KR20070111982A - 처리액 처리 장치 및 이것을 구비한 기판 처리 장치 - Google Patents

Abstract

처리액의 교환 사이클을 길게 하거나 기판 처리 효율의 저하를 방지하거나 기판 처리 비용을 억제할 수 있는 기판 처리 장치 등을 제공한다.

기판 처리 장치(1)는 저류조(11)와 기판 처리 기구(12) 사이에서 처리액을 순환시키는 제 1 처리액 순환 기구(20)와, 기판 처리 기구(12)에서의 기판 처리에 의해 처리액 중에 포함되게 되는 금속 이온을 흡착하는 2개의 흡착탑(32, 33)과, 저류조(11) 내의 처리액을 흡착탑(32, 33)의 어느 한쪽에 선택적으로 공급하여 순환시키는 제 2 처리액 순환 기구(34)와, 처리액이 공급되는 흡착탑(32, 33)이 소정 시간 간격으로 교대로 전환되도록 제 2 처리액 순환 기구(34)의 작동을 제어하는 제어 장치(28)를 구비한다.

Description

처리액 처리 장치 및 이것을 구비한 기판 처리 장치{PROCESSING DEVICE FOR PROCESSING FLUID AND SUBSTRATE PROCESSING DEVICE HAVING THE SAME}

도 1은 본 발명의 일 실시형태에 따른 기판 처리 장치의 개략 구성을 나타낸 구성도.

도 2는 컬럼에 통액한 에칭액의 양과, 통액 후의 에칭액에 포함되는 인듐 이온의 농도의 관계를 나타낸 그래프.

도 3은 컬럼에 통액한 황산의 양과, 통액 후의 황산에 포함되는 인듐 이온의 농도 및 킬레이트제에 흡착된 인듐이 황산에 의해 용리된 비율(용리율)의 관계를 나타낸 그래프.

도 4는 본 발명의 다른 실시 형태에 따른 에칭액 처리 장치의 개략 구성을 나타낸 구성도.

<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>

1 : 기판 처리 장치 5 : 에칭액 처리 장치

11 : 저류조 12 : 기판 처리 기구

20 : 제 1 에칭액 순환 기구 24 : 농도 센서

25 : 농도 조정 기구 28 : 제어 장치

28a : 제 1 제어부 28b : 제 2 제어부

30 : 제거 기구 31 : 금속 이온 흡착 기구

32 : 제 1 흡착탑 33 : 제 2 흡착탑

34 : 제 2 에칭액 순환 기구 35 : 에칭액 공급관

36 : 공급 펌프 37 : 에칭액 회수관

38, 39, 40, 41 : 전환 밸브 42 : 용리액 공급 기구

43 : 공급부 44 : 용리액 공급관

45 : 용리액 공급 밸브 46, 47 : 전환 밸브

48 : 용리액 회수 기구 49 : 회수부

50 : 용리액 회수관 51, 52 : 전환 밸브

53 : 용리액 회수 밸브 54 : 세정액 공급 기구

55 : 공급부 56 : 세정액 공급관

57 : 세정액 공급 밸브 58 : 세정액 회수 기구

59 : 회수부 60 : 세정액 회수관

61 : 세정액 회수 밸브 K : 기판

L : 에칭액

본 발명은 기판 처리용 처리액 중에 포함되는 금속 이온을 제거하는 처리를 행하는 처리액 처리 장치 및 이것을 구비한 기판 처리 장치에 관한 것이다.

예를 들어, 반도체(실리콘) 웨이퍼, 액정 글래스 기판, 포토마스크용 글래스 기판, 광디스크용 기판 등의 각종 기판을 제조하는 공정에서는, 이러한 기판에 에칭액이나 현상액, 세정액이라는 각종 처리액을 공급하여 해당 기판을 처리하는 공정이 있다.

그리고, 이러한 공정에 이용되는 기판 처리 장치로서 종래, 예를 들어, 일본 공개특허공보 2000-96264호에 개시된 에칭 장치가 알려져 있다. 이 에칭 장치는, 에칭액을 저류하는 저류조와, 에칭액에 의해 기판에 에칭 처리를 행하는 기판 처리 기구와, 저류조에 저류된 에칭액을 기판 처리 기구에 공급하고, 공급한 에칭액을 해당 기판 처리 기구로부터 회수하여 저류조와 기판 처리 기구 사이에서 에칭액을 순환시키는 에칭액 순환 기구와, 저류조에 저류된 에칭액 중의, 에칭 처리에 기여하는 성분의 농도를 검출하는 농도 센서와, 농도 센서에 의해 검출된 농도가 소정의 기준 농도로부터 벗어나면, 저류조 내에 새로운 에칭액을 보급하여 해당 에칭액 중의 상기 기여 성분 농도를 일정 농도로 유지하는 에칭액 보급 기구를 구비한다.

상기 기판 처리 기구는 폐색 공간을 구비한 처리 챔버와, 처리 챔버 내에 배치되고 기판을 수평으로 지지하여 소정 방향으로 반송하는 복수의 반송 롤러와, 반송 롤러의 위쪽에 배치되고 기판의 표면을 향해 에칭액을 토출하는 복수의 노즐체 등으로 이루어진다.

상기 에칭액 순환 기구는 일단측이 저류조에 접속하고, 타단측이 처리 챔버 내에 설치되어 해당 외단측에 상기 각 노즐체가 고정 설치된 공급관과, 공급관을 통하여 각 노즐체에 에칭액을 공급하는 공급 펌프와, 일단측이 상기 처리 챔버의 저부에 접속하고 타단측이 저류조에 접속한 회수관 등으로 이루어진다.

이 에칭 장치에 의하면, 반송 롤러에 의해 기판이 소정 방향으로 반송됨과 함께 공급 펌프에 의해 저류조에 저류된 에칭액이 공급관을 통하여 각 노즐체에 공급되어 해당 각 노즐체로부터 기판 상면에 토출되고, 이러한 에칭액에 의해 기판이 에칭된다.

그리고, 기판 상면에 토출된 에칭액은 회수관 내를 유통하여 처리 챔버 내로부터 저류조 내로 회수된다. 저류조에 저류된 에칭액 중의 상기 기여 성분 농도는 농도 센서에 의해 수시 검출되고 있고, 해당 농도 센서에 의해 검출되는 기여 성분 농도가 소정의 기준 농도로부터 벗어나면 에칭액 보급 기구에 의해 새로운 에칭액이 저류조 내에 보급되고 해당 에칭액 중의 상기 기여 성분 농도가 일정 농도로 유지된다.

[특허문헌 1 : 일본 공개특허공보 2000-96264호]

그런데, 예를 들어, 기판의 상면에 형성된 산화 인듐주석막 등의 금속막에 대해 에칭을 행하면, 해당 에칭에 의해 해당 금속막을 구성하는 인듐이나 주석이라는 금속이 에칭액에 용해한다. 따라서, 에칭액을 저류조와 기판 처리 기구 사이에서 순환시키도록 구성된 상기 종래의 에칭 장치에서는, 에칭액 중에 포함되는 상기 금속의 농도가 서서히 상승하고, 이 금속 농도가 일정 레벨 이상이 되면 에칭 속도가 저하되거나 정밀도가 좋은 에칭 형상이 얻어지지 않는다는 문제를 일으킨다. 또한, 에칭액 중에 포함되는 상기 금속의 농도가 상승하면, 이 금속의 산화물이 에칭액 중에 생성되고, 에칭액의 성분이 결정화하여 석출되며, 이 석출물이 저류조의 내면에 부착되거나 기판에 파티클로서 부착된다는 문제, 저류조의 내면에 부착한 석출물을 정기적으로 제거해야 한다는 문제도 생긴다.

이 때문에, 상기 종래의 에칭 장치에서는, 저류조 내의 에칭액을 정기적으로 교환해야 하고, 또한 에칭액의 전환 중에는 에칭 처리를 행할 수 없기 때문에 기판 처리 효율이 저하된다. 또한, 이러한 처리 효율의 저하나 에칭액의 교환에 드는 비용(교환한 에칭액의 폐기 처리 비용이나, 교환하는 에칭액의 구입 비용)에 따라 에칭 처리의 비용이 상승한다.

본 발명은 이상의 실정을 감안하여 이루어진 것으로서, 처리액을 재이용할 수 있는 처리액 처리 장치 및 이 처리액 처리 장치를 구비하고, 처리액의 전환 사이클을 길게 하거나, 기판 처리 효율의 저하를 방지하거나, 기판 처리 비용을 억제할 수 있는 기판 처리 장치의 제공을 그 목적으로 한다.

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명은,

기판 처리용 처리액 중에 포함되는 금속 이온을 제거하는 처리를 행하는 장치로서,

상기 처리액을 저류하는 저류조와,

병설된 적어도 2개의 흡착탑을 구비하고, 상기 각 흡착탑의 내부에는 상기 처리액 중의 금속 이온을 흡착하는 킬레이트제가 충전된 금속 이온 흡착 수단과,

상기 저류조 내의 처리액을 상기 각 흡착탑에 공급하기 위한 처리액 공급관과, 상기 각 흡착탑 내를 유통한 처리액을 상기 저류조 내로 회수하기 위한 처리액 회수관과, 상기 처리액 공급관에 설치되고 상기 각 흡착탑으로의 상기 처리액의 공급을 제어하는 제 1 전환 밸브를 갖고, 상기 제 1 전환 밸브를 전환함으로써 상기 각 흡착탑의 어느 하나에 대해 선택적으로 상기 처리액을 공급하여 순환시키는 제거 처리용 순환 수단을 구비하여 이루어진 것을 특징으로 하는 처리액 처리 장치에 관한 것이다.

이 처리액 처리 장치에 의하면, 제거 처리용 순환 수단에 의해 저류조에 저류된 처리액이 처리액 공급관을 통하여 흡착탑의 어느 하나에 대해 선택적으로 공급됨과 함께, 해당 흡착탑 내를 유통 후, 처리액 회수관을 통하여 저류조 내로 회수되고, 해당 저류조와 흡착탑 사이에서 순환시켜진다. 흡착탑에서는 그 내부에 충전된 킬레이트제에 의해 처리액 중에 포함되는 금속 이온(처리액에 용해되어 있는 금속)이 흡착된다.

