CN108987309B - 基片液处理装置、处理液供给方法和存储介质 - Google Patents

基片液处理装置、处理液供给方法和存储介质 Download PDF

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Abstract

本发明涉及基片液处理装置、处理液供给方法和存储介质。当使用低表面张力的处理液时，防止来自喷嘴的处理液供给停止后的液体下落，定量地控制开闭阀关闭期间的处理液流量，并且减小处理液的消耗量。控制部(4)在从将处理液以第一流量从喷嘴(40)向基片(W)供给的状态起停止供给来自喷嘴的处理液时，使开闭阀(716)从打开状态转变为关闭状态，并且进行将比第一流量小的第二流量作为流量目标值给予流量控制机构(715)的停止控制，最晚至开闭阀开始从打开状态向关闭状态转变之前。

Description

基片液处理装置、处理液供给方法和存储介质
技术领域
本发明涉及一种通过从喷嘴向基片供给处理液来对基片进行液处理的技术。
背景技术
在半导体装置的制造步骤中包括通过从喷嘴向半导体晶片等的基片的表面供给处理液，对基片实施湿蚀刻、药液清洗等的液处理的液处理步骤。在停止供给来自喷嘴的处理液之后，当处理液从喷嘴垂落到基片的表面时，可能产生基片的处理不良。当处理液从喷嘴垂落到液接收杯的外侧的区域时，该垂落的处理液发生结晶而可能污染处理腔室内部。这样的来自供给停止后的喷嘴的处理液的下落问题，在低表面张力的药液，例如含有表面活性剂的BHF(氢氟酸)中变得显著。专利文献1中记载了用于避免上述问题的方法的一个例子。
专利文献1所记载的装置包括：从处理液供给源向喷嘴供给处理液的供给线路；设置于供给线路的流量控制机构；设置于流量控制机构的下游侧的、能够对闭阀速度进行调整的主开闭阀；比主开闭阀靠上游侧并且在流量控制机构的下游侧从供给线路分支出来的排放线路；设置于排放线路的开闭阀。当停止供给来自喷嘴的处理液时，打开排放线路的开闭阀，以使在供给线路中流动的处理液的一部分流向排放线路，在该状态下，以较低的闭阀速度关闭主开闭阀。由此，当打开主开闭阀时能够使主开闭阀的一次侧压力大致维持稳定，由此由于缓慢地关闭主开闭阀的效果，能够防止在喷嘴内发生液体破裂。因此，能够在停止供给处理液后，防止来自喷嘴的液体下落。另外，能够防止由于内压上升而导致的流量控制机构的构成装置破损。
然而，专利文献1的装置，在停止供给处理液时在供给线路中流动的处理液的一部分不向基片供给而被舍弃，因此存在浪费处理液的问题，和不能够精确地管理向基片供给的处理液的总量的问题，在这些地方尚有改善的余地。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2013－030559号公报
发明内容
发明想要解决的技术问题
本发明的目的在于提供一种技术，其能够防止来自喷嘴的处理液的排出停止后的液体下落，能够定量地控制开闭阀关闭期间的处理液流量，并且能够减少处理液的消耗量。
用于解决技术问题的技术方案
根据本发明的一个实施方式，提供一种基片液处理装置，其特征在于，包括：保持基片的基片保持部；对由上述基片保持部保持的上述基片供给处理液的喷嘴；一端与喷嘴连接，另一端与处理液供给源连接的供给线路；具有设置于上述供给线路的流量计和流量控制阀的流量控制机构；设置于上述供给线路的开闭阀；和控制上述流量控制机构和上述开闭阀的动作的控制部，上述流量控制机构能够调节流量控制阀，以使得上述流量计的检测值与上述控制部给予的流量目标值一致，上述控制部使上述开闭阀成为打开状态，从上述喷嘴向上述基片供给上述处理液，并且将第一流量作为上述流量目标值给予上述流量控制机构，上述控制部，在要使上述开闭阀从打开状态转变为关闭状态，从将上述处理液从上述喷嘴向上述基片供给的状态起停止供给上述处理液时，进行将比上述第一流量小的第二流量作为上述流量目标值给予上述流量控制机构的停止控制，直到上述开闭阀开始从打开状态向关闭状态转变。
根据本发明的另一实施方式，提供一种在基片液处理装置中从喷嘴向基片供给处理液的处理液供给方法，上述基片液处理装置包括：保持上述基片的基片保持部；对由上述基片保持部保持的上述基片供给上述处理液的上述喷嘴；一端与喷嘴连接，另一端与处理液供给源连接的供给线路；具有设置于上述供给线路的流量计和流量控制阀的流量控制机构；和在上述流量控制阀的下游侧设置于上述供给线路的开闭阀，上述流量控制机构能够调节流量控制阀，以使得上述流量计的检测值与上述控制部给予的流量目标值一致，上述处理液供给方法的特征在于：当从上述喷嘴将上述处理液以上述第一流量向上述基片供给时，使上述开闭阀成为打开状态，并且将第一流量作为上述流量目标值给予上述流量控制机构，在要从将上述处理液从上述喷嘴以上述第一流量向上述基片供给的状态起停止供给来自上述喷嘴的上述处理液时，使上述开闭阀从打开状态转变为关闭状态，并且进行将比上述第一流量小的第二流量作为上述流量目标值给予上述流量控制机构的停止控制，最晚至上述开闭阀开始从打开状态向关闭状态转变之前。
根据本发明的又一实施方式，提供一种存储介质，其存储有程序，上述程序被用于控制基片液处理装置的动作的计算机执行时，上述计算机控制上述基片处理装置来执行上述的基片液处理方法。
发明效果
