CN107851567B - 基板处理装置及基板处理方法 - Google Patents
基板处理装置及基板处理方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN107851567B CN107851567B CN201680041041.2A CN201680041041A CN107851567B CN 107851567 B CN107851567 B CN 107851567B CN 201680041041 A CN201680041041 A CN 201680041041A CN 107851567 B CN107851567 B CN 107851567B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- isopropyl alcohol
- substrate
- containing liquid
- ipa
- supply
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 384
- 238000003672 processing method Methods 0.000 title claims abstract description 18
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 1886
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 336
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 136
- 238000011084 recovery Methods 0.000 claims description 100
- 230000018044 dehydration Effects 0.000 claims description 65
- 238000006297 dehydration reaction Methods 0.000 claims description 65
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 claims description 59
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 14
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims description 12
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 claims description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 26
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 18
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 17
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 14
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 11
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 9
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 8
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N citric acid Chemical compound OC(=O)CC(O)(C(O)=O)CC(O)=O KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 6
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 6
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 6
- 238000011010 flushing procedure Methods 0.000 description 5
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 5
- 229910021536 Zeolite Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000005856 abnormality Effects 0.000 description 4
- 239000002250 absorbent Substances 0.000 description 4
- 230000002745 absorbent Effects 0.000 description 4
- HNPSIPDUKPIQMN-UHFFFAOYSA-N dioxosilane;oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Si]=O.O=[Al]O[Al]=O HNPSIPDUKPIQMN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 4
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- 239000010457 zeolite Substances 0.000 description 4
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- NWUYHJFMYQTDRP-UHFFFAOYSA-N 1,2-bis(ethenyl)benzene;1-ethenyl-2-ethylbenzene;styrene Chemical compound C=CC1=CC=CC=C1.CCC1=CC=CC=C1C=C.C=CC1=CC=CC=C1C=C NWUYHJFMYQTDRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 235000015165 citric acid Nutrition 0.000 description 2
- 229960004106 citric acid Drugs 0.000 description 2
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 239000003456 ion exchange resin Substances 0.000 description 2
- 229920003303 ion-exchange polymer Polymers 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 2
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 2
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 102000008186 Collagen Human genes 0.000 description 1
- 108010035532 Collagen Proteins 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000011114 ammonium hydroxide Nutrition 0.000 description 1
- 229920001436 collagen Polymers 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- JEGUKCSWCFPDGT-UHFFFAOYSA-N h2o hydrate Chemical compound O.O JEGUKCSWCFPDGT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DKAGJZJALZXOOV-UHFFFAOYSA-N hydrate;hydrochloride Chemical compound O.Cl DKAGJZJALZXOOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000007524 organic acids Chemical class 0.000 description 1
- 150000007530 organic bases Chemical class 0.000 description 1
- NIFHFRBCEUSGEE-UHFFFAOYSA-N oxalic acid Chemical compound OC(=O)C(O)=O.OC(=O)C(O)=O NIFHFRBCEUSGEE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 1
