JP2010040756A - 半導体製造装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】洗浄装置1は、貯留槽10に貯留されている薬液を処理槽20に送液してウェハWの洗浄処理を行い、使用した薬液を回収ライン90で貯留槽10に回収し、その回収で不足する分を供給ライン30から補充する。この供給ライン30から補充される薬液流量を検出部41で検出し、演算部42によって単位時間当たりの積算流量を求め、それを判定部43によって閾値と比較して、供給ライン30からの薬液補充量を監視する。これにより、貯留槽10への薬液の回収不足、薬液から析出した結晶物による回収溝24aの閉塞を早期に発見し、不必要な薬液補充を抑えることが可能になる。
【選択図】図1
Description
まず、第1の実施の形態について説明する。
図1に示す第1の実施の形態の洗浄装置1は、ウェハWの洗浄処理に用いる洗浄液、ここでは酸アンモニウム塩溶液(薬液)が貯留される貯留槽10、及びその貯留槽10の薬液が用いられてウェハWの洗浄処理が行われる処理槽20を備えている。
図2に示すように、下カップ24の回収溝24aには、回収ライン90が接続されており、この回収ライン90は、図1に示したように、貯留槽10まで延びている。また、廃液溝24bには、第1廃液ライン101及び排気ライン110が接続されている。なお、排気ライン110は、その開口端が廃液溝24bの底面から一定の高さになるように設けられており、廃液溝24bに流入した薬液等が直ぐに排気ライン110内に流入してしまわないようになっている。また、排気ライン110の開口端上部には、薬液等が直接浸入するのを防止するカバー110aが設けられている。
図3は薬液循環処理時の説明図、図4は廃液処理時の説明図である。
上記図1及び図3のようにしてウェハWの洗浄処理を継続して実施すると、その間、回収溝24aには、水分の蒸発した高濃度化された薬液や、エッチング残渣等の洗浄物が混入した薬液が回収される。この回収溝24aにおける高濃度化された酸アンモニウム塩溶液の存在や、洗浄物と酸アンモニウム塩との反応等のために、回収溝24aの側壁や底面には、図5に示すような酸アンモニウム塩を含む結晶物130が析出しやすくなる。この結晶物130の析出は、ウェハWの洗浄効果を高めるために薬液中の酸アンモニウム塩濃度を数十%迄高くしていたり、薬液温度を高くしていたりすると一層起こりやすくなる。
なお、上記の洗浄装置1において、判定部43が異常と判定した場合には、表示部に表示された判定結果を見た作業者が、或いは洗浄装置1が自動で、ウェハWの洗浄処理を停止し、異常の原因となった結晶物130を溶解する純水洗浄等を行うようにすればよい。
図6は第2の実施の形態の洗浄装置の概略構成図である。なお、図6では、図1に示した要素と同一の要素については同一の符号を付している。
図7は第3の実施の形態の洗浄装置の概略構成図である。なお、図7では、図1に示した要素と同一の要素については同一の符号を付している。
図8は第4の実施の形態の洗浄システムの概略構成図である。なお、図8では、図1に示した要素と同一の要素については同一の符号を付している。
図9は第5の実施の形態の洗浄システムの概略構成図である。なお、図9では、図8に示した要素と同一の要素については同一の符号を付している。
図10は第6の実施の形態の洗浄システムの概略構成図である。なお、図10では、図8に示した要素と同一の要素については同一の符号を付している。
図11は第7の実施の形態の洗浄装置の概略構成図である。なお、図11では、図1に示した要素と同一の要素については同一の符号を付している。
図12は第8の実施の形態の洗浄装置の概略構成図である。なお、図12では、図1に示した要素と同一の要素については同一の符号を付している。
