JP7438171B2 - 供給タンク、供給装置、供給システム - Google Patents

Description

本発明は、供給タンク、供給装置、供給システムに関する。

半導体ウェーハやガラスなどの基板に積層された膜を、処理液によりエッチングするウェットエッチングの装置として、複数枚の基板を一括して処理液に浸漬させるバッチ式の基板処理装置と、一枚一枚の基板に対して処理液を供給する枚葉式の基板処理装置とが知られている。

バッチ式の基板処理装置では、複数枚の基板を一括して処理するため、生産性の点で優位である。一方で、枚葉式の基板処理装置においては、基板を一枚ずつ処理するため、生産性ではバッチ式の基板処理装置に劣る代わりに、繊細かつ均一なエッチングが可能である。特に、近年では基板のパターンの微細化が進んでいるため、枚葉式の基板処理装置が使用される頻度も高くなってきている。

枚葉式の基板処理装置においては、繊細かつ均一なエッチングを可能とするために、基板に供給する処理液の温度を厳密に制御する必要がある。処理液の温度は、例えば１６０℃に保たれるが、ここから１℃変わるだけでもエッチングレートが大きく変わり、エッチングの深さにばらつきが生じてしまう。そのため、処理液の温度の変動は、例えば０．２℃以内に抑えることが望ましい。

ところで、このような処理液は、比較的高価であるので、エッチング後に回収され、温度を調整した上で、再利用される。例えば、特許文献１に開示されているように、エッチングに使用された処理液は、一度タンクに回収され、液温を調整した後、再び基板に供給される。

特開２００７－２５８４６２号公報

このようなタンクには、効率性の観点から、複数の基板処理装置が接続される場合が多い。すなわち、１つのタンクが、複数の基板処理装置において使用した処理液を回収し、また複数の基板処理装置にタンク内の処理液を供給する。そのため、タンクは、各基板処理装置における基板処理のタイミングが重なることにより、一度に多くの処理液を回収し、また一度に多くの処理液を供給することがある。また、１つの基板処理装置にのみ接続される場合であっても、基板処理装置を一時停止する場合など、処理液の回収タイミングにバラつきが出るおそれがある。

いずれにせよ、このような問題により、タンク内の処理液の温度の変動が大きくなり、温度制御が困難になる。例えば、複数の基板処理装置が接続され、基板処理のタイミングが重なることにより回収される処理液の量が多くなった場合、タンク内の処理液の温度が大きく低下するため、処理液を供給するまでに十分な加熱時間を取れないおそれがある。処理液が十分に加熱されるまで供給を止めることも考えられる。だがしかし、この場合であっても、不定期かつ不定量で回収される処理液の量の変動によりタンク内の処理液の温度は刻々と変動するため、温度制御の誤差が大きくなることは避けられない。さらに、タンク内の処理液の温度が大きく低下した場合、ヒータの出力を上げて対応することになるが、一度上げたヒータの出力を下げる制御には時間がかかる。そのため、今度はタンク内の処理液を加熱し過ぎることになり、やはり温度制御が困難になる。このように、処理液の回収とヒータの制御という２つの要因により、処理液の温度制御を十分に行うことが出来ず、基板のエッチングの深さにばらつきが生じる原因となっていた。

本発明は、基板処理装置に供給する処理液の液温を安定させる供給タンク、供給装置、供給システムを提供することを目的とする。

本発明の供給タンクは、基板処理装置に処理液を供給する供給タンクであって、前記処理液を貯留する容器と、前記容器を、前記処理液が導入される第１の領域と、前記基板処理装置に前記処理液を供給する第２の領域とに仕切る第１の仕切り板と、前記第２の領域に、前記第１の領域に導入された前記処理液を送り出す第１の配管と、前記第１の配管の経路上に設けられ、前記処理液を加熱する第１のヒータと、を備える。