- 229920005597 polymer membrane Polymers 0.000 description 1
- 239000003755 preservative agent Substances 0.000 description 1
- 230000002335 preservative effect Effects 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
- H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02041—Cleaning
- H01L21/02043—Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process
- H01L21/02052—Wet cleaning only
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02041—Cleaning
- H01L21/02057—Cleaning during device manufacture
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02296—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer
- H01L21/02299—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer pre-treatment
- H01L21/02307—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer pre-treatment treatment by exposure to a liquid
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02296—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer
- H01L21/02318—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer post-treatment
- H01L21/02343—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer post-treatment treatment by exposure to a liquid
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/6715—Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
本发明提供一种基板处理装置及基板处理方法,将含水的冲洗液供给至被保持为水平的基板之后,使含有异丙醇的含IPA液供给至已附着有冲洗液的基板。之后,将水分浓度较低的含IPA液供给至基板。被供给至基板的含IPA液为了被再次供给至基板而被回收。
Description
技术领域
本发明是关于一种处理基板的基板处理装置及基板处理方法。在成为处理对象的基板中,例如包括有半导体晶圆(wafer)、液晶显示设备用基板、电浆显示器(plasmadisplay)用基板、FED(Field Emission Display:场发射显示器)用基板、光盘用基板、磁盘用基板、光磁盘用基板、光掩膜(ph oto mask)用基板、陶瓷(ceramic)基板、太阳能电池用基板等。
背景技术
在专利文献1中,已揭示一种使用IPA(异丙醇(isopropyl alcohol))的蒸气来使水洗后的被干燥物干燥的蒸气干燥装置。该蒸气干燥装置具备:膜分离装置,用于将水从被供给至半导体晶圆等被干燥物的IPA中分离。在该蒸气干燥装置中,以被设置于被干燥物之下方的蒸气产生部来使IPA蒸发,且使IPA的蒸气接触水洗后的被干燥物。在被干燥物的表面凝结后的I PA的液体,与已附着于被干燥物的水分一起流掉,且掺杂在位于蒸气产生部的IPA的液体中。利用被配置于蒸气产生部的膜分离装置将IPA中所含的水分去除。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开平5-90240号公报。
发明内容
发明要解决的问题
在专利文献1中,已揭示如下内容:为了将水分浓度较低的IPA的蒸气供给至被干燥物,而去除使用后的IPA的液体中所含的水分。然而,有关有效率地供给水分浓度较低的IPA的内容则并未揭示于专利文献1中。
换句话说,即便IPA的供给开始时的IPA中之水分浓度较高,只要IPA的供给结束时的IPA中之水分浓度较低,则仍可以降低供给IPA后残留于被干燥物的水分的含量,且可以抑制或防止因水渍(watermark)或图案崩塌(p attern collapse)等的残留水分所引起的异常的发生。再者,比起从最初就供给水分浓度较低的IPA的情况,还可以降低水分浓度较低的IPA的使用量。
然而,在专利文献1中,虽然已揭示去除IPA的液体中所含的水分的内容,但是并未揭示有关在IPA的蒸气被供给至被干燥物时,使IPA中的水分浓度随着时间的经过而降低的内容。在专利文献1中,是从IPA的供给开始时就将水分浓度较低的IPA供给至基板。
于是,本发明的目的之一是在于降低IPA的消耗量的同时,将水分浓度较低的IPA有效率地供给至基板。
用于解决问题的手段
本发明的一个实施方式,一种将含有异丙醇的含IPA液供给至被保持为水平的基板的基板处理装置,包括:基板保持单元,用于将基板保持为水平;冲洗液供给单元,用于将含有水的冲洗液供给至由所述基板保持单元保持的基板;第一IPA供给系统,用于将含IPA液供给至由所述基板保持单元保持的基板;第二IPA供给系统,用于将水分浓度比由所述第一IPA供给系统供给的含IPA液的水分浓度更低的含IPA液,供给至由所述基板保持单元保持的基板;回收单元,用于将被供给至由所述基板保持单元保持的基板的含IPA液,回收至所述第一IPA供给系统及第二IPA供给系统双方或所述第一IPA供给系统;以及,控制装置,用于控制所述冲洗液供给单元、所述第一IPA供给系统、所述第二IPA供给系统、及所述回收单元;所述控制装置执行如下步骤:冲洗液供给步骤,用于使所述冲洗液供给单元将冲洗液供给至所述基板;第一IPA供给步骤,在所述冲洗液供给步骤之后,使所述第一IPA供给系统将含IPA液供给至附着有冲洗液的所述基板;第二IPA供给步骤,在所述第一IPA供给步骤之后,使所述第二IPA供给系统将含IPA液供给至所述基板;以及,回收步骤,用于使所述回收单元回收在所述第一IPA供给步骤及所述第二IPA供给步骤中的至少一方被供给至所述基板的含IPA液。
依据该构成,则能在含水的冲洗液被供给至基板之后,使包含IPA的含IPA液供给至基板。被供给至基板的含IPA液的水分浓度,能在含IPA液的供给中减低。从而,比起从含IPA液的供给开始时就供给水分浓度较低的含IPA液的情况,还可以将水分浓度较低的含IPA液有效率地供给至基板。由此,可以降低供给含IPA液后残留于基板的水量,且可以抑制或防止因水渍或图案崩塌等的残留水分所引起的异常的发生。再者,由于为了再次供给至基板而回收含IPA液,可以降低含IPA液的消耗量。
在本实施方式中,以下的至少一个特征,亦可追加于前述基板处理装置中。
前述基板处理装置是进而包括:排液单元,用于将被供给至由所述基板保持单元保持的基板的含IPA液,在被回收至所述第一IPA供给系统及第二IPA供给系统双方或所述第一IPA供给系统之前,从所述回收单元排出;所述控制装置还执行:排液步骤,在所述回收步骤之前,使所述排液单元排出在所述第一IPA供给步骤被供给至所述基板的含IPA液。
在含IPA液的供给开始时被供给至基板的含IPA液,能与冲洗液一起从基板排出。此时从基板排出的液体包含较高的含有率的冲洗液。依据该构成,在含IPA液的供给开始时被供给至基板的含IPA液,就不被回收而是被排出。为此,可以抑制或防止水分浓度较高的含IPA液被回收。
前述第一IPA供给系统包括:第一贮留槽,用于贮留要被供给至由所述基板保持单元保持的基板的含IPA液;所述回收单元包括:中间槽,其连接于所述第一贮留槽,用于贮留被供给至由所述基板保持单元保持的基板的含IPA液;所述回收步骤包括:贮留步骤,用于将在所述第一IPA供给步骤及所述第二IPA供给步骤中的至少一方被供给至所述基板的含IPA液贮留于所述中间槽,以及供给步骤,其在所述第一IPA供给步骤及所述第二IPA供给步骤之后,将所述中间槽内的含IPA液供给至所述第一贮留槽。
依据该构成,被供给至基板的含IPA液能贮留于中间槽。而且,在结束含IPA液对基板的供给之后,中间槽内的含IPA液能供给至第一贮留槽。在含IPA液的供给中,当使用后的含IPA液掺杂在第一贮留槽内的含IPA液中时,供给至基板的含IPA液的纯度就会降低。因此,可以在结束含IPA对基板的供给之后,通过将使用后的含IPA液回收至第一贮留槽,来防止供给至基板的含IPA液的纯度在含IPA液的供给中降低。
