JP2000117636A - 研磨方法及び研磨システム - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 研磨スラリーを再利用した場合にも研磨レー
トの低下を防ぎ、安定且つ効率の良い研磨作業を行うこ
と。 【解決手段】 酸化剤が添加された研磨スラリーを低温
状態で貯留するとともに、使用直前に所定温度まで加熱
する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、研磨スラリーを用
いて半導体ウエハー等の被研磨材を研磨する研磨方法及
び研磨技術に関する。特に、過酸化水素を添加した研磨
スラリーを用いるとともに、当該研磨スラリーを再生利
用しつつ研磨作業を行う研磨方法及び研磨システムの改
良に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、あらゆる装置、部品の高精度化及
び微細化に伴い、研磨技術の更なる高精度化が求められ
ている。特に、半導体製造プロセスの分野においては、
半導体デバイスの高集積化に伴い、半導体ウエハの表面
を今まで以上に高精度に平坦化することが要求されてき
ている。ウエハ表面を平坦化する装置として、現在では
ＣＭＰ装置（化学機械的研磨装置）が広く使用されてい
る。ＣＭＰ装置においては、回転する研磨パッドと半導
体ウエハの間に研磨スラリーを供給しつつ研磨を行う。

【０００３】半導体ウエハ上に形成された金属膜（タン
グステン、アルミニウム、銅）を研磨する際には、研磨
スラリーに酸化剤を添加するのが一般的である。酸化剤
としては、不純物を含まず、酸化力が強いことが望まし
く、そのため、過酸化水素が多く用いられる。

【０００４】研磨スラリーは高価であるため、使用済み
の研磨スラリーを再生利用する方法が既に提案されてい
る。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】従来の研磨システムに
おいて、研磨スラリーを再生利用した場合、被研磨材の
研磨レートが時間と共に低下するという問題があった。
ＣＭＰ装置においては、研磨レートの安定化は最も重要
な性能の１つであり、上記問題の解決が必須である。ま
た、研磨レートの安定化と共に、研磨レートを高く維持
することは、作業効率の向上のために重要である。

【０００６】本発明は上記のような状況に鑑みてなされ
たものであり、研磨スラリーを再利用した場合にも研磨
レートの低下を最小限に抑え、安定且つ効率の良い研磨
作業に寄与する研磨方法を提供することを目的とする。

【０００７】本発明の他の目的は、研磨スラリーを再利
用した場合にも研磨レートの低下を最小限に抑え、安定
且つ効率の良い研磨作業に寄与する研磨システムを提供
することにある。

【０００８】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明の第１の態様にかかる研磨方法においては、
酸化剤が添加された研磨スラリーを低温状態で貯留する
とともに、使用直前に所定温度まで加熱する。

【０００９】本発明の第２の態様に係る研磨システム
は、酸化剤が添加された研磨スラリーを貯留するスラリ
ー供給タンク（１８）と；スラリー供給タンク（１８）
内の研磨スラリーを低温状態に維持する冷却手段（３
０）と；低温状態に貯留された研磨スラリーを、研磨装
置（１２）に供給する直前に所定温度まで加熱する加熱
手段（３２）と；使用済みの研磨スラリーを再生し、再
生後の研磨スラリーをスラリー供給タンク（１８）に供
給する再生手段（２０）とを備えている。

【００１０】本発明によれば、研磨スラリーを低温状態
で貯留しているため、研磨スラリー中の酸化剤の自己分
解が抑制（自己分解速度が低下）され、酸化剤の濃度低
下を抑えることができる。これにより、研磨レートの低
下が最小限に抑えられ、研磨レートの均一性を向上させ
ることが出来る。また、研磨スラリーを使用直前に所定
温度まで加熱することにより、高い研磨レートで研磨を
行うことが可能となる。

【００１１】上述のような本発明において、使用済みの
研磨スラリーに含まれる金属イオンの濃度を測定し、当
該測定の結果、金属イオン濃度が所定のしきい値以上の
時に、使用済みの研磨スラリーを再生利用せずに廃棄す
ることが望ましい。研磨作業を継続していく間に、研磨
スラリー中の金属イオン（タングステン等）の濃度が上
昇する。研磨スラリー中の金属イオンの濃度が高くなる
と、酸化剤の濃度が低下してしまう。そこで、所定量以
上の金属イオンが研磨スラリー中に存在すると判明され
たときに、当該スラリーを再利用せずに廃棄し、新規な
スラリーを用いるようにすれば、研磨レートの著しい低
下を防止することが出来る。

