液處理單元300中，從第1噴嘴304供給至基板W的處理液(70℃)、從第2噴嘴306供給基板W的處理液(80℃)，係藉由液承接杯308予以回收，並且在液承接杯308內混合，通過分歧回收管線310及主回收管線312，流回第2儲槽202。
此時，供給至1片基板W的處理液並沒有全部被回收，存在有回收損失，回收率係例如為90%。亦即，在1台液處理單元300處理基板W時，處理液供給至液處理單元300(亦即第1、第2噴嘴304、306)的供給流量，係1.0LPM+1.5LPM=2.5LPM，來自液處理單元300之處理液的回收流量，係2.5LPM×0.9=2.25LPM。
另外，作為回收損失的主要原因，係存在有下述情形等：(1)在將處理液供給至旋轉的基板W時，處理液會霧化或蒸發而飛濺；(2)以在液承接杯308內形成適當的氣流，並且使已霧化或蒸發的處理液不會污染液處理單元300內的方式，藉由吸引液承接杯308內的吸引機構(未圖示)，處理液會流出至工廠排氣系統。
由於供給至基板W的處理液，係因霧化以及因熱量被基板W、液承接杯308、分歧回收管線310、主回收管線312等奪走而冷卻，故在即將流回第2儲槽202前之主回收管線312內的處理液溫度，係例如為60℃。
在此，考慮包含有第1儲槽102及第1循環管線104之循環系統(第1循環系統)與包含有第2儲槽202及第2循環管線204之循環系統(第2循環系統)之處理液的收支。在執行基板W之處理中的每一台液處理單元300，從第2循環系統以1.5LPM的流量排出處理液，從主回收管線312，以2.25LPM的流量流入處理液。亦即，僅以相當於2.25LPM-1.5LPM=0.75LPM的量，增加第2儲槽202內的液體(若無連通路140)。又，在執行基板W之處理中的每一台液處理單元300，從第1循環系統排出1.0LPM，而沒有流入的處理液(若無連通路140)。
然而，由於第1儲槽102與第2儲槽202係藉由連通路140連通，故第1儲槽102內的處理液，係以對應於前述之0.75LPM的流量，通過連通路140流入至第2儲槽202。因此，第1儲槽102中之處理液的收支，係成為正負零(±0)，第2儲槽202的液位不會改變。
又，在第1儲槽102中，與1.0LPM-0.75LPM=0.25LPM相對應之量的處理液會逐漸減少。亦即，第1儲槽102內的處理液，係在執行基板W之處理中的每一台液處理單元300，以0.25LPM逐漸減少，因應於此，第1儲槽102內之處理液的液位會減少。
當藉由液位感測器102c來檢測出第1儲槽102內之處理液的液位低於預定高度時，從儲槽液補充部320經由補充管線322補充常溫之新的處理液。
根據上述的實施形態，可獲得下述之有利的效果。
供給至基板W的處理液，係流回第2儲槽202。該第2儲槽202所屬之第2處理液供給機構200，係用於對基板W供給比第1處理液供給機構100更高溫之處理液的處理液供給機構。因此，第2處理液供給機構200之第2加熱器210，係其負擔比第1處理液供給機構100之第1加熱器110大。
在上述的實施形態中，供給至基板的處理液雖係流回第2儲槽202，但該流回之處理液的溫度，係變得比緊接著由第2加熱器210予以加熱後的溫度低，但相較於常溫為十分高的溫度。且，在通常之連續運轉時，不用將常溫的新液補充至第2儲槽202。因此，對此進行再加熱之第2加熱器210的負擔不太大。
對此，由於在第1儲槽102中有定期地補充常溫的新液，故在緊接著補充新液後，對混合了新液之處理液進行再加熱之第1加熱器110的負擔變得比較大。但是，第1儲槽102所屬之第1處理液供給機構100，係對基板W供給溫度低於第2處理液供給機構的處理液者。因此，相較於將供給至基板處理液回收至第1儲槽102而將新液補充至第2儲槽的情形，第1、第2加熱器110、210的負擔會被平滑化或均等化。
從另外的視點考慮上述之實施形態的優點。由於第2處理液供給機構200，係將處理液供給至基板W 之未形成有電路的面者，故從第2處理液供給機構200供給之處理液所要求的潔淨度(例如微粒含有量)，係比從第1處理液供給機構100供給的處理液低。
在供給至基板後予以回收的處理液中，係包含有比供給至基板之前更多的微粒。微粒的大部分，雖係藉由過濾器108、208來去除，但對基板W的電路形成面供給包含較多微粒的處理液並不佳。
在上述實施形態中，供給至基板後予以回收的處理液，係首先流入至第2儲槽202。流入至第2儲槽202之回收之處理液的一部分，係在與存在於第2儲槽202內的處理液混合之後，流入至第1儲槽102。因此，從第2儲槽202流入至第1儲槽102之處理液中的微粒濃度，係比流經主回收管線312之處理液中的微粒濃度低。而且，由於在第1儲槽102中有定期地補充新液，故藉此亦可使第1儲槽102內的微粒濃度變低。