前述基板处理装置是进而包括:脱水单元,用于从由所述回收单元回收后的含IPA液中去除水分;所述第一IPA供给系统及第二IPA供给系统中的至少一方包括:IPA喷嘴,用于朝向由所述基板保持单元保持的基板喷出含IPA液,贮留槽,用于贮留要被供给至所述IPA喷嘴的含IPA液,循环配管,用于形成使所述贮留槽内的含IPA液循环的环状的循环路径,以及供给配管,用于将含IPA液从所述循环配管导引至所述IPA喷嘴;所述脱水单元包括:被配置于所述循环配管的上游脱水单元,以及被配置于所述供给配管的下游脱水单元。
依据该构成,贮留槽内的含IPA液,就能在由贮留槽及循环配管所形成的循环路径内循环。在此期间,含IPA液是能由上游脱水单元重复脱水。再者,贮留槽内的含IPA液,是在不仅由上游脱水单元所脱水、且由下游脱水单元所脱水之后,供给至IPA喷嘴。为此,可以进而降低供给至基板的含IPA液的水分浓度。
前述基板处理装置是进而包括:脱水单元,用于从由所述回收单元回收后的含IPA液中去除水分;所述第一IPA供给系统将由所述脱水单元脱水后的含IPA液供给至由所述基板保持单元保持的基板;所述第二IPA供给系统将水分浓度比由所述第一IPA供给系统供给的含IPA液的水分浓度更低的未使用的含IPA液,供给至由所述基板保持单元保持的基板。未使用的含IPA液,是指在本实施方式的基板处理装置中未被供给至基板的水分浓度较低的含IPA之意。
依据该构成,在所回收及脱水后的含IPA液被供给至已附着有冲洗液的基板之后,水分浓度较低的未使用的含IPA液就能供给至基板。从而,与从最初就供给未使用的含IPA液的情况相较,还可以将水分浓度较低的含IPA液有效率地供给至基板。再者,由于是在供给未使用的含IPA液之前将所回收及脱水后的含IPA液供给至基板,因此可以降低未使用的含IPA液的消耗量并将供给至基板的含IPA液的水分浓度维持在较低的值。由此,可以进而降低最终的水的残留量。
前述基板处理装置是进而包括:脱水单元,用于从由所述回收单元回收后的含IPA液中去除水分;所述第一IPA供给系统将由所述脱水单元脱水后的含IPA液供给至由所述基板保持单元保持的基板;所述第二IPA供给系统将由所述脱水单元脱水且水分浓度比由所述第一IPA供给系统供给的含IPA液的水分浓度更低的含IPA液,供给至由所述基板保持单元保持的基板。
依据该构成,在所回收及脱水后的含IPA液被供给至已附着有冲洗液的基板之后,水分浓度较低的所回收及脱水后的含IPA液就能供给至基板。从而,与从最初就供给水分浓度较低的含IPA液的情况相较,还可以将水分浓度较低的含IPA液有效率地供给至基板。再者,由于是最初就供给所回收后的含IPA液,因此可以降低含IPA液的消耗量。
前述基板处理装置是进而包括:脱水单元,用于从由所述回收单元回收后的含IPA液中去除水分;所述第一IPA供给系统将由所述回收单元回收后的尚未被脱水的含IPA液,供给至由所述基板保持单元保持的基板;所述第二IPA供给系统将由所述脱水单元脱水且水分浓度比由所述第一IPA供给系统供给的含IPA液的水分浓度更低的含IPA液,供给至由所述基板保持单元保持的基板。
依据该构成,在未被脱水的所回收后的含IPA液被供给至已附着有冲洗液的基板之后,水分浓度较低的所回收及脱水后的含IPA液供给至基板。从而,与从最初就供给所回收及脱水后的含IPA液的情况相较,还可以将水分浓度较低的含IPA液有效率地供给至基板。再者,由于是最初就供给所回收后的含IPA液,因此可以降低含IPA液的消耗量。
前述第一IPA供给系统是将由前述回收单元所回收后的尚未被脱水的含IPA液,供给至由前述基板保持单元所保持的基板;前述第二IPA供给系统是将水分浓度比由前述第一IPA供给系统所供给的含IPA液更低的未使用的含IPA液,供给至由前述基板保持单元所保持的基板。
依据该构成,在未被脱水的所回收后的含IPA液被供给至已附着有冲洗液的基板之后,水分浓度较低的未使用的含IPA液就能供给至基板。从而,与从最初就供给未使用的含IPA液的情况相较,还可以将水分浓度较低的含IPA液有效率地供给至基板。再者,由于不需要将所回收后的含IPA液予以脱水的脱水单元,所以可以抑制基板处理装置的制造成本的增加。
本发明的另一实施方式,一种将含有异丙醇的含IPA液供给至被保持为水平的基板的基板处理方法,包括:冲洗液供给步骤,将含有水的冲洗液供给至所述基板;第一IPA供给步骤,在所述冲洗液供给步骤之后,将含IPA液供给至附着有冲洗液的所述基板;第二IPA供给步骤,在所述第一IPA供给步骤之后,将水分浓度比在所述第一IPA供给步骤被供给的含IPA液的水分浓度更低的含IPA液,供给至所述基板;以及回收步骤,回收在所述第一IPA供给步骤及所述第二IPA供给步骤中的至少一方被供给至所述基板的含IPA液。依据该方法,可以实现前述效果。
在本实施方式中,以下的至少一个特征,亦可追加于前述基板处理方法中。
前述基板处理方法是进而包括:排液步骤,在所述回收步骤之前,将在所述第一IPA供给步骤被供给至所述基板的含IPA液不予以回收而排出。依据该方法,可以实现前述效果。
前述回收步骤包括:贮留步骤,将在所述第一IPA供给步骤及所述第二IPA供给步骤中的至少一方被供给至所述基板的含IPA液贮留于中间槽;以及供给步骤,在所述第一IPA供给步骤及所述第二IPA供给步骤之后,将所述中间槽内的含IPA液供给至用于贮留要在所述第一IPA供给步骤被供给的含IPA液的第一贮留槽。依据该方法,可以实现前述效果。
前述基板处理方法是进而包括:脱水步骤,从在所述回收步骤被回收后的含IPA液中去除水分;所述脱水步骤包括:上游脱水步骤,在形成使含IPA液循环的环状的循环路径的循环配管,从含IPA液中去除水分;以及下游脱水步骤,在供给配管从含IPA液中去除水分,所述供给配管用于将含IPA液从所述循环配管导引至朝向所述基板喷出含IPA液的IPA喷嘴。依据该方法,可以实现前述效果。
前述基板处理方法是进而包括:脱水步骤,从在所述回收步骤被回收后的含IPA液中去除水分;在所述第一IPA供给步骤中,将被回收及脱水后的含IPA液供给至所述基板;在所述第二IPA供给步骤中,将水分浓度比在所述第一IPA供给步骤所供给的含IPA液的水分浓度更低的未使用的含IPA液供给至所述基板。依据该方法,可以实现前述效果。
前述基板处理方法是进而包括:脱水步骤,从在所述回收步骤被回收后的含IPA液中去除水分;在所述第一IPA供给步骤中,将被回收及脱水后的含IPA液供给至所述基板;在所述第二IPA供给步骤中,将水分浓度比在所述第一IPA供给步骤所供给的含IPA液的水分浓度更低的被回收及脱水后的含IPA液供给至所述基板。依据该方法,可以实现前述效果。
前述基板处理方法是进而包括:脱水步骤,从在所述回收步骤被回收后的含IPA液的一部分中去除水分;在所述第一IPA供给步骤中,将未被脱水的被回收后的含IPA液供给至所述基板;在所述第二IPA供给步骤中,将水分浓度比在所述第一IPA供给步骤所供给的含IPA液的水分浓度更低的被回收及脱水后的含IPA液供给至所述基板。依据该方法,可以实现前述效果。
在所述第一IPA供给步骤中,将未被脱水的被回收后的含IPA液供给至所述基板;在所述第二IPA供给步骤中,将水分浓度比在所述第一IPA供给步骤所供给的含IPA液的水分浓度更低的未使用的含IPA液供给至所述基板。依据该方法,可以实现前述效果。
通过参照附图对以下叙述的实施方式的说明,本发明中之前述的或进而其他的目的、特征及效果将变得清楚。
附图说明
图1是从上方观察本发明的第一实施方式的基板处理装置的示意图。
图2是水平观察基板处理装置中所备置的处理单元的内部的示意图。
图3是示出基板处理装置的IPA供给系统及IPA回收系统的示意图。
图4是示出从IPA供给步骤之前至IPA供给步骤之后的基板处理装置的运行的时序图(time chart)。
图5是示出供给至基板的IPA中的水分浓度随着时间推移的曲线图(graph)。
图6是示出本发明的第二实施方式的基板处理装置的IPA供给系统及IPA回收系统的示意图。
具体实施方式
以下说明中,只要没有特别说明,IPA是指以异丙醇为主成分的液体之意。
图1是从上方观察本发明的第一实施方式的基板处理装置的示意图。
基板处理装置1,是指逐片处理半导体晶圆等圆板状的基板W的单片式装置。基板处理装置1包括:多个装载台(load port)LP,用以保持收容基板W的多个托架(carrier)C;多个(例如12台)处理单元2,其以药液等处理液来处理从多个装载台LP搬运来的基板W;以及分度器机械手(indexer robot)IR及中心机械手(center robot)CR,用以在多个装载台LP与多个处理单元2之间搬运基板W。基板处理装置1进而包括用以控制基板处理装置1的控制装置3。控制装置3是指包括运算部和存储部的计算机(computer)。
基板处理装置1包括用以收容后述的第一喷出阀40等的多个(四台)阀箱(valvebox)5。处理单元2及阀箱5配置于基板处理装置1的外壁4之中,且由基板处理装置1的外壁4覆盖。用以收容后述的第一贮留槽31等的多个(四台)贮留箱6配置于基板处理装置1的外壁4之外。贮留箱6既可配置于基板处理装置1的侧方,又可配置于基板处理装置1所设置的无尘室(clean room)的下方(地下)。
12台处理单元2形成俯视观察下以包围中心机械手CR的方式配置的四个塔。各塔由上下所层叠的三台处理单元2构成。四台贮留箱6分别对应四个塔。四台阀箱5分别对应四台贮留箱6。贮留箱6内的处理液经由所对应的阀箱5而供给至所对应的三台处理单元2。又,在构成同一塔的三台处理单元2中被供给至基板W的处理液,经由所对应的阀箱5而回收至所对应的贮留箱6。
图2是水平观察处理单元2的内部的示意图。