처리액이 공급되는 흡착탑은, 예를 들어 킬레이트제에 흡착된 금속이 대략 포화 상태에 이르렀다고 판단되었을 때에 제 1 전환 밸브가 적절히 조작되어 전환됨으로써 다른 흡착탑으로 변경되게 되어 있고, 이것에 의해 금속 이온 흡착 수단에서의 금속 이온의 흡착 능력이 일정하게 유지된다. 또한, 처리액이 공급되는 흡착탑이 전환되면, 처리액의 공급이 정지된 흡착탑은 킬레이트별로 흡착된 금속을 용리시키는 용리액 등을 이용하여 킬레이트제가 적절히 재생된다.

이렇게 하여, 본 발명에 따른 처리액 처리 장치에 의하면, 저류조 내의 처리액을 저류조와 흡착탑의 어느 하나 사이에서 순환시킴으로써 처리액 중의 금속 이온을 흡착, 제거하여 해당 처리액을 재이용 가능하게 할 수 있기 때문에, 새로운 처리액의 구입 비용이나 사용이 완료된 처리액의 폐기 비용 등을 절약하여 처리액에 드는 비용을 억제할 수 있고, 해당 처리액을 이용한 기판 처리에 드는 비용을 낮게 할 수 있다.

또한, 처리액이 공급되는 흡착탑을 제 1 전환 밸브의 전환에 의해 전환하면서 저류조 내의 처리액을 순환시키도록 했기 때문에, 금속 이온 흡착 수단의 금속 이온 흡착 능력을 저하시키지 않고 처리액으로부터 금속 이온을 제거할 수 있고, 효율적으로 금속 이온의 제거를 행할 수 있다.

또한, 상기 처리액 처리 장치는 상기 각 흡착탑의 킬레이트제에 흡착된 금속을 용리시키는 용리액을 상기 각 흡착탑에 공급하기 위한 용리액 공급관과, 상기 용리액 공급관에 설치되고 상기 각 흡착탑으로의 상기 용리액의 공급을 제어하는 제 2 전환 밸브를 갖고, 상기 제 2 전환 밸브를 전환함으로써 상기 각 흡착탑의 어느 하나에 대해 선택적으로 상기 용리액을 공급하는 용리액 공급 수단과, 상기 각 흡착탑 내를 유통한 용리액을 회수하는 용리액 회수 수단을 더욱 구비하고, 상기 제 2 전환 밸브를 전환함으로써 상기 처리액의 공급이 정지되고 또한 상기 킬레이트제가 금속 이온을 흡착한 상태에 있는 상기 흡착탑에 상기 용리액을 공급하도록 구성되어 있어도 좋다.

이렇게 하면, 처리액이 공급되는 흡착탑이 제거 처리용 순환 수단인 제 1 전환 밸브에 의해 전환되면, 용리액 공급 수단인 제 2 전환 밸브가 적절히 조작되어서 전환됨으로써 처리액의 공급이 정지된 흡착탑에 용리액이 공급된다. 흡착탑의 킬레이트제에 흡착된 금속(금속 이온)은, 이 용리액에 의해 용리하고, 용리된 금속 이온을 포함한 용리액이 용리액 회수 수단에 의해 회수된다. 이것에 의해, 킬레이트제를 재생할 수 있다. 또한, 처리액 중에 용해한 금속에는 매우 고가인 것도 있고, 이것을 회수할 수 있으면 형편상 좋지만, 상기와 같이 하여 회수한 용리액 중의 금속 이온을 적절히 회수함으로써 처리액에 용해한 금속을 효과적으로 회수할 수도 있다.

또, 상기 처리액 처리 장치는 상기 각 흡착탑의 내부를 세정하는 세정액을 상기 각 흡착탑에 공급하기 위한 세정액 공급관과, 상기 세정액 공급관에 설치되고 상기 각 흡착탑으로의 상기 세정액의 공급을 제어하는 제3 전환 밸브를 갖고, 상기 제3 전환 밸브를 전환함으로써 상기 각 흡착탑의 어느 하나에 대해 선택적으로 상기 세정액을 공급하는 세정액 공급 수단과, 상기 각 흡착탑 내를 유통한 세정액을 외부에 배출하기 위한 세정액 배출관을 더욱 구비하고, 상기 제3 전환 밸브를 전환함으로써 용리액 공급 후의 상기 흡착탑에 상기 세정액을 공급하도록 구성되어 있어도 좋다.

이렇게 하면, 킬레이트제에 흡착된 금속의 용리가 종료하면, 세정액 공급 수단의 제3 전환 밸브가 적절히 조작되어서 전환됨으로써 용리액 공급 후의 흡착탑에 세정액이 공급된다. 이 세정액에 의해 흡착탑의 내부가 세정되고 해당 세정액은 세정액 배출관으로부터 외부로 배출된다. 흡착탑의 내부에 용리액이 남아 있으면, 저류조 내의 처리액이 해당 흡착탑에 공급되었을 때에 해당 처리액과 용리액이 섞이고, 처리액을 이용한 기판 처리에 악영향을 미칠 우려가 있지만, 세정액에 의해 흡착탑 내에 잔존하고 있는 용리액을 씻어 흘림으로써 이러한 문제를 유효하게 방 지할 수 있다.

또한, 상기 처리액 처리 장치는 미리 설정된 시간 간격으로 상기 제 1 전환 밸브를 전환하는 제어 수단을 더욱 구비하여 구성되어 있어도 좋다. 이 경우, 처리액이 공급되는 흡착탑은 제어 수단에 의해 소정의 시간 간격으로, 즉, 흡착탑의 킬레이트제에 흡착된 금속이 대략 포화 상태에 이른다고 추정되는 시간 간격으로, 제거 처리용 순환 수단의 제 1 전환 밸브가 전환됨으로써 다른 흡착탑으로 변경된다. 따라서, 이렇게 구성해도, 금속 이온 흡착 수단에서의 금속 이온의 흡착 능력이 일정하게 유지되므로 상기와 같은 효과를 얻을 수 있다.

또한, 상기 처리액 처리 장치는 상기 저류조에 저류된 처리액 중의 금속 이온 농도를 검출하는 금속 이온 농도 검출 수단과, 상기 금속 이온 농도 검출 수단에 의해 검출되는 금속 이온 농도가 미리 설정된 기준값보다 높아졌을 때에 상기 제 1 전환 밸브를 전환하는 제어 수단을 더욱 구비하여 구성되어 있어도 좋다.

이 경우, 제어 수단에 의한 제거 처리용 순환 수단의 제 1 전환 밸브의 전환 제어는 이하와 같이 하여 실행된다. 즉, 흡착탑의 킬레이트제에 흡착된 금속이 대략 포화 상태에 이르러 금속 이온의 흡착 능력이 저하되고, 저류조 내의 처리액 중의 금속 이온 농도가 상승하며, 금속 이온 농도 검출 수단에 의해 검출되는 금속 이온 농도가 소정의 기준값보다 높아지면, 제 1 전환 밸브가 전환되어 처리액이 공급되는 흡착탑이 다른 흡착탑으로 변경된다.

따라서, 이렇게 구성해도 금속 이온 흡착 수단에서의 금속 이온의 흡착 능력이 일정하게 유지되므로 상기와 동일한 효과를 얻을 수 있다. 또한, 제 1 전환 밸 브의 전환 제어를 경과 시간에서 행한 경우에는, 제거 처리의 대상이 되는 처리액 중에 포함되는 금속 이온의 농도에 의해 흡착탑의 킬레이트제에 흡착된 금속이 대략 포화 상태에 이를 때까지의 시간이 상이하기 때문에 해당 전환 시간을 설정하기 어렵지만, 상기 전환 제어를 저류조 내의 처리액 중의 금속 이온 농도를 기초로 행함으로써 해당 전환 제어를 보다 효율적으로 실시할 수 있다.

또한, 상기 제어 수단에 의해 경과 시간이나 금속 이온 농도를 기초로 제 1 전환 밸브의 전환 제어를 행하는 경우에도, 상기 용리액 공급 수단 및 용리액 회수 수단이나, 상기 세정액 공급 수단 및 세정액 배출관을 설치하여 상기 용리액 공급 수단의 제 2 전환 밸브나 세정액 공급 수단의 제3 전환 밸브의 전환 제어를 해당 제어 수단에 의해 행하도록 해도 좋다.

또, 본 발명은,

상기 처리액 처리 장치와,

상기 처리액에 의해 기판을 처리하는 처리 수단과,

상기 저류조에 저류된 처리액을 상기 처리 수단에 공급하고, 공급한 처리액을 상기 처리 수단으로부터 상기 저류조에 회수하여 상기 저류조와 처리 수단 사이에 처리액을 순환시키는 기판 처리용 순환 수단을 구비하여 이루어진 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치에 관한 것이다.

이 기판 처리 장치에 의하면, 기판 처리용 순환 수단에 의해 저류조에 저류된 처리액이 해당 저류조와 처리 수단 사이에서 순환시켜지고, 처리 수단에서는 이 처리액에 의해 기판이 적절히 처리된다. 한편, 순환하는 처리액에는 처리 수단에 서의 처리 과정에서 금속 이온이 포함되게 된다(금속이 용해됨). 그리고, 저류조에 저류된 처리액 중의 금속 이온 농도가 높아졌다고 적절히 판단되면, 제거 처리용 순환 수단에 의해 저류조 내의 처리액이 해당 저류조와 흡착탑의 어느 하나 사이에서 순환되어 흡착탑의 킬레이트제에 의해 금속 이온이 흡착된다.

혹은, 저류조 내의 처리액이 기판 처리용 순환 수단에 의해 해당 저류조와 처리 수단 사이에 순환시켜짐과 함께, 제거 처리용 순환 수단에 의해 해당 저류조와 흡착탑의 어느 하나와의 사이에서 상시 순환되고 이것에 의해 처리 수단에서는 처리액에 의해 기판 처리가 행해지는 한편, 흡착탑에서는 기판 처리에 의해 처리액 중에 포함되게 된 금속 이온이 흡착된다.

또한, 이러한 경우에 있어서도 상기와 동일하게, 금속 이온 흡착 수단에서의 금속 이온의 흡착 능력이 일정하게 유지되도록 흡착탑이 적절히 전환되면서 처리액이 순환시켜진다. 또한, 흡착탑이 전환되면, 처리액의 공급이 정지된 흡착탑의 킬레이트제가 용리액 등을 이용하여 적절히 재생된다.

이렇게 하여, 본 발명에 따른 기판 처리 장치에 의하면, 기판 처리에서 처리액 중에 포함되게 된 금속 이온을 흡착, 제거하여 처리액을 재이용하거나, 처리액으로부터 금속 이온을 제거하면서 기판 처리를 행할 수 있기 때문에, 처리액의 연명화를 꾀하여 처리액의 교환 사이클을 길게 할 수 있음과 함께 처리액의 교환 사이클이 길어짐으로써 기판 처리 비용을 낮게 억제할 수 있다.

