TWI658173B - 基板處理裝置 - Google Patents

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樋口鮎美
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日商斯庫林集團股份有限公司
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Abstract

本發明之目的，在於使基板處理裝置之去除金屬離子之性能迅速地回復。基板處理裝置1具備有處理部11、供給槽12及回收槽13。處理部11係藉由來自第1循環路徑211之處理液91，而對基板9進行蝕刻處理。使用完畢之處理液91係導入至回收槽13，而在第2循環路徑223進行循環。第2循環路徑223係由第1部分配管223a及第2部分配管223b所構成，於第1部分配管223a之內壁施加有包含去除處理液中之金屬離子之金屬捕捉基的去除金屬塗層233。酸系藥液92自酸系藥液供給部24被供給至第1部分配管223a使金屬捕捉基之金屬吸附力再生。

Description

基板處理裝置
本發明係關於可自基板之洗淨液有效率地去除金屬雜質之基板處理技術。
習知，於半導體基板或玻璃基板等各種用途之基板的處理中，有採用將處理液供給至基板之處理。為了於基板上形成細密之電路圖案，而於將處理液供給至基板之流路設置去除微粒之濾網(filter)。去除微粒濾網定期地進行更換或使其再生。
例如，專利文獻1揭示有一種基板處理裝置，其具備有用以有效地自半導體基板之處理液去除金屬雜質之濾網。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開平8-8223號公報
專利文獻1之基板處理裝置具備有用以去除金屬雜質之濾網。濾網雖可藉由使洗淨液通過而使因經時變化所導致濾網性能之劣化得以回復，但並未採取為了使該回復作業縮短之特別對策。
本發明係鑒於上述課題所完成者，其目的在於提供可使去除金屬離子之性能迅速地回復之基板處理裝置。
第1態樣之發明係一種基板處理裝置，其具備有：供給槽，其貯存處理液；處理部，其將上述供給槽內之處理液供給至基板而進行蝕刻處理；回收路徑，其將被供應於上述蝕刻處理之處理液導引至回收槽；處理液循環路徑，其出自上述回收槽並返回至上述回收槽；及泵，其使上述回收槽內之處理液經由上述處理液循環路徑進行循環；於作為上述處理液循環路徑之至少一部分之配管之內壁施加有包含去除上述處理液中之金屬離子之金屬捕捉基的塗層，該基板處理裝置進一步具備有：酸系藥液供給部，其將酸系藥液供給至施加有上述塗層之上述配管，而將金屬離子自上述金屬捕捉基去除。
根據第1態樣之基板處理裝置，於作為處理液循環路徑之至少一部分之配管的內壁，具備有包含去除處理液中之金屬離子之金屬捕捉基的塗層。因此，酸系藥液供給部可對配管內部以較高的流速供給酸系藥液，而可提高液體更換效率。因此，可自金屬捕捉基去除金屬離子而使金屬捕捉基之去除金屬離子之性能迅速地回復。
第2態樣之發明係於第1態樣之基板處理裝置中，於上述處理液循環路徑介設有金屬濃度計，該基板處理裝置進一步具備有：控制部，其於上述金屬濃度計檢測出之處理液中之金屬離子濃度滿足預先設定之條件之情形時，上述酸系藥液供給部係使上述酸系藥液供給部進行酸系藥液朝向上述配管內部之供給。
第3態樣之發明係於第2態樣之基板處理裝置中，上述金屬濃度計包含有分光計、折射率計及導電度計中之至少一者。
