JP4393337B2 - 半導体基板処理装置及び半導体装置の製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、半導体基板処理装置及び半導体装置の製造方法に関する。

半導体基板を処理槽内の処理液に浸漬させ、当該半導体基板に対してエッチング処理や洗浄処理を行う半導体基板処理装置がある。

この半導体基板処理装置は、処理液を貯留する処理槽の外側に、処理槽からあふれ出た処理液を受け止める外槽を備えている。この処理液は、外槽から排出されると、循環路を介して再び処理槽に供給される。

循環路には、処理液を循環させるためのポンプと、循環路を流れる処理液の温度を調整するためのヒータが設けられている。

ところで、処理槽内で半導体基板に対するエッチング処理や洗浄処理を繰り返すと、当該半導体基板からパーティクルなどが脱離するが、このパーティクルを放置すると、再び半導体基板に付着するおそれがある。このため循環路には、当該循環路を流れる処理液中に存在するパーティクルを除去するためのフィルタが設けられ、当該フィルタによってパーティクルを捕捉するようになされている。

しかし、フィルタがパーティクルを捕捉し続けると、目詰まりを起こし、その結果、処理液の循環が妨げられる。そこでこのような循環流量の低下を防止するため、フィルタには、処理液を処理槽に供給する循環路とは別に、処理液を外槽に直接供給するフィルタエア抜きラインが設けられ、フィルタの目詰まりによって、処理槽に供給する処理液の流量が減少した場合には、当該減少量に応じた流量の処理液をフィルタエア抜きラインを介して外槽に供給する。

ところで、半導体基板を処理槽内に投入すると、当該半導体基板の影響によって処理液の温度が低下するが、処理液の温度の低下は、エッチングレートの低下を引き起こす。そこで、処理液の温度をエッチング処理に適した温度にまで回復させるため、ヒータをオン状態にするが、フィルタの目詰まりによって、フィルタエア抜きラインを流れる流量が増加している場合には、処理槽内の処理液の温度を回復させる時間が長くなる。

このとき、所望のエッチングレートが得られず、予め決められた時間が経過し処理を終了させても、実際にはエッチング処理が完了していないという場合がある。この場合、処理していた半導体基板は不良品と扱われるか、又はフィルタを交換した後、再度処理を実行しなければならず、処理能力の低下や処理の遅延を引き起こすという問題があった。

以下、半導体基板の処理に関する文献名を記載する。
特開２００１−２０５１５８号公報

本発明は、エッチング処理を確実に行って歩留まりを向上させることができる半導体基板処理装置及びその方法を提供する。

本発明の一態様による半導体基板処理装置は、
半導体基板を処理液に浸漬させ、前記半導体基板をエッチング処理する処理槽と、
前記処理槽の外側に、前記処理槽からあふれ出た前記処理液を受け止める外槽と、
前記外槽から排出された前記処理液を、前記処理槽に再び供給する循環路と、
前記循環路を流れる前記処理液の温度を調整するヒータと、
前記循環路を流れる前記処理液中に存在する異物を除去するフィルタと、
前記処理槽内に前記半導体基板が投入された後、所定のタイミングで、前記処理槽内の処理液の温度を計測し、前記タイミングにおける、前記フィルタとは異なる基準となるフィルタを使用したときの前記処理槽内の処理液の温度と、前記計測された温度との温度差を算出し、前記温度差に基づいて前記半導体基板をエッチング処理する処理時間を算出し、前記算出された処理時間を基に前記半導体基板をエッチング処理する制御部と
を備えることを特徴とする。

また本発明の一態様による半導体基板処理装置は、
半導体基板を処理液に浸漬させ、前記半導体基板をエッチング処理する処理槽と、
前記処理槽の外側に、前記処理槽からあふれ出た前記処理液を受け止める外槽と、
前記外槽から排出された前記処理液を、前記処理槽に再び供給する循環路と、
前記循環路を流れる前記処理液の温度を調整するヒータと、
前記循環路を流れる前記処理液中に存在する異物を除去するフィルタと、
前記処理槽内に前記半導体基板が投入された後、前記処理槽内の前記処理液の温度が所定温度に回復する時間を計測し、前記計測した時間と、前記フィルタとは異なる基準となるフィルタを使用した場合に、前記処理槽内の前記処理液の温度が前記所定温度に回復する時間との時間差を算出し、前記時間差に基づいて前記半導体基板をエッチング処理する処理時間を算出し、前記算出された処理時間を基に前記半導体基板をエッチング処理する制御部と
を備えることを特徴とする。

