JPH11294817A - 基板処理装置および基板処理システム - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 処理部から発生した有害な物質を装置外部に
放出することを防止できる基板処理装置を提供する。 【解決手段】 基板処理装置１１０の基板搬送部Ｒ１に
流入したダウンフローは基板搬送装置ＴＲの移動に伴っ
て発生したパーティクルの他、低誘電体対応コータＳＣ
で低誘電体材料が塗布された基板の熱処理に使用されて
漏れ出たアンモニア等のガス成分とともに搬送ユニット
用ダクト１１５に流れ、さらに排気管１６０によって導
かれ、フィルタボックス１７０に至る。そして、パーテ
ィクルはウルパフィルタ１７３によって除去され、アン
モニアはケミカルフィルタ１７１によって除去された
後、清浄な空気がフィルタボックス１７０からクリーン
ルーム１００内に放出される。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体基板、液晶
表示装置用ガラス基板、フォトマスク用ガラス基板、光
ディスク用基板等（以下、「基板」と称する）に対して
層間絶縁膜の塗布等を行う基板処理装置およびその基板
処理装置を配置したクリーンルーム内における基板処理
システムに関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体や液晶ディスプレイなどの製品
は、基板に対して洗浄、レジスト塗布、露光、現像、エ
ッチング、層間絶縁膜の形成、ダイシングなどの一連の
諸処理を施すことにより製造されている。一般に、上記
の諸処理は、空気中に浮遊する微粒子（以下、「パーテ
ィクル」と称する）が基板に付着するのを防止するた
め、クリーンルーム内に設置された各種処理装置におい
て行われる。

【０００３】図３は、従来のクリーンルーム３００内の
概略構成を模式的に示す縦断面図である。図示の如く、
このクリーンルーム３００には、基板に所定の処理を施
す基板処理装置３１０が設置された作業空間ＣＲ１１
と、グレーチング３３０よりも下方の床下空間ＣＲ１２
と、作業空間ＣＲ１１および床下空間ＣＲ１２と壁３０
２によって隔てられたダウンフロー発生部ＣＲ１３が設
けられている。

【０００４】作業空間ＣＲ１１の上部には、フィルタ３
２０が設けられており、また、作業空間ＣＲ１１と床下
空間ＣＲ１２との間にはグレーチング３３０が設けられ
ている。このグレーチング３３０は、すのこ状の床板で
あり、上方からの空気の流れがそのまま下方に流れるよ
うに形成されている。フィルタ３２０によってパーティ
クルを除去された後、当該フィルタ３２０から下方に流
出した清浄な空気は、グレーチング３３０に向けて垂直
方向の一方向流（以下、「ダウンフロー」と称する）を
形成し、基板処理装置３１０周辺のパーティクルを床下
空間ＣＲ１２の方へ流出させるようにしている。

【０００５】グレーチング３３０上には、基板処理装置
３１０が設置されており、上記のダウンフローはこの基
板処理装置３１０の内部にも流れ込み、処理中の基板に
パーティクルが付着するのを防止する。

【０００６】ところが、基板処理装置３１０には基板搬
送装置や種々の処理部（図示省略）が備えられており、
基板搬送装置が作動するときにパーティクルが発生し、
また処理部からはガス成分が発生する場合がある。した
がって、基板処理装置３１０内部に流入した空気を、そ
のまま装置外部に流出させると、パーティクルやガス成
分を含んだ空気が床下空間ＣＲ１２の下部に設けられた
送風ファン３４０によって取り込まれ、フィルタ３２０
を介して再びダウンフローとして利用されるため、フィ
ルタ３２０が急速に汚染され、劣化することになる。

【０００７】そこで、このクリーンルーム３００におい
ては、基板処理装置３１０内部に流入した空気を排気ダ
クト３１５に回収し、当該排気ダクト３１５を経て、排
気管３８０に排出するようにしている。排気管３８０
は、クリーンルーム３００が設置された工場の排気ユー
ティリティーに図外の部分で接続されており、パーティ
クルやガスを含んだ空気は当該排気ユーティリティーに
おいて処理される。

