TWI820233B - 基板處理裝置之控制裝置及基板處理裝置之控制方法 - Google Patents

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Abstract

[課題]提供如下述技術：即便在實際處理條件偏離了基準處理條件的情況下，亦可如所期望般地對基板進行處理。 [解決手段]本揭示之一態樣的基板處理裝置之控制裝置，係具備有：讀出部；推測部；比較部；及修正部。讀出部，係讀出對基板進行處理的基準處理條件。推測部，係推測出基板被處理時的實際處理條件。比較部，係將基準處理條件與實際處理條件進行比較。修正部，係根據比較部之比較結果，修正基板的處理條件。

Description

基板處理裝置之控制裝置及基板處理裝置之控制方法
所揭示之實施形態，係關於基板處理裝置之控制裝置及基板處理裝置之控制方法。
以往，已知一種以處理液等來對半導體晶圓(以下，亦稱為晶圓)等的基板進行處理之技術(參閱專利文獻1)。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2015-211201號公報
[本發明所欲解決之課題]
本揭示，係提供如下述技術：即便在實際處理條件偏離了基準處理條件的情況下，亦可如所期望般地對基板進行處理。 [用以解決課題之手段]
本揭示之一態樣的基板處理裝置之控制裝置，係具備有：讀出部；推測部；比較部；及修正部。讀出部，係讀出對基板進行處理的基準處理條件。推測部，係推測出前述基板被處理時的實際處理條件。比較部，係將前述基準處理條件與前述實際處理條件進行比較。修正部，係根據前述比較部之比較結果，修正前述基板的處理條件。 [發明之效果]
根據本揭示，係即便在實際處理條件偏離了基準處理條件的情況下，亦可如所期望般地對基板進行處理。
以下，參閱添附圖面，詳細地說明本申請案所揭示之基板處理裝置之控制裝置及基板處理裝置之控制方法的實施形態。另外，本揭示並不受以下所示的各實施形態所限定。又，圖面為示意圖，需要注意的是，各要素之尺寸的關係、各要素的比率等，係有時與實際不同。而且，在圖面相互之間，有時亦包含彼此之尺寸的關係或比率不同的部分。
已知一種以處理液等來對半導體晶圓(以下，亦稱為晶圓)等的基板進行處理之技術。在該基板處理中，係存在有因基板處理裝置的裝置配置等而引起實際處理條件偏離所期望之基準處理條件的情形。因此，有時難以如所期望般地對基板進行處理。
因此，即便在實際處理條件偏離了基準處理條件的情況下，期待亦可如所期望般地對基板進行處理。
＜基板處理系統之概要＞ 一開始，參閱圖1，說明關於實施形態之基板處理系統1的概略構成。圖1，係表示實施形態之基板處理系統1之概略構成的圖。另外，基板處理系統1，係基板處理裝置之一例。在以下中，係為了明確位置關係，而規定相互正交之X軸、Y軸及Z軸，並將Z軸正方向設成為垂直向上方向。
如圖1所示般，基板處理系統1，係具備有：搬入搬出站2；及處理站3。搬入搬出站2與處理站3，係鄰接設置。
搬入搬出站2，係具備有：載體載置部11；及搬送部12。在載體載置部11，係載置有複數個載體C，該複數個載體C，係以水平狀態收容複數片基板，實施形態中為半導體晶圓W(以下，稱為晶圓W)。
搬送部12，係鄰接設置於載體載置部11，在內部具備有基板搬送裝置13與收授部14。基板搬送裝置13，係具備有保持晶圓W的晶圓保持機構。又，基板搬送裝置13，係可朝水平方向及垂直方向移動和以垂直軸為中心旋轉，並使用晶圓保持機構，在載體C與收授部14之間進行晶圓W的搬送。
處理站3，係鄰接設置於搬送部12。處理站3，係具備有：搬送部15；及複數個處理單元16。複數個處理單元16，係被排列設置於搬送部15的兩側。
搬送部15，係在內部具備有基板搬送裝置17。基板搬送裝置17，係具備有保持晶圓W的晶圓保持機構。又，基板搬送裝置17，係可朝水平方向及垂直方向移動和以垂直軸為中心旋轉，使用晶圓保持機構，在收授部14與處理單元16之間進行晶圓W之搬送。
處理單元16，係對藉由基板搬送裝置17所搬送之晶圓W進行預定的基板處理。
又，基板處理系統1，係具備有控制裝置4。控制裝置4，係例如電腦，具備有控制部18與記憶部19。在記憶部19，係儲存有程式，該程式，係控制基板處理系統1中所執行的各種處理。控制部18，係藉由讀出並執行被記憶於記憶部19之程式的方式，控制基板處理系統1的動作。關於控制裝置4之細節，係如後述。
另外，該程式，係被記錄於可藉由電腦而讀取的記憶媒體者，且亦可為從該記憶媒體被安裝於控制裝置4的記憶部19者。作為可藉由電腦讀取之記憶媒體，係例如有硬碟(HD)、軟碟片(FD)、光碟(CD)、磁光碟(MO)、記憶卡等。
在如上述般所構成的基板處理系統1中，係首先，搬入搬出站2之基板搬送裝置13從被載置於載體載置部11的載體C取出晶圓W，並將取出的晶圓W載置於收授部14。載置於收授部14之晶圓W，係藉由處理站3的基板搬送裝置17，從收授部14被取出且搬入至處理單元16。