また本発明の一態様による半導体装置の製造方法は、
半導体基板を処理液に浸漬させ、前記半導体基板をエッチング処理する処理槽と、
前記処理槽の外側に、前記処理槽からあふれ出た前記処理液を受け止める外槽と、
前記外槽から排出された前記処理液を、前記処理槽に再び供給する循環路と、
前記循環路を流れる前記処理液の温度を調整するヒータと、
前記循環路を流れる前記処理液中に存在する異物を除去するフィルタとを有する半導体基板処理装置を用いて前記半導体基板をエッチング処理する際に、
前記処理槽内に前記半導体基板が投入された後、所定のタイミングで、前記処理槽内の処理液の温度を計測するステップと、
前記タイミングにおける、前記フィルタとは異なる基準となるフィルタを使用したときの前記処理槽内の処理液の温度と、前記計測された温度との温度差を算出し、前記温度差に基づいて前記半導体基板をエッチング処理する処理時間を算出するステップと、
前記算出された処理時間を基に前記半導体基板をエッチング処理するステップと
を備えることを特徴とする。

また本発明の一態様による半導体装置の製造方法は、
半導体基板を処理液に浸漬させ、前記半導体基板をエッチング処理する処理槽と、
前記処理槽の外側に、前記処理槽からあふれ出た前記処理液を受け止める外槽と、
前記外槽から排出された前記処理液を、前記処理槽に再び供給する循環路と、
前記循環路を流れる前記処理液の温度を調整するヒータと、
前記循環路を流れる前記処理液中に存在する異物を除去するフィルタとを有する半導体基板処理装置を用いて前記半導体基板をエッチング処理する際に、
前記処理槽内に前記半導体基板が投入された後、前記処理槽内の前記処理液の温度が所定温度に回復する時間を計測するステップと、
前記計測した時間と、前記フィルタとは異なる基準となるフィルタを使用した場合に、前記処理槽内の前記処理液の温度が前記所定温度に回復する時間との時間差を算出し、前記時間差に基づいて前記半導体基板をエッチング処理する処理時間を算出するステップと、
前記算出された処理時間を基に前記半導体基板をエッチング処理するステップと
を備えることを特徴とする。

本発明の半導体基板処理装置及び半導体装置の製造方法によれば、エッチング処理を確実に行って歩留まりを向上させることができる。

以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。

（１）第１の実施の形態
図１に、本発明の第１の実施の形態による半導体基板処理装置１０の構成を示す。この半導体基板処理装置１０は、半導体基板２０を処理槽３０内の処理液に浸漬させ、当該半導体基板２０に対してエッチング処理や洗浄処理を行う。

また半導体基板処理装置１０は、この処理液を貯留する処理槽３０の外側に、処理槽３０からあふれ出た処理液を受け止める外槽４０を備えている。この処理液は、外槽４０から排出されると、循環路５０を介して再び処理槽３０に供給される。

この循環路５０には、処理液を循環させるためのポンプ６０と、循環路５０を流れる処理液の温度を調整するためのヒータ７０と、半導体基板２０から脱離して循環路５０を流れる処理液中に存在するパーティクル（異物）を除去するためのフィルタ８０が設けられている。

フィルタ８０には、処理液を外槽４０に直接供給することが可能なフィルタエア抜きライン９０が設けられ、フィルタ８０の目詰まりによって、処理槽３０に供給する処理液の流量が減少した場合には、当該減少量に応じた流量の処理液をフィルタエア抜きライン９０を介して外槽４０に供給する。

処理槽３０内には、図示しない温度計が配置され、処理槽３０内に貯留されている処理液の温度を計測する。制御部１００は、半導体基板処理装置１０全体を制御するためのものであり、また処理槽３０内に配置された温度計によって計測される温度を監視する。