또한, 처리 수단으로 기판 처리를 행하고 있는 동안, 흡착탑에도 끊임없이 처리액을 순환시키도록 하면, 처리액 중의 금속 이온 농도를 항상 일정 레벨 이하 로 억제하여 불량이 생기는 것을 방지하거나, 처리 수단을 정지시키지 않고 연속적으로 가동시킬 수 있고, 이것에 의해 수율이나 기판 처리 효율을 좋게 할 수도 있다. 또한, 처리액 중의 금속 이온으로부터 산화물이 생성되어 처리액의 성분이 석출하는 것을 방지할 수 있기 때문에, 석출물이 기판에 파티클로서 부착하는 일은 없고, 또한 저류조의 내면에 부착한 석출물을 제거하는 작업을 필요로 하지 않을 수 있다.

또한, 상기 기판 처리 장치에 있어서 상기 제 1 전환 밸브의 전환 제어는 처리 수단으로 처리된 기판의 매수를 기본으로 행하도록 해도 좋다. 이 때에는, 상기 처리 수단으로 상기 처리액에 의해 처리된 기판의 매수를 계수하고, 계수한 매수가 미리 설정된 매수가 되었을 때에 전환 신호를 상기 처리액 처리 장치에 송신하는 계수 수단을 상기 기판 처리 장치에 설치함과 함께, 상기 계수 수단으로부터 상기 전환 신호를 수신했을 때에 상기 제 1 전환 밸브를 전환하는 제어 수단을 상기 처리액 처리 장치에 설치한다.

이 경우, 처리액이 공급되는 흡착탑은 제어 수단에 의해 처리 수단에서의 기판 처리 매수가 소정 매수가 되었을 때에, 즉, 흡착탑의 킬레이트제에 흡착된 금속이 대략 포화 상태에 이른다고 추정되는 매수가 되었을 때에 제 1 전환 밸브가 전환된다. 따라서, 이렇게 구성해도 금속 이온 흡착 수단에서의 금속 이온의 흡착 능력이 일정하게 유지되므로 상기와 동일한 효과를 얻을 수 있다.

또한, 상기 기판 처리 장치는 상기 저류조에 저류된 처리액 중의, 상기 기판 처리에 기여하는 성분의 농도를 검출하는 기여 성분 농도 검출 수단과, 상기 기여 성분 농도 검출 수단에 의해 검출되는 기여 성분 농도를 기초로 상기 저류조에 저류된 처리액 중의 상기 기여 성분 농도를 조정하여 미리 설정된 범위 내로 유지하는 농도 조정 수단을 더욱 구비하여 구성되어 있어도 좋다.

이렇게 하면, 저류조에 저류된 처리액 중의 기여 성분 농도를 소정의 범위 내로 유지할 수 있기 때문에, 처리 수단에서의 기판 처리 등에 의해 저류조 내의 처리액의 기여 성분 농도가 변동하여 소정의 처리 능력이 얻어지지 않게 된다는 문제점을 방지하고, 처리액에 의한 기판 처리 능력을 최적인 상태로 유지할 수 있다.

또한, 상기 기판으로서는, 예를 들어, 반도체(실리콘) 웨이퍼, 액정 글래스 기판, 포토마스크용 글래스 기판 및 광디스크용 기판 등을 들 수 있지만, 이들에 한정되는 것은 아니다. 또한, 상기 처리액으로서는, 예를 들어 에칭액, 현상액 및 세정액 등을 들 수 있지만, 이들에 한정되는 것은 아니다.

또한, 상기 킬레이트제란 일반적으로는, 유기계의 아미노카르복실산염을 총칭한 것으로, 금속 이온을 흡착하고, 흡착된 금속은 특정한 용액에 의해 용리된다는 성질을 구비한 것이다. 구체적으로는, EDTA(에틸렌디아민4아세트산), NTA(니트릴로3아세트산), DTPA(디에틸렌트리아민5아세트산), GLDA(L-글루타민산2아세트산), HEDTA(히드록시에틸에틸렌디아민3아세트산), GEDTA(글리콜에테르디아민4아세트산), TTHA(트리에틸렌테트라민6아세트산), HIDA(히드록시에틸이미노2아세트산) 및 DHEG(히드록시에틸글리신) 등을 일례로서 들고 있지만, 이들에 한정되는 것은 아니다.

이하, 본 발명의 구체적인 실시 형태에 대해, 첨부 도면에 의거하여 설명한 다. 한편, 도 1은 본 발명의 일 실시형태에 따른 기판 처리 장치의 개략 구성을 나타낸 구성도이다.

도 1에 나타낸 바와 같이, 본 예의 기판 처리 장치(1)는, 예를 들어, 옥살산 농도(중량%)가 약 3%인 에칭액(L)을 이용하여 상면에 산화인듐주석막(금속막)이 형성된 기판(L)에 에칭 처리를 행하는 것으로, 에칭액(L)을 저류하는 저류조(11)와, 에칭액(L)에 의해 기판(K)을 에칭하는 기판 처리 기구(11)와, 저류조(11)와 기판 처리 기구(12) 사이에서 에칭액(L)을 순환시키는 제 1 에칭액 순환 기구(에칭 처리용 순환 기구 : 20)와, 에칭액(L)에 용해한 인듐이나 주석(금속)을 제거하는 제거 기구(30) 등으로 구성된다.

또한, 상기 기판 처리 장치(1)는 저류조(11)에 저류된 에칭액(L)의 옥살산 농도(에칭 처리에 기여하는 성분의 농도)를 검출하는 농도 센서(24)와, 저류조(11)에 저류된 에칭액(L)의 옥살산 농도를 조정하는 농도 조정 기구(25)와, 기판 처리 기구(12), 제 1 에칭액 순환 기구(20) 및 제거 기구(30) 등의 작동을 제어하는 제어 장치(28)를 구비하고 있다. 또한, 상기 제어 장치(28)는 기판 처리 기구(12) 및 제 1 에칭액 순환 기구(20)를 제어하는 제 1 제어부(28a)와, 제거 기구(30)를 제어하는 제 2 제어부(28b)를 구비한다. 또한, 상기 구성에서는 상기 저류조(11), 제거 기구(30) 및 제 2 제어부(28b)가 에칭액 처리 장치(5)로서 기능한다.

상기 기판 처리 기구(12)는 폐색 공간을 구비한 처리 챔버(13)와, 처리 챔버(13) 내의 하부에 배치되고 기판(K)을 수평으로 지지하여 소정 방향(화살표 방향)으로 반송하는 복수의 반송 롤러(14)와, 처리 챔버(13) 내의 상부에 배치되고 제 1 에칭액 순환 기구(20)에 의해 공급된 에칭액(L)이 유통하는 유통관(15)와, 유통관(15)에 고정 설치되어 반송 롤러(14)에 의해 반송되는 기판(K)의 상면을 향해서 에칭액(L)을 토출하는 복수의 노즐체(16) 등으로 이루어지고, 처리 챔버(13) 내의 에칭액(L)은 해당 처리 챔버(13)의 저면에 형성된 배출구(13a)로부터 외부에 배출되도록 되어 있다.

상기 제 1 에칭액 순환 기구(20)는 일단측이 저류조(11)에 접속되고, 타측이 유통관(15)에 접속된 공급관(21)과, 제 1 제어부(28a)에 의해 작동이 제어되고 공급관(21)을 통하여 유통관(15) 내로 에칭액(L)을 공급하는 공급 펌프(22)와, 일단측이 처리 챔버(13)의 배출구(13a)에 접속되고 타단측이 저류조(11)에 접속한 회수관(23) 등으로 이루어진다.

상기 제거 기구(30)는 기판 처리 기구(12)에서의 에칭 처리에 의해 에칭액(L)에 용해하고, 해당 에칭액(L)에 포함되게 된 인듐 이온이나 주석 이온(금속 이온)을 흡착하는 금속 이온 흡착 기구(31)와, 저류조(11)와 금속 이온 흡착 기구(31) 사이에서 에칭액(L)을 순환시키는 제 2 에칭액 순환 기구(제거 처리용 순환 기구 : 34)와, 금속 이온 흡착 기구(31)에 의해 흡착된 인듐이나 주석을 용리시키기 위한 용리액을 공급하는 용리액 공급 기구(42)와, 용리액을 금속 이온 흡착 기구(31)로부터 회수하는 용리액 회수 기구(48)와, 금속 이온 흡착 기구(31)를 세정하기 위한 세정액을 공급하는 세정액 공급 기구(54)와, 세정액을 금속 이온 흡착 기구(31)로부터 회수하는 세정액 회수 기구(58)를 구비한다.

상기 금속 이온 흡착 기구(31)는 인듐 이온이나 주석 이온을 흡착하는 킬레 이트제(도시하지 않음)가 내부에 충전된 적어도 2개의 흡착탑(제 1 흡착탑(32) 및 제 2 흡착탑(33))을 구비한다. 또한, 킬레이트제(도시하지 않음)란, 일반적으로는 유기계의 아미노카르복실산염을 총칭한 것으로, 금속 이온을 흡착하고 흡착된 금속은 특정한 용액에 의해 용리한다는 성질을 구비한 것이다. 구체적으로는, EDTA(에틸렌디아민4아세트산), NTA(니트로3아세트산), DTPA(디에틸렌트리아민5아세트산), GLDA(L-글루타민산2아세트산), HEDTA(히드록시에틸에틸렌디아민3아세트산), GEDTA(글리콜에테르디아민4아세트산), TTHA(트리에틸렌테트라민6아세트산), HIDA(히드록시에틸이미노2아세트산) 및 DHEG(히드록시에틸글리신) 등을 일례로서 들고 있지만, 이들에 한정되는 것은 아니다.

상기 제 2 에칭액 순환 기구(34)는, 일단측이 저류조(11)에 접속되고 타단측이 분기하여 각 흡착탑(32, 33)에 접속한 에칭액 공급관(35)과, 제 2 제어부(28b)에 의해 작동이 제어되고 에칭액 공급관(35)을 통하여 각 흡착탑(32, 33)의 내부에 에칭액(L)을 공급하는 공급 펌프(36)와, 일단측이 저류조(11)에 접속되고 타단측이 분기하여 각 흡착탑(32, 33)에 접속한 에칭액 회수관(37)과, 에칭액 공급관(35)의 타단측 분기부에 각각 설치된 제 1 공급측 전환 밸브(38) 및 제 2 공급측 전환 밸브(39)와, 에칭액 회수관(37)의 타단측 분기부에 각각 설치된 제 1 배출측 전환 밸브(40) 및 제 2 배출측 전환 밸브(41) 등으로 이루어진다.