搬入至處理單元16之晶圓W，係在藉由處理單元16予以處理後，藉由基板搬送裝置17，從處理單元16被搬出且載置於收授部14。而且，載置於收授部14之處理完畢的晶圓W，係藉由基板搬送裝置13，返回到載體載置部11之載體C。
＜處理單元之構成＞ 其次，參閱圖2，說明關於處理單元16之構成。圖2，係表示處理單元16之具體構成例的示意圖。如圖2所示般，處理單元16，係具備有：腔室20；基板處理部30；液供給部40；及回收罩杯50。
腔室20，係收容有：基板處理部30；液供給部40；及回收罩杯50。在腔室20之頂部，係設置有FFU (Fan Filter Unit)21。FFU21，係在腔室20內形成下降流。
基板處理部30，係具備有保持部31、支柱部32及驅動部33，對所載置之晶圓W施予液處理。保持部31，係水平地保持晶圓W。支柱部32，係延伸於垂直方向之構件，藉由驅動部33可旋轉地支撐基端部，在前端部水平地支撐保持部31。驅動部33，係使支柱部32繞垂直軸周圍旋轉。
該基板處理部30，係藉由使用驅動部33來使支柱部32旋轉的方式，使被支撐於支柱部32之保持部31旋轉，藉此，使被保持於保持部31的晶圓W旋轉。
在基板處理部30所具備之保持部31的上面，係設置有從側面保持晶圓W的保持構件311。晶圓W，係在些微離開保持部31之上面的狀態下，藉由該保持構件311而水平保持。另外，晶圓W，係在使進行基板處理之表面朝向上方的狀態下，被保持於保持部31。
液供給部40，係對晶圓W供給處理流體。液供給部40，係具備有：噴嘴41；支臂42，水平地支撐該噴嘴41；及旋轉升降機構43，使支臂42旋轉及升降。
噴嘴41，係被連接於吐出管線130。從噴嘴41吐出經由吐出管線130所供給的各種處理液。關於包含了該吐出管線130之基板處理系統1的配管構成，係如後述。
另外，在實施形態之處理單元16中，雖係表示了關於1個噴嘴的例子，但設置於處理單元16之噴嘴的個數，係不限於1個。又，在實施形態之處理單元16中，雖係表示了關於噴嘴41被配置於晶圓W之上方(表面側)的例子，但噴嘴41亦可被配置於晶圓W之下方(背面側)。
回收罩杯50，係被配置為包圍保持部31，捕捉因保持部31之旋轉而從晶圓W飛散的處理液。在回收罩杯50之底部，係形成有排液口51，藉由回收罩杯50所捕捉之處理液，係從該排液口51被排出至處理單元16的外部。又，在回收罩杯50之底部，係形成有將從FFU21所供給之氣體排出至處理單元16之外部的排氣口52。
＜基板處理系統之配管構成＞ 其次，參閱圖3，說明關於被連接於處理單元16之基板處理系統1的配管構成。圖3，係表示實施形態之基板處理系統1之配管構成的示意圖。
在圖3的例子中，係表示關於配置了3個處理單元16(處理單元16a、16b、16c)的情形。而且，從處理液供給部100對3個處理單元16a~16c供給處理液，並從DIW供給部110供給DIW(DeIonized Water：去離子水)。
處理液供給部100，係將酸性藥液或鹼性藥液、有機溶劑等的各種處理液供給至處理單元16a~16c。處理液供給部100，係具有：處理液供給源101；供給管線102；及加熱器103。而且，從處理液供給源101供給至供給管線102之處理液，係藉由加熱器103被升溫至所期望的溫度，且流往供給管線102之下游側。
供給管線102，係從上游側依序具有分歧部104a、104b、104c。而且，分歧管線105a從分歧部104a分歧，分歧管線105b從分歧部104b分歧，分歧管線105c從分歧部104c分歧。
又，分歧管線105a，係被連接於合流部120a，分歧管線105b，係被連接於合流部120b，分歧管線105c，係被連接於合流部120c。而且，在分歧管線105a，係設置有流量調整器106a，在分歧管線105b，係設置有流量調整器106b，在分歧管線105c，係設置有流量調整器106c。
DIW供給部110，係將DIW供給至處理單元16a~16c。DIW供給部110，係具有：DIW供給源111；供給管線112；及加熱器113。而且，從DIW供給源111供給至供給管線112之DIW，係藉由加熱器113被升溫至所期望的溫度，且流往供給管線112之下游側。
供給管線112，係從上游側依序具有分歧部114a、114b、114c。而且，分歧管線115a從分歧部114a分歧，分歧管線115b從分歧部114b分歧，分歧管線115c從分歧部114c分歧。
又，分歧管線115a，係被連接於合流部120a，分歧管線115b，係被連接於合流部120b，分歧管線115c，係被連接於合流部120c。而且，在分歧管線115a，係設置有流量調整器116a，在分歧管線115b，係設置有流量調整器116b，在分歧管線115c，係設置有流量調整器116c。
在合流部120a與DIW匯流之處理液，係藉由使用流量調整器106a、116a的方式，被調整成所期望的濃度並供給至吐出管線130a。另外，藉由在合流部120a使處理液之流動停止的方式，亦可僅將DIW供給至吐出管線130a，並藉由在合流部120a使DIW之流動停止的方式，亦可僅將處理液供給至吐出管線130a。