ところで、図２に示すように、半導体基板２０のエッチングレートは、処理槽３０内に貯蔵されている処理液の温度に依存し、例えば処理液の温度が低い場合には、エッチングレートも低く、処理液の温度が高い場合には、エッチングレートも高い。このような処理液の温度とエッチングレートの対応関係を表すエッチングデータは、記憶部１１０に予め記憶されている。

また記憶部１１０には、所定のフィルタ、例えば新規のフィルタを使用した場合であって、半導体基板２０を処理槽３０内に投入した後における、処理槽３０内の処理液の温度が時間の経過に従って変化するデータ（以下、これを温度変化データと呼ぶ）が記憶されている。

制御部１００は、温度計によって計測された処理液の温度と、記憶部１１０に記憶されている温度変化データとエッチングデータに基づいて、半導体基板２０にエッチング処理を行うのに要する処理時間を算出し、当該処理時間が経過した後、半導体基板処理装置１０によるエッチング処理を終了させる。

また制御部１００は、算出した処理時間が所定の上限値を超えると判定した場合には、アラーム１２０を発報して、フィルタ８０の交換が必要であることをオペレータに通知する。なおカウンタ１３０は、処理槽３０内に投入される半導体基板２０の枚数をカウントし、その枚数を制御部１００に通知する。

ここで図３に、半導体基板２０を処理槽３０内に投入した後における、処理液の温度変化データを示す。この図３に示すように、半導体基板２０を処理槽３０内に投入した直後は、当該半導体基板２０の影響によって処理液の温度が大きく低下し、この処理液の温度の低下は、エッチングレートの低下を引き起こす。そこで、ヒータ７をオン状態にすることにより、処理液の温度を所定の温度にまで回復させ、これによりエッチングレートをもとに戻す。

ところで、同一のフィルタ８０を一定期間使用し続けると、パーティクルの捕捉によって目詰まりを起こし、その結果、フィルタ８０から処理槽３０に供給する処理液の流量が減少する一方、フィルタエア抜きライン９０を介して外槽４０に供給する処理液の流量が増加する。

この状態で、半導体基板２０を処理槽３０内に投入すると、新規のフィルタ８０を使用した場合と比較して、処理液の温度の低下の度合いが大きく、またヒータ７０をオン状態にした後も、処理液の温度の回復が若干緩やかで、その結果、処理液の温度の回復時間が長くなる。

そこで、本実施の形態による半導体基板処理装置１０は、所定のフィルタ、例えば新規のフィルタを使用した場合に、半導体基板２０にエッチング処理を行うのに要する処理時間を、実際に使用しているフィルタ８０の状態に応じて補正し、当該補正された処理時間が経過するまで、半導体基板２０にエッチング処理を行う。

ここで図４に、本実施の形態による半導体基板処理手順ＲＴ１０を示す。図５に、新規フィルタと現在使用しているフィルタとにおける、半導体基板２０を処理槽３０内に投入した後、当該処理槽３０内の処理液の温度変化データを示す。図４において、半導体基板処理手順ＲＴ１０に入ると、ステップＳＰ１０において処理槽３０内に半導体基板２０を投入し、続くステップＳＰ２０に移って、制御部１００は、時刻ｔ１０のタイミングで、処理槽３０内の処理液の温度を計測する。

ステップＳＰ３０において、制御部１００は、時刻ｔ１０のタイミングにおける、新規フィルタを使用したときの処理槽３０内の処理液の温度を、記憶部１１０から読み出し、当該読み出した温度と、現在処理している処理槽３０内の処理液の温度との温度差ｄ１０を算出する。

そして制御部１００は、現在処理している処理槽３０内の処理液の温度が回復する場合の傾きと、新規フィルタ使用時に処理槽３０内の処理液の温度が回復する場合の傾きとが同一であると仮定して、算出した温度差ｄ１０を基に、現在処理している処理槽３０内の処理液の温度変化データを算出する。