根据上述本发明的实施方式，当使开闭阀从打开状态向关闭状态转变时，利用施加有第二流量作为流量目标值的流量控制机构，减少通过喷嘴的处理液的流量(流速)，因此能够防止作用于喷嘴内的处理液的前端部分的惯性力大于欲防止该前端部分破裂的表面张力。因此，能够减少在喷嘴内发生液体破裂，进而能够防止来自喷嘴的液体垂落。
附图说明
图1是表示本发明的一个实施方式的基片处理系统的概略结构的平面图。
图2是表示图1所示的处理单元的概略结构的纵截面图。
图3是表示图2所示的处理流体供给部和处理流体供给源的具体的结构的配管系统图。
图4与用于说明来自喷嘴的处理液的排出控制的流程图。
图5是用于说明喷嘴内的液体破裂的概略图。
附图标记说明
W 基片
4 控制部(控制装置)
30 基片保持部(基片保持机构)
40 喷嘴
711 供给线路
713 流量控制机构
714 流量计
715 流量控制阀(恒压阀)
716 电-气调压阀
717 开闭阀。
具体实施方式
下面，参照附图，对本发明的实施方式进行说明。
图1是表示本实施方式的基片处理系统的概略构成的图。下面，为了明确位置关系，对彼此正交的X轴、Y轴和Z轴进行了规定，使Z轴正方向为垂直朝上的方向。
如图1所示，基片处理系统1包括搬入搬出站2和处理站3。搬入搬出站2与处理站3邻接设置。
搬入搬出站2包括载体载置部11和搬运部12。载体载置部11载置有以水平状态收纳多片基片、在本实施方式中为半导体晶片(以下称为晶片W)的多个载体C。
搬运部12与载体载置部11邻接设置，在其内部设置有基片搬运装置13和接收部14。基片搬运装置13包括保持晶片W的晶片保持机构。另外，基片搬运装置13能够向水平方向和垂直方向移动并且以垂直轴为中心旋转，使用晶片保持机构在载体C与接收部14之间进行晶片W的搬运。
处理站3与搬运部12邻接设置。处理站3包括搬运部15和多个处理单元16。多个处理单元16并排设置于搬运部15的两侧。
搬运部15在内部设置有基片搬运装置17。基片搬运装置17包括保持晶片W的晶片保持机构。另外，基片搬运装置17能够向水平方向和垂直方向移动并且以垂直轴为中心旋转，使用晶片保持机构在接收部14与处理单元16之间进行晶片W的搬运。
处理单元16利用基片搬运装置17对被搬运的晶片W进行规定的基片处理。
另外，基片处理系统1包括控制装置4。控制装置4例如为计算机，包括控制部18和存储部19。在存储部19中存储有对在基片处理系统1中执行的各种处理进行控制的程序。控制部18通过读取并执行存储于存储部19的程序，对基片处理系统1的动作进行控制。
此外，上述程序是存储于计算机可读取的存储介质的程序，也可以是从该存储介质安装于控制装置4的存储部19的程序。作为计算机可读取的存储介质，例如有硬盘(HD)、软盘(FD)、光盘(CD)、磁光盘(MO)、存储卡等。
在如上述那样构成的基片处理系统1中，首先，搬入搬出站2的基片搬运装置13从载置于载体载置部11的载体C取出晶片W，将取出的晶片W载置在接收部14。利用处理站3的基片搬运装置17从接收部14取出载置于接收部14的晶片W，搬入处理单元16。
搬入到处理单元16的晶片W由处理单元16处理后，由基片搬运装置17从处理单元16搬出，载置在接收部14。然后，载置于接收部14的处理完成的晶片W被基片搬运装置13送回载体载置部11的载体C。
如图2所示，处理单元16包括腔室20、基片保持机构30、处理流体供给部40和回收杯50。
腔室20收纳基片保持机构30、处理流体供给部40和回收杯50。在腔室20的天井部设置有FFU(Fan Filter Unit，风机过滤单元)21。FFU21在腔室20内形成向下的气流(downflow)。
基片保持机构30包括保持部31、支柱部32和驱动部33。保持部31水平地保持晶片W。支柱部32是在垂直方向上延伸的部件，根端部由驱动部33可旋转地支承，前端部水平地支承保持部31。驱动部33使支柱部32绕垂直轴旋转。上述基片保持机构30使用驱动部33来使支柱部32旋转，以使支承于支柱部32的保持部31旋转，由此使保持于保持部31的晶片W旋转。
处理流体供给部40向晶片W供给处理流体。处理流体供给部40与处理流体供给源70连接。
回收杯50配置成包围保持部31，收集由于保持部31的旋转而从晶片W飞散的处理液。在回收杯50的底部形成有排液口51，利用回收杯50收集到的处理液从上述排液口51向处理单元16的外部排出。另外，在回收杯50的底部形成有将从FFU21供给的气体向处理单元16的外部排出的排气口52。
下面，对包括处理流体供给部40和处理流体供给源70的处理液供给系统进行说明。
处理流体供给源70具有至少一个处理液供给源。在图3所示的实施方式中，处理流体供给源70具有第一处理液供给源71和第二处理液供给源72。第一处理液供给源71供给含有表面活性剂的缓冲氢氟酸(BHF)作为第一处理液。第二处理液供给源72供给例如DIW(纯水)作为第二处理液。
在一个实施方式中，虽然省略了图示，但是第一和第二处理液供给源71、72分别包括供给处理液的罐(tank)、与罐连接的循环线路、设置于循环线路的泵、和设置于循环线路的加热器、过滤器等的装置之类，其中，循环线路形成从罐出发经由循环线路返回罐的循环流。第一和第二处理液供给源71、72的构成不限于此，只要能够在加压状态下供给处理液，可以采用任意的构成。