その場合、まず、送液ライン70のバルブ74が閉じられ、処理槽20への送液が停止される。その後、この洗浄装置800では、回収ライン90のバルブ93,94を閉じた状態で、純水供給ライン810のバルブ811が開けられ、回収溝24a内に一定量の常温の純水又はヒータ812で加熱した純水(温水)L2が貯められ、バルブ811が閉じられる。
このような洗浄装置800によれば、不必要な薬液の使用を抑制することが可能になるほか、ウェハWの洗浄処理及び処理槽20の洗浄処理を、自動で安定的に行うことが可能になる。
図13は第9の実施の形態の洗浄装置が備える処理槽の概略構成図である。なお、図13では、図1に示した要素と同一の要素については同一の符号を付している。
(付記1) 所定量の液体が貯留される貯留槽と、
前記貯留槽に貯留された液体が用いられてウェハの処理が行われる処理槽と、
前記処理槽で用いられた液体を前記貯留槽に回収する回収ラインと、
前記貯留槽に前記回収ラインによる回収で不足する量の液体を供給する供給ラインと、
前記供給ラインからの液体の供給に伴って変化する第1の値を検出する検出部と、
前記検出部で検出された前記第1の値を用いて前記供給ラインからの液体供給量に応じた第2の値を演算する演算部と、
前記演算部で演算された前記第2の値と予め設定された閾値との比較に基づき前記供給ラインからの液体供給量が正常か否かを判定する判定部と、
を有することを特徴とする半導体製造装置。
前記第2の値は、一定時間に検出される前記流量を用いて演算された単位時間当たりの積算流量であることを特徴とする付記1記載の半導体製造装置。
前記第1の値は、前記分岐点から前記貯留槽までの間の液体の流量であることを特徴とする付記2記載の半導体製造装置。
前記第1の値は、前記バルブの開閉状態を示す信号であり、
前記第2の値は、一定時間に検出される前記信号を用いて演算された単位時間当たりの前記バルブの開閉動作回数、又は前記バルブの先の開閉動作と後の開閉動作との間のインターバル時間であることを特徴とする付記1記載の半導体製造装置。
前記バルブは、前記分岐点から前記貯留槽までの間に設けられていることを特徴とする付記4記載の半導体製造装置。
前記バルブは、前記分岐点より上流側に設けられていることを特徴とする付記4記載の半導体製造装置。
前記バルブは、前記ガス供給ラインに設けられた、前記供給槽内へのガスによる加圧を制御する制御バルブであることを特徴とする付記6記載の半導体製造装置。
前記第1の値は、前記センサによる検知を示す信号であり、
前記第2の値は、一定時間に検出される前記信号を用いて演算された単位時間当たりの前記センサの検知回数、又は前記センサによる先の検知と後の検知との間のインターバル時間であることを特徴とする付記1記載の半導体製造装置。
(付記10) 前記処理槽内の前記回収ラインとの連通部を含む領域に水を供給する水供給ラインを備えることを特徴とする付記1から9のいずれかに記載の半導体製造装置。
(付記12) 前記回収ラインは、前記処理槽内に延在し、前記処理槽内の前記回収ラインの開口端が、前記処理槽内の底面から所定高さの位置に設けられていることを特徴とする付記1から12のいずれかに記載の半導体製造装置。
前記貯留槽に貯留された液体が用いられてウェハの処理が行われる処理槽と、
前記処理槽で用いられた液体を前記貯留槽に回収する回収ラインと、
前記処理槽内に貯まった液体の液面高さを検知する検知部と、
を有することを特徴とする半導体製造装置。
(付記15) 前記水供給ラインを流れる水を加熱する加熱部を備えることを特徴とする付記14記載の半導体製造装置。
前記貯留槽に貯留された液体が用いられてウェハの処理が行われる処理槽と、
前記処理槽で用いられた液体を前記貯留槽に回収する回収ラインと、
を有し、
前記回収ラインは、前記処理槽内に延在し、前記処理槽内の前記回収ラインの開口端が、前記処理槽内の底面から所定高さの位置に設けられていることを特徴とする半導体製造装置。
10,10a,10b 貯留槽
20,900 処理槽
21 支持台