また、上述の供給タンクを備える供給装置及び供給システムも本発明の一態様とする。

本発明の供給タンク、供給装置、供給システムは、基板処理装置に供給する処理液の液温を安定させることが出来る。

実施形態の基板処理装置と供給装置とを示す図。 実施形態の供給タンクを示す透視斜視図。 実施形態の変形例の基板処理装置と供給装置とを示す図。

以下、本発明の実施形態を、図面を参照して説明する。本実施形態の供給装置１は、図１に示すように、基板処理装置１００から処理液を回収し、また基板処理装置１００に処理液を供給する。また、図１では図示を省略しているが、基板処理装置１００は、１つの供給装置１に対して複数設けられているものとする。なお、このような供給装置１と基板処理装置１００とにより処理液を循環させるシステムを供給システムＳＳとする。

（基板処理装置）
基板処理装置１００は、例えば半導体ウェーハやガラスなどの基板Ｗに対して処理液を供給し、エッチングを行う枚葉式の基板処理装置である。基板処理装置１００は、基板Ｗを保持及び回転させる回転駆動部１０１と、基板Ｗに処理液を供給する処理液供給部１０２と、基板Ｗに供給された処理液を回収する処理液回収部１０３と、を備える。

回転駆動部１０１は、例えばチャックピンなどにより基板Ｗの縁を保持し、基板Ｗに直交する軸を中心に、保持した基板Ｗを回転させるスピンチャックである。処理液供給部１０２は、例えば回転駆動部１０１の上方に設けられ、回転駆動部１０１により回転する基板Ｗの面に向けて、処理液を吐出するノズルである。ノズルの他端は、後述の配管Ｓを介して供給装置１に接続されている。なお、処理液供給部１０２は、基板Ｗの面に対して１つだけ設けられても良いし、複数設けられても良い。処理液は、例えばフッ酸やリン酸、硫酸などの酸系の液体である。処理液回収部１０３は、例えば回転駆動部１０１を包囲するように設けられ、基板Ｗの面から溢れた処理液を、その底部から回収する筐体である。すなわち、処理液回収部１０３の底部は開口を備え、この開口が、後述の配管Ｃを介して供給装置１に接続されている。

（供給装置）
供給装置１は、基板処理装置１００から回収したエッチング後の処理液を加熱し、再び基板処理装置１００に供給する供給装置である。供給装置１は、基板処理装置１００の処理液回収部１０３からエッチング後の処理液を回収する回収配管である配管Ｃと、配管Ｃに接続され、配管Ｃが回収した処理液を貯留する供給タンク１０と、供給タンク１０に接続され、供給タンク１０から基板処理装置１００の処理液供給部１０２に処理液を供給する供給配管である配管Ｓと、を備える。

供給タンク１０は、処理液を貯留するための矩形の容器１０ａからなる。容器１０ａは、処理液に対して耐食性を有する素材からなる。容器１０ａは、図２に示すように、仕切り板１１により複数の領域に分けられている。図２においては、２枚の仕切り板１１により、３つの領域に仕切られている。まず、容器１０ａは、配管Ｃ及び後述の配管Ｎ、Ｒから処理液が導入される第１の領域Ｒ１と、配管Ｓに接続される第２の領域Ｒ２とに仕切られている。さらに、第２の領域Ｒ２は、第１の領域Ｒ１に隣接し、第１の領域Ｒ１から処理液が導入される領域Ｒ３と、領域Ｒ３に隣接し、配管Ｓに接続され、基板処理装置１００に処理液を供給する領域Ｒ４とに仕切られている。なお、２枚の仕切り板１１を区別する場合は、第１の領域Ｒ１と第２の領域Ｒ２とを仕切る仕切り板１１を第１の仕切り板１１１、第２の領域Ｒ２の領域Ｒ３と領域Ｒ４とを仕切る仕切り板１１を第２の仕切り板１１２とする。また、各領域Ｒ１、Ｒ３、Ｒ４には、処理液を保温するタンク内ヒータＴＨが設けられる。