亦即，根據上述實施形態，由於不使供給至基板的處理液直接流回第1儲槽，故可將包含有要求更高潔淨度的第1儲槽102及第1循環管線104之循環系統的潔淨度保持為較高。
另外，在上述實施形態中，由於在第1儲槽102內設置有擋板102a、102b，故第1儲槽102內之處理液從第1循環管線104流回的區域(圖中右上部分)與處理液被送出至第1循環管線104的區域(圖中左下部分)之間的流路長度會變長。由於從存在有含有比較多微粒之 可能性的第2儲槽202經由連通路140而流入至第1儲槽102的處理液，係從第1循環管線104流入至處理液流回的區域，故當流動至處理液被送出至第1循環管線104的區域之期間，將第1儲槽102與比較潔淨的處理液充分混合。因此，可防止微粒濃度高的處理液從第1儲槽102被送出至第1循環管線104的情形。
根據上述實施形態，對基板W之兩面同時供給相同組成的處理液時，設置2個不同的處理液供給機構，將分別被供給至基板其兩面後而混合的處理液回收至屬於一方之處理液供給機構的儲槽。藉此，可一邊最大限度地再利用已使用過的處理液，一邊降低裝置構成要素的負擔，或供給因應於處理面之適當狀態的處理液，且可效率良好地進行基板的處理。
亦即，在上述實施形態中，關於溫度，係可藉由使第1處理液供給機構100之第1加熱器110具有對較低溫之處理液進行加熱的作用，來降低處理液之設定溫度較高之第2處理液供給機構200之第2加熱器210的負擔，且防止第2加熱器210之消耗電力遠大於第1加熱器110之消耗電力(在回收至第1儲槽102時係成為如此)。藉此，可使第1、第2加熱器110、210的最大輸出降低，且可一邊最大限度地再利用已使用過的處理液一邊作為裝置全體有效率地運用。又，關於微粒，係藉由使潔淨度較低的處理液流回第2處理液供給機構200的方式，一邊最大限度地再利用已使用過的處理液，一邊實現 潔淨度更高之處理液所需之第1處理液供給機構之潔淨度的提升。
又，根據上述實施形態，在以預定處理液(此時為DHF)對基板W的表面(電路形成面)進行高溫處理(係指在高於常溫之溫度之處理的意思)時，由於為了將基板W加溫而使用與處理液相同組成的處理液，故即使相互混合該些處理液，亦可將該液體作為處理液進行再利用。
在上述實施形態中，雖係將被供給至基板後的處理液回收至處理液供給機構(該處理液供給機構，係用於供給設定溫度相對高且所要求之潔淨度相對低的處理液)所屬的儲槽，但亦可從其他觀點來決定回收處理液的儲槽。
例如，處理液供給至背面(未形成有電路的面)的目的，係亦可為背面周緣部之洗淨，在該情況下，假定對表面(電路形成面)及背面供給相同溫度的處理液，且處理液供給至表面之供給流量比處理液供給至背面之供給流量多的情形。在該事例中，由於負責將處理液供給至表面之處理液供給機構之加熱器的負擔較大，因此，如果重視加熱器負擔的平均化，則亦考慮使供給至基板後的處理液流回負責將處理液供給至表面之處理液供給機構的儲槽。
在上述實施形態中，雖係使回收至第2儲槽202之處理液的一部分經由連通路140流入至第1儲槽 102，但例如與處理液之再利用效率相比，如果優先考慮不想使微粒濃度較高的處理液流入至第1儲槽102之要求，則亦可個別設置儲槽。在該情況下，第2儲槽202之液位雖開始上升，但亦可使用排液部330定期地排出第2儲槽202內的處理液。亦可在第1儲槽202設置溢流所致之排液管機構，以代替此。
4‧‧‧控制裝置
18‧‧‧控制部
19‧‧‧記憶部
100‧‧‧第1處理液供給機構
102‧‧‧第1儲槽
102a‧‧‧擋板
102b‧‧‧擋板
102c‧‧‧液位感測器
104‧‧‧第1循環管線
106‧‧‧泵
108‧‧‧過濾器
109‧‧‧溫度計
110‧‧‧第1加熱器
112‧‧‧第1分歧管線
114‧‧‧閥
140‧‧‧連通路
200‧‧‧第2處理液供給機構
202‧‧‧第2儲槽
202a‧‧‧擋板
202b‧‧‧擋板
202c‧‧‧液位感測器
204‧‧‧第2循環管線
206‧‧‧泵
208‧‧‧過濾器
209‧‧‧溫度計
210‧‧‧第2加熱器
212‧‧‧第2分歧管線
214‧‧‧閥
300‧‧‧液處理單元(處理部)
302‧‧‧旋轉夾盤
304‧‧‧第1噴嘴
306‧‧‧第2噴嘴
308‧‧‧液承接杯
310‧‧‧分歧回收管線
312‧‧‧回收管線
320‧‧‧儲槽液補充部
322‧‧‧補充管線
324‧‧‧補充管線
330‧‧‧排液部
W‧‧‧基板
F1‧‧‧主流
F2‧‧‧主流