22 回転機構
23 上カップ
24 下カップ
24a 回収溝
24b 廃液溝
24c,73,92,407 フィルタ
30 供給ライン
31,75,82,122 流量計
32,32a,32b,74,81,93,94,121,406,511,811 バルブ
33 分岐点
34,35 分岐供給ライン
41,201,301,401,501 検出部
42,202,302,402,502 演算部
43,203,303,403,503 判定部
61,61a,61b 第1センサ
62,62a,62b 第2センサ
63,63a,63b 制御部
70 送液ライン
71,91,405 ポンプ
72,812 ヒータ
76,123 ノズル
80 分岐ライン
90 回収ライン
90a 開口端
101 第1廃液ライン
102 第2廃液ライン
110 排気ライン
110a カバー
120 純水ライン
130 結晶物
400,500,600 洗浄システム
404 供給槽
510 ガス供給ライン
710 バイパスライン
711,820 センサ
810 純水供給ライン
W ウェハ
L1 薬液
L2 純水
L3 液体
Claims (7)
- 所定量の液体が貯留される貯留槽と、
前記貯留槽に貯留された液体が用いられてウェハの処理が行われる処理槽と、
前記処理槽で用いられた液体を前記貯留槽に回収する回収ラインと、
前記貯留槽に前記回収ラインによる回収で不足する量の液体を供給する供給ラインと、
前記供給ラインからの液体の供給に伴って変化する第1の値を検出する検出部と、
前記検出部で検出された前記第1の値を用いて前記供給ラインからの液体供給量に応じた第2の値を演算する演算部と、
前記演算部で演算された前記第2の値と予め設定された閾値との比較に基づき前記供給ラインからの液体供給量が正常か否かを判定する判定部と、
を有することを特徴とする半導体製造装置。 - 前記第1の値は、前記供給ラインを流れる液体の流量であり、
前記第2の値は、一定時間に検出される前記流量を用いて演算された単位時間当たりの積算流量であることを特徴とする請求項1記載の半導体製造装置。 - 前記供給ラインは、前記供給ラインからの液体供給時に開閉されるバルブを有し、
前記第1の値は、前記バルブの開閉状態を示す信号であり、
前記第2の値は、一定時間に検出される前記信号を用いて演算された単位時間当たりの前記バルブの開閉動作回数、又は前記バルブの先の開閉動作と後の開閉動作との間のインターバル時間であることを特徴とする請求項1記載の半導体製造装置。 - 前記貯留槽に貯留されている液体の液面高さを検知するセンサを有し、
前記第1の値は、前記センサによる検知を示す信号であり、
前記第2の値は、一定時間に検出される前記信号を用いて演算された単位時間当たりの前記センサの検知回数、又は前記センサによる先の検知と後の検知との間のインターバル時間であることを特徴とする請求項1記載の半導体製造装置。 - 前記処理槽内の前記回収ラインとの連通部を含む領域に水を供給する水供給ラインを備えることを特徴とする請求項1から4のいずれかに記載の半導体製造装置。
- 所定量の液体が貯留される貯留槽と、
前記貯留槽に貯留された液体が用いられてウェハの処理が行われる処理槽と、
前記処理槽で用いられた液体を前記貯留槽に回収する回収ラインと、
前記処理槽内に貯まった液体の液面高さを検知する検知部と、
を有することを特徴とする半導体製造装置。 - 所定量の液体が貯留される貯留槽と、
前記貯留槽に貯留された液体が用いられてウェハの処理が行われる処理槽と、
前記処理槽で用いられた液体を前記貯留槽に回収する回収ラインと、
を有し、
前記回収ラインは、前記処理槽内に延在し、前記処理槽内の前記回収ラインの開口端が、前記処理槽内の底面から所定高さの位置に設けられていることを特徴とする半導体製造装置。
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