【００１２】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て実施例を用いて説明する。以下に示す実施例は、半導
体ウエハ上の金属膜（タングステン）を研磨するＣＭＰ
システムに本発明の技術的思想を適用したものである。
なお、本発明は、半導体ウエハの研磨以外にも、磁気デ
ィスクやガラス基板等の種々のタイプの試料の研磨に適
用できることは言うまでもない。

【００１３】

【実施例】図１は、本発明の第１の実施例に係るＣＭＰ
システムの全体構成を示す。ＣＭＰシステム１０は、Ｃ
ＭＰ装置本体１２と、当該装置１２に研磨スラリーを供
給する構成（１４〜１８他）と、使用済みスラリーの再
生に寄与する構成（２０他）と、廃棄ユニット２４とを
備えている。ＣＭＰ装置本体１２は、半導体ウエハの表
面を研磨パッドを用いて研磨する。研磨作業中は、研磨
パッドと半導体ウエハの間に研磨スラリーが供給され
る。

【００１４】符号１６は、スラリーを貯留する混合タン
クとそのタンク中のスラリーを送り出すためのポンプを
具備するスラリー混合ユニットであり、スラリー原液供
給ユニット１４から供給されるスラリー原液を所定の割
合で純水等の希釈液、過酸化水素（Ｈ_２Ｏ_２）と混合す
る。スラリー混合ユニット１６から供給された新規な研
磨スラリーは、スラリー供給ユニット（スラリー供給タ
ンク）１８に送り込まれる。

【００１５】一方、ＣＭＰ装置本体１２から排出される
使用済みスラリーは、廃棄ユニット２４及びリターンユ
ニット（再生ユニット）２０に供給される。廃棄ユニッ
ト２４に供給されるスラリーは、ＣＭＰ装置本体１２を
純水にて洗浄した直後の排出スラリー等、適正濃度にな
いスラリーであり、再生利用されることなく廃棄され
る。他方、リターンユニット２０に供給されるスラリー
は、適正濃度にあるスラリーであり、当該リターンユニ
ット２０において濾過再生処理が行われた後に、スラリ
ー供給ユニット１８に戻される。

【００１６】リターンユニット２０は、回収タンクとそ
のタンク内のスラリーを送り出すためのポンプを具備す
る。図２は、回収タンク２０１の内部構造を示す。回収
タンク２０１内には、フィルター３５を有するフィルタ
ーカートリッジ６４が配置される。フィルターカートリ
ッジ６４は、フィルター３５を保持するカートリッジ本
体６６と、本体６６を回収タンク２０１内にセットし、
更には取り出し易いように設けられたハンドル７２とを
備えている。

【００１７】回収タンク２０１は、第１フィルター槽７
４と、第２フィルター槽７６とから構成されている。第
１フィルター槽７４には、使用済みスラリーが配管２９
を介して供給される。第２フィルター槽７６は、フィル
ター３５により濾過された後のスラリーを貯留する。第
２フィルター槽７６は、配管２１を介してスラリー供給
ユニット１８に連結されている。

【００１８】回収タンク２０１内には、２つのセンサ３
８、４０が設置されている。センサ３８は、フロート式
の下限センサであり、この下限センサ３８によってスラ
リーの表面位置を検出したときに、ポンプ（図示せず）
によるスラリーの排出（吸い上げ）を停止するようにな
っている。センサ４０は、フロート式の上限センサであ
り、第２フィルター槽７６内のスラリーのレベルが汲み
上げ開始位置に達したことを検出する。

【００１９】スラリー供給ユニット１８は、図３に示す
ように、スラリー供給タンク１８１と、そのタンク内の
スラリーを送り出すためのポンプ１８２を具備し、スラ
リー混合ユニット１６から供給される新規な研磨スラリ
ーと、リターンユニット２０から供給される再生スラリ
ーとを混合してフィルターユニット２２に供給するよう
になっている。また、スラリー供給ユニット１８は、タ
ンク内のスラリーを攪拌するための攪拌手段１８３を備
えることが好ましい。スラリー供給ユニット１８には、
スラリー供給タンク１８１中の研磨スラリーを冷却する
冷却装置３０が連結されている。この冷却装置３０は、
スラリー供給タンク１８１中の研磨スラリーの温度を氷
結しない低温に保つように作用する。研磨スラリーの貯
留温度としては、例えば、１０℃前後に設定する。スラ
リー供給タンク１８１の冷却方法としては、例えば、チ
ラー（図示せず）から供給される冷水をスラリー供給タ
ンク１８１の外周に配置されたホース１８ｂ中を循環さ
せる方法がある。スラリー供給タンク１８１には、ま
た、温度計１８ａが接続されており、当該タンク中の研
磨スラリーの温度を常時モニターしている。