【０００８】一方、基板処理装置３１０の外部を通過し
たダウンフローは、グレーチング３３０を経て、床下空
間ＣＲ１２に流入し、送風ファン３４０によって吸入、
回収される。このときに、基板処理装置３１０内部に流
入し、クリーンルーム３００外部の排気ユーティリティ
ーに回収された空気と同量の不足分を補うため、クリー
ンルーム３００の外壁３０１の下方に設けられた開孔３
０５から新たな空気が床下空間ＣＲ１２に取り入れられ
るようにされている。そして、その新たに取り入れられ
た空気は、床下空間ＣＲ１２に流入した空気と合流し、
送風ファン３４０によって吸引、回収される。

【０００９】送風ファン３４０によって吸入、回収され
た空気は、ダウンフロー発生部ＣＲ１３内に設けられた
温調ユニット３５０によって温調される。この温調は、
基板処理装置３１０が処理を行うのに適した温度のダウ
ンフローを供給するために行うものである。そして、温
調された空気は、ダウンフロー発生部ＣＲ１３中を上方
に流れ、やがて、フィルタ３２０の上面に達し、当該フ
ィルタ３２０を通過することによってパーティクルが除
去されて、再びダウンフローを形成する。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
クリーンルーム３００においては、基板処理装置３１０
内部に流入した空気を工場の排気ユーティリティーにて
処理しているため、当該排気ユーティリティーに負荷を
課することとなる。一般に、一つの工場内には、複数の
クリーンルームが設けられている場合が多く、また、一
つのクリーンルーム内に複数の基板処理装置が設置され
ていることもある。このような場合には、大容量の排気
ユーティリティーが必要となる。

【００１１】また、基板処理装置３１０内部に流入した
温調された空気は、クリーンルーム３００の外部へ放出
されるため、開孔３０５から新たに取り入れられた空気
を温調して利用している。一旦温調された空気を再度温
調する場合に比べて、新たに取り入れられた空気を温調
する場合は、温調ユニットの負荷が大きくなるため、大
型の温調ユニットが必要となり、クリーンルームを維持
するコストも上昇することになる。

【００１２】さらに、近年においては、基板の層間絶縁
膜として低誘電体材料や強誘電体材料が適用されること
もある。これらの材料を扱う処理部からは他の基板処理
装置に有害なガス成分や環境に有害な重金属を含む雰囲
気を発生することもあり、そのような有害物質について
はなるべく基板処理装置の外部に放出しない方が好まし
い。

【００１３】本発明は、上記課題に鑑み、処理部から発
生した有害な物質を装置外部に放出することを防止でき
る基板処理装置を提供することを目的とする。

【００１４】また、本発明は、クリーンルーム外部の排
気ユーティリティーの負荷を軽減するとともに、小型の
温調ユニットが使用可能な基板処理システムを提供する
ことを目的とする。

【００１５】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、請求項１の発明は、基板に所定の処理を行う基板処
理装置であって、(a)前記所定の処理を行う複数の処理
部と、(b)前記複数の処理部に対して基板の搬送を行う
基板搬送手段と、(c)前記基板処理装置内部を通過する
空気とともに前記複数の処理部のうちのいずれかから発
生した有害物質を回収し、排出する排気経路と、(d)前
記排気経路のいずれかの部位に設けられ、前記有害物質
を除去するフィルタと、を備えている。

【００１６】また、請求項２の発明は、請求項１の発明
にかかる基板処置装置において、前記複数の処理部のう
ちの１つを、基板の層間絶縁膜として強誘電体材料を塗
布する強誘電体対応コータとしている。

【００１７】また、請求項３の発明は、請求項２の発明
にかかる基板処理装置において、前記フィルタを、前記
強誘電体材料から発生した重金属を除去するフィルタと
している。

【００１８】また、請求項４の発明は、請求項１の発明
にかかる基板処置装置において、前記複数の処理部に、
基板の層間絶縁膜として低誘電体材料を塗布する低誘電
体対応コータと、当該低誘電体対応コータで低誘電体材
料が塗布された基板に所定のガスを供給して熱処理を行
う熱処理部とを含ませ、前記フィルタを、前記所定のガ
ス成分を除去するケミカルフィルタとしている。

【００１９】また、請求項５の発明は、請求項４の発明
にかかる基板処理装置において、(e)前記ケミカルフィ
ルタを通過した空気における前記ガス成分の気中濃度を
検出するガス濃度検出手段、をさらに備えている。

