JP4906766B2 - 基板処理方法および基板処理装置 - Google Patents
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Description
基板をロット毎に順次処理する基板処理方法において、
処理槽内に貯留された薬液に前記基板を浸漬させる工程と、
薬液を加熱する工程と、
薬液を加熱した状態で、当該薬液の温度がt1になると処理槽に純水の供給を開始し、当該薬液の温度がt2(t1>t2)まで降温すると当該純水の供給を停止するサイクルを複数回繰り返す純水供給工程と、
所定時間内の前記サイクル数を算出する工程と、
を含み、
前記サイクル数が予め設定した回数の範囲外である場合に、前記サイクル数が予め設定した回数の範囲外であることを報知しつつ、後続のロットの基板処理の開始を停止することを特徴とする。
基板を薬液に浸漬してロット毎に順次処理する基板処理装置において、
薬液を貯留する処理槽と、
薬液を加熱する加熱手段と、
前記処理槽内の薬液の温度を測定する温度測定手段と、
前記処理槽内への純水の供給をする純水供給手段と、
前記純水供給手段が、薬液が加熱された状態で、前記温度測定手段によって測定される温度がt1になると前記処理槽内への純水の供給を開始し、t2(t1>t2)まで降温すると前記処理槽への当該純水の供給を停止するサイクルを複数回繰り返すように制御する制御手段と、
所定時間内の前記サイクル数を算出する算出手段と、
前記算出手段により算出された前記サイクル数が予め設定した回数の範囲外である場合に、前記サイクル数が予め設定した回数の範囲外であることを報知する報知手段と、
前記報知手段の報知に基づいて、後続のロットの基板処理の開始を停止する停止手段と、
を有することを特徴とする。
かかる構成の基板処理方法および基板処理装置によれば、所定時間内のサイクル数により基板処理のエッチング量の適否を検知するため、エッチング不良のロットを精度よく発見できると同時に、後続のエッチング不良のロットの発生を抑制できる。
図1は、本発明によるウエハ処理装置を模式的に示す断面図である。
図1に示すように、ウエハ処理装置100は、
燐酸10を貯留する処理槽11と、燐酸10を加熱するヒーター13(加熱部)と、処理槽11内の燐酸10の温度を測定する温度センサ15(温度測定部)と、処理槽11内への純水の供給をする純水供給バルブ16(純水供給部)と、制御部18と、算出部19と、報知部20と、を備える。
さらに、ウエハ処理装置100は、フィルター12、ポンプ14、およびソレノイドバルブ17を備えている。
純水は、本実施形態において一定のサイクルがえられるものであればよく、不純物を含んでいてもよい。
これにより、エッチングレートが低い状態での処理をより精度高く監視することができる。
本実施形態のウエハ処理においては、ロット毎に、燐酸10のエッチングレートが高い状態を維持するための純水の供給および停止サイクルを繰り返し、さらにそのサイクル数を監視時間内で算出し、算出されたサイクル数が予め設定した回数の範囲外である場合に、そのことを報知するように構成されている。
かかる構成のウエハ処理装置100およびウエハ処理方法によれば、監視時間内のサイクル数によりウエハ処理のエッチング量の適否を検知できるため、エッチング不良のロットを精度よく発見できると同時に、後続のエッチング不良のロットの発生を抑制できる。
11 処理槽
12 フィルター
13 ヒーター
14 ポンプ
15 温度センサ
16 純水供給バルブ
17 ソレノイドバルブ
18 制御部
19 算出部
20 報知部
21 停止部
100 ウエハ処理装置
Claims (6)
- 基板をロット毎に順次処理する基板処理方法において、
処理槽内に貯留された薬液に前記基板を浸漬させる工程と、
薬液を加熱する工程と、
薬液を加熱した状態で、当該薬液の温度がt1になると前記処理槽に純水の供給を開始し、当該薬液の温度がt2(t1>t2)まで降温すると当該純水の供給を停止するサイクルを複数回繰り返す純水供給工程と、
所定時間内の前記サイクル数を算出する工程と、
を含み、
前記サイクル数が予め設定した回数の範囲外である場合に、前記サイクル数が予め設定した回数の範囲外であることを報知しつつ、後続のロットの基板処理の開始を停止することを特徴とする基板処理方法。 - 請求項1に記載の基板処理方法において、
前記所定時間は、基板処理を開始して薬液に前記基板を浸漬させた時点から最初に当該薬液の温度が設定温度に昇温する時点までの時間を除くことを特徴とする基板処理方法。 - 請求項1または2に記載の基板処理方法において、
前記t1は薬液の所定の濃度に対応する沸点であって、当該薬液の温度がt1からt2の範囲内になることによって、当該薬液の濃度の変化を所定範囲内とすることを特徴とする基板処理方法。 - 基板を薬液に浸漬してロット毎に順次処理する基板処理装置において、
薬液を貯留する処理槽と、
薬液を加熱する加熱手段と、
前記処理槽内の薬液の温度を測定する温度測定手段と、
前記処理槽内への純水の供給をする純水供給手段と、
前記純水供給手段が、薬液が加熱された状態で、前記温度測定手段によって測定される温度がt1になると前記処理槽内への純水の供給を開始し、t2(t1>t2)まで降温すると前記処理槽への当該純水の供給を停止するサイクルを複数回繰り返すように制御する制御手段と、
所定時間内の前記サイクル数を算出する算出手段と、
前記算出手段により算出された前記サイクル数が予め設定した回数の範囲外である場合に、前記サイクル数が予め設定した回数の範囲外であることを報知する報知手段と、
前記報知手段の報知に基づいて、後続のロットの基板処理の開始を停止する停止手段と、
を備えることを特徴とする基板処理装置。 - 請求項4に記載の基板処理装置において、
前記所定時間は、基板処理を開始して薬液に前記基板を浸漬させた時点から最初に当該薬液の温度が設定温度まで昇温する時点までの時間を除くことを特徴とする基板処理装置。 - 請求項4または5に記載の基板処理装置において、
前記t1は薬液の所定の濃度に対応する沸点であって、当該薬液の温度がt1からt2の範囲内になることによって、当該薬液の濃度の変化を所定範囲内とすることを特徴とする基板処理装置。
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