第１の仕切り板１１１及び第２の仕切り板１１２には、同じ大きさの長丸孔の開口１１ａが設けられ、各領域Ｒ１、Ｒ３、Ｒ４を連通させる。この開口１１ａを介して処理液は各領域Ｒ１、Ｒ３、Ｒ４間を移動するので、処理液の液面高さは各領域Ｒ１、Ｒ３、Ｒ４間で等しくなる。容器１０ａ内の処理液の量が少ない場合であっても、処理液が各領域Ｒ１、Ｒ３、Ｒ４間を移動できるようにするため、本実施形態の開口１１ａは、液面高さ方向に長尺である。また、開口１１ａの大きさは、後述の配管Ｐから第２の領域Ｒ２の領域Ｒ３に導入された処理液が、この開口１１ａを介して再度第１の領域Ｒ１へと戻ろうとすることにより、処理液が領域Ｒ１及びＲ３内で循環してしまい、領域Ｒ４に流れにくくなることを避けるような大きさとすることが好ましい。一方で、仕切り板１１は、耐食性に加えて断熱性を有する素材からなり、各領域Ｒ１、Ｒ３、Ｒ４間で処理液の温度差が縮まることを抑制している。また、本実施形態の開口１１ａが設けられる位置は、各領域Ｒ１、Ｒ３、Ｒ４間で処理液の温度が等しくなることを妨げる観点から、仕切り板１１間で離間している。例えば、図２に示すように、第１の仕切り板１１１の開口１１ａが、第１の仕切り板１１１の端部が接続される容器１０ａの一側面側に設けられる場合、第２の仕切り板１１２の開口１１ａは、この一側面に対向する容器１０ａの他側面側に設けられることが好ましい。

第１の領域Ｒ１には、配管Ｃ、Ｎ、Ｒが接続され、これらの配管から処理液が導入される。配管Ｃ、Ｎ、Ｒは、図２に示すように、容器１０ａにおいて、第１の仕切り板１１１の開口１１ａが設けられる容器１０ａの一側面に対向する他側面側に設けられる。これにより、配管Ｃ、Ｎ、Ｒから導入される処理液が、直ぐに第１の仕切り板１１１の開口１１ａを介して領域Ｒ３に流入することを回避出来る。配管Ｃは、基板処理装置１００から回収したエッチング後の処理液を導入する。配管Ｎは、例えば送液装置、バルブ等からなる図示しない処理液供給装置に接続され、基板処理装置１００におけるエッチングなどで減少した量に相当する処理液を新しく導入する。処理液の減少は、図示しないレベルセンサなどにより検出されても良い。なお、配管Ｎには図示しないバルブなどが設けられ、レベルセンサと協働して開閉することが出来る。配管Ｒは、配管Ｓから分岐して設けられ、供給する処理液の一部を供給タンク１０に戻す役割を果たすリターン配管である。なお、配管Ｓ、Ｒには、図示しないバルブなどが設けられ、これらのバルブを開閉することにより、処理液の流れを制御することが出来る。

さらに、第１の領域Ｒ１には、底部に配管Ｐが接続される。具体的には、図２に示すように、配管Ｐの流入口が、第１の仕切り板１１１の開口１１ａの近傍に設けられる。配管Ｐは、第１の領域Ｒ１の底部から第２の領域Ｒ２の領域Ｒ３に処理液を送り出す。すなわち、配管Ｐの経路上には、ポンプＰ１が設けられる。また、前記配管Ｐの経路上、例えばポンプＰ１の下流側にはヒータＨ１が設けられ、ポンプＰ１から送り出された処理液を、所定の温度を目標に加熱する。所定の温度は、例えば１６０℃である。ヒータＨ１の下流側には図示しない温度センサが設けられ、この温度センサからのフィードバックを受け、ヒータＨ１の出力が調整される。この温度センサは、例えばサーミスタである。このように、第１の領域Ｒ１においては、ポンプＰ１が、配管Ｃ、Ｎ、Ｒから導入された処理液を配管Ｐから吸い出し、加熱して第２の領域Ｒ２の領域Ｒ３に送り出す。配管Ｃ、Ｎ、Ｒから導入された処理液は、容器１０ａ内の処理液全体よりも液温が低いために、容器１０ａの底部に移動する。これにより、配管Ｃ、Ｎ、Ｒから導入された処理液は、容器１０ａ内の処理液全体に比して優先的に吸い出される。なお、配管Ｃ、Ｎ、Ｒから導入された処理液は、配管Ｐから吸い出されるだけでなく、開口１１ａを介して第２の領域Ｒ２にも流れる。