【００２０】図４は、スラリー供給タンク１８１中の研
磨スラリーの温度を１０℃、２０℃、３０℃とした場合
の過酸化水素濃度の変化を示す。図から解るように、研
磨スラリーを低温状態で貯留することにより、研磨スラ
リー中の過酸化水素の自己分解が抑制（自己分解速度が
低下）され、過酸化水素の濃度低下率を緩やかにするこ
とができる。

【００２１】図５は、研磨スラリー中の過酸化水素濃度
とウエハの研磨レートとの関係を示す。図に示すよう
に、過酸化水素の濃度が低下すると、これに伴って研磨
レートも低下する。このため、研磨スラリー中の過酸化
水素の濃度低下を抑えることにより、研磨レートの低下
を最小限に抑えることができる。その結果、研磨スラリ
ーを再利用した場合においても、研磨レートの安定化を
図ることが可能となる。

【００２２】フィルターユニット２２は、ＣＭＰ装置本
体１２に供給される直前の研磨スラリーを濾過し、スラ
リーの２次成長砥粒や、異常成長砥粒を除去する。フィ
ルターユニット２２を通過した研磨スラリーは、加熱装
置３２によって所定温度まで加熱される。図６は、ＣＭ
Ｐ装置本体１２に供給される研磨スラリーの温度と研磨
レートとの関係を示す。図に示すように、研磨スラリー
の温度が高いほど研磨レートが高くなる。このため、研
磨スラリーを使用直前に所定温度まで加熱することによ
り、高い研磨レートで研磨を行うことが可能となる。

【００２３】加熱装置３２とフィルターユニット２２と
の間には、バルブ２６が設けられており、加熱装置で約
３０℃に加熱された研磨スラリーをＣＭＰ装置本体１２
とリターンユニット２０との一方にのみ導くようになっ
ている。すなわち、研磨スラリーの流路を、ＣＭＰ装置
本体１２側とリターンユニット２０側との間で任意に切
り替えられるように構成されている。ＣＭＰ装置本体１
２には、また、バルブ２７を介して洗浄用の純水が供給
されるようになっている。符号２６ａは、バルブ２６と
リターンユニット２０を連結するバイパス配管を示す。

【００２４】ＣＭＰ装置本体１２と、リターンユニット
２０との間にはバルブ２８ａが、廃棄ユニット２４との
間にはバルブ２８ｂが各々設けられている。これら２つ
のバルブ２８ａ、２８ｂを選択的に開閉制御することに
よって、ＣＭＰ装置本体１２から排出される液（スラリ
ー、純水）の流路を、リターンユニット２０側と廃棄ユ
ニット２４側との間で切り替えるようになっている。そ
して、リターンユニット２０に供給されたスラリーは、
再生利用のためにシステム内を循環する。また、廃棄ユ
ニット２４に供給されるスラリー及び純水は、所定のタ
イミングで廃棄される。

【００２５】リターンユニット２０には、使用済み研磨
スラリー中のタングステン濃度を計測する濃度計３４が
設けられている。図７は、研磨スラリー中の過酸化水素
の濃度変化を、タングステン濃度別（タングステン＝０
と１２４０ｐｐｍ）に示す。図より明らかなように、研
磨スラリー中のタングステン濃度が高いと、研磨作業を
継続している間に、研磨スラリー中の過酸化水素が早く
減少してしまう。

【００２６】本実施例においては、使用済みの研磨スラ
リーに含まれるタングステンの濃度を測定し、当該測定
の結果、タングステン濃度が所定のしきい値以上の時
に、使用済みの研磨スラリーを再生利用せずに廃棄す
る。このように、所定量以上のタングステンが研磨スラ
リー中に存在すると判定されたときに、当該スラリーを
再利用せずに廃棄し、新規なスラリーを用いるようにす
れば、研磨レートの著しい低下を防止することが出来
る。

