TWI662649B - 基板處理裝置以及基板處理方法 - Google Patents

基板處理裝置以及基板處理方法 Download PDF

Info

Publication number
TWI662649B
TWI662649B TW107103444A TW107103444A TWI662649B TW I662649 B TWI662649 B TW I662649B TW 107103444 A TW107103444 A TW 107103444A TW 107103444 A TW107103444 A TW 107103444A TW I662649 B TWI662649 B TW I662649B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
substrate
processing
liquid
nozzle
peripheral end
Prior art date
Application number
TW107103444A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201836049A (zh
Inventor
武明励
前川直嗣
安藤幸嗣
石井弘晃
安武陽介
Original Assignee
日商斯庫林集團股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from JP2017037563A external-priority patent/JP6949510B2/ja
Priority claimed from JP2017037560A external-priority patent/JP6949508B2/ja
Priority claimed from JP2017037561A external-priority patent/JP6949509B2/ja
Application filed by 日商斯庫林集團股份有限公司 filed Critical 日商斯庫林集團股份有限公司
Publication of TW201836049A publication Critical patent/TW201836049A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI662649B publication Critical patent/TWI662649B/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02043—Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process
    • H01L21/02052—Wet cleaning only
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
    • G03F1/82—Auxiliary processes, e.g. cleaning or inspecting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/6715—Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67259—Position monitoring, e.g. misposition detection or presence detection
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68764—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a movable susceptor, stage or support, others than those only rotating on their own vertical axis, e.g. susceptors on a rotating caroussel

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

基板處理方法係包含有：基板旋轉步驟，係使周端的至少一部分作成圓弧狀的基板以預定處理旋轉速度繞著通過前述基板的中央部之旋轉軸線旋轉；處理液噴出步驟，係與前述基板旋轉步驟並行，從前述處理液噴嘴朝前述基板的外周部噴出處理液；以及位置調整步驟，係與前述基板旋轉步驟以及前述處理液噴出步驟並行，將正著液至前述著液位置之處理液的著液位置以及/或者內周端的位置調整至與前述處理旋轉速度對應之位置。

Description

基板處理裝置以及基板處理方法
本發明係有關於一種基板處理裝置以及基板處理方法。成為處理對象之基板係包括例如半導體晶圓、液晶顯示裝置用基板、電漿顯示器用基板、FED(Field Emission Display；場發射顯示器)用基板、光碟用基板、磁碟用基板、光磁碟用基板、光罩(photomask)用基板、陶瓷基板、太陽電池用基板等。
在半導體裝置或液晶顯示裝置等製造步驟中，對半導體晶圓或液晶顯示裝置用玻璃基板等基板的外周部進行使用了處理液的處理。用以逐片處理基板之葉片式的基板處理裝置(參照下述專利文獻1)係例如具備有：自轉夾具(spin chuck)，係水平地保持基板並使基板旋轉；以及處理液噴嘴，係朝被自轉夾具保持的基板的上表面外周部噴出處理液。
在此種基板處理裝置中，一邊使基板旋轉一邊朝基板的上表面的外周部中的預定的著液位置噴出處理液。已供給至著液位置的處理液係伴隨著基板的旋轉而於基板的周方向的全域擴展，藉此於基板的上表面的外周部形成有具有預定寬度之環狀的處理液。
此外，在針對基板的外周部之處理(以下稱為「外周部 處理」)中，由於使基板繞著旋轉軸線旋轉，因此當基板相對於自轉夾具偏心時，基板的周端中之配置有處理液噴嘴之周方向位置的周端(以下稱為「配置位置周端」)與旋轉軸線之間的距離會因應基板的旋轉角度而變化。在處理液噴嘴相對於自轉夾具處於靜止姿勢時，基板的上表面中之來自處理液噴嘴的處理液的著液位置與配置位置周端之間的距離會伴隨著基板的旋轉而變化。在此情形中，無法在外周部處理步驟中高度地保有基板的外周部中的處理寬度的均勻性。
為了使基板的外周部中的處理寬度的均勻性提升，思考於將基板保持於自轉夾具後使用定中心(centering)機構使基板於水平方向移動並進行中心對準。然而，即使設置定中心機構亦無法完全地將偏心設為零。此外，需要在保持基板後另外確保用來中心對準的時間，會有產量(throughput)惡化之虞。
於下述專利文獻2揭示有一種基板處理裝置，係以伴隨著基板的旋轉而追隨配置位置周端的旋轉半徑方向位置的變化之方式使處理液噴嘴於旋轉半徑方向往復移動。用以驅動處理液噴嘴之驅動單元係藉由來自基板處理裝置的控制裝置之驅動訊號的輸入而驅動。下述專利文獻2的基板處理裝置的控制裝置係一邊計測配置位置周端的旋轉半徑方向位置，一邊輸出依據該計測結果以處理液噴嘴追隨配置位置周端的旋轉半徑方向位置的變化之方式所作成的噴嘴驅動訊號(反饋控制)。
[先前技術文獻]
[專利文獻]
專利文獻1：美國專利公開第2011/281376A1號公報。
專利文獻2：日本特開2016-207895號公報。
然而，在專利文獻1般的構成中，當處理時的基板的旋轉速度(處理旋轉速度)慢時，由於基板的旋轉所致使之離心力弱，因此會有已著液至著液位置的處理液在著液位置中膨脹而於基板的內側擴展之虞。在此情形中，會有在基板的外周部中被處理液所處理之區域的寬度(以下稱為「處理寬度」)變得比預期的寬大還大之虞。亦即，當處理旋轉速度慢時，會有無法精密地控制處理寬度之虞，而謀求不論處理旋轉速度為何皆能精密地控制基板的外周部中的處理寬度。
因此，本發明的目的在於提供一種不受到基板的處理旋轉速度影響皆能精密地控制基板的外周部中的處理寬度之基板處理裝置以及基板處理方法。
本發明提供一種基板處理方法，係包含有：基板旋轉步驟，係使周端的至少一部分作成圓弧狀的基板以預定處理旋轉速度繞著通過前述基板的中央部之旋轉軸線旋轉；處理液噴出步驟，係與前述基板旋轉步驟並行，從前述處理液噴嘴 朝前述基板的外周部噴出處理液；以及位置調整步驟，係與前述基板旋轉步驟以及前述處理液噴出步驟並行，將正著液至前述著液位置之處理液的著液位置以及/或者內周端的位置調整至與前述處理旋轉速度對應之位置。
依據此方法，能將正著液至著液位置之處理液的著液位置以及/或者內周端的位置調整至與處理旋轉速度對應之位置。亦能藉由調整處理液的內周端的位置而將正著液至著液位置之處理液的寬度(以下稱為「著液位置液體寬度」)調整至適合處理旋轉速度之寬度，在此情形中，不論基板的旋轉速度為何皆能精密地控制著液位置液體寬度。
藉由上述，能不受基板的旋轉速度影響而精密地控制基板的外周部中的處理寬度。
在本發明的實施形態之一中，前述位置調整步驟係包含有：內周端位置調整步驟，係控制前述基板中之處理液的著液位置以及/或者從該處理液噴嘴噴出的處理液的噴出流量，並將正著液至前述著液位置之處理液的內周端的位置調整至與前述處理旋轉速度對應之位置。
依據此方法，因應基板的處理旋轉速度調整基板中之處理液的著液位置以及/或者從該處理液噴嘴噴出的處理液的噴出流量。藉此，能將著液處理液的內周端的位置調整至與處理旋轉速度(處理時的基板的旋轉速度)對應的位置。
亦能藉由調整著液處理液的內周端的位置而將著液位置液體寬度調整至已適合處理旋轉速度之寬度，在此情形 中，不論基板的旋轉速度為何皆能精密地控制著液位置液體寬度。
藉由上述，能不受基板的旋轉速度影響而精密地控制基板的外周部中的處理寬度。
前述內周端位置調整步驟亦可包含有用以調整前述處理液的著液位置之步驟。
依據此方法，變更基板中之處理液的著液位置，藉此將著液處理液的內周端的位置調整至與處理旋轉速度對應之位置。處理液的著液位置係直接性地作用至著液處理液的內周端的位置，並對該著液處理液的內周端的位置造成大的影響。因此，能藉由變更處理液的著液位置而使著液處理液的內周端的位置更有效果地變更。在此情形中，亦能更精密地控制著液位置液體寬度。
此外，前述基板處理方法亦可進一步包含有：各周端位置計測步驟，係藉由各周端位置計測單元計測被基板保持單元保持之基板的周方向的各周端位置，該基板保持單元係不支撐前述基板的外周部而是支撐該基板的中央部並保持該基板；以及著液位置往復移動步驟，係以前述基板的外周部中之來自前述處理液噴嘴的處理液的著液位置追隨前述基板的周端中之配置有該處理液噴嘴之屬於周方向位置的周端之配置位置周端的位置變化而往復移動之方式驅動前述處理液噴嘴。在此情形中，前述內周端位置調整步驟亦可與前述著液位置往復移動步驟並行地執行。
依據此方法，能一邊將著液處理液的內周端的位置調 整至與處理旋轉速度對應之位置，並使處理液的著液位置追隨配置位置周端的位置變化。藉此，能不受處理液的著液位置的往復移動影響而高度地保有基板的外周部中的處理寬度的均勻性。
此外，前述內周端位置調整步驟亦可包含有用以調整前述處理液的噴出流量之噴出流量調整步驟。
依據此方法，調整基板中之處理液的噴出流量，藉此將著液處理液的內周端的位置調整至與處理旋轉速度對應之位置。在此情形中，亦能更精密地控制著液位置液體寬度。
此外，前述基板處理方法亦可進一步包含有：各周端位置計測步驟，係計測被基板保持單元保持之基板的周方向的各周端位置，該基板保持單元係不支撐前述基板的外周部而是支撐該基板的中央部並保持該基板；以及著液位置往復移動步驟，係以前述基板的外周部中之來自前述處理液噴嘴的處理液的著液位置追隨前述基板的周端中之配置有該處理液噴嘴之屬於周方向位置的周端之配置位置周端的位置變化而往復移動之方式驅動前述處理液噴嘴。在此情形中，前述內周端位置調整步驟亦可進一步包含有下述步驟：以前述著液位置液體寬度的內周端追隨配置有該處理液噴嘴之屬於周方向位置的周端之配置位置周端的位置變化而往復移動之方式調整正著液至著液位置之處理液的內周端的位置。
依據此方法，調整處理液的噴出流量，藉此能使正著 液至著液位置之處理液的內周端追隨配置位置周端的位置變化而往復移動。藉此，能不受處理液的著液位置的往復移動影響而高度地保有基板的外周部中的處理寬度的均勻性。
此外，前述內周端位置調整步驟亦可不在前述處理旋轉速度為預先設定的速度以上之情形中被執行，而是於前述處理旋轉速度未滿預先設定的速度之情形中被執行。
在處理旋轉速度慢之情形中，會有已著液至著液位置的處理液在著液位置中膨脹而有於基板的內側擴展之虞。另一方面，在處理旋轉速度快之情形中，不會有已著液至著液位置的處理液在基板的內側擴展之虞。
依據此方法，僅在會有已著液至著液位置的處理液在基板的內側擴展之虞的處理旋轉速度慢之情形中執行內周端位置調整步驟。亦即，能僅在必要時執行內周端位置調整步驟。
在本發明的實施形態之一中，前述位置調整步驟係包含有：氣體噴吹步驟，係與前述基板旋轉步驟以及前述處理液噴出步驟並行，從基板的旋轉半徑方向的內側朝已著液至前述基板中之處理液的著液位置的處理液噴吹氣體；以及內周端位置調整步驟，係與前述氣體噴吹步驟並行，控制前述基板中之氣體的噴吹位置以及/或者從該氣體噴嘴噴吹至前述基板之氣體的噴吹流量，並將正著液至前述著液位置之處理液的內周端的位置調整至與前述處理旋轉速度對應之位置。
依據此方法，從基板的內側朝已著液至基板的外周部的著液位置之處理液噴吹氣體。著液處理液的內周端的位置係依存於基板的旋轉速度。能因應基板的處理旋轉速度調整基板中之氣體的噴吹區域的位置以及/或者噴吹至基板之氣體的噴吹流量，藉此將著液處理液的內周端的位置調整至與處理旋轉速度(處理時的基板的旋轉速度)對應之位置。
亦能藉由調整著液處理液的內周端的位置而將著液位置液體寬度調整至已適合處理旋轉速度之寬度，在此情形中，不論基板的旋轉速度為何皆能精密地控制著液位置液體寬度。
藉由上述，能不受基板的旋轉速度影響而精密地控制基板的外周部中的處理寬度。
前述內周端位置調整步驟亦可包含有用以調整前述氣體的噴吹區域的位置之步驟。
依據此方法，變更基板中之氣體的噴吹區域的位置，藉此將著液處理液的內周端的位置調整至與處理旋轉速度對應之位置。氣體的噴吹區域的位置係直接性地作用至著液處理液的內周端的位置，並對該著液處理液的內周端的位置造成大的影響。因此，能藉由變更氣體的噴吹區域的位置而使著液處理液的內周端的位置更有效果地變更。在此情形中，亦能更精密地控制著液位置液體寬度。
此外，前述內周端位置調整步驟亦可包含有用以調整前述氣體的噴吹流量之氣體流量調整步驟。
依據此方法，調整基板中之氣體的噴吹流量，藉此能將著液處理液的內周端的位置調整至與處理旋轉速度對應之位置。在此情形中，亦能更精密地控制著液位置液體寬度。
此外，前述內周端位置調整步驟亦可不在前述處理旋轉速度為預先設定的速度以上之情形中被執行，而是於前述處理旋轉速度未滿預先設定的速度之情形中被執行。
在處理旋轉速度慢之情形中，會有已著液至著液位置的處理液在著液位置中膨脹而有於基板的內側擴展之虞。另一方面，在處理旋轉速度快之情形中，不會有已著液至著液位置的處理液在基板的內側擴展之虞。
依據此方法，僅在會有已著液至著液位置的處理液在基板的內側擴展之虞的處理旋轉速度慢之情形中執行內周端位置調整步驟。亦即，能僅在必要時執行內周端位置調整步驟。
前述基板處理方法亦可進一步包含有：各周端位置計測步驟，係計測被基板保持單元保持之基板的周方向的各周端位置，該基板保持單元係不支撐前述基板的外周部而是支撐該基板的中央部並保持該基板。在此情形中，前述內周端位置調整步驟亦可進一步包含有下述步驟：以前述著液位置液體寬度的內周端追隨配置有該處理液噴嘴之屬於周方向位置的周端之配置位置周端的位置變化而往復移動之方式調整正著液至著液位置之處理液的內周端的位置。
依據此方法，調整氣體的噴吹區域的位置以及/或者氣體的噴吹流量，藉此能使正著液至著液位置之處理液的內周端追隨配置位置周端的位置變化而往復移動。藉此，能不受處理液的著液位置的往復移動影響而高度地保有基板的外周部中的處理寬度的均勻性。
然而，在專利文獻2所記載的基板處理裝置中之處理液噴嘴的驅動控制中，會有處理液噴嘴的驅動動作相對於來自用以驅動噴嘴之驅動訊號的控制裝置之輸出延遲之情形。由於此種延遲為微量，因此在外周部處理時之基板的旋轉速度慢之情形中，能使基板的外周部中之處理液的著液位置良好地追隨配置位置周端的位置變化。
然而，隨著外周部處理時的基板的旋轉速度變快，變得難以使基板的上表面外周部中之處理液的著液位置追隨配置位置周端的位置變化。在此情形中，無法謀求基板的外周部中的處理寬度的均勻性的提升。
此外，在專利文獻1般的構成中，當處理時的基板的旋轉速度(處理旋轉速度)慢時，由於基板的旋轉所致使之離心力弱，因此會有已著液至著液位置的處理液在著液位置中膨脹並於基板的內側擴展之虞。在此情形中，會有在基板的外周部中被處理液處理之區域的寬度(以下稱為「處理寬度」)變得比預期的寬度還大之虞。亦即，當處理旋轉速度慢時，會有無法精密地控制處理寬度之虞。因此，謀求即使處理旋轉速度慢亦能精密地控制基板的外周部中的處理寬度。
在本發明的實施形態之一中，包含有：基板保持步驟，係藉由用以支撐基板的中央部並保持前述基板之前述基板保持單元保持周端的至少一部分作成圓弧狀之基板；各周端位置計測步驟，係計測被前述基板保持單元保持之基板的周方向的各周端位置；以及外周部處理步驟，係藉由前述基板旋轉步驟以及前述處理液噴出步驟而實現之步驟，一邊使被前述基板保持單元保持的基板繞著通過前述基板的中央部之旋轉軸線旋轉，一邊從前述處理液噴嘴朝前述基板的外周部噴出處理液，藉此處理該主面的外周部。此外，在本發明的實施形態之一中，前述位置調整步驟係包含有：著液位置往復移動步驟，係於前述各周端位置計測步驟之後與前述外周部處理步驟並行，以前述基板的外周部中之來自前述處理液噴嘴的處理液的著液位置追隨前述基板的周端中之配置有該處理液噴嘴之屬於周方向位置的周端之配置位置周端的位置變化而往復移動之方式藉由噴嘴驅動單元驅動前述處理液噴嘴。再者，在本發明的實施形態之一中，前述著液位置往復移動步驟係包含有：噴嘴驅動訊號作成步驟，係依據前述各周端位置計測步驟中的計測結果以及前述外周部處理步驟中的前述基板的旋轉速度，以前述著液位置會以與前述配置位置周端的位置變化相同的振幅以及相同的周期移動之方式作成用以使前述處理液噴嘴驅動之噴嘴驅動訊號；以及驅動訊號輸出步驟，係在排除時序將所作成的前述噴嘴驅動訊號輸出至前述噴嘴驅動單元，前述排除時序係已將相對於前述噴嘴驅動訊 號的輸出之前述處理液噴嘴的驅動延遲所伴隨之相對於前述配置位置周端的位置變化之前述著液位置的相位差予以排除。
依據此方法，在著液位置往復移動步驟中，以處理液的著液位置會以與配置位置周端的位置變化相同的振幅以及相同的周期移動之方式作成用以使處理液噴嘴驅動之噴嘴驅動訊號。該噴嘴驅動訊號係在已將處理液噴嘴的驅動延遲所伴隨之相位差予以排除之排除時序輸出至噴嘴驅動單元。亦即，在可追隨配置位置周端的位置變化使著液位置往復移動之時序輸出噴嘴驅動訊號。藉此，能不受相對於噴嘴驅動訊號的輸出之處理液噴嘴的驅動延遲之影響地，使處理液的著液位置追隨配置位置周端的位置變化良好地移動。
前述驅動訊號輸出步驟亦可包含有：時序取得步驟，係從前述著液位置追隨前述配置位置周端的位置變化之最適當的追隨時序錯開達至相當於前述相位差之時間，藉此取得前述排除時序。
依據此方法，從基板的外周部中之處理液的著液位置追隨配置位置周端的位置變化之最適當的追隨時序錯開達至相當於相位差之時間，藉此能求出排除時序。在此情形中，能簡單且正確地取得排除時序。
前述方法亦可進一步包含有：相位差計測步驟，係在前述著液位置往復移動步驟之前對前述噴嘴驅動單元輸出前述噴嘴驅動訊號並使前述著液位置移動，藉此計測前述 相位差。在此情形中，前述時序取得步驟亦可包含有下述步驟：依據前述相位差取得前述排除時序。
依據此方法，使處理液噴嘴移動並使用噴嘴移動量檢測單元檢測此時的處理液噴嘴的移動量，藉此能實際地計測相位差。由於依據實際測量的相位差移動處理液噴嘴，因此能使處理液的著液位置的往復移動更良好地追隨配置位置周端的位置變化。
此外，前述相位差亦可為預先規定的相位差。
依據此方法，並非依據實測值而是依據預先規定的相位差使處理液噴嘴往復移動。在此情形中，由於無需計測相位差，因此能謀求處理整體的時間的縮短化，藉此可謀求改善產量。
此外，前述相位差亦可與前述基板的旋轉速度對應地設置有複數個；前述驅動訊號輸出步驟亦可包含有下述步驟：以基於與前述外周部處理步驟中的前述基板的旋轉速度對應之前述相位差之時序輸出前述噴嘴驅動訊號。
依據此方法，設置有複數個相位差，各個相位差係與基板的處理旋轉速度對應地設置有複數個。而且，以已排除與處理旋轉速度對應的相位差之排除時序輸出噴嘴驅動訊號。因此，即使在基板處理裝置中以一個基板處理裝置進行旋轉速度彼此不同之複數個外周部處理步驟之情形中，亦能以與各處理旋轉速度對應之最適當的時序輸出噴嘴驅動訊號。
前述各周端位置計測步驟亦可包含有下述步驟：一邊 使被前述基板保持單元保持的基板繞著前述旋轉軸線轉動，一邊使用位置感測器計測前述預定的周端位置。
依據此方法，一邊使被基板保持單元保持的基板轉動一邊使用位置感測器檢測預定的周端位置，藉此能計測基板的周方向的各周端位置。亦即，能使用位置感測器此種簡單的構成良好地計測基板的周方向的各周端位置。
此外，前述各周端位置計測步驟亦可包含有下述步驟：計測基板的周方向的各周端位置中之相對於前述旋轉軸線屬於旋轉半徑方向位置之各周端徑方向位置作為前述各周端位置。在此情形中，前述著液位置往復移動步驟亦可包含有用以使前述著液位置追隨前述配置位置周端的徑方向位置變化往復移動之步驟。
依據此方法，在著液位置往復移動步驟中，以處理液的著液位置會以與配置位置周端的徑方向位置變化相同的振幅以及相同的周期移動之方式作成用以使處理液噴嘴驅動之噴嘴驅動訊號。該噴嘴驅動訊號係在已將處理液噴嘴的驅動延遲所伴隨之相位差予以排除之排除時序輸出至噴嘴驅動單元。亦即，在可追隨配置位置周端的徑方向位置變化使著液位置往復移動之時序輸出噴嘴驅動訊號。藉此，能不受相對於噴嘴驅動訊號的輸出之處理液噴嘴的驅動延遲之影響地，使處理液的著液位置良好地追隨配置位置周端的徑方向位置變化。
此外，前述基板旋轉單元亦可包含有下述單元：使被前述基板保持單元保持的基板繞著通過前述基板的中央部之鉛直軸線旋轉；前述各周端位置計測步驟亦可包含有下述步驟：計測基板的周方向的各周端位置中之屬於高度位置的各周端位置高度作為前述各周端位置。在此情形中，前述著液位置往復移動步驟亦可包含有下述步驟：使前述著液位置追隨前述配置位置周端的高度位置變化往復移動。
依據此方法，在著液位置往復移動步驟中，以處理液的著液位置會以與配置位置周端的高度位置變化相同的振幅以及相同的周期移動之方式作成用以使處理液噴嘴驅動之噴嘴驅動訊號。該噴嘴驅動訊號係在已將處理液噴嘴的驅動延遲所伴隨之相位差予以排除之排除時序輸出至噴嘴驅動單元。亦即，在可追隨配置位置周端的高度位置變化使著液位置往復移動之時序輸出噴嘴驅動訊號。藉此，能不受相對於噴嘴驅動訊號的輸出之處理液噴嘴的驅動延遲之影響地，使處理液的著液位置良好地追隨配置位置周端的高度位置變化。
本發明的前述目的、特徵及功效以及其他的目的、特徵及功效係能參照隨附的圖式且藉由下述實施形態的說明而更明瞭。
1、401、801‧‧‧基板處理裝置
2、402、802‧‧‧處理單元
3‧‧‧控制裝置
4‧‧‧處理腔室
5‧‧‧自轉夾具
6、406、806‧‧‧處理液供給單元
8‧‧‧第一惰性氣體供給單元
9‧‧‧第二惰性氣體供給單元
10‧‧‧第三惰性氣體供給單元
11‧‧‧加熱器
12‧‧‧處理罩
12a‧‧‧上端部
13‧‧‧隔壁
14‧‧‧FFU
15‧‧‧排氣導管
16‧‧‧自轉軸
17‧‧‧自轉基座
17a‧‧‧上表面
18‧‧‧自轉馬達
19、419、819‧‧‧處理液噴嘴
19a‧‧‧噴出口
20‧‧‧噴嘴臂
21‧‧‧臂支撐軸
22‧‧‧臂搖動馬達
22a‧‧‧輸出軸
23‧‧‧編碼器
24、420、820‧‧‧藥液配管
25、421、821‧‧‧藥液閥
26A、422、822‧‧‧清洗液配管
26B、423、823‧‧‧清洗液閥
27‧‧‧氣體噴出噴嘴
28‧‧‧第一氣體配管
29‧‧‧第一氣體閥
30、34、424、824、905‧‧‧噴嘴移動機構
31‧‧‧上外周部氣體噴嘴
32‧‧‧第二氣體配管
33‧‧‧第二氣體閥
36‧‧‧下外周部氣體噴嘴
37‧‧‧第三氣體配管
38‧‧‧第三氣體閥
41‧‧‧外周部
42、43‧‧‧外周區域
44‧‧‧周端面
45‧‧‧著液位置
46‧‧‧配置位置周端
47‧‧‧徑方向位置感測器
51‧‧‧運算單元
52‧‧‧記憶單元
53‧‧‧輸出單元
54‧‧‧配方記憶部
55‧‧‧相位差記憶部
56‧‧‧移動步驟執行旗標
57‧‧‧噴嘴驅動訊號
59‧‧‧各周端徑方向位置記憶部
147‧‧‧高度位置感測器
419a、819a‧‧‧處理液噴出口
455、855‧‧‧資訊記憶部
501、502、904‧‧‧流量調整閥
507‧‧‧旋轉速度-處理位置對應表
607‧‧‧旋轉速度-噴出流量對應表
701、1101‧‧‧內周端
807‧‧‧氣體噴吹單元
901‧‧‧氣體噴嘴
901a‧‧‧氣體噴出口
902‧‧‧氣體配管
903‧‧‧氣體閥
906‧‧‧噴吹區域
907‧‧‧旋轉速度- 噴吹區域位置對應表
1007‧‧‧旋轉速度-噴吹流量對應表
A‧‧‧振幅
A1‧‧‧旋轉軸線
A2‧‧‧搖動軸線
C1‧‧‧承載器
CR、IR‧‧‧搬運機器人
H‧‧‧手部
LP‧‧‧卸載部
P‧‧‧相位
PD‧‧‧週期
R‧‧‧旋轉方向
RD‧‧‧徑方向
SW1、SW2‧‧‧正弦波
W‧‧‧基板
W1、W11‧‧‧著液位置液體寬度
△P‧‧‧相位差
θ 1、θ 2‧‧‧入射角
圖1係用以說明本發明的第一實施形態的基板處理裝置的內部的布局之示意性的俯視圖。
圖2係用以說明前述基板處理裝置所具備的處理單元的構成例之示意性的剖視圖。
圖3係用以顯示正從配置於處理位置的處理液噴嘴噴出處理液的狀態之剖視圖。
圖4係顯示基板在偏心狀態下被自轉夾具保持的狀態之示意圖。
圖5係用以顯示基板在偏心狀態下被自轉夾具保持的狀態之圖。
圖6係用以顯示參考基板處理例中的基板的上表面的外周區域的處理寬度之俯視圖。
圖7係用以說明前述基板處理裝置的主要部分的電性構成之方塊圖。
圖8係用以顯示配置位置周端的徑方向位置變化之正弦波以及已在追隨時序輸出噴嘴驅動訊號之情形中的著液位置的徑方向位置變化之正弦波。
圖9係用以說明圖7所示的各周端徑方向位置記憶部之圖。
圖10係用以說明圖7所示的相位差記憶部之圖。
圖11係用以說明前述處理單元所為之第一基板處理例之流程圖。
圖12係用以說明圖11所示的各周端徑方向位置計測步驟的內容之流程圖。
圖13係用以說明圖11所示的相位差計測步驟的內容之流程圖。
圖14係用以說明圖11所示的外周部處理步驟的內容之流程圖。
圖15係用以說明前述外周部處理步驟的內容之示意圖。
圖16係用以說明前述外周部處理步驟的內容之示意圖。
圖17係用以顯示配置位置周端的徑方向位置變化之正弦波以及已在排除時序輸出噴嘴驅動訊號之情形中的著液位置的徑方向位置變化之正弦波。
圖18係用以顯示前述第一基板處理例中的基板的上表面的外周區域的處理寬度之俯視圖。
圖19係用以說明本發明第二實施形態的基板處理裝置所具備的處理單元的構成例之示意性的圖。
圖20係用以顯示正從配置於處理位置的處理液噴嘴噴出處理液的狀態之剖視圖。
圖21係用以說明前述基板處理裝置的主要部分的電性構成之方塊圖。
圖22係用以說明記憶於資訊記憶部之旋轉速度-處理位置對應表之圖。
圖23係用以說明藉由前述處理單元所執行之第二基板處理例之流程圖。
圖24係用以說明圖23所示的外周部處理步驟的內容之流程圖。
圖25係用以示意性地顯示前述外周部處理步驟中的處理液噴嘴的狀態之圖。
圖26係用以示意性地顯示前述外周部處理步驟中的處理液噴嘴的狀態之圖。
圖27係用以說明記憶於資訊記憶部之旋轉速度-噴吹流量對應表之圖。
圖28係用以說明第三實施形態的第三基板處理例的外周部處理步驟的內容之流程圖。
圖29係用以示意性地說明第三實施形態的第四基板處理例的外周部處理步驟中的處理液噴嘴的狀態之圖。
圖30係用以示意性地顯示前述外周部處理步驟中的處理液噴嘴的狀態之圖。
圖31係用以說明本發明第四實施形態的前述基板處理裝置所具備的處理單元的構成例之示意性的圖。
圖32係用以顯示分別正從配置於處理位置的處理液噴嘴以及氣體噴嘴噴出處理液以及氣體的狀態之剖視圖。
圖33係用以顯示在參考例中正從處理液噴嘴噴出處理液的狀態之剖視圖。
圖34係配置於處理位置的狀態中之氣體噴嘴的俯視圖。
圖35係用以說明前述基板處理裝置的主要部分的電性構成之方塊圖。
圖36係用以說明記憶於資訊記憶部之旋轉速度-噴吹區域位置對應表之圖。
圖37係用以說明藉由前述處理單元所執行的第五基板處理例之流程圖。
圖38係用以說明圖37所示的外周部處理步驟的內容之流程圖。
圖39係用以說明前述外周部處理步驟的內容之示意圖。
圖40係用以說明前述外周部處理步驟的內容之示意性的圖。
圖41係用以示意性地顯示前述外周部處理步驟中的處理液噴嘴以及氣體噴嘴的狀態之圖。
圖42係示意性地顯示前述外周部處理步驟中的處理液噴嘴以及氣體噴嘴的狀態之圖。
圖43係用以示意性地顯示第六基板處理例的外周部處理步驟中的處理液噴嘴以及氣體噴嘴的狀態之圖。
圖44係用以示意性地顯示前述外周部處理步驟中的處理液噴嘴以及氣體噴嘴的狀態之圖。
圖45係用以說明記憶於記憶資訊部之旋轉速度-噴吹區域位置對應表之圖。
圖46係用以說明第五實施形態的第七基板處理例的外周部處理步驟的內容之流程圖。
圖47係用以示意性地顯示第五實施形態的第八基板處理例的外周部處理步驟中的處理液噴嘴以及氣體噴嘴的狀態之圖。
圖48係用以示意性地說明前述外周部處理步驟中的處理液噴嘴以及氣體噴嘴的狀態之圖。
圖1係用以說明本發明第一實施形態的基板處理裝置的內部的布局之示意性的俯視圖。基板處理裝置1係葉片 式的裝置，用以藉由處理液或處理氣體逐片地處理半導體晶圓等圓板狀的基板W。基板處理裝置1係包含有：複數個處理單元2，係使用處理液處理基板W；裝載埠(load port)LP，係載置有承載器(carrier)C1，該承載器C1係用以收容被處理單元2處理之複數片基板W；搬運機器人IR以及搬運機器人CR，係在裝載埠LP與處理單元2之間搬運基板W；以及控制裝置3，係控制基板處理裝置1。搬運機器人IR係在承載器C1與搬運機器人CR之間搬運基板W。搬運機器人CR係在搬運機器人IR與處理單元2之間搬運基板W。複數個處理單元2係例如具有同樣的構成。
圖2係用以說明處理單元2的構成例之示意性的剖視圖。
處理單元2係用以使用處理液處理(頂側處理)基板W的外周部41(參照圖3等)之單元，更具體而言，處理單元2係用以使用處理液處理(頂側處理)基板W的上表面(主面)的外周區域42(參照圖3等)以及基板W的周端面44(參照圖3等)之單元。在本實施形態中，所謂基板W的外周部41係指包含有基板W的上表面的外周區域42、基板W的下表面(主面)的外周區域43(參照圖3等)以及基板W的周端面44之部分。此外，所謂外周區域42、43係指例如從基板W的周端緣起具有微距毫米(comma milli)至數毫米左右的寬度之環狀的區域。
處理單元2係包含有：箱形的處理腔室(processing chamber)4，係具有內部空間；自轉夾具(spin chuck)(基板保 持單元)5，係在處理腔室4內以水平的姿勢保持一片基板W，並使基板W繞著通過基板W的中心之鉛直的旋轉軸線A1旋轉；處理液供給單元6，係用以將處理液(藥液以及清洗(rinse)液)供給至被自轉夾具5保持的基板W的上表面的外周區域42；第一惰性氣體供給單元8，係用以將惰性氣體供給至被自轉夾具5保持的基板W的上表面中央部；第二惰性氣體供給單元9，係用以將惰性氣體供給至被自轉夾具5保持的基板W的上表面的外周區域42；第三惰性氣體供給單元10，係用以將惰性氣體供給至被自轉夾具5保持的基板W的下表面的外周區域43；加熱器11，係加熱被自轉夾具5保持的基板W的下表面的外周區域43；以及筒狀的處理罩(processing cup)12，係圍繞自轉夾具5。
處理腔室4係包含有：箱狀的隔壁13；作為送風單元的FFU(fan filter unit；風扇過濾器單元)14，係從隔壁13的上部將清淨空氣輸送至隔壁13內(相當於處理腔室4內)；以及排氣裝置(未圖示)，係從隔壁13的下部排出處理腔室4內的氣體。
FFU14係配置於隔壁13的上方，並安裝於隔壁13的頂部。FFU14係從隔壁13的頂部將清淨空氣輸送至處理腔室4內。排氣裝置係經由連接至處理罩12內的排氣導管15而連接至處理罩12的底部，用以從處理罩12的底部吸引處理罩12的內部。藉由FFU14以及排氣裝置，於處理腔室4內形成有降流(down flow)(下降流)。
在本實施形態中，自轉夾具5為真空吸附式的夾具。 自轉夾具5係吸附支撐基板W的下表面中央部。自轉夾具5係具備有：自轉軸(spin axis)16，係於鉛直的方向延伸；自轉基座(spin base)17，係安裝於該自轉軸16的上端，並以水平的姿勢吸附並保持基板W的下表面；以及自轉馬達(spin motor)(基板旋轉單元)18，係具有與自轉軸16同軸地結合之旋轉軸。自轉基座17係包含有：水平的圓形的上表面17a，係具有比基板W的外徑還小的外徑。在基板W的背面被自轉基座17吸附保持的狀態下，基板W的外周部41係伸出至比自轉基座17的周端緣還外側。驅動自轉馬達18，藉此使基板W繞著自轉軸16的中心軸線旋轉。
處理液供給單元6係包含有處理液噴嘴19。處理液噴嘴19係例如為直式噴嘴(straight nozzle)，以連續流動的狀態噴出液體。處理液噴嘴19係具有作為掃描噴嘴的基本形態，係能變更基板W的上表面中的處理液的供給位置。處理液噴嘴19係在自轉夾具5的上方安裝於大致水平地延伸的噴嘴臂20的前端部。噴嘴臂20係在自轉夾具5的側方被大致鉛直延伸的臂支撐軸21支撐。於臂支撐軸21結合有臂搖動馬達(電動馬達)22。臂搖動馬達22係例如為伺服馬達。能藉由臂搖動馬達22使噴嘴臂20以設定於自轉夾具5的側方之鉛直的搖動軸線A2(亦即臂支撐軸21的中心軸線)作為中心在水平面內搖動，藉此能使處理液噴嘴19繞著搖動軸線A2轉動。
於臂搖動馬達22結合有編碼器23，該編碼器23係用以檢測臂搖動馬達22的輸出軸22a的旋轉角度。當臂搖動 馬達22使輸出軸22a旋轉時，處理液噴嘴19係以已因應了輸出軸22a的旋轉角度之移動量繞著臂支撐軸21的中心軸線轉動。此外，當處理液噴嘴19繞著臂支撐軸21的中心軸線轉動時，臂搖動馬達22的輸出軸22a係以相當於處理液噴嘴19的移動量之旋轉角度旋轉。因此，藉由編碼器23檢測輸出軸22a的旋轉角度，藉此能檢測處理液噴嘴19的位置。
於處理液噴嘴19連接有藥液配管24，該藥液配管24係被供給有來自藥液供給源的藥液。於藥液配管24的中途部夾設有用以開閉藥液配管24之藥液閥25。此外，於處理液噴嘴19連接有清洗液配管26A，該清洗液配管26A係被供給有來自清洗液供給源的清洗液。於清洗液配管26A的中途部夾設有用以開閉清洗液配管26A之清洗液閥26B。當在清洗液閥26B被關閉的狀態下開啟藥液閥25時，從設定於處理液噴嘴19的下端之噴出口19a(參照圖3)噴出從藥液配管24供給至處理液噴嘴19之連續流動的藥液。此外，當在藥液閥25被關閉的狀態下開啟清洗液閥26B時，從設定於處理液噴嘴19的下端之噴出口19a(參照圖3)噴出從清洗液配管26A供給至處理液噴嘴19之連續流動的清洗液。
藥液係例如為用以蝕刻基板W的表面或者洗淨基板W的表面之液體。藥液亦可為包含有氫氟酸、硫酸、醋酸、硝酸、鹽酸、緩衝氫氟酸(BHF；buffered HF)、稀釋氫氟酸(DHF；dilute hydrofluoric acid)、氨水、過氧化氫水、有機 酸(例如檸檬酸、草酸等)、有機鹼(例如TMAH(Tetra Methyl Ammonium Hydroxide；氫氧化四甲銨)等)、有機溶劑(例如IPA(isopropyl alcohol；異丙醇)等)、界面活性劑、防腐蝕劑中的至少一者之液體。清洗液係例如為去離子水(DIW；deionized water)，但並未限定於DIW，亦可為碳酸水、電解離子水、氫水、臭氧水以及稀釋濃度(例如10ppm至100ppm左右)的鹽酸水中的任一者。
第一惰性氣體供給單元8係包含有：氣體噴出噴嘴27，係用以將惰性氣體供給至被自轉夾具5保持的基板W的上表面的中央部；第一氣體配管28，係用以將惰性氣體供給至氣體噴出噴嘴27；第一氣體閥29，係將第一氣體配管28予以開閉；以及噴嘴移動機構30，係用以使氣體噴出噴嘴27移動。當在設定於基板W的上表面中央部的上方之處理位置中開啟第一氣體閥29時，藉由從氣體噴出噴嘴27噴出的惰性氣體於基板W的上方形成有從中央部朝外周部41流動的放射狀氣流。
第二惰性氣體供給單元9係包含有：上外周部氣體噴嘴31，係用以將惰性氣體噴出至基板W的上表面的外周區域42；第二氣體配管32，係用以將惰性氣體供給至上外周部氣體噴嘴31；第二氣體閥33，係用以將第二氣體配管32予以開閉；以及噴嘴移動機構34，係用以使上外周部氣體噴嘴31移動。當在與基板W的上表面的外周區域42對向之處理位置中開啟第二氣體閥33時，上外周部氣體噴嘴31係從基板W的旋轉半徑方向(以下稱為徑方向RD)的內 側朝外側以及斜下方將惰性氣體噴出至基板W的上表面的外周區域42的噴吹位置。藉此，能抑制基板W的上表面的外周區域42中的處理液的處理寬度。
第三惰性氣體供給單元10係包含有：下外周部氣體噴嘴36，係將惰性氣體噴出至基板W的下表面的外周區域43；第三氣體配管37，係將惰性氣體供給至下外周部氣體噴嘴36；以及第三氣體閥38，係用以將第三氣體配管37予以開閉。當在與基板W的下表面的外周區域43對向的處理位置中開啟第三氣體閥38時，下外周部氣體噴嘴36係從徑方向RD的內側朝外側斜上方(例如相對於水平面為45°)將惰性氣體噴出至基板W的下表面的外周區域43的噴吹位置。
加熱器11係形成為圓環狀，並具有與基板W的外徑同等的外徑。加熱器11係具有上端面，該上端面係與被自轉夾具5保持的基板W的下表面的外周區域43對向。加熱器11係使用陶瓷或炭化矽(SiC)形成，並於內部埋設有加熱源(未圖示)。藉由加熱源的加熱溫熱加熱器11，加熱器11係加熱基板W。藉由加熱器11從下表面側加熱基板W的外周部41，藉此能提升基板W的上表面的外周區域42中的處理速率。
處理罩12係配置於比被自轉夾具5保持的基板W還外側(遠離旋轉軸線A1的方向)。處理罩12係圍繞自轉基座17。當在自轉夾具5使基板W旋轉的狀態下對基板W供給處理液時，供給至基板W的處理液係被甩離至基板W 的周圍。在對基板W供給處理液時，朝上開放的處理罩12的上端部12a係配置於比自轉基座17還上方。因此，排出至基板W的周圍之藥液或水等處理液係被處理罩12接住。接著，被處理罩12接住的處理液係被排液處理。
此外，處理單元2係包含有：徑方向位置感測器(位置感測器)47，係用以檢測被自轉夾具5保持的基板W的周端的徑方向RD的位置(以下簡稱為「徑方向位置」)。徑方向位置感測器47係針對基板W的周端面44中之預定的計測對象位置檢測基板W的周端面44的徑方向位置。在本實施形態中，藉由徑方向位置感測器47與控制裝置3構成周端徑方向位置計測單元。
圖3係用以顯示正從配置於處理位置的處理液噴嘴19噴出處理液的狀態之剖視圖。
處理液噴嘴19係配置於與基板W的上表面的外周區域42對向的處理位置。在此狀態下，當選擇性地開啟藥液閥25(參照圖2)以及清洗液閥26B(參照圖2)時，處理液噴嘴19係從徑方向RD的內側朝外側斜下方將處理液(藥液或清洗液)噴出至基板W的上表面的外周區域42的著液位置(以下簡稱為「著液位置45」)。由於從徑方向RD的內側朝著液位置45噴出處理液，因此能抑制或防止處理液朝屬於器件(device)形成區域之基板W的上表面中央部飛濺。此時，來自噴出口19a的處理液的噴出方向為沿著徑方向RD之方向，且為以預定角度射入至基板的上表面之方向。射入角度θ 1係例如約30°至約80°，較佳為約45°。著液至 著液位置45的處理液係相對於著液位置45朝徑方向RD的外側流動。藉由處理液處理基板W的上表面的外周區域42中之僅比著液位置45還外側的區域。亦即，基板W的上表面的外周區域42中的處理寬度係因應著液位置45與基板W的周端面44之間的距離而改變。
圖4係顯示基板W在偏心狀態下被自轉夾具5保持的狀態之示意圖。圖5係用以顯示基板W在偏心狀態下被自轉夾具5保持的狀態之示意圖。圖6係用以顯示參考基板處理例中的基板W的上表面的外周區域42的處理寬度之俯視圖。
自轉夾具5係用以支撐基板W的中央部之形式的自轉夾具。此種形式的自轉夾具係不支撐基板W的外周部41。因此，如圖4以及圖5所示，在基板W的保持狀態中，會有基板W的中心從自轉夾具5所為之基板W的旋轉軸線A1偏離(亦即基板W相對於自轉夾具5偏心)之虞。
在針對基板W的外周部41之處理中，由於使基板W繞著旋轉軸線A1旋轉，因此當基板W相對於自轉夾具5偏心時，基板W的周端中之配置有與處理液噴嘴19的處理位置對應之周方向位置的周端(配置有處理液噴嘴19之周方向位置的周端，以下稱為「配置位置周端46」)與旋轉軸線A1之間的距離會因應基板W的旋轉角度位置而變化。在處理液噴嘴19相對於自轉夾具5處於靜止姿勢之情形中，處理液的著液位置45與配置位置周端46之間的距離會隨著基板W的旋轉角度位置而變化。換言之，相對於 旋轉軸線A1之配置位置周端46的徑方向位置係伴隨著基板W的旋轉角度位置而變化。
結果，如圖6所示，會有基板W的上表面的外周區域42的洗淨寬度會在周方向的各個位置產生偏差之虞。當洗淨寬度存在大幅度的偏差時，變得必須察覺偏差而將中央的器件區域設定成較窄。因此，對於洗淨寬度要求高的精度。
圖7係用以說明基板處理裝置1的主要部分的電性構成之方塊圖。
控制裝置3係例如使用微電腦來構成。控制裝置3係具有CPU(Central Processing Unit；中央處理器)等運算單元51、固定記憶體器件(未圖示)、硬碟驅動器等記憶單元52、輸出單元53以及輸入單元(未圖示)。於記憶單元52記憶有讓運算單元51執行的程式。
記憶單元52係由可電性地覆寫資料之非揮發性記憶體所構成。記憶單元52係包含有：配方(recipe)記憶部54，係記憶有配方，該配方係規定針對基板W之各個處理的內容；各周端徑方向位置記憶部59，係記憶與被自轉夾具5保持的基板W的周方向的各周端位置中之相對於旋轉軸線A1為徑方向RD的位置(以下稱為「各周端徑方向位置」)有關的位置資訊；以及相位差記憶部55，係記憶相位差△P(參照圖8)。
於控制裝置3連接有作為控制對象之自轉馬達18、臂搖動馬達22、噴嘴移動機構30、34、加熱器11的加熱源、 藥液閥25、清洗液閥26B、第一氣體閥29、第二氣體閥33以及第三氣體閥38等。控制裝置3係控制自轉馬達18、臂搖動馬達22、噴嘴移動機構30、34以及加熱器11的動作。此外，控制裝置3係將閥(25、26B、29、33、38)等予以開閉。
在進行這些控制對象的控制時，輸出單元53係將驅動訊號輸送至各個控制對象，控制對象係被輸入該驅動訊號，藉此控制對象係執行因應了驅動訊號的驅動動作。例如在欲控制臂搖動馬達22來驅動噴嘴臂20之情形中，輸出單元53係將噴嘴驅動訊號57輸送至臂搖動馬達22。而且，藉由對臂搖動馬達22輸入噴嘴驅動訊號57，臂搖動馬達22係以因應了噴嘴驅動訊號57的驅動動作驅動噴嘴臂20(亦即進行搖動動作)。
此外，於控制裝置3輸入有編碼器23的檢測輸出以及徑方向位置感測器47的檢測輸出。
在外周部處理步驟(步驟S6、步驟S7)中，控制裝置3係以基板W的上表面的外周區域42(參照圖3)中的著液位置45會追隨伴隨著基板W的旋轉角度位置之配置位置周端46的徑方向RD的位置變化(以下稱為「徑方向位置變化」)而於徑方向RD往復移動之方式使處理液噴嘴19驅動。更具體而言，處理液噴嘴19係追隨配置位置周端46的徑方向位置變化於徑方向RD往復移動。藉此，能在基板W的外周部41中將著液位置45與配置位置周端46之間的間隔保持一定。此外，所謂「使著液位置45往復移動」 並非是以基板W作為基準往復移動，而是指以處於靜止狀態的物體(例如處理腔室4的隔壁13)作為基準往復移動。
然而，為了控制裝置3與臂搖動馬達22之間的噴嘴驅動訊號57的發送及接收以及伴隨噴嘴驅動訊號57的發送及接收之資料的讀入及資料解析，會有在處理液噴嘴19的驅動控制中處理液噴嘴19的驅動動作相對於來自控制裝置3的噴嘴驅動訊號57的輸出延遲之虞。
圖8係用以顯示配置位置周端46的徑方向位置變化之正弦波SW2以及已以著液位置45追隨配置位置周端46的位置變化(亦即著液位置45與配置位置周端46之間的間隔保持一定)之最佳的追隨時序輸出噴嘴驅動訊號57之情形中的著液位置45的徑方向位置變化之正弦波SW1。
在已以著液位置45追隨配置位置周端46的徑方向位置變化之最佳的追隨時序輸出噴嘴驅動訊號57之情形中，如圖8所示，實際的處理液噴嘴19的徑方向位置變化(著液位置45的徑方向位置變化)的正弦波SW1(圖8中以實線所示)係從配置位置周端46的徑方向位置變化的正弦波SW2(圖8中以虛線所示)延遲達至預定的相位差△P。以下將此種處理液噴嘴19的驅動延遲所伴隨之著液位置45相對於配置位置周端46的徑方向位置變化之相位差簡稱為「相位差△P」。
因此，在本實施形態中，將從控制裝置3朝臂搖動馬達22之噴嘴驅動訊號57的輸出時序設定成從前述最佳的追隨時序提早(錯開)達至相當於相位差△P之時間，藉此實 現以已排除相位差△P的排除時序將噴嘴驅動訊號57輸出至臂搖動馬達22。以下，具體地說明。
圖9係用以說明圖7所示的各周端徑方向位置記憶部59之圖。於各周端徑方向位置記憶部59記憶有關於各周端高度位置之位置資訊。具體而言，記憶有著液位置45的往復移動的振幅A、著液位置45的往復移動的週期PD以及著液位置45的往復移動的相位P(將檢測出的缺口(notch)的位置作為基準之周方向相位)。這些位置資訊係基於各周端徑方向位置計測步驟(圖11的步驟S4)所計測的實測值之值。
圖10係用以說明圖7所示的相位差記憶部55之圖。於各周端徑方向位置記憶部59記憶有相位差△P。相位差△P係與彼此不同之複數個旋轉速度(基板W的旋轉速度)對應地被記憶。
圖11係用以說明處理單元2所為之第一基板處理例之流程圖。圖12係用以說明圖11所示的各周端徑方向位置計測步驟(步驟S4)的內容之流程圖。圖13係用以說明圖11所示的相位差計測步驟(步驟S5)的內容之流程圖。圖13係用以說明圖10所示的外周部處理步驟(步驟S6、步驟S7)的內容之流程圖。圖15以及圖16係用以說明外周部處理步驟(步驟S6、步驟S7)的內容之示意圖。圖17係用以顯示配置位置周端46的徑方向位置變化之正弦波SW2以及已在排除時序輸出噴嘴驅動訊號57之情形中的著液位置45的徑方向位置變化之正弦波SW1。圖18係用以顯示圖 11的基板處理例中的基板W的上表面的外周區域42的處理寬度之俯視圖。
參照圖1、圖2、圖3、圖7、圖9、圖10以及圖11說明該第一基板處理例。適當地參照圖12至圖18。
首先，將未處理的基板W搬入至處理腔室4的內部(圖11的步驟S1)。具體而言，使正在保持基板W之搬運機器人CR的手部H進入至處理腔室4的內部，藉此在器件形成面朝向上方的狀態下將基板W授受至自轉夾具5。
之後，當吸附支撐基板W的下表面中央部時，藉由自轉夾具5保持基板W(圖11的步驟S2)。在本實施形態中，未進行使用了定中心(centering)機構之基板W相對於自轉夾具5之中心對準。
基板W被自轉夾具5保持後，控制裝置3係控制自轉馬達18使基板W開始旋轉(圖11的步驟S3)。
接著，控制裝置3係執行各周端徑方向位置計測步驟(圖11的步驟S4)，該各周端徑方向位置計測步驟係計測被自轉夾具5保持的基板W的各周端徑方向位置。一併參照圖12，說明各周端徑方向位置計測步驟(步驟S4)。
在各周端徑方向位置計測步驟(步驟S4)中，控制裝置3係使基板W的旋轉速度上升至預定的計測旋轉速度(比下述液體處理速度還慢的速度，例如約50rpm)並保持於該計測旋轉速度(圖12的步驟S11)。
當基板W的旋轉達至計測旋轉速度時(在步驟S11中為是)，控制裝置3係使用徑方向位置感測器47開始計測 各周端徑方向位置(圖12的步驟S12)。具體而言，控制裝置3係一邊控制自轉馬達18使基板W繞著旋轉軸線A1轉動，一邊藉由徑方向感測器47檢測基板W的周端面44中的預定的計測對象位置的徑方向位置。於徑方向位置感測器47開始檢測後，當基板W結束至少轉動一圈(360°)時(在圖12的步驟S13中為是)，當作已檢測出所有的各周端徑方向位置(是)並結束計測(圖12步驟S14)。藉此，能檢測基板W相對於自轉夾具5之偏心狀態。
控制裝置3係依據所計測的各周端徑方向位置算出著液位置45的往復移動的振幅A、著液位置45的往復移動的週期PD以及著液位置45的往復移動的相位P(基於缺口的檢測之周方向相位)(圖12的步驟S15)。所算出的振幅A、週期PD以及相位P係記憶於各周端徑方向位置記憶部59(圖12的步驟S16)。之後，各周端徑方向位置計測步驟(步驟S4)係結束。各周端徑方向位置計測步驟(步驟S4)的執行時間係例如約5秒。
接著，控制裝置3係執行用以計測相位差△P(參照圖8)之相位差計測步驟(圖11的步驟S5)。一併參照圖13，說明相位差計測步驟(步驟S5)。
在相位差計測步驟(步驟S5)中，計測已因應了下述外周部處理步驟(外周部藥液處理步驟(步驟S6)以及外周部清洗液處理步驟(步驟S7))中的基板W的旋轉速度(處理旋轉速度)之相位差△P。在外周部處理步驟中設定有複數個處理旋轉速度之情形中，計測與各個處理旋轉速度對應之 相位差△P(亦即複數個相位差△P)。
具體而言，控制裝置3係控制臂搖動馬達22將處理液噴嘴19配置於與上表面的外周區域42對向之處理位置(圖13的步驟S21)。此外，控制裝置3係控制自轉馬達18使基板W的旋轉速度上升至預定的計測旋轉速度(亦即外周部處理步驟中的基板W的旋轉速度)並保持於該計測旋轉速度(圖13的步驟S22)。
控制裝置3係依據各周端徑方向位置記憶部59所記憶的振幅A、週期PD以及相位P(各周端徑方向位置計測步驟(步驟S4)的計測結果)，以著液位置45會以與配置位置周端46的位置變化相同的振幅A以及相同的週期PD移動之方式作成用以使處理液噴嘴19驅動之噴嘴驅動訊號57(噴嘴驅動訊號作成步驟，圖13的步驟S23)。
接著，當基板W的旋轉達至計測旋轉速度時(在步驟S22中為是)，控制裝置3係依據用以檢測自轉馬達18的輸出軸的旋轉量之編碼器(未圖示)所檢測之基板W的旋轉角度位置，在著液位置45追隨配置位置周端46的位置變化(亦即著液位置45與配置位置周端46之間的間隔保持一定)之最適當的追隨時序輸出噴嘴驅動訊號57(圖13的步驟S24)。如參照圖8所述般，實際的著液位置45的徑方向位置變化的正弦波SW1(圖8中以實線所示)係從配置位置周端46的高度位置變化的正弦波SW2(圖8中以虛線所示)延遲達至預定的相位差△P。控制裝置3係參照編碼器23的檢測輸出求出處理液噴嘴19的實際的徑方向位置變化(著 液位置45的徑方向位置變化)，並依據該實際的徑方向位置變化算出相位差△P(圖13的步驟S25)。所算出的相位差△P係記憶於各相位差記憶部55(圖13的步驟S26)。藉此，結束與該旋轉速度對應之相位差△P的計測。在殘留有針對其他的旋轉速度之相位差△P的計測之情形中(在步驟S27中為是)，返回至圖13的步驟S21。在已結束針對全部的旋轉速度之相位差△P的計測之情形中(在步驟S27中為否)，結束相位差計測步驟(步驟S5)。
相位差計測步驟(步驟S5)結束後，接著，控制裝置3係執行外周部藥液處理步驟(外周部處理步驟，圖11的步驟S6)，該外周部藥液處理步驟係使用藥液處理基板W的外周部41。外周部藥液處理步驟(步驟S6)係在基板W的旋轉處於預定的旋轉速度(約300rpm至約1000rpm的預定的速度)的狀態下執行。此外，控制裝置3係與外周部藥液處理步驟(步驟S6)並行地執行著液位置往復移動步驟，該著液位置往復移動步驟係使基板W的上表面的外周區域42中的藥液的著液位置45追隨伴隨著基板W的旋轉角度位置之配置位置周端46的徑方向位置變化於徑方向RD往復移動。一併參照圖14，說明外周部藥液處理步驟(步驟S6)。
在外周部藥液處理步驟(步驟S6)中，控制裝置3係控制自轉馬達18將基板W的旋轉速度設定成預定的處理旋轉速度(亦即外周部藥液處理步驟(步驟S6)中的基板W的旋轉速度)(圖14的步驟S30)。此外，在處理液噴嘴19位於退避位置之情形中，控制裝置3係控制臂搖動馬達22， 將處理液噴嘴19配置於與上表面的外周區域42對向之處理位置(圖14的步驟S31)。
當基板W的旋轉達至處理旋轉速度時，控制裝置3係一邊關閉清洗液閥26B一邊開啟藥液閥25，藉此從處理液噴嘴19的噴出口19a開始噴出藥液(圖14的步驟S32)。此外，如圖15以及圖16所示，控制裝置3係開始執行前述著液位置往復移動步驟(圖14的步驟S33)。
著液位置往復移動步驟(圖14的步驟S33)係如下方式進行。
亦即，控制裝置3係依據各周端徑方向位置記憶部59所記憶的振幅A、週期PD以及相位P(各周端徑方向位置計測步驟(步驟S4)的計測結果)，以著液位置45會以與配置位置周端46的位置變化相同的振幅A以及相同的週期PD移動之方式作成用以使處理液噴嘴19驅動之噴嘴驅動訊號57(噴嘴驅動訊號作成步驟，圖14的步驟S34)。
接著，當基板W的旋轉達至處理旋轉速度時，控制裝置3係依據用以檢測自轉馬達18的輸出軸的旋轉量之編碼器(未圖示)所檢測之基板W的旋轉角度位置，在從前述最適當的追隨時序提早(錯開)達至相當於相位差△P的時間之排除時序輸出噴嘴驅動訊號57(圖14的步驟S35)。此時，控制裝置3係參照相位差記憶部55以所記憶的相位差△P中之與該處理旋轉速度對應之相位差△P獲得排除時序。
如圖17所示，在已在排除時序輸出噴嘴驅動訊號之情形中，實際的著液位置45的徑方向位置變化的正弦波 SW1(在圖17中以實線所示)係幾乎或完全與配置位置周端46的徑方向位置變化的正弦波SW2(在圖17中以虛線所示)沒有相位差。
藉此，實現以已排除相位差△P之排除時序將噴嘴驅動訊號57輸出至臂搖動馬達22。藉此，能以可使著液位置45追隨配置位置周端46的徑方向位置變化往復移動之時序輸出噴嘴驅動訊號57。藉此，能與相對於噴嘴驅動訊號57的輸出之處理液噴嘴19的驅動延遲無關地使著液位置45良好地追隨配置位置周端46的徑方向位置變化。因此，如圖18所示且如外周部處理步驟(步驟S6、步驟S7)所示般，能提升基板W的上表面的外周區域42中的處理寬度的均勻性。
當從開始噴出藥液經過預先設定的期間時(在圖14的步驟S36中為是)，控制裝置3係關閉藥液閥25。藉此，停止(結束)從處理液噴嘴19噴出藥液(圖14的步驟S37)。
此外，在外周部藥液處理步驟(步驟S6)中，加熱器11的熱源被開啟，藉由加熱器11加熱基板W的下表面的外周區域43。藉此，提高外周部藥液處理的處理速度。此外，在外周部藥液處理步驟(步驟S6)中，藉由從位於處理位置的氣體噴出噴嘴27噴出的惰性氣體，於基板W的上方形成有從中央部朝外周部41流動的放射狀氣流。藉由該放射狀氣流保護屬於器件形成區域之基板W的上表面中央部。此外，在外周部藥液處理步驟(步驟S6)中，從位於處理位置的上外周部氣體噴嘴31對基板W的上表面的外周區域 42的噴吹位置噴吹惰性氣體。能藉由該惰性氣體的噴吹控制基板W的上表面的外周區域42中的藥液的處理寬度。此外，在外周部藥液處理步驟(步驟S6)中，從位於處理位置的下外周部氣體噴嘴36對基板W的下表面的外周區域43的噴吹位置噴出惰性氣體。能藉由該惰性氣體的噴吹防止藥液繞入至基板W的下表面。
第三惰性氣體供給單元10係包含有：下外周部氣體噴嘴36，係用以將惰性氣體噴出至基板W的下表面的外周區域43；第三氣體配管37，係用以將惰性氣體供給至下外周部氣體噴嘴36；以及第三氣體閥38，係用以開閉第三氣體配管37。當在與基板W的下表面的外周區域43對向的處理位置中開啟第三氣體閥38時，下外周部氣體噴嘴36係朝鉛直上方地將惰性氣體噴出至基板W的下表面的外周區域43的噴吹位置。
在外周部藥液處理步驟(步驟S6)結束後，接著，控制裝置3係執行外周部清洗液處理步驟(外周部處理步驟，圖11的步驟S7)，該外周部清洗液處理步驟係使用清洗液處理基板W的外周部41。外周部清洗液處理步驟(步驟S7)係在基板W的旋轉處於預定的旋轉速度(約300rpm至約1000rpm的預定的速度)的狀態下執行。此外，控制裝置3係與外周部清洗液處理步驟(步驟S7)並行地執行著液位置往復移動步驟，該著液位置往復移動步驟係使基板W的上表面的外周區域42中的清洗液的著液位置45追隨伴隨著基板W的旋轉角度位置之配置位置周端46的徑方向位置 變化於徑方向往復RD往復移動。一併參照圖14，說明外周部清洗液處理步驟(步驟S7)。
在外周部清洗液處理步驟(步驟S7)中，控制裝置3係控制自轉馬達18將基板W的旋轉速度設定成預定的處理旋轉速度(亦即外周部清洗液處理步驟(步驟S7)中的基板W的旋轉速度)(步驟S30)。此外，在處理液噴嘴19位於退避位置之情形中，控制裝置3係控制臂搖動馬達22，將處理液噴嘴19配置於與上表面的外周區域42對向之處理位置(步驟S31)。
當基板W的旋轉達至處理旋轉速度時，控制裝置3係一邊關閉藥液液閥25一邊開啟清洗液閥26B，藉此從處理液噴嘴19的噴出口19a開始噴出清洗液(步驟S32)。此外，控制裝置3係開始執行著液位置往復移動步驟(步驟S33)。由於著液位置往復移動步驟已在外周部藥液處理步驟(步驟S6)中說明完畢，故省略其說明(步驟S33)。當從開始噴出清洗液經過預先設定的期間時(在步驟S36中為是)，控制裝置3係關閉清洗液閥26B。藉此，停止(結束)從處理液噴嘴19噴出清洗液(步驟S37)。
此外，在外周部清洗液處理步驟(步驟S7)中，藉由從位於處理位置的氣體噴出閥27噴出的惰性氣體，於基板W的上方形成有從中央部朝外周部41流動的放射狀氣流。此外，在外周部清洗液處理步驟(步驟S7)中，從位於處理位置的上外周部氣體噴嘴31對基板W的上表面的外周區域42的噴吹位置噴吹惰性氣體。此外，在外周部清洗液處理 步驟(S7)中，從位於處理位置的下外周部氣體噴嘴36對基板W的下表面的外周區域43的噴吹位置噴吹惰性氣體。在外周部清洗液處理步驟(S7)中，可將加熱器11的熱源開啟且藉由加熱器11加熱基板W的下表面的外周區域43，亦可不加熱基板W的下表面的外周區域43。
之後，控制裝置3係控制臂搖動馬達22將處理液噴嘴19返回至自轉夾具5的側方的退避位置。
接著，進行使基板W乾燥之旋乾(spin-drying)(圖11的步驟S8)。具體而言，控制裝置3係控制自轉馬達18使基板W加速至比各個處理步驟S2至步驟S8中的旋轉速度還高之乾燥旋轉速度(例如數千rpm)，並使基板W以該乾燥旋轉速度旋轉。藉此，大的離心力施加至基板W上的液體，附著於基板W的外周部41的液體係被甩離至基板W的周圍。如此，從基板W的外周部41去除液體而使基板W的外周部41乾燥。
當從基板W開始高速旋轉經過預定期間時，控制裝置3係藉由控制自轉馬達18而停止自轉夾具5所為之基板W的旋轉。
之後，從處理腔室4內搬出基板W(圖11的步驟S9)。具體而言，控制裝置3係使搬運機器人CR的手部進入至處理腔室4的內部。接著，控制裝置3係使搬運機器人CR的手部保持自轉夾具5上的基板W。之後，控制裝置3係使搬運機器人CR的手部從處理腔室4內退避。藉此，從處理腔室4搬出處理後的基板W。
藉此，依據第一實施形態，在著液位置往復移動步驟(步驟S33)中，以已排除相位差△P(處理液噴嘴19的驅動延遲所伴隨之相位差)的排除時序將噴嘴驅動訊號57輸出至臂搖動馬達22。亦即，以能使著液位置45追隨配置位置周端46的徑方向位置變化往復移動之時序輸出噴嘴驅動訊號57。藉此，能與相對於噴嘴驅動訊號57的輸出之處理液噴嘴19的驅動延遲無關地使著液位置45良好地追隨配置位置周端46的徑方向位置變化。
此外，能一邊使被自轉夾具5保持的基板W繞著旋轉軸線A1轉動一邊使用徑方向位置感測器47檢測基板W的周端面44的計測對象位置的徑方向位置，藉此良好地計測基板W的周方向的各周端位置。亦即，能使用位置感測器(徑方向位置感測器47)此種簡單的構成良好地計測基板W的周方向的各周端位置。
此外，能使處理液噴嘴19移動並使用編碼器23檢測此時的處理液噴嘴19的移動量，藉此實際地計測相位差△P。由於依據實際測量的相位差△P來移動處理液噴嘴19，藉此能使著液位置45的往復移動更良好地追隨配置位置周端46的位置變化。
此外，於相位差記憶部55設置有複數個相位差△P，各個相位差△P係與基板W的處理旋轉速度對應地設置有複數個。而且，以已排除與處理旋轉速度對應的相位差△P之排除時序輸出噴嘴驅動訊號57。因此，即使在基板處理裝置1中外周部藥液處理步驟(步驟S6)中的基板W的處理 旋轉速度根據配方的內容而不同之情形中，亦能以與各處理旋轉速度對應之最適當的時序輸出噴嘴驅動訊號。
圖19係用以說明本發明第二實施形態的基板處理裝置401所具備的處理單元402的構成例之示意性的圖。在第二實施形態中，針對與前述第一實施形態(圖1至圖18的實施形態)的各部分共通之構成附上相同的元件符號並省略說明。
處理單元402係用以使用處理液處理(頂側處理)基板W的外周部41(參照圖20等)之單元，更具體而言，處理單元402係用以使用處理液處理(頂側處理)基板W的上表面(主面)的外周區域42(參照圖20等)以及基板W的周端面44(參照圖20等)之單元。
處理單元402係包含有：處理腔室4；自轉夾具(基板保持單元)5；處理液供給單元406，係用以將處理液(藥液以及清洗液)供給至被自轉夾具5保持的基板W的上表面的外周區域42；第一惰性氣體供給單元8；第二惰性氣體供給單元9；第三惰性氣體供給單元10；加熱器11；以及處理罩12。
處理液供給單元406係包含有：處理液噴嘴419；藥液配管420，係連接至處理液噴嘴419；藥液閥421，係夾設於藥液配管420；流量調整閥(噴吹流量調整單元)501，係夾設於藥液配管420；清洗液配管422，係連接至處理液噴嘴419；清洗液閥423，係夾設於清洗液配管422；流量調整閥(噴吹流量調整單元)502，係夾設於清洗液配管422； 以及噴嘴移動機構424，係用以使處理液噴嘴419移動。雖然未圖示，但流量調整閥501以及流量調整閥502各者係包含有：閥本體，係內部設置有閥座；閥體，係用以將閥座開閉；以及致動器(actuator)，係用以使閥體在開位置與閉位置之間移動。
處理液噴嘴419係例如為以連續流動的狀態噴出液體之直式噴嘴。藥液配管420被供給有來自藥液供給源的藥液。清洗液配管422被供給有來自清洗液供給源的清洗液。當在關閉清洗液閥423的狀態下開啟藥液閥421時，從設定於處理液噴嘴419的下端之處理液噴出口419a(參照圖20)噴出從藥液配管420供給至處理液噴嘴419的連續流動的藥液。此外，當在關閉藥液閥421的狀態下開啟清洗液閥423時，從處理液噴出口419a噴出從清洗液配管422供給至處理液噴嘴419的連續流動的清洗液。噴嘴移動機構424係俯視觀看時沿著通過基板W的上表面(例如上表面中央部)之軌跡使處理液噴嘴419水平地移動。噴嘴移動機構424係使處理液噴嘴419在處理位置與退避位置之間移動，該處理位置係從處理液噴嘴419噴出的處理液(藥液以及清洗液)被供給至基板W的上表面的外周區域42之位置，該退避位置係俯視觀看時處理液噴嘴419已退避至自轉夾具5的側方之位置。此外，噴嘴移動機構424係以來自處理液噴嘴419的處理液的著液位置45(參照圖20)在基板W的上表面的外周區域42中於徑方向RD移動之方式使處理液噴嘴419移動。
藥液係例如為用以蝕刻基板W或者洗淨基板W之液體。藥液亦可為包含有氫氟酸、硫酸、醋酸、硝酸、鹽酸、緩衝氫氟酸(BHF)、稀釋氫氟酸(DHF)、氨水、過氧化氫水、有機酸(例如檸檬酸、草酸等)、有機鹼(例如TMAH等)、有機溶劑(例如IPA等)、界面活性劑、防腐蝕劑中的至少一者之液體。清洗液係例如為去離子水(DIW)，但並未限定於DIW，亦可為碳酸水、電解離子水、氫水、臭氧水以及稀釋濃度(例如10ppm至100ppm左右)的鹽酸水中的任一者。
此外，處理單元402係包含有：徑方向位置感測器(各周端位置計測單元)47，係用以檢測被自轉夾具5保持之基板W的周端的徑方向RD的位置(以下簡稱為「徑方向位置」)。
圖20係用以顯示正從配置於處理位置的處理液噴嘴419噴出處理液的狀態之剖視圖。
基板W係在器件形成面朝向上方的狀態下被自轉夾具5(參照圖19)保持。當在處理液噴嘴419已配置於與基板W的上表面的外周區域42對向的處理位置之狀態下選擇性地開啟藥液閥421(參照圖19)以及清洗液閥423(參照圖19)時，處理液噴嘴419係從徑方向RD的內側朝外側斜下方地對基板W的上表面的外周區域42的著液位置(以下簡稱為「著液位置45」)噴出處理液(藥液或清洗液)。從徑方向RD的內側朝著液位置45噴出處理液。
基板W的上表面(器件形成面)係除了外周區域42之外皆為形成有半導體器件之器件形成區域。由於處理液噴嘴 419從徑方向RD的內側朝斜下方噴出處理液，因此能某程度抑制處理液朝屬於器件形成區域之基板W的上表面中央部飛濺。此時，來自處理液噴出口419a的處理液的噴出方向為沿著徑方向RD之方向，且為以預定角度射入至基板W的上表面之方向。射入角度θ 1係例如約30°至約80°，較佳為約45°。
如圖20所示，已著液至著液位置45的處理液係在著液位置45的周圍中形成處理液的液膜LF，並相對於著液位置45朝基板W的旋轉方向R及徑方向RD的外側流動。因此，於基板W的上表面的外周區域42環狀地保持有處理液。此時的處理液的液膜LF的寬度W1(以下稱為「著液位置液體寬度W1」，為著液位置45中的處理液的寬度)係成為處理寬度。藉由精度佳地控制著液位置45，能精度佳地控制處理液的液膜LF的內周端701的位置，進而能精度佳地控制著液位置液體寬度W1。
此外，著液位置液體寬度W1(液膜LF的寬度)的寬窄(亦即處理液的液膜LF的內周端701的位置)係依存於處理旋轉速度(處理時的基板W的旋轉速度)。當處理旋轉速度快時，由於基板W的旋轉所致使之離心力增大，因此著液位置液體寬度W1變窄。另一方面，當處理旋轉速度慢時，由於基板W的旋轉所致使之離心力減少，因此著液位置液體寬度W1變寬。
在第二實施形態的處理單元402中，亦是藉由自轉夾具5支撐基板W的中央部而非是支撐基板W的外周部41。 因此，會有在自轉夾具5所為之基板W的保持狀態下產生偏心之虞(參照圖4以及圖5)，在此情形中，會產生配置位置周端46相對於旋轉軸線A1之徑方向位置伴隨著基板W的旋轉角度位置變化之問題。結果，如圖6所示，會有基板W的上表面的外周區域42的處理寬度在周方向的各位置產生偏差之虞。圖21係用以說明基板處理裝置401的主要部分的電性構成之方塊圖。
控制裝置3的記憶單元52係由可電性地覆寫資料之非揮發性記憶體所構成。記憶單元52係包含有：配方記憶部54，係記憶有配方，該配方係規定針對基板W之各個處理的內容；各周端徑方向位置記憶部59，係記憶與被自轉夾具5保持的基板W的周方向的各周端位置中之相對於旋轉軸線A1為徑方向RD的位置(以下稱為「各周端徑方向位置」)有關的位置資訊；以及資訊記憶部455，係記憶旋轉速度-處理位置對應表507(第一對應關係規定資訊，參照圖22)，該旋轉速度-處理位置對應表507係規定外周部處理步驟(步驟S105、步驟S106)中的基板W的旋轉速度(處理旋轉速度)與處理液噴嘴419的處理位置(著液位置45)之間的對應關係。於記憶於配方記憶部54的配方制定有外周部處理步驟(步驟S105、步驟S106)中的處理條件(例如處理液的種類(藥液、清洗液或者藥液的種類)、處理旋轉速度或者期望的處理寬度等)。
於控制裝置3連接有作為控制對象之自轉馬達18、噴嘴移動機構424、30、34、加熱器11的加熱源、藥液閥421、 清洗液閥423、第一氣體閥29、第二氣體閥33、第三氣體閥38以及流量調整閥501、502等。控制裝置3係控制自轉馬達18、噴嘴移動機構424、30、34以及加熱器11的動作。此外，控制裝置3係將閥(421、23、29、33、38)等予以開閉。此外，控制裝置3係調整流量調整閥501、502的開度。
此外，於控制裝置3被輸入有徑方向位置感測器47的檢測輸出。
圖22係用以說明記憶於資訊記憶部455之旋轉速度-處理位置對應表507之圖。
於資訊記憶部455之旋轉速度-處理位置對應表507規定有基板W的旋轉速度(處理旋轉速度)與處理液噴嘴419的處理位置(徑方向RD的位置)之間的對應關係，該處理液噴嘴419的處理位置係與各旋轉速度對應。藉由資訊記憶部455之旋轉速度-處理位置對應表507所規定之「處理位置」係可為處理液噴嘴419的處理位置的位置資訊，亦可為馬達的驅動值且為與該處理液噴嘴419的處理位置對應之驅動值，該馬達的驅動值係構成用以驅動處理液噴嘴419之噴嘴移動機構424。
一般而言，有著液位置液體寬度W1會隨著基板W的旋轉速度變慢而變寬之傾向。另一方面，有隨著處理液噴嘴419的處理位置(成為基準之處理位置)愈朝向徑方向RD的內側而使著液位置液體寬度W1愈變寬(亦即處理液於內側膨脹)之傾向。因此，只要隨著處理旋轉速度變快而將處 理液噴嘴419的處理位置(成為基準之處理位置)配置於徑方向RD中之靠內側處，即能將著液位置液體寬度W1保持於期望的寬度。旋轉速度-處理位置對應表507係以下述方式規定處理旋轉速度與處理液噴嘴419的處理位置：隨著基板W的旋轉速度變快而將處理液噴嘴419的處理位置配置於徑方向RD中之靠內側處。換言之，在旋轉速度-處理位置對應表507中，考量處理液在著液位置45中於內側膨脹來規定處理旋轉速度與處理液噴嘴419的處理位置之間的關係。
旋轉速度-處理位置對應表507係針對每個處理液的液體種類(或者膜種類)準備，於資訊記憶部455記憶有彼此不同的液體種類(或者膜種類)用的複數個旋轉速度-處理位置對應表507。
此外，旋轉速度-處理位置對應表507係針對每個處理寬度(著液位置液體寬度W1)準備，於資訊記憶部455記憶有彼此不同的處理寬度用的複數個旋轉速度-處理位置對應表507。
圖24係用以說明藉由處理單元402所執行之第二基板處理例之流程圖。圖24係用以說明外周部處理步驟(步驟S105、步驟S106)的內容之流程圖。圖25以及圖26係用以示意性地顯示外周部處理步驟(步驟S105、步驟S106)中的處理液噴嘴419的狀態之圖。參照圖1、圖19、圖20以及圖21至圖24說明第二基板處理例。
首先，將未處理的基板W搬入至處理腔室4的內部(圖 24的步驟S101)。具體而言，使正在保持基板W之搬運機器人CR的手部H進入至處理腔室4的內部，藉此在器件形成面朝向上方的狀態下將基板W授受至自轉夾具5。
之後，當吸附支撐基板W的下表面中央部時，藉由自轉夾具5保持基板W(基板保持步驟，圖24的步驟S102)。在本實施形態中，未進行使用了定中心機構之基板W相對於自轉夾具5之中心對準。
基板W被自轉夾具5保持後，控制裝置3係控制自轉馬達18使基板W開始旋轉(圖24的步驟S103)。
接著，控制裝置3係執行各周端徑方向位置計測步驟(圖24的步驟S104)，該各周端徑方向位置計測步驟係計測被自轉夾具5保持的基板W的各周端徑方向位置。由於各周端徑方向位置計測步驟(圖24的步驟S104)係與圖12所示的各周端徑方向位置計測步驟(步驟S4)同等，因此省略詳細的說明。
在各周端徑方向位置計測步驟(步驟S104)結束後，控制裝置3係執行外周部藥液處理步驟(外周部處理步驟，圖24的步驟S105)，該外周部藥液處理步驟係使用藥液處理基板W的外周部41。外周部藥液處理步驟(步驟S105)係在基板W的旋轉處於預定的旋轉速度(約300rpm至約1300rpm的預定的速度)的狀態下執行。此外，控制裝置3係與外周部藥液處理步驟(步驟S105)並行地執行著液位置往復移動步驟，該著液位置往復移動步驟係使基板W的上表面的外周區域42中的藥液的著液位置45追隨伴隨著基 板W的旋轉角度位置之配置位置周端46的徑方向位置變化於徑方向RD往復移動。
一併參照圖24，說明外周部藥液處理步驟(步驟S105)。
在外周部藥液處理步驟(步驟S105)中，控制裝置3的運算單元51係參照記憶於配方記憶部54(參照圖22)的配方，取得外周部藥液處理步驟(步驟S105)中的基板W的旋轉速度(處理旋轉速度)。接著，控制裝置3係控制自轉馬達18將基板W的旋轉速度設定成預定的處理旋轉速度(圖24的步驟S131)。
此外，控制裝置3的運算單元51係參照記憶於配方記憶部54(參照圖22)的配方，取得在外周部藥液處理步驟(步驟S105)中所使用之藥液的種類(處理液的種類)以及外周部藥液處理步驟(步驟S105)中所需的處理寬度。接著，運算單元51係參照記憶於資訊記憶部455的旋轉速度-處理位置對應表507(參照圖22)中之與本次藥液的種類以及/或者本次的處理寬度對應之旋轉速度-處理位置對應表507，決定與經過設定的處理旋轉速度對應之處理液噴嘴419的處理位置(徑方向RD的位置)(圖24的步驟S132)。接著，控制裝置3係將處理液噴嘴419配置於經過決定的處理位置(圖24的步驟S133)。
當基板W的旋轉達至處理旋轉速度時，控制裝置3係一邊關閉清洗液閥423一邊開啟藥液閥421，藉此從處理液噴嘴419的處理液噴出口419a開始噴出藥液(圖24的步 驟S134)。在開始噴出處理液之前的狀態中，流量調整閥501係被調整至預先設定的開度。藉此，如圖20所示，藥液著液至基板W的上表面的外周區域42並形成有藥液的液膜LF。此時的藥液的液膜LF的寬度(著液位置液體寬度W1)係與預先設定的寬度整合。因此，能良好地控制著液位置液體寬度W1。
控制裝置3係開始執行前述著液位置往復移動步驟(步驟S135)。具體而言，控制裝置3係依據各周端徑方向位置記憶部59所記憶的資訊(振幅、週期以及相位(各周端徑方向位置計測步驟(步驟S104)的計測結果))，以著液位置45會以與配置位置周端46的位置變化相同的振幅、相同的週期以及相同的相位移動之方式使處理液噴嘴419往復移動。此外，所謂「使著液位置45往復移動」並非指將基板W作為基準之往復移動，而是指將處於靜止狀態的物體(例如處理腔室4的隔壁13)作為基準之往復移動。
此時，將經過決定的處理液噴嘴419的處理位置作為基準位準使處理液噴嘴419往復移動。亦即，並行地進行著液位置往復移動步驟(圖24的步驟S135)與內周端位置調整步驟(處理液噴嘴419的處理位置的調整所伴隨之處理液的液膜LF的內周端701的位置的控制)。具體而言，控制裝置3的運算單元51係將旋轉速度-處理位置對應表507所規定的處理位置作為基準來修正依據記憶於各周端徑方向位置記憶部59的資訊(振幅、週期以及相位)所算出之噴嘴驅動訊號徑方向的位置資訊，並將修正後的驅動訊號輸 入至噴嘴移動機構424，藉此使處理液噴嘴419往復移動。
如圖25以及圖26所示，配置位置周端46係伴隨著偏心中的基板W的旋轉而在圖25以實線所示的位置與在圖26以實線所示的位置之間移動。此時，能將著液位置45與配置位置周端46之間的徑方向RD的距離保持一定，亦即能將處理液的液膜LF的內周端701的位置與配置位置周端46之間的徑方向RD的距離保持一定。藉此，能不受基板W的偏心狀態影響地將著液位置液體寬度W1保持於與基板W的處理旋轉速度對應之一定的寬度。結果，如圖18所示，能高度地保持基板W的上表面的外周區域42中的處理寬度的均勻性。
當從開始噴出藥液經過預先設定的期間時(在圖24的步驟S136中為是)，控制裝置3係關閉藥液閥421。藉此，停止(結束)從處理液噴嘴419噴出藥液(圖24的步驟S137)。
此外，在外周部藥液處理步驟(步驟S105)中，加熱器11的熱源被開啟，藉由加熱器11加熱基板W的下表面的外周區域43。藉此，提高外周部藥液處理的處理速度。此外，在外周部藥液處理步驟(步驟S105)中，藉由從位於處理位置的氣體噴出噴嘴27噴出的惰性氣體，於基板W的上方形成有從中央部朝外周部41流動的放射狀氣流。藉由該放射狀氣流保護屬於器件形成區域之基板W的上表面中央部。此外，在外周部藥液處理步驟(步驟S105)中，在基板的上表面的外周區域42中從位於設定在與處理液噴 嘴419的處理位置不同的周方向位置之處理位置的上外周部氣體噴嘴31對基板W的上表面的外周區域42的噴吹位置噴吹惰性氣體。能藉由該惰性氣體的噴吹在基板W的周方向的複數個位置控制基板W的上表面的外周區域42中的藥液的處理寬度。此外，在外周部藥液處理步驟(步驟S105)中，從位於處理位置的下外周部氣體噴嘴36對基板W的下表面的外周區域43的噴吹位置噴出惰性氣體。能藉由該惰性氣體的噴吹防止藥液繞入至基板W的下表面。
在外周部藥液處理步驟(步驟S105)結束後，接著，控制裝置3係執行外周部清洗液處理步驟(外周部處理步驟，圖24的步驟S106)，該外周部清洗液處理步驟係使用清洗液處理基板W的外周部41。外周部清洗液處理步驟(步驟S106)係在基板W的旋轉處於預定的旋轉速度(約300rpm至約1300rpm的預定的速度)的狀態下執行。此外，控制裝置3係與外周部清洗液處理步驟(步驟S106)並行地執行著液位置往復移動步驟，該著液位置往復移動步驟係使基板W的上表面的外周區域42中的清洗液的著液位置45追隨伴隨著基板W的旋轉角度位置之配置位置周端46的徑方向位置變化於徑方向往復RD往復移動。一併參照圖24，說明外周部清洗液處理步驟(步驟S106)。
在外周部清洗液處理步驟(步驟S106)中，控制裝置3的運算單元51係參照記憶於配方記憶部54(參照圖22)的配方，取得外周部清洗液處理步驟(步驟S106)中的基板W的旋轉速度(處理旋轉速度)。接著，控制裝置3係控制自轉 馬達18將基板W的旋轉速度設定成預定的處理旋轉速度(步驟S131)。
此外，在外周部清洗液處理步驟(步驟S106)中，藉由從位於處理位置的氣體噴出噴嘴27噴出的惰性氣體，於基板W的上方形成有從中央部朝外周部41流動的放射狀氣流。此外，在外周部清洗液處理步驟(步驟S106)中，從位於處理位置的上外周部氣體噴嘴31對基板W的上表面的外周區域42的噴吹位置噴吹惰性氣體。此外，在外周部清洗液處理步驟(步驟S106)中，從位於處理位置的下外周部氣體噴嘴36對基板W的下表面的外周區域43的噴吹位置噴出惰性氣體。在外周部清洗液處理步驟(步驟S106)中，可將加熱器11的熱源開啟且藉由加熱器11加熱基板W的下表面的外周區域43，亦可不加熱基板W的下表面的外周區域43。
之後，控制裝置3係控制噴嘴移動機構424將處理液噴嘴419返回至自轉夾具5的側方的退避位置。
接著，進行使基板W乾燥之旋乾(圖24的步驟S507)。具體而言，控制裝置3係控制自轉馬達18使基板W加速至比各個處理步驟S102至步驟S106中的旋轉速度還高之乾燥旋轉速度(例如數千rpm)，並使基板W以該乾燥旋轉速度旋轉。藉此，大的離心力施加至基板W上的液體，附著於基板W的外周部的液體係被甩離至基板W的周圍。如此，從基板W的外周部去除液體而使基板W的外周部乾燥。
當從基板W開始高速旋轉經過預定期間時，控制裝置3係藉由控制自轉馬達18而停止自轉夾具5所為之基板W的旋轉。
之後，從處理腔室4內搬出基板W(圖24的步驟S108)。具體而言，控制裝置3係使搬運機器人CR的手部進入至處理腔室4的內部。接著，控制裝置3係使搬運機器人CR的手部保持自轉夾具5上的基板W。之後，控制裝置3係使搬運機器人CR的手部從處理腔室4內退避。藉此，從處理腔室4搬出處理後的基板W。
藉此，依據第二實施形態，處理液的液膜LF的內周端701的位置係依存於基板W的旋轉速度。在外周部處理步驟(步驟S105、步驟S106)中，因應基板W的旋轉速度(處理旋轉速度)調整處理液噴嘴419中之成為基準的處理位置(內周端位置調整步驟的執行)，藉此能將處理液的液膜LF的內周端701的位置調整至與外周部處理步驟(步驟S105、步驟S106)中的基板W的旋轉速度(處理旋轉速度)對應之位置。在此情形中，亦可將著液位置液體寬度W1調整至適合處理旋轉速度之寬度。藉此，能不受基板W的旋轉速度影響而精密地控制基板W的上表面的外周區域42中的處理寬度。
接著，說明第三實施形態。圖27係用以說明第三形態中之記憶於資訊記憶部55之旋轉速度-噴吹流量對應表(第二對應關係規定資訊)607之圖。
於旋轉速度-噴吹流量對應表607規定有外周部處理 步驟(步驟S105、步驟S106)中的基板W的旋轉速度(處理旋轉速度)與從處理液噴嘴419噴出至著液位置45的處理液的噴出流量之間的對應關係，該處理液的噴出流量係與各旋轉速度對應。藉由旋轉速度-噴吹流量對應表607所規定的「處理液的噴出流量」係可為噴出流量，亦可為流量調整閥502的開度。
一般而言，有著液位置液體寬度W1會隨著基板W的旋轉速度變慢而變寬之傾向。另一方面，有隨著朝向著液位置45之處理液的噴出流變成大流量而使著液位置液體寬度W1愈變寬(亦即處理液於內側膨脹)之傾向。因此，只要隨著處理旋轉速度變快而使噴出流量增大，即能將著液位置液體寬度W1保持於期望的寬度。旋轉速度-噴吹流量對應表607係以隨著基板W的旋轉速度變快而增大噴出流量之方式規定處理旋轉速度以及與各處理旋轉速度對應之處理液的噴出流量。換言之，在旋轉速度-噴吹流量對應表607中，考量處理液在著液位置45中於內側膨脹來規定處理旋轉速度與處理液的噴出流量之間的關係。
旋轉速度-噴吹流量對應表607係針對每個處理液的液體種類(或者膜種類)準備，於資訊記憶部455記憶有彼此不同的液體種類(或者膜種類)用的複數個旋轉速度-噴吹流量對應表607。
此外，旋轉速度-噴吹流量對應表607係針對每個處理寬度(著液位置液體寬度W1)準備，於資訊記憶部455記憶有彼此不同的處理寬度用的複數個旋轉速度-噴吹流量 對應表607。
圖28係用以說明第三實施形態的第三基板處理例的外周部處理步驟(步驟S105、步驟S106)的內容之流程圖。第三實施形態的第三基板處理例係在外周部處理步驟(步驟S105、步驟S106)中與第二實施形態的第二基板處理例不同。針對第三基板處理例的外周部處理步驟(步驟S105、步驟S106)，僅說明與第二基板處理例不同的部分。
在外周部藥液處理步驟(步驟S105)中，控制裝置3的運算單元51係參照記憶於配方記憶部54(參照圖22)的配方，取得外周部藥液處理步驟(步驟S105)中的基板W的旋轉速度(處理旋轉速度)。接著，控制裝置3係控制自轉馬達18將基板W的旋轉速度設定成預定的處理旋轉速度(圖28的步驟S140)。此外，控制裝置3係將處理液噴嘴419配置於上表面的處理位置(圖20所示的位置)(圖28的步驟S141)。
此外，控制裝置3的運算單元51係參照記憶於資訊記憶部455的旋轉速度-噴吹流量對應表607(參照圖27)中之與本次藥液的種類以及/或者本次的處理寬度對應之旋轉速度-噴吹流量對應表607，決定與經過設定的處理旋轉速度對應之藥液的噴出流量(處理液噴嘴419的噴出流量)(圖28的步驟S142)。接著，控制裝置3係控制流量調整閥501，以從處理液噴出口419a噴出經過決定的噴出流量的藥液之方式調整流量調整閥501的開度(圖28的步驟S143)。
當基板W的旋轉達至處理旋轉速度時，控制裝置3係 一邊關閉清洗液閥423一邊開啟藥液閥421，藉此從處理液噴嘴419的處理液噴出口419a開始噴出藥液(圖28的步驟S144)。藉此，如圖20所示，藥液著液至基板W的上表面的外周區域42並形成有藥液的液膜LF。此時的藥液的液膜LF的寬度(著液位置液體寬度W1)係與預先設定的寬度整合。因此，能良好地控制著液位置液體寬度W1。
如圖12以及圖13所示，控制裝置3係開始執行著液位置往復移動步驟(圖28的步驟S145)。著液位置往復移動步驟(步驟S145)係與圖24的步驟S135著液位置往復移動步驟同等的步驟。
當從開始噴出藥液經過預先設定的期間時(在圖28的步驟S146中為是)，控制裝置3係關閉藥液閥421。藉此，停止(結束)從處理液噴嘴419噴出藥液(圖28的步驟S147)。
此外，與前述第二實施形態的情形同樣地，在外周部藥液處理步驟(步驟S105)中，進行加熱器11所為之加熱，藉由從氣體噴出噴嘴27所噴出的惰性氣體，於基板W的上方形成有從中央部朝外周部41流動的放射狀氣流，從上外周部氣體噴嘴31對基板W的上表面的外周區域42噴吹惰性氣體，且從下外周部氣體噴嘴36對基板W的下表面的外周區域43的噴吹位置噴出惰性氣體。
在外周部清洗液處理步驟(步驟S106)中，控制裝置3的運算單元51係參照記憶於配方記憶部54(參照圖22)的配方，取得外周部清洗液處理步驟(步驟S106)中的基板W的 旋轉速度(處理旋轉速度)。接著，控制裝置3係控制自轉馬達18將基板W的旋轉速度設定成預定的處理旋轉速度(圖28的步驟S141)。此外，控制裝置3係將處理液噴嘴419配置於處理位置(圖20所示的位置)(圖28的步驟S141)。
此外，控制裝置3的運算單元51係參照記憶於資訊記憶部455的旋轉速度-噴吹流量對應表607(參照圖27)中之與清洗液以及/或者本次的處理寬度對應之旋轉速度-噴吹流量對應表607，決定與經過設定的處理旋轉速度對應之處理液的噴出流量(處理液噴嘴419的噴出流量)(圖28的步驟S142)。接著，控制裝置3係控制流量調整閥502，以從處理液噴出口419a噴出經過決定的噴出流量的清洗液之方式調整流量調整閥502的開度(圖28的步驟S143)。
當基板W的旋轉達至處理旋轉速度時，控制裝置3係一邊關閉藥液閥421一邊開啟清洗液閥423，藉此從處理液噴嘴419的處理液噴出口419a開始噴出清洗液(圖28的步驟S144)。藉此，如圖20所示，清洗液著液至基板W的上表面的外周區域42並形成有清洗液的液膜LF。此時的清洗液的液膜LF的寬度(著液位置液體寬度W1)係與預先設定的寬度整合。因此，能良好地控制著液位置液體寬度W1。
如圖12以及圖13所示，控制裝置3係開始執行著液位置往復移動步驟(圖28的步驟S145)。著液位置往復移動步驟(圖28的步驟S145)係與圖24的步驟S135著液位置往復移動步驟同等的步驟。
當從開始噴出清洗液經過預先設定的期間時(在圖28的步驟S146中為是)，控制裝置3係關閉清洗液閥423。藉此，停止(結束)從處理液噴嘴419噴出清洗液(圖28的步驟S147)。
此外，在外周部清洗液處理步驟(步驟S106)中，藉由從氣體噴出噴嘴27所噴出的惰性氣體，於基板W的上方形成有從中央部朝外周部41流動的放射狀氣流，從上外周部氣體噴嘴31對基板W的上表面的外周區域42噴吹惰性氣體，且從下外周部氣體噴嘴36對基板W的下表面的外周區域43的噴吹位置噴出惰性氣體。加熱器11所為之基板W的下表面的外周區域43的加熱係可進行亦可不進行。
藉由上述，依據第三實施形態，因應基板W的處理旋轉速度調整從處理液噴嘴419所噴出的處理液的噴出流量，藉此能將處理液的液膜LF的內周端701的位置調整至與外周部處理步驟(步驟S105、步驟S106)中的處理旋轉速度對應之位置。亦可藉由調整處理液的液膜LF的內周端701的位置而將著液位置液體寬度W1調整至適合處理旋轉速度之寬度。因此，不論基板W的旋轉速度為何，皆能精密地控制著液位置液體寬度W1。藉此，能不受基板W的旋轉速度影響而精密地控制基板W的上表面的外周區域42中的處理寬度。
圖29以及圖30係用以示意性地顯示第三實施形態的第四基板處理例的外周部處理步驟(步驟S105、步驟S106) 中的處理液噴嘴419的狀態之圖。
本第四基板處理例與前述第三基板處理例的差異點在於：在外周部處理步驟(步驟S105、步驟S106)中，不進行著液位置往復移動步驟(處理液噴嘴419的往復移動)，而是使來自處理液噴嘴419的處理液的噴出流量變化，藉此使處理液的液膜LF的內周端701追隨配置位置周端46的位置變化往復移動。配置位置周端46係伴隨著偏心中的基板W的旋轉而在圖29以實線所示的位置(圖30以虛線所示的位置)與在圖30以實線所示的位置之間移動。在此情形中，控制裝置3係依據記憶於各周端徑方向位置記憶部59(參照圖21)的資訊(振幅、週期以及相位(各周端徑方向位置計測步驟(步驟S104)的計測結果))，以處理液的液膜LF的內周端701會以與配置位置周端46的位置變化相同的振幅、相同的週期以及相同的相位移動之方式控制流量調整閥501、502，並調整從處理液噴嘴419的處理液噴出口419a所噴出的處理液的流量。藉此，無須使處理液噴嘴419移動即能將處理液的液膜LF的內周端701與配置位置周端46之間的距離保持一定。結果，能不受基板W的偏心狀態影響而高度地保持基板W的上表面的外周區域42中的處理寬度的均勻性。因此，能將處理液的液膜LF的內周端701與配置位置周端46之間的具例保持一定。
此外，在第四基板處理例中，不進行著液位置往復移動步驟(處理液噴嘴419的往復移動)，而是使處理液的液膜LF的內周端701追隨配置位置周端46的位置變化往復 移動。因此，無須使處理液噴嘴419移動。從而，亦能謀求用以使處理液噴嘴419移動之驅動構成簡單化。
圖31係用以說明本發明第四實施形態的基板處理裝置801的處理單元802的構成例之示意圖。在第二實施形態中，針對與前述第一實施形態(圖1至圖18的實施形態)各部分共通之構成附上相同的元件符號，並省略說明。
處理單元802係用以使用處理液處理(頂側處理)基板W的外周部41(參照圖32等)之單元，更具體而言，處理單元802係用以使用處理液處理(頂側處理)基板W的上表面(主面)的外周區域42(參照圖32等)以及基板W的周端面44(參照圖32等)之單元。
處理單元802係包含有：處理腔室4；自轉夾具(基板保持單元)5；處理液供給單元806，係用以將處理液(藥液以及清洗液)供給至被自轉夾具5保持的基板W的上表面的外周區域42；氣體噴吹單元807，係從基板W的旋轉半徑方向(以下稱為徑方向RD)的內側朝外側對已從處理液供給單元806著液至外周區域42的處理液噴吹作為氣體的一例之惰性氣體；第一惰性氣體供給單元8；第二惰性氣體供給單元9；第三惰性氣體供給單元10；加熱器11；以及處理罩12。
處理液供給單元806係包含有：處理液噴嘴819；藥液配管820，係連接至處理液噴嘴819；藥液閥821，係夾設於藥液配管820；清洗液配管822，係連接至處理液噴嘴819；清洗液閥823，係夾設於清洗液配管822；以及噴嘴 移動機構824，係用以使處理液噴嘴819移動。處理液噴嘴819係例如為以連續流動的狀態噴出液體之直式噴嘴。藥液配管820被供給有來自藥液供給源的藥液。清洗液配管822被供給有來自清洗液供給源的清洗液。當在關閉清洗液閥823的狀態下開啟藥液閥821時，從設定於處理液噴嘴819的下端之處理液噴出口819a(參照圖32)噴出從藥液配管820供給至處理液噴嘴819的連續流動的藥液。此外，當在關閉藥液閥821的狀態下開啟清洗液閥823時，從處理液噴出口819a噴出從清洗液配管822供給至處理液噴嘴819的連續流動的清洗液。噴嘴移動機構824係俯視觀看時沿著通過基板W的上表面(例如上表面中央部)之軌跡使處理液噴嘴819水平地移動。噴嘴移動機構824係使處理液噴嘴819在處理位置與退避位置之間移動，該處理位置係從處理液噴嘴819噴出的處理液(藥液以及清洗液)被供給至基板W的上表面的外周區域42之位置，該退避位置係俯視觀看時處理液噴嘴819已退避至自轉夾具5的側方之位置。此外，噴嘴移動機構824係以來自處理液噴嘴819的處理液的著液位置45(參照圖32)在基板W的上表面的外周區域42中於徑方向RD移動之方式使處理液噴嘴819移動。
藥液係例如為用以蝕刻基板W或者洗淨基板W之液體。藥液亦可為包含有氫氟酸、硫酸、醋酸、硝酸、鹽酸、緩衝氫氟酸(BHF)、稀釋氫氟酸(DHF)、氨水、過氧化氫水、有機酸(例如檸檬酸、草酸等)、有機鹼(例如TMAH等)、有 機溶劑(例如IPA等)、界面活性劑、防腐蝕劑中的至少一者之液體。清洗液係例如為去離子水(DIW)，但並未限定於DIW，亦可為碳酸水、電解離子水、氫水、臭氧水以及稀釋濃度(例如10ppm至100ppm左右)的鹽酸水中的任一者。
氣體噴吹單元807係包含有：氣體噴嘴901；氣體配管902，係連接至氣體噴嘴901；氣體閥903以及流量調整閥(噴吹流量調整單元)904，係夾設於氣體配管902；以及噴嘴移動機構905，係用以使氣體噴嘴901移動。雖然未圖示，但流量調整閥904係包含有：閥本體，係內部設置有閥座；閥體，係用以將閥座開閉；以及致動器，係用以使閥體在開位置與閉位置之間移動。氣體配管902係被供給有來自惰性氣體供給源的惰性氣體。當氣體閥903開啟時，從設定於氣體噴嘴901的下端之氣體噴出口901a(參照圖32)噴出已從氣體配管902供給至氣體噴嘴901的惰性氣體。從氣體噴出口901a噴出的氣體(惰性氣體)係從徑方向RD的內側朝外側噴吹至已從處理液供給單元806著液至外周區域42的處理液。噴嘴移動機構905係使氣體噴嘴901在處理位置與退避位置之間移動，該處理位置係從氣體噴嘴901噴出的氣體被供給至基板W的上表面的外周區域42之位置，該退避位置係俯視觀看時氣體噴嘴901已退避至自轉夾具5的側方之位置。作為氣體的惰性氣體係例如為氮氣，但並未限定於氮氣，亦可為空氣、氦氣或者氬氣等其他惰性氣體。
噴嘴移動機構905係俯視觀看時沿著通過基板的上表 面(例如上表面中央部)之軌跡使氣體噴嘴901水平地移動。噴嘴移動機構905係使氣體噴嘴901在處理位置與退避位置之間移動，該處理位置係從氣體噴嘴901噴出的處理液(藥液以及清洗液)被供給至基板W的上表面的外周區域42之位置，該退避位置係俯視觀看時氣體噴嘴901已退避至自轉夾具5的側方之位置。此外，噴嘴移動機構905係以來自氣體噴嘴901的氣體的噴吹區域906在基板W的上表面的外周區域42中於徑方向RD移動之方式使氣體噴嘴901移動。
此外，處理單元802係包含有：徑方向位置感測器(各周端位置計測單元)45，係用以檢測被自轉夾具5保持之基板W的周端的徑方向RD的位置(以下簡稱為「徑方向位置」)。
圖32係用以顯示分別正從配置於處理位置的處理液噴嘴819以及氣體噴嘴901噴出處理液以及氣體的狀態之剖視圖。圖33係用以顯示在參考例中正從處理液噴嘴819噴出處理液的狀態之剖視圖。與圖32的差異點在於圖33係未將氣體噴嘴901配置於處理位置(亦即未設置氣體噴嘴901)。
基板W係在器件形成面朝向上方的狀態下被自轉夾具5(參照圖31)保持。當在處理液噴嘴819已配置於與基板W的上表面的外周區域42對向的處理位置之狀態下選擇性地開啟藥液閥821(參照圖31)以及清洗液閥823(參照圖31)時，處理液噴嘴819係從徑方向RD的內側朝外側斜下 方地對基板W的上表面的外周區域42的著液位置(以下簡稱為「著液位置45」)噴出處理液(藥液或清洗液)。從徑方向RD的內側朝著液位置45噴出處理液。
基板W的上表面(器件形成面)係除了外周區域42之外皆為形成有半導體器件之器件形成區域。由於處理液噴嘴819從徑方向RD的內側朝斜下方噴出處理液，因此能某程度抑制處理液朝屬於器件形成區域之基板W的上表面中央部飛濺。此時，來自處理液噴出口819a的處理液的噴出方向為沿著徑方向RD之方向，且為以預定角度射入至基板W的上表面之方向。射入角度θ 1係例如約30°至約80°，較佳為約45°。
如圖32以及圖33所示，已著液至著液位置45的處理液係在著液位置45的周圍中形成處理液的液膜LF，並相對於著液位置45朝基板W的旋轉方向R及徑方向RD的外側流動。因此，於基板W的上表面的外周區域42環狀地保持有處理液。此時的處理液的液膜LF的寬度W1(以下稱為「著液位置液體寬度W11」，為著液位置45中的處理液的寬度)係成為處理寬度。
如圖32所示，氣體噴嘴901係配置於與基板W的上表面的外周區域42對向之處理位置。此時，來自氣體噴嘴901的氣體噴出口901a的氣體的噴出方向為沿著徑方向RD之方向，且為以預定角度射入至基板W的上表面之方向。射入角度θ 2係例如約20°至約80°，較佳為約45°。
在此狀態下，當開啟氣體閥903(參照圖31)時，氣體 噴嘴901係針對著液位置45從徑方向RD的內側朝外側斜下方地對位於徑方向RD的內側之噴吹區域906噴出氣體。從氣體噴嘴901的氣體噴出口901a噴出的氣體係在被噴吹至噴吹區域906後，沿著基板W的上表面朝徑方向RD的外側流動，並碰撞(噴吹)至處理液的液膜LF。如圖32所示，從竟方向RD的內側對處理液的液膜LF噴吹氣體，藉此能精度佳地控制處理液的液膜LF的內周端1101的位置。
在如圖33所示般不進行氣體的噴吹之情形中，由於無法精度佳地控制處理液的液膜LF的內周端1101的位置且無法將著液位置液體寬度W11設定成較細，因此難以將處理寬度設定在約1mm以下。相對於此，如圖32所示，在本實施形態中，由於能精度佳地控制處理液的液膜LF的內周端1101的位置，因此亦可將著液位置液體寬度W11調整成細寬度。具體而言，進行此種氣體的噴吹，藉此能將處理寬度調整成微距毫米(comma milli)。
此外，由於從逕方向RD的內側對處理液的液膜LF(已著液至著液位置45的處理液)噴吹氣體，因此能抑制已著液至著液位置45的處理液朝徑方向RD的內側飛散。藉此，能更有效地抑制處理液進入至器件形成區域。
此外，著液位置液體寬度W1(液膜LF的寬度)的寬窄(亦即處理液的液膜LF的內周端1101的位置)係依存於處理旋轉速度(處理時的基板W的旋轉速度)。當處理旋轉速度快時，由於基板W的旋轉所致使之離心力增大，因此著液位置液體寬度W11變窄。另一方面，當處理旋轉速度慢 時，由於基板W的旋轉所致使之離心力減少，因此著液位置液體寬度W11變寬。
圖34係顯示配置於處理位置的狀態中之氣體噴嘴901的俯視圖。在圖34中，省略處理液噴嘴819的圖示。俯視觀看時，於氣體噴嘴901的下表面形成有圓弧隙縫狀的氣體噴出口901a。氣體噴出口901a係於基板W的周方向具有預定的寬度W2。在氣體噴嘴901配置於處理位置的狀態下，從氣體噴出口901a噴出的氣體係噴吹至基板W的上表面，並形成沿著基板W的外周區域42之帶狀(在本實施形態中為圓弧狀)。在基板W的旋轉速度慢之情形中，由於作用於基板W的上表面的外周區域42之離心力小，因此有在已著液至著液位置45(參照圖32)的處理液朝旋轉方向R流動之過程中朝內側擴展之虞。然而，在本實施形態中，由於噴吹區域906作成沿著基板W的外周區域42之帶狀(圓弧狀)，因此能更有效地抑制處理液朝基板W的內側擴展。
在第四實施形態的處理單元802中，亦是藉由自轉夾具5支撐基板W的中央部而非是支撐基板W的外周部41。因此，有在自轉夾具5所為之基板W的保持狀態下產生偏心之虞(參照圖4以及圖5)，在此情形中，會產生配置位置周端46相對於旋轉軸線A1之徑方向位置伴隨著基板W的旋轉角度位置變化之問題。結果，如圖6所示，會有基板W的上表面的外周區域42的處理寬度在周方向各位置產生偏差之虞。
圖35係用以說明基板處理裝置801的主要部分的電性構成之方塊圖。
控制裝置3的記憶單元52係由可電性地覆寫資料之非揮發性記憶體所構成。記憶單元52係包含有：配方記憶部54，係記憶有配方，該配方係規定針對基板W之各個處理的內容；各周端徑方向位置記憶部59，係記憶與被自轉夾具5保持的基板W的周方向的各周端位置中之相對於旋轉軸線A1為徑方向RD的位置(以下稱為「各周端徑方向位置」)有關的位置資訊；以及資訊記憶部855，係記憶旋轉速度-噴吹區域位置對應表907(第三對應關係規定資訊，參照圖36)，該旋轉速度-噴吹區域位置對應表907係規定基板W的旋轉速度與氣體的噴吹區域906(圖32等)的位置之間的對應關係。
於控制裝置3連接有作為控制對象之自轉馬達18、噴嘴移動機構824、905、30、34、加熱器11的加熱源、藥液閥821、清洗液閥823、氣體閥903、第一氣體閥29、第二氣體閥33、第三氣體閥38以及流量調整閥904等。控制裝置3係控制自轉馬達18、噴嘴移動機構824、905、30、34以及加熱器11的動作。此外，控制裝置3係將閥(821、823、903、29、33、38)等予以開閉。此外，控制裝置3係調整流量調整閥904的開度。
此外，於控制裝置3被輸入有徑方向位置感測器47的檢測輸出。
圖36係用以說明記憶於資訊記憶部855之旋轉速度- 噴吹區域位置對應表907之圖。
於旋轉速度-噴吹區域位置對應表907規定有基板W的旋轉速度(處理旋轉速度)與噴吹區域906(參照圖32)的徑方向RD之間的對應關係，該噴吹區域906的徑方向RD的位置係與各旋轉速度對應。藉由旋轉速度-噴吹區域位置對應表907所規定之「噴吹區域906的位置」係可為氣體噴嘴901的處理位置的徑方向RD的位置資訊，亦可為馬達的驅動值且為與該氣體噴嘴901的處理位置對應之驅動值，該馬達的驅動值係構成用以驅動氣體噴嘴901之噴嘴移動機構905。
一般而言，有著液位置液體寬度W11會隨著基板W的旋轉速度變慢而變寬之傾向。此外，隨著相對於各旋轉速度之氣體噴嘴901的處理位置(成為基準之處理位置)的徑方向RD的位置愈朝徑方向RD的外側而使用以將處理液的液膜LF的內周端1101朝徑方向RD的外側按壓之力量增大。旋轉速度-噴吹區域位置對應表907係以下述方式被規定：為了阻止著液位置液體寬度W11變寬而以隨著基板W的旋轉速度變慢將用以將處理液的液膜LF的內周端1101朝徑方向RD的外側按壓之力量增大之方式被規定，亦即以隨著基板W的旋轉速度變慢使噴吹區域906於徑方向RD的外側移動之方式被規定。
圖37係用以說明處理單元802所執行的第五基板處理例之流程圖。圖38係用以說明外周部處理步驟(步驟S205、步驟S206)的內容之流程圖。圖39以及圖40係用以說明外 周部處理步驟(步驟S205、步驟S206)的內容之示意圖。圖41以及圖42係用以說明外周部處理步驟(步驟S205、步驟S206)中的處理液噴嘴819以及氣體噴嘴901的狀態之圖。
參照圖1、圖31、圖32、圖33以及圖35至圖37說明該第五基板處理例。
首先，將未處理的基板W搬入至處理腔室4的內部(圖37的步驟S201)。具體而言，使正在保持基板W之搬運機器人CR的手部H進入至處理腔室4的內部，藉此在器件形成面朝向上方的狀態下將基板W授受至自轉夾具5。
之後，當吸附支撐基板W的下表面中央部時，藉由自轉夾具5保持基板W(基板保持步驟，圖37的步驟S202)。在本實施形態中，未進行使用了定中心機構之基板W相對於自轉夾具5之中心對準。
基板W被自轉夾具5保持後，控制裝置3係控制自轉馬達18使基板W開始旋轉(圖37的步驟S203)。
接著，控制裝置3係執行各周端徑方向位置計測步驟(圖37的步驟S204)，該各周端徑方向位置計測步驟係計測被自轉夾具5保持的基板W的各周端徑方向位置。由於各周端徑方向位置計測步驟(圖37的步驟S204)係與圖12所示的各周端徑方向位置計測步驟(步驟S4)同等，因此省略詳細的說明。
在各周端徑方向位置計測步驟(步驟S204)結束後，接著，控制裝置3係執行外周部藥液處理步驟(外周部處理步驟，圖37的步驟S205)，該外周部藥液處理步驟係使用藥 液處理基板W的外周部41。外周部藥液處理步驟(步驟S205)係在基板W的旋轉處於預定的旋轉速度(約300rpm至約1300rpm的預定的速度)的狀態下執行。此外，控制裝置3係與外周部藥液處理步驟(步驟S205)並行地執行著液位置往復移動步驟，該著液位置往復移動步驟係使基板W的上表面的外周區域42中的藥液的著液位置45追隨伴隨著基板W的旋轉角度位置之配置位置周端46的徑方向位置變化於徑方向RD往復移動。此外，控制裝置3係與外周部藥液處理步驟(步驟S205)並行地執行噴吹區域往復移動步驟，該噴吹區域往復移動步驟係使噴吹區域906隨同藥液的著液位置45的徑方向RD的移動而往復移動。此外，在本說明書中，所謂「使著液位置45往復移動」以及「使噴吹區域906往復移動」係指將處於靜止狀態的物體作為基準之往復移動而非是將基板W作為基準之往復移動。
一併參照圖38，說明外周部藥液處理步驟(步驟S205)。
在外周部藥液處理步驟(步驟S205)中，控制裝置3係控制自轉馬達18將基板W的旋轉速度設定成預定的處理旋轉速度(亦即外周部藥液處理步驟(步驟S205)中的基板W的旋轉速度)(圖38的步驟S230)。此外，在處理液噴嘴819位於退避位置之情形中，控制裝置3係控制噴嘴移動機構824將處理液噴嘴819配置於上表面的處理位置(圖32所示的位置)(圖38的步驟S231)。
此外，控制裝置3的運算單元51係參照記憶於資訊記 憶部855的旋轉速度-噴吹區域位置對應表907(參照圖36)，決定與該處理旋轉速度對應之氣體噴嘴901的處理位置(徑方向RD的位置)(圖38的步驟S232)。接著，控制裝置3係將氣體噴嘴901配置於經過決定的處理位置(徑方向RD的位置)(圖38的步驟S233)。
當基板W的旋轉達至處理旋轉速度時，控制裝置3係一邊關閉清洗液閥823一邊開啟藥液閥821，藉此從處理液噴嘴819的處理液噴出口819a開始噴出藥液(圖38的步驟S234)。此外，控制裝置3係開啟氣體閥903，藉此從氣體噴嘴901的氣體噴出口901a開始噴出氣體(圖38的步驟S234)。在開始噴出氣體之前的狀態中，流量調整閥904係被調整至預先設定的開度。藉此，如圖32所示，藥液著液至基板W的上表面的外周區域42並形成有藥液的液膜LF，且從徑方向RD的內側對藥液的液膜LF噴吹氣體。藉此，能良好地控制著液位置液體寬度W1。
此外，從氣體噴嘴901開始噴出氣體亦可在從處理液噴嘴819開始噴出藥液之前先開始。
如圖39以及圖40所示，控制裝置3係執行前述著液位置往復移動步驟(圖38的步驟S235)。具體而言，控制裝置3係依據各周端徑方向位置記憶部59所記憶的資訊(振幅、週期以及相位(各周端徑方向位置計測步驟(步驟S204)的計測結果))，以著液位置45會以與配置位置周端46的位置變化相同的振幅、相同的週期以及相同的相位移動之方式使處理液噴嘴819往復移動。
再者，控制裝置3係與著液位置往復移動步驟並行地執行噴吹區域往復移動步驟(步驟S235)。如圖41以及圖42所示，配置位置周端46係伴隨著偏心中的基板W的旋轉而在圖41中以實線所示的位置(圖42中以虛線所示的位置)與圖42中以實線所示的位置之間移動。控制裝置3係一邊將著液位置45與噴吹區域906之間的徑方向RD的距離保持一定，一邊使氣體噴嘴901與處理液噴嘴819的移動同步並使氣體噴嘴901往復移動。藉此，能不受著液位置45的往復移動影響地將著液位置液體寬度W11保持成與基板W的旋轉速度對應之一定的寬度。結果，如圖18所示，能高度地保持基板W的上表面的外周區域42中的處理寬度的均勻性。
當從開始噴出藥液經過預先設定的期間時(在圖38的步驟S236中為是)，控制裝置3係分別關閉藥液閥821以及氣體閥903。藉此，停止(結束)從處理液噴嘴819噴出藥液且停止(結束)從氣體噴嘴901噴出氣體(圖38的步驟S237)。
此外，在外周部藥液處理步驟(步驟S205)中，加熱器11的熱源被開啟，藉由加熱器11加熱基板W的下表面的外周區域43。藉此，提高外周部藥液處理的處理速度。此外，在外周部藥液處理步驟(步驟S205)中，藉由從位於處理位置的氣體噴出噴嘴27噴出的惰性氣體，於基板W的上方形成有從中央部朝外周部41流動的放射狀氣流。藉由該放射狀氣流保護屬於器件形成區域之基板W的上表面 中央部。此外，在外周部藥液處理步驟(步驟S205)中，在基板的上表面的外周區域42中從位於設定在與氣體噴嘴901的處理位置不同的周方向位置之處理位置的上外周部氣體噴嘴31對基板W的上表面的外周區域42的噴吹位置噴吹惰性氣體。能藉由該惰性氣體的噴吹在基板W的周方向的複數個位置控制基板W的上表面的外周區域42中的藥液的處理寬度。此外，在外周部藥液處理步驟(步驟S205)中，從位於處理位置的下外周部氣體噴嘴36對基板W的下表面的外周區域43的噴吹位置噴出惰性氣體。能藉由該惰性氣體的噴吹防止藥液繞入至基板W的下表面。
在外周部藥液處理步驟(步驟S205)結束後，接著，控制裝置3係執行外周部清洗液處理步驟(外周部處理步驟，圖37的步驟S206)，該外周部清洗液處理步驟係使用清洗液處理基板W的外周部41。外周部清洗液處理步驟(步驟S206)係在基板W的旋轉處於預定的旋轉速度(約300rpm至約1300rpm的預定的速度)的狀態下執行。此外，控制裝置3係與外周部清洗液處理步驟(步驟S206)並行地執行著液位置往復移動步驟，該著液位置往復移動步驟係使基板W的上表面的外周區域42中的清洗液的著液位置45追隨伴隨著基板W的旋轉角度位置之配置位置周端46的徑方向位置變化於徑方向往復RD往復移動。一併參照圖39，說明外周部清洗液處理步驟(步驟S206)。
在外周部清洗液處理步驟(步驟S206)中，控制裝置3係控制自轉馬達18將基板W的旋轉速度設定成預定的處 理旋轉速度(亦即外周部清洗液處理步驟(步驟S206)中的基板W的旋轉速度)(步驟S230)。此外，在處理液噴嘴819處於退避位置之情形中，控制裝置3係控制噴嘴移動機構824將處理液噴嘴819配置於上表面的處理位置(圖32所示的位置)(步驟S231)。
此外，控制裝置3的運算單元51係參照記憶於資訊記憶部855的旋轉速度-噴吹區域位置對應表907(參照圖36)，決定與該處理旋轉速度對應之氣體噴嘴901的處理位置(徑方向RD的位置)(步驟S232)。接著，控制裝置3係將氣體噴嘴901配置於經過決定的處理位置(徑方向RD的位置)(步驟S233)。
當基板W的旋轉達至處理旋轉速度時，控制裝置3係一邊關閉藥液閥821一邊開啟清洗液閥823，藉此從處理液噴嘴819的處理液噴出口819a開始噴出清洗液(步驟S234)。此外，控制裝置3係開啟氣體閥903，藉此從氣體噴嘴901的氣體噴出口901a開始噴出氣體(步驟S234)。藉此，如圖32所示，清洗液著液至基板W的上表面的外周區域42並形成有清洗液的液膜LF，且從徑方向RD的內側對藥液的液膜LF噴吹氣體。藉此，能良好地控制著液位置液體寬度W1。
如圖39以及圖40所示，控制裝置3係執行前述著液位置往復移動步驟(步驟S233)。此外，如圖41以及圖42所示，控制裝置3係與著液位置往復移動步驟並行地執行噴吹區域往復移動步驟(步驟S233)。由於著液位置往復移 動步驟以及噴吹區域往復移動步驟已在外周部藥液處理步驟(步驟S205)中說明完畢，因此省略該說明。
當從開始噴出清洗液經過預先設定的期間時(在步驟S236中為是)，控制裝置3係關閉清洗液閥823並關閉氣體閥903。藉此，停止(結束)從處理液噴嘴819噴出清洗液且停止(結束)從氣體噴嘴901噴出氣體(步驟S237)。
此外，在外周部清洗液處理步驟(步驟S206)中，藉由從位於處理位置的氣體噴出噴嘴27噴出的惰性氣體，於基板W的上方形成有從中央部朝外周部41流動的放射狀氣流。此外，在外周部清洗液處理步驟(步驟S206)中，從位於處理位置的上外周部氣體噴嘴31對基板W的上表面的外周區域42的噴吹位置噴吹惰性氣體。此外，在外周部清洗液處理步驟(步驟S206)中，從位於處理位置的下外周部氣體噴嘴36對基板W的下表面的外周區域43的噴吹位置噴出惰性氣體。在外周部清洗液處理步驟(步驟S206)中，可將加熱器11的熱源開啟且藉由加熱器11加熱基板W的下表面的外周區域43，亦可不加熱基板W的下表面的外周區域43。
之後，控制裝置3係控制噴嘴移動機構824將處理液噴嘴819返回至自轉夾具5的側方的退避位置。
接著，進行使基板W乾燥之旋乾(圖37的步驟S207)。具體而言，控制裝置3係控制自轉馬達18使基板W加速至比各個處理步驟S202至步驟S206中的旋轉速度還高之乾燥旋轉速度(例如數千rpm)，並使基板W以該乾燥旋轉 速度旋轉。藉此，大的離心力施加至基板W上的液體，附著於基板W的外周部的液體係被甩離至基板W的周圍。如此，從基板W的外周部去除液體而使基板W的外周部乾燥。
當從基板W開始高速旋轉經過預定期間時，控制裝置3係藉由控制自轉馬達18而停止自轉夾具5所為之基板W的旋轉。
之後，從處理腔室4內搬出基板W(圖37的步驟S208)。具體而言，控制裝置3係使搬運機器人CR的手部進入至處理腔室4的內部。接著，控制裝置3係使搬運機器人CR的手部保持自轉夾具5上的基板W。之後，控制裝置3係使搬運機器人CR的手部從處理腔室4內退避。藉此，從處理腔室4搬出處理後的基板W。
藉此，依據第四實施形態，從基板W的徑方向RD的內側朝已著液至基板W的上表面的外周區域42的著液位置45之處理液噴吹氣體。處理液的液膜LF的內周端1101的位置係依存於基板W的旋轉速度。因應基板W的處理旋轉速度調整基板W中之氣體的噴吹區域906的位置(內周端位置調整步驟的執行)，藉此能將處理液的液膜LF的內周端1101的位置調整至與外周部處理步驟(步驟S205、步驟S206)中的處理旋轉速度對應之位置。並且，藉由調整處理液的液膜LF的內周端1101的位置，亦能將著液位置液體寬度W11調整至適合處理旋轉速度之寬度。因此，不論基板W的旋轉速度為何皆能精密地控制著液位置液體 寬度W11。藉此，能不受基板W的旋轉速度影響而能精密地控制基板W的上表面的外周區域42中的處理寬度。
此外，變更噴吹區域906的徑方向RD的位置，藉此將處理液的液膜LF的內周端1101的位置調整至與處理旋轉速度對應之位置。噴吹區域906的徑方向RD的位置係直接性地作用至處理液的液膜LF的內周端1101的位置，並對該處理液的液膜LF的內周端1101的位置造成大的影響。因此，能藉由變更氣體的噴吹區域的位置而使處理液的液膜LF的內周端1101的位置更有效果地變更。藉此，能更精密地控制著液位置液體寬度W11。
圖43以及圖44係示意性地顯示第四實施形態的第六基板處理例的外周部處理步驟(步驟S205、步驟S206)中的處理液噴嘴819以及氣體噴嘴901的狀態之圖。
本第六基板處理例與前述第五基板處理例的差異點在於：在外周部處理步驟(步驟S205、步驟S206)中，不進行著液位置往復移動步驟(處理液噴嘴819的往復移動)，而是藉由噴吹區域往復移動步驟使處理液的液膜LF的內周端1101追隨配置位置周端46的位置變化往復移動。配置位置周端46係伴隨著偏心中的基板W的旋轉而在圖43以實線所示的位置(圖44以虛線所示的位置)與在圖44以實線所示的位置之間移動。在此情形中，控制裝置3係依據記憶於各周端徑方向位置記憶部59(參照圖35)的資訊(振幅、週期以及相位(各周端徑方向位置計測步驟(步驟S204)的計測結果))，以處理液的液膜LF的內周端1101會以與 配置位置周端46的位置變化相同的振幅、相同的週期以及相同的相位移動之方式使氣體噴嘴901往復移動。藉此，無須使處理液噴嘴819移動即能將處理液的液膜LF的內周端1101與配置位置周端46之間的距離保持一定。結果，能不受基板W的偏心狀態影響而高度地保持基板W的上表面的外周區域42中的處理寬度的均勻性。
接著，說明第五實施形態。圖45係用以說明記憶於第五實施形態的資訊記憶部855之旋轉速度-噴吹流量對應表(第四對應關係規定資訊)1007之圖。
於旋轉速度-噴吹流量對應1007規定有基板W的旋轉速度(處理旋轉速度)與從氣體噴嘴901噴吹至噴吹區域906之氣體的噴吹流量之間的對應關係，該氣體的噴吹流量係與各旋轉速度對應。藉由旋轉速度-噴吹流量對應1007所規定之「氣體的噴吹流量」係可為噴吹流量，亦可為與該噴吹流量對應之流量調整閥904的開度。
一般而言，有隨著基板W的旋轉速度變慢則著液位置液體寬度W11變寬之傾向。此外，隨著噴吹至噴吹區域906的氣體的噴吹流量變多量，處理液的液膜LF的內周端1101係朝徑方向RD的外側被推壓。旋轉速度-噴吹流量對應1007係以下述方式被規定：為了阻止著液位置液體寬度W11變寬而以隨著基板W的旋轉速度變慢將用以將處理液的液膜LF的內周端1101朝徑方向RD的外側按壓之力量增大之方式被規定，亦即以隨著基板W的旋轉速度變慢使氣體的噴吹流量增大之方式被規定。
圖46係用以說明第五實施形態的第七基板處理例的外周部處理步驟(步驟S205、步驟S206)的內容之流程圖。第五實施形態的第七基板處理例係在外周部藥液處理步驟(步驟S205)中與第四實施形態的第五基板處理例不同。參照圖31、圖35以及圖46說明第七基板處理例的外周部藥液處理步驟(步驟S205)。省略針對第七基板處理例的外周部清洗液處理步驟(步驟S206)。
在外周部藥液處理步驟(步驟S205)中，控制裝置3係將基板W的旋轉速度設定至處理旋轉速度(步驟S240)。此外，在處理液噴嘴819處於退避位置之情形中，控制裝置3係將處理液噴嘴819配置於上表面的處理位置(圖32所示的位置)(步驟S231)。步驟S240以及步驟S241係分別相當於圖38的步驟S230以及步驟S231。此外，控制裝置3係將氣體噴嘴901配置於預先設定的處理位置。
此外，控制裝置3的運算單元51係參照記憶於資訊記憶部855的旋轉速度-噴吹流量對應表1007(參照圖45)，決定與該處理旋轉速度對應之氣體的噴吹流量(來自氣體噴嘴901的噴出流量)(步驟S242)。接著，控制裝置3係控制流量調整閥904，以從氣體噴出口901a噴出經過決定的噴吹流量之方式調整流量調整閥904的開度(步驟S243)。
當基板W的旋轉達至處理旋轉速度時，控制裝置3係一邊關閉清洗液閥823一邊開啟藥液閥821，藉此從處理液噴嘴819的處理液噴出口819a開始噴出藥液(步驟S244)。此外，控制裝置3係開啟氣體閥903，藉此從氣體噴嘴901 的氣體噴出口901a開始噴出氣體(步驟S244)。藉此，如圖32所示，藥液著液至基板W的上表面的外周區域42並形成有藥液的液膜LF，且從徑方向RD的內側對藥液的液膜LF噴吹氣體。藉此，能良好地控制著液位置液體寬度W1。
如圖39以及圖40所示，控制裝置3係執行著液位置往復移動步驟(步驟S245)。著液位置往復移動步驟(步驟S245)係與圖38的步驟S235的著液位置往復移動步驟同等的步驟。再者，控制裝置3係與著液位置往復移動步驟並行地執行噴吹區域往復移動步驟(步驟S245)。噴吹區域往復移動步驟(步驟S245)亦為與圖38的步驟S235的噴吹區域往復移動步驟同等的步驟。
當從開始噴出藥液經過預先設定的期間時(在步驟S246中為是)，控制裝置3係分別關閉藥液閥821以及氣體閥903。藉此，停止(結束)從處理液噴嘴819噴出藥液且停止(結束)從氣體噴嘴901噴出氣體(步驟S247)。
藉此，依據第五實施形態，因應基板W的處理旋轉速度調整噴吹至噴吹區域906的氣體的噴吹流量，藉此能將處理液的液膜LF的內周端1101的位置調整至與外周部處理步驟(步驟S205、步驟S206)中的處理旋轉速度對應之位置。藉由調整處理液的液膜LF的內周端1101的位置，亦能將著液位置液體寬度W11調整至適合處理旋轉速度之寬度。因此，不論基板W的旋轉速度為何皆能精密地控制著液位置液體寬度W11。藉此，能不受基板W的旋轉速度影響而能精密地控制基板W的上表面的外周區域42中的處 理寬度。
圖47以及圖48係用以示意性地顯示第五實施形態的第八基板處理例的外周部處理步驟(步驟S205、步驟S206)中的處理液噴嘴819以及氣體噴嘴901的狀態之圖。
該第八基板處理例與前述第七基板處理例的差異點在於：在外周部處理步驟(步驟S205、步驟S206)中，不進行著液位置往復移動步驟(處理液噴嘴819的往復移動)以及噴吹區域往復移動步驟，而是使來自氣體噴嘴901的氣體的噴吹流量變化，藉此使處理液的液膜LF的內周端追隨配置位置周端46的位置變化往復移動。配置位置周端46係伴隨著偏心中的基板W的旋轉而在圖47以實線所示的位置(圖48以虛線所示的位置)與在圖48以實線所示的位置之間移動。在此情形中，控制裝置3係依據記憶於各周端徑方向位置記憶部59(參照圖35)的資訊(振幅、週期以及相位(各周端徑方向位置計測步驟(步驟S204)的計測結果))，以處理液的液膜LF的內周端1101會以與配置位置周端46的位置變化相同的振幅、相同的週期以及相同的相位移動之方式，控制流量調整閥904調整從氣體噴嘴901的氣體噴出口901a噴出之氣體的流量。藉此，無須使處理液噴嘴819移動即能將處理液的液膜LF的內周端1101與配置位置周端46之間的距離保持一定。結果，能不受基板W的偏心狀態影響而高度地保持基板W的上表面的外周區域42中的處理寬度的均勻性。因此，能將處理液的液膜LF的內周端1101與配置位置周端46之間的距離保持一定。
以上，雖然已說明本發明的第五實施形態，但本發明亦可以其他的形態來實施。
例如，在第一實施形態中，亦可如圖7中以虛線所示般，於記憶單元52設置有移動步驟執行旗標56，該移動步驟執行旗標56係用以決定是否在外周部處理步驟(步驟S6、步驟S7)中執行著液位置往復移動步驟(圖14的步驟S33)。於移動步驟執行旗標56選擇性地儲存有與著液位置往復移動步驟的執行對應之預定的值(例如「5A[H]」)以及與著液位置往復移動步驟的非執行對應之預定的值(例如「00[H]」)。而且，在移動步驟執行旗標56儲存有「5A[H]」之情形中，控制裝置3亦可與外周部處理步驟(步驟S6、步驟S7)並行地執行著液位置往復移動步驟；並且，在移動步驟執行旗標56儲存有「00[H]」之情形中，控制裝置3亦可不與外周部處理步驟(步驟S6、步驟S7)並行地執行著液位置往復移動步驟。
此外，在第一實施形態中，雖然已說明在相位差計測步驟(步驟S5)中求出記憶於相位差記憶部55之複數個相位差△P的全部，但亦可作成在相位差計測步驟(步驟S5)中僅求出與至少一個處理旋轉速度對應之相位差△P，並藉由基於該相位差△P之運算來求出與其他的處理旋轉速度對應之相位差△P。
此外，在第一實施形態中，雖然已說明使用相位差△P的實測值求出排除時序，但記憶於相位差記憶部55的相位差△P亦可非為實測值而是為預先設定的規定值。在此情 形中，亦能從圖11所示的第一基板處理例省略相位差計測步驟(步驟S5)。
此外，在第一實施形態中，雖然在著液位置往復移動步驟(步驟S33)中使用用以使處理液噴嘴19於徑方向RD往復移動之手法作為用以使著液位置45於徑方向RD往復移動之手法，但亦可以下述方式取代此種手法：改變處理液噴嘴19的噴出方向或者改變處理液噴嘴19的高度位置或者組合處理液噴嘴19朝徑方向RD的移動，藉此使著液位置45於徑方向RD往復移動。此外，雖然採用位置感測器(徑方向位置感測器47)作為各周端位置計測單元，但亦可採用CCD(Charge Coupled Device；電荷耦合元件)攝像機作為周端位置計測單元。
此外，在第二實施形態以及第三實施形態中，例如亦可作成僅在外周部處理步驟(步驟S105、步驟S106)中的基板W的處理旋轉速度為未滿預先設定的速度(例如1300rpm)之情形中執行伴隨著處理液噴嘴419的處理位置(成為基準)的調整之處理液的液膜LF的內周端701的位置的控制(內周端位置調整步驟)或者執行伴隨著來自處理液噴嘴419的處理液的噴出流量的調整之處理液的液膜LF的內周端701的位置的控制(內周端位置調整步驟)；在該處理旋轉速度為預先設定的速度(例如1300rpm)以上之情形中，控制裝置3亦可不進行處理液噴嘴419的處理位置(成為基準之位置)的調整或者來自處理液噴嘴419的處理液的噴出流量的調整。在處理旋轉速度未滿1300rpm之情形中，會有已著液 至著液位置45的處理液在著液位置45中膨脹並於基板W的內側擴展之虞。另一方面，在處理旋轉速度為1300rpm以上之情形中，已著液至著液位置45的處理液不會於基板W的內側擴展。亦即，能僅在需要時執行處理液噴嘴419的處理位置(成為基準之位置)的調整或者來自處理液噴嘴419的處理液的噴出流量的調整。
此外，在第二實施形態以及第三實施形態中，雖然已說明將旋轉速度-處理位置對應表507或者旋轉速度-噴吹流量對應表607記憶於資訊記憶部455，但亦可作成為將用以表示處理旋轉速度與處理液噴嘴419的處理位置之間的對應關係以及/或者處理旋轉速度與來自處理液噴嘴419的處理液的噴出流量之間的對應關係之地圖(map)記憶至資訊記憶部455，並依據該地圖執行與處理液的液膜LF的內周端701相對之處理液噴嘴419的處理位置(成為基準之位置)的調整或者來自處理液噴嘴419的處理液的噴出流量的調整。
此外，亦可組合第二實施形態以及第三實施形態。亦即，亦可作成為在內周端位置調整步驟中因應處理旋轉速度來調整處理液噴嘴419的處理位置以及從處理液噴嘴419噴出的處理液的噴出流量的雙方。
此外，在第四實施形態以及第五實施形態中，亦可作成僅在外周部處理步驟(步驟S105、步驟S106)中的基板W的處理旋轉速度為未滿預先設定的速度(例如1300rpm)之情形中執行藉由朝處理液的液膜LF噴吹氣體所為之處理 液的液膜LF的內周端1101的位置的控制(內周端位置調整步驟)；在該處理旋轉速度為預先設定的速度(例如1300rpm)以上之情形中，控制裝置3亦可不進行對處理液的液膜LF的內周端1101噴吹氣體。在處理旋轉速度未滿1300rpm之情形中，會有已著液至著液位置45的處理液在著液位置45中膨脹並於基板W的內側擴展之虞。另一方面，在處理旋轉速度為1300rpm以上之情形中，已著液至著液位置45的處理液不會於基板W的內側擴展。因此，能僅在需要時執行對處理液的液膜LF的內周端1101噴吹氣體。
此外，在第四實施形態以及第五實施形態中，雖然已說明將旋轉速度-噴吹區域位置對應表907或者旋轉速度-噴吹流量對應表1007記憶於資訊記憶部855，但亦可作成為將用以表示處理旋轉速度與噴吹區域906的位置之間的對應關係以及/或者處理旋轉速度與朝噴吹區域906的氣體的噴吹流量之間的對應關係之地圖記憶至資訊記憶部855，並依據該地圖執行針對處理液的液膜LF的內周端1101噴吹氣體。
此外，在第四實施形態以及第五實施形態中，氣體噴出口901a亦可非為圓弧狀的隙縫，而是可用例如直線狀的隙縫來構成。此外，亦可藉由複數個噴出孔來構成氣體噴出口901a。
此外，在第四實施形態以及第五實施形態中，亦可將氣體噴嘴901一體性地設置於對向構件(例如氣體噴出噴嘴27(參照圖31))的外周部，該對向構件係隔著間隔與基板W 的上表面的中央部對向。
此外，在第四實施形態以及第五實施形態中，亦可作成為在內周端位置調整步驟中調整氣體的噴吹區域906的位置以及噴吹流量的雙方。
此外，在第一實施形態至第五實施形態中，雖然使用用以使處理液噴嘴19、419、819於徑方向RD往復移動之手法作為用以使著液位置45於徑方向RD往復移動之手法，但亦可以下述方式取代此種手法：改變處理液噴嘴19、419、819的噴出方向或者改變處理液噴嘴19、419、819的高度位置或者組合處理液噴嘴19、419、819朝徑方向RD的移動，藉此使著液位置45於徑方向RD往復移動。
此外，在第一實施形態至第五實施形態中，雖然以用以使處理液噴嘴419一邊描繪圓弧軌跡一邊移動之掃描形式作為噴嘴驅動機構的例子，但亦可採用用以使處理液噴嘴419直線狀地移動之直線移動形式作為噴嘴驅動機構。
在第五實施形態中，雖然以用以使氣體噴嘴901一邊描繪圓弧軌跡一邊移動之掃描形式為例，但亦可採用用以使氣體噴嘴901直線狀地移動之直線移動形式。
此外，在第一實施形態至第五實施形態中，亦可執行用以計測基板W的周方向的各周端位置中之屬於高度位置的各周端高度位置之各周端高度位置計測步驟作為周端位置計測步驟，以取代各周端徑方向位置計測步驟(步驟S4、步驟S104、步驟S204)。在此情形中，亦可設置有用以檢測被自轉夾具5保持的基板W的周端的高度位置之高 度位置感測器(位置感測器)147，並依據高度位置感測器147的檢測輸出計測各周端高度位置。此外，並未限定於位置感測器，亦可作成為使用CCD攝像機計測基板W的周方向的各周端位置。
此外，在第二實施形態至第五實施形態中，在外周部處理步驟(步驟S105、步驟S106、步驟S205、步驟S206)中亦可不使處理液的著液位置45或處理液的液膜LF的周端301、701往復移動。亦即，亦可作成為藉由變更來自處理液噴嘴419的處理液的噴出流量而細緻地控制著液位置液體寬度W1，亦可作成為從徑方向RD的內側對處理液的液膜LF噴吹氣體並縮小著液位置液體寬度W11。
此外，雖然已舉例說明處理液噴嘴4、419、819為用以噴出藥液以及清洗液兩者，但亦可個別地設置有用以噴出藥液之處理液噴嘴(藥液噴嘴)以及用以噴出清洗液之處理液噴嘴(清洗液噴嘴)。
此外，在第一實施形態至第五實施形態中，雖然已說明基板處理裝置為用以處理圓板狀的基板W，但處理對象的基板W只要為周端的至少一部分作成圓弧狀即可，不一定需要為真圓。
雖然已針對本發明的實施形態詳細地說明，但這是實施形態僅為用以明瞭本發明的技術性內容之具體例，本發明不應被這些具體例界定地解釋，本發明的範圍僅被隨附的申請專利範圍所界定。
本發明係分別與於2017年2月28日分別於日本特許 廳所提出之日本特願2017-037560號、日本特願2017-037561號以及日本特願2017-037563號對應，並將這些申請案的所有內容援用於此。

Claims (19)

  1. 一種基板處理方法，係包含有：基板旋轉步驟，係使周端的至少一部分作成圓弧狀的基板以預定處理旋轉速度繞著通過前述基板的中央部之旋轉軸線旋轉；處理液噴出步驟，係與前述基板旋轉步驟並行，從處理液噴嘴朝前述基板的外周部噴出處理液；以及內周端位置調整步驟，係與前述基板旋轉步驟以及前述處理液噴出步驟並行，控制前述基板中之處理液的著液位置以及/或者從前述處理液噴嘴噴出的處理液的噴出流量，並將正著液至前述著液位置之處理液的內周端的位置調整至與前述處理旋轉速度對應之位置。
  2. 如請求項1所記載之基板處理方法，其中前述內周端位置調整步驟係包含有用以調整前述處理液的著液位置之步驟。
  3. 如請求項1或2所記載之基板處理方法，其中前述基板處理方法係進一步包含有：各周端位置計測步驟，係藉由各周端位置計測單元計測被基板保持單元保持之基板的周方向的各周端位置，前述基板保持單元係不支撐前述基板的外周部而是支撐前述基板的中央部並保持前述基板；以及著液位置往復移動步驟，係以前述基板的外周部中之來自前述處理液噴嘴的處理液的著液位置追隨配置位置周端的位置變化而往復移動之方式驅動前述處理液噴嘴，前述配置位置周端係前述基板的周端中之配置有前述處理液噴嘴之屬於周方向位置的周端；前述內周端位置調整步驟係與前述著液位置往復移動步驟並行地執行。
  4. 如請求項1或2所記載之基板處理方法，其中前述內周端位置調整步驟係包含有用以調整前述處理液的噴出流量之噴出流量調整步驟。
  5. 如請求項1或2所記載之基板處理方法，其中前述基板處理方法係進一步包含有：各周端位置計測步驟，係計測被基板保持單元保持之基板的周方向的各周端位置，前述基板保持單元係不支撐前述基板的外周部而是支撐前述基板的中央部並保持前述基板；以及著液位置往復移動步驟，係以前述基板的外周部中之來自前述處理液噴嘴的處理液的著液位置追隨配置位置周端的位置變化而往復移動之方式驅動前述處理液噴嘴，前述配置位置周端係前述基板的周端中之配置有前述處理液噴嘴之屬於周方向位置的周端；前述內周端位置調整步驟係進一步包含有下述步驟：以正著液至前述著液位置之處理液的內周端追隨配置位置周端的位置變化而往復移動之方式調整正著液至前述著液位置之處理液的內周端的位置，前述配置位置周端係配置有前述處理液噴嘴之屬於周方向位置的周端。
  6. 如請求項1或2所記載之基板處理方法，其中前述內周端位置調整步驟係不在前述處理旋轉速度為預先設定的速度以上之情形中被執行，而是於前述處理旋轉速度未滿預先設定的速度之情形中被執行。
  7. 一種基板處理方法，係包含有：基板旋轉步驟，係使周端的至少一部分作成圓弧狀的基板以預定處理旋轉速度繞著通過前述基板的中央部之旋轉軸線旋轉；處理液噴出步驟，係與前述基板旋轉步驟並行，從處理液噴嘴朝前述基板的外周部噴出處理液；氣體噴吹步驟，係與前述基板旋轉步驟以及前述處理液噴出步驟並行，從基板的旋轉半徑方向的內側朝已著液至前述基板中之處理液的著液位置的處理液噴吹氣體；以及內周端位置調整步驟，係與前述氣體噴吹步驟並行，控制前述基板中之氣體的噴吹位置以及/或者被噴吹至前述基板之氣體的噴吹流量，並將正著液至前述著液位置之處理液的內周端的位置調整至與前述處理旋轉速度對應之位置。
  8. 如請求項7所記載之基板處理方法，其中前述內周端位置調整步驟係包含有用以調整前述氣體的噴吹區域的位置之步驟。
  9. 如請求項7或8所記載之基板處理方法，其中前述內周端位置調整步驟係包含有用以調整前述氣體的噴吹流量之氣體流量調整步驟。
  10. 如請求項7或8所記載之基板處理方法，其中前述內周端位置調整步驟係不在前述處理旋轉速度為預先設定的速度以上之情形中被執行，而是於前述處理旋轉速度未滿預先設定的速度之情形中被執行。
  11. 如請求項7或8所記載之基板處理方法，其中前述基板處理方法係進一步包含有：各周端位置計測步驟，係計測被基板保持單元保持之基板的周方向的各周端位置，前述基板保持單元係不支撐前述基板的外周部而是支撐前述基板的中央部並保持該基板；前述內周端位置調整步驟係進一步包含有下述步驟：以正著液至前述著液位置之處理液的內周端追隨配置位置周端的位置變化而往復移動之方式調整正著液至前述著液位置之處理液的內周端的位置，前述配置位置周端係配置有前述處理液噴嘴之屬於周方向位置的周端。
  12. 一種基板處理方法，係包含有：基板保持步驟，係藉由用以支撐基板的中央部並保持前述基板之基板保持單元保持周端的至少一部分作成圓弧狀之基板；各周端位置計測步驟，係計測被前述基板保持單元保持之基板的周方向的各周端位置；外周部處理步驟，係一邊使被前述基板保持單元保持的基板繞著通過前述基板的中央部之旋轉軸線旋轉，一邊從處理液噴嘴朝前述基板的外周部噴出處理液，藉此處理前述基板的外周部；以及著液位置往復移動步驟，係於前述各周端位置計測步驟之後與前述外周部處理步驟並行，以前述基板的外周部中之來自前述處理液噴嘴的處理液的著液位置追隨配置位置周端的位置變化而往復移動之方式藉由噴嘴驅動單元驅動前述處理液噴嘴，前述配置位置周端係前述基板的周端中之配置有前述處理液噴嘴之屬於周方向位置的周端；前述著液位置往復移動步驟係包含有：噴嘴驅動訊號作成步驟，係依據前述各周端位置計測步驟中的計測結果以及前述外周部處理步驟中的前述基板的旋轉速度，以前述著液位置會以與前述配置位置周端的位置變化相同的振幅以及相同的周期移動之方式作成用以使前述處理液噴嘴驅動之噴嘴驅動訊號；以及驅動訊號輸出步驟，係在排除時序將所作成的前述噴嘴驅動訊號輸出至前述噴嘴驅動單元，前述排除時序係已將相對於前述噴嘴驅動訊號的輸出之前述處理液噴嘴的驅動延遲所伴隨之相對於前述配置位置周端的位置變化之前述著液位置的相位差予以排除。
  13. 如請求項12所記載之基板處理方法，其中前述驅動訊號輸出步驟係包含有：時序取得步驟，係從前述著液位置追隨前述配置位置周端的位置變化之最適當的追隨時序錯開達至相當於前述相位差之時間，藉此取得前述排除時序。
  14. 如請求項13所記載之基板處理方法，其中進一步包含有：相位差計測步驟，係在前述著液位置往復移動步驟之前對前述噴嘴驅動單元輸出前述噴嘴驅動訊號並使前述著液位置移動，藉此計測前述相位差；前述時序取得步驟係包含有下述步驟：依據前述相位差取得前述排除時序。
  15. 如請求項13所記載之基板處理方法，其中前述相位差係預先規定的相位差。
  16. 如請求項12或13所記載之基板處理方法，其中前述相位差係與前述基板的旋轉速度對應地設置有複數個；前述驅動訊號輸出步驟係包含有下述步驟：以基於與前述外周部處理步驟中的前述基板的旋轉速度對應之前述相位差之時序輸出前述噴嘴驅動訊號。
  17. 如請求項12或13所記載之基板處理方法，其中前述各周端位置計測步驟係包含有下述步驟：一邊使被前述基板保持單元保持的基板繞著前述旋轉軸線轉動，一邊使用位置感測器計測前述預定的周端位置。
  18. 如請求項12或13所記載之基板處理方法，其中前述各周端位置計測步驟係包含有下述步驟：計測各周端徑方向位置作為前述各周端位置，前述各周端徑方向位置係基板的周方向的各周端位置中之相對於前述旋轉軸線的旋轉半徑方向位置；前述著液位置往復移動步驟係包含有用以使前述著液位置追隨前述配置位置周端的徑方向位置變化而往復移動之步驟。
  19. 如請求項12或13所記載之基板處理方法，其中前述旋轉軸線係鉛直軸線；前述各周端位置計測步驟係包含有下述步驟：計測基板的周方向的各周端位置中之屬於高度位置的各周端位置高度作為前述各周端位置；前述著液位置往復移動步驟係包含有下述步驟：使前述著液位置追隨前述配置位置周端的高度位置變化而往復移動。
TW107103444A 2017-02-28 2018-01-31 基板處理裝置以及基板處理方法 TWI662649B (zh)

Applications Claiming Priority (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017037563A JP6949510B2 (ja) 2017-02-28 2017-02-28 基板処理装置および基板処理方法
JP2017-037560 2017-02-28
JP2017037560A JP6949508B2 (ja) 2017-02-28 2017-02-28 基板処理装置および基板処理方法
JP2017037561A JP6949509B2 (ja) 2017-02-28 2017-02-28 基板処理装置および基板処理方法
JP2017-037561 2017-02-28
JP2017-037563 2017-02-28

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201836049A TW201836049A (zh) 2018-10-01
TWI662649B true TWI662649B (zh) 2019-06-11

Family

ID=63371278

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW107103444A TWI662649B (zh) 2017-02-28 2018-01-31 基板處理裝置以及基板處理方法

Country Status (4)

Country Link
KR (1) KR102245342B1 (zh)
CN (1) CN110226217B (zh)
TW (1) TWI662649B (zh)
WO (1) WO2018159193A1 (zh)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7088810B2 (ja) * 2018-11-07 2022-06-21 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法および基板処理装置
JP6857682B2 (ja) * 2019-03-29 2021-04-14 芝浦メカトロニクス株式会社 基板処理装置
CN112731762A (zh) * 2021-01-28 2021-04-30 长江存储科技有限责任公司 掩膜版的清洁装置

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW201243936A (en) * 2011-03-04 2012-11-01 Mitsubishi Gas Chemical Co Substrate processing apparatus and substrate processing method
US20150147888A1 (en) * 2013-11-25 2015-05-28 Tokyo Electron Limited Liquid processing apparatus, liquid processing method, and storage medium
US20160310979A1 (en) * 2015-04-24 2016-10-27 SCREEN Holdings Co., Ltd. Substrate processing apparatus and substrate processing method
TW201705246A (zh) * 2015-06-18 2017-02-01 思可林集團股份有限公司 基板處理裝置
TW201705260A (zh) * 2015-01-28 2017-02-01 Tokyo Electron Ltd 濕蝕刻方法、基板液處理裝置及記憶媒體

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3573504B2 (ja) * 1994-11-04 2004-10-06 株式会社ルネサステクノロジ 半導体装置の製造方法
JP2004241492A (ja) * 2003-02-04 2004-08-26 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
JP5449239B2 (ja) 2010-05-12 2014-03-19 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理方法及びプログラムを記録した記憶媒体
JP5891085B2 (ja) * 2012-03-27 2016-03-22 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
JP6100487B2 (ja) * 2012-08-20 2017-03-22 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置
JP6183705B2 (ja) * 2013-01-15 2017-08-23 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法および基板処理装置

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW201243936A (en) * 2011-03-04 2012-11-01 Mitsubishi Gas Chemical Co Substrate processing apparatus and substrate processing method
US20150147888A1 (en) * 2013-11-25 2015-05-28 Tokyo Electron Limited Liquid processing apparatus, liquid processing method, and storage medium
TW201705260A (zh) * 2015-01-28 2017-02-01 Tokyo Electron Ltd 濕蝕刻方法、基板液處理裝置及記憶媒體
US20160310979A1 (en) * 2015-04-24 2016-10-27 SCREEN Holdings Co., Ltd. Substrate processing apparatus and substrate processing method
TW201705246A (zh) * 2015-06-18 2017-02-01 思可林集團股份有限公司 基板處理裝置

Also Published As

Publication number Publication date
TW201836049A (zh) 2018-10-01
KR20190100360A (ko) 2019-08-28
CN110226217A (zh) 2019-09-10
WO2018159193A1 (ja) 2018-09-07
KR102245342B1 (ko) 2021-04-27
CN110226217B (zh) 2023-07-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101047821B1 (ko) 향상된 웨이퍼 세정 방법
TWI666688B (zh) 基板處理方法以及基板處理裝置
TWI662649B (zh) 基板處理裝置以及基板處理方法
US11177124B2 (en) Substrate processing method and substrate processing apparatus
JP6709555B2 (ja) 基板処理方法および基板処理装置
TWI682474B (zh) 基板處理裝置以及基板處理方法
JP6949510B2 (ja) 基板処理装置および基板処理方法
JP6949508B2 (ja) 基板処理装置および基板処理方法
JP2017135169A (ja) 基板処理装置および基板処理方法
TWI758708B (zh) 基板處理方法及基板處理裝置
JP6949509B2 (ja) 基板処理装置および基板処理方法
JP2011066322A (ja) 基板処理装置および基板処理方法
JP2017118049A (ja) 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体
JP7453020B2 (ja) 基板処理方法
JP7357693B2 (ja) 基板処理方法
US11817330B2 (en) Method for processing substrate
JP7486984B2 (ja) 基板処理装置、および、基板処理方法
TW202245915A (zh) 塗佈處理方法及塗佈處理裝置
JP2023104709A (ja) 基板処理装置および基板処理方法