第一处理液供给源71与供给线路711连接，第二处理液供给源72与供给线路721连接。在供给线路711上设置有开闭阀712，在供给线路721上设置有开闭阀722。供给线路721在汇合点711a与供给线路711汇合。
此外，当处理液供给源71、72如上述那样具有罐和循环线路时，供给线路711与第一处理液用的循环线路连接，供给线路721与第二处理液用的循环线路连接。
在供给线路711上，从上游侧开始依次设置有上述的开闭阀712、流量计714、恒压阀715和开闭阀717(开闭阀717的开闭阀主体717a)。供给线路711的下流端与作为处理流体供给部40的喷嘴(下面，也称为“喷嘴40”)连接。
当向喷嘴40仅供给一种处理液即可时，可以省略处理液供给源72、供给线路721和开闭阀722。此时，还可以省略供给线路711的开闭阀712。即，比恒压阀715靠上游侧的开闭阀712和开闭阀722是为了切换向喷嘴40供给的处理液而设置的部件，与来喷嘴40的处理液的供给(排出)和供给停止动作没有直接关系。
排放线路718在开闭阀717(开闭阀主体717a)的下游侧的分支点711b从供给线路711分支出来。在排放线路718上设置有开闭阀719a和节流孔(orifice)719b。在来自喷嘴40的处理液的供给(排出)结束之后，为了更可靠地防止来自喷嘴40的液滴垂落，排放线路718用于将喷嘴40的排出口附近的处理液引回供给线路711的上游侧。
通过恒压阀715流动的处理液的流量能够通过如下动作来控制，即从电-气调压阀716(操作压力供给部)向恒压阀715的操作端口715a(导向端口，pilot port)供给被精密地控制的空气压即操作压力PP。具体而言，控制装置4(也可以为控制装置4的下位的控制器)对处理方案中规定的流量目标值与流量计714的检测值的偏差进行计算，并且根据该偏差进行反馈控制运算，计算为了达到恒压阀715的二次侧压力所必需的操作压力PP，其中，恒压阀715的二次侧压力是为了达到流量目标值所必需的。然后，控制装置4向电-气调压阀716发送控制信号，上述控制信号指示向操作端口715a供给计算出的操作压力PP。如此，将从喷嘴40经由供给线路711向晶片W供给的处理液的流量控制在所期望的值。即，在本实施方式中，使用恒压阀715作为流量控制阀。流量计714、恒压阀715和电-气调压阀716构成流量控制机构。
优选使用恒压阀715作为流量控制机构的流量控制阀，但是也可以使用其他形式的阀，例如针阀来代替恒压阀715。只要能够具有足够灵敏的反应来进行反馈控制，使得流量计714的检测值与流量目标值一致，则流量控制机构的流量控制阀的形式可以为任意形式。
开闭阀717构成为能够调节闭阀速度的空气调节阀。开闭阀717具有开闭阀主体717a，开闭阀主体717a的阀体由弹簧在关闭方向施力。开闭阀主体717a的操作端口717b经由操作压线路717c与压缩空气供给源717d连接。在操作压线路717c上设置有电磁阀717e和阀组件717f。在阀组件717f内设并列配置的可调节流阀717g和止逆阀717h。
当打开电磁阀717e时，压缩空气以止逆阀717h为主通过阀组件717f供给到开闭阀主体717a，由此打开开闭阀主体717a的阀体。当关闭电磁阀717e时，开闭阀主体717a的阀体由于弹簧的力而返回关闭位置，但是，此时从开闭阀主体717a排出的空气不能通过止逆阀717h，而仅通过可调节流阀717g。因此，通过减小(增大)可调节流阀717g的开度，能够降低开闭阀主体717a的关阀速度。
处理单元16还设置有作为第二处理流体供给部的二流体喷嘴40A。二流体喷嘴40A，被从纯水供给源73a经由设置有开闭阀和流量控制阀等的流量控制器73b的纯水供给线路73c供给纯水(DIW)，另外，被从氮气供给源74a经由设置有开闭阀和流量控制阀等的流量控制器74b的气体供给线路74c供给氮气。在二流体喷嘴40A的内部，通过在氮气中混合纯水使纯水雾化，从二流体喷嘴40A供给(排出)雾化的纯水与氮气的混合流体(二流体)。
在处理单元16还设置有作为第三处理流体供给部的固定喷嘴40B。固定喷嘴40B固定于回收杯50的上部。从纯水供给源75a经由设置有开闭阀和流量调整阀等的流量控制器75b等的纯水供给线路75c向二流体喷嘴40A供给纯水(DIW)。供给到固定喷嘴40B的纯水向水平方向或者斜上方排出，使得纯水着液在由保持部31保持的晶片W的中心部。
喷嘴40和二流体喷嘴40A由共同的喷嘴臂保持或者由各自的喷嘴臂保持，在任一情况下，喷嘴40和二流体喷嘴40A都能够在晶片W的上方的处理位置与回收杯50的外侧的待机位置之间移动。
从固定喷嘴40B供给的纯水(DIW)可以包含微量的氨。即，可以从固定喷嘴40B供给功能水。
下面，对在处理单元16中执行的晶片W的液处理进行说明。此外，在下面说明的例子中，使处理液从第一处理液供给源71向喷嘴40供给。因此，在对一片晶片W进行液处理的期间，开闭阀712一致保持打开，开闭阀722保持关闭。下面不再提及上述的开闭阀712、722。
利用基片搬运装置17向处理单元16内搬入晶片W，利用基片保持机构30将晶片保持在水平姿势。下面，利用基片保持机构30，使晶片W绕垂直轴线旋转。在直到晶片W的处理结束为止的期间，使晶片W连续地旋转。该状态下，喷嘴40位于晶片W的中心部的正上方，开闭阀717(开闭阀主体717a)打开，以由流量控制机构713控制的流量从喷嘴40向晶片W供给含有表面活性剂的BHF(以下，为简化记载，仅称为“BHF”)。由此，对晶片W进行规定的液处理(蚀刻处理)。
