JP2007220989A - 基板処理方法、基板処理装置、その制御プログラム及びコンピュータ読取可能な記憶媒体 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】ウエハWを水平状態に回転可能に保持するスピンチャック10と、スピンチャックによって保持されたウエハの表面にレジストを滴下するレジストノズル20と、ウエハの裏面に洗浄液を供給する裏面洗浄ノズル30と、スピンチャックの回転制御,レジストノズルのレジストの滴下・停止及び裏面洗浄ノズルの洗浄液の供給・停止を司ると共に、レジストの種類,粘度等による目標膜厚等を予め記憶するCPU50と、を具備する。CPUからの制御信号に基づいて、レジストを滴下したウエハを回転させてウエハ表面にレジストが広げられた後であって、レジスト膜が乾燥する前に、裏面洗浄ノズルからウエハの裏面に洗浄液を供給するように形成する。
【選択図】 図1
Description
第1実施形態は、ウエハWが300mmで、レジストの乾燥時間が15秒の場合について説明する。
第2実施形態は、ウエハWが300mmで、レジストの乾燥時間が30秒の場合について説明する。
上記実施形態では、ウエハWが300mmでレジスト膜の乾燥時間が15秒と30秒の場合について説明したが、この発明は、一般に使用されているレジストの膜乾燥時間が15〜30秒のいずれの場合にも適用でき、また、300mm以外のウエハ例えば200mmウエハにおいても、各工程時のウエハWの回転数は異なっても、同様に適用できる。
12 モータ
20 レジストノズル(塗布液供給手段)
21 溶剤ノズル
28 ノズル移動機構
30 裏面洗浄ノズル(洗浄液供給手段)
40 カップ(容器)
47 排気ポンプ(強制排気手段)
50 コンピュータ(制御手段)
60 気流制御板
62 通気孔
70 温度調整器(温度調整手段)
80 温度センサ(温度検出手段)
V1〜V4 開閉弁
W 半導体ウエハ(被処理基板)
L 洗浄液
R レジスト(塗布液)
Claims (14)
- 被処理基板の表面に塗布膜を形成する処理を行う基板処理方法において、
塗布液を滴下した被処理基板を回転させて被処理基板表面に塗布液を広げて塗布膜を形成する塗布工程と、
上記被処理基板を回転させて被処理基板に塗布された塗布膜を乾燥する塗布膜乾燥工程と、
回転する上記被処理基板の裏面に洗浄液を供給して被処理基板の裏面に付着する塗布液を除去する裏面洗浄工程と、
上記被処理基板を回転させて被処理基板に供給された洗浄液を除去する洗浄液乾燥工程と、を有し、
上記裏面洗浄工程を、上記被処理基板表面に上記塗布液が広げられた後であって、塗布膜が乾燥する前に開始する、
ことを特徴とする基板処理方法。 - 請求項1記載の基板処理方法において、
上記裏面洗浄工程の開始時点が、被処理基板表面に塗布される塗布膜の目標膜厚に対するずれが0.2%以内に達する前である、ことを特徴とする基板処理方法。 - 請求項1又は2記載の基板処理方法において、
上記裏面洗浄工程の開始時点を、塗布膜の乾燥時間が15〜30秒である場合に対応させて、被処理基板に塗布液を滴下した時点から10〜25秒以内とする、ことを特徴とする基板処理方法。 - 請求項1ないし3のいずれかに記載の基板処理方法において、
上記裏面洗浄工程における洗浄液の供給を、被処理基板の周縁から40mm以内の領域に行う、ことを特徴とする基板処理方法。 - 請求項1ないし4のいずれかに記載の基板処理方法において、
上記裏面洗浄工程における洗浄液の温度を、塗布処理部の雰囲気温度より1.0〜5.0℃低い温度とする、ことを特徴とする基板処理方法。 - 請求項1ないし5のいずれかに記載の基板処理方法において、
上記洗浄液乾燥工程は、上記塗布膜乾燥工程及び裏面洗浄工程における被処理基板の回転数と同じ回転数で行う、ことを特徴とする基板処理方法。 - 被処理基板を水平状態に回転可能に保持する保持手段と、
上記保持手段によって保持された被処理基板の表面に塗布液を滴下する塗布液供給手段と、
上記被処理基板の裏面に洗浄液を供給する洗浄液供給手段と、
上記保持手段の回転制御,上記塗布液供給手段の塗布液の滴下・停止及び上記洗浄液供給手段の洗浄液の供給・停止を司ると共に、塗布液の種類,粘度等による目標膜厚等を予め記憶する制御手段と、を具備し、
上記制御手段からの制御信号に基づいて、上記塗布液を滴下した被処理基板を回転させて被処理基板表面に塗布液が広げられた後であって、塗布膜が乾燥する前に、上記洗浄液供給手段から被処理基板の裏面に洗浄液を供給するように形成してなる、
ことを特徴とする基板処理装置。 - 請求項7記載の基板処理装置において、
上記洗浄液供給段から洗浄液を供給する開始時点が、被処理基板表面に塗布される塗布膜の目標膜厚に対するずれが0.2%以内に達する前である、ことを特徴とする基板処理装置。 - 請求項7又は8記載の基板処理装置において、
上記洗浄液供給手段から洗浄液を供給する開始時点を、塗布膜の乾燥時間が15〜30秒である場合に対応させて、被処理基板に塗布液を滴下した時点から10〜25秒以内とする、ことを特徴とする基板処理装置。 - 請求項7ないし9のいずれかに記載の基板処理装置において、
上記保持手段を収容し、かつ、底部には強制排気手段に接続する排気口を有する容器と、
上記容器内に配設され、被処理基板の外周を包囲し、被処理基板付近の気流を制御すべく、少なくとも被処理基板と対向する側を該被処理基板と略同じ高さに位置させ、被処理基板から離れるに従って漸次下方に向けて厚みが増大する気流制御板と、を更に具備し、
洗浄液供給手段から上記被処理基板の周縁から40mm以内の領域に洗浄液を供給可能に形成してなる、ことを特徴とする基板処理装置。 - 請求項7ないし10のいずれかに記載の基板処理装置において、
上記保持手段を収容する処理室内の温度を検出し、その検出温度を制御手段に伝達する温度検出手段と、
上記制御手段からの制御信号に基づいて洗浄液の温度を調整する温度調整手段と、を更に具備し、
上記制御手段からの制御信号に基づいて被処理基板の裏面に供給する洗浄液の温度を、処理雰囲気温度より1.0〜5.0℃低い温度に設定可能に形成してなる、ことを特徴とする基板処理装置。 - 請求項7ないし11のいずれかに記載の基板処理装置において、
上記制御手段からの制御信号に基づいて、洗浄液乾燥時における被処理基板の回転数と、塗布膜乾燥時及び裏面洗浄時における被処理基板の回転数とを同じ回転数とするように形成してなる、ことを特徴とする基板処理装置。 - コンピュータ上で動作し、実行時に請求項1ないし6のいずれか1項に記載の方法が行われるように、コンピュータに基板処理装置を制御させる、ことを特徴とする基板処理用制御プログラム。
- コンピュータ上で動作する制御プログラムが記憶されたコンピュータ読取可能な記憶媒体であって、
上記制御プログラムは、実行時に請求項1ないし6のいずれか1項に記載の方法が行われるように、コンピュータに基板処理装置を制御させる、ことを特徴とするコンピュータ読取可能な基板処理用記憶媒体。
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