第4態樣之發明係於第1態樣之基板處理裝置中，上述金屬捕捉基包含含有螫合物(chelate)置換基或離子交換基或該二者之材料。
第5態樣之發明係於第1態樣之基板處理裝置中，在上述處理液循環路徑中，於上述塗層之下游側進一步具備有去除微粒濾網。
根據第5態樣之基板處理裝置，可防止微粒流至塗層更下游之情形。
第6態樣之發明係於第1至第5態樣中任一態樣之基板處理裝置中，於內壁施加有上述塗層之上述配管，係將可相互地連結之複數個單位配管加以組合所構成。
根據第6態樣之基板處理裝置，可簡單地確保必要之液體接觸面積之包含金屬捕捉基之塗層。
根據本發明，於進行蝕刻處理之基板處理裝置中，可迅速地進行自所回收之處理液去除金屬離子之金屬捕捉基之再生處理。因此，可縮短基板處理裝置之停機時間。
1‧‧‧基板處理裝置
9‧‧‧基板
11‧‧‧處理部
12‧‧‧供給槽
13‧‧‧回收槽
21‧‧‧第1流路系統
22‧‧‧第2流路系統
24‧‧‧酸系藥液供給部
91‧‧‧處理液
92‧‧‧酸系藥液
100‧‧‧控制部
111‧‧‧旋轉部
112‧‧‧供給部
113‧‧‧液體承接部
211‧‧‧第1循環路徑
212‧‧‧供給路徑
213‧‧‧加熱器
214‧‧‧泵
215‧‧‧去除微粒濾網
216‧‧‧閥
221‧‧‧回收路徑
222‧‧‧補充路徑
223‧‧‧第2循環路徑(處理液循環路徑)
223a‧‧‧第1部分配管
223a1‧‧‧內壁
223b‧‧‧第2部分配管
224‧‧‧加熱器
225‧‧‧泵
226‧‧‧金屬濃度計
227~229‧‧‧閥
230‧‧‧去除微粒濾網
231‧‧‧吸液口
232‧‧‧吐出口
233‧‧‧去除金屬塗層
234‧‧‧支管
235‧‧‧閥
241‧‧‧藥液槽
242‧‧‧酸系藥液供給路徑
243‧‧‧泵
244‧‧‧閥
250‧‧‧閥
300‧‧‧去除金屬濾網
301‧‧‧配管
301r‧‧‧內徑
302‧‧‧去除金屬片
303‧‧‧配管
303r‧‧‧內徑
400‧‧‧去除金屬濾網
401‧‧‧配管
401r‧‧‧內徑
402‧‧‧去除金屬片
403‧‧‧配管
403r‧‧‧內徑
T11‧‧‧時刻
T12‧‧‧時刻
圖1係顯示基板處理裝置之概略構成之圖。
圖2係第1部分配管之剖視圖。
圖3係顯示基板處理裝置之基本動作之流程之圖。
圖4係顯示處理液之循環之流程之圖。
圖5係顯示層積配置去除金屬片之參考例之圖。
圖6係顯示層積配置去除金屬片之參考例之圖。
圖7係顯示金屬濃度之變化之概略之圖。
圖1係顯示本發明一實施形態之基板處理裝置1之概略構成之圖。基板處理裝置1將作為處理液之蝕刻液供給至基板9，而進行基板9之表面之蝕刻處理。基板處理裝置1具備有處理部11、貯存處理液91之供給槽12及貯存使用後之處理液91之回收槽13。使用後之處理液91係自回收槽13被送回供給槽12。
在以下之說明中，將於供給槽12與處理部11之間供使用前之處理液91流動之流路系統稱為「第1流路系統21」。將於處理部11與供給槽12之間供使用後之處理液91流動之流路系統稱為「第2流路系統22」。回收槽13係包含於第2流路系統22中。
處理部11包含有：旋轉部111，其以水平姿勢使基板9進行旋轉；供給部112，其將處理液91供給至基板9之上表面；及液體承接部113，其承接自基板9飛濺之處理液91。由液體承接部113所承接之包含高濃度金屬離子之處理液91係導引至回收槽13。剛使用後之處理液91含有例如ppm層級之金屬離子。作為處理部11之構造，亦可採用其他構造。在本實施形態中，處理部11雖為單片式，但亦可為批次式。作為處理液91，亦可利用各種蝕刻液。本實施形態適於使用高價之蝕刻液，例如對於鈦、鎢、其他金屬、該等之氮化物等之蝕刻選擇性較優異者及BEOL(Back End Of Line；後段製程)用之蝕刻液等之情形。