【００２０】また、請求項６の発明は、送風ファンと、
温調手段と、第１のフィルタとを備え、前記送風ファン
によって吸引された空気を前記温調手段によって温調し
つつ前記第１のフィルタを通過させることによりダウン
フローを発生させて前記空気を循環利用するクリーンル
ーム内において、基板に対する所定の処理を行う基板処
理システムであって、(a)前記クリーンルーム内に設け
られ、前記所定の処理を行う複数の処理部と、当該複数
の処理部に基板の搬送を行う基板搬送手段とを備える基
板処理装置と、(b)前記基板処理装置に設けられ、前記
クリーンルーム内のダウンフローのうち前記基板処理装
置内部を通過する空気を前記複数の処理部のうちのいず
れかから発生した有害物質とともに、前記基板処理装置
外を通過した空気と分離して回収し、前記クリーンルー
ム内に再び放出する排気経路と、(c)前記排気経路のい
ずれかの部位に設けられ、前記有害物質を除去する第２
のフィルタとを備え、前記放出された空気を前記ダウン
フローのうち前記基板処理装置外を通過した空気と混合
させて前記送風ファンにより吸引しつつ、循環利用して
いる。

【００２１】また、請求項７の発明は、請求項６の発明
にかかる基板処理システムにおいて、前記複数の処理部
のうちの１つを、基板の層間絶縁膜として強誘電体材料
を塗布する強誘電体対応コータとしている。

【００２２】また、請求項８の発明は、請求項７の発明
にかかる基板処理システムにおいて、前記第２のフィル
タを、前記強誘電体材料から発生した重金属を除去する
フィルタとしている。

【００２３】また、請求項９の発明は、請求項６の発明
にかかる基板処置システムにおいて、前記複数の処理部
に、基板の層間絶縁膜として低誘電体材料を塗布する低
誘電体対応コータと、当該低誘電体対応コータで低誘電
体材料が塗布された基板に所定のガスを供給して熱処理
を行う熱処理部とを含ませ、前記フィルタを、前記所定
のガス成分を除去するケミカルフィルタとしている。

【００２４】また、請求項１０の発明は、請求項９の発
明にかかる基板処理システムにおいて、(d)前記ケミカ
ルフィルタを通過して前記クリーンルーム内に放出され
た空気における前記ガス成分の気中濃度を検出するガス
濃度検出手段、をさらに備えている。

【００２５】

【発明の実施の形態】以下、図面を参照しつつ本発明の
実施の形態について詳細に説明する。

【００２６】図１は、本発明に係る基板処理システムを
適用したクリーンルーム１００内の概略構成を模式的に
示す縦断面図である。このクリーンルーム１００には、
基板処理が行われる作業空間ＣＲ１と、グレーチング１
３０の下方の床下空間ＣＲ２と、当該作業空間ＣＲ１お
よび床下空間ＣＲ２と壁１０２によって隔てられたダウ
ンフロー発生部ＣＲ３が設けられている。まず、これら
の各空間の構成について簡単に説明する。

【００２７】作業空間ＣＲ１には、２台の基板処理装置
１１０の本体部が設置されている。本実施形態における
基板処理装置１１０は、基板に低誘電体の層間絶縁膜を
形成する装置である。低誘電体の層間絶縁膜とは、多層
配線構造を有する素子の層間絶縁膜の一種であって、樹
脂や空気やガラス等を含む層間絶縁膜である。基板処理
装置１１０は、基板に低誘電体材料を塗布するコータ
（低誘電体対応コータ）ＳＣと、基板に加熱処理を行う
加熱部（ホットプレート）および冷却処理を行う冷却部
（クーリングプレート）が積層されてなる熱処理部群１
１１と、コータＳＣと熱処理部群１１１とに挟まれた基
板搬送部Ｒ１とをハウジング１１０Ｈ中に備えるととも
に、ハウジング１１０Ｈ外部（床下空間ＣＲ２）にはフ
ィルタボックス１７０を備えている。基板搬送部Ｒ１に
は基板搬送装置ＴＲが図中の紙面に対して直交する方向
に移動自在に設けられている。