第２の領域Ｒ２の領域Ｒ３には、配管Ｐが接続される。具体的には、図２に示すように、配管Ｐの流出口が、第１の仕切り板１１１の開口１１ａの近傍に設けられる。この配管Ｐを介して、第１の領域Ｒ１から処理液が導入される。この処理液は、第１の仕切り板１１１の開口１１ａを介して第１の領域Ｒ１に流れる。また、領域Ｒ３に導入された処理液は、第２の仕切り板１１２の開口１１ａを介して領域Ｒ４にも流れる。

第２の領域Ｒ２の領域Ｒ４には、底部に配管Ｓが接続され、この配管Ｓを介して、基板処理装置１００の処理液供給部１０２に処理液が供給される。配管Ｓは、領域Ｒ４の底部から処理液を吸い出す。すなわち、配管Ｓの経路上には、ポンプＰ２が設けられる。また、配管Ｓの経路上、例えばポンプＰ２の下流側にはヒータＨ２が設けられ、ポンプＰ２から送り出された処理液を、所定の温度を目標に加熱する。所定の温度は、例えば１６０℃である。ヒータＨ２の下流側には温度センサが設けられ、この温度センサからのフィードバックを受け、ヒータＨ２の出力が調整される。この温度センサＴＳは、例えばサーミスタである。これにより、所定の温度まで加熱された処理液が、基板処理装置１００の処理液供給部１０２に供給される。なお、配管Ｓの経路上には、処理液から不純物を除去するフィルタが設けられても良い。

（作用）
上記のような構成の供給装置１の動作を説明する。前提として、基板処理装置１００において、処理液供給部１０２が基板Ｗに対して処理液を吐出し、このエッチング後の処理液が、処理液回収部１０３の開口から配管Ｃに回収される。配管Ｃに回収された処理液は、供給装置１の供給タンク１０に導入される。より詳細には、供給タンク１０の第１の領域Ｒ１に導入される。第１の領域Ｒ１に導入された処理液は、その一部が第１の仕切り板１１１の開口１１ａを介して隣接する第２の領域Ｒ２に流れる。一方で、第１の領域Ｒ１に導入された処理液の大部分は、ポンプＰ１により、第１の領域Ｒ１の底部に接続された配管Ｐから吸い出される。吸い出された処理液は、ポンプＰ１の下流側に設けられたヒータＨ１により、所定の温度を目標に加熱される。

ヒータＨ１により加熱された処理液は、ポンプＰ１により、配管Ｐを介して第２の領域Ｒ２の領域Ｒ３に送り出される。領域Ｒ３に送り出された処理液は、仕切り板１１の開口１１ａを介して第１の領域Ｒ１及び第２の領域Ｒ２の領域Ｒ４に流れる。

領域Ｒ３から領域Ｒ４に流れた処理液は、ポンプＰ２により領域Ｒ４の底部に接続された配管Ｓから吸い出される。吸い出された処理液は、ポンプＰ２の下流側に設けられたヒータＨ２により、所定の温度を目標に加熱される。ヒータＨ２により加熱された処理液は、基板処理装置１００の処理液供給部１０２に供給される。これにより、処理液供給部１０２は、所定の温度に加熱された処理液を吐出することが出来るので、所望のエッチングレートで基板Ｗをエッチングすることが出来る。