Claims (9)

  1. 一種基板液處理裝置，其特徵係，具備有：第1處理液供給機構，具有儲存處理液的第1儲槽與吐出儲存於前述第1儲槽之處理液的第1噴嘴，且藉由前述第1噴嘴對基板之第1面供給處理液；第2處理液供給機構，具有儲存與儲存於前述第1儲槽之處理液相同組成之處理液的第2儲槽與吐出儲存於前述第2儲槽之處理液的第2噴嘴，且藉由前述第2噴嘴對基板之第2面供給處理液；處理部，藉由由前述第1噴嘴及第2噴嘴供給的處理液，對基板進行處理；及回收管線，從前述處理部將從前述第1噴嘴及第2噴嘴供給至基板後而混合的處理液回收，再流回前述第2儲槽。
  2. 如申請專利範圍第1項之基板液處理裝置，其中，前述第1處理液供給機構，係具有第1加熱器，該第1加熱器，係以從前述第1噴嘴所吐出之處理液的溫度成為第1溫度的方式，加熱處理液，前述第2處理液供給機構，係具有第2加熱器，該第2加熱器，係以從前述第2噴嘴所吐出之處理液的溫度成為第2溫度的方式，加熱處理液，前述第2溫度，係比前述第1溫度高。
  3. 如申請專利範圍第2項之基板液處理裝置，其 中，前述第1面，係基板的電路形成面，前述第2面，係其背面。
  4. 如申請專利範圍第1項之基板液處理裝置，其中，前述第1面，係基板的電路形成面，前述第2面，係未形成電路的面。
  5. 如申請專利範圍第1~4項中任一項之基板液處理裝置，其中，前述第1儲槽與前述第2儲槽，係藉由連通路予以連接，在前述第2儲槽內之處理液的液位成為預定高度以上時，前述第2儲槽內的處理液，係經由前述連通路流入至前述第1儲槽內。
  6. 如申請專利範圍第5項之基板液處理裝置，其中，前述第1處理液供給機構，係具有：第1循環管線，從前述第1儲槽流出再流回前述第1儲槽；及第1分歧管線，從前述第1循環管線分歧，從前述第1循環管線對前述第1噴嘴供給處理液，前述第2處理液供給機構，係具有：第2循環管線，從前述第2儲槽流出再流回前述第2儲槽；及第2分歧管線，從前述第2循環管線分歧，從前述第2循環管線對前述第2噴嘴供給處理液。
  7. 如申請專利範圍第6項之基板液處理裝置，其 中，在前述第1儲槽內，為了延長處理液從前述第1循環管線流回的區域與處理液被送出至前述第1循環管線的區域之間的流路長度，而在前述第1儲槽內設置擋板，前述連通路，係使前述第1儲槽內之處理液流入至處理液從前述第1循環管線流回的區域。
  8. 一種基板液處理方法，係具備有：以第1溫度，將儲存於第1儲槽的處理液供給至基板之第1面的步驟；以高於前述第1溫度的第2溫度，將儲存於第2儲槽的處理液供給至基板之第2面的步驟，該儲存於第2儲槽的處理液，係具有與儲存於前述第1儲槽之處理液相同的組成的步驟；將從前述第1噴嘴及第2噴嘴供給至基板後而混合的處理液回收，再流回第2儲槽的步驟；及以高於前述第1溫度的前述第2溫度，將混合了至此為止存在於第2儲槽的處理液與流回第2儲槽的處理液者供給至基板的第2面的步驟；前述第1面，係基板的電路形成面，前述第2面，係未形成電路的面。
  9. 如申請專利範圍第8項之基板液處理方法，其中，流回前述第2儲槽之處理液的一部分，係被輸送至前述第1儲槽。
TW103134893A 2013-10-17 2014-10-07 Substrate liquid processing device and substrate liquid processing method TWI619188B (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2013216725A JP6022431B2 (ja) 2013-10-17 2013-10-17 基板液処理装置及び基板液処理方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201528404A true TW201528404A (zh) 2015-07-16
TWI619188B TWI619188B (zh) 2018-03-21

Family

ID=52825091

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW103134893A TWI619188B (zh) 2013-10-17 2014-10-07 Substrate liquid processing device and substrate liquid processing method