而且，藉由使被設置於吐出管線130a之閥131a開啟一預定時間的方式，對被配置於處理單元16a之晶圓W(參閱圖2)吐出處理液。又，在吐出管線130a，係設置有溫度感測器132a，可測定流動於吐出管線130a之處理液的溫度。
在合流部120b與DIW匯流之處理液，係藉由使用流量調整器106b、116b的方式，被調整成所期望的濃度並供給至吐出管線130b。另外，藉由在合流部120b使處理液之流動停止的方式，亦可僅將DIW供給至吐出管線130b，並藉由在合流部120b使DIW之流動停止的方式，亦可僅將處理液供給至吐出管線130b。
而且，藉由使被設置於吐出管線130b之閥131b開啟一預定時間的方式，對被配置於處理單元16b之晶圓W吐出處理液。又，在吐出管線130b，係設置有溫度感測器132b，可測定流動於吐出管線130b之處理液的溫度。
在合流部120c與DIW匯流之處理液，係藉由使用流量調整器106c、116c的方式，被調整成所期望的濃度並供給至吐出管線130c。另外，藉由在合流部120c使處理液之流動停止的方式，亦可僅將DIW供給至吐出管線130c，並藉由在合流部120c使DIW之流動停止的方式，亦可僅將處理液供給至吐出管線130c。
而且，藉由使被設置於吐出管線130c之閥131c開啟一預定時間的方式，對被配置於處理單元16c之晶圓W吐出處理液。又，在吐出管線130c，係設置有溫度感測器132c，可測定流動於吐出管線130c之處理液的溫度。
＜控制裝置之細節＞ 其次，參閱圖4，說明關於控制基板處理系統1之控制裝置4的細節。圖4，係表示實施形態之控制裝置4之概略構成的方塊圖。如上述所示般，控制裝置4，係具備有：控制部18；及記憶部19。
記憶部19，係例如藉由RAM(Random Access Memory)、快閃記憶體(Flash Memory)等的半導體記憶體元件或硬碟、光碟等的記憶裝置來實現。如圖4所示般，記憶部19，係具有：配置資訊記憶部19a；及修正資料庫19b。
配置資訊記憶部19a，係記憶關於基板處理系統1之裝置配置的各種資訊。在配置資訊記憶部19a，係例如記憶有圖3所示之基板處理系統1的配管構成、處理單元16的個數或設置位置等的資訊。
在修正資料庫19b，係記憶有關於「當晶圓W之處理條件所包含的各種參數中之1個參數值偏離了基準值時，可如何修正與所偏離之參數不同的參數而繼續實施所期望的處理」之資訊。另外，晶圓W之處理條件所包含的各種參數，係指例如處理液之溫度或流量、濃度、處理時間等。
在修正資料庫19b，係例如記憶有關於「當處理液之溫度偏離了基準值時，可如何分別以何種程度的值來修正與溫度不同之參數即處理液的流量或濃度、處理時間等而繼續實施所期望的處理」之資訊。
具體而言，在修正資料庫19b，係記憶有表示晶圓W之處理條件所包含的複數個參數間之相互關係的資訊(例如，關係式)。修正資料庫19b所含有的資訊，係可事先藉由使用了基板處理系統1的實驗等來求出。
控制部18，係例如藉由下述方式來實現：藉由CPU(Central Processing Unit)或MPU(Micro Processing Unit)等，以RAM作為作業區域來執行被記憶於記憶部19的各種程式。又，控制部18，係例如藉由ASIC(Application Specific Integrated Circuit)或FPGA(Field Programmable Gate Array)等的集成電路來實現。
如圖4所示般，控制部18，係具備有讀出部18a、推測部18b、比較部18c及修正部18d，實現或執行以下所說明之控制處理的功能或作用。另外，控制部18之內部構成，係不限於圖4所示的構成，只要為進行後述之控制處理的構成，則亦可為其他構成。
讀出部18a，係讀出對晶圓W進行處理的基準處理條件。讀出部18a，係例如為了如所期望般地對晶圓W進行處理，而讀出作業員所設定之配方所包含的處理條件作為基準處理條件。在該基準處理條件，係包含有處理液之溫度或流量、濃度、處理時間等的各種參數。
推測部18b，係推測出晶圓W被處理時的實際處理條件。例如，推測部18b，係根據被記憶於配置資訊記憶部19a之基板處理系統1的裝置配置，推測出實際處理條件。又，推測部18b，係亦可根據來自被設置於基板處理系統1之感測器(例如，溫度感測器132a~132c)的資訊，推測出實際處理條件。
比較部18c，係將由讀出部18a所讀出之對晶圓W進行處理的基準處理條件與由推測部18b所推測出之晶圓W被處理時的實際處理條件進行比較。藉此，比較部18c，係可獲得關於「基準處理條件所包含的參數中，值在實際處理條件產生偏離的參數」之資訊。
修正部18d，係根據比較部18c之比較結果，修正晶圓W的處理條件。具體而言，修正部18d，係根據由比較部18c所獲得之關於值在實際處理條件產生偏離的參數之資訊與被記憶於修正資料庫19b之資訊，修正晶圓W的處理條件。
而且，修正部18d，係修正「基準處理條件所包含的複數個參數中與偏離實際處理條件之參數不同」的參數。