（効果）
（１）本実施形態の供給タンク１０は、基板処理装置１００に処理液を供給する供給タンク１０であって、処理液を貯留する容器１０ａと、容器１０ａを、処理液が導入される第１の領域Ｒ１と、基板処理装置１００に処理液を供給する第２の領域Ｒ２とに仕切る第１の仕切り板１１１と、第２の領域Ｒ２に、第１の領域Ｒ１に導入された処理液を送り出す配管Ｐと、配管Ｐの経路上に設けられ、処理液を加熱するヒータＨ１と、を備える。このように、本実施形態の供給タンク１０においては、処理液が導入される第１の領域Ｒ１とは異なる第２の領域Ｒ２に、ヒータＨ１により加熱した処理液を貯留し、この第２の領域Ｒ２から基板処理装置１００に処理液を供給する。すなわち、第１の仕切り板１１１により第１の領域Ｒ１の処理液からの熱が遮断されているので、基板処理装置１００に供給する第２の領域Ｒ２の処理液の液温を安定させることが出来る。従って、基板処理装置１００に供給する直前で処理液を加熱するヒータＨ２の出力を大きく変動させる必要が無く、出力がほぼ一定となるような制御を行えば良いため、制御が容易である。さらに、第２の領域Ｒ２の処理液は、一度ヒータＨ１により加熱されているので、第１の領域Ｒ１の処理液に比して液温が高くなっている。これにより、ヒータＨ２は、比較的少ない出力で処理液を所定の温度まで加熱することが出来る。

従来においては、供給タンクに仕切りが設けられていなかったため、不定期かつ不定量で回収される処理液により、供給タンク内の液温が常に変動していた。このような変動する液温に対して、所望の温度となるように処理液を加熱するヒータの出力を制御することは困難であった。例えば、回収される処理液の量は、基板処理装置における処理が重なることにより、一時的に増加する。このような場合には、供給タンク内の液温が大きく下がることになるが、これに合わせてヒータの出力を上げたとしても、その後回収される処理液の量が減少すると、即座にヒータの出力を抑えなければならない。一方で、本実施形態の供給タンク１０においては、第１の仕切り板１１１により仕切られた第２の領域Ｒ２の処理液は、不定期かつ不定量で導入される処理液の温度の影響を受けにくいため、第２の領域Ｒ２の処理液を加熱するヒータＨ２の出力変動を抑え、安定的に制御することが出来る。

（２）本実施形態の第１の仕切り板１１１は、第１の領域Ｒ１と第２の領域Ｒ２とを連通させ、処理液が流れる開口１１ａを備える。これにより、開口１１ａを介して第２の領域Ｒ２の処理液の一部が第１の領域Ｒ１に流れるので、例えば第１の領域Ｒ１に回収した処理液が流れ込まない場合であっても、ポンプＰ１が送り出す処理液の流量を維持することが出来る。仮に、第１の仕切り板１１１に開口１１ａが設けられていないとすると、第１の領域Ｒ１に導入される処理液の量が変動することにより、ポンプＰ１からヒータＨ１に送り込まれる処理液の流量も変動するので、ヒータＨ１の出力を制御することが困難になる。一方で、本実施形態の第１の仕切り板１１１に設けられた開口１１ａは、ポンプＰ１からヒータＨ１に送り込まれる処理液の流量を一定に保つことが、あるいは流量の変動を抑えることが出来るので、ヒータＨ１の出力制御を安定させることが出来る。

さらに、供給タンク１０に複数の基板処理装置１００が接続されている場合、各基板処理装置１００における基板処理のタイミングによっては、第１の領域Ｒ１に導入される処理液の量が大きく減少することになる。この場合、第１の仕切り板１１１の開口１１ａを介して、第２の領域Ｒ２から第１の領域Ｒ１に処理液が流れ込むが、第２の領域Ｒ２の処理液は、一度ヒータＨ１により加熱されて液温が高くなっている。従って、第１の領域Ｒ１から配管Ｐに吸い出される処理液の液温も高いため、ヒータＨ１は、比較的少ない出力で処理液を所定の温度まで加熱することが出来る。なお、第１の領域Ｒ１に導入される処理液の量が大きく減少するタイミングに合わせて配管Ｎから新液を供給することにより、新液に一度加熱された第２の領域Ｒ２からの処理液が混ざるため、ヒータＨ１は、比較的少ない出力で新液を所定の温度まで加熱することが出来る。