【００２７】なお、タングステン以外の金属膜の研磨を
行う場合には、その金属イオンの濃度を測定することは
言うまでもない。

【００２８】図８は、図１に示した本実施例のＣＭＰシ
ステム１０の制御系のうち、研磨スラリーの循環、廃棄
に関する部分の構成を示す。ＣＭＰシステム１０はコン
トローラ１７０によって統括的に制御されている。コン
トローラ１７０は、スラリーの流路制御に関しては、タ
イマー１７２からの信号、ＣＭＰ装置本体１２からの信
号及びＷ濃度計３４からの信号に基づいて、バルブ２０
ａ、２６、２７、２８ａ、２８ｂを開閉制御するように
なっている。コントローラ１７０は、また、温度計１８
ａからの信号に基づいて冷却装置３０を制御する。

【００２９】次に、本実施例のＣＭＰシステム１０の動
作について説明する。まず、ＣＭＰ装置本体１２におい
て研磨作業を開始するに先立ち、被研磨部材である半導
体ウエハをＣＭＰ装置本体１２にロードする。この時、
研磨スラリーがＣＭＰ装置本体１２をバイバスしてリタ
ーンユニット２０に供給されるように、コントローラ１
７０によってバルブ２６が制御されている。コントロー
ラ１７０は、また、バルブ２８ａを閉鎖すると共に、バ
ルブ２８ｂを開放することにより、ＣＭＰ装置本体１２
から排出される流体を廃棄ユニット２４に導く制御を行
う。

【００３０】ウエハのロードが完了して、ＣＭＰ装置本
体１２において研磨作業が開始されると、コントローラ
１７０は、バルブ２７を閉鎖すると同時に、バルブ２６
を制御してフィルターユニット２２から供給される研磨
スラリーをＣＭＰ装置本体１２に導く。フィルターユニ
ット２２を通過した研磨スラリーは、加熱装置３２によ
って所定の温度（３０℃程度）まで加熱された後に、Ｃ
ＭＰ装置本体１２に供給される。

【００３１】コントローラ１７０は、タイマー１７２か
らの信号に基づき、研磨作業開始から一定時間経過する
までの間は、バルブ２８ｂが開放、バルブ２８ａが閉鎖
という状態を維持する。この時間は、ＣＭＰ装置本体１
２の洗浄等に用いられた純水と研磨スラリーとの両方
が、ＣＭＰ装置本体１２から排出される。この間、ＣＭ
Ｐ装置本体１２に供給される研磨スラリーは、再生利用
されずに廃棄される。

【００３２】コントローラ１７０は、研磨作業開始から
一定の時間が経過すると、バルブ２８ａを開放し、バル
ブ２８ｂを閉鎖することにより、ＣＭＰ装置本体１２か
ら排出される使用済みスラリーをリターンユニット２０
に導く。

【００３３】リターンユニット２０では、Ｗ濃度計３４
によって使用済み研磨スラリー中のタングステン濃度を
計測する。測定の結果、タングステン濃度が所定のしき
い値以下の場合には、研磨スラリーを濾過した後にスラ
リー供給ユニット１８に送り込む。一方、タングステン
濃度が所定のしきい値以上の場合には、使用済みの研磨
スラリーを再生利用せずに廃棄する。すなわち、コント
ローラ１７０の制御によって、バルブ２０ａを開放する
ことにより、使用済み研磨スラリーを廃棄する。

【００３４】スラリー供給ユニット１８に供給された使
用済み研磨スラリーは、スラリー混合ユニット１６から
供給される新規なスラリーと混合されると共に、冷却装
置３０によって温度調整が行われる。すなわち、冷却装
置３０はスラリー供給ユニット１８中に貯留された研磨
スラリーを低温（１０℃程度）に保つ。

【００３５】ＣＭＰ装置本体１２における研磨作業が終
了すると、コントローラ１７０は、バルブ２６を制御し
て、フィルターユニット２２から供給されるスラリーが
ＣＭＰ装置本体１２をバイバスしてリターンユニット２
０に導かれるようにする。その後、コントローラ１７０
は、研磨済みウエハ及びＣＭＰ装置本体１２の洗浄のた
めに、バルブ２７を開放すると同時に、バルブ２８ａを
閉鎖し、バルブ２８ｂを開放する。これにより、ＣＭＰ
装置本体１２には純水が流れ込み、洗浄等に利用された
純水は、そのまま廃棄ユニット２４に導かれて廃棄され
る。純水により研磨済みウエハの表面に残っているスラ
リーは洗い流され、その後ウエハはアンロードされる。
研磨作業終了から一定時間は、ＣＭＰ装置本体１２から
純水と共に残留スラリーが排出される。

