JP6949509B2 - 基板処理装置および基板処理方法 - Google Patents

Description

この発明は、基板処理装置および基板処理方法に関する。処理対象となる基板には、たとえば、半導体ウエハ、液晶表示装置用基板、プラズマディスプレイ用基板、ＦＥＤ（Field Emission Display）用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板、セラミック基板、太陽電池用基板などが含まれる。

半導体装置や液晶表示装置などの製造工程では、半導体ウエハや液晶表示装置用ガラス基板などの基板の外周部に対して処理液を用いた処理が行われる。基板を１枚ずつ処理する枚葉式の基板処理装置は、たとえば、基板を水平に保持して回転させるスピンチャックと、スピンチャックに保持されている基板の上面の外周部に向けて処理液を吐出する処理液ノズルとを備えている（下記特許文献１参照）。

このような基板処理装置では、基板を回転させながら、基板の上面の外周部における所定の着液位置に向けて処理液を吐出する。着液位置に供給された処理液は基板の回転に伴って基板の周方向の全域に広がり、これにより、基板の上面の外周部に所定の幅を有する環状の処理液が形成される。

特開２０１１−２５８９２５号公報

しかしながら、特許文献１のような構成では、処理時における基板の回転速度（処理回転速度）が遅いと、基板の回転による遠心力が弱いために、着液位置に着液した処理液が着液位置において膨らんで、基板の内側に広がるおそれがある。この場合には、基板の外周部において、処理液により処理される領域の幅（以下、「処理幅」という）が所期の幅より大きくなるおそれがある。すなわち、処理回転速度が遅いと、処理幅を精密に制御できないおそれがある。したがって、処理回転速度が遅くても、基板の外周部における処理幅を精密に制御することが求められている。

そこで、この発明の目的は、基板の回転速度によらずに、基板の外周部における処理幅を精密に制御することができる、基板処理装置および基板処理方法を提供することである。

この発明の一実施形態は、周端の少なくとも一部が円弧状をなす基板を保持する基板保持ユニットと、前記基板保持ユニットによって保持されている基板を、当該基板の中央部を通る回転軸線まわりに回転させるための基板回転ユニットと、前記基板保持ユニットによって保持されている基板の外周部に向けて処理液を吐出するための処理液ノズルと、前記基板回転ユニットを制御して、前記基板を所定の処理回転速度で回転させる基板回転工程と、前記基板回転工程に並行して、前記基板の外周部に向けて処理液ノズルから処理液を吐出する処理液吐出工程と、前記基板回転工程および前記処理液吐出工程に並行して、前記基板における処理液の着液位置および／または当該処理液ノズルから吐出される処理液の吐出流量を制御して、前記着液位置に着液している処理液の内周端の位置を、前記処理回転速度に対応する位置に調整する内周端位置調整工程とを実行する制御装置とを含む、基板処理装置を提供する。

着液位置に着液している処理液の内周端の位置（以下、「着液処理液の内周端の位置」）は、基板の回転速度に依存している。
この構成によれば、基板の処理回転速度に応じて、基板における処理液の着液位置および／または当該処理液ノズルから吐出される処理液の吐出流量を調整する。これにより、着液処理液の内周端の位置を、処理回転速度（処理時における基板の回転速度）に対応する位置に調整することができる。

着液処理液の内周端の位置を調整することにより、着液位置に着液している処理液の幅（以下、「着液位置液幅」という）を、処理回転速度に適した幅に調整することも可能であり、この場合には、基板の回転速度の如何によらずに着液位置液幅を精密に制御することも可能である。
以上により、基板の回転速度によらずに、基板の外周部における処理幅を精密に制御することができる。

前記処理液ノズルは、前記基板保持ユニットによって保持されている基板の外周部の所定の着液位置に向けて処理液を吐出するためのノズルであってもよい。
前記基板回転工程は、前記基板保持ユニットに保持されている前記基板を前記基板回転ユニットによって前記回転軸線まわりに回転させる工程を含んでいてもよい。
前記処理液吐出工程は、前記着液位置に向けて処理液を吐出する工程を含んでいてもよい。
この発明の一実施形態では、前記基板処理装置は、前記処理液ノズルを駆動する処理液ノズル駆動ユニットをさらに含む。そして、前記制御装置は、前記内周端位置調整工程において、前記処理液ノズル駆動ユニットを制御して、前記処理液の着液位置を調整する工程を実行する。
この構成によれば、基板における処理液の着液位置を変更することにより、着液処理液の内周端の位置を、処理回転速度に対応する位置に調整する。処理液の着液位置は、着液処理液の内周端の位置に直接的に作用し、当該着液処理液の内周端の位置に大きな影響を与える。したがって、処理液の着液位置を変更することにより、着液処理液の内周端の位置をより効果的に変更させることができる。この場合、着液位置液幅をより精密に制御することも可能である。
前記内周端位置調整工程は、前記処理回転速度の高低に基づいて、前記処理液ノズル駆動ユニットによって前記着液位置を制御する工程を含んでいてもよい。
前記内周端位置調整工程は、前記着液位置を、前記処理回転速度の上昇に従って前記着液位置が前記基板の回転半径方向の内側に寄るように配置する工程を含んでいてもよい。

この発明の一実施形態では、前記基板処理装置は、前記処理回転速度と、前記処理液の着液位置との対応関係を規定する第１の対応関係規定情報を記憶する第１の情報記憶部をさらに含む。そして、前記制御装置は、前記第１の対応関係規定情報に基づいて前記内周端位置調整工程を実行する。
この構成によれば、第１の情報記憶部に記憶されている第１の対応関係規定情報によって規定されている、処理回転速度と処理液の着液位置との対応関係に基づいて内周端位置調整工程が実行される。これにより、着液処理液の内周端の位置を、処理時における処理回転速度に対応する位置に、確実に制御することができる。

この発明の一実施形態では、前記基板保持ユニットは、前記基板の外周部を支持せずに当該基板の中央部を支持して当該基板を保持するユニットを含む。そして、前記基板処理装置は、前記基板保持ユニットに保持されている基板の周方向の各周端位置を計測するための各周端位置計測ユニットをさらに含む。そして、前記制御装置は、前記基板保持ユニットに保持されている基板の、周方向の各周端位置を計測する各周端位置計測工程と、前記基板の外周部における前記処理液ノズルからの処理液の着液位置が、前記基板の周端のうち当該処理液ノズルが配置されている周方向位置の周端である配置位置周端の位置変化に追従して往復移動するように前記処理液ノズルを駆動する着液位置往復移動工程とを実行する。そして、前記制御装置は、前記内周端位置調整工程を、前記着液位置往復移動工程に並行して実行する。

この構成によれば、着液処理液の内周端の位置を処理回転速度に対応する位置に調整しながら、配置位置周端の位置変化に追従して処理液の着液位置を追従させることができる。これにより、処理液の着液位置の往復移動によらずに、基板の外周部における処理幅の均一性を高く保つことができる。
この発明の一実施形態では、前記基板処理装置は、前記処理液の吐出流量を調整する吐出流量調整ユニットをさらに含む。そして、前記制御装置は、前記内周端位置調整工程において、前記吐出流量調整ユニットを制御して前記処理液の吐出流量を調整する吐出流量調整工程を実行する。

この構成によれば、基板における処理液の吐出流量を調整することにより、着液処理液の内周端の位置を、処理回転速度に対応する位置に調整する。この場合、着液位置液幅をより精密に制御することも可能である。
前記内周端位置調整工程は、前記処理回転速度の高低に基づいて、前記処理液ノズルから吐出される処理液の前記吐出流量を前記吐出流量調整ユニットによって制御する工程を含んでいてもよい。
前記内周端位置調整工程は、前記処理液ノズルから吐出される処理液の前記吐出流量を前記処理回転速度の上昇に従って前記吐出流量が増大するように調整する工程を含んでいてもよい。
この発明の一実施形態では、前記基板処理装置は、前記処理回転速度と、前記処理液の吐出流量との対応関係を規定する第２の対応関係規定情報を記憶する第２の情報記憶部をさらに含む。そして、前記制御装置は、前記第２の対応関係規定情報に基づいて前記内周端位置調整工程を実行する。

この構成によれば、第２の情報記憶部に記憶されている第２の対応関係規定情報によって規定されている、処理回転速度と処理液の吐出流量との対応関係に基づいて内周端位置調整工程が実行される。これにより、着液処理液の内周端の位置を、処理時における処理回転速度に対応する位置に、確実に制御することができる。
この発明の一実施形態では、前記基板保持ユニットは、前記基板の外周部を支持せずに当該基板の中央部を支持して当該基板を保持するユニットを含む。そして、前記基板処理装置は、前記基板保持ユニットに保持されている基板の周方向の各周端位置を計測するための各周端位置計測ユニットをさらに含む。そして、前記制御装置は、前記基板保持ユニットに保持されている基板の、周方向の各周端位置を計測する各周端位置計測工程をさらに実行する。そして、前記制御装置は、さらに、前記着液位置に着液している処理液の内周端が、当該処理液ノズルが配置されている周方向位置の周端である配置位置周端の位置変化に追従して往復移動するように、前記着液位置に着液している処理液の内周端の位置を調整する（第２の内周端位置調整工程）工程を実行する。

この構成によれば、処理液の吐出流量を調整することにより、着液位置に着液している処理液の内周端を、配置位置周端の位置変化に追従して往復移動させることができる。これにより、処理液の着液位置の往復移動によらずに、基板の外周部における処理幅の均一性を高く保つことができる。
この発明の一実施形態では、前記制御装置は、前記処理回転速度が予め定める速度以上である場合に前記内周端位置調整工程を実行せず、前記処理回転速度が予め定める速度未満である場合に前記内周端位置調整工程を実行する。

処理回転速度が遅い場合には、着液位置に着液した処理液が着液位置において膨らんで、基板の内側に広がるおそれがある。その一方で、処理回転速度が速い場合には、着液位置に着液した処理液が基板の内側に広がるおそれはない。
この構成によれば、着液位置に着液した処理液が基板の内側に広がるおそれがある、処理回転速度が遅い場合のみ内周端位置調整工程を実行する。すなわち、必要なときのみ内周端位置調整工程を実行することができる。