＜控制處理之具體例＞ 其次，參閱圖5~圖9，說明關於至此所說明之控制處理的具體例。圖5，係用以說明實施形態之控制處理之具體例的圖。在此，係說明關於在複數個處理單元16a~16c中分別以處理液處理晶圓W的情形。
首先，讀出部18a，係為了如所期望般地對晶圓W進行處理，而讀出作業員所設定之配方所包含的處理條件作為基準處理條件。其次，如圖5所示般，推測部18b，係推測出在處理單元16c中被吐出至晶圓W之處理液之溫度的下降(步驟S1)。
原因在於，由於處理單元16c，係與處理單元16a、16b相比，被連接於處理液供給部100及DIW供給部110之下游側，因此，與處理單元16a、16b相比，存在有處理液之溫度下降的情形。
該處理單元16c中之處理液的溫度下降，係例如可根據配置資訊記憶部19a所包含的基板處理系統1之裝置配置資訊進行推測。該基板處理系統1之裝置配置資訊，係指例如表示「相對於處理液供給部100或DIW供給部110、其他處理單元16a、16b等，處理單元16c被設置於哪個位置」之處理單元16c的設置位置資訊。又，處理單元16c中之處理液的溫度下降，係亦可根據來自被設置於吐出管線130c之溫度感測器132c的資訊進行推測。
其次，比較部18c，係將由讀出部18a所讀出的基準處理條件與由推測部18b所推測出的實際處理條件進行比較。藉此，比較部18c，係可獲得關於「在處理單元16c中，實際之處理液的溫度比基準之處理液的溫度下降」之資訊。
其次，修正部18d，係根據關於處理單元16c中之處理液的溫度下降之資訊，控制閥131c，藉此，修正處理液的處理時間(步驟S2a)。例如，在處理液為蝕刻液的情況下，係由於當處理液之溫度下降時，則蝕刻速率下降，因此，可藉由將處理時間修正為比基準值長的方式，獲得所期望的蝕刻量。
又，修正部18d，係亦可根據關於處理單元16c中之處理液的溫度下降之資訊，控制流量調整器106c、116c的方式，修正處理液之濃度(步驟S2b)。例如，在處理液為蝕刻液的情況下，係可藉由將處理液之濃度修正為比基準值高的方式，獲得所期望的蝕刻量。
另外，上述之處理時間的修正處理(步驟S2a)與濃度的修正處理(步驟S2b)，係亦可僅選擇任一者而實施或亦可同時實施兩者的處理。
如至此所說明般，在實施形態中，係推測出處理條件所包含的參數偏離了基準值，並根據該推測來修正實際處理條件。藉此，即便在實際處理條件偏離了基準處理條件的情況下，亦可如所期望般地對晶圓W進行處理。
又，在實施形態中，係根據基板處理系統1之裝置配置來推測出實際處理條件，藉此，即便在如作業員等無法識別參數偏離了基準值般的情況下，亦可推測出與基準值之偏差。
又，在實施形態中，係根據來自被設置於基板處理系統1之感測器(在此，係溫度感測器132c)的資訊，推測出實際處理條件，藉此，可更正確地推測出與基準值之偏差。
又，在實施形態中，係對與偏離實際處理條件之參數不同的參數進行修正，藉此，即便在因裝置構成不同而無法修正之參數偏離了基準值的情況下，亦可如所期望般地對晶圓W進行處理。
另外，在上述的實施形態中，雖係表示了關於處理液為蝕刻液的情形，但處理液，係不限於蝕刻液，亦可為任何種類的處理液。又，雖表示了關於處理液之溫度比基準值下降的情形，但亦可將上述實施形態應用於處理液之溫度比基準值上升的情形。
例如，在以高溫之處理液連續地處理晶圓W的情況下，由於處理單元16c之溫度因蓄熱而上升，因此，存在有處理液的溫度伴隨著該處理單元16c之溫度上升而上升的情形。
在該情況下，亦可藉由實施上述之處理時間的修正處理(步驟S2a)及濃度的修正處理(步驟S2b)之至少一者的方式，如所期望般地對晶圓W進行處理。
例如，由於當處理液即蝕刻液之溫度上升時，則蝕刻速率增加，因此，可藉由將處理時間修正為比基準值短或將處理液之濃度修正為比基準值低的方式，獲得所期望的蝕刻量。
圖6，係用以說明實施形態之控制處理之另一具體例的圖。例如，在洗淨處理晶圓W之背面的情況下，以相同的背面噴嘴吐出洗淨液即處理液與DIW而進行處理，係可抑制因處理液所造成之背面噴嘴的污染風險。
在該晶圓W背面之洗淨處理中，係首先，打開分歧管線105a側的合流部120a，將處理液供給至處理單元16a，其次，打開分歧管線115a側的合流部120a，將DIW供給至處理單元16a。
然而，即便為了供給處理液而打開分歧管線105a側的合流部120a，亦成為前次沖洗處理中所使用的DIW殘留於比吐出管線130a之合流部120a更下游側的狀態。因此，在打開分歧管線105a側之合流部120a且供給處理液之際，係首先，從背面噴嘴吐出殘留於比合流部120a更下游側的DIW。因此，實際之處理液的處理時間，係比所設定之處理液的處理時間短。
另外，當在供給處理液後，關閉分歧管線105a側之合流部120a時，則由於在比合流部120a更下游側，係成為殘留有處理液的狀態，因此，在接下來吐出DIW之際，係首先，從背面噴嘴吐出殘留的處理液。因此，在DIW與處理液之吐出流量相同的情況下，係實質的處理時間不變。