そして制御部１００は、記憶部１１０から処理液の温度とエッチングレートの対応関係を示すエッチングデータを読み出し、当該エッチングデータと、現在処理している処理槽３０内の処理液の温度変化データとを基に、現在処理している処理槽３０内の処理液のエッチングレートが時間の経過に伴って変化するデータ（以下、これをエッチングレート変化データと呼ぶ）を算出する。

これと共に制御部１００は、新規フィルタ使用時における、処理槽３０内の処理液の温度変化データを、記憶部１１０から読み出し、当該読み出した温度変化データと、上述のエッチングデータとを基に、新規フィルタ使用時における、処理槽３０内の処理液のエッチングレート変化データを算出する。

制御部１００は、新規フィルタ使用時における、処理槽３０内の処理液のエッチングレート変化データを、エッチング処理を行うのに要する所定の処理時間分だけ積分することにより、エッチング処理を完了させるのに必要なエッチング量を算出する。

これと共に、制御部１００は、現在処理している処理槽３０内の処理液のエッチングレート変化データを、上述の処理時間と同一の時間分だけ積分することにより、当該処理時間が経過したときのエッチング量を推定する。

制御部１００は、エッチング処理を完了させるのに必要なエッチング量と、処理時間が経過したときに推定されるエッチング量との差分を算出ことにより、不足するエッチング量（以下、これをエッチング不足量と呼ぶ）を算出する。

ところで、図６に示すように、新規フィルタ使用時にエッチング処理に要する処理時間に対して、処理槽３０内の処理液の温度が低下することによって生じる追加時間は、エッチング不足量に依存し、例えばエッチング不足量が少ない場合には、追加時間は短く、エッチング不足量が多い場合には、追加時間も長くなる。このようなエッチング不足量と追加時間の対応関係を表す追加時間データは、記憶部１１０に予め記憶されている。

制御部１００は、この追加時間データに基づいて、エッチング不足量に対応する追加時間を求め、これを処理時間に加算することにより、当該処理時間を補正する。

なお、例えば処理液としてリン酸（Ｈ_３ＰＯ_４）を使用し、温度を１６０℃にして、シリコン窒化膜（ＳｉＮ）に１００ｎｍのエッチング処理を行う場合、新規フィルタを使用すると、処理時間は１０００秒である。一方、例えば所定期間経過したフィルタ８０を使用する場合、半導体基板２０の投入後、９０秒経過時に温度差ｄ１０が１.３℃のときには、追加時間は３０秒となり、温度差ｄ１０が１.０℃のときには、追加時間は２１秒となる。

ステップＳＰ４０において、制御部１００は、補正した処理時間が、予め決められた所定の上限値以下であるか否かを判定する。このステップＳＰ４０において、肯定結果が得られると、このことはフィルタ８０に目詰まりが生じていないことを表しており、このとき制御部１００は、ステップＳＰ５０に移って、エッチング処理を継続させた後、ステップＳＰ６０に移って当該処理手順ＲＴ１０を終了する。

これに対して、ステップＳＰ４０において、否定結果が得られると、このことはフィルタ８０に目詰まりが生じ始めていることを表しており、このとき制御部１００は、ステップＳＰ７０に移って、エッチング処理を行いつつ、アラーム１２０を発報して、フィルタ８０の交換が必要であることをオペレータに通知する。そして、エッチング処理終了後、オペレータによってフィルタ８０の交換又は洗浄が行われ、続くステップＳＰ６０に移って当該処理手順ＲＴ１０を終了する。

このように本実施の形態によれば、フィルタ８０の目詰まりに起因する処理槽３０内の温度の低下に応じて、半導体基板２０をエッチング処理する処理時間を補正することにより、エッチング処理を確実に行うことができ、従って歩留まりを向上させることができる。

ところで、フィルタ８０の目詰まりが悪化して、フィルタエア抜きライン９０を流れる処理液が増加すると、処理槽３０内の処理液の温度を調整することができず、温度が回復しない場合がある。この場合、処理していた半導体基板は不良品と扱われるか、又はフィルタを交換した後、再度処理を実行しなければならない。