この発明の一実施形態では、前記処理液ノズルは、基板の外側かつ斜め下向きに処理液を吐出する。
この構成によれば、処理液ノズルが処理液を斜め下方向に向けて吐出する。内側から着液位置に向けて処理液が吐出されるので、基板の中央部への処理液の液跳ねを抑制または防止しながら、基板の外周部に処理液を供給することができる。
前記制御装置は、前記内周端位置調整工程において、前記着液位置を回転速度−処理位置対応テーブルを基準として制御してもよい。前記制御装置は、前記内周端位置調整工程において、前記吐出流量を回転速度−吐出流量対応テーブルを基準として制御してもよい。前記制御装置は、前記内周端位置調整工程において、前記基板の回転半径方向の前記処理液の液膜の幅を予め定められた幅に調整してもよい。

この発明の一実施形態は、周端の少なくとも一部が円弧状をなす基板を、当該基板の中央部を通る回転軸線周りに、所定の処理回転速度で回転させる基板回転工程と、前記基板回転工程に並行して、前記基板の外周部に向けて処理液ノズルから処理液を吐出する処理液吐出工程と、前記基板回転工程および前記処理液吐出工程に並行して、前記基板における処理液の着液位置および／または当該処理液ノズルから吐出される処理液の吐出流量を制御して、前記着液位置に着液している処理液の内周端の位置を、前記処理回転速度に対応する位置に調整する内周端位置調整工程とを含む、基板処理方法を提供する。

前記処理液吐出工程は、前記基板の外周部の所定の着液位置に向けて処理液ノズルから処理液を吐出してもよい。
この発明の一実施形態では、前記内周端位置調整工程は、前記処理液の着液位置を調整する工程を含む。
前記内周端位置調整工程は、前記処理回転速度の高低に基づいて、前記基板の外周部における処理液の前記着液位置を制御する工程を含んでいてもよい。
前記内周端位置調整工程は、前記着液位置を、前記処理回転速度の上昇に従って前記着液位置が前記基板の回転半径方向の内側に寄るように配置する工程を含んでいてもよい。
この発明の一実施形態では、前記基板処理方法は、前記基板の外周部を支持せずに当該基板の中央部を支持して当該基板を保持する前記基板保持ユニットを含む基板処理装置において実行される方法である。そして、前記基板処理方法は、前記基板保持ユニットに保持されている基板の、周方向の各周端位置を、各周端位置計測ユニットによって計測する各周端位置計測工程と、前記基板の外周部における前記処理液ノズルからの処理液の着液位置が、前記基板の周端のうち当該処理液ノズルが配置されている周方向位置の周端である配置位置周端の位置変化に追従して往復移動するように前記処理液ノズルを駆動する着液位置往復移動工程とをさらに含む。そして、前記内周端位置調整工程は、前記着液位置往復移動工程に並行して実行される。

この発明の一実施形態では、前記内周端位置調整工程は、前記処理液の吐出流量を調整する吐出流量調整工程を含む。
前記内周端位置調整工程は、前記処理回転速度の高低に基づいて、前記処理液ノズルから吐出される処理液の吐出流量を制御する工程を含んでいてもよい。
前記内周端位置調整工程は、前記処理液ノズルから吐出される処理液の前記吐出流量を前記処理回転速度の上昇に従って前記吐出流量が増大するように調整する工程を含んでいてもよい。

この発明の一実施形態では、前記基板処理方法は、前記基板の外周部を支持せずに当該基板の中央部を支持して当該基板を保持する前記基板保持ユニットを含む基板処理装置において実行される方法である。そして、前記基板処理方法は、前記基板保持ユニットに保持されている基板の、周方向の各周端位置を計測する各周端位置計測工程と、前記基板の外周部における前記処理液ノズルからの処理液の着液位置が、前記基板の周端のうち当該処理液ノズルが配置されている周方向位置の周端である配置位置周端の位置変化に追従して往復移動するように前記処理液ノズルを駆動する着液位置往復移動工程とをさらに含む。そして、前記基板処理方法は、前記着液位置に着液している処理液の内周端が、前記基板の周端のうち前記処理液ノズルが配置されている周方向位置の周端である配置位置周端の位置変化に追従して往復移動するように、前記着液位置に着液している処理液の内周端の位置を調整する工程（第２の内周端位置調整工程）をさらに含む。

この発明の一実施形態では、前記内周端位置調整工程は、前記処理回転速度が予め定める速度以上である場合には実行されず、前記処理回転速度が予め定める速度未満である場合に実行される。
前記内周端位置調整工程は、前記着液位置を回転速度−処理位置対応テーブルを基準として制御してもよい。前記内周端位置調整工程は、前記吐出流量を回転速度−吐出流量対応テーブルを基準として制御してもよい。前記内周端位置調整工程は、前記基板の回転半径方向の前記処理液の液膜の幅を予め定められた幅に調整してもよい。

図１は、本発明の第１の実施形態に係る基板処理装置の内部のレイアウトを説明するための図解的な平面図である。 図２は、前記基板処理装置に備えられた処理ユニットの構成例を説明するための図解的な図である。 図３は、処理位置に配置されている処理液ノズルから処理液を吐出している状態を示す断面図である。 図４は、基板が偏芯状態でスピンチャックに保持されている状態を示す模式的な図である。 図５は、基板が偏芯状態でスピンチャックに保持されている状態を示す模式的な図である。 図６は、参考処理例における基板の上面の外周領域の処理幅を示す平面図である。 図７は、前記基板処理装置の主要部の電気的構成を説明するためのブロック図である。 図８は、情報記憶部に記憶されている回転速度−処理位置対応テーブルを説明するための図である。 図９は、前記処理ユニットによって実行される第１の基板処理例を説明するための流れ図である。 図１０は、図９に示す各周端径方向位置計測工程の内容を説明するための流れ図である。 図１１は、図９に示す外周部処理工程の内容を説明するための流れ図である。 図１２は、前記外周部処理工程の内容を説明するための模式的な図である。 図１３は、前記外周部処理工程の内容を説明するための模式的な図である。 図１４Ａは、前記外周部処理工程における処理液ノズルの状態を模式的に示す図である。 図１４Ｂは、前記外周部処理工程における処理液ノズルの状態を模式的に示す図である。 図１５は、前記第１の基板処理例における基板の上面の外周領域の処理幅を示す平面図である。 図１６は、情報記憶部に記憶されている回転速度−吐出流量対応テーブルを説明するための図である。 図１７は、第２の実施形態に係る第２の基板処理例に係る外周部処理工程の内容を説明するための流れ図である。 図１８Ａは、第２の実施形態に係る第３の基板処理例に係る外周部処理工程における処理液ノズルの状態を模式的に示す図である。 図１８Ｂは、前記外周部処理工程における処理液ノズルの状態を模式的に示す図である。

以下では、この発明の実施の形態を、添付図面を参照して詳細に説明する。
図１は、この発明の第１の実施形態に係る基板処理装置の内部のレイアウトを説明するための図解的な平面図である。基板処理装置１は、半導体ウエハなどの円板状の基板Ｗを、処理液や処理ガスによって一枚ずつ処理する枚葉式の装置である。基板処理装置１は、処理液を用いて基板Ｗを処理する複数の処理ユニット２と、処理ユニット２で処理される複数枚の基板Ｗを収容するキャリヤＣ１が載置されるロードポートＬＰと、ロードポートＬＰと処理ユニット２との間で基板Ｗを搬送する搬送ロボットＩＲおよびＣＲと、基板処理装置１を制御する制御装置３とを含む。搬送ロボットＩＲは、キャリヤＣ１と搬送ロボットＣＲとの間で基板Ｗを搬送する。搬送ロボットＣＲは、搬送ロボットＩＲと処理ユニット２との間で基板Ｗを搬送する。複数の処理ユニット２は、たとえば、同様の構成を有している。

図２は、処理ユニット２の構成例を説明するための図解的な図である。
処理ユニット２は、基板Ｗの外周部４１（図３等参照）を、より具体的には基板Ｗの上面（主面）の外周領域４２（図３等参照）および基板Ｗの周端面４４（図３等参照）を、処理液を用いて処理（トップサイド処理）するユニットである。この実施形態では、基板Ｗの外周部４１とは、基板Ｗの上面の外周領域４２、基板Ｗの下面（主面）の外周領域４３（図３等参照）、および基板Ｗの周端面４４を含む部分をいう。また、外周領域４２，４３とは、たとえば、基板Ｗの周端縁からコンマ数ミリ〜数ミリメートル程度の幅を有する環状の領域をいう。

処理ユニット２は、内部空間を有する箱形の処理チャンバ４と、処理チャンバ４内で一枚の基板Ｗを水平な姿勢で保持して、基板Ｗの中心を通る鉛直な回転軸線Ａ１まわりに基板Ｗを回転させるスピンチャック（基板保持ユニット）５と、スピンチャック５に保持されている基板Ｗの上面の外周領域４２に処理液（薬液およびリンス液）を供給するための処理液供給ユニット６と、スピンチャック５に保持されている基板Ｗの上面中央部に、不活性ガスを供給するための第１の不活性ガス供給ユニット８と、スピンチャック５に保持されている基板Ｗの上面の外周領域４２に、不活性ガスを供給するための第２の不活性ガス供給ユニット９と、スピンチャック５に保持されている基板Ｗの下面の外周領域４３に、不活性ガスを供給するための第３の不活性ガス供給ユニット１０と、スピンチャック５に保持されている基板Ｗの下面の外周領域４３を加熱するためのヒータ１１と、スピンチャック５を取り囲む筒状の処理カップ１２とを含む。