상기 각 전환 밸브(38, 39, 40, 41)는 제 1 공급측 전환 밸브(38) 및 제 1 배출측 전환 밸브(40)가 열려 있을 때에는, 제 2 공급측 전환 밸브(39) 및 제 2 배출측 전환 밸브(41)가 닫히도록, 제 2 공급측 전환 밸브(39) 및 제 2 배출측 전환 밸브(41)가 열려 있을 때에는, 제 1 공급측 전환 밸브(38) 및 제 1 배출측 전환 밸브(40)가 닫히도록 제 2 제어부(28b)에 의해 제어된다.

이 제 2 에칭액 순환 기구(34)에서는 공급 펌프(36)가 구동되면, 에칭액(L)이 공급되는 흡착탑(32, 33)이 공급측 전환 밸브(38, 39)에 의해 제어되면서 저류조(11) 내의 에칭액(L)이 에칭액 공급관(35)을 통하여 흡착탑(32, 33)의 어느 한 쪽에 공급된다. 즉, 제 1 공급측 전환 밸브(38)가 열리고 제 2 공급측 전환 밸브(39)가 닫혀 있을 때에는 제 1 흡착탑(32)에 에칭액(L)이 공급되고, 제 1 공급측 전환 밸브(38)가 닫히고 제 2 공급측 전환 밸브(39)가 열려 있을 때에는 제 2 흡착탑(33)에 에칭액(L)이 공급된다.

그리고, 흡착탑(32, 33)의 어느 한쪽에 공급되고 해당 흡착탑(32, 33) 내를 유통한 에칭액(L)은 에칭액 회수관(37)을 통하여 해당 흡착탑(32, 33)으로부터 저류조(11) 내에 회수된다.

상기 용리액 공급 기구(42)는 제 2 제어부(28b)에 의해 작동이 제어되고, 예를 들어, 염산이나 황산으로 이루어진 용리액을 공급하는 공급부(43)와, 일단측이 공급부(43)에 접속하고 타단측이 분기하여 각 흡착탑(32, 33)에 접속한 용리액 공급관(44)과, 제 2 제어부(28b)에 의해 작동이 제어되고 용리액 공급관(44)의 일단측에 설치된 용리액 공급 밸브(45)와, 용리액 공급관(44)의 타단측 분기부에 각각 설치된 제 1 공급측 전환 밸브(46) 및 제 2 공급측 전환 밸브(47) 등으로 이루어지고, 상기 각 전환 밸브(46, 47)는 제 1 공급측 전환 밸브(46)가 열려 있을 때에는 제 2 공급측 전환 밸브(47)가 닫히도록, 제 2 공급측 전환 밸브(47)가 열려 있을 때에는 제 1 공급측 전환 밸브(46)가 닫히도록 제 2 제어부(28b)에 의해 제어된다.

상기 용리액 회수 기구(48)는 용리액을 회수하는 회수부(49)와 일단측이 회수부(49)에 접속되고 타단측이 분기하여 각 흡착탑(32, 33)에 접속된 용리액 회수관(50)과, 용리액 회수관(50)의 타단측 분기부에 각각 설치된 제 1 배출측 전환 밸브(51) 및 제 2 배출측 전환 밸브(52)와, 제 2 제어부(28b)에 의해 작동이 제어되고 용리액 회수관(50)의 일단측에 설치된 용리액 회수 밸브(53) 등으로 이루어지고, 상기 각 전환 밸브(51, 52)는 제 1 배출측 전환 밸브(51)가 열려 있을 때에는 제 2 배출측 전환 밸브(52)가 닫히도록, 제 2 배출측 전환 밸브(52)가 열려 있을 때에는 제 1 배출측 전환 밸브(51)가 닫히도록 제 2 제어부(28b)에 의해 제어된다.

이 용리액 공급 기구(42) 및 용리액 회수 기구(48)에서는 공급부(43)가 구동되면, 용리액이 공급되는 흡착탑(32, 33)이 공급측 전환 밸브(46, 47)에 의해 제어되면서 용리액이 공급부(43)로부터 용리액 공급관(44)을 통하여 흡착탑(32, 33)의 어느 한쪽에 공급된다. 즉, 제 1 공급측 전환 밸브(46)가 열리고 제 2 공급측 전환 밸브(47)가 닫혀 있을 때에는 제 1 흡착탑(32)에 용리액이 공급되며, 제 1 공급측 전환 밸브(46)가 닫히고 제 2 공급측 전환 밸브(47)가 열려 있을 때에는 제 2 흡착탑(33)에 용리액이 공급된다.

그리고, 흡착탑(32, 33)의 어느 한 쪽에 공급되고, 해당 흡착탑(32, 33) 내를 유통한 용리액은 용리액 회수관(50)을 통하여 해당 흡착탑(32, 33)으로부터 회수부(49) 내에 회수된다. 또한, 제 1 공급측 전환 밸브(46)가 열려 있을 때에는 제 1 배출측 전환 밸브(51)가 열리고 제 2 배출측 전환 밸브(52)는 닫혀 있으며, 제 2 공급측 전환 밸브(47)가 열려 있을 때에는 제 2 배출측 전환 밸브(52)가 열리고 제 1 배출측 전환 밸브(51)는 닫히게 되어 있다. 또한, 공급부(43)가 구동되면 용리액 공급 밸브(45) 및 용리액 회수 밸브(53)가 열리게 되어 있다.

상기 세정액 공급 기구(54)는 제 2 제어부(28b)에 의해 작동이 제어되고 예를 들어, 순수한 물로 이루어진 세정액을 공급하는 공급부(55)와, 일단측이 공급부(55)에 접속되고 타단측이 용리액 공급관(44)의 분기부와 일단측 사이에 접속되며, 해당 용리액 공급관(44)을 통하여 각 흡착탑(32, 33)에 접속한 세정액 공급관(56)과, 제 2 제어부(28b)에 의해 작동이 제어되고 세정액 공급관(56)에 설치된 세정액 공급 밸브(57)와, 상기 제 1 공급측 전환 밸브(46) 및 제 2 공급측 전환 밸브(47) 등으로 이루어지고, 상기 각 전환 밸브(46, 47)는 상기와 동일하게, 제 1 공급측 전환 밸브(46)가 열려 있을 때에는 제 2 공급측 전환 밸브(47)가 닫히도록, 제 2 공급측 전환 밸브(47)가 열려 있을 때에는 제 1 공급측 전환 밸브(46)가 닫히도록 제 2 제어부(28b)에 의해 제어된다.

상기 세정액 회수 기구(58)는 세정액을 회수하는 회수부(59)와, 일단측이 회수부(59)에 접속하고 타단측이 용리액 회수관(50)의 분기부와 용리액 회수 밸브(53) 사이에 접속하여 해당 용리액 회수관(50)을 통하여 각 흡착탑(32, 33)에 접속된 세정액 회수관(세정액 배출관 : 60)과, 상기 제 1 배출측 전환 밸브(51) 및 제 2 배출측 전환 밸브(52)와, 제 2 제어부(28b)에 의해 작동이 제어되고 세정액 회수관(60)의 타단측에 설치된 세정액 회수 밸브(61) 등으로 이루어지고, 상기 각 전환 밸브(51, 52)는 상기와 동일하게 제 1 배출측 전환 밸브(51)가 열려 있을 때에는 제 2 배출측 전환 밸브(52)가 닫히도록, 제 2 배출측 전환 밸브(52)가 열려 있을 때에는 제 1 배출측 전환 밸브(51)가 닫히도록 제 2 제어부(28b)에 의해 제어된다.

이 세정액 공급 기구(54) 및 세정액 회수 기구(58)에서는 공급부(55)가 구동되면, 세정액이 공급되는 흡착탑(32, 33)이 공급측 전환 밸브(46, 47)에 의해 제어되면서 세정액이 공급부(55)로부터 세정액 공급관(56) 및 용리액 공급관(44)을 통하여 흡착탑(32, 33)의 어느 한쪽에 공급된다. 즉, 제 1 공급측 전환 밸브(46)가 열리고 제 2 공급측 전환 밸브(47)가 닫혀 있을 때에는 제 1 흡착탑(32)에 세정액이 공급되고, 제 1 공급측 전환 밸브(46)가 닫히고 제 2 공급측 전환 밸브(47)가 열려 있을 때에는 제 2 흡착탑(33)에 세정액이 공급된다.

그리고, 흡착탑(32, 33)의 어느 한쪽에 공급되고 해당 흡착탑(32, 33) 내를 유통한 세정액은 용리액 회수관(50) 및 세정액 회수관(60)을 통하여 해당 흡착탑(32, 33)으로부터 회수부(59) 내에 회수된다. 또한, 제 1 공급측 전환 밸브(46)가 열려 있을 때에는 제 1 배출측 전환 밸브(51)가 열리고 제 2 배출측 전환 밸브(52)는 닫혀 있고, 제 2 공급측 전환 밸브(47)가 열려 있을 때에는 제 2 배출측 전환 밸브(52)가 열리고 제 1 배출측 전환 밸브(51)는 닫히게 되어 있다. 또한, 공급부(55)가 구동되면 세정액 공급 밸브(57) 및 세정액 회수 밸브(59)가 열리게 되어 있다.

상기 농도 조정 기구(25)는, 예를 들어, 옥살산이나 순수한 물 등을 저류조(11) 내에 공급하는 공급부(26)와, 일단측이 공급부(26)에 접속되고 타단측이 저류조(11)에 접속된 공급관(27)과, 농도 센서(24)에 의해 검출되는 옥살산 농도를 기 초로 공급부(26)의 작동을 제어하는 상기 제 1 제어부(28a) 등으로 구성된다.