处理单元2包括:箱形的腔室(chamber)11;旋转夹盘(spin chuck)12,其在腔室11内使基板W一边保持于水平一边绕着通过基板W的中央部的铅直的旋转轴线A1旋转;以及筒状的杯体(cup)16,用以接住从基板W排出来的处理液。
旋转夹盘12包括:圆板状的旋转基座(spin base)13,其保持着水平的姿势;多个夹持销(chuck pin)14,其在旋转基座13的上方将基板W保持为水平姿势;以及旋转马达(spin motor)15,其通过使多个夹持销14旋转而使基板W绕着旋转轴线A1旋转。旋转夹盘12,并不限于使多个夹持销14接触到基板W的周端面的夹持式夹盘,亦可为通过使作为非组件形成面的基板W的背面(下表面)吸附于旋转基座13的上表面而将基板W保持于水平的真空(vacuum)式夹盘。
杯体16包括:筒状的倾斜部17,其朝向旋转轴线A1而向上倾斜地延伸;圆筒状的导引部18,其从倾斜部17的下端部(外端部)朝向下方延伸;以及受液部19,其形成开口向上的环状的沟槽。倾斜部17包括具有比基板W及旋转基座13更大的内径的圆环状的上端。倾斜部17的上端相当于杯体16的上端。杯体16的上端在俯视观察下包围基板W及旋转基座13。
处理单元2包括:使杯体16在上位置(图2所示的位置)与下位置之间铅直地升降的杯体升降单元20,该上位置是指倾斜部17的上端位于比由旋转夹盘12保持基板W的保持位置更上方的位置,该下位置是指倾斜部17的上端位于比由旋转夹盘12保持基板W的保持位置更下方的位置。在处理液供给至基板W时,杯体16配置于上位置。已从基板W飞散至外方的处理液在被倾斜部17接住之后,能利用导引部18收集至受液部19内。
处理单元2包括:药液喷嘴21,用以朝向由旋转夹盘12保持的基板W的上表面将药液向下方喷出。药液喷嘴21与安装有药液阀22的药液配管23连接。处理单元2,亦可具备:喷嘴移动单元,用以使药液喷嘴21在处理位置与待机位置之间水平地移动,该处理位置是指从药液喷嘴21喷出的药液能供给至基板W的位置,该待机位置是指药液喷嘴21在俯视观察下远离基板W的位置。
当药液阀22开启时,药液就从药液配管23供给至药液喷嘴21,且从药液喷嘴21喷出。药液例如是氟酸。药液并不限于氟酸,亦可为硫酸、醋酸、硝酸、盐酸、磷酸、氨水、过氧化氢溶液、有机酸(例如柠檬酸(citricacid)、草酸(oxalic acid)等)、有机碱(例如,TMAH:tetramethylammonium hydroxide(四甲基氢氧化铵)等)、表面活性剂、以及防腐剂中的至少一种的液体。
处理单元2包括:冲洗液喷嘴24,用以朝向由旋转夹盘12保持的基板W的上表面将冲洗液向下方喷出。冲洗液喷嘴24与安装有冲洗液阀25的冲洗液配管26连接。处理单元2,亦可具备:喷嘴移动单元,用以使冲洗液喷嘴24在处理位置与待机位置之间水平地移动,该处理位置是指从冲洗液喷嘴24喷出的冲洗液能供给至基板W的位置,该待机位置是指冲洗液喷嘴24在俯视观察下远离基板W的位置。
当冲洗液阀25开启时,冲洗液就从冲洗液配管26供给至冲洗液喷嘴24,且从冲洗液喷嘴24喷出。冲洗液例如是纯水(去离子水:Deionized water)。冲洗液并不限于纯水,亦可为碳酸水、电解离子水、富氢水(hydrogen water)、臭氧水(ozonated water)、以及稀释浓度(例如,10ppm至100ppm左右)的盐酸水中的任一种。
处理单元2包括:IPA喷嘴27,用以朝向由旋转夹盘12保持的基板W的上表面将IPA向下方喷出。IPA喷嘴27连接于IPA配管28。处理单元2,亦可具备:喷嘴移动单元,用以使IPA喷嘴27在处理位置与待机位置之间移动,该处理位置是指从IPA喷嘴27喷出的IPA能供给至基板W的位置,该待机位置是指IPA喷嘴27在俯视观察下远离基板W的位置。
在处理单元2处理基板W时,控制装置3使旋转夹盘12保持以及旋转已由中心机械手CR(参照图1)搬入腔室11内的基板W。在此状态下,控制装置3通过开启药液阀22,来使药液喷嘴21将作为药液的一例的氟酸朝向旋转中的基板W的上表面喷出。藉此,氟酸能供给至基板W的整个上表面,且能从基板W去除微粒子等异物(药液供给步骤)。已飞散至基板W的周围的氟酸被位于上位置的杯体16的内周面接住。
控制装置3在闭合药液阀22并使药液喷嘴21停止喷出氟酸之后,通过开启冲洗液阀25,来使冲洗液喷嘴24将作为冲洗液的一例的纯水朝向旋转中的基板W喷出。藉此,纯水能供给至基板W的整个上表面,且能使已附着于基板W的氟酸被冲洗(冲洗液供给步骤)。已飞散至基板W的周围的纯水,被位于上位置的杯体16的内周面接住。
控制装置3在闭合冲洗液阀25并使冲洗液喷嘴24停止喷出纯水之后,使IPA喷嘴27朝向旋转中的基板W喷出IPA。IPA的供给开始时,以纯水为主成分的液体能从基板W排出,且被位于上位置的杯体16的内周面接住。当从IPA的供给开始并经过指定时间时,基板W上的纯水就被置换成IPA,且形成有覆盖基板W的整个上表面的IPA的液膜(IPA供给步骤)。为此,纯水的溶解量极少的IPA能从基板W排出,且被位于上位置的杯体16的内周面接住。
控制装置3在使IPA喷嘴27停止喷出IPA之后,使旋转夹盘12高速旋转基板W。藉此,基板W上的IPA能利用离心力而朝向基板W的周围甩开。为此,IPA能从基板W去除,且使基板W干燥(干燥步骤)。然后,控制装置3在使旋转夹盘12停止基板W的旋转之后,使中心机械手CR(参照图1)将基板W从腔室11搬出。控制装置3通过重复从药液供给步骤至干燥步骤这一系列的步骤,而使基板处理装置1处理多片基板W。
图3是示出基板处理装置1的IPA供给系统及IPA回收系统的示意图。在图3中,以点划线显示阀箱5,以二点划线显示贮留箱6。被配置于点划线所包围的区域的构件配置于阀箱5内,被配置于二点划线所包围的区域的构件配置于贮留箱6内。在后面所述的图6中亦为相同。
基板处理装置1的第一IPA供给系统包括:第一贮留槽31,用以贮留供给至基板W的IPA。基板处理装置1的第二IPA供给系统,包括:第二贮留槽61,用以贮留供给至基板W的IPA。第一贮留槽31为用以贮留从基板W回收后的IPA的回收液槽。第二贮留槽61,为用以贮留还未供给至基板W的未使用的IPA的新液体槽。未使用的IPA是指在基板处理装置1还未供给至基板W的高纯度的IPA之意。贮留于第二贮留槽61的IPA的纯度比贮留于第一贮留槽31的IPA的纯度更高。未使用的IPA的纯度,例如是99.8wt%以上。
以下,针对第一IPA供给系统及IPA回收系统加以说明,之后,针对第二IPA供给系统加以说明。
第一贮留槽31连接于第一循环配管32,该第一循环配管32形成使第一贮留槽31内的IPA循环的环状循环路径X1。将第一贮留槽31内的IPA送至第一循环配管32的第一泵体33、和将微粒子等异物从在第一循环配管32内流动的IPA中去除的第一过滤器34,安装于第一循环配管32。
再者,将水分从在第一循环配管32内流动的IPA中去除的第一上游脱水单元35、和将第一循环配管32内的液压维持于一定的第一压力调整阀36,安装于第一循环配管32。第一泵体33始终将第一贮留槽31内的IPA送至第一循环配管32内。第一上游脱水单元35配置于第一泵体33的下游,第一压力调整阀36配置于第一上游脱水单元35的下游。
第一循环配管32与将IPA从第一循环配管32导引至IPA喷嘴27的第一供给配管37连接。第一供给配管37位于第一上游脱水单元35的下游,且位于第一压力调整阀36的上游的位置,并连接于第一循环配管32。同样地,与构成同一塔的其他两个处理单元2对应的两个第一供给配管37连接于第一循环配管32。在构成同一塔的三个处理液单元中供给有相同的槽(第一贮留槽31)内的IPA。
测量朝向IPA喷嘴27而流动于第一供给配管37内的IPA的流量的第一流量计38、和变更朝向IPA喷嘴27而流动于第一供给配管37内的IPA的流量的第一流量调整阀39,安装于第一供给配管37。再者,开闭第一供给配管37的第一喷出阀40、和从朝向IPA喷嘴27而流动于第一供给配管37内的IPA中将水分去除的第一下游脱水单元41,安装于第一供给配管37。当第一喷出阀40开启时,第一循环配管32内的IPA就会在第一下游脱水单元41脱水,之后,从IPA喷嘴27喷出。
第一上游脱水单元35及第一下游脱水单元41都各包括:将水分从IPA中分离的分离膜42;以及收容分离膜42的脱水外壳(housing)43。分离膜42是指水可以穿透而IPA无法穿透的脱水膜。分离膜42,既可为由高分子材料制作成的高分子膜或由无机材料制作成的无机膜,又可为除此之外的膜。分离膜42的具体例为由沸石(zeolite)制作成的沸石膜。
脱水外壳43包括以分离膜42彼此分隔所成的浓缩室44及穿透室45。浓缩室44不透过分离膜42而连接于第一循环配管32或第一供给配管37。穿透室45连接于将穿透室45予以减压的真空泵。IPA在从混合液供给口流入浓缩室44之后,经由浓缩液排出口而从浓缩室44排出。在被供给至浓缩室44的IPA中所含的水,利用浓缩室44及穿透室45间的压力差,经由分离膜42而移动至穿透室45。已移动至穿透室45的水能经由穿透成分排出口,从穿透室45排出。
在第一喷出阀40闭合时,第一贮留槽31内的IPA在由第一贮留槽31及第一循环配管32形成的循环路径X1中循环。在此期间,IPA利用第一上游脱水单元35而重复脱水(上游脱水步骤)。通过该脱水,第一贮留槽31内的IPA的纯度,例如可提高至99wt%以上。将检测由第一上游脱水单元35脱水后的IPA中的水分浓度的浓度计C1的检测值输入至控制装置3。在第一喷出阀40开启时,由第一上游脱水单元35脱水后的IPA在供给至IPA喷嘴27之前,由第一下游脱水单元41脱水(下游脱水步骤)。由此,可以进而提高供给至基板W的IPA的纯度。