そこで、本実施の形態の場合、処理槽３０内の処理液の温度調整が可能な範囲で、処理時間の上限値を選定し、補正した処理時間がこの上限値を超えた場合には、オペレータに通知し、フィルタ８０の交換又は洗浄を促すことにより、フィルタ８０の目詰まりが悪化して、処理槽３０の処理液の温度を調整することができなくなることを予め回避することができる。

（２）第２の実施の形態
図７に、第２の実施の形態による半導体基板処理手順ＲＴ２０を示す。図８に、所定のフィルタ、例えば新規フィルタと現在使用しているフィルタとにおける、半導体基板２０を処理槽３０内に投入した後、当該処理槽３０内の処理液の温度変化データを示す。図７において、半導体基板処理手順ＲＴ２０に入ると、ステップＳＰ１１０において処理槽３０内に半導体基板２０を投入し、続くステップＳＰ１２０に移って、制御部１００は、処理槽３０内の処理液の温度がＴ１０にまで回復する時間ｔ２０を計測する。

ステップＳＰ１３０において、制御部１００は、新規フィルタを使用したときに処理槽３０内の処理液の温度がＴ１０に回復するまでの時間ｔ３０を記憶部１１０から読み出し、当該読み出した時間ｔ３０と、現在処理している処理槽３０内の処理液の温度がＴ１０に回復するまでの時間ｔ２０との時間差ｄ２０を算出する。

そして制御部１００は、現在処理している処理槽３０内の処理液の温度が回復する場合の傾きと、新規フィルタ使用時に処理槽３０内の処理液の温度が回復する場合の傾きとが同一であると仮定して、算出した時間差ｄ２０を基に、現在処理している処理槽３０内の処理液の温度変化データを算出する。

以下、第１の実施の形態の場合と同様にして、制御部１００は、追加時間を算出して処理時間を補正した後、ステップＳＰ１４０に移って、補正した処理時間が所定の上限値以下であるか否かを判定する。

ステップＳＰ１４０において、肯定結果が得られると、制御部１００は、ステップＳＰ１５０に移って、エッチング処理を継続させた後、ステップＳＰ１６０に移って当該処理手順ＲＴ２０を終了する。

これに対して、ステップＳＰ１４０において、否定結果が得られると、制御部１００は、ステップＳＰ１７０に移って、エッチング処理を行いつつ、アラーム１２０を発報して、フィルタ８０の交換が必要であることをオペレータに通知した後、ステップＳＰ１６０に移って当該処理手順ＲＴ２０を終了する。

このように本実施の形態によれば、フィルタ８０の目詰まりに起因する、処理槽３０内の温度の回復時間の増加に基づいて、半導体基板２０をエッチング処理する処理時間を補正することにより、エッチング処理を確実に行うことができ、従って歩留まりを向上させることができる。

（３）第３の実施の形態
図９に、第３の実施の形態による半導体基板処理手順ＲＴ３０を示す。この図９においてカウンタ１３０は、半導体基板処理手順ＲＴ３０に入ると、ステップＳＰ２００において、処理槽３０内に投入される半導体基板２０の枚数をカウントし、その枚数を制御部１００に通知する。ステップＳＰ２１０において、処理槽３０内に半導体基板２０を投入すると、ステップＳＰ２２０に移って、制御部２２０は、所定のタイミングで、処理槽３０内の処理液の温度を計測する。

ところで、半導体基板２０を処理槽３０内に投入した後に、処理槽３０内の処理液の温度が低下する度合いは、投入される半導体基板２０の枚数によって変化する。すなわち、図１０に示すように、投入される半導体基板２０の枚数が多くなるに応じて、処理槽３０内の処理液の温度が低下する度合いは大きくなり、例えば投入される半導体基板２０の枚数が５０枚のときは、約４℃低下する。

そこで、本実施の形態の場合、記憶部１１０には、所定のフィルタ、例えば新規フィルタの使用時に半導体基板２０の投入後における、処理槽３０内の処理液の温度変化データが、投入される半導体基板２０の枚数毎に、それぞれ予め記憶されている。

ステップＳＰ２３０において、制御部１００は、記憶部１１０から、投入された半導体基板２０の枚数に対応する温度変化データを読み出し、上述の所定タイミングにおける、新規フィルタを使用したときの処理槽３０内の処理液の温度と、現在処理している処理増３０内の処理液の温度との温度差を算出する。