상기 제 1 제어부(28a)는 제 1 에칭액 순환 기구(20)의 공급 펌프(22)를 제어하고, 저류조(11)와 기판 처리 기구(12) 사이에서 에칭액(L)을 순환시킨다. 또한, 제 1 제어부(28a)는 농도 센서(24)에 의해 검출되는 옥살산 농도를 기초로 공급부(26)를 제어하고, 저류조(11)에 저류된 에칭액(L)의 옥살산 농도를 미리 설정된 범위 내로 유지한다. 예를 들어, 농도 센서(24)에 의한 검출 옥살산 농도가 상기 미리 설정된 범위보다 높은 경우에는, 순수한 물을 저류조(11)에 공급시키고, 농도 센서(24)에 의한 검출 옥살산 농도가 상기 미리 설정된 범위보다 낮은 경우에는, 옥살산을 저류조(11)에 공급시켜 에칭액(L)의 옥살산 농도를 미리 설정된 범위 내로 한다. 또한, 제 1 제어부(28a)는 제 1 에칭액 순환 기구(20)에 의한 에칭액(L)의 순환을 개시했을 때 및 종료했을 때에 그 취지의 신호(개시 신호 및 종료 신호)를 제 2 제어부(28b)로 송신한다.

상기 제 2 제어부(28b)는 제 1 제어부(28a)로부터 상기 개시 신호를 수신하면, 제 2 에칭액 순환 기구(34)의 공급 펌프(36) 및 각 전환 밸브(38, 39, 40, 41)를 제어하고, 에칭액(L)이 공급되는 흡착탑(32, 33)을 미리 설정된 시간 간격으로 교대로 전환하면서, 해당 흡착탑(32, 33)의 어느 한 쪽에 저류조(11) 내의 에칭액(L)을 공급하여 순환시키는 처리를 실행함과 함께, 에칭액(L)이 공급되는 흡착탑(32, 33)을 전환하면, 흡착탑(32, 33)의 전환으로 에칭액(L)의 공급이 정지된 흡착탑(32, 33)에, 우선, 용리액 공급 기구(42)의 공급부(43), 용리액 공급 밸브(45) 및 각 전환 밸브(46, 47) 및 용리액 회수 기구(48)의 각 전환 밸브(51, 52) 및 용 리액 회수 밸브(53)를 제어하여 용리액을 소정 시간 공급한 후, 세정액 공급 기구(54)의 공급부(54), 세정액 공급 밸브(57) 및 각 전환 밸브(46, 47) 및 세정액 회수 기구(58)의 각 전환 밸브(51, 52) 및 세정액 회수 밸브(61)를 제어하여 세정액을 소정 시간 공급하는 처리를 실행한다. 또한, 제 2 제어부(28b)는 제 1 제어부(28a)로부터 상기 종료 신호를 수신하면 제 2 에칭액 순환 기구(34)에 의한 에칭액(L)의 순환을 정지한다.

이상과 같이 구성된 본 예의 기판 처리 장치(1)에 의하면, 저류조(11)에 저류된 에칭액(L)은 제 1 제어부(28a)에 의한 제어 하, 제 1 에칭액 순환 기구(20)의 공급 펌프(22)에 의해 공급관(21) 및 유통관(15)을 통하여 각 노즐체(16)에 공급되고, 해당 각 노즐체(16)로부터 기판(K)의 상면을 향해 토출된다. 그리고, 기판(K)의 상면에 토출된 에칭액(L)은 처리 챔버(13)의 배출구(13a)로부터 회수관(23) 내를 유통하여 저류조(11) 내로 회수되고, 이렇게 하여 저류조(11) 내의 에칭액(L)이 해당 저류조(11)와 기판 처리 기구(12) 사이에서 순환한다.

상기 기판(K)은 반송 롤러(14)에 의해 소정 방향으로 반송되고 있고, 각 노즐체(16)로부터 토출된 에칭액(L)(해당 에칭액(L) 중의 옥살산)에 의해 에칭된다. 또한, 이 에칭 처리에 의해 기판(K)의 산화인듐주석막이 에칭액(L)에 용해되고, 해당 에칭액(L) 중에 인듐 이온이나 주석 이온이 포함되게 된다.

또한, 저류조(11)에 저류된 에칭액(L)은 제 2 제어부(28b)에 의한 제어 하, 제 2 에칭액 순환 기구(34)의 공급 펌프(36) 및 각 전환 밸브(38, 39)에 의해 에칭액 공급관(35)을 통하여 흡착탑(32, 33)의 어느 한쪽으로 선택적으로 공급됨과 함 께 해당 흡착탑(32, 33) 내를 유통 후, 에칭액 회수관(37)을 통하여 저류조(11) 내로 회수되어 해당 저류조(11)와 흡착탑(32, 33) 사이에서 순환된다. 이것에 의해, 에칭액(L) 중의 인듐 이온이나 주석 이온이 흡착탑(32, 33)의 내부에 충전된 킬레이트제(도시하지 않음)에 의해 흡착된다.

에칭액(L)이 공급되는 흡착탑(32, 33)은 제 2 제어부(28b)에 의해 제 2 에칭액 순환 기구(34)의 각 전환 밸브(38, 39, 40, 41)가 제어됨으로써, 소정의 시간 간격으로, 즉, 흡착탑(32, 33)의 킬레이트제(도시하지 않음)에 흡착된 인듐이나 주석이 대략 포화 상태에 이른다고 추정되는 시간 간격으로 교대로 전환되게 되어 있고, 에칭액(L)이 공급되는 흡착탑(32, 33)이 변환되면, 이하와 같은 처리가 제 2 제어부(28b)에 의해 실행된다.

즉, 우선, 제 2 제어부(28b)에 의해 용리액 공급 기구(42)의 공급부(43), 용리액 공급 밸브(45) 및 각 전환 밸브(46, 47) 및 용리액 회수 기구(48)의 각 전환 밸브(51, 52) 및 용리액 회수 밸브(53)가 제어됨으로써, 흡착탑(32, 33)의 전환으로 에칭액(L)의 공급이 정지된 흡착탑(32, 33)에(제 1 흡착탑(32)으로부터 제 2 흡착탑(33)으로 전환되었을 때에는 제 1 흡착탑(32)에, 제 2 흡착탑(33)으로부터 제 1 흡착탑(32)으로 전환되었을 때에는 제 2 흡착탑(33)에) 용리액이 공급부(43)로부터 용리액 공급관(44)을 통하여 공급되고, 공급된 용리액은 해당 흡착탑(32, 33) 내를 유통 후, 용리액 회수관(50)을 통하여 회수부(49) 내에 회수된다. 이것에 의해, 해당 흡착탑(32, 33)의 킬레이트제(도시하지 않음)에 흡착된 인듐이나 주석이 이 용리액에 의해 용리되고, 용리된 인듐 이온이나 주석 이온을 포함한 용리액이 회수부(49) 내에 회수된다.

이 후, 제 2 제어부(28b)에 의해 세정액 공급 기구(54)의 공급부(54), 세정액 공급 밸브(57) 및 각 전환 밸브(46, 47) 및 세정액 회수 기구(58)의 각 전환 밸브(51, 52) 및 세정액 회수 밸브(61)가 제어됨으로써, 상기 용리액이 공급된 흡착탑(32, 33)과 동일한 흡착탑(32, 33)에 세정액이 공급부(55)로부터 세정액 공급관(56) 및 용리액 공급관(44)을 통하여 공급되고, 공급된 세정액은 해당 흡착탑(32, 33) 내를 유통 후, 용리액 회수관(50) 및 세정액 회수관(60)을 통하여 회수부(59) 내에 회수된다. 이것에 의해, 해당 흡착탑(32, 33)의 내부에 잔존하는 용리액이 이 세정액에 의해 씻겨 흘러간다.

이렇게 하여, 에칭액(L)의 공급이 정지된 흡착탑(32, 33)에 용리액 및 세정액이 차례로 공급되면, 해당 흡착탑(32, 33)은 이 후 대기 상태가 된다. 또한, 이렇게 에칭액(L)이 공급되는 흡착탑(32, 33)이 전환됨으로써 금속 이온 흡착 기구(31)에서의 인듐 이온이나 주석 이온의 흡착 능력이 일정하게 유지되고, 에칭액(L) 중의 인듐 이온 농도나 주석 이온 농도가 일정 레벨 이하로 억제된다.

또한, 저류조(11)에 저류된 에칭액(L)은 그 옥살산 농도가 농도 조정 기구(25)에 의해 소정 범위 내로 유지되고 있다. 또한, 제 2 제어부(28b)가 개시 신호를 수신하고 나서 종료 신호를 수신할 때까지의 동안, 즉, 에칭 처리가 행해지고 있는 동안, 흡착탑(32, 33)에도 끊임없이 에칭액(L)이 순환되고 있고, 에칭액(L)으로부터 인듐 이온이나 주석 이온을 제거하면서 에칭 처리가 행해진다.

이렇게 하여, 본 예의 기판 처리 장치(1)에 의하면, 기판 처리 기구(12)에서 기판(K)을 에칭하는 동안, 제 2 에칭액 순환 기구(34)에 의해 저류조(11) 내의 에칭액(L)을 에칭액(L)이 공급되는 흡착탑(32, 33)을 교대로 전환하면서 흡착탑(32, 33)의 어느 한 쪽과의 사이에서 항상 순환시키고, 에칭액(L) 중의 인듐 이온이나 주석 이온을 해당 흡착탑(32, 33) 내의 킬레이트제(도시하지 않음)에 흡착시킴과 함께 에칭액(L)을 공급하는 흡착탑(32, 33)을 전환하면, 용리액 공급 기구(42)에 의해 에칭액(L)의 공급이 정지된 흡착탑(32, 33)에 용리액을 공급하여 킬레이트제(도시하지 않음)에 흡착된 인듐이나 주석을 용리시키고, 해당 킬레이트제(도시하지 않음)를 재생하는 처리와, 세정액 공급 기구(54)에 의해 용리액 공급 후의 흡착탑(32, 33)에 세정액을 공급하고, 해당 흡착탑(32, 33)의 내부에 잔존한 용리액을 씻겨 흘리는 처리를 행하도록 구성했기 때문에, 효율적으로 인듐 이온이나 주석 이온을 제거하거나 에칭액(L) 중의 인듐 이온 농도나 주석 이온 농도를 일정 레벨 이하로 억제하여 에칭 불량이 생기는 것을 방지하거나, 기판 처리 기구(12)를 정지시키지 않고 연속적으로 가동시키거나 에칭액(L)의 연명화를 꾀하는 에칭액(L)의 교환 사이클을 길게 할 수 있다.