之后，将开闭阀717(开闭阀主体717a)关闭，喷嘴40从晶片W的中心部的正上方退开。对于开闭阀717的关闭时的作用，后面进行详细说明。
下面，从固定喷嘴40B向晶片W的中心部供给功能水(含有微量的氨的DIW)。另外，二流体喷嘴40A位于晶片W的中心部的正上方，从二流体喷嘴40A向晶片W的中心部吹附纯水(DIW)的雾气与氮气的混合流体(二流体)。接着，二流体喷嘴40A一边排出二流体，一边向旋转的晶片W的边缘部的正上方的位置移动。由此，对晶片W的表面的全部区域进行二流体清洗处理。在二流体清洗处理中，利用二流体具有的较高的物理性能量，能够高效地去除附着于晶片W的表面的前面步骤的反应生成物等。
通过从二流体喷嘴40A供给二流体，能够高效地去除附着于晶片W上的微粒，但是在晶片W上形成的液膜的厚度倾向于变得比通常的清洗而得的液膜的厚度薄。当液膜较薄时，暂时从晶片W除去的微粒容易再次附着在晶片W的周边部上。但是，在本实施方式中，也从固定喷嘴40B向晶片W供给二流体，因此在晶片W的表面能够形成具有足够厚度的液膜。另外，使用功能水(包含微量的氨的DIW)作为处理液，因此晶片W的表面的电位与微粒的电位共同变为负电位而互相排斥，因而能够更可靠地防止暂时被除去的微粒再次附着在晶片W上。
当二流体喷嘴40A移动到晶片W的周边部的正上方的位置后，使二流体喷嘴40A返回到晶片W的中心部的正上方的位置，并固定在该位置。接着，一边继续向二流体喷嘴40A供给纯水，一边停止氮气的供给。由此，从二流体喷嘴40A向晶片W的中心部供给纯水(其不为雾气状态)，由此对晶片W进行冲洗处理。当停止向二流体喷嘴40A供给氮气时，可以停止排出来自固定喷嘴40B的功能水。
在冲洗处理结束后，停止供给来自二流体喷嘴40A(和固定喷嘴40B)的纯水，优选增加晶片W的转速，进行甩干。根据以上，对一片晶片W的一系列液处理结束。结束了液处理的晶片W被搬出处理单元16。
下面，参照图4，说明上述的蚀刻处理中的、从来自喷嘴40的处理液(即，含有表面活性剂的BHF)的供给开始到供给停止为止的供给控制。此外，控制装置4根据存储于存储部19的处理方案来对基片处理系统1的构成要素进行控制，由此执行以下的控制动作。
首先，在来自喷嘴40的供给处于待机状态时，将开闭阀717(开闭阀主体717a)关闭，根据控制装置4的指令，从电-气调压阀716向恒压阀715的操作端口715a施加例如50kPa的操作压力PP作为初始的操作压力PP。在时刻T1，控制装置4发送用于使处理液开始从喷嘴40供给(排出)的控制信号。更详细而言，控制装置4发送用于打开电磁阀717e的控制信号。当电磁阀717e打开后，开闭阀主体717a打开，处理液开始向供给线路711流动。
控制装置4计算流量计714的检测值对流量目标值(例如第一流量)的偏差，根据该偏差进行反馈控制运算，计算为了达到流量目标值所必需的操作压力PP。然后，控制装置4向电-气调压阀716发送用于使恒压阀715供给计算出的操作压力PP的控制信号。由此，以经控制的流量(例如第一流量)从喷嘴40向晶片W供给处理液。
此外，在此，使稳定地进行着反馈控制时的操作压力PP在大概75kPa附近微小变化(参照在图4的图表中以附图标记B表示的部分)。通过使初始的操作压力PP为稳定控制时的操作压力PP即大约比75kPa适当小的值(此值为固定值)，在反馈控制开始后，不会紧接着发生作为问题的压力水平控制不稳定(例如在图4的图表中以附图标记A表示的过冲变大)的情况(此情况在初始的操作压力PP过大时可能会发生)，也不会发生流量稳定在流量目标值为止所需要的时间变得过长的情况(此情况在初始的操作压力PP过小时可能会发生)。
在从时刻T1开始经过预先设定的时间后的时刻T2，控制装置4发送用于停止供给(排出)来自喷嘴40的处理液的控制信号。时刻T2不限于从时刻T1开始经过预先设定的时刻，也可以是流量计714的检测值的积分值(即来自喷嘴40的处理液的排出总量)变为预先设定的值的时刻。
在时刻T2为了停止供给(排出)来自喷嘴40的处理液而从控制装置4发送的控制信号包含：将小于第一流量的第二流量作为流量目标值给予流量控制机构713的第一控制信号；和使开闭阀717从打开状态向关闭状态转移的第二控制信号。详细而言，在时刻T2，控制装置4对电-气调压阀716发送控制信号(第一控制信号)，上述控制信号使向恒压阀715供给的操作压力PP比处理液以上述第一流量稳定地在供给线路711中流动时的作为作压力PP的大约75kPa小，并且使比作为初始的操作压力PP的50kPa小的供给停止用操作压力降低至例如25kPa。由此，恒压阀的开度减小，在供给线路711中流动的处理液的流量从上述第一流量减少到第二流量(其小于第一流量)(当开闭阀717(开闭阀主体717a)维持在打开状态时)。另外，在时刻T2，为了以经控制的闭阀速度关闭开闭阀717(开闭阀主体717a)，控制装置4发送用于使可调节流阀717g的开度收缩到预先设定的值的控制信号和用于关闭电磁阀717e的控制信号(第二控制信号)。
此外，可调节流阀716f可以在时刻T2之前收缩。另外，如果不需要改变开闭阀主体717a的闭阀速度(例如如果可以以与平常相同的低速度进行开阀)，则可以代替可调节流阀716f而设置固定节流阀(节流孔)。