第一贮留槽31与导引未使用的IPA的第一新液体配管47连接。当安装于第一新液体配管47的第一新液体阀46开启时,未使用的IPA就从第一新液体配管47供给至第一贮留槽31。当第一贮留槽31内的IPA的残余量达到基准值时,未使用的IPA就经由第一新液配管47而补充至第一贮留槽31。又,当IPA的使用次数或使用时间超过基准值时,第一贮留槽31内的一部分或全部的IPA将被替换成经由第一新液配管47供给的IPA。
第一贮留槽31与导引作为非活性气体的一例的氮气的第一供气配管48连接。氮气被始终供给至第一贮留槽31内。虽然未图示,但是第一贮留槽31内的气体能经由与第一贮留槽31连接的排气配管而排出。第一贮留槽31内的气压能利用已安装于排气配管的释压阀(relief valve)而维持于一定。第一贮留槽31内的空间由氮气所充满。藉此,可以抑制或防止第一贮留槽31内的空气中所含的水分溶入IPA,且可以抑制IPA的纯度的降低。
基板处理装置1的IPA回收系统包括:上游回收配管50,用以导引从杯体16排出后的IPA;中间槽53,其从上游回收配管50被供给IPA;以及第一下游回收配管54,用以将IPA从中间槽53导引至第一贮留槽31。上游回收配管50从杯体16延伸至中间槽53。上游回收配管50连接于中间槽53。同样地,与构成同一塔的其他两个处理单元2对应的两个上游回收配管50连接于中间槽53。
从上游回收配管50排出IPA的排液配管52连接于上游回收配管50。用以开闭上游回收配管50的上游回收阀49安装于上游回收配管50,用以开闭排液配管52的排液阀51安装于排液配管52。排液配管52在上游回收阀49的上游与上游回收配管50连接。在上游回收阀49开启,且排液阀51闭合时,杯体16内的IPA就经由上游回收配管50而供给至中间槽53。与此相反,在排液阀51开启,且上游回收阀49闭合时,杯体16内的IPA就经由上游回收配管50而排出至排液配管52。
第一下游回收配管54从中间槽53延伸至第一贮留槽31。从第一下游回收配管54去除异物的回收过滤器55、和从中间槽53将IPA送至第一贮留槽31的回收泵体56、和用以开闭第一下游回收配管54的下游回收阀57安装于第一下游回收配管54。当下游回收阀57开启时,中间槽53内的IPA就由回收泵体56送至第一贮留槽31。
中间槽53内的IPA在被回收过滤器55净化之后,供给至第一贮留槽31。回收过滤器55,例如是去除金属离子等离子的过滤器。回收过滤器55包括:去除离子的离子交换树脂;以及收容离子交换树脂的过滤器外壳。回收过滤器55与第一过滤器34同样,亦可为去除微粒子等固体的过滤器。
接着,针对第二IPA供给系统加以说明。
第二贮留槽61与用以导引从第二贮留槽61送来的IPA的第二送液配管62连接。将第二贮留槽61内的IPA送至第二送液配管62的第二泵体63、和从在第二送液配管62内流动的IPA中去除微粒子等异物的第二过滤器64,安装于第二送液配管62。第二泵体63始终将第二贮留槽61内的IPA送至第二送液配管62内。
第二送液配管62与将IPA从第二送液配管62导引至IPA喷嘴27的第二供给配管65连接。同样地,与构成同一塔的其他两个处理单元2对应的两个第二供给配管65连接于第二送液配管62。测量朝向IPA喷嘴27而在第二供给配管65内流动的IPA的流量的第二流量计66、和变更朝向IPA喷嘴27而在第二供给配管65内流动的IPA的流量的第二流量调整阀67、和用以开闭第二供给配管65的第二喷出阀68,安装于第二供给配管65。
第二贮留槽61与安装有第二新液体阀69的第二新液体配管70连接。当第二新液体阀69开启时,未使用的IPA就从第二新液体配管70供给至第二贮留槽61。第二贮留槽61进而与将氮气始终供给至第二贮留槽61的第二供气配管71连接。虽然未图示,但是第二贮留槽61内的气体,能经由与第二贮留槽61连接的排气配管而排出。第二贮留槽61内的气压能利用安装于排气配管的释压阀而维持于一定。第二贮留槽61内的空间由氮气所充满。
图4是示出从IPA供给步骤之前至IPA供给步骤之后的基板处理装置1的动作的时序图。以下,参照图3及图4。
如图4所示,冲洗液阀25在时刻T1闭合之后,第一喷出阀40会在时刻T2开启。藉此,开始从第一贮留槽31到IPA喷嘴27的IPA的供给,使从第一贮留槽31所供给来的IPA从IPA喷嘴27喷出。
在时刻T2,上游回收阀49闭合,排液阀51则开启。由此,在已开始对基板W供给IPA时由杯体16所接住的液体、即以纯水为主成分的纯水及IPA的混合液,将不被供给至中间槽53,而是排出至排液配管52(排液步骤)。从而,可以防止水分浓度较高的IPA供给至中间槽53。
当第一喷出阀40开启之后并经过指定时间时,上游回收阀49开启,而排液阀51则闭合(时刻T3)。由此,由杯体16所接住的液体,并不排出至排液配管52而是供给至中间槽53。在时刻T3,由于在IPA的供给开始之后并经过指定时间,基板W上的纯水被置换成IPA,因此纯水的溶解量极少的IPA会从基板W排出。从而,纯度比较高的IPA被供给至中间槽53。
又,当第一喷出阀40开启之后并经过指定时间时,第一喷出阀40闭合,而第二喷出阀68则会开启(时刻T4)。藉此,停止从第一贮留槽31向IPA喷嘴27的IPA的供给。另一方面,开始从第二贮留槽61向IPA喷嘴27的IPA的供给,且使从第二贮留槽61所供给来的IPA从IPA喷嘴27喷出。第一喷出阀40开启的时间,既可比第二喷出阀68开启的时间更长或更短,又可与第二喷出阀68开启的时间相等。
当第二喷出阀68开启之后并经过指定时间时,第二喷出阀68闭合(时刻T5)。藉此,停止从第二贮留槽61向IPA喷嘴27的IPA的供给,且停止IPA对基板W的供给。之后,执行前述的干燥步骤。上游回收阀49为了在IPA喷嘴27结束IPA的喷出之后将残留于杯体16内的IPA供给至中间槽53,而在第二喷出阀68闭合之后闭合(时刻T6)。
下游回收阀57闭合直至时刻T6为止。因此,被供给至基板W的IPA在时刻T3至时刻T6之间贮存于中间槽53(贮留步骤)。当下游回收阀57在时刻T6开启时,已贮存于中间槽53的IPA就会供给至第一贮留槽31(供给步骤)。藉此,被供给至基板W的IPA就能回收至第一贮留槽31(回收步骤)。所回收后的IPA由第一上游脱水单元35所脱水,直至开始下一个基板W的处理为止。又,当下游回收阀57开启之后并经过指定时间时,下游回收阀57闭合(时刻T7)。
如此,由于将被供给至基板W的使用后的IPA回收至第一贮留槽31并再次使用,因此可以削减IPA的消耗量。再者,虽然水分浓度已增加的IPA被回收至第一贮留槽31,但是由于以第一上游脱水单元35及第一下游脱水单元41来去除IPA的水分,因此可以抑制或防止水分浓度较高的IPA供给至基板W。而且,由于在结束IPA对基板W的喷出之后,将使用后的IPA回收至第一贮留槽31,因此可以防止从IPA喷嘴27所吐出的IPA的纯度在IPA的供给中降低。
图5是示出供给至基板W的IPA中的水分浓度的推移的曲线图。图5所示的时刻与图4所示的时刻一致。
如前述般,在IPA供给步骤中,使第一贮留槽31内的IPA供给至基板W(第一IPA供给步骤),之后,使第二贮留槽61内的IPA供给至基板W(第二IPA供给步骤)。第一贮留槽31内的IPA是指回收及脱水后的IPA,而第二贮留槽61内的IPA是指水分浓度比第一贮留槽31内的IPA更低的未使用的IPA。因此,如图5所示,供给至基板W的IPA中的水分浓度是阶段性地降低,而水分浓度极低的未使用的IPA则在IPA供给步骤结束时供给至基板W。
即便IPA的供给开始时的IPA中的水分浓度较高,只要IPA的供给结束时的IPA中的水分浓度较低,就可以降低供给IPA后残留于基板W的水量。藉此,就可以抑制或防止因水渍或图案崩塌等的残留水分所引起的异常的发生。再者,比起从最初就供给水分浓度较低的IPA的情况,还可以减轻脱水的负担,且能够有效率地使用第一上游脱水单元35及第一下游脱水单元41。因此,可以抑制基板处理装置1的运行成本(running cost)的增加。
如以上,在第一实施方式中,在作为冲洗液的一例的纯水被供给至基板W之后,使回收及脱水后的IPA供给至已附着有纯水的基板W。之后,使水分浓度比所回收及脱水后的IPA更低的未使用的IPA供给至基板W。从而,比起从IPA的供给开始时就供给未使用的IPA的情况,能够有效率地将水分浓度较低的IPA供给至基板W。藉此,可以降低在供给IPA后残留于基板W的水量,且可以抑制或防止因水渍或图案崩塌等的残留水分所引起的异常的发生。再者,由于为了再次供给至基板W而回收IPA,因此可以降低IPA的消耗量。
又,在第一实施方式中,并未回收在IPA的供给开始时被供给至基板W的IPA而是予以排出。在IPA的供给开始时被供给至基板W的IPA与冲洗液一起从基板W排出。此时从基板W排出来的液体以较高的含有率包含冲洗液。在IPA的供给开始时被供给至基板W的IPA,并未被回收而是予以排出。因此,可以抑制或防止水分浓度较高的IPA被回收。
又,在第一实施方式中,使被供给至基板W的IPA贮留于中间槽53。然后,在结束IPA对基板W的供给之后,使中间槽53内的IPA供给至第一贮留槽31。在IPA的供给中,当使用后的IPA掺杂在第一贮留槽31内的IPA中时,供给至基板W的IPA的纯度就会降低。因此,在结束IPA对基板W的供给之后,通过将使用后的IPA回收至第一贮留槽31,可以防止供给至基板W的IPA的纯度在IPA的供给中降低。