第1流路系統21包含有第1循環路徑211及供給路徑212。於第1循環路徑211上設置有加熱器213、泵214及去除微粒濾網215。藉由泵214，處理液91一邊經由供給槽12一邊於第1循環路徑211中循環。亦即，處理液91藉由自供給槽12經由第1循環路徑211返回供給槽12而進行循環。藉由去除微粒濾網215，可去除處理液91所包含之微粒。
藉由加熱器213，於第1循環路徑211及供給槽12內所存在之處理液91之溫度被保持為一定。正確而言，加熱器213與省略圖示之溫度計及溫度控制部係作為調溫部而發揮功能，且溫度控制部根據溫度計所取得處理液91之溫度來控制加熱器213，藉此使第1循環路徑211之處理液91之溫度被調整為一定。
於供給路徑212設置有閥216。第1循環路徑211延伸至處理部11之附近，若閥216開啟，溫度經調整之處理液91便自處理部11之供給部112被供給至基板9上。
第2流路系統22包含有：回收路徑221，其將處理液91自處理部11導引至回收槽13；補充路徑222，其將處理液91自回收槽13導引至供給槽12；及第2循環路徑223。在本實施形態中，補充路徑222自第2循環路徑223分歧。補充路徑222亦可將處理液91直接地自回收槽13導引至供給槽12。又，亦可理解為第2循環路徑223之一部分兼作為補充路徑222。於補充路徑222上介設有閥250。
閥250與後述之閥228係互補地作動，使第2循環路徑223中之處理液91朝向回收槽13進行循環，或使其朝向補充路徑222進行供給。亦即，閥250與閥228係作為切換供處理液91 流動之流路之切換閥而發揮作用。
於第2循環路徑223上，設置有加熱器224、泵225、金屬濃度計226、閥227至閥229及去除微粒濾網230。
第2循環路徑223係連結在被貯存於回收槽13內之處理液91中開口之吸液口231與在回收槽13內開口之吐出口232之配管，包含有從閥227至閥229之第1部分配管223a及其以外之第2部分配管223b。
藉由泵225，處理液91一邊經由回收槽13一邊於第2循環路徑223中循環。亦即，處理液91藉由自回收槽13經由第2循環路徑223返回回收槽13而進行循環。
加熱器224將於第2循環路徑223及回收槽13內所存在之處理液91之溫度維持為一定。正確而言，加熱器224與省略圖示之溫度計及溫度控制部係作為調溫部而發揮功能，且溫度控制部根據溫度計所取得處理液91之溫度來控制加熱器224，藉此使第2循環路徑223內之處理液91之溫度被調整為一定。
金屬濃度計226取得第2循環路徑223之處理液91中之金屬離子濃度。以下，將金屬離子濃度稱為「金屬濃度」。具體而言，金屬濃度計226包含有分光計、折射率計及導電度計中之至少一者。較佳為，金屬濃度計226包含有分光計。再者，金屬濃度計226亦可被設置於第2循環路徑223外，而間接地取得第2循環路徑223之處理液91中之金屬離子濃度。例如，金屬濃度計226亦可被設置於回收槽13內。
其次，對第1部分配管223a之構造進行說明。圖2係以圖1之線L-L部分剖切第1部分配管223a之剖視圖。如圖2 所示，於第1部分配管223a之內壁223a1係大致遍及全周地施加疊合有金屬捕捉基之去除金屬塗層233。去除金屬塗層233之金屬捕捉基，去除在第1部分配管223a中所流動之處理液91中之金屬離子，即所謂之溶解金屬。被去除之金屬離子，主要為在蝕刻處理中自基板9之表面溶解於處理液91中之金屬離子。再者，金屬亦可包含大致具有金屬性質之砷。去除金屬塗層233包含含有螫合物置換基或離子交換基之材料。具體而言，將螫合樹脂、離子交換樹脂、或組合複數種樹脂而成者，係利用於去除金屬塗層233。