또한, 에칭액(L)에 인듐 이온이 고농도로 포함되게 되면, 에칭액(L) 중에 산화 인듐이 생성되고 에칭액(L)의 성분인 옥살산이 결정화하여 석출된다는 문제를 일으키지만, 본 예에서는 에칭액(L) 중의 인듐 이온 농도를 일정 레벨 이하로 낮게 억제할 수 있으므로 옥살산의 석출을 방지할 수 있다. 따라서, 옥살산의 결정물이 기판(K)에 파티클로서 부착되는 일은 없다. 또한, 저류조(11)의 내면에 부착한 옥살산의 결정물의 제거 작업을 불필요하게 할 수 있다.

또한, 이렇게 하여 에칭 처리의 연속적인 실시에 의해 에칭 처리 효율이 저하되지 않고, 또한 에칭액(L)의 교환 사이클이 길어지기 때문에 에칭 처리 비용을 낮게 억제할 수도 있다.

또한, 에칭액(L)의 공급이 정지되고 킬레이트제(도시하지 않음)가 인듐 이온이나 주석 이온을 흡착한 상태에 있는 흡착탑(32, 33)에 용리액을 공급하며, 용리한 인듐 이온이나 주석 이온을 포함한 용리액을 회수부(49) 내에 회수하도록 했기 때문에, 해당 킬레이트제(도시하지 않음)를 재생할 수 있음과 함께 이 회수한 용리액 중의 인듐 이온이나 주석 이온을 적절히 회수함으로써, 에칭액(L)에 용해한 인듐(매우 고가의 금속임)이나 주석을 효과적으로 회수할 수 있다.

또한, 용리액 공급 기구(42)에 의한 용리액의 공급 후, 세정액 공급 기구(54)에 의해 용리액이 공급된 흡착탑(32, 33)에 세정액을 공급하고, 해당 흡착탑(32, 33)의 내부에 잔존한 용리액을 씻어 흘리도록 했기 때문에, 저류조(11) 내의 에칭액(L)이 해당 흡착탑(32, 33)에 공급되었을 때에 해당 에칭액(L)과 흡착탑(32, 33) 내에 잔존한 용리액이 섞여 에칭액(L)의 성분이 변하고, 기판 처리 기구(12)에서의 에칭 처리에 악영향을 미치는 것을 유효하게 방지할 수 있다.

또한, 농도 조정 기구(25)에 의해 저류조(11)에 저류된 에칭액(L)의 옥살산 농도를 소정의 범위 내로 유지하도록 하고 있기 때문에, 기판 처리 기구(12)에서의 에칭 처리 등에 의해 저류조(11) 내의 에칭액(L)의 옥살산 농도가 변동하여 소정의 에칭 능력이 얻어지지 않게 된다는 문제를 방지하고, 해당 에칭액(L)에 의한 에칭 처리 능력을 최적인 상태로 유지할 수 있다.

덧붙여서, 킬레이트제로서 키레스트 가부시키가이샤제의 「키레스트 화이버 GRY-L(상품명)」를 이용하여 금속 이온의 흡착 실험을 행한 결과를, 이하에 설명한다.

즉, 우선, 내경이 1.5㎝인 컬럼을 준비하고, 이 컬럼 내에 무게가 4g, 높이가 11㎝, 체적이 19.4mL인 상기 킬레이트제를 충전한 후, 옥살산 함유의 에칭액으로서 에칭 처리에 제공되어 금속 이온을 포함하게 된 에칭액을, 상기 컬럼의 한쪽단측으로부터 다른쪽단측을 향하여 3mL/min의 유속으로 소정량 통액시켰다.

이렇게 하여, 소정량 통액한 후에 상기 컬럼을 통과한 에칭액을 샘플링하고, 금속 이온의 함유 농도를 측정한 바, 통액 전의 에칭액의 인듐 이온 농도가 277ppm, 주석 이온 농도가 33.7ppm, 알루미늄 이온 농도가 0.24ppm인 것에 대해, 컬럼 통액 후의 에칭액의 인듐 이온 농도는 8ppm, 주석 이온 농도는 0.1ppm 이하, 알루미늄 이온 농도는 0.1ppm 이하로 어떤 금속 이온도 극히 낮은 농도로 저하된 결과가 얻어졌다.

이로부터, 에칭액 중에 존재하는, 인듐 이온, 주석 이온 및 알루미늄 이온이라는 금속 이온을 킬레이트제에 의해 효과적으로 제거 가능하다는 것을 알 수 있다.

또한, 상기와 동일한 컬럼 및 킬레이트제를 이용하여 상기와 동일한 에칭액을 상기와 동일한 유속으로 컬럼에 공급하여 통액시키고, 일정량 통액할 때마다 통액 후의 에칭액을 샘플링하며, 이 통액 후의 에칭액에 포함되는 인듐 이온의 농도를 측정하였다. 그 결과를 도 2에 나타낸다. 또한, 도 2에 있어서, BV(Bed Volume(베드 볼륨))란 컬럼 내에 충전한 킬레이트제의 체적이고, (mL)/(mL-fiber)란, (컬럼에 통액한 에칭액의 양)/(컬럼 내에 충전한 킬레이트제의 체적)이다. 따라서, 횡축은 킬레이트제의 체적에 상당하는 양의 에칭액을 어느 정도 통액했는지를 나타낸 것이다.

이 도 2로부터, 에칭액의 통액량이 소정량(킬레이트제의 체적의 약 11배에 상당하는 양)에 이를 때까지, 통액 후의 에칭액으로부터 인듐 이온이 검출되어 있지 않고, 인듐 이온이 킬레이트제에 의해 완전히 흡착되어 있는 것을 알 수 있다. 또한, 에칭액을 다량으로 공급해도 킬레이트제의 흡착 능력이 저하되지 않는 것을 알 수 있다.

다음으로, 상기와 같이 하여 금속 이온을 흡착시킨 킬레이트제로부터, 해당 금속 이온을 용리시키는 실험을 행한 결과를 이하에 설명한다.

즉, 상기와 동일한 컬럼 및 킬레이트제를 이용하여 상기와 동일한 유속으로 상기와 동일한 에칭액을 소정량 컬럼에 공급해 통액시키고, 킬레이트제에 인듐 이온을 흡착시킨 후, 이 컬럼의 한쪽 단측으로부터 다른쪽 단측을 향하여 1.5mL/min의 유속으로 1규정의 황산(lN-H₂SO₄)을 통액시키고, 일정량 통액할 때마다 통액 후의 황산을 샘플링하여 이 통액 후의 황산에 포함되는 인듐 이온의 농도를 측정하였다. 그 결과를 도 3에 나타낸다. 또한, 도 3에 있어서, BV(Bed Volume(베드 볼륨))란 컬럼 내에 충전한 킬레이트제의 체적이고, (mL)/(mL-fiber)란, (컬럼에 통액한 황산의 양)/(컬럼 내에 충전한 킬레이트제의 체적)이다. 따라서, 횡축은 킬 레이트제의 체적에 상당하는 양의 황산을 어느 정도 통액했는지를 나타낸 것이다.

또한, 전항에서의 인듐 이온 농도의 측정에 있어서, 통액 후의 황산에 인듐 이온이 발견되지 않게 될 때까지의 각 시점에서의 인듐 이온 농도와 그 시간대의 통액량의 곱을 각각의 시점에서 용리한 인듐량으로서 계산함과 함께, 그 적산값을 전체 용리 인듐량으로서 구하고, 이 전체 용리 인듐량으로 각 시점에서의 용리 인듐량을 제거하여 얻어지는 값을 각각의 시점에서의 용리율(킬레이트제에 흡착되어 있던 인듐이 황산에 의해 용리된 비율)이라고 정의하고, 이것을 도 3에 더불어 나타낸다.

이 도 3으로부터, 킬레이트제에 흡착된 인듐이 황산에 의해 용리되고, 또한, 황산의 통액량이 소정량(킬레이트제의 체적의 약 2.8배에 상당하는 양)에 이르면, 킬레이트제에 흡착된 인듐이 완전히 용리되어 있는 것을 알 수 있다. 또한, 인듐을 흡착한 킬레이트제를 황산에 의해 효과적으로 재생 가능하고, 또한 킬레이트제에 흡착된 금속을 황산에 의해 효과적으로 회수 가능하다는 것을 알 수 있다.

이상, 본 발명의 일 실시형태에 대해 설명했지만, 본 발명이 취할 수 있는 구체적인 양태는 여기에 한정되는 것은 아니다.

상기 예에서는, 에칭액(L)이 공급되는 흡착탑(32, 33)을 소정의 시간 간격으로 교대로 전환하도록 구성했지만, 여기에 한정되는 것이 아니고, 예를 들어 기판 처리 기구(12)에서 에칭된 기판(K)의 매수를 기초로 흡착탑(32, 33)의 전환 제어를 행하거나, 저류조(11)에 저류된 에칭액(L) 중의 인듐 이온 농도나 주석 이온 농도를 기초로 흡착탑(32, 33)의 전환 제어를 행하도록 구성해도 좋다.

기판(K)의 에칭 매수를 기초로 전환 제어를 행하는 경우, 상기 기판 처리 기구(12)는, 예를 들어 처리 챔버(13)의 외부 또는 내부 등의 적절한 위치에 배치되고, 처리 챔버(13) 내로 반입되는 기판(K) 또는 처리 챔버(13)로부터 반출되는 기판(K)을 검출하는 센서(도시하지 않음)를 더욱 구비하도록 구성되고, 상기 제 1 제어부(28a)는 기판 처리 기구(12)에서 에칭된 기판(K)의 매수를 계수하는 계수 수단으로서 기능하도록 구성됨과 함께, 상기 센서(도시하지 않음)로부터 얻어지는 출력 신호를 기초로, 처리 챔버(13) 내에 반입된 기판(K)의 매수 또는 처리 챔버(13)로부터 반출된 기판(K)의 매수(기판 처리 기구(12)에서 에칭된 기판(K)의 매수)를 계수하는 처리와, 상기 개시 신호 및 종료 신호의 외, 상기 계수한 매수가 미리 설정된 매수가 되었을 때에 그 취지의 신호(전환 신호)를 제 2 제어부(28b)로 송신하는 처리를 더욱 실행하도록 구성되고, 상기 제 2 제어부(28b)는 제 2 에칭액 순환 기구(34)의 공급 펌프(36) 및 각 전환 밸브(38, 39, 40, 41)를 제어하고, 제 1 제어부(28a)로부터 전환 신호를 수신했을 때에 에칭액(L)이 공급되는 흡착탑(32, 33)을 전환하면서 해당 흡착탑(32, 33)의 어느 한 쪽에 저류조(11) 내의 에칭액(L)을 공급하여 순환시키도록 구성된다. 또한, 제 1 제어부(28a)는 상기 계수한 매수가 미리 설정된 매수가 되면, 계수값을 리셋하여 다시 미리 설정된 매수까지 계수하도록 구성되어 있다. 또한, 제 2 제어부(28b)는 개시 신호를 수신하고 나서 종료 신호를 수신할 때까지의 동안, 제 2 에칭액 순환 기구(34)에 의해 에칭액(L)을 순환시킨다.