なお、この場合、制御部１００は、現在処理している処理槽３０内の処理液の温度が所定温度に回復するまでの時間と、新規フィルタを使用したときの処理槽３０内の処理液の温度が所定温度に回復するまでの時間との時間差を算出しても良い。

以下、第１の実施の形態の場合と同様に、制御部１００は、追加時間を算出して処理時間を補正した後、ステップＳＰ２４０に移って、補正した処理時間が所定の上限値以下であるか否かを判定する。そして制御部１００は、ステップＳＰ２５０又はＳＰ２７０において、その判定結果に応じた処理を行った後、ステップＳＰ２６０に移って当該処理手順ＲＴ３０を終了する。

このように本実施の形態によれば、フィルタ８０の目詰まりと、投入される半導体基板２０の枚数とに起因する処理槽３０内の温度の低下に応じて、半導体基板２０をエッチング処理する処理時間を補正することにより、エッチング処理を確実に行うことができ、従って歩留まりを向上させることができる。

（４）他の実施の形態
なお上述の実施の形態は、一例であって本発明を限定するものではない。例えば、温度変化データを算出する際、現在処理している処理槽３０内の処理液の温度が回復する場合の傾きと、新規フィルタ使用時に処理槽３０内の処理液の温度が回復する場合の傾きとが同一であると仮定したが、それぞれの傾きが異なると仮定しても良く、この場合、異なる２つのタイミングにおける温度差をそれぞれ算出することにより、現在処理している処理槽３０内の処理液の温度変化データを算出することができる。

また、半導体基板２０を処理槽３０内に投入した直後に、処理槽３０内の処理液の温度が大きく低下せず、現在処理している処理槽３０内の処理液の温度が回復する場合の傾きが直線でなく、小刻みに上下に変動しながら回復していく場合には、それぞれ異なる３つ以上のタイミングにおける温度差をそれぞれ算出することにより、現在処理している処理槽３０内の処理液の温度変化データを算出することもできる。

本発明の第１の実施の形態による半導体基板処理装置の構成を示すブロック図である。 処理槽内の処理液の温度とエッチングレートの関係を示すグラフである。 半導体基板を処理槽内に投入した後における、処理槽内の処理液の温度と時間の関係を示すグラフである。 本発明の第１の実施の形態による半導体基板処理手順を示すフローチャートである。 半導体基板を処理槽内に投入した後における、処理槽内の処理液の温度と時間の関係を示すグラフである。 エッチング不足量と追加時間の関係を示すグラフである。 本発明の第２の実施の形態による半導体基板処理手順を示すフローチャートである。 半導体基板を処理槽内に投入した後における、処理槽内の処理液の温度と時間の関係を示すグラフである。 本発明の第３の実施の形態による半導体基板処理手順を示すフローチャートである。 投入された半導体基板の枚数毎における、処理槽内の処理液の温度と時間の関係を示すグラフである。

符号の説明

１０ 半導体基板処理装置
２０ 半導体基板
３０ 処理槽
４０ 外槽
５０ 循環路
６０ ポンプ
７０ ヒータ
８０ フィルタ
９０ フィルタエア抜きライン
１００ 制御部
１１０ 記憶部
１２０ アラーム
１３０ カウンタ

Claims (6)