（３）本実施形態の供給タンク１０は、第２の領域Ｒ２を、配管Ｐから処理液が送り出される領域Ｒ３と、基板処理装置１００に処理液を供給する領域Ｒ４とに仕切る第２の仕切り板１１２を更に備え、第２の仕切り板１１２は、領域Ｒ３と領域Ｒ４とを連通させ、処理液が流れる開口１１ａを備える。これにより、回収された処理液が導入される第１の領域Ｒ１と処理液を供給する第２の領域Ｒ２の領域Ｒ４との間に２枚の仕切り板１１が設けられるので、基板処理装置１００に供給する処理液に対する液温変化をより効果的に抑制することが出来る。

（４）本実施形態の第１の仕切り板１１１の開口１１ａは、第１の仕切り板１１１の端部が接続される容器１０ａの一側面側に設けられ、第２の仕切り板１１２の開口１１ａは、容器１０ａの一側面に対向する他側面側に設けられる。このように、２枚の仕切り板１１の開口１１ａを、互い違いに配置することにより、処理液が回収される第１の領域Ｒ１から処理液を供給する第２の領域Ｒ２の領域Ｒ４に処理液が流入しにくくなっているので、液温変化を更に効果的に抑制することが出来る。

（５）本実施形態の配管Ｐは、第２の領域Ｒ２において、第１の仕切り板１１１の開口１１ａの近傍に設けられる。これにより、第１の領域Ｒ１の液温の低い処理液が、第２の領域Ｒ２に流れ込むことが抑制される。さらに、処理液は液温の高い方から低い方へと移動する性質を持つので、第２の領域Ｒ２から第１の領域Ｒ１に処理液が流れ込むことにより、エッチング後の処理液により第１の領域Ｒ１の処理液の液温が低下する速度を抑えることが出来る。これにより、ヒータＨ１の出力変動を抑えることが出来るので、ヒータＨ１の制御が容易になる。また、第２の領域Ｒ２から第１の領域Ｒ１に流れ込んだ処理液も、ヒータＨ１により再加熱されるため、第２の領域Ｒ２の液温をより一層安定させることが出来る。

（６）本実施形態の供給装置１は、上述の供給タンク１０と、基板処理装置１００に、第２の領域Ｒ２の処理液を供給する配管Ｓと、配管Ｓの経路上に設けられ、処理液を加熱するヒータＨ２と、を備える。さらに、配管Ｓから分岐して設けられ、容器１０ａに処理液を導入する配管Ｒを備える。従来においては、例えば基板処理装置１００における処理が滞っている場合に、配管Ｓ内で処理液の液温が低下するおそれがあった。本実施形態の供給装置１は、このような場合であっても配管Ｒにより処理液を循環させることにより、常にヒータＨ２により加熱されて間もない処理液を供給することが出来るので、液温が低下した処理液を基板処理装置１００に供給するおそれを低減することが出来る。また、配管ＲからヒータＨ２により加熱された処理液が第１の領域Ｒ１に導入されるので、エッチング後の液温が低下した処理液により第１の領域Ｒ１の処理液の液温が大きく下がることを抑制することが出来る。これにより、ヒータＨ１の出力変動を抑え、安定的に制御することが出来る。

なお、基板処理装置１００における基板処理が終了すると、配管Ｃから処理液が導入されなくなり、供給タンク１０内の処理液は、配管Ｓ及び配管Ｒにより循環する。この場合、ヒータＨ１及びＨ２は、配管Ｓ及び配管Ｒにおける放熱分の熱量のみを補充すればよいので、比較的少ない出力で処理液を所定の温度まで加熱することが出来る。

（７）本実施形態の供給システムＳＳは、上述の供給装置１と、処理液により基板Ｗを処理する基板処理装置１００と、基板処理装置１００から基板Ｗを処理した後の処理液を回収し、容器１０ａの第１の領域Ｒ１に導入する配管Ｃと、を備え、配管Ｃは、容器１０ａにおいて、第１の仕切り板１１１の開口１１ａが設けられる側の一側面に対向する他側面側に設けられる。これにより、配管Ｃから導入されるエッチング後の液温が低下した処理液が、直ぐに第１の仕切り板１１１の開口１１ａを介して領域Ｒ３に流入し、領域Ｒ３の処理液の液温を低下させることを回避出来る。