処理チャンバ４は、箱状の隔壁１３と、隔壁１３の上部から隔壁１３内（処理チャンバ４内に相当）に清浄空気を送る送風ユニットとしてのＦＦＵ（ファン・フィルタ・ユニット）１４と、隔壁１３の下部から処理チャンバ４内の気体を排出する排気装置（図示しない）とを含む。
ＦＦＵ１４は隔壁１３の上方に配置されており、隔壁１３の天井に取り付けられている。ＦＦＵ１４は、隔壁１３の天井から処理チャンバ４内に清浄空気を送る。排気装置は、処理カップ１２内に接続された排気ダクト１５を介して処理カップ１２の底部に接続されており、処理カップ１２の底部から処理カップ１２の内部を吸引する。ＦＦＵ１４および排気装置により、処理チャンバ４内にダウンフロー（下降流）が形成される。

スピンチャック５は、この実施形態では、真空吸着式のチャックである。スピンチャック５は、基板Ｗの下面中央部を吸着支持している。スピンチャック５は、鉛直な方向に延びたスピン軸１６と、このスピン軸１６の上端に取り付けられて、基板Ｗを水平な姿勢でその下面を吸着して保持するスピンベース１７と、スピン軸１６と同軸に結合された回転軸を有するスピンモータ（基板回転ユニット）１８とを備えている。スピンベース１７は、基板Ｗの外径よりも小さな外径を有する水平な円形の上面１７ａを含む。基板Ｗの裏面がスピンベース１７に吸着保持された状態では、基板Ｗの外周部４１が、スピンベース１７の周端縁よりも外側にはみ出ている。スピンモータ１８が駆動されることにより、スピン軸１６の中心軸線まわりに基板Ｗが回転される。

処理液供給ユニット６は、処理液ノズル１９と、処理液ノズル１９に接続された薬液配管２０と、薬液配管２０に介装された薬液バルブ２１と、薬液配管２０に介装された薬液流量調整バルブ（吐出流量調整ユニット）１０１と、処理液ノズル１９に接続されたリンス液配管２２と、リンス液配管２２に介装されたリンス液バルブ２３と、リンス液配管２２に介装されたリンス液流量調整バルブ（吐出流量調整ユニット）１０２と、処理液ノズル１９を移動させる第１のノズル移動機構２４とを含む。図示はしないが、薬液流量調整バルブ１０１およびリンス液流量調整バルブ１０２のそれぞれは、弁座が内部に設けられたバルブボディと、弁座を開閉する弁体と、開位置と閉位置との間で弁体を移動させるアクチュエータとを含む。

処理液ノズル１９は、たとえば、連続流の状態で液を吐出するストレートノズルである。薬液配管２０には、薬液供給源からの薬液が供給されている。リンス液配管２２には、リンス液供給源からのリンス液が供給されている。リンス液バルブ２３が閉じられた状態で薬液バルブ２１が開かれると、薬液配管２０から処理液ノズル１９に供給された連続流の薬液が、処理液ノズル１９の下端に設定された処理液吐出口１９ａ（図３参照）から吐出される。また、薬液バルブ２１が閉じられた状態でリンス液バルブ２３が開かれると、リンス液配管２２から処理液ノズル１９に供給された連続流のリンス液が処理液吐出口１９ａから吐出される。第１のノズル移動機構２４は、平面視で基板Ｗの上面（たとえば上面中央部）を通る軌跡に沿って処理液ノズル１９を水平に移動させる。第１のノズル移動機構２４は、処理液ノズル１９から吐出される処理液（薬液およびリンス液）が基板Ｗの上面の外周領域４２に供給される処理位置と、処理液ノズル１９が平面視でスピンチャック５の側方に退避した退避位置との間で処理液ノズル１９を移動させる。また、第１のノズル移動機構２４は、処理液ノズル１９からの処理液の着液位置４５（図３参照）が、基板Ｗの上面の外周領域４２において、径方向ＲＤに移動するように処理液ノズル１９を移動させる。

薬液は、たとえば、基板Ｗをエッチングしたり、基板Ｗを洗浄したりするのに用いられる液である。薬液は、フッ酸、硫酸、酢酸、硝酸、塩酸、フッ酸、バッファードフッ酸（ＢＨＦ）、希フッ酸（ＤＨＦ）、アンモニア水、過酸化水素水、有機酸（たとえば、クエン酸、蓚酸等）、有機アルカリ（たとえば、ＴＭＡＨ：テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイドなど）、有機溶剤（たとえばＩＰＡ（isopropyl alcohol）など）、界面活性剤、腐食防止剤のうちの少なくとも１つを含む液であってもよい。リンス液は、たとえば脱イオン水（ＤＩＷ）であるが、ＤＩＷに限らず、炭酸水、電解イオン水、水素水、オゾン水および希釈濃度（たとえば、１０ｐｐｍ〜１００ｐｐｍ程度）の塩酸水のいずれかであってもよい。

第１の不活性ガス供給ユニット８は、スピンチャック５に保持されている基板Ｗの上面の中央部に不活性ガスを供給するための気体吐出ノズル２７と、気体吐出ノズル２７に不活性ガスを供給する第１の気体配管２８と、第１の気体配管２８を開閉する第１の気体バルブ２９と、気体吐出ノズル２７を移動させるための第２のノズル移動機構３０とを含む。基板Ｗの上面中央部の上方に設定された処理位置において第１の気体バルブ２９が開かれると、気体吐出ノズル２７から吐出される不活性ガスによって、中央部から外周部４１に向けて流れる放射状気流が基板Ｗの上方に形成される。

第２の不活性ガス供給ユニット９は、基板Ｗの上面の外周領域４２に対して不活性ガスを吐出するための上外周部気体ノズル３１と、上外周部気体ノズル３１に不活性ガスを供給する第２の気体配管３２と、第２の気体配管３２を開閉する第２の気体バルブ３３と、上外周部気体ノズル３１を移動させるための第３のノズル移動機構３４とを含む。基板Ｗの上面の外周領域４２に対向する処理位置において第２の気体バルブ３３が開かれると、上外周部気体ノズル３１は、基板Ｗの上面の外周領域４２の吹き付け領域に対し、径方向ＲＤの内側から、外側かつ斜め下向きに不活性ガスを吐出する。これにより、基板Ｗの上面の外周領域４２における処理液の処理幅を制御することができる。

第３の不活性ガス供給ユニット１０は、基板Ｗの下面の外周領域４３に対して不活性ガスを吐出するための下外周部気体ノズル３６と、下外周部気体ノズル３６に不活性ガスを供給する第３の気体配管３７と、第３の気体配管３７を開閉する第３の気体バルブ３８とを含む。基板Ｗの下面の外周領域４３に対向する処理位置において第３の気体バルブ３８が開かれると、下外周部気体ノズル３６は、基板Ｗの下面の外周領域４３の吹き付け領域に対し、径方向ＲＤの内側から外側斜め上向きに（たとえば水平面に対し４５°）に不活性ガスを吐出する。

ヒータ１１は、円環状に形成されており、基板Ｗの外径と同等の外径を有している。ヒータ１１は、スピンチャック５に保持された基板Ｗの下面の外周領域４３に対向する上端面を有している。ヒータ１１は、セラミックや炭化ケイ素（ＳｉＣ）を用いて形成されており、その内部に加熱源（図示しない）が埋設されている。加熱源の加熱によりヒータ１１が温められて、ヒータ１１が基板Ｗを加熱する。ヒータ１１によって基板Ｗの外周部４１を下面側から加熱することにより、基板Ｗの上面の外周領域４２における処理レートを向上させることができる。

処理カップ１２は、スピンチャック５に保持されている基板Ｗよりも外方（回転軸線Ａ１から離れる方向）に配置されている。処理カップ１２は、スピンベース１７の側方を取り囲んでいる。スピンチャック５が基板Ｗを回転させている状態で、処理液が基板Ｗに供給されると、基板Ｗに供給された処理液が基板Ｗの周囲に振り切られる。処理液が基板Ｗに供給されるとき、上向きに開いた処理カップ１２の上端部１２ａは、スピンベース１７よりも上方に配置される。したがって、基板Ｗの周囲に排出された薬液や水などの処理液は、処理カップ１２によって受け止められる。そして、処理カップ１２に受け止められた処理液は排液処理される。

また、処理ユニット２は、スピンチャック５によって保持されている基板Ｗの周端の径方向ＲＤの位置（以下、単に「径方向位置」という）を検出するための径方向位置センサ（各周端位置計測ユニット）４７を含む。径方向位置センサ４７は、基板Ｗの周端面４４のうち所定の計測対象位置について、その径方向位置を検出している。
図３は、処理位置に配置されている処理液ノズル１９から処理液を吐出している状態を示す断面図である。

基板Ｗは、デバイス形成面を上方に向けた状態でスピンチャック５（図２参照）に保持されている。処理液ノズル１９が、基板Ｗの上面の外周領域４２に対向する処理位置に配置された状態で、薬液バルブ２１（図２参照）およびリンス液バルブ２３（図２参照）が選択的に開かれると、処理液ノズル１９は、基板Ｗの上面の外周領域４２の着液位置（以下、単に「着液位置４５」という）に対し、径方向ＲＤの内側から外側斜め下向きに処理液（薬液またはリンス液）を吐出する。径方向ＲＤの内側から着液位置４５に向けて処理液が吐出される。

基板Ｗの上面（デバイス形成面）は外周領域４２を除き、半導体デバイスが形成されたデバイス形成領域である。処理液ノズル１９から径方向ＲＤの内側から斜め下向きに処理液が吐出されるので、デバイス形成領域である基板Ｗの上面中央部への処理液の液跳ねをある程度抑制できる。このとき、処理液吐出口１９ａからの処理液の吐出方向は、径方向ＲＤに沿う方向であり、かつ基板Ｗの上面に対して所定角度で入射するような方向である。入射角θ１は、たとえば約３０°〜約８０°であり、好ましくは約４５°である。