另一方面，在DIW之吐出流量大於處理液之吐出流量的情況下，係由於以處理液進行之液處理比以DIW進行之沖洗處理更早結束，因此，以該處理液進行之液處理的實際處理時間，係比基準處理時間短。
因此，在圖6的例子中，係推測部18b根據基板處理系統1之裝置配置資訊，推測出該處理時間的差異(步驟S11)。該基板處理系統1之裝置配置資訊，係指例如處理單元16的配管資訊，具體而言，係指表示被供給至處理單元16內之晶圓W的處理液及DIW是否由同一噴嘴吐出的噴嘴分派資訊(assignment information)。而且，根據該處理時間的差異，修正部18d，係藉由控制流量調整器106a或流量調整器116a的方式，修正處理液或DIW之流量(步驟S12)。
在此，參閱圖7~圖9，說明關於該圖6的例子中之處理的具體例。圖7~圖9，係用以說明實施形態之控制處理之另一具體例之細節的圖(1)~(3)。
在圖7中，係表示以另一噴嘴吐出被供給至晶圓W之處理液及DIW的例子。亦即，如圖7(a)所示般，將處理液從被設置於吐出管線130a之前端的背面噴嘴41a吐出至晶圓W的背面，並將DIW從被設置於另外設置之吐出管線135之前端的背面噴嘴41b吐出至晶圓W的背面。
另外，雖未圖示，但吐出管線135，係被連接於DIW供給部110。而且，藉由控制被設置於該吐出管線135之閥136的方式，可從背面噴嘴41b吐出DIW。
又，在圖7~圖9中，係為了易於理解，在配管內被處理液填滿之部份，係賦予斜線的陰影線，在被DIW被填滿之部位，係賦予點的陰影線。
首先，如圖7(b)所示般，藉由控制合流部120a等的方式，實施將處理液供給至背面噴嘴41a的液處理。另外，在該液處理中，係設成為藉由以使用者等事先所設定的方式，從背面噴嘴41a以1000mL/min之流量吐出處理液並吐出3秒。
首先，如圖7(c)所示般，藉由控制閥136等的方式，實施將DIW供給至背面噴嘴41b的沖洗處理。另外，在該沖洗處理中，係設成為藉由以使用者等事先所設定的方式，以1500mL/min之流量吐出DIW並吐出一預定時間。
如圖7所示般，在以另一噴嘴實施了液處理與沖洗處理的情況下，液處理及沖洗處理之設定的處理時間與實際處理時間一致。而且，如圖7所示般，將藉由硬體構成進行實施時的處理時間設成為基準處理時間，該硬體構成，係液處理及沖洗處理之設定的處理時間與實際處理時間一致。
而且，在圖8中，表示關於在藉由同一噴嘴即背面噴嘴41a，以同一設定條件進行了由如圖7般的另一噴嘴所實施之處理的情形。另外，如圖8(a)所示般，由於在前次處理中執行以DIW進行之沖洗處理，因此，在液處理之開始前，係吐出管線130a被DIW填滿。
首先，如圖8(b)所示般，藉由控制合流部120a等的方式，實施將處理液供給至背面噴嘴41a的液處理。另外，在該液處理中，係與圖7的例子相同地，設成為藉由以使用者等事先所設定的方式，以1000mL/min之流量吐出處理液並吐出3秒。
然而，由於在該液處理之開始前，係吐出管線130a被DIW填滿，因此，如圖8(b)所示般，在液處理中，係最初從背面噴嘴41a吐出DIW。而且，如圖8(c)所示般，在吐出管線130a被處理液填滿後，從背面噴嘴41a吐出處理液。
其次，如圖8(d)所示般，藉由控制合流部120a等的方式，實施將DIW供給至背面噴嘴41a的沖洗處理。另外，在該沖洗處理中，係與圖7的例子相同地，設成為藉由以使用者等事先所設定的方式，以1500mL/min之流量吐出DIW並吐出一預定時間。
然而，由於在該沖洗處理之開始前，係吐出管線130a被處理液填滿，因此，如圖8(d)所示般，在沖洗處理中，係最初從背面噴嘴41a吐出處理液。而且，如圖8(e)所示般，在吐出管線130a被DIW填滿後，從背面噴嘴41a吐出DIW。
而且，在沖洗處理中，雖係最初從背面噴嘴41a吐出處理液，但該沖洗處理，係以流量1500mL/min來實施。因此，吐出殘留於吐出管線130a之處理液的時間，係比以流量1000mL/min所吐出的時間短。
因此，在液處理的後半部分及沖洗處理的前半部分所吐出之處理液的吐出時間，係總計為2秒，比圖7之例子所示的基準處理時間3秒短。亦即，雖然欲吐出處理液3秒而實施液處理，但由於僅以比所設定之處理時間短的時間即2秒吐出處理液，因此，恐有無法實施所期望的液處理之虞。
因此，在實施形態中，係設成為根據表示被供給至處理單元16內的晶圓W之處理液及DIW是否由同一噴嘴吐出的噴嘴分派資訊，推測出處理時間的差異，並修正流量，藉此，進行所期望的液處理。在圖9中，表示該修正處理之具體例。
如圖9(a)所示般，由於在前次處理中執行以DIW進行之沖洗處理，因此，在液處理之開始前，係吐出管線130a被DIW填滿。
首先，如圖9(b)所示般，藉由控制合流部120a等的方式，實施將處理液供給至背面噴嘴41a的液處理。另外，在該液處理中，係與圖7的例子相同地，設成為藉由以使用者等事先所設定的方式，以1000mL/min之流量吐出處理液並吐出3秒。
然而，由於在該液處理之開始前，係吐出管線130a被DIW填滿，因此，如圖9(b)所示般，在液處理中，係最初從背面噴嘴41a吐出DIW。而且，如圖9(c)所示般，在吐出管線130a被處理液填滿後，從背面噴嘴41a吐出處理液。