이렇게 기판 처리 장치(1)를 구성하면, 계수한 매수가 미리 설정된 매수가 되었을 때에, 즉, 흡착탑(32, 33)의 킬레이트제(도시하지 않음)에 흡착된 인듐이나 주석이 대략 포화 상태에 이른다고 추정되는 매수가 되었을 때에, 각 전환 밸브(38, 39, 40, 41)가 전환되고 에칭액(L)이 공급되는 흡착탑(32, 33)이 전환된다.

따라서, 이렇게 기판 처리 장치(1)를 구성해도, 금속 이온 흡착 기구(31)에서의 인듐 이온이나 주석 이온의 흡착 능력이 일정하게 유지되고, 에칭액(L) 중의 인듐 이온 농도나 주석 이온 농도가 일정 레벨 이하로 억제되므로 상기와 동일한 효과를 얻을 수 있다.

한편, 인듐 이온 농도나 주석 이온 농도를 기초로 전환 제어를 행하는 경우, 상기 에칭액 처리 장치(5)는 저류조(11)에 저류된 에칭액(L) 중의 인듐 이온 농도 및/또는 주석 이온 농도를 검출하는 금속 이온 농도 검출 센서(도시하지 않음)를 더 구비하도록 구성되고, 상기 제 2 제어부(28b)는 제 2 에칭액 순환 기구(34)의 공급 펌프(36) 및 각 전환 밸브(38, 39, 40, 41)를 제어하고, 금속 이온 농도 검출 센서(도시하지 않음)에 의해 검출되는 인듐 이온 농도 및/또는 주석 이온 농도가 미리 설정된 기준값보다 높아졌을 때에 에칭액(L)이 공급되는 흡착탑(32, 33)을 전환하면서 해당 흡착탑(32, 33)의 어느 한쪽에 저류조(11) 내의 에칭액(L)을 공급하여 순환시키도록 구성된다.

이렇게 기판 처리 장치(1)를 구성하면, 흡착탑(32, 33)의 킬레이트제(도시하지 않음)에 흡착된 인듐이나 주석이 대략 포화 상태에 이르러 인듐 이온이나 주석 이온의 흡착 능력이 저하되고, 저류조(11)에 저류된 에칭액(L) 중의 인듐 이온 농도나 주석 이온 농도가 상승하여 금속 이온 농도 검출 센서(도시하지 않음)에 의해 검출되는 인듐 이온 농도 및/또는 주석 이온 농도가 소정의 기준값보다도 높아지면, 각 전환 밸브(38, 39, 40, 41)가 전환되어 에칭액(L)이 공급되는 흡착탑(32, 33)이 전환된다.

따라서, 이렇게 기판 처리 장치(1)를 구성해도, 금속 이온 흡착 기구(31)에서의 인듐 이온이나 주석 이온의 흡착 능력이 일정하게 유지되고, 에칭액(L) 중의 인듐 이온 농도나 주석 이온 농도가 일정 레벨 이하로 억제되므로, 상기와 동일한 효과를 얻을 수 있다. 또한, 흡착탑(32, 33)의 전환 제어를 경과 시간이나 에칭 매수로 행한 경우에는, 기판 처리 기구(12)에서의 에칭 조건이나 에칭 대상이 되는 기판(K)의 종류 등에 의해 에칭액(L)에 용해하는 인듐이나 주석의 용해량이 상이하고, 흡착탑(32, 33)의 킬레이트제(도시하지 않음)에 흡착된 인듐이나 주석이 대략 포화 상태에 이를 때까지의 시간이나 에칭 매수가 상이하기 때문에 해당 전환 시간이나 에칭 매수를 설정하기 어렵지만, 흡착탑(32, 33)의 전환 제어를 저류조(11) 내의 에칭액(L) 중의 인듐 이온 농도 및/또는 주석 이온 농도를 기초로 행함으로써 흡착탑(32, 33)의 전환 제어를 보다 효율적으로 실시할 수 있다.

또한, 상기 예에서는 기판 처리 기구(12)에서 기판(K)을 에칭하는 동안, 흡착탑(32, 33)에 끊임없이 에칭액(L)을 순환시키도록 했지만, 여기에 한정되는 것이 아니고, 예를 들어 에칭 처리를 개시하고 나서의 경과 시간이 소정 시간이 되거나 기판(K)의 에칭 매수가 소정 매수가 되거나 저류조(11) 내의 에칭액(L) 중의 인듐 이온 농도나 주석 이온 농도가 소정 농도를 넘었을 때에만, 인듐 이온이나 주석 이온을 제거하도록 흡착탑(32, 33)에 에칭액(L)을 순환시키도록 해도 좋다.

또한, 상기 예에서는 에칭액 처리 장치(5)를 기판 처리 장치(1)에 설치했지만, 여기에 한정되는 것이 아니고, 예를 들어 도 4에 나타낸 바와 같은 에칭액 처리 장치(6)로 할 수도 있다. 이 에칭액 처리 장치(6)는 제거 처리용 저류조(70)와, 상기 제거 기구(30)와, 상기 제 2 제어부(28b) 등으로 구성되어 있고, 상기 저류조(70)에는 기판 처리 기구(12)에 부설(付設)된 에칭용 저류조(11)로부터 사용이 완료된 에칭액(L)이 적절히 모아지도록 되어 있다. 또한, 도 4에 나타낸 에칭액 처리 장치(6)에 있어서, 도 1에 나타낸 기판 처리 장치(1)와 동일한 구성 부분은 동일한 부호를 부여하여 그 자세한 설명을 생략한다.

이 경우, 저류조(70) 내의 에칭액(L)이 제 2 제어부(28b)에 의한 제어 하에서, 제 2 에칭액 순환 기구(34)에 의해 저류조(70)와 흡착탑(32, 33)의 어느 한쪽과의 사이에서 순환되고, 에칭액(L) 중의 인듐 이온이나 주석 이온이 흡착탑(32, 33)의 킬레이트제(도시하지 않음)에 의해 흡착, 제거된다. 이 때, 에칭액(L)이 공급되는 흡착탑(32, 33)은, 예를 들어 소정의 시간 간격으로 교대로 전환된다.

그리고, 흡착탑(32, 33)에 저류조(70) 내의 에칭액(L)을 공급하기 시작하고 나서 일정 시간이 경과하거나, 저류조(70) 내의 에칭액(L)의 인듐 이온 농도나 주석 이온 농도가 미리 설정된 기준값보다 낮아지면, 에칭액(L)의 순환이 정지되고 인듐 이온이나 주석 이온의 제거 처리가 종료한다. 이 후, 저류조(70) 내의, 제거 처리 후의 에칭액(L)은 에칭용 저류조(11)에 적절히 되돌려진다.

또한, 흡착탑(32, 33)의 전환으로 에칭액(L)의 공급이 정지된 흡착탑(32, 33)에는 용리액 공급 기구(42)에 의해 용리액이 공급된 후, 세정액 공급 기구(54) 에 의해 세정액이 공급되고, 공급된 용리액은 용리액 회수 기구(48)에 의해, 공급된 세정액은 세정액 회수 기구(58)에 의해 각각 회수된다.

이러한 에칭액 처리 장치(6)에 의해 저류조(70) 내의 에칭액(L)을 저류조(70)와 흡착탑(32, 33) 사이에서 순환시킴으로써, 에칭액(L) 중의 인듐 이온이나 주석 이온을 흡착, 제거하여 해당 에칭액(L)을 재이용 가능하게 할 수 있기 때문에, 새로운 에칭액(L)의 구입 비용이나 사용이 완료된 에칭액(L)의 폐기 비용 등을 생략하여 에칭액(L)에 드는 비용을 억제할 수 있고, 에칭 처리에 드는 비용을 낮게 할 수 있다.

또한, 에칭액(L)이 공급되는 흡착탑(32, 33)을 전환하면서 저류조(70) 내의 에칭액(L)을 순환시키도록 했기 때문에, 흡착탑(32, 33)의 인듐 이온이나 주석 이온의 흡착 능력을 저하시키지 않고 에칭액(L)으로부터 인듐 이온이나 주석 이온을 제거할 수 있고, 효율적으로 인듐 이온이나 주석 이온의 제거를 행할 수 있다.

또한, 상기 예에서는 옥살산 농도가 약 3%인 에칭액(L)을 이용하여 상면에 산화인듐주석막이 형성된 기판(L)에 에칭 처리를 행함과 함께, 에칭액(L)에 용해한 인듐이나 주석을 회수하도록 하였지만, 에칭액(L)의 종류나 회수하는 금속의 종류는 이들에 한정되는 것은 아니다.

또한, 상기 예에서는 기판(K)에 에칭 처리를 행하도록 구성했지만, 현상 처리나 세정 처리 등을 행하도록 해도 좋고, 또한 기판(K)에는 반도체(실리콘) 웨이퍼, 액정 글래스 기판, 포토마스크용 글래스 기판 및 광디스크용 기판 등의 각종 기판(K)이 포함된다. 또한, 상기 금속 이온 흡착 기구(31)는 흡착탑(32, 33)을 3 개 이상 구비하도록 구성해도 좋다.

또한, 상기 예에서는 제 2 에칭액 순환 기구(34)의 각 전환 밸브(38, 39, 40, 41), 용리액 공급 기구(42)의 공급부(43), 용리액 공급 밸브(45) 및 각 전환 밸브(46, 47), 용리액 회수 기구(48)의 각 전환 밸브(51, 52) 및 용리액 회수 밸브(53), 세정액 공급 기구(54)의 공급부(54), 세정액 공급 밸브(57) 및 각 전환 밸브(46, 47), 세정액 회수 기구(58)의 각 전환 밸브(51, 52) 및 세정액 회수 밸브(61)의 작동 제어를 제 2 제어부(28b)에 의해 행하도록 구성했지만, 작업자가 수동으로 조작하도록 구성해도 좋다.

또한, 상기 예에서는 상기 제어 장치(28)를 제 1 제어부(28a) 및 제 2 제어부(28b)로 구성했지만, 여기에 한정되는 것이 아니고, 제 1 제어부(28a)의 기능과 제 2 제어부(28b)의 기능을 1개의 제어부에 갖게 하도록 해도 좋다.