（変形例）
本実施形態は、上記の態様に限定されるものではなく、以下のような変形例も構成可能である。例えば、配管Ｐ、ＳにそれぞれポンプＰ１、Ｐ２を設けたが、配管Ｃ、Ｎ、Ｒにもそれぞれポンプを設けても良い。さらに、配管Ｎは、第１の領域Ｒ１に接続されるものとしたが、予め加熱した状態で供給タンク１０に導入出来るのであれば、第２の領域Ｒ２に接続しても良い。この場合、配管Ｎにもヒータを設けても良い。

また、上記の態様においては、仕切り板１１の枚数を２枚としたが、これに限られない。１枚であっても、３枚以上であっても良い。少なくとも、回収される処理液が導入される領域と、加熱した処理液を供給する領域とが仕切られていればよい。また、開口１１ａが設けられる位置についても、特に限定されず、例えば仕切り板１１の中央部分に設けられてもよい。なお、開口１１ａは長丸孔に限らず、スリットであっても良いし、複数の丸孔を並べたものであっても良い。また、第１の領域Ｒ１と第２の領域Ｒ２の液面高さを一定にするための連通管を設け、開口１１ａの役割を代替させても良い。

また、上記の態様においては、第２の領域Ｒ２の領域Ｒ３と領域Ｒ４との間を開口１１ａにより連通させたが、第１の領域Ｒ１と第２の領域Ｒ２との間と同様に、配管により連通させ、配管の経路上に設けられたポンプにより、領域Ｒ３から領域Ｒ４に処理液を送り出しても良い。あるいは、第２の仕切り板１１２に開口１１ａを設けず、領域Ｒ４の液面高さが第２の仕切り板１１２の上端に達することにより、領域Ｒ４の処理液が領域Ｒ３に流れ込むようにしても良い。

また、開口１１ａが設けられた仕切り板１１と、開口１１ａが設けられない仕切り板１１を混在させても良い。このような態様について、図３を参照しつつ説明する。なお、図３に示す構成については、図１と異なる部分だけを説明するに止め、共通する部分については説明を省略する。

図３に示す供給タンク１０は、第１の仕切り板１１１、第２の仕切り板１１２に加え、第３の仕切り板１１３を備える。第３の仕切り板１１３は、第２の領域Ｒ２の領域Ｒ４を、第２の仕切り板１１２の開口１１ａを介して領域Ｒ３と連通している領域Ｒ５と、配管Ｓに接続され、基板処理装置１００に処理液を供給する領域Ｒ６とに仕切るように設けられる。上述のように、第３の仕切り板１１３には開口１１ａが設けられていない。一方で、図３に示すように、第３の仕切り板１１３の上端は、領域Ｒ６の処理液の液面よりも高い位置であって、容器１０ａの側面の上端よりも低い位置に設けられる。これにより、領域Ｒ６において第３の仕切り板１１３よりも処理液の液面が高くなると、領域Ｒ６の処理液は第３の仕切り板１１３の上端から領域Ｒ５に流れる。

また、領域Ｒ５には、底部に配管Ｑが接続される。配管Ｑは、領域Ｒ５の底部から領域Ｒ６に処理液を送り出す。すなわち、配管Ｑの経路上には、ポンプＰ３が設けられ、このポンプＰ３により、領域Ｒ５の処理液は、配管Ｑに吸い出され、順次領域Ｒ６に導入される。これにより、基板処理装置１００に供給される処理液は、開口１１ａを介して液温が低い第１の領域Ｒ１の処理液と混じり合うことが無いため、より確実に液温を維持することが出来る。加えて、開口１１ａが設けられていない第３の仕切り板１１３により、領域Ｒ６の処理液は、領域Ｒ５の処理液からの熱が遮断されているので、より一層温度変化が抑制されている。これにより、ヒータＨ２の出力変動が非常に小さくなるため、その制御が容易となる。さらに、ポンプＰ３の出力をポンプＰ２の出力よりも大きく設定することにより、領域Ｒ６の液面を常に一定、すなわち第３の仕切り板１１３の高さに維持することが出来る。これにより、ポンプＰ２に送られる処理液の流量を更に一定に保つことが出来るので、ヒータＨ２の加熱制御をより安定させることが出来る。