【００３６】上記のように研磨作業開始から、研磨スラ
リーを再利用する間での時間、すなわち、バルブ２８ａ
を開放するまでの時間とは、研磨スラリーが再利用でき
る程度の十分な濃度を回復するまでの時間である。この
時間は、例えば、実際に製品ウエハの処理を行う前に、
ダミーウエハを用いて製品ウエハの処理と同条件で試運
転を行い、その試運転中に研磨装置から排出されるスラ
リーの濃度を観察し、その観察結果に基づいて設定する
ことができる。また、実際にＣＭＰ装置本体１２から排
出されるスラリーの濃度をセンサによって測定し、その
測定結果に基づいてバルブの開閉制御を行うようにして
も良い。

【００３７】この研磨開始から研磨スラリーを再利用す
るまでの時間に排出される研磨スラリー、及び研磨終了
後に研磨装置及び流路に残された研磨スラリーは、再利
用されることなく廃棄されるので、ロス（無駄）とな
る。このロス分を補うべくスラリー混合ユニット１６か
らスラリー供給ユニット１８へ新規な研磨スラリーが供
給される。発明者らが実験的に行った研磨処理では、３
０％程度の研磨スラリーがロスとなり（再利用されずに
廃棄され）、７０％程度がリターンユニットを介して再
利用され、ロス分の３０％程度をスラリー混合ユニット
から補充するような運転状況となった。

【００３８】図９は、スラリー供給ユニット１８での冷
却温度を１０℃とし、加熱装置３２による加熱温度を３
０℃とした場合の、研磨作業時間に対する研磨レートの
変化を示す。また、図１０は、スラリー供給ユニット１
８での温度を２５℃とし、加熱装置３２による加熱温度
を３０℃とした場合の、研磨作業時間に対する研磨レー
トの変化をす。

【００３９】図９及び図１０から解るように、貯留して
いる研磨スラリーを低温に保った方が、研磨レートの低
下率が緩やかになる。これは、上述したように、研磨ス
ラリーを低温状態で貯留することにより、研磨スラリー
中の過酸化水素の自己分解が抑制（自己分解速度が低
下）され、過酸化水素の濃度低下を抑えることができる
ためである。研磨スラリー中の過酸化水素の濃度低下を
抑えることにより、研磨レートの低下を最小限に抑える
ことができ、研磨スラリーを再利用した場合において
も、研磨レートの安定化を図ることが可能となる。

【００４０】図１１は、本実施例によって、研磨スラリ
ー中のタングステン濃度を管理した場合の研磨レートの
変化を示す。すなわち、研磨スラリー中のタングステン
濃度が所定のしきい値以上になった場合には廃棄すると
いう管理を行った場合のウエハ研磨レートの変化を示
す。また、図１２は、研磨スラリー中のタングステン濃
度を管理しない場合の研磨レートの変化を示し、比較例
として使用される。図１１及び図１２から解るように、
本実施例のようにタングステン濃度の管理を行った場合
の方が、研磨レートの低下率が緩やかになる。

【００４１】図１３は、本発明の第２の実施例に係るＣ
ＭＰシステム４０の全体構成を示す。なお、本実施例に
おいて、上記第１の実施例と同一又は対応する構成要素
については同一の符号を付し、重複した説明は省略す
る。第１の実施例と第２の実施例の違いは、タングステ
ン（金属イオン）の濃度を測定する濃度計の設置位置に
ある。すなわち、第２の実施例においては、Ｗ濃度計４
２をＣＭＰ装置本体１２の排出口の直下に連結してい
る。そして、Ｗ濃度計４２による測定の結果、タングス
テンが所定のしきい値以上の場合には、使用済みの研磨
スラリーをバルブ２８ｂを介して廃棄ユニット２４にそ
のまま排出する。

【００４２】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
研磨スラリーを低温状態で貯留しているため、研磨スラ
リー中の酸化剤の自己分解が抑制（自己分解速度が低
下）され、酸化剤の濃度低下を抑えることができる。こ
れにより、研磨レートの低下が最小限に抑えられ、研磨
レートの均一性を向上させることが出来る。また、研磨
スラリーを使用直前に所定温度まで加熱することによ
り、高い研磨レートで研磨を行うことが可能となる。