再者，在圖2中，雖圖示為去除金屬塗層233於圓周方向上局部地覆蓋於第1部分配管223a之內壁，但去除金屬塗層233亦可於圓周方向上完全地覆蓋於第1部分配管223a之內壁223a1。
於第2部分配管223b之內壁雖未施加有去除金屬塗層233，但亦可施加。又，亦可於回收槽13之內壁施加去除金屬塗層233。
回到圖1，支管234自第1部分配管223a之下游端部附近分歧。支管234連接於排液管線。於支管234介設有閥235。閥235與第2循環路徑223上之閥229互補地進行開閉。亦即，若閥235開放閥229便關閉，使第2循環路徑223內之處理液91朝向支管234被供給。另一方面，若閥229開放閥235便關閉，使第2循環路徑223內之處理液91朝向下游被送出。如此，一對之閥229與閥235係作為處理液91之切換閥而發揮功能。
基板處理裝置1具有酸系藥液供給部24。酸系藥液供給部24具備有藥液槽241、酸系藥液供給路徑242、泵243及閥 244。
藥液槽241貯存酸系藥液92。酸系藥液供給路徑242將藥液槽241與第2流路系統22之第2循環路徑223加以連結。酸系藥液供給路徑242在第1部分配管223a之起始端附近(閥227與閥228之間之位置)連通於第2循環路徑223。
泵243係介設於酸系藥液供給部24，而將藥液槽241內之酸系藥液92朝向酸系藥液供給路徑242輸送。閥244與閥227互補地進行開閉。亦即，若閥244開放閥227便關閉，而使酸系藥液供給路徑242內之酸系藥液92朝向第2循環路徑223被供給。另一方面，若閥227開放閥244便關閉，而使第2循環路徑223內之處理液91朝向下游被送出。如此，一對之閥227與閥244係作為切換閥而發揮功能。
作為酸系藥液92，例如可利用鹽酸、硫酸、氫氟酸、磷酸、硝酸中之任一者。藉由酸系藥液92被供給至於第1部分配管223a，使被第1部分配管223a之內壁之金屬捕捉基(圖2)所捕捉之金屬離子被去除。藉此，使金屬捕捉基再生，從而使金屬捕捉基之壽命進一步延長之情形得以實現。通過第1部分配管223a之酸系藥液92係經由支管234而排放至排液管線。
控制部100係包含進行各種運算處理之CPU(Central Processing Unit；中央處理單元)、儲存基本程式之ROM(Read-Only Memory；唯讀記憶體)及儲存各種資訊之RAM(Random Access Memory；隨機存取記憶體)等一般之電腦系統，其與前述之處理部11之旋轉部111及供給部112、第1流路系統21之加熱器213、泵214及閥216、第2流路系統22之加熱器224、泵225、金屬濃度 計226及閥227、228、229、235、250、酸系藥液供給部24之泵243及閥244等進行電信號的收發，而對該等進行控制。
其次，參照圖3，對基板處理裝置1之基本動作進行說明。首先，基板9係藉由搬送機器人被搬入處理部11內，而被載置於旋轉部111上(步驟S11)。基板9係保持於旋轉部111而進行旋轉。處理液91係經由供給路徑212而自供給槽12被供給至處理部11，且處理液91係自位於基板9上方之噴嘴被供給至基板9之上表面(步驟S12)。藉此，於基板9之上表面進行蝕刻處理(步驟S13)。處理液91自基板9飛濺而由液體承接部113所承接，並經由回收路徑221而被回收至回收槽13(步驟S14)。步驟S12~S14大致同步地被進行。