【００２８】床下空間ＣＲ２には、基板処理装置１１０
の一部を構成するフィルタボックス１７０およびそれに
連通する排気管１６０が設けられている。フィルタボッ
クス１７０は、種類の異なる２種類のフィルタ、すなわ
ちウルパフィルタ１７３とケミカルフィルタ１７１とを
備えているが、これらの役割については後述する。ま
た、作業空間ＣＲ１と床下空間ＣＲ２との境界には、す
のこ状の床であるグレーチング１３０が設けられてお
り、作業空間ＣＲ１内を流れるダウンフローは、そのま
ま床下空間ＣＲ２に流れ込むようにされている。なお、
フィルタボックス１７０を床下空間ＣＲ２に設置するの
は、クリーンルーム１００内のスペース利用上の都合に
よるものであり、作業空間ＣＲ１に設けるようにしても
よい。

【００２９】ダウンフロー発生部ＣＲ３には、そこを流
れる空気の温度調節を行う温調ユニット１５０が設けら
れている。また、ダウンフロー発生部ＣＲ３と作業空間
ＣＲ１との境界にはメインフィルタ１２０が設けられる
とともに、ダウンフロー発生部ＣＲ３と床下空間ＣＲ２
との間には送風ファン１４０が設けられている。

【００３０】次に、クリーンルーム１００内における空
気の流れについて説明する。

【００３１】まず、メインフィルタ１２０からパーティ
クルの除去された清浄な空気が作業空間ＣＲ１内にダウ
ンフローを形成して流入する。なお、メインフィルタ１
２０は、高い粒子捕集能力を有するウルパフィルタであ
るが、これに限定されるものではなく、所望の粒径のパ
ーティクルを除去できるフィルタ（例えば、ヘパフィル
タなど）であればよい。

【００３２】作業空間ＣＲ１に流入したダウンフローの
一部は、基板処理装置１１０の上部に設けられたフィル
タ１１３を通過して基板搬送部Ｒ１に流入する。この基
板処理装置１１０のコータＳＣは、前述したように基板
にソースとして低誘電体材料を塗布するコータであり、
コータＳＣで塗布を行った後、熱処理部郡１１１の中の
加熱部（ホットプレート）でアンモニア（ＮＨ₃）成分
を含むガスを供給しながら加熱処理が行われる。そのた
め、基板搬送装置ＴＲによる加熱部との間での基板の受
け渡しの際に、加熱部から基板搬送部Ｒ１内にアンモニ
ア成分を含んだガスが漏れ出すことが考えられる。そこ
で、基板搬送部Ｒ１に流入したダウンフローは、基板搬
送装置ＴＲの移動に伴って発生したパーティクルととも
に、加熱部から漏れ出たアンモニア成分を含んだガスも
回収して基板搬送部Ｒ１の下方に流出する。

【００３３】アンモニアは、他の基板処理装置（例えば
現像処理装置）に悪影響を与えることがある。そこで、
基板搬送部Ｒ１の下方には、搬送ユニット用ダクト１１
５が設けられており、パーティクルおよびアンモニアを
含んだダウンフローは搬送ユニット用ダクト１１５に回
収される。搬送ユニット用ダクト１１５は排気管１６０
を介してフィルタボックス１７０に接続されている。排
気管１６０は、２台の基板処理装置１１０のそれぞれか
らグレーチング１３０を貫通して床下空間ＣＲ２の底部
近傍まで鉛直方向に配設され、さらに、床下空間ＣＲ２
の底部近傍において水平方向に屈曲され、相互に合流さ
れた後、フィルタボックス１７０に接続されている。

【００３４】一方、同じく基板処理装置１１０の上部に
設けられたフィルタ１１２を通過したダウンフローは、
コータＳＣに流入する。コータＳＣにおいても、基板搬
送装置ＴＲとの間での基板の受け渡しの際に、基板搬送
部Ｒ１からアンモニア成分を含んだガスがコータＳＣ内
に流入する可能性もある。そこで、コータＳＣ内にアン
モニアが流入した場合であっても、アンモニアを含むダ
ウンフローは排出管１１４から排出される。図１に示す
如く、排出管１１４は、搬送ユニット用ダクト１１５と
ともに排気管１６０を介してフィルタボックス１７０に
接続されている。

【００３５】搬送ユニット用ダクト１１５および排出管
１１４から排出された空気は、排気管１６０に導かれて
フィルタボックス１７０に回収される。フィルタボック
ス１７０は、ケミカルフィルタ１７１と、ブロワファン
１７２と、ウルパフィルタ１７３とを備えている。