【００４３】更に、使用済みの研磨スラリーに含まれる
金属イオンの濃度を測定し、当該測定の結果、金属イオ
ン濃度が所定のしきい値以上の時に、使用済みの研磨ス
ラリーを再生利用せずに廃棄することにより、研磨レー
トの著しい低下を防止することが出来る。

【図面の簡単な説明】

【図１】図１は、本発明の第１の実施例にかかるＣＭＰ
システムの全体構成を示す概略ブロック図である。

【図２】図２は、実施例に係るＣＭＰシステムの要部
（リターンユニットの回収タンク）の構造を示す断面図
である。

【図３】図３は、実施例に係るＣＭＰシステムの要部
（スラリー供給ユニット）の構造を示す断面図である。

【図４】図４は、本発明の原理を説明するために使用さ
れるグラフであり、異なる温度の研磨スラリーに対する
過酸化水素濃度の変化を示す。

【図５】図５は、本発明の原理を説明するために使用さ
れるグラフであり、研磨スラリー中の過酸化水素濃度に
対する研磨レートの変化を示す。

【図６】図６は、本発明の原理を説明するために使用さ
れるグラフであり、研磨スラリーの温度に対する研磨レ
ートの変化を示す。

【図７】図７は、本発明の原理を説明するために使用さ
れるグラフであり、研磨スラリー中の過酸化水素濃度の
変化を示す。

【図８】図８は、第１の実施例に係るＣＭＰシステムの
制御系の構成を示すブロック図である。

【図９】図９は、第１の実施例の作用を示すグラフであ
り、研磨作業時間に対する研磨レートの変化を示す。

【図１０】図１０は、図９のグラフとの比較のために用
いられるグラフであり、研磨作業時間に対する研磨レー
トの変化を示す。

【図１１】図１１は、第１の実施例の作用を示すグラフ
であり、研磨作業時間に対する研磨レートの変化を示
す。

【図１２】図１２は、図１１のグラフとの比較のために
用いられるグラフであり、研磨作業時間に対する研磨レ
ートの変化を示す。

【図１３】図１３は、本発明の第２の実施例にかかるＣ
ＭＰシステムの全体構成を示す概略ブロック図である。

【符号の説明】

１０、４０ ＣＭＰシステム １２ ＣＭＰ装置本体 １８ スラリー供給ユニット １８ａ 温度計 ２０ リターンユニット（スラリー再生手段） ２０ａ、２６、２７、２８ａ、２８ｂ バルブ ２６ａ バイパス配管 ３０ 冷却装置 ３２ 加熱装置 ３４、４２ Ｗ（タングステン）濃度計 １７０・・・コントローラ（制御手段） １７２・・・タイマー １８１ スラリー供給タンク

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 小原 基之 兵庫県尼崎市扶桑町１番８号 住友金属工 業株式会社半導体装置事業部内 Ｆターム(参考） 3C047 AA18 GG14 GG17 3C058 AA07 BA08 DA02