又,在第一实施方式中,第一贮留槽31内的IPA在由第一贮留槽31及第一循环配管32所形成的循环路径X1中循环。在此期间,IPA能由第一上游脱水单元35反复脱水。再者,第一贮留槽31内的IPA不仅由第一上游脱水单元35所脱水,还由第一下游脱水单元41所脱水,之后,被供给至IPA喷嘴27。因此,可以进而降低供给至基板W的IPA中的水分浓度。
第二实施方式
接着,针对本发明的第二实施方式加以说明。
图6是示出本发明的第二实施方式的基板处理装置1的IPA供给系统及IPA回收系统的示意图。在图6中,关于与图1至图5所示的各部同等的构成部分,附记与图1等相同的参照符号并省略其说明。
在第一实施方式中,使未使用的IPA贮留于第二贮留槽61,相对于此,在第二实施方式中,使回收及脱水后的IPA贮留于第二贮留槽61。
具体而言,第二IPA供给系统包括:形成使第二贮留槽61内的IPA循环的环状循环路径的第二循环配管262,来取代第一实施方式的第二送液配管62。第二泵体63、第二过滤器64、及第二压力调整阀282安装于第二循环配管262。第二压力调整阀282的构成及功能与第一压力调整阀36的构成及功能相同。
第二贮留槽61与用以将从基板W排出来的IPA从第一下游回收配管54导引至第二贮留槽61的第二下游回收配管284连接。当下游回收阀57开启时,中间槽53内的IPA被供给至第一贮留槽31及第二贮留槽61双方。从而,被供给至基板W的IPA能回收至第一贮留槽31及第二贮留槽61双方。
将水分从在第二循环配管262内流动的IPA中去除的第二上游脱水单元281安装于第二循环配管262,将水分从在第二供给配管65内流动的IPA中去除的第二下游脱水单元283安装于第二供给配管65。第二上游脱水单元281及第二下游脱水单元283的构成及功能与第一上游脱水单元35及第一下游脱水单元41的构成及功能相同。
第二贮留槽61内的IPA中的水分浓度比第一贮留槽31内的IPA的水分浓度更低。IPA中的水分浓度依分离膜42的种类、脱水时间、及所回收后的IPA中的水分浓度等的脱水条件而变化。只要第二贮留槽61内的IPA中的水分浓度比第一贮留槽31内的IPA中的水分浓度更低,第二上游脱水单元281的构成及功能,亦可与第一上游脱水单元35不同。
在第二实施方式中,与第一实施方式同样,进行药液供给步骤至干燥步骤这一系列的步骤。在IPA供给步骤中,使第一贮留槽31内的IPA供给至基板W(第一IPA供给步骤),之后,使第二贮留槽61内的IPA供给至基板W(第二IPA供给步骤)。第一贮留槽31内的IPA是指回收及脱水后的IPA,第二贮留槽61内的IPA是指水分浓度比第一贮留槽31内的IPA更低的回收及脱水后的IPA。为此,可以有效率地将水分浓度较低的IPA供给至基板W,且可以降低在供给IPA后残留于基板W的水量。
其他的实施方式
本发明并非被限定于前述的实施方式之内容,而是在本发明的范围内能够进行各种变更。
例如,IPA喷嘴27亦可为形成从IPA喷嘴27的喷出口到基板W的上表面连续的IPA的流动的喷嘴以外的喷嘴。具体而言,IPA喷嘴27,既可为通过使气体(例如,氮气)与液体(IPA)撞击,从而形成撞击于基板W的上表面的多个IPA的液滴的双流体喷嘴(two fluidnozzle),又可为利用压电组件而对IPA施加振动,藉此喷射撞击于基板W的上表面的多个IPA的液滴的喷射喷嘴(inkjet nozzle)。
从IPA喷嘴27喷出的IPA,既可通过特定开口供给至基板W,该特定开口设置于外径比基板W的直径更大的圆板状止水板(cutoff plate)的下表面中央部,又可通过另一特定开口供给至基板W,该另一特定开口设置于在俯视观察下比基板W更小的气体喷出喷嘴的下表面。
止水板能够在待机位置与处理位置之间铅直地移动,该待机位置是指保持基板W的中心机械手CR的机械手(hand)能够进入基板W的上表面与止水板的下表面之间的位置,该处理位置是指止水板的下表面已接近基板W的上表面直至中心机械手CR的机械手无法进入基板W与止水板之间的高度为止的位置。气体喷出喷嘴是指在基板W的上表面中央部的上方喷出呈辐射状的气体,藉此形成用以覆盖基板W的上表面的气流的喷嘴。气体喷出喷嘴能够在处理位置与待机位置之间水平地移动,该处理位置是指在俯视观察下气体喷出喷嘴与基板W重叠的位置,该待机位置是指在俯视观察下气体喷出喷嘴远离基板W的位置。
虽然已针对第一贮留槽31及第二贮留槽61内的IPA从相同的喷嘴(IPA喷嘴27)喷出的情况加以说明,但是亦可从各自的喷嘴喷出。换句话说,亦可设置有:将从第一贮留槽31所供给来的IPA朝向基板喷出的第一IPA喷嘴;以及将从第二贮留槽61所供给来的IPA朝向基板W喷出的第二IPA喷嘴。
虽然已针对将从第一贮留槽31被供给至基板W的IPA、和从第二贮留槽61被供给至基板W的IPA供给至中间槽53的情况加以说明,但是亦可仅将从第一贮留槽31被供给至基板W的IPA供给至中间槽53,或仅将从第二贮留槽61被供给至基板W的IPA供给至中间槽53。
亦可将在IPA的供给开始时被供给至基板W的IPA不排出至排液配管52而是供给至中间槽53。换句话说,亦可从IPA的供给开始时,将从基板W所排出来的IPA供给至中间槽53。
亦可在结束IPA的供给之前,将被供给至中间槽53的IPA回收至第一贮留槽31及第二贮留槽61中的至少一方。又,亦可将从基板W所排出来的IPA不经由中间槽53就回收至第一贮留槽31及第二贮留槽61中的至少一方。
亦可省略第一上游脱水单元35及第一下游脱水单元41中的一方。同样地,亦可省略第二上游脱水单元281及第二下游脱水单元283中的一方。
例如,在第二实施方式中,亦可省略第一上游脱水单元35及第一下游脱水单元41。换句话说,亦可在未被脱水的所回收后的IPA被供给至已附着有冲洗液的基板W之后,使水分浓度较低的回收及脱水后的IPA供给至基板W。在此情况下,与从最初就供给所回收及脱水后的IPA的情况相比,能够有效率地将水分浓度较低的IPA供给至基板W。再者,由于从最初就供给回收后的IPA,因此可以进而降低IPA的消耗量。
又,在第一实施方式中,亦可省略第一上游脱水单元35及第一下游脱水单元41。换句话说,亦可在未被脱水的回收后的IPA被供给至已附着有冲洗液的基板W之后,使未使用的IPA供给至基板W。在此情况下,与从最初就供给未使用的IPA的情况相比,能够有效率地将水分浓度较低的IPA供给至基板W。再者,由于无需第一上游脱水单元35及第一下游脱水单元41,因此可以抑制基板处理装置1的制造成本的增加。
第一上游脱水单元35,既可具备去除IPA中的溶解水的吸收剂,又可具备分离膜44及吸收剂这两者,来取代分离膜44。对于第一下游脱水单元41、第二上游脱水单元281、及第二下游脱水单元283亦为同样。吸收剂的具体例为沸石制的吸收剂。
基板处理装置1,并不限于处理圆板状的基板W的装置,亦可为处理多角形的基板的装置。
亦可组合前述的全部构成的两个以上。亦可组合前述的全部步骤的两个以上。
本申请对应2015年8月18日于日本特许厅提出申请的特愿2015-161294号,本申请的全部揭示是通过引用而编入于此。虽然已针对本发明的实施方式加以详细说明,但是这些只不过是为了使本发明的技术内容更明确所用的具体例,本发明不应被解释为限定于这些具体例,本发明的精神及范围是仅受权利要求的范围限定。
附图标记说明
1 基板处理装置
2 处理单元
3 控制装置
12 旋转夹盘(基板保持单元)
24 冲洗液喷嘴(冲洗液供给单元)
25 冲洗液阀(冲洗液供给单元)
26 冲洗液配管(冲洗液供给单元)
27 IPA喷嘴
28 IPA配管
31 第一贮留槽(贮留槽)
32 第一循环配管(循环配管)
35 第一上游脱水单元(脱水单元、上游脱水单元)
37 第一供给配管(供给配管)
38 第一流量计
39 第一流量调整阀
40 第一喷出阀
41 第一下游脱水单元(脱水单元、下游脱水单元)
42 分离膜
43 脱水外壳
44 浓缩室
45 穿透室
49上游回收阀(回收单元)
50 上游回收配管(回收单元)
51 排液阀(排液单元)
52 排液配管(排液单元)
53 中间槽(回收单元)
54 第一下游回收配管(回收单元)
55 回收过滤器(回收单元)
56 回收泵体(回收单元)
57 下游回收阀(回收单元)
61 第二贮留槽(贮留槽)
62 第二送液配管
65第二供给配管(供给配管)
66 第二流量计
67 第二流量调整阀
68 第二喷出阀
262 第二循环配管(循环配管)
281 第二上游脱水单元(脱水单元、上游脱水单元)
283 第二下游脱水单元(脱水单元、下游脱水单元)
284 第二下游回收配管(回收单元)
W 基板
X1 循环路径
Claims (16)
1.一种基板处理装置,将含有异丙醇的含异丙醇液供给至被保持为水平的基板,包括:
基板保持单元,用于将基板保持为水平,
冲洗液供给单元,用于将含有水的冲洗液供给至由所述基板保持单元保持的基板,
第一异丙醇供给系统,用于将含异丙醇液供给至由所述基板保持单元保持的基板,包括用于贮留要被供给至由所述基板保持单元保持的基板的含异丙醇液的第一贮留槽,
第二异丙醇供给系统,用于将水分浓度比由所述第一异丙醇供给系统供给的含异丙醇液的水分浓度更低的含异丙醇液,供给至由所述基板保持单元保持的基板,
回收单元,用于将被供给至由所述基板保持单元保持的基板的含异丙醇液,回收至所述第一异丙醇供给系统及第二异丙醇供给系统双方或所述第一异丙醇供给系统,包括用于贮留被供给至由所述基板保持单元保持的基板的含异丙醇液的中间槽,所述中间槽连接于所述第一贮留槽,以及