【００３６】ウルパフィルタ１７３は、基板搬送部Ｒ１
にて発生し、搬送ユニット用ダクト１１５によって回収
されたパーティクルを主として除去するためのフィルタ
である。一方、ケミカルフィルタ１７１は、加熱部から
漏れ出て、搬送ユニット用ダクト１１５、排出管１１４
から排出されるアンモニアを主として除去するためのフ
ィルタである。

【００３７】また、ケミカルフィルタ１７１とウルパフ
ィルタ１７３との間にはブロワファン１７２が設けられ
ており、当該ブロワファン１７２を作動させて搬送ユニ
ット用ダクト１１５および排出管１１４からフィルタボ
ックス１７０に向かう気流を強制的に発生させることに
より、搬送ユニット用ダクト１１５および排出管１１４
内が負圧状態となり、パーティクルやアンモニアを含ん
だ空気がスムーズに回収されフィルタボックス１７０に
送られる。なお、フィルタボックス１７０を構成するケ
ミカルフィルタ１７１、ブロワファン１７２およびウル
パフィルタ１７３の配置は図１に限定されるものではな
く、排気管１６０における任意の位置に任意の順序で設
けることが可能である。

【００３８】フィルタボックス１７０に送られた空気
は、フィルタボックス１７０に備えられたウルパフィル
タ１７３およびケミカルフィルタ１７１を通過して床下
空間ＣＲ２中に放出される。このときに、空気中に含ま
れていたパーティクルはウルパフィルタ１７３によって
除去される。また、ガス成分であるアンモニアはウルパ
フィルタ１７３によって除去することはできないが、ケ
ミカルフィルタ１７１によって除去される。このため、
床下空間ＣＲ２中にはフィルタボックス１７０から清浄
な空気が放出されることになる。

【００３９】一方、基板処理装置１１０の外部を通過し
たダウンフローは、そのままグレーチング１３０を通過
し、床下空間ＣＲ２に流入する。そして、床下空間ＣＲ
２に流入した空気は、フィルタボックス１７０から放出
された空気と合流し、床下空間ＣＲ２の下部に設けられ
た送風ファン１４０によって取り込まれ、ダウンフロー
発生部ＣＲ３に送られる。ダウンフロー発生部ＣＲ３に
送られた空気は、当該ダウンフロー発生部ＣＲ３に設け
られた温調ユニット１５０によって、ダウンフローとし
て再利用できるように、基板処理装置１１０の処理に適
した温度に温調される。その後、温調された空気は、ダ
ウンフロー発生部ＣＲ３中を上方に流れ、やがて、メイ
ンフィルタ１２０の上面に達し、当該メインフィルタ１
２０を通過することによってパーティクルが除去され
て、再びダウンフローを形成する。

【００４０】ところで、ケミカルフィルタ１７１の出側
（図１においてフィルタボックス１７０と送風ファン１
４０との間）には、アンモニアの気中濃度モニタ１８０
が取り付けられている。気中濃度モニタ１８０により、
フィルタボックス１７０からクリーンルーム１００へア
ンモニアが漏洩しているか否かを監視することができ
る。なお、アンモニアの気中濃度モニタ１８０を設置す
る位置は、図１に示す位置に限られず、ケミカルフィル
タ１７１よりも下流側であればよく、例えばダウンフロ
ー発生部ＣＲ３内に設けるようにしてもよい。

【００４１】以上のようにすれば、基板搬送部Ｒ１にて
発生したパーティクルはフィルタボックス１７０のウル
パフィルタ１７３によって除去され、基板処理装置１１
０内で発生したガス成分であるアンモニアはケミカルフ
ィルタ１７１によって除去されることとなり、基板処理
装置１１０内で発生した有害物質であるアンモニアを基
板処理装置１１０の外部に放出することを防止できる。

【００４２】また、フィルタボックス１７０から放出さ
れた空気中にはパーティクルおよびアンモニアが含まれ
ておらず、作業空間ＣＲ１の上部のメインフィルタ１２
０の汚染が軽減され、メインフィルタ１２０を長期にわ
たって使用可能とできる。

【００４３】また、基板搬送部Ｒ１およびコータＳＣを
通過したダウンフローをクリーンルーム外部に排出せず
にすむのでクリーンルーム外部の排気ユーティリティー
の負荷が軽減される。