Country Status (4)

Country Link
US (1) US9716020B2 (zh)
JP (1) JP6022431B2 (zh)
KR (1) KR102301023B1 (zh)
TW (1) TWI619188B (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI656570B (zh) * 2015-08-07 2019-04-11 日商東京威力科創股份有限公司 Substrate liquid processing device, substrate liquid processing method, and memory medium

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6010457B2 (ja) * 2012-12-28 2016-10-19 東京エレクトロン株式会社 液処理装置および薬液回収方法
JP6887836B2 (ja) * 2017-03-16 2021-06-16 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 処理液供給装置、基板処理装置、および処理液供給方法
KR20180134465A (ko) * 2017-06-08 2018-12-19 삼성전자주식회사 기판 처리 장치 및 방법
KR101987810B1 (ko) * 2017-10-30 2019-06-11 세메스 주식회사 기판 처리 장치
KR102063320B1 (ko) * 2017-11-29 2020-01-08 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 방법
KR20190045109A (ko) 2019-04-11 2019-05-02 신민영 자동차 및 배관용 니플 자동화 제조 방법 및 그 시스템
KR20190125238A (ko) 2019-10-18 2019-11-06 경일대학교산학협력단 자동차 배관용 니플의 자동화 제조 시스템 및 자동화 제조 방법
KR102622445B1 (ko) * 2020-04-24 2024-01-09 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 액 공급 방법
JP7438171B2 (ja) * 2021-09-13 2024-02-26 芝浦メカトロニクス株式会社 供給タンク、供給装置、供給システム

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4094783A (en) * 1977-09-29 1978-06-13 Jackson George F Centrifugal flotation separator
JP4692997B2 (ja) 1998-07-07 2011-06-01 東京エレクトロン株式会社 処理装置及び処理方法
JP4426036B2 (ja) * 1999-12-02 2010-03-03 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
AU2003220830A1 (en) * 2002-03-12 2003-09-22 Olympus Corporation Semiconductor manufacturing method and device thereof
JP2004228467A (ja) * 2003-01-27 2004-08-12 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置および基板処理方法
JP2006032802A (ja) * 2004-07-20 2006-02-02 Pioneer Electronic Corp ウェット装置、ディスプレイパネルの製造装置およびウェット処理方法
JP4841376B2 (ja) * 2006-02-07 2011-12-21 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
JP5173500B2 (ja) * 2008-03-11 2013-04-03 大日本スクリーン製造株式会社 処理液供給装置およびそれを備えた基板処理装置
CA2634672C (en) * 2008-06-09 2013-03-12 Jerry Hanna Water reaction tank
JP5785454B2 (ja) * 2011-07-29 2015-09-30 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI656570B (zh) * 2015-08-07 2019-04-11 日商東京威力科創股份有限公司 Substrate liquid processing device, substrate liquid processing method, and memory medium

Also Published As

Publication number Publication date
US20150107622A1 (en) 2015-04-23
US9716020B2 (en) 2017-07-25
KR102301023B1 (ko) 2021-09-09
JP2015079884A (ja) 2015-04-23
TWI619188B (zh) 2018-03-21
KR20150044813A (ko) 2015-04-27
JP6022431B2 (ja) 2016-11-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TW201528404A (zh) 基板液處理裝置及基板液處理方法
TWI616968B (zh) 基板液體處理裝置、基板液體處理裝置之清洗方法及記錄媒體
JP2015079884A5 (zh)
US20150020968A1 (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
US10500617B2 (en) Substrate liquid treatment apparatus, tank cleaning method and non-transitory storage medium
JP5893592B2 (ja) 液処理装置
KR101771275B1 (ko) 액처리 장치, 액처리 방법, 및 기억 매체
KR20160038786A (ko) 기판 처리 장치
TWI658173B (zh) 基板處理裝置
JP6494807B2 (ja) 基板処理装置および基板処理方法
JP2015220318A5 (zh)
JP6768146B2 (ja) 液供給装置および液供給方法
JP2007178116A (ja) 汚染ガス除去空気調和装置
US11430675B2 (en) Substrate processing apparatus and processing liquid reuse method
JP4692997B2 (ja) 処理装置及び処理方法
KR20190085128A (ko) 처리액 공급 장치, 기판 처리 장치, 및 처리액 공급 방법
JP3817093B2 (ja) 処理装置及び処理方法
JP5829446B2 (ja) 基板処理装置及びその液交換方法
JP2022108088A (ja) 処理液供給システムおよび基板処理装置
KR20060030689A (ko) 기판 세정 장치
JP2013104630A (ja) 温度制御装置
KR20070082656A (ko) 항온수 순환장치
KR20100060953A (ko) 배관 내의 기포를 제거하는 기포 제거 장치