視需要對基板9進行洗淨等之其他處理，使基板9之旋轉停止。再者，亦可於蝕刻處理前進行其他處理。處理完畢之基板9係藉由搬送機器人而自處理部11被搬出(步驟S15)。
實際上，於第1循環路徑211連接有複數個處理部11，藉由相對應之閥216開啟，而進行處理液91朝向各處理部11之供給。複數個處理部11係連接於1個回收槽13，來自複數個處理部11之使用完畢之處理液91係回收至回收槽13。
圖4係顯示第2循環路徑223之處理液91之循環及調溫之流程之圖。圖4之處理係與處理液91之循環同步地進行。在圖4中雖未顯示，但如前所述般，於使處理液91循環之步驟中，在第2循環路徑223對處理液91之溫度進行調整之步驟與將流動於第2循環路徑223之處理液91中之金屬離子去除之步驟係同步地進行。
金屬濃度計226反覆測量第2循環路徑223內之處理液91之金屬濃度(步驟S21)，且省略圖示之溫度計亦反覆測量第2循環路徑223內之處理液91之溫度(步驟S22)。所取得之金屬濃度及溫度係輸入至圖1所示之控制部100。處理液91剛自處理部11被回收時，存在有回收槽13內之處理液91之溫度低，且金屬濃度亦高之情形。然而，於去除金屬塗層233之去除能力尚未下降之期間，金屬濃度並不會超過所預先設定之濾網臨界值(後述之於判斷是否需要進行配管洗淨時，所參照之金屬濃度)(步驟S21)。更詳細而言，在步驟S21中，控制部100判斷處理液91之金屬濃度是否較所預先設定之補充臨界值低，藉此判斷回收槽13內之處理液91是否適合進行朝向供給槽12之補充。在步驟S22中，控制部100根據處理液91之溫度來判斷回收槽13內之處理液91是否適合進行朝向供給槽12之補充。
藉由控制器100，使閥227開放同時使閥244關閉，使閥228開放同時使閥250關閉，使閥229開放同時使閥235關閉，處理液91便在第2循環路徑223中循環。終究，處理液91之溫度會藉由加熱器224而到達既定之目標溫度，處理液91之金屬濃度會藉由被施加於第1部分配管223a內壁之去除金屬塗層233而下降。
於步驟S21之判斷結果，處理液91之金屬濃度較所預先設定之補充臨界值低，且步驟S22之判斷結果，處理液91之溫度適當之情形時，藉由控制部100來確認是否需要進行自回收槽13朝向供給槽12之處理液91的補充(步驟S23)。具體而言，於供給槽12及回收槽13設置有測量液面位置之位準感測器。於供給槽 12內之處理液91之量低於補充開始量，且回收槽13內之處理液91之量超過可補充量之情形時，進行補充(步驟S24)。控制部100若判斷需要補充且可進行補充，便關閉閥228而開啟閥250。藉此，利用泵225使處理液91自回收槽13被導引至供給槽12。被補充至供給槽12之處理液91之量，例如被預先設定。
如以上所述，藉由控制部100，自回收槽13朝向供給槽12之處理液的補充，至少根據由金屬濃度計226所取得之金屬離子濃度來控制。藉此，適當之金屬濃度之處理液91，係自動地自回收槽13被補充至供給槽12。此外，由於自回收槽13朝向供給槽12之處理液之補充，亦根據處理液91之溫度來控制，因此亦可防止供給槽12內之處理液91之溫度急遽地降低。
又，在第2循環路徑223中，去除微粒濾網230係配置於第1部分配管223a之下游側。藉此，即使在第1部分配管223a產生微粒，由於馬上會由去除微粒濾網230所去除，因此可防止微粒自第2流路系統22朝向第1流路系統21擴散之情形。