【００４４】さらに、フィルタボックス１７０から床下
空間ＣＲ２に放出された空気は、既に温調された空気で
あるため、温調ユニット１５０の負荷が低減され、当該
温調ユニット１５０は小型のものも使用可能であるた
め、クリーンルームを維持するコストも低減されること
になる。

【００４５】＜変形例＞以上、本発明の実施の形態につ
いて説明したが、この発明は上記の例に限定されるもの
ではない。例えば、クリーンルーム１００内に設置され
る基板処理装置１１０を基板に強誘電体の層間絶縁膜を
形成する装置としてもよい。強誘電体の層間絶縁膜と
は、鉛などの重金属を含む層間絶縁膜である。この場
合、上記実施形態においてはコータＳＣを基板に低誘電
体材料を塗布する低誘電体対応コータとしていたのに代
えて、強誘電体材料を塗布する強誘電体対応コータとす
る。強誘電体材料には人体に有害な重金属が含まれてお
り、コータＳＣを通過したダウンフローにもその重金属
が含まれることがある。このため、コータＳＣとして強
誘電体対応コータを適用する場合は、フィルタボックス
１７０のケミカルフィルタ１７１の代わりに重金属除去
フィルタを用いるようにする。

【００４６】このようにすれば、コータＳＣを発生源と
する重金属は、フィルタボックス１７０の重金属除去フ
ィルタによって除去されることとなるため、有害物質で
ある重金属を基板処理装置１１０の外部に放出すること
を防止できる。また、その他の効果についても上記実施
形態と同様の効果を得ることができる。

【００４７】また、クリーンルーム１００内に設置され
る基板処理装置１１０としては図２に示すようなものと
してもよい。図２の基板処理装置１１０が上記実施形態
における基板処理装置１１０と異なるのは、搬送ユニッ
ト用ダクト１１５および排出管１１４が排気管１６０を
介してフィルタボックス１７０と接続されているのでは
なく、フィルタボックス１７０が各基板処理装置１１０
の本体下部に一体に設けられており、搬送ユニット用ダ
クト１１５および排出管１１４が直接フィルタボックス
１７０と接続されている（排気管１６０を介さずに接続
されている）点である。残余の点については、上記実施
形態と同じであり、同一の機能を有する部材については
図１と同一の符号を付し、その詳説については省略す
る。

【００４８】図２のような基板処理装置１１０をクリー
ンルーム１００内に設置しても上記実施形態と同様の効
果を得ることができる。但し、図２の基板処理装置１１
０では、装置本体にフィルタボックス１７０が設けられ
ているため、複数の基板処理装置１１０がある場合、各
装置ごとにフィルタボックス１７０が必要であり、全体
としてコストが上昇する可能性がある一方、各装置の配
置の自由度は高い。これに対して、上記実施形態の基板
処理装置１１０では、クリーンルーム１００内に１つの
フィルタボックス１７０を設置すれば良いのであるが、
排気管１６０が必要であり、配置の自由度も図２の基板
処理装置１１０を用いる場合よりも低い。従って、いず
れの態様の基板処理装置１１０を適用するかは、クリー
ンルーム１００内の配置の都合等を考慮して決定するの
が望ましい。

【００４９】また、クリーンルーム１００に設置される
基板処理装置１１０の台数は２台に限定されるものでは
なく、１台以上設置されていればよい。

【００５０】さらに、基板処理装置１１０に備えられて
いる処理部はコータＳＣに限定される必要はなく、何ら
かの有害な物質を発生するような処理部であれば本発明
は適用可能であり、その場合は、ケミカルフィルタ１７
１に代えて当該有害物質を除去できるフィルタを使用す
ればよい。

【００５１】

【発明の効果】以上説明したように、請求項１の発明に
よれば、所定の処理を行う複数の処理部と、その複数の
処理部に対して基板の搬送を行う基板搬送手段と、基板
処理装置内部を通過する空気とともに複数の処理部のう
ちのいずれかから発生した有害物質を回収し、排出する
排気経路と、排気経路のいずれかの部位に設けられ、有
害物質を除去するフィルタとを備えているため、前記処
理部から有害な物質が発生した場合であっても、その有
害物質はフィルタによって除去されることとなり、有害
物質を基板処理装置の外部に放出することを防止でき
る。