其次，如圖9(d)及圖9(e)所示般，藉由控制合流部120a等的方式，實施將DIW供給至背面噴嘴41a的沖洗處理。
在此，在實施形態中，係如圖9(d)所示般，在該沖洗處理中，直至處理液從吐出管線130a消失的期間，修正部18d將流量修正成與液處理相同的條件即1000 mL/min。而且，如圖9(e)所示般，在處理液從吐出管線130a消失後，修正部18d使流量恢復到所期望的流量即1500mL/min。
藉此，可將在液處理的後半部分及沖洗處理的前半部分所吐出之處理液的吐出時間設成總計為3秒，並可與圖7之例子所示的基準處理時間3秒一致。
如至此所說明般，在以同一噴嘴即背面噴嘴41a吐出處理液與DIW而進行處理的情況下，即便處理液或DIW之處理時間與基準值不同，亦可如所期望般地對晶圓W進行處理。
＜變形例＞ 接著，參閱圖10，說明關於實施形態之變形例之基板處理系統1的配管構成。圖10，係表示實施形態之變形例之基板處理系統1之配管構成的示意圖。
如圖10所示般，變形例之基板處理系統1，係「將於處理單元16a~16c中使用的處理液經由回收管線160回收至儲槽143，並再利用處理液」該點與實施形態不同。因此，針對與實施形態相同之部位，係賦予相同符號，且省略詳細的說明。
變形例之基板處理系統1，係具備有：供給部140，將處理液供給至處理單元16a~16c，該處理液，係以DIW將各種處理液調製成預定濃度。該供給部140，係具有：處理液供給部141；DIW供給部142；儲槽143；及循環管線144。
處理液供給部141，係將各種處理液供給至儲槽143。該處理液供給部141，係具有：處理液供給源141a；閥141b；及流量調整器141c。DIW供給部142，係將DIW供給至儲槽143。該DIW供給部142，係具有：DIW供給源142a；閥142b；及流量調整器142c。
儲槽143，係藉由使用處理液供給部141與DIW供給部142的方式，儲存處理液，該處理液，係以DIW將各種處理液調製成預定濃度。又，儲槽143，係經由閥143a被連接於排液部。藉此，控制部18，係可在更換儲槽143內的處理液之際等，控制閥143a，將閥143a內的處理液排出至排液部。
循環管線144，係指從儲槽143流出而返回到該儲槽143的循環管線。在該循環管線144，係以儲槽143作為基準，從上游側依序設置有泵145、過濾器146、流量調整器147、濃度感測器148及分歧部149a~149c。
泵145，係形成從儲槽143流出而通過循環管線144並返回儲槽143之處理液的循環流。過濾器146，係將循環於循環管線144內之處理液所含有之微粒等的污染物質去除。流量調整器147，係調整通過循環管線144之處理液之循環流的流量。濃度感測器148，係測定通過循環管線144之處理液的濃度。
吐出管線130a從分歧部149a分歧，吐出管線130b從分歧部149b分歧，吐出管線130c從分歧部149c分歧。在吐出管線130a，係設置有：閥131a；流量感測器133a；及加熱器134a。在吐出管線130b，係設置有：閥131b；流量感測器133b；及加熱器134b。在吐出管線130c，係設置有：閥131c；流量感測器133c；及加熱器134c。
又，處理單元16a~16c之排液口51(參閱圖2)，係經由共同的回收管線160被連接於儲槽143。
圖11，係表示實施形態之變形例之控制裝置4之概略構成的方塊圖。由於變形例之控制裝置4的內部構成，係與圖4所示之實施形態相同，因此，省略詳細的說明。
另一方面，在圖11所示之變形例中，係推測部18b接收來自流量感測器133a~133c的資訊與來自濃度感測器148的資訊。又，在變形例中，係修正部18d控制閥131a~131c與加熱器134a~134c。
其次，參閱圖12及圖13，說明變形例之控制處理的具體例。圖12，係用以說明實施形態之變形例之控制處理之具體例的圖。
如變形例之基板處理系統1般，在以回收管線160將供給至處理單元16a~16c之處理液回收且再利用的裝置配置中，係存在有從循環管線144所供給之處理液的濃度隨著對晶圓W進行處理而逐漸上升的情形。
因此，在圖12的例子中，係推測部18b推測出流動於循環管線144之處理液之濃度的上升(步驟S21)。流動於該循環管線144之處理液的濃度上升，係例如可根據來自被設置於循環管線144之濃度感測器148的資訊進行推測。
又，流動於該循環管線144之處理液的濃度上升，係亦可根據配置資訊記憶部19a所包含的基板處理系統1之裝置配置資訊進行推測。
而且，根據關於流動於循環管線144之處理液的濃度上升之資訊，修正部18d，係藉由控制閥134a的方式，修正處理液的溫度(步驟S22a)。例如，在處理液為蝕刻液的情況下，係由於當處理液之濃度上升時，則蝕刻速率增加，因此，可藉由將處理液之溫度修正為比基準值低的方式，獲得所期望的蝕刻量。