在第1部分配管223a中，為了效率良好地捕捉金屬離子，處理液91較佳係以低速進行流動。另一方面，由於第1循環路徑211係連接於供給路徑212，因此第1循環路徑211係要求某種程度之單位時間之處理液的流量。因此，假設將去除金屬手段設置於第1循環路徑211之情形時，存在有難以效率良好地去除金屬離子之可能性。相對於此，在基板處理裝置1中，由於去除金屬塗層233被設置於第2循環路徑223，因此可將第2循環路徑223之單位時間之處理液之流量設為較第1循環路徑211之單位時間之處理液之流量少，而可效率良好地去除金屬離子。亦即，相較於在 第1循環路徑211設置去除金屬手段之情形，藉由在第2循環路徑223設置去除金屬塗層233，可容易地減低去除金屬塗層233處之處理液91之流速。
又，由於第1循環路徑211位於供給路徑212之近前，因此第1循環路徑211中之處理液91之溫度必須被正確地調整，但第2循環路徑223，處理液91之溫度不需要如第1循環路徑211般被正確地調整。處理液91之溫度為高溫之情形時，存在有處理液91之溫度會對金屬濃度計226之測量造成影響之可能性。因此，在基板處理裝置1中，第2循環路徑223之加熱器224對處理液91之設定溫度，較第1循環路徑211之加熱器213對處理液91之設定溫度低。所謂處理液之設定溫度，係指於包含加熱器、溫度計、溫度控制部等之溫度調整部所設定之目標溫度。
因在第1部分配管223a內壁所形成之去除金屬塗層233被長時間使用，所以最後去除金屬離子之能力會降低。其結果，於步驟S21所測量之金屬濃度逐漸地上升。若金屬濃度超過濾網臨界值(步驟S25)，便執行配管洗淨處理(步驟S26)。
在配管洗淨處理(步驟S26)中，控制部100停止基板處理裝置1之動作，將裝置內之處理液91自回收槽13排出。其次，一方面關閉閥227另一方面開放閥244。又，閥228維持開放狀態。一方面關閉閥229另一方面開放閥235。泵225成為OFF。在該狀態下，泵243成為ON使藥液槽241內之酸系藥液92自酸系藥液供給路徑242被輸送至第1部分配管223a。被輸送至之酸系藥液92對第1部分配管223a之內壁223a1進行洗淨，並經由支管234被排出至基板處理裝置1之外部。藉由持續該處理既定時間，使去 除金屬塗層233之金屬吸附力回復。
於使用酸系藥液使金屬吸附力回復之情形時，若液體置換效率高，金屬吸附率之再生效率便提升。在基板處理裝置1中，如上述使用圖2所說明，由於為在第1部分配管223a之內壁施有疊合金屬捕捉基之去除金屬塗層233之簡單的構成，因此可將因去除金屬塗層233所造成液流之阻礙抑制為最小限度，而可確保較高的液體置換效率。因此，泵243可以相對較大之流速將酸系藥液92輸送至第1部分配管223a。其結果，可在短時間內使去除金屬塗層233之金屬吸附力再生。
又，第1部分配管223a之內徑大致一致。此亦有助於將因去除金屬塗層233所造成液流之阻礙抑制為最小限度。
圖5為去除金屬濾網之參考例。圖5之去除金屬濾網300係設為在配管301之內部，將複數片去除金屬片302以使其厚度方向與酸系藥液之流動方向交叉之方式設置有多數層之構成。濾網部分之配管301之內徑301r較其前後之配管303之內徑303r大。
圖6為去除金屬濾網之另一參考例。圖6之去除金屬濾網400係於配管401之內部將複數片去除金屬片402以與藥液流動方向平行之方式設置成多數層之構成。濾網部分之配管401之內徑401r較其前後之配管403之內徑403r大。