控制装置,用于控制所述冲洗液供给单元、所述第一异丙醇供给系统、所述第二异丙醇供给系统、及所述回收单元;
所述控制装置执行如下步骤:
冲洗液供给步骤,用于使所述冲洗液供给单元将冲洗液供给至所述基板,
第一异丙醇供给步骤,在所述冲洗液供给步骤之后,使所述第一异丙醇供给系统将含异丙醇液供给至附着有冲洗液的所述基板,
第二异丙醇供给步骤,在所述第一异丙醇供给步骤之后,使所述第二异丙醇供给系统将含异丙醇液供给至所述基板,以及
回收步骤,用于使所述回收单元回收在所述第一异丙醇供给步骤及所述第二异丙醇供给步骤中的至少一方被供给至所述基板的含异丙醇液;
所述回收步骤包括:
贮留步骤,用于将在所述第一异丙醇供给步骤及所述第二异丙醇供给步骤中的至少一方被供给至所述基板的含异丙醇液贮留于所述中间槽,以及
供给步骤,在所述第一异丙醇供给步骤及所述第二异丙醇供给步骤之后,将所述中间槽内的含异丙醇液供给至所述第一贮留槽。
2.如权利要求1所记载的基板处理装置,其中,
所述基板处理装置还包括:
排液单元,用于将被供给至由所述基板保持单元保持的基板的含异丙醇液,在被回收至所述第一异丙醇供给系统及第二异丙醇供给系统双方或所述第一异丙醇供给系统之前,从所述回收单元排出;
所述控制装置还执行:
排液步骤,在所述回收步骤之前,使所述排液单元排出在所述第一异丙醇供给步骤被供给至所述基板的含异丙醇液。
3.如权利要求1或2所记载的基板处理装置,其中,
所述第一异丙醇供给系统将由所述回收单元回收后的尚未被脱水的含异丙醇液,供给至由所述基板保持单元保持的基板;
所述第二异丙醇供给系统将水分浓度比由所述第一异丙醇供给系统供给的含异丙醇液的水分浓度更低的未使用的含异丙醇液,供给至由所述基板保持单元保持的基板。
4.一种基板处理装置,将含有异丙醇的含异丙醇液供给至被保持为水平的基板,包括:
基板保持单元,用于将基板保持为水平,
冲洗液供给单元,用于将含有水的冲洗液供给至由所述基板保持单元保持的基板,
第一异丙醇供给系统,用于将含异丙醇液供给至由所述基板保持单元保持的基板,
第二异丙醇供给系统,用于将水分浓度比由所述第一异丙醇供给系统供给的含异丙醇液的水分浓度更低的含异丙醇液,供给至由所述基板保持单元保持的基板,
回收单元,用于将被供给至由所述基板保持单元保持的基板的含异丙醇液,回收至所述第一异丙醇供给系统及第二异丙醇供给系统双方或所述第一异丙醇供给系统,
脱水单元,用于从由所述回收单元回收后的含异丙醇液中去除水分,以及
控制装置,用于控制所述冲洗液供给单元、所述第一异丙醇供给系统、所述第二异丙醇供给系统、及所述回收单元;
所述控制装置执行如下步骤:
冲洗液供给步骤,用于使所述冲洗液供给单元将冲洗液供给至所述基板,
第一异丙醇供给步骤,在所述冲洗液供给步骤之后,使所述第一异丙醇供给系统将含异丙醇液供给至附着有冲洗液的所述基板,
第二异丙醇供给步骤,在所述第一异丙醇供给步骤之后,使所述第二异丙醇供给系统将含异丙醇液供给至所述基板,以及
回收步骤,用于使所述回收单元回收在所述第一异丙醇供给步骤及所述第二异丙醇供给步骤中的至少一方被供给至所述基板的含异丙醇液。
5.如权利要求4所记载的基板处理装置,其中,
所述第一异丙醇供给系统及第二异丙醇供给系统中的至少一方包括:
异丙醇喷嘴,用于朝向由所述基板保持单元保持的基板喷出含异丙醇液,
贮留槽,用于贮留要被供给至所述异丙醇喷嘴的含异丙醇液,
循环配管,用于形成使所述贮留槽内的含异丙醇液循环的环状的循环路径,以及
供给配管,用于将含异丙醇液从所述循环配管导引至所述异丙醇喷嘴;
所述脱水单元包括:
被配置于所述循环配管的上游脱水单元,以及
被配置于所述供给配管的下游脱水单元。
6.如权利要求4或5所记载的基板处理装置,其中,
所述第一异丙醇供给系统将由所述脱水单元脱水后的含异丙醇液供给至由所述基板保持单元保持的基板;
所述第二异丙醇供给系统将水分浓度比由所述第一异丙醇供给系统供给的含异丙醇液的水分浓度更低的未使用的含异丙醇液,供给至由所述基板保持单元保持的基板。
7.如权利要求4或5所记载的基板处理装置,其中,
所述第一异丙醇供给系统将由所述脱水单元脱水后的含异丙醇液供给至由所述基板保持单元保持的基板;
所述第二异丙醇供给系统将由所述脱水单元脱水且水分浓度比由所述第一异丙醇供给系统供给的含异丙醇液的水分浓度更低的含异丙醇液,供给至由所述基板保持单元保持的基板。
8.如权利要求4或5所记载的基板处理装置,其中,
所述第一异丙醇供给系统将由所述回收单元回收后的尚未被脱水的含异丙醇液,供给至由所述基板保持单元保持的基板;
所述第二异丙醇供给系统将由所述脱水单元脱水且水分浓度比由所述第一异丙醇供给系统供给的含异丙醇液的水分浓度更低的含异丙醇液,供给至由所述基板保持单元保持的基板。
9.一种基板处理方法,将包含异丙醇的含异丙醇液供给至被保持为水平的基板,包括:
冲洗液供给步骤,将含有水的冲洗液供给至所述基板;
第一异丙醇供给步骤,在所述冲洗液供给步骤之后,将含异丙醇液供给至附着有冲洗液的所述基板;
第二异丙醇供给步骤,在所述第一异丙醇供给步骤之后,将水分浓度比在所述第一异丙醇供给步骤被供给的含异丙醇液的水分浓度更低的含异丙醇液,供给至所述基板;以及
回收步骤,回收在所述第一异丙醇供给步骤及所述第二异丙醇供给步骤中的至少一方被供给至所述基板的含异丙醇液,
所述回收步骤包括:
贮留步骤,将在所述第一异丙醇供给步骤及所述第二异丙醇供给步骤中的至少一方被供给至所述基板的含异丙醇液贮留于中间槽;以及
供给步骤,在所述第一异丙醇供给步骤及所述第二异丙醇供给步骤之后,将所述中间槽内的含异丙醇液供给至用于贮留要在所述第一异丙醇供给步骤被供给的含异丙醇液的第一贮留槽。
10.如权利要求9所记载的基板处理方法,其中,还包括:
排液步骤,在所述回收步骤之前,将在所述第一异丙醇供给步骤被供给至所述基板的含异丙醇液不予以回收而排出。
11.如权利要求9或10所记载的基板处理方法,其中,
在所述第一异丙醇供给步骤中,将未被脱水的被回收后的含异丙醇液供给至所述基板;
在所述第二异丙醇供给步骤中,将水分浓度比在所述第一异丙醇供给步骤所供给的含异丙醇液的水分浓度更低的未使用的含异丙醇液供给至所述基板。
12.一种基板处理方法,将包含异丙醇的含异丙醇液供给至被保持为水平的基板,包括:
冲洗液供给步骤,将含有水的冲洗液供给至所述基板;
第一异丙醇供给步骤,在所述冲洗液供给步骤之后,将含异丙醇液供给至附着有冲洗液的所述基板;
第二异丙醇供给步骤,在所述第一异丙醇供给步骤之后,将水分浓度比在所述第一异丙醇供给步骤被供给的含异丙醇液的水分浓度更低的含异丙醇液,供给至所述基板;
回收步骤,回收在所述第一异丙醇供给步骤及所述第二异丙醇供给步骤中的至少一方被供给至所述基板的含异丙醇液;以及
脱水步骤,从在所述回收步骤被回收后的含异丙醇液中去除水分。
13.如权利要求12所记载的基板处理方法,其中,
所述脱水步骤包括:
上游脱水步骤,在形成使含异丙醇液循环的环状的循环路径的循环配管,从含异丙醇液中去除水分;以及
下游脱水步骤,在供给配管从含异丙醇液中去除水分,所述供给配管用于将含异丙醇液从所述循环配管导引至朝向所述基板喷出含异丙醇液的异丙醇喷嘴。
14.如权利要求12或13所记载的基板处理方法,其中,
在所述第一异丙醇供给步骤中,将被回收及脱水后的含异丙醇液供给至所述基板;
在所述第二异丙醇供给步骤中,将水分浓度比在所述第一异丙醇供给步骤所供给的含异丙醇液的水分浓度更低的未使用的含异丙醇液供给至所述基板。
15.如权利要求12或13所记载的基板处理方法,其中,
在所述第一异丙醇供给步骤中,将被回收及脱水后的含异丙醇液供给至所述基板;
在所述第二异丙醇供给步骤中,将水分浓度比在所述第一异丙醇供给步骤所供给的含异丙醇液的水分浓度更低的被回收及脱水后的含异丙醇液供给至所述基板。
16.如权利要求12或13所记载的基板处理方法,其中,
在所述第一异丙醇供给步骤中,将未被脱水的被回收后的含异丙醇液供给至所述基板;
在所述第二异丙醇供给步骤中,将水分浓度比在所述第一异丙醇供给步骤所供给的含异丙醇液的水分浓度更低的被回收及脱水后的含异丙醇液供给至所述基板。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015-161294 | 2015-08-18 | ||
JP2015161294A JP6497587B2 (ja) | 2015-08-18 | 2015-08-18 | 基板処理装置および基板処理方法 |
PCT/JP2016/062655 WO2017029838A1 (ja) | 2015-08-18 | 2016-04-21 | 基板処理装置および基板処理方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN107851567A CN107851567A (zh) | 2018-03-27 |
CN107851567B true CN107851567B (zh) | 2021-12-21 |
Family
ID=58051706
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201680041041.2A Active CN107851567B (zh) | 2015-08-18 | 2016-04-21 | 基板处理装置及基板处理方法 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10903091B2 (zh) |