又，修正部18d，係亦可根據流動於循環管線144之處理液的濃度上升之資訊，控制閥131a，藉此，修正處理液的處理時間(步驟S22b)。例如，在處理液為蝕刻液的情況下，係可藉由將處理液之處理時間修正為比基準值短的方式，獲得所期望的蝕刻量。
圖13，係用以說明實施形態之變形例之控制處理之另一具體例的圖。如圖13所示般，推測部18b，係推測出在處理單元16c中被吐出至晶圓W之處理液之流量的下降(步驟S31)。
原因在於，由於處理單元16c，係與處理單元16a、16b相比，被連接於循環管線144之下游側，因此，在與處理單元16a、16b同時地使用處理液的情況下，係存在有處理液之供給壓力下降的情形。
該處理單元16c中之處理液的流量下降，係例如可根據配置資訊記憶部19a所包含的基板處理系統1之裝置配置資訊進行推測。又，處理單元16c中之處理液的流量下降，係亦可根據來自被設置於吐出管線130c之流量感測器133c的資訊進行推測。
而且，根據關於處理單元16c中之處理液的流量下降之資訊，修正部18d，係藉由控制閥134c的方式，修正處理液的溫度(步驟S32a)。例如，在處理液為蝕刻液的情況下，係由於當處理液之流量下降時，則蝕刻速率下降，因此，可藉由將處理液之溫度修正為比基準值高的方式，獲得所期望的蝕刻量。
又，修正部18d，係亦可根據關於處理單元16c中之處理液的流量下降之資訊，控制閥131c，藉此，修正處理液的處理時間(步驟S32b)。例如，在處理液為蝕刻液的情況下，係可藉由將處理液之處理時間修正為比基準值長的方式，獲得所期望的蝕刻量。
如至此所說明般，在變形例中，係與實施形態相同地，推測出處理條件所包含的參數偏離了基準值，並根據該推測來修正實際處理條件。藉此，即便在實際處理條件偏離了基準處理條件的情況下，亦可如所期望般地對晶圓W進行處理。
另外，上述之溫度的修正處理(步驟S22a、S32a)與處理時間的修正處理(步驟S22b、S32b)，係亦可僅選擇任一者而實施或亦可同時實施兩者的處理。又，由於在圖12的例子中，係可推測為被供給至處理單元16b、16c之處理液的濃度亦上升，因此，可實施與上述的處理單元16a中之處理相同的處理。
實施形態之基板處理裝置(基板處理系統1)的控制裝置4，係具備有：讀出部18a；推測部18b；比較部18c；及修正部18d。讀出部18a，係讀出對基板(晶圓W)進行處理的基準處理條件。推測部18b，係推測出基板(晶圓W)被處理時的實際處理條件。比較部18c，係將基準處理條件與實際處理條件進行比較。修正部18d，係根據比較部18c之比較結果，修正基板(晶圓W)的處理條件。藉此，即便在實際處理條件偏離了基準處理條件的情況下，亦可如所期望般地對基板進行處理。
又，在實施形態之基板處理裝置(基板處理系統1)的控制裝置4中，推測部18b，係根據基板處理裝置(基板處理系統1)之裝置配置，推測出實際處理條件。藉此，即便在如作業員等無法識別參數偏離了基準值般的情況下，亦可推測出與基準值之偏差。
又，在實施形態之基板處理裝置(基板處理系統1)的控制裝置4中，推測部18b，係根據來自被設置於基板處理裝置(基板處理系統1)之感測器的資訊，推測出實際處理條件。藉此，可更正確地推測出與基準值之偏差。
又，在實施形態之基板處理裝置(基板處理系統1)的控制裝置4中，修正部18d，係修正「基準處理條件所包含的複數個參數中與偏離實際處理條件之參數不同」的參數。藉此，即便在因裝置構成不同而無法修正之參數偏離了基準值的情況下，亦可如所期望般地對晶圓W進行處理。
又，在實施形態之基板處理裝置(基板處理系統1)的控制裝置4中，修正部18d，係在基準處理條件所包含的複數個參數中之處理液的處理時間偏離實際處理條件的情況下，修正處理液的溫度或濃度。藉此，即便在處理液之處理時間偏離了基準值的情況下，亦可如所期望般地對基板進行處理。
又，在實施形態之基板處理裝置(基板處理系統1)的控制裝置4中，修正部18d，係在基準處理條件所包含的複數個參數中之處理液的溫度偏離實際處理條件的情況下，修正處理液的濃度或處理時間。藉此，即便在處理液之溫度偏離了基準值的情況下，亦可如所期望般地對基板進行處理。
＜控制處理之程序＞ 接著，參閱圖14，說明關於實施形態之控制處理的程序。圖14，係表示實施形態之基板處理系統1的控制裝置4所執行之控制處理之程序的流程圖。
一開始，讀出部18a，係讀出對晶圓W進行處理的基準處理條件(步驟S101)。讀出部18a，係例如為了如所期望般地對晶圓W進行處理，而讀出作業員所設定之配方所包含的處理條件作為基準處理條件。
其次，推測部18b，係推測出晶圓W被處理時的實際處理條件(步驟S102)。例如，推測部18b，係根據被記憶於配置資訊記憶部19a之基板處理系統1的裝置配置，推測出實際處理條件。又，推測部18b，係亦可根據來自被設置於基板處理系統1之感測器的資訊，推測出實際處理條件。
其次，比較部18c，係將由讀出部18a所讀出之對晶圓W進行處理的基準處理條件與由推測部18b所推測出之晶圓W被處理時的實際處理條件進行比較(步驟S103)。藉此，比較部18c，係可獲得關於「基準處理條件所包含的參數中，值在實際處理條件產生偏離的參數」之資訊。