図３に示すように、着液位置４５に着液した処理液は、着液位置４５の周囲において処理液の液膜ＬＦを形成し、着液位置４５に対し、基板Ｗの回転方向Ｒにかつ径方向ＲＤの外側に向けて流れる。そのため、基板Ｗの上面の外周領域４２には、処理液が環状に保持される。このときの処理液の液膜ＬＦの幅Ｗ１（以下、「着液位置液幅Ｗ１」という。着液位置４５における処理液の幅）が、処理幅になる。着液位置４５を精度良く制御することにより、処理液の液膜ＬＦの内周端３０１の位置を精度良く制御することができ、ひいては、着液位置液幅Ｗ１を精度良く制御することができる。

また、着液位置液幅Ｗ１（液膜ＬＦの幅）の広狭（すなわち、処理液の液膜ＬＦの内周端３０１の位置）は、処理回転速度（処理時における基板Ｗの回転速度）に依存している。処理回転速度が速いと、基板Ｗの回転による遠心力が増大するから着液位置液幅Ｗ１が狭くなる。一方、処理回転速度が遅いと、基板Ｗの回転による遠心力が減少するから着液位置液幅Ｗ１が広くなる。

図４は、基板Ｗが偏芯状態でスピンチャック５に保持されている状態を示す模式的な図である。図５は、基板Ｗが偏芯状態でスピンチャック５に保持されている状態を示す模式的な図である。図６は、参考処理例における基板Ｗの上面の外周領域４２の処理幅を示す平面図である。
スピンチャック５は、基板Ｗの中央部を支持するタイプのものである。このようなタイプのスピンチャックは基板Ｗの外周部４１を支持しない。そのため、基板Ｗの保持状態において、図４および図５に示すように、基板Ｗの中心がスピンチャック５による基板Ｗの回転軸線Ａ１からずれる（すなわち、スピンチャック５に対して基板Ｗが偏芯している）おそれがある。

基板Ｗの外周部に対する処理では、回転軸線Ａ１回りに基板Ｗを回転させるため、スピンチャック５に対して基板Ｗが偏芯していると、基板Ｗの回転角度位置に応じて、基板Ｗの周端のうち処理液ノズル１９の処理位置に対応する周方向位置の周端（処理液ノズル１９が配置されている周方向位置の周端。以下、「配置位置周端４６（図３参照）」という）と回転軸線Ａ１との間の距離が変化する。処理液ノズル１９がスピンチャック５に対し回転方向Ｒに静止している場合には、処理液の着液位置４５と配置位置周端４６との間の距離が基板Ｗの回転角度位置に伴って変化する。換言すると、回転軸線Ａ１に対する配置位置周端４６の径方向位置が、基板Ｗの回転角度位置に伴って変化する。

その結果、図６に示すように、基板Ｗの上面の外周領域４２の処理幅が、周方向の各位置でばらつきが生じることになる。処理幅に大きなばらつきがあると、それを見込んで中央のデバイス領域を狭く設定しなければならなくなる。そのため、処理幅には高い精度が要求される。
図７は、基板処理装置１の主要部の電気的構成を説明するためのブロック図である。

制御装置３は、たとえばマイクロコンピュータを用いて構成されている。制御装置３はＣＰＵ等の演算ユニット５１、固定メモリデバイス（図示しない）、ハードディスクドライブ等の記憶ユニット５２、出力ユニット５３および入力ユニット（図示しない）を有している。記憶ユニット５２には、演算ユニット５１が実行するプログラムが記憶されている。

記憶ユニット５２は、電気的にデータを書き換え可能な不揮発性メモリからなる。記憶ユニット５２は、基板Ｗに対する各処理の内容を規定するレシピを記憶するレシピ記憶部５４と、スピンチャック５に保持されている基板Ｗの周方向の各周端位置における回転軸線Ａ１に対する径方向ＲＤの位置（以下、「各周端径方向位置」という。）に関する位置情報を記憶する各周端径方向位置記憶部５９と、外周部処理工程（Ｓ５，Ｓ６）における基板Ｗの回転速度（処理回転速度）と処理液ノズル１９の処理位置（着液位置４５）との対応関係を規定する回転速度−処理位置対応テーブル１０７（第１の対応関係規定情報。図８参照）を記憶する情報記憶部（第１の情報記憶部）５５とを含む。レシピ記憶部５４に記憶されるレシピには、外周部処理工程（Ｓ５，Ｓ６）における処理条件（たとえば、処理液の種類（薬液かリンス液か、あるいは薬液の種類）や、処理回転速度、所望の処理幅等））が定められている。

制御装置３には、スピンモータ１８、第１〜第３のノズル移動機構２４，３０，３４、ヒータ１１の加熱源、薬液バルブ２１、リンス液バルブ２３、第１の気体バルブ２９、第２の気体バルブ３３、第３の気体バルブ３８、流量調整バルブ１０１，１０２等が制御対象として接続されている。制御装置３は、スピンモータ１８、第１〜第３のノズル移動機構２４，３０，３４、およびヒータ１１の動作を制御する。また、制御装置３は、バルブ２１，２３，２９，３３，３８等を開閉する。また、制御装置３は、流量調整バルブ１０１，１０２の開度を調整する。

また、制御装置３には、径方向位置センサ４７の検出出力が入力されるようになっている。
図８は、情報記憶部５５に記憶されている回転速度−処理位置対応テーブル１０７を説明するための図である。
回転速度−処理位置対応テーブル１０７には、基板Ｗの回転速度（処理回転速度）と、各回転速度に対応する、処理液ノズル１９の処理位置（径方向ＲＤの位置）との対応関係が規定されている。回転速度−処理位置対応テーブル１０７によって規定される「処理位置」は、処理液ノズル１９の処理位置の位置情報そのものであってもよいし、処理液ノズル１９を駆動する第１のノズル移動機構２４を構成するモータの駆動値であって、当該処理液ノズル１９の処理位置に対応する駆動値であってもよい。

一般的に、基板Ｗの回転速度が遅くなるに従って、着液位置液幅Ｗ１が広くなる傾向にある。一方、処理液ノズル１９の処理位置（基準となる処理位置）が径方向ＲＤの内方に向かうに従って、着液位置液幅Ｗ１が広くなる（すなわち処理液が内側に膨らむ）傾向にある。そのため、処理回転速度が速くなるに従って処理液ノズル１９の処理位置（基準となる処理位置）を径方向ＲＤの内方寄りに配置すれば、着液位置液幅Ｗ１を所期の幅に保つことが可能である。回転速度−処理位置対応テーブル１０７には、処理回転速度と、処理液ノズル１９の処理位置とが、基板Ｗの回転速度が速くなるに従って処理液ノズル１９の処理位置が径方向ＲＤの内方寄りに配置するように規定されている。換言すると、回転速度−処理位置対応テーブル１０７では、処理液が着液位置４５において内側に膨らむことを考慮して、処理回転速度と、処理液ノズル１９の処理位置との関係が規定されている。

回転速度−処理位置対応テーブル１０７は、処理液の液種（または膜種）毎に用意されており、情報記憶部５５には、互いに異なる液種（または膜種）用の複数の回転速度−処理位置対応テーブル１０７が記憶されている。
また、回転速度−処理位置対応テーブル１０７は、処理幅（着液位置液幅Ｗ１）毎に用意されており、情報記憶部５５には、互いに異なる処理幅用の複数の回転速度−処理位置対応テーブル１０７が記憶されている。

図９は、処理ユニット２によって実行される第１の基板処理例を説明するための流れ図である。図１０は、各周端径方向位置計測工程（Ｓ４）の内容を説明するための流れ図である。図１１は、外周部処理工程（Ｓ５，Ｓ６）の内容を説明するための流れ図である。図１２および図１３は、外周部処理工程（Ｓ５，Ｓ６）の内容を説明するための模式的な図である。図１４Ａ，１４Ｂは、外周部処理工程（Ｓ５，Ｓ６）における処理液ノズル１９の状態を模式的に示す図である。図１５は、第１の基板処理例における基板Ｗの上面の外周領域４２の処理幅を示す平面図である。

この第１の基板処理例について、図１、図２、図３、および図７〜図９を参照しながら説明する。図１０〜図１５は適宜参照する。
まず、未処理の基板Ｗが、処理チャンバ４の内部に搬入される（図９のＳ１）。具体的には、基板Ｗを保持している搬送ロボットＣＲのハンドＨを処理チャンバ４の内部に進入させることにより、基板Ｗがデバイス形成面を上方に向けた状態でスピンチャック５に受け渡される。

その後、基板Ｗの下面中央部が吸着支持されると、スピンチャック５によって基板Ｗが保持される（基板保持工程。図９のＳ２）。この実施形態では、センタリング機構を用いた、スピンチャック５に対する基板Ｗの芯合わせは行わない。
スピンチャック５に基板Ｗが保持された後、制御装置３はスピンモータ１８を制御して、基板Ｗを回転開始させる（図９のＳ３）。

次いで、制御装置３は、スピンチャック５に保持されている基板Ｗの各周端径方向位置を計測する各周端径方向位置計測工程（図９のＳ４）を実行する。図１０を併せて参照しながら、各周端径方向位置計測工程（Ｓ４）について説明する。
各周端径方向位置計測工程（Ｓ４）では、制御装置３は、基板Ｗの回転速度を、所定の計測回転速度（次に述べる液処理速度よりも遅い速度。たとえば約５０ｒｐｍ）まで上昇させ、その計測回転速度に保つ（図１０のＳ１１）。基板Ｗの回転が計測回転速度に達すると（Ｓ１１でＹＥＳ）、制御装置３は、径方向位置センサ４７を用いて各周端径方向位置を計測開始する（図１０のＳ１２）。具体的には、制御装置３は、スピンモータ１８を制御して基板Ｗを回転軸線Ａ１まわりに回動させながら、径方向位置センサ４７によって、基板Ｗの周端面４４のうち所定の計測対象位置の径方向位置を検出させる。径方向位置センサ４７による検出開始後、基板Ｗが少なくとも一周（３６０°）回動し終えると（図１０のＳ１３でＹＥＳ）、全ての各周端径方向位置を検出したとして（ＹＥＳ）、計測が終了する（図１０のＳ１４）。これにより、スピンチャック５に対する基板Ｗの偏芯状態を検出することができる。制御装置３は、計測された各周端径方向位置に基づいて、着液位置４５の往復移動に関する情報（たとえば、往復移動の振幅、周期および位相）を算出する（図１０のＳ１５）。算出された情報は、各周端径方向位置記憶部５９に記憶される（図１０のＳ１６）。その後、各周端径方向位置計測工程（Ｓ４）は、終了する。各周端径方向位置計測工程（Ｓ４）の実行時間は、たとえば約５秒間である。

各周端径方向位置計測工程（Ｓ４）の終了後、次いで、制御装置３は、基板Ｗの外周部４１を、薬液を用いて処理する外周部薬液処理工程（外周部処理工程。図９のＳ５）を実行する。外周部薬液処理工程（Ｓ５）は、基板Ｗの回転が所定の回転速度（約３００ｒｐｍ〜約１３００ｒｐｍの所定の速度）にある状態で実行される。また、外周部薬液処理工程（Ｓ５）に並行して、制御装置３は、基板Ｗの上面の外周領域４２における薬液の着液位置４５を、基板Ｗの回転角度位置に伴う配置位置周端４６の径方向位置変化に追従して径方向ＲＤに往復移動させる着液位置往復移動工程（第２の内周端位置調整工程）を実行する。

図１１を併せて参照しながら、外周部薬液処理工程（Ｓ５）について説明する。
外周部薬液処理工程（Ｓ５）では、制御装置３の演算ユニット５１は、レシピ記憶部５４（図８参照）に記憶されているレシピを参照して、外周部薬液処理工程（Ｓ５）における基板Ｗの回転速度（処理回転速度）を取得する。そして、制御装置３は、スピンモータ１８を制御して基板Ｗの回転速度を、所定の処理回転速度に設定する（図１１のＳ３１）。

また、制御装置３の演算ユニット５１は、レシピ記憶部５４（図８参照）に記憶されているレシピを参照して、外周部薬液処理工程（Ｓ５）において使用する薬液の種類（処理液の種類）および外周部薬液処理工程（Ｓ５）において必要な処理幅を取得する。そして、演算ユニット５１は、情報記憶部５５に記憶されている回転速度−処理位置対応テーブル１０７（図８参照）のうち今回の薬液の種類や今回の処理幅に対応する回転速度−処理位置対応テーブル１０７を参照して、設定された処理回転速度に対応する処理液ノズル１９の処理位置（径方向ＲＤの位置）を決定する（図１１のＳ３２）。そして、制御装置３は、決定した処理位置に処理液ノズル１９を配置する（図１１のＳ３３）。

基板Ｗの回転が処理回転速度に達すると、制御装置３は、リンス液バルブ２３を閉じながら薬液バルブ２１を開くことにより、処理液ノズル１９の処理液吐出口１９ａから薬液を吐出開始させる（図１１のＳ３４）。処理液の吐出開始前の状態において、薬液流量調整バルブ１０１は予め定める開度に調整されている。これにより、図３に示すように、基板Ｗの上面の外周領域４２に薬液が着液して薬液の液膜ＬＦが形成される。このときの薬液の液膜ＬＦの幅（着液位置液幅Ｗ１）は、予め定めされた幅と整合している。ゆえに、着液位置液幅Ｗ１を良好に制御できる。

制御装置３は、図１２および図１３に示すように、前述の着液位置往復移動工程（Ｓ３５）を実行する。具体的には、制御装置３は、各周端径方向位置記憶部５９に記憶されている情報（振幅、周期および位相（各周端径方向位置計測工程（Ｓ４）の計測結果））に基づいて、配置位置周端４６の位置変化と同じ振幅、同じ周期、かつ同じ位相で着液位置４５が移動するように処理液ノズル１９を往復移動させる。なお、この明細書において、「着液位置４５を往復移動」とは、基板Ｗを基準とした往復移動ではなく、静止状態にある物体（たとえば処理チャンバ４の隔壁１３）を基準した往復移動のことをいう。

このとき、決定された処理液ノズル１９の処理位置を基準位置として、処理液ノズル１９を往復移動させる。つまり、着液位置往復移動工程（図１１のＳ３５）と、内周端位置調整工程（処理液ノズル１９の処理位置の調整に伴う、処理液の液膜ＬＦの内周端３０１の位置の制御）とが並行して行われる。具体的には、制御装置３の演算ユニット５１は、各周端径方向位置記憶部５９に記憶されている情報（振幅、周期および位相）に基づいて算出されるノズル駆動信号の径方向の位置情報を、回転速度−処理位置対応テーブル１０７に規定された処理位置を基準として補正し、その補正後の駆動信号を第１のノズル移動機構２４に入力することにより、処理液ノズル１９を往復移動させる。

図１４Ａ，１４Ｂに示すように、偏芯している基板Ｗの回転に伴って、配置位置周端４６が図１４Ａに示す実線で位置（図１４Ｂに破線で示す位置）と、図１４Ｂに実線で示す位置との間で移動している。このとき、着液位置４５と配置位置周端４６との径方向ＲＤの距離を一定に保ちながら、つまり、処理液の液膜ＬＦの内周端３０１の位置と配置位置周端４６との径方向ＲＤの距離を一定に保つことができる。これにより、基板Ｗの偏芯状態によらずに、着液位置液幅Ｗ１を、基板Ｗの処理回転速度に対応する一定の幅に保つことができる。その結果、図１５に示すように、基板Ｗの上面の外周領域４２における処理幅の均一性を高く保つことができる。

薬液の吐出開始から予め定める期間が経過すると（図１１のＳ３６でＹＥＳ）、制御装置３は、薬液バルブ２１を閉じる。これにより、処理液ノズル１９からの薬液の吐出が停止（終了）する（図１１のＳ３７）。
また、外周部薬液処理工程（Ｓ５）では、ヒータ１１の熱源がオンされて、ヒータ１１によって、基板Ｗの下面の外周領域４３が加熱される。これにより、外周部薬液処理の処理速度を高めている。また、外周部薬液処理工程（Ｓ５）では、処理位置に配置される気体吐出ノズル２７から吐出される不活性ガスによって、中央部から外周部４１に向けて流れる放射状気流が基板Ｗの上方に形成される。この放射状気流によって、デバイス形成領域である基板Ｗの上面中央部が保護される。また、外周部薬液処理工程（Ｓ５）では、基板の上面の外周領域４２において、処理液ノズル１９の処理位置とは異なる周方向位置に設定された処理位置に位置する上外周部気体ノズル３１から基板Ｗの上面の外周領域４２の吹き付け位置に対し不活性ガスが吹き付けられる。この不活性ガスの吹き付けにより、基板Ｗの上面の外周領域４２における薬液の処理幅を、基板Ｗの周方向の複数位置において制御することができる。また、外周部薬液処理工程（Ｓ５）では、処理位置に位置する下外周部気体ノズル３６から基板Ｗの下面の外周領域４３の吹き付け位置に対し不活性ガスが吹き付けられる。この不活性ガスの吹き付けにより、基板Ｗの下面への薬液の回り込みを防止することができる。

外周部薬液処理工程（Ｓ５）の終了後、次いで、制御装置３は、基板Ｗの外周部４１を、リンス液を用いて処理する外周部リンス液処理工程（外周部処理工程。図９のＳ６）を実行する。外周部リンス液処理工程（Ｓ６）は、基板Ｗの回転が所定の回転速度（約３００ｒｐｍ〜約１３００ｒｐｍの所定の速度）にある状態で実行される。また、外周部リンス液処理工程（Ｓ６）に並行して、制御装置３は、基板Ｗの上面の外周領域４２におけるリンス液の着液位置４５を、基板Ｗの回転角度位置に伴う配置位置周端４６の径方向位置変化に追従して径方向ＲＤに往復移動させる着液位置往復移動工程を実行する。図１１を併せて参照しながら、外周部リンス液処理工程（Ｓ６）について説明する。

外周部リンス液処理工程（Ｓ６）では、制御装置３の演算ユニット５１は、レシピ記憶部５４（図８参照）に記憶されているレシピを参照して、外周部リンス液処理工程（Ｓ６）における基板Ｗの回転速度（処理回転速度）を取得する。そして、制御装置３は、スピンモータ１８を制御して基板Ｗの回転速度を、所定の処理回転速度に設定する（Ｓ３１）。

また、制御装置３の演算ユニット５１は、レシピ記憶部５４（図８参照）に記憶されているレシピを参照して、外周部リンス液処理工程（Ｓ６）において必要な処理幅を取得する。そして、演算ユニット５１は、情報記憶部５５に記憶されている回転速度−処理位置対応テーブル１０７（図８参照）のうちこれらリンス液や処理幅に対応する回転速度−処理位置対応テーブル１０７を参照して、設定された処理回転速度に対応する処理液ノズル１９の処理位置（径方向ＲＤの位置）を決定する（図１１のＳ３２）。そして、制御装置３は、決定した処理位置（径方向ＲＤの位置）に処理液ノズル１９を配置する（図１１のＳ３３）。

基板Ｗの回転が処理回転速度に達すると、制御装置３は、薬液バルブ２１を閉じながらリンス液バルブ２３を開くことにより、処理液ノズル１９の処理液吐出口１９ａからリンス液を吐出開始させる（図１１のＳ３４）。処理液の吐出開始前の状態において、リンス液流量調整バルブ１０２は予め定める開度に調整されている。これにより、図３に示すように、基板Ｗの上面の外周領域４２にリンス液が着液してリンス液の液膜ＬＦが形成され、着液位置液幅Ｗ１を良好に制御できる。

また、制御装置３は、図１２および図１３に示すように、前述の着液位置往復移動工程（Ｓ３５）を実行する。着液位置往復移動工程（Ｓ３５）については、外周部薬液処理工程（Ｓ５）において説明済みであるので、その説明を省略する。
また、外周部リンス液処理工程（Ｓ６）では、処理位置に位置する気体吐出ノズル２７から吐出される不活性ガスによって、中央部から外周部４１に向けて流れる放射状気流が基板Ｗの上方に形成される。また、外周部リンス液処理工程（Ｓ６）では、処理位置に位置する上外周部気体ノズル３１から基板Ｗの上面の外周領域４２の吹き付け位置に対し不活性ガスが吹き付けられる。また、外周部リンス液処理工程（Ｓ６）では、処理位置に位置する下外周部気体ノズル３６から基板Ｗの下面の外周領域４３の吹き付け位置に対し不活性ガスが吹き付けられる。外周部リンス液処理工程（Ｓ６）では、ヒータ１１の熱源がオンされて、基板Ｗの下面の外周領域４３が、ヒータ１１によって加熱されてもよいし、加熱されなくてもよい。

その後、制御装置３は、第１のノズル移動機構２４を制御して、処理液ノズル１９をスピンチャック５の側方の退避位置へと戻す。
次いで、基板Ｗを乾燥させるスピンドライ（図９のＳ７）が行われる。具体的には、制御装置３はスピンモータ１８を制御して、各処理工程Ｓ２〜Ｓ６における回転速度よりも大きい乾燥回転速度（たとえば数千ｒｐｍ）まで基板Ｗを加速させ、その乾燥回転速度で基板Ｗを回転させる。また、これにより、大きな遠心力が基板Ｗ上の液体に加わり、基板Ｗの外周部に付着している液体が基板Ｗの周囲に振り切られる。このようにして、基板Ｗの外周部から液体が除去され、基板Ｗの外周部が乾燥する。

基板Ｗの高速回転の開始から所定期間が経過すると、制御装置３は、スピンモータ１８を制御することにより、スピンチャック５による基板Ｗの回転を停止させる。
その後、処理チャンバ４内から基板Ｗが搬出される（図９のＳ８）。具体的には、制御装置３は、搬送ロボットＣＲのハンドを処理チャンバ４の内部に進入させる。そして、制御装置３は、搬送ロボットＣＲのハンドにスピンチャック５上の基板Ｗを保持させる。その後、制御装置３は、搬送ロボットＣＲのハンドを処理チャンバ４内から退避させる。これにより、処理後の基板Ｗが処理チャンバ４から搬出される。

以上により、この第１の実施形態によれば、処理液の液膜ＬＦの内周端３０１の位置は、基板Ｗの回転速度に依存している。外周部処理工程（Ｓ５，Ｓ６）において、基板Ｗの回転速度（処理回転速度）に応じて処理液ノズル１９の、基準となる処理位置を調整すること（内周端位置調整工程の実行）により、処理液の液膜ＬＦの内周端３０１の位置を、外周部処理工程（Ｓ５，Ｓ６）における基板Ｗの回転速度（処理回転速度）に対応する位置に調整することができる。この場合、着液位置液幅Ｗ１を、処理回転速度に適した幅に調整することも可能である。そのため、基板Ｗの回転速度の如何によらずに、着液位置液幅Ｗ１を精密に制御することができる。これにより、基板Ｗの回転速度によらずに、基板Ｗの上面の外周領域４２における処理幅を精密に制御することができる。

次に第２の実施形態について説明する。図１６は、第２の実施形態に係る情報記憶部（第２の情報記憶部）５５に記憶されている回転速度−吐出流量対応テーブル（第２の対応関係規定情報）２０７を説明するための図である。
回転速度−吐出流量対応テーブル２０７には、外周部処理工程（Ｓ５，Ｓ６）における基板Ｗの回転速度（処理回転速度）と、各回転速度に対応する、処理液ノズル１９から着液位置４５に吐出される処理液の吐出流量との対応関係が規定されている。回転速度−吐出流量対応テーブル２０７によって規定される「処理液の吐出流量」は、吐出流量そのものであってもよいし、流量調整バルブ１０２の開度であってもよい。

一般的に、基板Ｗの回転速度が遅くなるに従って、着液位置液幅Ｗ１が広くなる傾向にある。一方、着液位置４５への処理液の吐出流量が大流量になるに従って、着液位置液幅Ｗ１が広くなる（すなわち処理液が内側に膨らむ）傾向にある。そのため、処理回転速度が速くなるに従って吐出流量を増大させれば、着液位置液幅Ｗ１を所期の幅に保つことが可能である。回転速度−吐出流量対応テーブル２０７には、処理回転速度と、各処理回転速度に対応する処理液の吐出流量とが、基板Ｗの回転速度が速くなるに従って吐出流量が増大するように、規定されている。換言すると、回転速度−対応テーブル２０７では、処理液が着液位置４５において内側に膨らむことを考慮して、処理回転速度と、処理液の吐出流量との関係が規定されている。

回転速度−吐出流量対応テーブル２０７は、処理液の液種（または膜種）毎に用意されており、情報記憶部５５には、互いに異なる液種（または膜種）用の複数の回転速度−吐出流量対応テーブル２０７が記憶されている。
また、回転速度−吐出流量対応テーブル２０７は、処理幅（着液位置液幅Ｗ１）毎に用意されており、情報記憶部５５には、互いに異なる処理幅用の複数の回転速度−吐出流量対応テーブル２０７が記憶されている。

図１７は、第２の実施形態に係る第２の基板処理例に係る外周部処理工程（Ｓ５，Ｓ６）の内容を説明するための流れ図である。第２の実施形態に係る第２の基板処理例は、外周部処理工程（Ｓ５，Ｓ６）において、第１の実施形態に係る第１の基板処理例と相違する。第２の基板処理例に係る外周部処理工程（Ｓ５，Ｓ６）について、第１の基板処理例と相違する部分のみ説明する。

外周部薬液処理工程（Ｓ５）では、制御装置３の演算ユニット５１は、レシピ記憶部５４（図８参照）に記憶されているレシピを参照して、外周部薬液処理工程（Ｓ５）における基板Ｗの回転速度（処理回転速度）を取得する。そして、制御装置３は、スピンモータ１８を制御して基板Ｗの回転速度を、所定の処理回転速度に設定する（図１７のＳ４０）。また、制御装置３は、処理液ノズル１９を、上面の処理位置（図３に示す位置）に配置する（図１７のＳ４１）。

また、制御装置３の演算ユニット５１は、情報記憶部５５に記憶されている回転速度−吐出流量対応テーブル２０７（図１６参照）のうち今回の薬液の種類や今回の処理幅に対応する回転速度−吐出流量対応テーブル２０７を参照して、設定された処理回転速度に対応する薬液の吐出流量（処理液ノズル１９からの吐出流量）を決定する（図１７のＳ４２）。そして、制御装置３は、薬液流量調整バルブ１０１を制御して、決定された吐出流量の薬液が処理液吐出口１９ａから吐出されるように、薬液流量調整バルブ１０１の開度を調整する（図１７のＳ４３）。

基板Ｗの回転が処理回転速度に達すると、制御装置３は、リンス液バルブ２３を閉じながら薬液バルブ２１を開くことにより、処理液ノズル１９の処理液吐出口１９ａから薬液を吐出開始させる（図１７のＳ４４）。これにより、図３に示すように、基板Ｗの上面の外周領域４２に薬液が着液して薬液の液膜ＬＦが形成される。このときの薬液の液膜ＬＦの幅（着液位置液幅Ｗ１）は、予め定めされた幅と整合している。ゆえに、着液位置液幅Ｗ１を良好に制御できる。

制御装置３は、図１２および図１３に示すように、着液位置往復移動工程（図１７のＳ４５）を実行する。着液位置往復移動工程（Ｓ４５）は、図１１のＳ３５の着液位置往復移動工程と同等の工程である。
薬液の吐出開始から予め定める期間が経過すると（図１７のＳ４６でＹＥＳ）、制御装置３は、薬液バルブ２１を閉じる。これにより、処理液ノズル１９からの薬液の吐出が停止（終了）する（図１７のＳ４７）。

また、外周部薬液処理工程（Ｓ５）では、前述の第１の実施形態の場合と同様、ヒータ１１による加熱が行われ、気体吐出ノズル２７から吐出される不活性ガスによって中央部から外周部４１に向けて流れる放射状気流が基板Ｗの上方に形成され、上外周部気体ノズル３１から基板Ｗの上面の外周領域４２に不活性ガスが吹き付けられ、かつ下外周部気体ノズル３６から基板Ｗの下面の外周領域４３の吹き付け位置に対し不活性ガスが吹き付けられる。

外周部リンス液処理工程（Ｓ６）では、制御装置３の演算ユニット５１は、レシピ記憶部５４（図８参照）に記憶されているレシピを参照して、外周部リンス液処理工程（Ｓ６）における基板Ｗの回転速度（処理回転速度）を取得する。そして、制御装置３は、スピンモータ１８を制御して基板Ｗの回転速度を、所定の処理回転速度に設定する（図１７のＳ４０）。また、制御装置３は、処理液ノズル１９を、処理位置（図３に示す位置）に配置する（図１７のＳ４１）。

また、制御装置３の演算ユニット５１は、情報記憶部５５に記憶されている回転速度−吐出流量対応テーブル２０７（図１６参照）のうちリンス液や今回の処理幅に対応する回転速度−吐出流量対応テーブル２０７を参照して、設定された処理回転速度に対応する処理液の吐出流量（処理液ノズル１９からの吐出流量）を決定する（図１７のＳ４２）。そして、制御装置３は、リンス液流量調整バルブ１０２を制御して、決定された吐出流量のリンス液が処理液吐出口１９ａから吐出されるように、リンス液流量調整バルブ１０２の開度を調整する（図１７のＳ４３）。

基板Ｗの回転が処理回転速度に達すると、制御装置３は、薬液バルブ２１を閉じながらリンス液バルブ２３を開くことにより、処理液ノズル１９の処理液吐出口１９ａからリンス液を吐出開始させる（図１７のＳ４４）。これにより、図３に示すように、基板Ｗの上面の外周領域４２にリンス液が着液してリンス液の液膜ＬＦが形成される。このときのリンス液の液膜ＬＦの幅（着液位置液幅Ｗ１）は、予め定めされた幅と整合している。ゆえに、着液位置液幅Ｗ１を良好に制御できる。

制御装置３は、図１２および図１３に示すように、着液位置往復移動工程（図１７のＳ４５）を実行する。着液位置往復移動工程（図１７のＳ４５）は、図１１のＳ３５の着液位置往復移動工程と同等の工程である。
リンス液の吐出開始から予め定める期間が経過すると（図１７のＳ４６でＹＥＳ）、制御装置３は、リンス液バルブ２３を閉じる。これにより、処理液ノズル１９からのリンス液の吐出が停止（終了）する（図１７のＳ４７）。

また、外周部リンス液処理工程（Ｓ６）では、気体吐出ノズル２７から吐出される不活性ガスによって中央部から外周部４１に向けて流れる放射状気流が基板Ｗの上方に形成され、上外周部気体ノズル３１から基板Ｗの上面の外周領域４２に不活性ガスが吹き付けられ、かつ下外周部気体ノズル３６から基板Ｗの下面の外周領域４３の吹き付け位置に対し不活性ガスが吹き付けられる。ヒータ１１による基板Ｗの下面の外周領域４３の加熱は、行われても行われなくてもよい。

以上により、この第２の実施形態によれば、基板Ｗの処理回転速度に応じて、処理液ノズル１９から吐出される処理液の吐出流量を調整することにより、処理液の液膜ＬＦの内周端３０１の位置を、外周部処理工程（Ｓ５，Ｓ６）における処理回転速度に対応する位置に調整することができる。処理液の液膜ＬＦの内周端３０１の位置を調整することにより、着液位置液幅Ｗ１を、処理回転速度に適した幅に調整することも可能である。そのため、基板Ｗの回転速度の如何によらずに、着液位置液幅Ｗ１を精密に制御することができる。これにより、基板Ｗの回転速度によらずに、基板Ｗの上面の外周領域４２における処理幅を精密に制御することができる。

図１８Ａおよび図１８Ｂは、第２の実施形態に係る第３の基板処理例の外周部処理工程（Ｓ５，Ｓ６）における処理液ノズル１９の状態を模式的に示す図である。
この第３の基板処理例が、前述の第２の基板処理例と異なる点は、外周部処理工程（Ｓ５，Ｓ６）において、着液位置往復移動工程（処理液ノズル１９の往復移動）を行わずに、処理液ノズル１９からの処理液の吐出流量を変化させることにより、処理液の液膜ＬＦの内周端３０１を、配置位置周端４６の位置変化に追従して往復移動させている点である。偏芯している基板Ｗの回転に伴って、配置位置周端４６が図１８Ａに示す実線で位置（図１８Ｂに破線で示す位置）と、図１８Ｂに実線で示す位置との間で移動する。この場合、制御装置３は、各周端径方向位置記憶部５９（図７参照）に記憶されている情報（振幅、周期および位相（各周端径方向位置計測工程（Ｓ４）の計測結果））に基づいて、配置位置周端４６の位置変化と同じ振幅、同じ周期、かつ同じ位相で処理液の液膜ＬＦの内周端３０１が移動するように、流量調整バルブ１０１，１０２を制御して、処理液ノズル１９の処理液吐出口１９ａから吐出される処理液の流量を調整する。これにより、処理液ノズル１９を移動させることなく、処理液の液膜ＬＦの内周端３０１と配置位置周端４６との距離を一定に保つことができる。その結果、基板Ｗの偏芯状態によらずに、基板Ｗの上面の外周領域４２における処理幅の均一性を高く保つことができる。ゆえに、処理液の液膜ＬＦの内周端３０１と配置位置周端４６との距離を一定に保つことができる。

また、第３の基板処理例では、着液位置往復移動工程（処理液ノズル１９の往復移動）を行わずに、処理液の液膜ＬＦの内周端３０１を、配置位置周端４６の位置変化に追従して往復移動させている。そのため、処理液ノズル１９を移動させる必要がない、そのため、処理液ノズル１９を移動させる駆動構成の簡素化を図ることも可能である。
以上、この発明の２つの実施形態について説明したが、この発明は他の形態で実施することもできる。

たとえば、処理液ノズル１９の処理位置（基準となる位置）の調整または処理液ノズル１９からの処理液の吐出流量の調整に伴う、処理液の液膜ＬＦの内周端３０１の位置の制御（内周端位置調整工程）を、外周部処理工程（Ｓ５，Ｓ６）における基板Ｗの処理回転速度が、予め定める速度（たとえば１３００ｒｐｍ）未満である場合にのみ実行し、当該処理回転速度が、予め定める速度（たとえば１３００ｒｐｍ）以上である場合には、制御装置３は、処理液ノズル１９の処理位置（基準となる位置）の調整または処理液ノズル１９からの処理液の吐出流量の調整を行わないようにしてもよい。処理回転速度が１３００ｒｐｍ未満である場合には、着液位置４５に着液した処理液が着液位置４５において膨らんで、基板Ｗの内側に広がるおそれがある。その一方で、処理回転速度が１３００ｒｐｍ以上である場合には、着液位置４５に着液した処理液は、基板Ｗの内側には広がらない。すなわち、処理液ノズル１９の処理位置（基準となる位置）の調整または処理液ノズル１９からの処理液の吐出流量の調整を、必要なときのみ実行することができる。

また、前述の各実施形態において、情報記憶部５５に、回転速度−処理位置対応テーブル１０７や回転速度−吐出流量対応テーブル２０７を記憶するとして説明したが、処理回転速度と処理液ノズル１９の処理位置との対応関係や、処理回転速度と処理液ノズル１９からの処理液の吐出流量との対応関係を表すマップを情報記憶部５５に記憶し、このマップに基づいて、処理液の液膜ＬＦの内周端３０１に対する処理液ノズル１９の処理位置（基準となる位置）の調整または処理液ノズル１９からの処理液の吐出流量の調整を実行するようにしてもよい。

また、第１の実施形態および第２の実施形態を組み合わせるようにしてもよい。すなわち、内周端位置調整工程において、処理回転速度に応じて、処理液ノズル１９の処理位置、および処理液ノズル１９から吐出される処理液の吐出流量の双方を調整するようにしてもよい。
また、たとえば、周端位置計測工程として、各周端径方向位置計測工程（Ｓ４）に代えて、基板Ｗの周方向の各周端位置における高さ位置である各周端高さ位置を計測する各周端高さ位置計測工程が実行されてもよい。この場合、スピンチャック５によって保持されている基板Ｗの周端の高さ位置を検出するための高さ位置センサ（位置センサ）が設けられており、高さ位置センサの検出出力に基づいて、各周端高さ位置が計測されるようになっていてもよい。また、位置センサに限られず、ＣＣＤカメラを用いて、基板Ｗの周方向の各周端位置を計測するようにしてもよい。

また、前述の各実施形態では、基板処理装置が円板状の基板Ｗを処理する装置である場合について説明したが、基板Ｗは周端の少なくとも一部が円弧状をなしていれば足り、必ずしも真円である必要はない。
着液位置４５を径方向ＲＤに往復移動させるための手法として、処理液ノズル１９を径方向ＲＤに往復移動させる手法を用いたが、これに代えて、処理液ノズル１９の吐出方向を変えたり、あるいは処理液ノズル１９の高さ位置変えたり、あるいは処理液ノズル１９の径方向ＲＤへの移動を組み合わせたりすることによって、着液位置４５を径方向ＲＤに往復移動させるようにしてもよい。

また、ノズル駆動機構として、処理液ノズル１９を、円弧軌跡を描きながら移動させるスキャンタイプのものを例に挙げたが、処理液ノズル１９として、直線状に移動させる直動タイプのものが採用されていてもよい。
また、前述の各実施形態では、基板Ｗの偏芯状態に拘りなく、基板Ｗの上面の外周領域４２における処理幅を均一にすべく、外周部処理工程（Ｓ５，Ｓ６）において配置位置周端４６の位置変化に追従して、処理液の着液位置４５や、処理液の液膜ＬＦの内周端３０１を往復移動させるようにした。しかしながら、本発明は、処理液の着液位置４５や、処理液の液膜ＬＦの内周端３０１を往復移動させるものに限られない。すなわち、処理幅を細幅に調整することを目的として、処理液ノズル１９からの処理液の吐出流量を変更することにより着液位置液幅Ｗ１を細く制御するものであってもよい。

また、処理液ノズル１９は、薬液およびリンス液の双方を吐出するものを例に挙げて説明したが、薬液を吐出するための処理液ノズル（薬液ノズル）と、リンス液を吐出するための処理液ノズル（リンス液ノズル）とが個別に設けられていてもよい。
その他、特許請求の範囲に記載された事項の範囲で種々の設計変更を施すことが可能で
ある。

１ ：基板処理装置
２ ：処理ユニット
３ ：制御装置
５ ：スピンチャック（基板保持ユニット）
１８ ：スピンモータ（基板回転ユニット）
１９ ：処理液ノズル
４１ ：外周部
４５ ：着液位置
４６ ：配置位置周端
４７ ：径方向位置センサ（各周端位置計測ユニット）
５５ ：情報記憶部（第１の情報記憶部、第２の情報記憶部）
１０１ ：薬液流量調整バルブ（吐出流量調整ユニット）
１０２ ：リンス液流量調整バルブ（吐出流量調整ユニット）
１０７ ：回転速度−処理位置対応テーブル（第１の対応関係規定情報）
２０７ ：回転速度−吐出流量対応テーブル（２の対応関係規定情報）
３０１ ：内周端
Ａ１ ：回転軸線
Ｗ ：基板
Ｗ１ ：着液位置液幅

Claims (17)

1. 周端の少なくとも一部が円弧状をなす基板を保持する基板保持ユニットと、
   前記基板保持ユニットによって保持されている基板を、当該基板の中央部を通る回転軸線まわりに回転させるための基板回転ユニットと、
   前記基板保持ユニットによって保持されている基板の外周部の所定の着液位置に向けて処理液を吐出するための処理液ノズルと、
   前記処理液ノズルを駆動するための処理液ノズル駆動ユニットと、
   前記処理液ノズルから吐出される処理液の吐出流量を調整するための吐出流量調整ユニットとを含み、
   前記基板回転ユニット、ならびに前記処理液ノズル駆動ユニットおよび前記吐出流量調整ユニットの少なくとも一方を制御して、前記基板保持ユニットによって保持されている前記基板を前記基板回転ユニットによって前記回転軸線まわりに所定の処理回転速度で回転させる基板回転工程と、前記基板回転工程に並行して、前記処理液ノズルから前記着液位置に向けて処理液を吐出する処理液吐出工程と、前記基板回転工程および前記処理液吐出工程に並行して、前記処理回転速度の高低に基づいて、前記処理液ノズル駆動ユニットによって前記基板における処理液の前記着液位置を制御して、および／または前記処理液ノズルから吐出される処理液の前記吐出流量を前記吐出流量調整ユニットによって制御して、前記着液位置に着液している処理液の内周端の位置を、前記処理回転速度に対応する位置に調整する内周端位置調整工程とを実行する制御装置とを含み、
   前記内周端位置調整工程は、前記着液位置を、前記処理回転速度の上昇に従って前記着液位置が前記基板の回転半径方向の内側に寄るように配置する工程、および／または前記処理液ノズルから吐出される処理液の前記吐出流量を前記処理回転速度の上昇に従って前記吐出流量が増大するように調整する工程を含む、基板処理装置。
2. 前記制御装置は、前記内周端位置調整工程において、前記処理液ノズル駆動ユニットを制御して、処理液の前記着液位置を、前記処理回転速度の上昇に従って前記着液位置が前記基板の回転半径方向の内側に寄るように配置する工程を実行する、請求項１に記載の基板処理装置。
3. 前記処理回転速度と処理液の前記着液位置との対応関係を規定する第１の対応関係規定情報を記憶する第１の情報記憶部をさらに含み、
   前記制御装置は、前記第１の対応関係規定情報に基づいて前記内周端位置調整工程を実行する、請求項２に記載の基板処理装置。
4. 前記基板保持ユニットは、前記基板の外周部を支持せずに当該基板の中央部を支持して当該基板を保持するユニットを含み、
   前記基板処理装置は、前記基板保持ユニットに保持されている基板の周方向の各周端位置を計測するための各周端位置計測ユニットをさらに含み、
   前記制御装置は、前記基板保持ユニットに保持されている基板の、周方向の各周端位置を計測する各周端位置計測工程と、前記基板の外周部における前記処理液ノズルからの処理液の前記着液位置が、前記基板の周端のうち当該処理液ノズルが配置されている周方向位置の周端である配置位置周端の位置変化に追従して往復移動するように前記処理液ノズルを駆動する着液位置往復移動工程とをさらに実行し、かつ前記内周端位置調整工程を、前記着液位置往復移動工程に並行して実行する、請求項２または３に記載の基板処理装置。
5. 前記制御装置は、前記内周端位置調整工程において、前記吐出流量調整ユニットを制御して処理液の前記吐出流量を前記処理回転速度の上昇に従って前記吐出流量が増大するように調整する吐出流量調整工程を実行する、請求項１〜４のいずれか一項に記載の基板処理装置。
6. 前記処理回転速度と処理液の前記吐出流量との対応関係を規定する第２の対応関係規定情報を記憶する第２の情報記憶部をさらに含み、
   前記制御装置は、前記第２の対応関係規定情報に基づいて前記内周端位置調整工程を実行する、請求項５に記載の基板処理装置。
7. 前記基板保持ユニットは、前記基板の外周部を支持せずに当該基板の中央部を支持して当該基板を保持するユニットを含み、
   前記基板処理装置は、前記基板保持ユニットに保持されている基板の周方向の各周端位置を計測するための各周端位置計測ユニットをさらに含み、
   前記制御装置は、前記基板保持ユニットに保持されている基板の、周方向の各周端位置を計測する各周端位置計測工程と、前記着液位置に着液している処理液の内周端が、前記基板の周端のうち前記処理液ノズルが配置されている周方向位置の周端である配置位置周端の位置変化に追従して往復移動するように、前記着液位置に着液している処理液の内周端の位置を調整する第２の内周端位置調整工程とをさらに実行する、請求項５または６に記載の基板処理装置。
8. 周端の少なくとも一部が円弧状をなす基板を保持する基板保持ユニットと、
   前記基板保持ユニットによって保持されている基板を、当該基板の中央部を通る回転軸線まわりに回転させるための基板回転ユニットと、
   前記基板保持ユニットによって保持されている基板の外周部の所定の着液位置に向けて処理液を吐出するための処理液ノズルと、
   前記基板回転ユニットを制御して、前記基板保持ユニットに保持されている前記基板を前記回転軸線まわりに所定の処理回転速度で回転させる基板回転工程と、前記基板回転工程に並行して、前記処理液ノズルから前記着液位置に向けて処理液を吐出する処理液吐出工程と、前記基板回転工程および前記処理液吐出工程に並行して、前記着液位置を制御してまたは前記処理液ノズルから吐出される処理液の吐出流量を制御して、前記着液位置に着液している処理液の内周端の位置を、前記処理回転速度に対応する位置に調整する内周端位置調整工程とを実行する制御装置とを含み、
   前記制御装置は、前記内周端位置調整工程において、
   前記着液位置を回転速度−処理位置対応テーブルを基準として制御し、前記吐出流量を回転速度−吐出流量対応テーブルを基準として制御し、
   前記基板の回転半径方向の前記処理液の液膜の幅を予め定められた幅に調整する、基板処理装置。
9. 前記制御装置は、前記処理回転速度が予め定める速度以上である場合に前記内周端位置調整工程を実行せず、前記処理回転速度が予め定める速度未満である場合に前記内周端位置調整工程を実行する、請求項１〜８のいずれか一項に記載の基板処理装置。
10. 前記処理液ノズルは、前記基板の外側かつ斜め下向きに処理液を吐出する、請求項１〜９のいずれか一項に記載の基板処理装置。
11. 周端の少なくとも一部が円弧状をなす基板を、当該基板の中央部を通る回転軸線まわりに、所定の処理回転速度で回転させる基板回転工程と、
    前記基板回転工程に並行して、前記基板の外周部の所定の着液位置に向けて処理液ノズルから処理液を吐出する処理液吐出工程と、
    前記基板回転工程および前記処理液吐出工程に並行して、前記処理回転速度の高低に基づいて、前記基板の外周部における処理液の前記着液位置および／または前記処理液ノズルから吐出される処理液の吐出流量を制御して、前記着液位置に着液している処理液の内周端の位置を、前記処理回転速度に対応する位置に調整する内周端位置調整工程とを含み、
    前記内周端位置調整工程は、前記着液位置を、前記処理回転速度の上昇に従って前記着液位置が前記基板の回転半径方向の内側に寄るように配置する工程、および／または前記処理液ノズルから吐出される処理液の前記吐出流量を前記処理回転速度の上昇に従って前記吐出流量が増大するように調整する工程を含む、基板処理方法。
12. 前記内周端位置調整工程は、処理液の着液位置を、前記処理回転速度の上昇に従って前記着液位置が前記基板の回転半径方向の内側に寄るように配置する工程を含む、請求項１１に記載の基板処理方法。
13. 前記基板処理方法は、前記基板の外周部を支持せずに当該基板の中央部を支持して当該基板を保持する基板保持ユニットを含む基板処理装置において実行される方法であって、
    前記基板処理方法は、
    前記基板保持ユニットに保持されている基板の、周方向の各周端位置を、各周端位置計測ユニットによって計測する各周端位置計測工程と、
    前記基板の外周部における前記処理液ノズルからの処理液の前記着液位置が、前記基板の周端のうち当該処理液ノズルが配置されている周方向位置の周端である配置位置周端の位置変化に追従して往復移動するように前記処理液ノズルを駆動する着液位置往復移動工程とをさらに含み、
    前記内周端位置調整工程は、前記着液位置往復移動工程に並行して実行される、請求項１１または１２に記載の基板処理方法。
14. 前記内周端位置調整工程は、処理液の前記吐出流量を前記処理回転速度の上昇に従って前記吐出流量が増大するように調整する吐出流量調整工程を含む、請求項１１〜１３のいずれか一項に記載の基板処理方法。
15. 前記基板処理方法は、前記基板の外周部を支持せずに当該基板の中央部を支持して当該基板を保持する基板保持ユニットを含む基板処理装置において実行される方法であって、
    前記基板処理方法は、
    前記基板保持ユニットに保持されている基板の、周方向の各周端位置を計測する各周端位置計測工程と、
    前記着液位置に着液している処理液の内周端が、前記基板の周端のうち前記処理液ノズルが配置されている周方向位置の周端である配置位置周端の位置変化に追従して往復移動するように、前記着液位置に着液している処理液の内周端の位置を調整する第２の内周端位置調整工程とをさらに含む、請求項１４に記載の基板処理方法。
16. 周端の少なくとも一部が円弧状をなす基板を、当該基板の中央部を通る回転軸線まわりに、所定の処理回転速度で回転させる基板回転工程と、
    前記基板回転工程に並行して、前記基板の外周部の所定の着液位置に向けて処理液ノズルから処理液を吐出する処理液吐出工程と、
    前記基板回転工程および前記処理液吐出工程に並行して、前記基板の外周部における処理液の前記着液位置または前記処理液ノズルから吐出される処理液の吐出流量を制御して、前記着液位置に着液している処理液の内周端の位置を、前記処理回転速度に対応する位置に調整する内周端位置調整工程とを含み、
    前記内周端位置調整工程は、
    前記着液位置を回転速度−処理位置対応テーブルを基準として制御し、
    前記吐出流量を回転速度−吐出流量対応テーブルを基準として制御し、
    前記基板の回転半径方向の前記処理液の液膜の幅を予め定められた幅に調整する、基板処理方法。
17. 前記内周端位置調整工程は、前記処理回転速度が予め定める速度以上である場合には実行されず、前記処理回転速度が予め定める速度未満である場合に実行される、請求項１１〜１６のいずれか一項に記載の基板処理方法。

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