於圖5及圖6之任一者之參考例中，由於藥液之流通由去除金屬片302及402所阻礙，因此於通過配管301及401時會產生能量損失而造成壓力損失。又，配管之內徑變化亦會助長該壓力損失。因此，於圖5及圖6之參考例之情形時，無法將藥液以較大的流速輸送至配管，而使液體置換效率變低。其結果，金屬吸附 力之再生變得需要較長的時間。於進行金屬吸附力之再生之期間，基板處理裝置之運作停止。亦即，停機時間會變長。
回到圖4，若去除金屬塗層233之再生結束，控制部100便停止酸系藥液92之供給，並且自未圖示之處理液供給手段將處理液91供給至第1部分配管223a而將附著於第1部分配管223a之酸系藥液92沖洗掉。其後，新的處理液91被填充至供給槽12(步驟S27)，開始處理液91之循環及調溫。
圖7係顯示作為金屬離子濃度之金屬濃度之上述變化之概略之圖。去除金屬塗層233擁有去除能力之期間，由金屬濃度計226所測量到之金屬濃度較低。實際上，每當使用完畢之處理液91自處理部11流入回收槽13時，金屬濃度便會有某種程度的變動。若於時刻T11，去除金屬塗層233飽和而金屬離子之去除能力下降，金屬濃度便逐漸地增加。若於時刻T12，金屬濃度超過濾網臨界值，便執行配管洗淨處理(步驟S26)。
在基板處理裝置1中，設置去除金屬塗層233，並且設置金屬濃度計226，藉此可一邊延長處理液91之使用期限(life time)一邊進行管理。其結果，可一邊防止蝕刻選擇比等之藥液特性劣化之影響，一邊提升處理液91之使用效率。換言之，可一邊使高價之處理液91再生一邊毫不浪費地加以使用，而可減少基板9之製造成本。
如以上所述，藉由控制部100，自回收槽13朝向供給槽12之處理液之補充至少根據由金屬濃度計226所取得之金屬離子濃度來控制。藉此，適當之金屬濃度之處理液91自動地自回收槽13被補充至供給槽12。此外，由於自回收槽13朝向供給槽 12之處理液之補充亦根據處理液91之溫度來控制，因此亦可防止供給槽12內之處理液91之溫度急遽地降低。
又，在第2循環路徑223中，去除微粒濾網230係配置於在內壁施加有去除金屬塗層233之第1部分配管223a之下游側。藉此，假設即使在第1部分配管223a產生微粒，由於仍會由隨後之去除微粒濾網230所去除，因此可防止微粒自第2流路系統22朝向第1流路系統21擴散之情形。
在第1部分配管223a中，為了效率良好地捕捉金屬離子，處理液91較佳係以低速進行流動。另一方面，由於第1循環路徑211被連接於供給路徑212，因此在第1循環路徑211中，要求某種程度之單位時間之流量。因此，假設在將去除金屬手段設置於第1循環路徑211之情形時，存在有難以效率良好地去除金屬離子之可能性。相對於此，在基板處理裝置1中，由於去除金屬塗層233被設置於第2循環路徑223，因此可將第2循環路徑223之單位時間之處理液之流量設為較第1循環路徑211之單位時間之處理液之流量少，而可效率良好地去除金屬離子。亦即，相較於在第1循環路徑211設置去除金屬手段之情形，藉由在第2循環路徑223設置去除金屬塗層233，可容易地減低施加有去除金屬塗層233之第1部分配管223a之處理液91之流速。
所需要之去除金屬塗層233之接觸液體面積，係根據所回收之處理液91之金屬濃度而有各種變化。所回收之處理液91之金屬濃度由於依存於製程內容，因此對於頻繁地變更製程內容之使用者，必須要能頻繁地變更去除金屬塗層233之接觸液體面積。
因此，亦可將第1部分配管223a以可相互地連結之 複數個單位配管來構成。將所需要之接觸液體面積除以每單位配管之接觸液體面積來求得需要之單位配管之數量，並連結該數量之單位配管。藉此，可簡單地製作所需要之接觸液體面積之施加有去除金屬塗層之第1部分配管223a。