이상과 같이, 본 발명에 따른 처리액 처리 장치 및 기판 처리 장치에 의하면, 처리액 중의 금속 이온을 흡착, 제거하여 해당 처리액을 재이용 가능하게 할 수 있고, 처리액에 드는 비용, 나아가서는 기판 처리에 드는 비용을 억제할 수 있다. 또한, 금속 이온 흡착 능력을 저하시키지 않고 처리액으로부터 금속 이온을 제거할 수 있어 효율적이다. 또한, 기판 처리 중, 흡착탑에도 항상 처리액을 순환시키도록 하면, 처리액 중의 금속 이온 농도를 일정 레벨 이하로 억제하면서 기판 처리를 연속적으로 행할 수 있어, 불량이 발생하는 것을 방지하거나 보다 저비용으로 기판 처리를 행할 수 있다.

Claims (12)

1. 기판 처리용 처리액 중에 포함되는 금속 이온을 제거하는 처리를 행하는 장치로서,

   상기 처리액을 저류하는 저류조와,

   병설된 적어도 2개의 흡착탑을 구비하고, 상기 각 흡착탑의 내부에는 상기 처리액 중의 금속 이온을 흡착하는 킬레이트제가 충전된 금속 이온 흡착 수단과,

   상기 저류조 내의 처리액을 상기 각 흡착탑에 공급하기 위한 처리액 공급관과, 상기 각 흡착탑 내를 유통한 처리액을 상기 저류조 내로 회수하기 위한 처리액 회수관과, 상기 처리액 공급관에 설치되고 상기 각 흡착탑으로의 상기 처리액의 공급을 제어하는 제 1 전환 밸브를 갖고, 상기 제 1 전환 밸브를 전환함으로써 상기 각 흡착탑의 어느 하나에 대해 선택적으로 상기 처리액을 공급하여 순환시키는 제거 처리용 순환 수단을 구비하여 이루어진 것을 특징으로 하는 처리액 처리 장치.
2. 청구항 1에 있어서,

   상기 각 흡착탑의 킬레이트제에 흡착된 금속을 용리시키는 용리액을 상기 각 흡착탑에 공급하기 위한 용리액 공급관과, 상기 용리액 공급관에 설치되어 상기 각 흡착탑으로의 상기 용리액의 공급을 제어하는 제 2 전환 밸브를 갖고, 상기 제 2 전환 밸브를 전환함으로써 상기 각 흡착탑의 어느 하나에 대해 선택적으로 상기 용리액을 공급하는 용리액 공급 수단과,

   상기 각 흡착탑 내를 유통한 용리액을 회수하는 용리액 회수 수단을 더 구비하고,

   상기 제 2 전환 밸브를 전환함으로써 상기 처리액의 공급이 정지되고 또한 상기 킬레이트제가 금속 이온을 흡착한 상태에 있는 상기 흡착탑에 상기 용리액을 공급하도록 구성되어 이루어진 것을 특징으로 하는 처리액 처리 장치.
3. 청구항 2에 있어서,

   상기 각 흡착탑의 내부를 세정하는 세정액을 상기 각 흡착탑에 공급하기 위한 세정액 공급관과, 상기 세정액 공급관에 설치되고, 상기 각 흡착탑으로의 상기 세정액의 공급을 제어하는 제3 전환 밸브를 갖고, 상기 제3 전환 밸브를 전환함으로써 상기 각 흡착탑의 어느 하나에 대해 선택적으로 상기 세정액을 공급하는 세정액 공급 수단과,

   상기 각 흡착탑 내를 유통한 세정액을 외부로 배출하기 위한 세정액 배출관을 더 구비하고,

   상기 제3 전환 밸브를 전환함으로써 용리액 공급 후의 상기 흡착탑에 상기 세정액을 공급하도록 구성되어 이루어진 것을 특징으로 하는 처리액 처리 장치.
4. 청구항 1에 있어서,

   미리 설정된 시간 간격으로 상기 제 1 전환 밸브를 전환하는 제어 수단을 더 구비하여 이루어진 것을 특징으로 하는 처리액 처리 장치.
5. 청구항 1에 있어서,

   상기 저류조에 저류된 처리액 중의 금속 이온 농도를 검출하는 금속 이온 농도 검출 수단과,

   상기 금속 이온 농도 검출 수단에 의해 검출되는 금속 이온 농도가 미리 설정된 기준값보다 높아졌을 때에 상기 제 1 전환 밸브를 전환하는 제어 수단을 더 구비하여 이루어진 것을 특징으로 하는 처리액 처리 장치.
6. 청구항 4 또는 청구항 5에 있어서,

   상기 각 흡착탑의 킬레이트제에 흡착된 금속을 용리시키는 용리액을 상기 각 흡착탑에 공급하기 위한 용리액 공급관과, 상기 용리액 공급관에 설치되고 상기 각 흡착탑으로의 상기 용리액의 공급을 제어하는 제 2 전환 밸브를 갖고, 상기 제 2 전환 밸브를 전환함으로써 상기 각 흡착탑의 어느 하나에 대해 선택적으로 상기 용리액을 공급하는 용리액 공급 수단과,

   상기 각 흡착탑 내를 유통한 용리액을 회수하는 용리액 회수 수단을 더 구비하고,

   상기 제어 수단은 상기 제 1 전환 밸브를 전환하면, 상기 제 2 전환 밸브를 전환하여 상기 처리액의 공급이 정지되고 또한 상기 킬레이트제가 금속 이온을 흡착한 상태에 있는 상기 흡착탑에 상기 용리액을 공급하도록 구성되어 이루어진 것을 특징으로 하는 처리액 처리 장치.
7. 청구항 6에 있어서,

   상기 각 흡착탑의 내부를 세정하는 세정액을 상기 각 흡착탑에 공급하기 위한 세정액 공급관과, 상기 세정액 공급관에 설치되고 상기 각 흡착탑으로의 상기 세정액의 공급을 제어하는 제3 전환 밸브를 갖고, 상기 제3 전환 밸브를 전환함으로써 상기 각 흡착탑의 어느 하나에 대해 선택적으로 상기 세정액을 공급하는 세정액 공급 수단과,

   상기 각 흡착탑 내를 유통한 세정액을 외부로 배출하기 위한 세정액 배출관을 더 구비하고,

   상기 제어 수단은 상기 용리액의 공급을 종료하면, 상기 제3 전환 밸브를 전환하여 용리액 공급 후의 상기 흡착탑에 상기 세정액을 공급하도록 구성되어 이루어진 것을 특징으로 하는 처리액 처리 장치.
8. 청구항 1 내지 청구항 7에 기재된 어느 하나의 처리액 처리 장치와,

   상기 처리액에 의해 기판을 처리하는 처리 수단과,

   상기 저류조에 저류된 처리액을 상기 처리 수단에 공급하고, 공급한 처리액을 상기 처리 수단으로부터 상기 저류조에 회수하여 상기 저류조와 처리 수단 사이에서 처리액을 순환시키는 기판 처리용 순환 수단을 구비하여 이루어진 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
9. 청구항 1에 기재된 처리액 처리 장치와,

   상기 처리액에 의해 기판을 처리하는 처리 수단과,

   상기 저류조에 저류된 처리액을 상기 처리 수단에 공급하고, 공급한 처리액을 상기 처리 수단으로부터 상기 저류조에 회수하여 상기 저류조와 처리 수단 사이에서 처리액을 순환시키는 기판 처리용 순환 수단과,

   상기 처리 수단으로 상기 처리액에 의해 처리된 기판의 매수를 계수하고, 계수한 매수가 미리 설정된 매수가 되었을 때에 전환 신호를 상기 처리액 처리 장치에 송신하는 계수 수단으로 이루어지고,

   상기 처리액 처리 장치는 상기 계수 수단으로부터 상기 전환 신호를 수신했을 때에 상기 제 1 전환 밸브를 전환하는 제어 수단을 더 구비하여 이루어진 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
10. 청구항 9에 있어서,

    상기 처리액 처리 장치는,

    상기 각 흡착탑의 킬레이트제에 흡착된 금속을 용리시키는 용리액을 상기 각 흡착탑에 공급하기 위한 용리액 공급관과, 상기 용리액 공급관에 설치되고 상기 각 흡착탑으로의 상기 용리액의 공급을 제어하는 제 2 전환 밸브를 갖고, 상기 제 2 전환 밸브를 전환함으로써 상기 각 흡착탑의 어느 하나에 대해 선택적으로 상기 용리액을 공급하는 용리액 공급 수단과,

    상기 각 흡착탑 내를 유통한 용리액을 회수하는 용리액 회수 수단을 더 구비 하고,

    상기 제어 수단은 상기 제 1 전환 밸브를 전환하면, 상기 제 2 전환 밸브를 전환하여 상기 처리액의 공급이 정지되고 또한 상기 킬레이트제가 금속 이온을 흡착한 상태에 있는 상기 흡착탑에 상기 용리액을 공급하도록 구성되어 이루어진 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
11. 청구항 10에 있어서,

    상기 처리액 처리 장치는,

    상기 각 흡착탑의 내부를 세정하는 세정액을 상기 각 흡착탑에 공급하기 위한 세정액 공급관과, 상기 세정액 공급관에 설치되고 상기 각 흡착탑으로의 상기 세정액의 공급을 제어하는 제3 전환 밸브를 갖고, 상기 제3 전환 밸브를 전환함으로써 상기 각 흡착탑의 어느 하나에 대해 선택적으로 상기 세정액을 공급하는 세정액 공급 수단과,

    상기 각 흡착탑 내를 유통한 세정액을 외부에 배출하기 위한 세정액 배출관을 더 구비하고,

    상기 제어 수단은 상기 용리액의 공급을 종료하면, 상기 제3 전환 밸브를 전환하여 용리액 공급 후의 상기 흡착탑에 상기 세정액을 공급하도록 구성되어 이루어진 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
12. 청구항 8 내지 청구항 11 중 어느 한 항에 있어서,

    상기 저류조에 저류된 처리액 중의, 상기 기판 처리에 기여하는 성분의 농도를 검출하는 기여 성분 농도 검출 수단과,

    상기 기여 성분 농도 검출 수단에 의해 검출되는 기여 성분 농도를 기초로, 상기 저류조에 저류된 처리액 중의 상기 기여 성분 농도를 조정하여 미리 설정된 범위 내로 유지하는 농도 조정 수단을 더 구비하여 이루어진 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.

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