［他の実施形態］
以上、本発明の実施形態及び各部の変形例を説明したが、この実施形態や各部の変形例は、一例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。上述したこれら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明に含まれる。

１００ 基板処理装置
１０１ 回転駆動部
１０２ 処理液供給部
１０３ 処理液回収部
１０ 供給タンク
１０ａ 容器
１１、１１１、１１２、１１３ 仕切り板
１１ａ 開口
Ｃ、Ｎ、Ｐ、Ｑ、Ｒ、Ｓ 配管
Ｈ１、Ｈ２ ヒータ
Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３ ポンプ
Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６ 領域
ＴＨ タンク内ヒータ
Ｗ 基板

Claims (10)

1. 基板処理装置に処理液を供給する供給タンクであって、
   前記処理液を貯留する容器と、
   前記容器を、前記処理液が導入される第１の領域と、前記基板処理装置に前記処理液を供給する第２の領域とに仕切る第１の仕切り板と、
   前記第２の領域に、前記第１の領域に導入された前記処理液を送り出す第１の配管と、
   前記第１の配管の経路上に設けられ、前記処理液を加熱する第１のヒータと、
   を備え、
   前記第１の仕切り板は、前記第１の領域と前記第２の領域とを連通させ、前記処理液が流れる開口を備える供給タンク。
2. 前記第２の領域を、前記第１の配管により送り出された前記処理液が導入される第３の領域と、前記基板処理装置に前記処理液を供給する第４の領域とに仕切る第２の仕切り板を更に備え、
   前記第２の仕切り板は、前記第３の領域と前記第４の領域とを連通させ、前記処理液が流れる開口を備える、
   請求項１に記載の供給タンク。
3. 前記第１の仕切り板の開口は、前記第１の仕切り板の端部が接続される前記容器の一側面側に設けられ、
   前記第２の仕切り板の開口は、前記容器の前記一側面に対向する他側面側に設けられる、
   請求項２に記載の供給タンク。
4. 前記第１の配管の流入口は、前記第１の領域において、前記第１の仕切り板の開口の近傍に設けられる、
   請求項１乃至３のいずれかに記載の供給タンク。
5. 前記第１の配管の流出口は、前記第２の領域において、前記第１の仕切り板の開口の近傍に設けられる、
   請求項１乃至４のいずれかに記載の供給タンク。
6. 前記第４の領域を、前記第２の仕切り板の開口を介して前記第３の領域と連通している第５の領域と、前記基板処理装置に前記処理液を供給する第６の領域とに仕切る第３の仕切り板と、
   前記第６の領域に、前記第５の領域の前記処理液を送り出す第２の配管と、
   を更に備え、
   前記第３の仕切り板には、前記第６の領域から前記第５の領域に前記処理液が流れる開口が設けられておらず、
   前記第３の仕切り板の上端は、前記第５の領域の前記処理液の液面よりも高い位置であって、前記容器の側面の上端よりも低い位置に設けられる、
   請求項２または３に記載の供給タンク。
7. 請求項１乃至６のいずれかに記載の供給タンクと、
   前記基板処理装置に、前記第２の領域の前記処理液を供給する供給配管と、
   前記供給配管の経路上に設けられ、前記処理液を加熱する第２のヒータと、
   を備える供給装置。
8. 前記供給配管から分岐して設けられ、前記容器に前記処理液を導入するリターン配管を更に備える、
   を備える請求項７に記載の供給装置。
9. 請求項７または８に記載の供給装置と、
   前記処理液により基板を処理する基板処理装置と、
   前記基板処理装置から前記基板を処理した後の処理液を回収し、前記容器の前記第１の領域に導入する回収配管と、
   を備える供給システム。
10. 前記回収配管は、前記容器において、前記第１の仕切り板の開口が設けられる側の一側面に対向する他側面側に設けられる、
    請求項９に記載の供給システム。

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