其次，修正部18d，係根據比較部18c之比較結果，修正晶圓W的處理條件(步驟S104)。具體而言，修正部18d，係根據由比較部18c所獲得之關於值在實際處理條件產生偏離的參數之資訊與被記憶於修正資料庫19b之資訊，修正晶圓W的處理條件。當該步驟S104結束時，則一連串的處理便完成。
實施形態之基板處理裝置的控制方法，係包含有：讀出工程(步驟S101)；推測工程(步驟S102)；比較工程(步驟S103)；及修正工程(步驟S104)。讀出工程(步驟S101)，係讀出對基板(晶圓W)進行處理的基準處理條件。推測工程(步驟S102)，係推測出基板(晶圓W)被處理時的實際處理條件。比較工程(步驟S103)，係將基準處理條件與實際處理條件進行比較。修正工程(步驟S104)，係根據比較工程(步驟S103)之比較結果，修正基板(晶圓W)的處理條件。藉此，即便在實際處理條件偏離了基準處理條件的情況下，亦可如所期望般地對基板進行處理。
以上，雖說明了關於本揭示之實施形態，但本揭示，係不限定於上述實施形態，可在不脫離其意旨內進行各種變更。例如，在上述的實施形態中，雖係表示了關於將本揭示應用於對晶圓W進行液處理之基板處理系統1的例子，但本揭示之應用，係不限於對晶圓W進行液處理的裝置，亦可將本揭示應用於實施液處理以外之處理的裝置。
又，上述之「部(section、module、unit)」，係可替換成「工程」或「程序」、「電路」等。例如，修正部，係可替換成修正工程或修正程序、修正電路。
吾人應理解本次所揭示之實施形態，係在所有方面皆為例示而非限制性者。實際上，上述之實施形態，係可藉由多種形態來實現。又，上述之實施形態，係亦可不脫離添附之申請專利範圍及其意旨，以各種形態進行省略、置換、變更。
W:晶圓 1:基板處理系統(基板處理裝置之一例) 16:處理單元 18:控制部 18a:讀出部 18b:推測部 18c:比較部 18d:修正部 19:記憶部 19a:配置資訊記憶部 19b:修正資料庫 106a~106c,116a~116c:流量調整器 131a~131c:閥 132a~132c:溫度感測器 133a~133c:流量感測器 134a~134c:加熱器 148:濃度感測器
[圖1]圖1，係表示實施形態之基板處理系統之概略構成的示意圖。 [圖2]圖2，係表示處理單元之具體構成例的示意圖。 [圖3]圖3，係表示實施形態之基板處理系統之配管構成的示意圖。 [圖4]圖4，係表示實施形態之控制裝置之概略構成的方塊圖。 [圖5]圖5，係用以說明實施形態之控制處理之具體例的圖。 [圖6]圖6，係用以說明實施形態之控制處理之另一具體例的圖。 [圖7]圖7，係用以說明實施形態之控制處理之另一具體例之細節的圖(1)。 [圖8]圖8，係用以說明實施形態之控制處理之另一具體例之細節的圖(2)。 [圖9]圖9，係用以說明實施形態之控制處理之另一具體例之細節的圖(3)。 [圖10]圖10，係表示實施形態之變形例之基板處理系統之配管構成的示意圖。 [圖11]圖11，係表示實施形態之變形例之控制裝置之概略構成的方塊圖。 [圖12]圖12，係用以說明實施形態之變形例之控制處理之具體例的圖。 [圖13]圖13，係用以說明實施形態之變形例之控制處理之另一具體例的圖。 [圖14]圖14，係表示實施形態之基板處理系統的控制裝置所執行之控制處理之程序的流程圖。
4:控制裝置
18:控制部
18a:讀出部
18b:推測部
18c:比較部
18d:修正部
19:記憶部
19a:配置資訊記憶部
19b:修正資料庫
106a~106c,116a~116c:流量調整器
131a~131c:閥
132a~132c:溫度感測器

Claims (2)

  1. 一種基板處理裝置之控制裝置，其特徵係，具備有：讀出部，讀出對基板進行處理的基準處理條件；推測部，推測出前述基板被處理時的實際處理條件；比較部，將前述基準處理條件與前述實際處理條件進行比較；及修正部，根據前述比較部之比較結果，修正前述基板的處理條件，前述推測部，係根據基板處理裝置之裝置配置及來自被設置於前述基板處理裝置之感測器的資訊，推測出前述實際處理條件，前述修正部，係在前述基準處理條件所包含的複數個參數中之處理液的處理時間偏離前述實際處理條件的情況下，修正前述處理液的溫度或濃度。
  2. 一種基板處理裝置之控制方法，其特徵係，包含有：讀出工程，讀出對基板進行處理的基準處理條件；推測工程，推測出前述基板被處理時的實際處理條件；比較工程，將前述基準處理條件與前述實際處理條件進行比較；及修正工程，根據前述比較工程之比較結果，修正前述基板的處理條件， 前述推測工程，係根據基板處理裝置之裝置配置及來自被設置於前述基板處理裝置之感測器的資訊，推測出前述實際處理條件，前述修正工程，係在前述基準處理條件所包含的複數個參數中之處理液的處理時間偏離前述實際處理條件的情況下，修正前述處理液的溫度或濃度。
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