又，由於第1循環路徑211位於供給路徑212之近前，因此雖需要正確地調整第1循環路徑211之處理液91之溫度，但第2循環路徑223，處理液91之溫度不需要如第1循環路徑211般被正確地調整。處理液91之溫度為高溫之情形時，存在有處理液91之溫度會對金屬濃度計226之測量造成影響之可能性。因此，在基板處理裝置1中，第2循環路徑223之加熱器224對處理液91之設定溫度，較第1循環路徑211之加熱器213對處理液91之設定溫度低。所謂處理液之設定溫度，係指於包含加熱器、溫度計、溫度控制部等之溫度調整部所設定之目標溫度。
基板處理裝置1可進行各種變形。
於可利用重力將處理液91自回收槽13補充至供給槽12之情形時，亦可於回收槽13與供給槽12之間設置未設有泵之補充路徑222。
於第2循環路徑223中，亦可省略調溫功能。於該情形時，於處理液91被補充至供給槽12之後，在處理液91未被供給至處理部11之期間，在供給槽12及第1循環路徑211進行使處理液91之溫度成為適當為止之溫度調整。自回收槽13朝向供給槽12之處理液91之補充，亦可藉由操作者之操作而進行。由酸系藥液朝向去除金屬塗層之供給所進行去除金屬塗層233之再生，亦可藉由操作者之操作而進行。
施加有去除金屬塗層233之配管或金屬濃度計226，亦可被設於第1流路系統21。於該情形時，較佳為在第1循環路徑211設置有去除金屬塗層233及金屬濃度計226。於該情形時，亦可省略回收槽13。
亦可於第2流路系統22之第2循環路徑223以外之位置，設置施加有去除金屬塗層233之配管與金屬濃度計226等。換言之，去除金屬塗層233或金屬濃度計226亦可被設於第1流路系統21及第2流路系統22之各種位置。例如，亦可對回收槽13之內壁施加去除金屬塗層233。無論在任一位置設置去除金屬塗層233之情形時，較佳為在去除金屬塗層233之下游側設置去除微粒濾網230。
上述實施形態及各變形例之構成，只要不相互矛盾即可適當地加以組合。

Claims (6)

  1. 一種基板處理裝置，其具備有：供給槽，其貯存處理液；處理部，其將上述供給槽內之處理液供給至基板而進行蝕刻處理；回收路徑，其將被供應於上述蝕刻處理之處理液導引至回收槽；處理液循環路徑，其出自上述回收槽並返回至上述回收槽；及泵，其使上述回收槽內之處理液經由上述處理液循環路徑進行循環；於作為上述處理液循環路徑之至少一部分之配管之內壁施加有包含去除上述處理液中之金屬離子之金屬捕捉基的塗層，該基板處理裝置進一步具備有：酸系藥液供給部，其將酸系藥液供給至施加有上述塗層之上述配管，而將金屬離子自上述金屬捕捉基去除。
  2. 如請求項1之基板處理裝置，其中，於上述處理液循環路徑介設有金屬濃度計，該基板處理裝置進一步具備有：控制部，其於上述金屬濃度計所檢測出之處理液中之金屬離子濃度滿足被預先設定之條件之情形時，使上述酸系藥液供給部進行酸系藥液朝向上述配管內部之供給。
  3. 如請求項2之基板處理裝置，其中，上述金屬濃度計包含有分光計、折射率計及導電度計中之至少一者。
  4. 如請求項1之基板處理裝置，其中， 上述金屬捕捉基包含含有螫合物置換基或離子交換基或該二者之材料。
  5. 如請求項1之基板處理裝置，其中，在上述處理液循環路徑中，於較上述塗層更下游側之部分進一步具備有去除微粒濾網。
  6. 如請求項1至5中任一項之基板處理裝置，其中，於內壁施加有上述塗層之上述配管，係將可相互地連結之複數個單位配管加以組合所構成。
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