【００５２】また、請求項２の発明によれば、複数の処
理部のうちの１つは、基板の層間絶縁膜として強誘電体
材料を塗布する強誘電体対応コータであるため、強誘電
体対応コータから発生する有害物質を基板処理装置の外
部に放出することを防止できる。

【００５３】また、請求項３の発明によれば、フィルタ
は、強誘電体材料から発生した重金属を除去するフィル
タであるため、強誘電体対応コータから発生する人体に
有害な重金属を基板処理装置の外部に放出することを防
止できる。

【００５４】また、請求項４の発明によれば、複数の処
理部は、基板の層間絶縁膜として低誘電体材料を塗布す
る低誘電体対応コータと、当該低誘電体対応コータで低
誘電体材料が塗布された基板に所定のガスを供給して熱
処理を行う熱処理部とを含み、フィルタが、所定のガス
成分を除去するケミカルフィルタであるため、熱処理部
から発生する有害なガス成分を基板処理装置の外部に放
出することを防止できる。

【００５５】また、請求項５の発明によれば、ケミカル
フィルタを通過した空気におけるガス成分の気中濃度を
検出するガス濃度検出手段、をさらに備えているため、
当該ガス成分がケミカルフィルタから漏洩しているか否
かを監視することができる。

【００５６】また、請求項６の発明によれば、クリーン
ルーム内に設けられ、所定の処理を行う複数の処理部
と、その複数の処理部に基板の搬送を行う基板搬送手段
とを備える基板処理装置と、その基板処理装置に設けら
れ、クリーンルーム内のダウンフローのうち基板処理装
置内部を通過する空気を複数の処理部のうちのいずれか
から発生した有害物質とともに、基板処理装置外を通過
した空気と分離して回収し、クリーンルーム内に再び放
出する排気経路と、排気経路のいずれかの部位に設けら
れ、有害物質を除去する第２のフィルタとを備え、放出
された空気をダウンフローのうち基板処理装置外を通過
した空気と混合させて送風ファンにより吸引しつつ、循
環利用しているため、クリーンルーム外に排気される空
気がなくなり、クリーンルーム外部の排気ユーティリテ
ィーの負荷を軽減することができる。また、前記放出さ
れた空気は、既に温調された空気であるため、温調ユニ
ットの負荷が低減され、当該温調ユニットは小型のもの
が使用可能であるため、クリーンルームを維持するコス
トも低減することができる。

【００５７】また、請求項７の発明によれば、複数の処
理部のうちの１つは、基板の層間絶縁膜として強誘電体
材料を塗布する強誘電体対応コータであるため、強誘電
体対応コータから発生する有害物質をクリーンルームの
内外に放出することを防止できる。

【００５８】また、請求項８の発明によれば、第２のフ
ィルタは、強誘電体材料から発生した重金属を除去する
フィルタであるため、強誘電体対応コータから発生する
人体に有害な重金属をクリーンルームの内外に放出する
ことを防止できる。

【００５９】また、請求項９の発明によれば、複数の処
理部は、基板の層間絶縁膜として低誘電体材料を塗布す
る低誘電体対応コータと、その低誘電体対応コータで低
誘電体材料が塗布された基板に所定のガスを供給して熱
処理を行う熱処理部とを含み、フィルタは、所定のガス
成分を除去するケミカルフィルタであるため、熱処理部
から発生する有害なガス成分を基板処理装置の外部に放
出することを防止できる。

【００６０】また、請求項１０の発明によれば、ケミカ
ルフィルタを通過してクリーンルーム内に放出された空
気におけるガス成分の気中濃度を検出するガス濃度検出
手段、をさらに備えているため、当該ガス成分がケミカ
ルフィルタから漏洩しているか否かを監視することがで
きる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る基板処理システムを適用したクリ
ーンルーム内の概略構成を模式的に示す縦断面図であ
る。

【図２】本発明にかかる基板処理装置の一例を示す図で
ある。

【図３】従来のクリーンルーム内の概略構成を模式的に
示す縦断面図である。

【符号の説明】

１００ クリーンルーム １１０ 基板処理装置 １１４ 排出管 １１５ 搬送ユニット用ダクト １２０ メインフィルタ １４０ 送風ファン １５０ 温調ユニット １６０ 排気管 １７０ フィルタボックス １７１ ケミカルフィルタ １７２ ブロワファン １７３ ウルパフィルタ Ｒ１ 基板搬送部 ＳＣ コータ