Claims (14)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】酸化剤を添加した研磨スラリーを用いると
   ともに、当該研磨スラリーを再生利用しつつ、研磨装置
   によって被研磨材を研磨する研磨方法において、 前記酸化剤が添加された研磨スラリーを氷結しない低温
   状態で貯留し；前記低温貯留された研磨スラリーを使用
   直前に所定温度まで加熱することを特徴とする研磨方
   法。
2. 【請求項２】前記酸化剤は、過酸化水素であることを特
   徴とする請求項１に記載の研磨方法。
3. 【請求項３】前記被研磨材は、半導体ウエハ上に形成さ
   れた金属膜であることを特徴とする請求項１又は２に記
   載の研磨方法。
4. 【請求項４】前記使用済みの研磨スラリーに含まれる金
   属イオンの濃度を測定し、 当該測定の結果、金属イオン濃度が所定のしきい値以上
   の時には、前記使用済みの研磨スラリーを再生利用せず
   に廃棄することを特徴とする請求項３に記載の研磨方
   法。
5. 【請求項５】研磨作業の後に前記研磨装置を洗浄するに
   際し、洗浄用流体を当該研磨装置に供給し、 研磨作業を行っていない間と、前記研磨作業の開始から
   所定時間経過するまでの間は、前記研磨装置から排出さ
   れる研磨スラリー及び洗浄用流体を廃棄することを特徴
   とする請求項１，２，３又は４に記載の研磨方法。
6. 【請求項６】研磨作業を行っていない間は、前記研磨ス
   ラリーを当該研磨装置に供給することなく、再生利用に
   供することを特徴とする請求項１，２，３，４又は５に
   記載の研磨方法。
7. 【請求項７】酸化剤を添加した研磨スラリーを用いると
   ともに、当該研磨スラリーを再生利用しつつ、研磨装置
   によって被研磨材を研磨する研磨システムにおいて、 前記酸化剤が添加された研磨スラリーを貯留するスラリ
   ー供給タンクと；前記スラリー供給タンク内の前記研磨
   スラリーを氷結しない低温状態に維持する冷却手段と；
   前記低温状態に貯留された研磨スラリーを、前記研磨装
   置に供給する直前に所定温度まで加熱する加熱手段と；
   使用済みの前記研磨スラリーを再生し、再生後の研磨ス
   ラリーを前記スラリー供給タンクに供給する再生手段と
   を備えたことを特徴とする研磨システム。
8. 【請求項８】前記酸化剤は、過酸化水素であることを特
   徴とする請求項７に記載の研磨システム。
9. 【請求項９】前記被研磨材は、半導体ウエハ上に形成さ
   れた金属膜であることを特徴とする請求項７又は８に記
   載の研磨システム。
10. 【請求項１０】前記使用済みの研磨スラリーに含まれる
    金属イオンの濃度を測定する濃度測定手段を更に備え、 前記濃度測定手段の測定の結果、金属イオン濃度が所定
    のしきい値以上の時には、前記使用済みの研磨スラリー
    を再生利用せずに廃棄することを特徴とする請求項９に
    記載の研磨システム。
11. 【請求項１１】前記濃度測定手段は、前記再生手段に貯
    められた前記研磨スラリーの濃度を測定するように構成
    され、 前記濃度測定手段の測定の結果、金属イオン濃度が所定
    のしきい値以上の時には、前記研磨スラリーを前記スラ
    リー供給タンクに供給せずに廃棄することを特徴とする
    請求項１０に記載の研磨システム。
12. 【請求項１２】前記濃度測定手段は、使用直後の研磨ス
    ラリーの濃度を測定するように構成され、 前記濃度測定手段の測定の結果、金属イオン濃度が所定
    のしきい値以上の時には、使用済み研磨スラリーを前記
    再生手段に供給せずに廃棄することを特徴とする請求項
    １０に記載の研磨システム。
13. 【請求項１３】前記研磨装置に対して洗浄用流体を供給
    する洗浄液供給手段と；前記研磨装置から排出される研
    磨スラリー及び洗浄用流体を廃棄する廃棄手段と；前記
    研磨装置から排出される前記研磨スラリー及び洗浄用流
    体の流路を、前記再生手段と前記廃棄手段との間で切り
    替える第１切り替え手段と；前記研磨装置において研磨
    作業を行っていない時間と、研磨作業の開始から所定時
    間経過するまでの待機時間は、前記研磨装置から排出さ
    れる研磨スラリー及び洗浄用流体を前記廃棄手段に導
    き；研磨作業を行っている時間のうち、前記待機時間を
    除く時間は、前記研磨装置から排出される使用済み研磨
    スラリーを前記再生手段に導くように前記第１切り替え
    手段を制御する制御手段とを更に備えたことを特徴とす
    る請求項７，８，９，１０，１１又は１２に記載の研磨
    システム。
14. 【請求項１４】前記スラリー供給タンクから供給される
    前記研磨スラリーを前記研磨装置へ供給せずに前記再生
    手段に供給すべく設けられたバイパス配管と；前記スラ
    リー供給タンクから供給される前記研磨スラリーの流路
    を、前記研磨装置と前記バイパス配管との間で切り替え
    る第２切り替え手段とを更に備え、 前記制御手段は、さらに、前記研磨装置において研磨作
    業を行っていない間は、前記スラリー供給タンクから供
    給される研磨スラリーを前記バイパス配管に供給するよ
    うに前記第２切り替え手段を制御することを特徴とする
    請求項７，８，９，１０，１１，１２又は１３に記載の
    研磨システム。