通过上述的操作，在流动于供给线路711的处理液的流量减少了的状态下，将开闭阀717(开闭阀主体717a)关闭。因此，在从喷嘴40供给(排出)的处理液的流量(即流速)比较低的状态下，处理液的流动停止(时刻T3)。因此，即使使用了如含有表面活性剂的BHF那样的具有低表面张力的处理液，也能够防止作用在喷嘴40内的处理液的前端部分的惯性力大于要防止该前端部分破裂的表面张力。因此，能够防止在喷嘴40内发生液体破裂，进而能够防止来自喷嘴40的液体垂落。
另外，由于缓缓地关闭开闭阀717(开闭阀主体717a)，与急剧地关闭开闭阀717的情况相比，更难以在喷嘴40内发生液体破裂。
图5是示意地表示在时刻T2不进行使操作压力PP减小的控制而关闭了开闭阀716的情况下产生的喷嘴40内的液体破裂的图。由于在喷嘴40内处理液L急速停止，因此因作用在处理液L的前端部的惯性力而产生膨胀部D1。当作用于膨胀部D1的根部的表面张力较大时，由于表面张力而膨胀部D1被引回处理液L，但是，当表面张力较小时，由于惯性力而膨胀部D1分离成为液滴D2。因此，当处理液的表面张力较小时(例如当处理液为含有表面活性剂的BHF时)，为了能够尽可能地减小惯性力，在减少了在喷嘴40内流动的处理液的流量(流速)的状态下，可以关闭开闭阀717(开闭阀主体717a)。由此，即使产生了膨胀部D1，由于表面张力，膨胀部D1也被引回处理液L，不会产生液滴D2。
在停止供给(排出)来自喷嘴40的处理液的时刻T3之后，在时刻T4，使操作压力PP上升至上述的初始的操作压力(在本例中为50kPa)。时刻T4可以为对接下来要处理的晶片W开始排出处理液的时刻T1之前的任意的时刻。
在开闭阀717(开闭阀主体717a)完全关闭后，可以进行将存在于喷嘴40内的处理液引回上游侧的操作。即，在开闭阀717关闭的状态下，当排放线路718的开闭阀719a打开后，存在于排放线路718内的处理液由于重力而向下方落下，并与之相随，由于虹吸原理，存在于喷嘴40内及其附近的供给线路711内的处理液被引入供给线路711的上游侧的区域。由此，至少能够成为在喷嘴40内不存在处理液的状态，能够可靠地防止来自喷嘴40的液体垂落。为了能够进行上述的操作，将开闭阀719a和排放线路718内的下游端的高度位置设定为低于喷嘴40的高度位置。此外，通过该操作，向供给线路711供给2种以上的处理液时，能够抑制在第二处理液的开始供给的初期从喷嘴40供给第一处理液。
根据上述实施方式，当停止供给来自喷嘴40的处理液时，能够防止在喷嘴40内产生液体破裂，能够防止来自喷嘴40的液体垂落。另外，在上述实施方式中，当停止供给来自喷嘴40的处理液时，无需舍弃不向晶片W供给的处理液，因此能够提高处理液的利用效率，另外能够精确地管理向晶片W供给的处理液的总量。
上述实施方式能够如下所述那样进行改变。
如图3中虚线所示，可以仅在设置对喷嘴40的排出口附近进行拍摄的照相机80，根据由照相机80拍摄的图像确认在处理液的供给停止时产生了液体垂落时，进行上述的停止控制(使恒压阀715的操作压力PP降低至供给停止用操作压力)。即，可以根据照相机图像，判断是否进行上述的停止控制。另外，可以在利用照相机图像确认某供给停止用操作压力(对应于第二流量)下产生了液体垂落时，进一步减小供给停止用操作压力。即，可以根据照相机图像，进行供给停止用操作压力(第二流量)的决定或变更。
控制装置4可以设置有数据库，该数据库按每种处理液存储有是否有进行上述的停止控制的必要性和在停止控制中应使用的供给停止用操作压力(或者第二流量)的值。数据库能够存储于控制装置4的存储部19。可基于实验结果来创建这样的数据库。控制装置4可以构成为：当真正对晶片W供给处理液时，参照数据库来决定是否进行停止控制，并且在进行停止控制时决定供给停止用操作压力(第二流量)的值。
在上述的实施方式中，在时刻T2，减小恒压阀715的操作压力PP，同时开始关闭开闭阀716，但是，恒压阀715的操作压力PP可以在比时刻T2稍早的时刻(T2’)开始减小(在图4中，参照从比时刻T2早的时刻T2’开始下降的虚线C)。此时，在即将向开闭阀717发送使开闭阀717从打开状态向关闭状态转变的控制信号(上述的第二控制信号)之前，控制装置4向电-气调压阀716发送控制信号(上述的第一控制信号)，其使向恒压阀715供给的操作压力PP降低至供给停止用操作压力。在上述的实施方式中，由于使开闭阀716缓慢地关闭，从喷嘴40供给的处理液的总量倾向于稍大于期望的值，但是由于恒压阀715的操作压力PP的减小的时序稍早，能够抵消由缓慢地关闭开闭阀716而引起的处理液的总供给量的增大。
在上述的实施方式中，作为流量控制阀的恒压阀715位于开闭阀717的上游侧，但是也可以位于下游侧。在该情况下，通过进行与上述相同的停止控制，能够得到同样的高价值。
处理对象的基片不限于半导体晶片W，还可以是玻璃基片、陶瓷基片等的其他种类的基片。

Claims (10)

1.一种基片液处理装置，其特征在于，包括：
保持基片的基片保持部；
对由所述基片保持部保持的所述基片供给处理液的喷嘴；
一端与喷嘴连接，另一端与处理液供给源连接的供给线路；
具有设置于所述供给线路的流量计和流量控制阀的流量控制机构；
设置于所述供给线路的开闭阀；和
控制所述流量控制机构和所述开闭阀的动作的控制部，
所述流量控制机构能够调节所述流量控制阀，以使得所述流量计的检测值与所述控制部给予的流量目标值一致，
所述控制部使所述开闭阀成为打开状态，从所述喷嘴向所述基片供给所述处理液，并且将第一流量作为所述流量目标值给予所述流量控制机构，
所述控制部，在要使所述开闭阀从打开状态转变为关闭状态，从将所述处理液从所述喷嘴向所述基片供给的状态起停止供给所述处理液时，进行将比所述第一流量小的第二流量作为所述流量目标值给予所述流量控制机构的停止控制，直到所述开闭阀开始从打开状态向关闭状态转变，
在所述停止控制中，所述控制部向所述开闭阀发送使所述开闭阀从打开状态转变为关闭状态的控制信号，同时对所述流量控制机构发送将所述第二流量设定为所述流量目标值的控制信号，
所述控制部具有数据库，该数据库按所述处理液的每个种类记录有是否有进行所述停止控制的必要性和在所述停止控制中应使用的所述第二流量的值，所述控制部参照所述数据库，决定是否进行所述停止控制，并且在进行所述停止控制时决定所述第二流量的值。
2.一种基片液处理装置，其特征在于，包括：
保持基片的基片保持部；
对由所述基片保持部保持的所述基片供给处理液的喷嘴；
一端与喷嘴连接，另一端与处理液供给源连接的供给线路；
具有设置于所述供给线路的流量计和流量控制阀的流量控制机构；
设置于所述供给线路的开闭阀；和
控制所述流量控制机构和所述开闭阀的动作的控制部，
所述流量控制机构能够调节所述流量控制阀，以使得所述流量计的检测值与所述控制部给予的流量目标值一致，
所述控制部使所述开闭阀成为打开状态，从所述喷嘴向所述基片供给所述处理液，并且将第一流量作为所述流量目标值给予所述流量控制机构，
所述控制部，在要使所述开闭阀从打开状态转变为关闭状态，从将所述处理液从所述喷嘴向所述基片供给的状态起停止供给所述处理液时，进行将比所述第一流量小的第二流量作为所述流量目标值给予所述流量控制机构的停止控制，直到所述开闭阀开始从打开状态向关闭状态转变，
在所述停止控制中，所述控制部在即将向所述开闭阀发送使所述开闭阀从打开状态转变为关闭状态的控制信号之前，对所述流量控制机构发送将所述第二流量设定为所述流量目标值的控制信号，
所述控制部具有数据库，该数据库按所述处理液的每个种类记录有是否有进行所述停止控制的必要性和在所述停止控制中应使用的所述第二流量的值，所述控制部参照所述数据库，决定是否进行所述停止控制，并且在进行所述停止控制时决定所述第二流量的值。
3.如权利要求1或2所述的基片液处理装置，其特征在于：
所述流量控制机构的所述流量控制阀形成为具有操作端口的恒压阀，所述恒压阀的二次侧压力能够根据施加到所述操作端口的气压而变化，所述流量控制机构还具有对所述恒压阀的所述操作端口施加操作气压的电-气调压阀，所述控制部使所述电-气调压阀对所述恒压阀施加与所述流量目标值对应的操作气压。
4.如权利要求1或2所述的基片液处理装置，其特征在于：
所述开闭阀具有降低闭阀速度的机构。
5.如权利要求1或2所述的基片液处理装置，其特征在于：
还包括拍摄所述喷嘴的照相机，
所述控制部基于来自所述喷嘴的液体垂落的状况，判断是否有进行所述停止控制的必要性或者进行所述停止控制中的所述第二流量的决定或变更，其中，所述液体垂落的状况是在停止供给来自所述喷嘴的所述处理液之后，立即根据由所述照相机过去拍摄的所述喷嘴的图像把握的。
6.一种基片液处理装置，其特征在于，包括：
保持基片的基片保持部；
对由所述基片保持部保持的所述基片供给处理液的喷嘴；
一端与喷嘴连接，另一端与处理液供给源连接的供给线路；
具有设置于所述供给线路的流量计和流量控制阀的流量控制机构；
设置于所述供给线路的开闭阀；和
控制所述流量控制机构和所述开闭阀的动作的控制部，
所述流量控制机构能够调节所述流量控制阀，以使得所述流量计的检测值与所述控制部给予的流量目标值一致，
所述控制部使所述开闭阀成为打开状态，从所述喷嘴向所述基片供给所述处理液，并且将第一流量作为所述流量目标值给予所述流量控制机构，
所述控制部，在要使所述开闭阀从打开状态转变为关闭状态，从将所述处理液从所述喷嘴向所述基片供给的状态起停止供给所述处理液时，进行将比所述第一流量小的第二流量作为所述流量目标值给予所述流量控制机构的停止控制，直到所述开闭阀开始从打开状态向关闭状态转变，
所述开闭阀具有降低闭阀速度的机构，
所述控制部具有数据库，该数据库按所述处理液的每个种类记录有是否有进行所述停止控制的必要性和在所述停止控制中应使用的所述第二流量的值，所述控制部参照所述数据库，决定是否进行所述停止控制，并且在进行所述停止控制时决定所述第二流量的值。
7.一种基片液处理装置，其特征在于，包括：
保持基片的基片保持部；
对由所述基片保持部保持的所述基片供给处理液的喷嘴；
一端与喷嘴连接，另一端与处理液供给源连接的供给线路；
具有设置于所述供给线路的流量计和流量控制阀的流量控制机构；
设置于所述供给线路的开闭阀；
拍摄所述喷嘴的照相机；和
控制所述流量控制机构和所述开闭阀的动作的控制部，
所述流量控制机构能够调节所述流量控制阀，以使得所述流量计的检测值与所述控制部给予的流量目标值一致，
所述控制部使所述开闭阀成为打开状态，从所述喷嘴向所述基片供给所述处理液，并且将第一流量作为所述流量目标值给予所述流量控制机构，
所述控制部，在要使所述开闭阀从打开状态转变为关闭状态，从将所述处理液从所述喷嘴向所述基片供给的状态起停止供给所述处理液时，进行将比所述第一流量小的第二流量作为所述流量目标值给予所述流量控制机构的停止控制，直到所述开闭阀开始从打开状态向关闭状态转变，
所述控制部基于来自所述喷嘴的液体垂落的状况，判断是否有进行所述停止控制的必要性或者进行所述停止控制中的所述第二流量的决定或变更，其中，所述液体垂落的状况是在停止供给来自所述喷嘴的所述处理液之后，立即根据由所述照相机过去拍摄的所述喷嘴的图像把握的，
所述控制部具有数据库，该数据库按所述处理液的每个种类记录有是否有进行所述停止控制的必要性和在所述停止控制中应使用的所述第二流量的值，所述控制部参照所述数据库，决定是否进行所述停止控制，并且在进行所述停止控制时决定所述第二流量的值。
8.一种基片液处理装置，其特征在于，包括：
保持基片的基片保持部；
对由所述基片保持部保持的所述基片供给处理液的喷嘴；
一端与喷嘴连接，另一端与处理液供给源连接的供给线路；
具有设置于所述供给线路的流量计和流量控制阀的流量控制机构；
设置于所述供给线路的开闭阀；和
控制所述流量控制机构和所述开闭阀的动作的控制部，
所述流量控制机构能够调节所述流量控制阀，以使得所述流量计的检测值与所述控制部给予的流量目标值一致，
所述控制部使所述开闭阀成为打开状态，从所述喷嘴向所述基片供给所述处理液，并且将第一流量作为所述流量目标值给予所述流量控制机构，
所述控制部，在要使所述开闭阀从打开状态转变为关闭状态，从将所述处理液从所述喷嘴向所述基片供给的状态起停止供给所述处理液时，进行将比所述第一流量小的第二流量作为所述流量目标值给予所述流量控制机构的停止控制，直到所述开闭阀开始从打开状态向关闭状态转变，
所述控制部具有数据库，该数据库按所述处理液的每个种类记录有是否有进行所述停止控制的必要性和在所述停止控制中应使用的所述第二流量的值，所述控制部参照所述数据库，决定是否进行所述停止控制，并且在进行所述停止控制时决定所述第二流量的值。
9.一种在基片液处理装置中从喷嘴向基片供给处理液的处理液供给方法，所述基片液处理装置包括：保持所述基片的基片保持部；对由所述基片保持部保持的所述基片供给所述处理液的所述喷嘴；一端与喷嘴连接，另一端与处理液供给源连接的供给线路；具有设置于所述供给线路的流量计和流量控制阀的流量控制机构；在所述流量控制阀的下游侧设置于所述供给线路的开闭阀；和控制所述流量控制机构和所述开闭阀的动作的控制部，所述流量控制机构能够调节所述流量控制阀，以使得所述流量计的检测值与所述流量控制机构给予的流量目标值一致，所述处理液供给方法的特征在于：
当从所述喷嘴将所述处理液以第一流量向所述基片供给时，使所述开闭阀成为打开状态，并且将所述第一流量作为所述流量目标值给予所述流量控制机构，
在要从将所述处理液从所述喷嘴以所述第一流量向所述基片供给的状态起停止供给来自所述喷嘴的所述处理液时，使所述开闭阀从打开状态转变为关闭状态，并且进行将比所述第一流量小的第二流量作为所述流量目标值给予所述流量控制机构的停止控制，最晚至所述开闭阀开始从打开状态向关闭状态转变之前，
所述控制部具有数据库，该数据库按所述处理液的每个种类记录有是否有进行所述停止控制的必要性和在所述停止控制中应使用的所述第二流量的值，所述控制部参照所述数据库，决定是否进行所述停止控制，并且在进行所述停止控制时决定所述第二流量的值。
10.一种存储介质，其特征在于：
存储有程序，所述程序被用于控制基片液处理装置的动作的计算机执行时，所述计算机控制所述基片液处理装置来执行权利要求9所述的处理液供给方法。
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Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10864533B2 (en) * 2017-06-27 2020-12-15 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Integrated circuit, system for and method of forming an integrated circuit
CN110544648A (zh) * 2018-12-11 2019-12-06 北京北方华创微电子装备有限公司 金属互连清洗装置及清洗方法
JP7326003B2 (ja) * 2019-04-09 2023-08-15 株式会社荏原製作所 液体供給装置、洗浄ユニット、基板処理装置
WO2021091635A1 (en) 2019-11-04 2021-05-14 Tokyo Electron Limited Methods and systems to monitor, control, and synchronize dispense systems
JP7361130B2 (ja) * 2019-11-07 2023-10-13 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理方法、及び記憶媒体
JP7099603B1 (ja) 2021-09-07 2022-07-12 栗田工業株式会社 半導体製造用液体供給装置

Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1249214A (zh) * 1998-09-25 2000-04-05 Smc株式会社 防止失禁液滴的方法和系统
JP2004087800A (ja) * 2002-08-27 2004-03-18 Tokyo Electron Ltd 成膜装置および成膜装置の供給ノズル吐出制御方法
KR20130014024A (ko) * 2011-07-27 2013-02-06 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 액처리 장치, 액처리 장치의 제어 방법, 및 컴퓨터 판독 가능한 기억 매체
TW201440897A (zh) * 2013-03-01 2014-11-01 Tokyo Electron Ltd 液體供給裝置
JP2014232894A (ja) * 2014-09-05 2014-12-11 東京エレクトロン株式会社 液処理装置
TW201448018A (zh) * 2013-03-15 2014-12-16 Tokyo Electron Ltd 基板液體處理方法、基板液體處理裝置及記憶媒體
JP2016115844A (ja) * 2014-12-16 2016-06-23 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法及びその装置
JP2016187000A (ja) * 2015-03-27 2016-10-27 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 処理液供給装置および処理液供給装置の制御方法
JP2016192550A (ja) * 2015-03-30 2016-11-10 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
JP2017092241A (ja) * 2015-11-10 2017-05-25 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 処理液供給装置および処理液供給装置の制御方法

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4086057B2 (ja) * 2004-06-21 2008-05-14 日立金属株式会社 質量流量制御装置及びこの検定方法
JP4852323B2 (ja) * 2006-03-07 2012-01-11 株式会社荏原製作所 液供給方法、液供給装置、基板研磨装置、液供給流量測定方法
JP5939204B2 (ja) * 2013-06-12 2016-06-22 東京エレクトロン株式会社 液処理装置

Patent Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1249214A (zh) * 1998-09-25 2000-04-05 Smc株式会社 防止失禁液滴的方法和系统
JP2004087800A (ja) * 2002-08-27 2004-03-18 Tokyo Electron Ltd 成膜装置および成膜装置の供給ノズル吐出制御方法
KR20130014024A (ko) * 2011-07-27 2013-02-06 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 액처리 장치, 액처리 장치의 제어 방법, 및 컴퓨터 판독 가능한 기억 매체
TW201440897A (zh) * 2013-03-01 2014-11-01 Tokyo Electron Ltd 液體供給裝置
TW201448018A (zh) * 2013-03-15 2014-12-16 Tokyo Electron Ltd 基板液體處理方法、基板液體處理裝置及記憶媒體
JP2014232894A (ja) * 2014-09-05 2014-12-11 東京エレクトロン株式会社 液処理装置
JP2016115844A (ja) * 2014-12-16 2016-06-23 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法及びその装置
JP2016187000A (ja) * 2015-03-27 2016-10-27 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 処理液供給装置および処理液供給装置の制御方法
JP2016192550A (ja) * 2015-03-30 2016-11-10 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
JP2017092241A (ja) * 2015-11-10 2017-05-25 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 処理液供給装置および処理液供給装置の制御方法

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