JP (1) | JP6497587B2 (zh) |
KR (1) | KR102101105B1 (zh) |
CN (1) | CN107851567B (zh) |
TW (1) | TWI592999B (zh) |
WO (1) | WO2017029838A1 (zh) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6875811B2 (ja) * | 2016-09-16 | 2021-05-26 | 株式会社Screenホールディングス | パターン倒壊回復方法、基板処理方法および基板処理装置 |
JP7096112B2 (ja) * | 2018-09-13 | 2022-07-05 | キオクシア株式会社 | 半導体製造装置および半導体装置の製造方法 |
CN110566814A (zh) * | 2019-09-25 | 2019-12-13 | 常州捷佳创精密机械有限公司 | 管道阀箱及槽式湿法处理设备 |
JP7321052B2 (ja) * | 2019-10-17 | 2023-08-04 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置および装置洗浄方法 |
JP7560354B2 (ja) | 2020-12-28 | 2024-10-02 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置および基板処理方法 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009110985A (ja) * | 2007-10-26 | 2009-05-21 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理方法および基板処理装置 |
JP2010192566A (ja) * | 2009-02-17 | 2010-09-02 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置及び溶剤再生方法 |
CN104136406A (zh) * | 2012-02-23 | 2014-11-05 | 奥加诺株式会社 | 醇中的溶解氧去除装置及方法、醇供给装置及清洗液供给装置 |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4788043A (en) * | 1985-04-17 | 1988-11-29 | Tokuyama Soda Kabushiki Kaisha | Process for washing semiconductor substrate with organic solvent |
US5243768A (en) | 1991-02-18 | 1993-09-14 | Mitsubishi Kasei Corporation | Vapor drier |
JPH0590240A (ja) | 1991-02-18 | 1993-04-09 | Mitsubishi Kasei Corp | 蒸気乾燥装置 |
JP4678665B2 (ja) | 2001-11-15 | 2011-04-27 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法および基板処理装置 |
JP4545083B2 (ja) | 2005-11-08 | 2010-09-15 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理装置 |
KR101592058B1 (ko) | 2010-06-03 | 2016-02-05 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 기판 액처리 장치 |
JP5642574B2 (ja) | 2011-01-25 | 2014-12-17 | 東京エレクトロン株式会社 | 液処理装置および液処理方法 |
-
2015
- 2015-08-18 JP JP2015161294A patent/JP6497587B2/ja active Active
-
2016
- 2016-04-21 US US15/743,967 patent/US10903091B2/en active Active
- 2016-04-21 KR KR1020187002759A patent/KR102101105B1/ko active IP Right Grant
- 2016-04-21 WO PCT/JP2016/062655 patent/WO2017029838A1/ja active Application Filing
- 2016-04-21 CN CN201680041041.2A patent/CN107851567B/zh active Active
- 2016-05-13 TW TW105114880A patent/TWI592999B/zh active
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009110985A (ja) * | 2007-10-26 | 2009-05-21 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理方法および基板処理装置 |
JP2010192566A (ja) * | 2009-02-17 | 2010-09-02 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置及び溶剤再生方法 |
CN104136406A (zh) * | 2012-02-23 | 2014-11-05 | 奥加诺株式会社 | 醇中的溶解氧去除装置及方法、醇供给装置及清洗液供给装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR102101105B1 (ko) | 2020-04-14 |
WO2017029838A1 (ja) | 2017-02-23 |
US10903091B2 (en) | 2021-01-26 |
TWI592999B (zh) | 2017-07-21 |
CN107851567A (zh) | 2018-03-27 |
KR20180021183A (ko) | 2018-02-28 |
JP2017041505A (ja) | 2017-02-23 |
US20180197756A1 (en) | 2018-07-12 |
TW201709297A (zh) | 2017-03-01 |
JP6497587B2 (ja) | 2019-04-10 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN107851567B (zh) | 基板处理装置及基板处理方法 | |
US11935763B2 (en) | Substrate processing device | |
US10504718B2 (en) | Substrate processing apparatus, substrate processing method, and storage medium | |
CN108022861B (zh) | 基板处理装置、基板处理方法以及存储介质 | |
US20180138058A1 (en) | Substrate processing apparatus, substrate processing method, and storage medium | |
KR20210042380A (ko) | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 | |
KR102297377B1 (ko) | 기판 처리 장치 | |
US20170117137A1 (en) | Dissolved ozone removal unit, apparatus for treating substrate, method of removing dissolved ozone, and method of cleaning substrate | |
TWI797826B (zh) | 處理液循環方法及基板處理方法 | |
KR20140112299A (ko) | 기판처리장치 | |
TWI776077B (zh) | 基板處理方法及基板處理裝置 | |
JP6228800B2 (ja) | 基板処理装置 | |
JP6538927B2 (ja) | 基板処理装置 | |
KR20120015660A (ko) | 노즐 유닛 | |
KR101553365B1 (ko) | 기판 처리 장치 및 약액 재생 방법 | |
TWI791956B (zh) | 基板處理裝置以及基板處理方法 | |
JP2010080668A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
KR20230080839A (ko) | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |