TW201440897A - 液體供給裝置 - Google Patents

液體供給裝置 Download PDF

Info

Publication number
TW201440897A
TW201440897A TW103106567A TW103106567A TW201440897A TW 201440897 A TW201440897 A TW 201440897A TW 103106567 A TW103106567 A TW 103106567A TW 103106567 A TW103106567 A TW 103106567A TW 201440897 A TW201440897 A TW 201440897A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
liquid supply
liquid
supply path
nozzle
valve
Prior art date
Application number
TW103106567A
Other languages
English (en)
Other versions
TWI538743B (zh
Inventor
Takahiro Ookubo
Seiya Totsuka
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Publication of TW201440897A publication Critical patent/TW201440897A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI538743B publication Critical patent/TWI538743B/zh

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H01L21/0271Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
    • H01L21/0273Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
    • H01L21/0274Photolithographic processes

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Coating Apparatus (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Materials For Photolithography (AREA)

Abstract

本發明之目的為:在將液體供給源的處理液從噴嘴供給至被處理體的期間,於停止從噴嘴吐出處理液時,抑制來自該噴嘴的滴液。為達成上述之目的,本發明之液體供給裝置中,液體供給源2與噴嘴24之間的第1液體供給路徑3A與第2液體供給路徑3B,在設有液壓調整閥31B的液壓調整室8中,以其方向形成互相垂直的方式連接。另外,液壓調整閥31B的隔膜6,係以第2液體供給路徑3B之上游端對向的方式配置,並沿著第2液體供給路徑3B的延伸方向自由進退地構成。接著,在處理液的吐出結束後,液體供給路徑3內的液壓一度降低之後開始上升時,使液壓調整閥31B的隔膜6後退。

Description

液體供給裝置
本發明係關於一種液體供給裝置,用以透過噴嘴將處理液供給至被處理體。
作為供給藥液等的處理液以進行液體處理的單片式裝置,可舉例如,將包含光阻液或絕緣膜之前驅物的藥液等塗布於旋轉夾頭上的晶圓的裝置。此種液體處理裝置,係將處理液供給至晶圓的液體供給裝置,其中,係從設於液體供給路徑之下游端的液體吐出部、即噴嘴吐出處理液,並藉由開閉閥的開閉,進行處理液的供給與遮斷。在停止從噴嘴供給處理液之後,若處理液垂滴至晶圓上,則會造成晶圓上之液膜的膜厚分布不均勻,而使得該晶圓成為不良品。因此,在滴液成為問題的情況中,一般會在開閉閥的下游側設置回吸閥(Suck back valve),在將開閉閥關閉之後,藉由回吸閥將液體吸回。
然而,若急遽將開閉閥關閉,則液壓產生極大的變動,而使得處理液在液體供給路徑內於流動方向上振動,即引起所謂的水錘(Water Hammer)現象。因此,在回吸閥動作的時間點並不適當的情況下,液體振動的幅度增加,可能導致液體從噴嘴飛濺出來。若液體供給路徑的長度尺寸越長,則水錘現象變得越顯著。回吸閥動作的時間點,雖宜設定在液體振動平靜之後,但若該時間點太遲,則會導致處理速度變慢。因此,若要兼顧兩者 而設定該時間點,則因為該時間點難以設定而成為了問題;此外,即使將該時間點延遲,亦可能在回吸閥動作之前,因為液體振動而導致液體從噴嘴飛濺出來。
專利文獻1中,雖對於回吸閥有所記載,但並未討論水錘現象。
【先行技術文獻】 【專利文獻】
【專利文獻1】日本特開2000-223402
本發明係鑒於上述情事所完成者,其目的係在於提供一種液體供給裝置,可在將處理液從噴嘴供給至被處理體時,抑制因為閥關閉時的水錘現象所造成的滴液(Dripping)。
本發明之液體供給裝置,係用以將處理液從噴嘴供給至被處理體的液體供給裝置,其特徵為包含:第1液體供給路徑,與該處理液的液體供給源連接;閥,插設於該第1液體供給路徑,用以進行處理液的供給與遮斷;液壓調整室,設於該第1液體供給路徑的下游端;第2液體供給路徑,在相對於該第1液體供給路徑交叉的方向上從該液壓調整室延伸出來,其下游端設有噴嘴;可動壁部,其可自由進退以用於調整液壓,且構成與該第2液體供給路徑的上游端對向之該液壓調整室的壁部;以及驅動部,用以在該閥關閉時,處理液被壓出至該噴嘴側之後被吸回至該閥側時,使該可動壁部後退。
該液體供給裝置,亦可為下述構成。具備控制該驅動部之控制部的構 成。該控制部係如下所述之構成:以「在該閥封閉並經過設定時間之後,使該可動壁部後退」的方式輸出控制信號。該控制部係如下所述之構成:以「在該閥開啟的同時或正在開啟時,使該可動壁部前進」的方式輸出控制信號。該可動壁部係由隔膜(Diaphragm)所構成。該第2液體供給路徑上,設有將該噴嘴內的處理液吸引至該閥側的吸引機構。
本發明中,在將液體供給源的處理液從噴嘴吐出時,使液體供給源與噴嘴之間的第1液體供給路徑及該第2液體供給路徑,以形成其方向互相交叉的方式,分別與液壓調整室連接。另外,以與液壓調整室中的第2液體供給路徑的上游端對向的壁部,構成自由進退的可動壁部。接著,在設於第1液體供給路徑的閥封閉時,在處理液被壓出至噴嘴側之後被吸回至閥側時,使可動壁部後退。因此,可在處理液的吐出結束後,抑制來自噴嘴的滴液。
1‧‧‧集合噴嘴
2‧‧‧液體供給源
3‧‧‧液體供給路徑
3A‧‧‧第1液體供給路徑
3B‧‧‧第2液體供給路徑
4‧‧‧液供給控制部
5~7‧‧‧隔膜
8‧‧‧液壓調整室
10‧‧‧基部
11‧‧‧處理部
12‧‧‧旋轉夾頭
13‧‧‧杯體
14‧‧‧升降銷
15‧‧‧輔助噴嘴
16‧‧‧噴嘴待命部
17‧‧‧臂部
18‧‧‧導軌
21‧‧‧臂部
22‧‧‧導軌
23‧‧‧噴頭
24‧‧‧噴嘴
25‧‧‧送液用流路
26‧‧‧固定部
27‧‧‧噴嘴待命部
31A‧‧‧開閉閥
31B‧‧‧液壓調整閥
31C‧‧‧回吸閥
33‧‧‧流入口
34‧‧‧排出口
36‧‧‧閥
37‧‧‧流量調整部
38‧‧‧儲存部
41‧‧‧控制部
51‧‧‧劃分壁
52‧‧‧支持部
53‧‧‧驅動部
54‧‧‧進退軸
55‧‧‧壓電元件
56‧‧‧壓電基板
57‧‧‧電極膜
58‧‧‧支持部
59‧‧‧高頻電源部
61‧‧‧磁石
62‧‧‧支持部
63‧‧‧電磁石
64‧‧‧直流電源部
65‧‧‧開關
71‧‧‧薄膜
72‧‧‧驅動部
73‧‧‧進退軸
W‧‧‧晶圓
【圖1】係顯示具備本發明之液體供給裝置之光阻塗布裝置的立體圖。
【圖2】係顯示該液體供給裝置的縱剖面圖。
【圖3】係示意顯示該液體供給裝置中的流路之一部分的立體圖。
【圖4】係顯示該光阻塗布裝置中各閥開閉之時間點的示意圖。
【圖5】係示意顯示習知液體供給裝置中的作用的縱剖面圖。
【圖6】係示意顯示習知液體供給裝置中的作用的縱剖面圖。
【圖7】係顯示習知液體供給裝置與本發明之液體供給裝置之中,液壓變動的特性圖。
【圖8】係示意顯示本發明之液體供給裝置中的作用的縱剖面圖。
【圖9】係示意顯示本發明之液體供給裝置中的作用的縱剖面圖。
【圖10】係示意顯示本發明之液體供給裝置中的作用的縱剖面圖。
【圖11】係示意顯示本發明之液體供給裝置中的作用的縱剖面圖。
【圖12】係顯示本發明之液體供給裝置之其他實施例的縱剖面圖。
【圖13】係顯示本發明之液體供給裝置之其他實施例的縱剖面圖。
【圖14】係顯示本發明之液體供給裝置之其他實施例的縱剖面圖。
【圖15】係顯示本發明之液體供給裝置之其他實施例的縱剖面圖。
【圖16】係顯示本發明之液體供給裝置之其他實施例的縱剖面圖。
【圖17】係顯示本發明之液體供給裝置之其他實施例中,各閥開閉時間點的示意圖。
以下參照圖1~圖3,一併說明本發明之實施態樣的液體供給裝置,以及應用該液體供給裝置的光阻塗布裝置。該光阻塗布裝置,用以對於成為被處理體之基板的晶圓W進行處理液、即光阻液的塗布,其具備:複數、例如三個處理部11,在横向上並排配置;液體供給控制部4,用以對配置於各處理部11的晶圓W供給光阻液。首先,簡單說明液體供給控制部4以外的部位。
如圖1所示,各處理部11中,設有用以吸引保持晶圓W之背面側的旋轉夾頭12;各旋轉夾頭12,係以藉由圖中未顯示的旋轉機構繞著垂直軸自由旋轉的方式所構成。圖1中,13為杯體、14為用以使晶圓W升降的升降銷。另外,圖1中,10為配置各處理部11的基部。
各處理部11中,設置有:輔助噴嘴15,其吐出稀釋液,以從形成有光阻膜之晶圓W的邊緣部去除該光阻膜;及噴嘴待命部16,用以使該輔助噴嘴15待機。接著,輔助噴嘴15係以下述方式所構成:由臂部17所支持,並且可在與晶圓W的邊緣部上方對向的位置及噴嘴待命部16上方的位置之間,沿著導軌18在水平方向上移動。
基部10上,設有用以對晶圓W供給光阻液的集合噴嘴1,以作為液體吐出部;該集合噴嘴1,係設置為共用於前述各處理部11的光阻供給部。具體而言,集合噴嘴1係以下述方式所構成:由臂部21所支持,並可沿著 導軌22自由移動,該導軌22係沿著該等處理部11的並排方向鋪設。另外,該集合噴嘴1亦可以下述方式構成:在臂部21的前端部之噴頭23的底面側,配置複數噴嘴24。亦即,集合噴嘴1係以「可對各處理部11中的各晶圓W,供給濃度及成分不同的多種光阻液及稀釋液」的方式所構成,並且使該等各噴嘴24沿著該集合噴嘴1的移動路徑配置成一列。又,圖1等之中,省略該等噴嘴24的數量。
從該集合噴嘴1的各噴嘴24延伸出來的彈性(具可撓性的)液體供給路徑3的中途部位,固定於集合噴嘴1的臂部21;各液體供給路徑3之上游側(與噴嘴24的相反側)的端部,透過本發明之液體供給控制部4,與液體供給源2連接。液體供給路徑3,在臂部21與液體供給控制部4之間,藉由固定部26固定於基部10;如後所述,液體供給控制部4的內部及該液體供給控制部4的附近,係以例如金屬等的硬質構件所構成。為了以沿著各處理部11之並排方向自由移動的方式構成集合噴嘴1,液體供給路徑3在固定部26與集合噴嘴1之間的長度尺寸形成例如0.5m~3.0m。
各液體供給源2,與作為驅動部的送液用流路25連接,該送液用流路25係用以將空氣等供給至該液體供給源2之內部的氣相側等,其係以將液體供給源2內加壓,而將處理液送出至液體供給路徑3的方式所構成。又,圖1中,關於液體供給路徑3及液體供給源2,僅描繪多種光阻液中的一種及稀釋液,以作為代表。另外,各液體供給源2,被收納載置於例如,光阻塗布裝置的下方側的收納部,此處僅示意地將其描繪於光阻塗布裝置的側方側。圖1中,27係用以使集合噴嘴1待機的噴嘴待命部。
接著,說明本發明之實施態樣的液體供給裝置。該液體供給裝置,具備插設於液體供給路徑3的液體供給控制部4。液體供給控制部4,如圖2所示,係以沿著處理液的流路(液體供給路徑3),從上游側開始依序配置有下述構件的方式所構成:開閉閥31A,進行處理液的供給與遮斷;液壓調整閥31B;及回吸閥31C。該等閥31A~31C,係分別由隔膜5~7所構成。開閉閥31A之上游側(液體供給源2側)的液體供給路徑3,係沿著隔膜5所 形成的面水平延伸,而下游側的液體供給路徑3係在接近隔膜5中央的部位,朝向下方側垂直彎曲。該下游側的液體供給路徑3,係以沿著液壓調整閥31B的隔膜6所形成的面在上下方向上延伸的方式,與該液壓調整閥31B連接。液壓調整閥31B之下游側的液體供給路徑3,在接近隔膜6中央的部位垂直彎曲而水平地延伸出去。
如此,液體供給路徑3,有兩處垂直彎曲,上游側的彎曲部位設有開閉閥31A,另外,下游側的彎曲部位設有液壓調整閥31B。以下的說明中,將液壓調整閥31B之上游側的液體供給路徑3及下游側的液體供給路徑3,分別稱為「第1液體供給路徑3A」及「第2液體供給路徑3B」。回吸閥31C,設於第2液體供給路徑3B。此例中,開閉閥31A與液壓調整閥31B之間的第1液體供給路徑3A,以及液壓調整閥31B與回吸閥31C之間的第2液體供給路徑3B,係由例如金屬等硬質的材質所構成。
液壓調整閥31B,雖如上所述,可說是設於流路的彎曲部位,但因為該彎曲部位,如後所述,係抑制「在開閉閥31A關閉時所產生之水錘現象所造成之壓力變動」的部位,故又稱為液壓調整室8。
各閥31A~31C中設有:流入口33,使例如空氣等的流體流入隔膜5~7的背面側的區域;及排出口34,使該空氣排出。因此,隔膜5~7係以下述方式所構成:若空氣流入該區域,則各隔膜5~7往處理液的流動方向前進,另一方面,若從該區域排出空氣,則該隔膜5~7因為其剛性所造成的復元力,相對於該液體流動方向後退。圖2中,36及37分別為閥及流量調整部,38為儲存空氣等流體的儲存部。又,後述的圖4中,將從流入口33使空氣流入隔膜5~7之背面側區域的動作稱為「ON」,從排出口34排出的動作稱為「OFF」,以進行說明。
因此,開閉閥31A的隔膜5係以下述方式所構成:藉由在相對於朝向集合噴嘴1之液體流向往上方側離開的位置(開放位置),以及將往下延伸之第1液體供給路徑3A的上端開口部封阻的位置(封閉位置)之間進退,以進行處理液的供給與遮斷。圖2中,35係彈簧等的推壓機構,其用以將開閉 閥31A中的隔膜5往上方偏壓(拉起)。又,圖2中,係以簡化的方式描繪集合噴嘴1。
液壓調整室8的隔膜6,如圖2及圖3所示,構成可動壁部;該可動壁部,係以成為與該液壓調整室8中的第2液體供給路徑3B的上游端對向之壁部的方式配置,並可沿著該第2液體供給路徑3B延伸之方向進退。亦即,該隔膜6係以可在下述兩位置之間進退的方式構成:在液壓調整室8中,相對於從第1液體供給路徑3A往第2液體供給路徑3B之液體流動往側方側離開的位置,以及相較於該位置更從第2液體供給路徑3B離開(後退)的位置。該隔膜6,如以下所詳述,並非係進行液體流動的供給與遮斷,而是具有抑制第2液體供給路徑3B的內部或液壓調整室8的內部之液壓變動(脈動)的功能。此處,對於本發明中設置這種液壓調整閥31B的理由,換言之,對於以往的液體供給路徑3中產生液壓脈動的理由,於以下進行說明。又,圖3係顯示縱向將液壓調整室8切開的態樣。
亦即,透過液體供給路徑3從噴嘴24對晶圓W吐出處理液之後,在藉由開閉閥31A封閉液體供給路徑3的期間,在噴嘴24側,處理液因為慣性與重力而直接從該噴嘴24吐出。另外,噴嘴24的前端部,因為產生處理液的表面張力,使得處理液因為該表面張力而停留在噴嘴24的附近。因此,在以開閉閥31A封閉液體供給路徑3時,為了防止來自噴嘴24的剩餘滴液,如圖5所示,必須在液體供給路徑3內的開閉閥31A側的區域產生負壓,以抵抗該慣性、重力或是表面張力。具體而言,藉由使用隔膜5作為進行處理液之供給與遮斷的機構,可急遽的遮斷液體流動。
因此,噴嘴24附近的處理液,因為被液體供給路徑3內之開閉閥31A側的區域所產生的負壓而吸引至該區域,故可抑制來自噴嘴24的滴液。然而,若液體供給路徑3內成為負壓,在未設有前述液壓調整閥31B之習知構成的情況中,如圖6所示,之後產生所謂的水錘,而使該區域成為正壓。亦即,處理液因為液體供給路徑3內的負壓被吸引至開閉閥31A的期間,即使消除負壓程度的處理液到達該開閉閥31A側,噴嘴24側的處理液亦會 因為慣性而直接流通至該開閉閥31A側。如此,若液體供給路徑3內成為正壓,則液體供給路徑3內的處理液,因為液體供給路徑3內的壓力而被壓出,而朝向噴嘴24側流通。因此,開閉閥31A附近的液體供給路徑3的內部成為負壓。如此,在開閉閥31A附近的位置,未設有液壓調整閥31B的情況中,於處理液的吐出停止之後,如圖7中以虛線所示,交互產生負壓與正壓,而產生所謂的液壓脈動(振動)。
液體供給路徑3的內部,在反覆脈動的期間,雖逐漸收束於某液壓,但開閉閥31A與噴嘴24之間的液體供給路徑3的長度尺寸越長,則脈動持續的時間也就越長。亦即,因為在液體供給路徑3內流動之處理液的容積越大,則在該液體供給路徑3內產生的液壓變動的程度(振幅)越大,故脈動難以收束。因此,如前所述,為了使集合噴嘴1共用於多個處理部11之間,而以使該集合噴嘴1可橫跨該等處理部11移動的方式構成,在習知構成的情況中,液壓的脈動難以收束。
如此,若產生液壓的脈動,噴嘴24內部的液面下降太多的情況,從噴嘴24吐出多餘的處理液,而形成噴嘴24汙染的原因,或是導致晶圓W的良率下降。更進一步,噴嘴24內部的液面若因為液壓的脈動而上升,則氣泡可能捲入噴嘴24內。
另外,液體供給路徑3內的液壓若不下降至某範圍內,則難以使後述的回吸閥31C動作。亦即,若在液壓下降之前,使回吸閥31C動作,則例如,會增加水錘現象的幅度。換言之,若液體供給路徑3內產生液壓的脈動,則在後續對晶圓W進行吐出處理時,必須設定至該脈動平靜為止的某程度的待機時間。因此,該待機時間的部分,導致了產率的降低。
於是,本發明中,設置液壓調整閥31B,以作為所謂「用於吸收振動的閥」,來抑制該脈動。關於該液壓調整閥31B的作用,一併與光阻塗布裝置的作用在後段中說明,若簡單說明,在液體供給路徑3內液壓欲增加時,如圖7中以實線所示,使隔膜6動作以抵銷該液壓的增加。
接著,回到液體供給控制部4的說明。回吸閥31C中的隔膜7,形成回吸用的吸引機構。亦即,該隔膜7,係在來自噴嘴24的處理液吐出結束之後,到下一次的吐出作業之前,例如,為了抑制噴嘴24前端的處理液乾燥,而將該噴嘴24內的處理液略微朝上方側(液體供給源2側)吸引的構件。具體而言,在進行回吸動作時,藉由使隔膜7上升,將與該隔膜7接觸的處理液吸引至該隔膜7側,如此,可使噴嘴24內的液面略微上升。
該光阻塗布裝置中,如前述的圖2所示,為了在晶圓W的表面形成光阻膜,而設置對裝置整體輸出控制信號的控制部41。該控制部41具備以「從各噴嘴24開始吐出處理液,在經過既定時間之後,結束處理液的吐出」之方式所構成的程式,具體而言,係以控制各閥36的開閉及流量調整部37中的空氣流量,並實施以下說明的光阻液之吐出處理的方式所構成。閥36開閉的時間點,係根據例如預先進行的實驗所設定。
接著,以下參照圖8~圖11,一併說明液體供給裝置的作用,以及光阻塗布裝置的作用。首先,從噴嘴24對於被吸附保持在旋轉夾頭12上並繞著垂直軸旋轉的晶圓W的中央部開始吐出處理液(稀釋液或光阻液)(T1)。具體而言,如圖8所示,使開閉閥31A中的隔膜5上升至開放位置(OFF)。另外,在使液壓調整閥31B的隔膜6朝向第2液體供給路徑3B側前進(ON)的同時,使回吸閥31C的隔膜7移動至下方位置(ON)。
液體供給源2的處理液,藉由從送液用流路25流入該液體供給源2的空氣的壓力,透過液體供給控制部4,流通經過液體供給路徑3A、3B內,從噴嘴24往晶圓W的中央部吐出。如此,液膜從晶圓W的中央部朝向外緣側展開,之後,在該晶圓W的整個表面形成液膜。又,前述的圖4中,一併描繪各隔膜5~7的動作(ON、OFF),以及液體供給路徑3內部的液壓(高、低),另外亦一併描繪習知回吸用的隔膜的動作及液壓的變動(虛線)。
接著,如圖9所示,藉由使開閉閥31A的隔膜5下降(ON),結束處理 液的吐出(T2)。此處,在藉由隔膜5封閉液體供給路徑3時,如前所述,於該液體供給路徑3的內部產生負壓。因此,液體供給路徑3的內部,如圖10所示,因為處理液被該負壓吸引至開閉閥31A側,故如圖4所示,液體供給路徑3內的液壓開始上升。換言之,在常壓下,液體供給路徑3內於該附近位置難以容納之程度容積的處理液,朝向開閉閥31A的附近位置前進。
於是,本發明中,像這樣液體供給路徑3內的液壓欲上升時(表示第2液體供給路徑3B內之液壓變動的曲線形成往下凸出的波峰時,參照圖4),如圖10所示,使液壓調整閥31B的隔膜6後退(T3)。亦即,在開閉閥31A封閉後,在經過預先設定的設定時間之後,以抵消液體供給路徑3的內部所產生之液壓的波形的方式,使液壓調整閥31B的隔膜6運作。因此,在開閉閥31A附近的位置,容納處理液的容積增加;另外,再配合該隔膜6相對於從第2液體供給路徑3B中往液壓調整閥31B流通之處理液的方向後退的方向,如圖4所示,在第2液體供給路徑3B的內部,液壓迅速穩定至常壓的程度。具體而言,液體供給路徑3的內部,無論液壓未成為正壓或是形成正壓,皆可將其抑制在難以引起液壓脈動的程度。
因此,可抑制從噴嘴24吐出多餘的處理液,或是氣泡捲入噴嘴24內(之後對於晶圓W的處理液的吐出不良),更可抑制不必要的處理液消耗。在處理液為光阻液的情況中,可抑制噴嘴24被該多餘的處理液汙染,及抑制光阻膜的膜厚不良(良率低落)。
之後,如圖11所示,使回吸閥31C的隔膜7上升,藉由將噴嘴24內的處理液吸引至上方側,結束回吸動作(T4)。進行該回吸動作的時間點,若參照圖4,比較本發明(T4)與習知技術(T5),習知技術(未設置液壓調整閥31B的構成)中,如前所述,必須設置到第2液體供給路徑3B內之液壓的脈動收束為止的待機時間。因此,習知技術中,在處理液的吐出結束之後到進行回吸動作之前的期間,產生較大的時間延遲(Time Lag)。
另一方面,本發明中,在液壓調整閥31B中的隔膜6開始後退動作之後,第2液體供給路徑3B內的液壓迅速穩定至常壓。因此,在液壓調整閥31B中的隔膜6結束後退動作之後,迅速開始回吸動作。此處,係預先以實驗等測定第2液體供給路徑3B內的液壓穩定所需的時間,並根據該測定結果,設定使回吸閥31C的隔膜6動作的時間點。
又,第2液體供給路徑3B中,設有測定處理液壓力的測定部,亦可在該測定部中的測定結果下降至某範圍內時,使回吸閥31C動作。又,在從噴嘴24吐出處理液時,依序對晶圓W供給稀釋液及光阻液,同時在該等稀釋液及光阻液的吐出停止時,分別使前述的液壓調整閥31B及回吸閥31C中的隔膜6、7動作;上例中,省略對於稀釋液及光阻液的各別說明。
根據上述的實施態樣,液體供給源2與噴嘴24之間的第1液體供給路徑3A與第2液體供給路徑3B,係在設有液壓調整閥31B的液壓調整室8,以形成相互交叉之方向的方式連接。接著,關於液壓調整閥31B的隔膜6,係以與第2液體供給路徑3B的上游端對向的方式配置,並以沿著第2液體供給路徑3B的延伸方向自由進退的方式構成。因此,在停止處理液的吐出時,即使液體供給路徑3內的液壓脈動,亦可藉由以抵消該脈動的方式使液壓調整閥31B後退,來抑制該脈動,故可抑制在處理液的吐出結束後來自噴嘴24的滴液。因此,可抑制光阻膜的膜厚不良。另外,可抑制氣泡捲入噴嘴24中。更進一步,在設置回吸閥31C的情況中,因為可在對一片晶圓W的吐出處理結束之後,馬上進行回吸動作,故可迅速開始對後續的其他晶圓W進行吐出處理。
以下列舉上述說明之液壓調整閥31B的其他實施例。圖12係顯示劃分壁51與支持部52的一例;劃分壁51由樹脂所構成,其在液壓調整閥31B中的隔膜6進退的期間,劃分出該隔膜6以及流入口33、排出口34所連通之區域,而支持部52為汽缸等構件,其連接該劃分壁51與隔膜6。此例中係如下所述之構成:若使空氣流入該區域,則劃分壁51朝向第2液體供給路徑3B側膨張,而使隔膜6朝向該第2液體供給路徑3B前進。
另外,圖13係顯示在液壓調整室8內配置驅動部53及進退軸54的一例;該驅動部53由馬達所形成,其使液壓調整閥31B的隔膜6進退,而進退軸54,則為藉由該驅動部53在第2液體供給路徑3B的延伸方向上自由進退的構成。該隔膜6,安裝於該進退軸54的前端部。此例中,隔膜6亦因應進退軸54的動作進退。
圖14係顯示,設置壓電元件55作為可動壁部,以代替液壓調整閥31B中的隔膜6的一例。具體而言,壓電元件55,具備例如,水晶等的壓電基板56,以及形成於該壓電基板56之左右兩面的一對電極膜57。接著,僅以極短的時間,從成為驅動部的高頻電源部59對電極膜57施加脈衝狀的高頻電力,則引起壓電基板56的彎曲振動,可得到與前述的例子相同的作用效果。圖14中,58係支持部,用以支持壓電元件55,並氣密的阻塞該壓電元件55的外緣部與液壓調整室8的內壁面之間。
另外,圖15係顯示配置圓板狀磁石61,以代替液壓調整閥31B的隔膜6的一例。該磁石61係以下述方式所配置:以使S極與N極之磁極中的一方的磁極朝向第2液體供給路徑3B側的方式(對向的方式),被支持部62支持於液壓調整室8的內壁面,並氣密地劃分該液壓調整室8的內部區域與在液體供給路徑3內流動的液體。在該內部區域中,具有如下所述之構成:以與磁石61對向的方式配置電磁石63以作為驅動部,藉由切換設於直流電源部64之間的開關65,可變更該磁石61側中的磁極。因此,此例亦以下述方式構成:藉由切換電磁石63中的磁石61側的磁極,使磁石61相對於第2液體供給路徑3B進退。
圖16係顯示,在第1液體供給路徑3A中的管壁的一部分上氣密地設置樹脂所形成的薄膜71作為可動壁部,以代替設置液壓調整閥31B的隔膜6的一例。亦即,可說是在第1液體供給路徑3A的壁面部設置隔膜6。此例中,第1液體供給路徑3A與第2液體供給路徑3B互相直接連接。接著,薄膜71,配置於第2液體供給路徑3B中,與第1液體供給路徑3A側的前端部對向的位置。因此,第1液體供給路徑3A中的第2液體供給路徑3B 側的部位,成為液壓調整室8。
另外,薄膜71的背面側(與第2液體供給路徑3B的相反側),設有使該薄膜71進退的機構,具體而言,配置有與前述之圖13的構成相同的驅動部72及進退軸73。其係如下述之構成:進退軸73的前端部安裝於薄膜71上,藉由使驅動部72驅動,使薄膜71的中央部進退。
以上的各例中,作為液壓調整閥31B中的隔膜6開始後退動作的時間點,宜為圖4之中的下述兩個時間點之間(反曲點彼此之間):該液體供給路徑3內的液壓因為液體供給路徑3的封閉而降低之後,該液壓即將上升的時間點(谷),以及該液壓上升後即將開始下降的時間點(峰)。另外,如前所述,在依序產生由液壓中的谷或峰所形成之反曲點(產生液壓的脈動)的情況中,雖將該時間點設定在液體供給路徑3封閉之後最先產生之液壓的谷與峰之間,但亦可設定於液壓中第二次以後所產生的谷與峰之間。圖17,如此例所示,係顯示在該液壓中第二次產生谷時,使液壓調整閥31B中的隔膜6開始後退動作的一例。
以上雖說明將液體供給控制部4設於集合噴嘴1之一例,但亦可將其設於各處理部11中所設置的用以吐出稀釋液的輔助噴嘴15,或是亦可將其設於用以形成含矽(Si)之有機系的塗布膜的噴嘴(圖中未顯示)。
1‧‧‧集合噴嘴
3A‧‧‧第1液體供給路徑
3B‧‧‧第2液體供給路徑
4‧‧‧液供給控制部
5~7‧‧‧隔膜
8‧‧‧液壓調整室
23‧‧‧噴頭
24‧‧‧噴嘴
26‧‧‧固定部
31A‧‧‧開閉閥
31B‧‧‧液壓調整閥
31C‧‧‧回吸閥
33‧‧‧流入口
34‧‧‧排出口
36‧‧‧閥
37‧‧‧流量調整部
38‧‧‧儲存部
41‧‧‧控制部

Claims (6)

  1. 一種液體供給裝置,用以將處理液從噴嘴供給至被處理體,其特徵為包含:第1液體供給路徑,與該處理液的液體供給源連接;閥,插設於該第1液體供給路徑中,用以進行處理液的供給與遮斷;液壓調整室,設於該第1液體供給路徑的下游端;第2液體供給路徑,從該液壓調整室,朝相對於該第1液體供給路徑的交叉方向延伸,其下游端設有噴嘴;可動壁部,構成與該第2液體供給路徑之上游端對向的該液壓調整室的壁部,其可自由進退,並用於調整液壓;及驅動部,在該閥關閉時,處理液被壓出至該噴嘴側後,被吸回至該閥側時,使該可動壁部後退。
  2. 如申請專利範圍第1項之液體供給裝置,其中更包含:控制部,控制該驅動部。
  3. 如申請專利範圍第2項之液體供給裝置,其中,該控制部輸出控制信號,俾於該閥關閉之後,在經過設定時間後使該可動壁部後退。
  4. 如申請專利範圍第2或3項之液體供給裝置,其中,該控制部輸出控制信號,俾於該閥開啟的同時或是正在開啟時,使該可動壁部前進。
  5. 如申請專利範圍第1至3項中任一項之液體供給裝置,其中,該可動壁部係由隔膜所構成。
  6. 如申請專利範圍第1至3項中任一項之液體供給裝置,其中,於該第2液體供給路徑,設有用以將該噴嘴內的處理液吸引至該閥側的吸引機構。
TW103106567A 2013-03-01 2014-02-26 液體供給裝置 TWI538743B (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2013040814A JP5853971B2 (ja) 2013-03-01 2013-03-01 液供給装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201440897A true TW201440897A (zh) 2014-11-01
TWI538743B TWI538743B (zh) 2016-06-21

Family

ID=51691579

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW103106567A TWI538743B (zh) 2013-03-01 2014-02-26 液體供給裝置

Country Status (3)

Country Link
JP (1) JP5853971B2 (zh)
KR (1) KR101998894B1 (zh)
TW (1) TWI538743B (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108987309A (zh) * 2017-05-31 2018-12-11 东京毅力科创株式会社 基片液处理装置、处理液供给方法和存储介质
TWI645450B (zh) * 2015-01-26 2018-12-21 東京威力科創股份有限公司 處理液供給裝置、處理液供給方法及記錄媒體

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6512894B2 (ja) * 2015-03-27 2019-05-15 株式会社Screenホールディングス 処理液供給装置および処理液供給装置の制御方法
CN110159928B (zh) * 2018-02-13 2021-04-20 辛耘企业股份有限公司 流体控制装置

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03115267U (zh) * 1990-03-09 1991-11-28
JP2766253B2 (ja) * 1996-06-27 1998-06-18 山形日本電気株式会社 液体の流量安定化装置
JPH1133471A (ja) * 1997-07-23 1999-02-09 Tokyo Electron Ltd 塗布装置
JP3490320B2 (ja) 1999-02-02 2004-01-26 東京エレクトロン株式会社 塗布膜形成方法および塗布処理装置
JP3990567B2 (ja) * 2001-12-18 2007-10-17 大日本スクリーン製造株式会社 ダイヤフラムバルブ、基板処理ユニットおよび基板処理装置
JP4668027B2 (ja) * 2005-10-17 2011-04-13 シーケーディ株式会社 薬液供給システム
JP5045741B2 (ja) * 2009-12-25 2012-10-10 東京エレクトロン株式会社 薬液供給ノズル及び薬液供給方法

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI645450B (zh) * 2015-01-26 2018-12-21 東京威力科創股份有限公司 處理液供給裝置、處理液供給方法及記錄媒體
CN108987309A (zh) * 2017-05-31 2018-12-11 东京毅力科创株式会社 基片液处理装置、处理液供给方法和存储介质
CN108987309B (zh) * 2017-05-31 2024-05-03 东京毅力科创株式会社 基片液处理装置、处理液供给方法和存储介质

Also Published As

Publication number Publication date
TWI538743B (zh) 2016-06-21
JP2014168734A (ja) 2014-09-18
JP5853971B2 (ja) 2016-02-09
KR101998894B1 (ko) 2019-07-10
KR20140109258A (ko) 2014-09-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI538743B (zh) 液體供給裝置
US20190148129A1 (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
JP6512894B2 (ja) 処理液供給装置および処理液供給装置の制御方法
JP5454203B2 (ja) 塗布方法及び塗布装置
US20210327729A1 (en) Substrate processing method
KR20060075588A (ko) 도포액 공급장치를 구비한 슬릿코터
JP7111875B2 (ja) 基板処理装置
KR102394235B1 (ko) 웨이퍼 형상 물품들의 액체 처리를 위한 방법 및 장치들
KR20150034644A (ko) 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치
KR102557222B1 (ko) 기판 액 처리 장치, 처리액 공급 방법 및 기억 매체
JP4516034B2 (ja) 塗布方法及び塗布装置及び塗布処理プログラム
JP6576217B2 (ja) 処理液供給装置および処理液供給装置の制御方法
JP4447331B2 (ja) 基板処理装置および基板処理方法
TWI662649B (zh) 基板處理裝置以及基板處理方法
JP2007258565A (ja) 基板処理方法および基板処理装置
KR102627121B1 (ko) 노즐 대기 장치, 액 처리 장치 및 액 처리 장치의 운전 방법 및 기억 매체
JP4347734B2 (ja) 基板処理装置
KR101597236B1 (ko) 디스펜서의 액맺힘 방지 장치 및 그 동작 방법
TWI615208B (zh) 水刀、基板處理裝置及基板處理方法
TWI825502B (zh) 基板處理裝置及基板處理方法
JP2013107041A (ja) 異物除去装置
WO2018056067A1 (ja) 基板処理装置および基板処理方法
KR20100026823A (ko) Dⅰ 린스용 유체 제어장치
KR20120029967A (ko) 기판 코터 장치의 예비 토출 기구 및 이를 이용한 기판 코팅 방법