Claims (10)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基板に所定の処理を行う基板処理装置で
   あって、 (a) 前記所定の処理を行う複数の処理部と、 (b) 前記複数の処理部に対して基板の搬送を行う基板搬
   送手段と、 (c) 前記基板処理装置内部を通過する空気とともに前記
   複数の処理部のうちのいずれかから発生した有害物質を
   回収し、排出する排気経路と、 (d) 前記排気経路のいずれかの部位に設けられ、前記有
   害物質を除去するフィルタと、を備えることを特徴とす
   る基板処理装置。
2. 【請求項２】 請求項１記載の基板処置装置において、 前記複数の処理部のうちの１つは、基板の層間絶縁膜と
   して強誘電体材料を塗布する強誘電体対応コータである
   ことを特徴とする基板処理装置。
3. 【請求項３】 請求項２記載の基板処理装置において、 前記フィルタは、前記強誘電体材料から発生した重金属
   を除去するフィルタであることを特徴とする基板処理装
   置。
4. 【請求項４】 請求項１記載の基板処置装置において、 前記複数の処理部は、基板の層間絶縁膜として低誘電体
   材料を塗布する低誘電体対応コータと、当該低誘電体対
   応コータで低誘電体材料が塗布された基板に所定のガス
   を供給して熱処理を行う熱処理部とを含み、 前記フィルタは、前記所定のガス成分を除去するケミカ
   ルフィルタであることを特徴とする基板処理装置。
5. 【請求項５】 請求項４記載の基板処理装置において、 (e) 前記ケミカルフィルタを通過した空気における前記
   ガス成分の気中濃度を検出するガス濃度検出手段、をさ
   らに備えることを特徴とする基板処理装置。
6. 【請求項６】 送風ファンと、温調手段と、第１のフィ
   ルタとを備え、前記送風ファンによって吸引された空気
   を前記温調手段によって温調しつつ前記第１のフィルタ
   を通過させることによりダウンフローを発生させて前記
   空気を循環利用するクリーンルーム内において、基板に
   対する所定の処理を行う基板処理システムであって、 (a) 前記クリーンルーム内に設けられ、前記所定の処理
   を行う複数の処理部と、当該複数の処理部に基板の搬送
   を行う基板搬送手段とを備える基板処理装置と、 (b) 前記基板処理装置に設けられ、前記クリーンルーム
   内のダウンフローのうち前記基板処理装置内部を通過す
   る空気を前記複数の処理部のうちのいずれかから発生し
   た有害物質とともに、前記基板処理装置外を通過した空
   気と分離して回収し、前記クリーンルーム内に再び放出
   する排気経路と、 (c) 前記排気経路のいずれかの部位に設けられ、前記有
   害物質を除去する第２のフィルタと、を備え、前記放出
   された空気を前記ダウンフローのうち前記基板処理装置
   外を通過した空気と混合させて前記送風ファンにより吸
   引しつつ、循環利用することを特徴とする基板処理シス
   テム。
7. 【請求項７】 請求項６記載の基板処理システムにおい
   て、 前記複数の処理部のうちの１つは、基板の層間絶縁膜と
   して強誘電体材料を塗布する強誘電体対応コータである
   ことを特徴とする基板処理システム。
8. 【請求項８】 請求項７記載の基板処理システムにおい
   て、 前記第２のフィルタは、前記強誘電体材料から発生した
   重金属を除去するフィルタであることを特徴とする基板
   処理システム。
9. 【請求項９】 請求項６記載の基板処置システムにおい
   て、 前記複数の処理部は、基板の層間絶縁膜として低誘電体
   材料を塗布する低誘電体対応コータと、当該低誘電体対
   応コータで低誘電体材料が塗布された基板に所定のガス
   を供給して熱処理を行う熱処理部とを含み、 前記フィルタは、前記所定のガス成分を除去するケミカ
   ルフィルタであることを特徴とする基板処理システム。
10. 【請求項１０】 請求項９記載の基板処理システムにお
    いて、 (d) 前記ケミカルフィルタを通過して前記クリーンルー
    ム内に放出された空気における前記ガス成分の気中濃度
    を検出するガス濃度検出手段、をさらに備えることを特
    徴とする基板処理システム。