1. 半導体基板を処理液に浸漬させ、前記半導体基板をエッチング処理する処理槽と、
   前記処理槽の外側に、前記処理槽からあふれ出た前記処理液を受け止める外槽と、
   前記外槽から排出された前記処理液を、前記処理槽に再び供給する循環路と、
   前記循環路を流れる前記処理液の温度を調整するヒータと、
   前記循環路を流れる前記処理液中に存在する異物を除去するフィルタと、
   前記処理槽内に前記半導体基板が投入された後、所定のタイミングで、前記処理槽内の処理液の温度を計測し、前記タイミングにおける、前記フィルタとは異なる基準となるフィルタを使用したときの前記処理槽内の処理液の温度と、前記計測された温度との温度差を算出し、前記温度差に基づいて前記半導体基板をエッチング処理する処理時間を算出し、前記算出された処理時間を基に前記半導体基板をエッチング処理する制御部と
   を備えることを特徴とする半導体基板処理装置。
2. 半導体基板を処理液に浸漬させ、前記半導体基板をエッチング処理する処理槽と、
   前記処理槽の外側に、前記処理槽からあふれ出た前記処理液を受け止める外槽と、
   前記外槽から排出された前記処理液を、前記処理槽に再び供給する循環路と、
   前記循環路を流れる前記処理液の温度を調整するヒータと、
   前記循環路を流れる前記処理液中に存在する異物を除去するフィルタと、
   前記処理槽内に前記半導体基板が投入された後、前記処理槽内の前記処理液の温度が所定温度に回復する時間を計測し、前記計測した時間と、前記フィルタとは異なる基準となるフィルタを使用した場合に、前記処理槽内の前記処理液の温度が前記所定温度に回復する時間との時間差を算出し、前記時間差に基づいて前記半導体基板をエッチング処理する処理時間を算出し、前記算出された処理時間を基に前記半導体基板をエッチング処理する制御部と
   を備えることを特徴とする半導体基板処理装置。
3. 前記処理槽内に投入される半導体基板の枚数をカウントするカウンタをさらに備え、
   前記制御部は、
   前記半導体基板の枚数と、前記温度差又は前記時間差とに基づいて前記処理時間を算出し、前記算出された処理時間を基に前記半導体基板をエッチング処理する
   ことを特徴とする請求項１又は２記載の半導体基板処理装置。
4. 前記処理槽内の前記処理液の温度とエッチングレートの対応関係を表すエッチングデータを予め記憶する記憶部をさらに備え、
   前記制御部は、
   前記エッチングデータと前記温度差又は前記時間差とに基づいて、前記半導体基板のエッチング量を推定することにより、前記処理時間を算出し、前記算出された処理時間を基に前記半導体基板をエッチング処理する
   ことを特徴とする請求項１又は２記載の半導体基板処理装置。
5. 半導体基板を処理液に浸漬させ、前記半導体基板をエッチング処理する処理槽と、
   前記処理槽の外側に、前記処理槽からあふれ出た前記処理液を受け止める外槽と、
   前記外槽から排出された前記処理液を、前記処理槽に再び供給する循環路と、
   前記循環路を流れる前記処理液の温度を調整するヒータと、
   前記循環路を流れる前記処理液中に存在する異物を除去するフィルタとを有する半導体基板処理装置を用いて前記半導体基板をエッチング処理する際に、
   前記処理槽内に前記半導体基板が投入された後、所定のタイミングで、前記処理槽内の処理液の温度を計測するステップと、
   前記タイミングにおける、前記フィルタとは異なる基準となるフィルタを使用したときの前記処理槽内の処理液の温度と、前記計測された温度との温度差を算出し、前記温度差に基づいて前記半導体基板をエッチング処理する処理時間を算出するステップと、
   前記算出された処理時間を基に前記半導体基板をエッチング処理するステップと
   を備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。
6. 半導体基板を処理液に浸漬させ、前記半導体基板をエッチング処理する処理槽と、
   前記処理槽の外側に、前記処理槽からあふれ出た前記処理液を受け止める外槽と、
   前記外槽から排出された前記処理液を、前記処理槽に再び供給する循環路と、
   前記循環路を流れる前記処理液の温度を調整するヒータと、
   前記循環路を流れる前記処理液中に存在する異物を除去するフィルタとを有する半導体基板処理装置を用いて前記半導体基板をエッチング処理する際に、
   前記処理槽内に前記半導体基板が投入された後、前記処理槽内の前記処理液の温度が所定温度に回復する時間を計測するステップと、
   前記計測した時間と、前記フィルタとは異なる基準となるフィルタを使用した場合に、前記処理槽内の前記処理液の温度が前記所定温度に回復する時間との時間差を算出し、前記時間差に基づいて前記半導体基板をエッチング処理する処理時間を算出するステップと、
   前記算出された処理時間を基に前記半導体基板をエッチング処理するステップと
   を備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。

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