CN102569133A - 液体处理装置及液体处理方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供液体处理装置及液体处理方法。即使提高基板的转速且以低排气量进行处理杯内的排气，也能够抑制排气气流的逆流，抑制雾沫再次附着于基板。该抗蚀剂涂敷装置在形成有下降气流的处理杯(33)中对旋转的晶圆(W)涂敷抗蚀液，其中，包括：上侧引导部(70)，其在保持于处理杯(33)的旋转吸盘(31)上的晶圆(W)的外周附近，以隔着间隙包围该晶圆(W)的方式设置为环状，其内周面的纵截面形状向外侧鼓起地弯曲而向下方延伸；下侧引导部(45)，其由从上述晶圆(W)的周缘部下方向外侧下方倾斜的倾斜壁(41)、和与该倾斜壁(41)连续且向下方垂直延伸的垂直壁(42)构成。

Description

液体处理装置及液体处理方法
本申请是申请日为2010年3月4日、申请号为2010101268495、发明名称为“液体处理装置及液体处理方法”的申请的分案申请。
技术领域
本发明涉及例如将半导体晶圆等基板保持在设置于处理杯内的基板保持部、在从喷嘴向基板供给处理液体、并且一边使基板旋转一边进行液体处理的液体处理装置及液体处理方法。
背景技术
在对半导体晶圆(以下称作“晶圆”)实施的光刻工序中，进行用于在晶圆的表面形成抗蚀剂膜的抗蚀剂涂敷处理，在该涂敷处理的方法中例如存在旋涂法。例如图17所示，采用旋涂法的抗蚀剂涂敷装置包括吸附保持晶圆W的旋转吸盘11、使该旋转吸盘11旋转的旋转驱动部12、向晶圆W供给抗蚀液的抗蚀剂喷嘴15、和包围上述旋转吸盘11的、在下部连接有废液通路13、排气管14的处理杯20。
另外，在上述处理杯20中设有自晶圆W的周缘部下方向外侧下方倾斜的环状的下侧引导部21，并且，自晶圆W的周缘附近隔有间隙朝向斜下方地设有环状的上侧引导部22，在上侧引导部22的上方还设有环状的外侧引导部23。上述下侧引导部21与上侧引导部22之间形成环状流路24。如图17及18所示，在上侧引导部22中，沿着圆周方向形成有多个开口部25，将由外侧引导部23和上侧引导部22包围的空间与上述环状流路24连通。
上述排气管14在上游侧通过减震器14a连接于工厂排气管道(包括设置在工厂内的排气通路在内的排气系统)，利用减震器14a的开闭程度能够以使处理杯20的气氛为高排气(排气压力较高、排气量较多的状态)或者低排气(排气压力较低、排气量较少的状态)这两个级别的排气量进行。高排气以回收喷出抗蚀剂时的雾沫为目的设定，低排气以回收烘干抗蚀剂时的雾沫为目的设定。在烘干抗蚀剂时以低排气进行排气的理由在于，在以高排气进行排气时，有可能对膜厚的均匀性产生不良影响。
接着，简单说明采用该抗蚀剂涂敷装置进行的抗蚀剂涂敷工序。上述抗蚀剂涂敷装置内，利用风机过滤单元(FFU)17形成下行流，例如自抗蚀剂喷嘴15向旋转着的晶圆W的中心涂敷抗蚀剂，之后进行旋转烘干。在该工序中，自晶圆W飞散的抗蚀剂的一部分利用自重在下侧引导部21中传递而自废液通路13被排出到外部。另外，成为雾沫的抗蚀剂乘载于通过上述开口部25流动的下降气流、及由旋转着的晶圆W产生的气流，在环状流路24中流动，自排气管14被吸引排出。
但是，以往，一边使晶圆W旋转、一边向晶圆W的背面侧供给作为清洗液的溶剂而进行所谓的背面清洗，但要求除去附着在晶圆W的正面侧及背面侧的斜面(bevel)部的抗蚀剂，而且，正确地控制抗蚀剂膜的周缘与晶圆W的周缘的分离尺寸、换言之即是抗蚀剂的切入宽度。因此，如专利文献1所述，公知有在晶圆W的背面周缘部的附近下方，自嵌合于内侧引导部21的喷嘴朝向晶圆W背面侧的斜面部喷出清洗液(溶剂)的技术。而且，在清洗该斜面时，为了将喷出的清洗液从背面侧的斜面部经由正面侧的斜面部推上至比晶圆W的正面侧周缘靠内方一些的位置，需要将晶圆W的转速设定为例如2500rpm左右的高旋转。如图17所示，上述斜面清洗喷嘴嵌入于下侧引导部21，在该斜面清洗工序中，为了使清洗液到达晶圆W的正面周缘部，使该晶圆W的转速大于以往的转速。
另一方面，近年来，随着生产效率的提高，安装于半导体制造装置的处理杯20的数量增加，自多个处理杯20排出的总排气量增大。结果，提高了工厂的运营费用，也有可能对环境产生不良影响。并且，在抗蚀剂涂敷装置中，鉴于排气系统的控制复杂这样的理由，难以将上述排气系统做成两个级别以上(例如高排气、中排气、低排气这样的三个级别)，在喷出抗蚀剂时，通过以高排气进行排气来回收飞散的抗蚀剂雾沫，为了在除喷出抗蚀剂时之外的情况下(包括清洗斜面时在内)抑制排气量增大，不得不以低排气进行排气。
因而，在斜面清洗工序中，晶圆W的转速变大，由该晶圆W的旋转产生的气流的流速增大，但由于处理杯20的排气量被设定为低排气，因此，会导致进入到环状流路24中的空气量大于排气的容量。但是，环状流路24中的垂直部分为了在周向上均匀地排气，其间隔被设定得较窄，因此，如图19所示，流入到环状流路24中的倾斜部分的气流的一部分作为所谓的过剩量的空气在上述开口部25中自下朝上地逆流，从处理杯20的开口部流向外部。此时，自斜面清洗喷嘴26的喷出口26a喷出的清洗液的雾沫向处理杯20的外部飞散，结果，乘载于下降气流而再次附着于晶圆W的表面，该附着部位是导致图案缺陷的主要因素。并且，由于晶圆W的外缘与上侧引导部22的距离接近，因此，自晶圆W甩下的抗蚀液、清洗液碰撞于上侧引导部22的内侧侧壁，也有可能溅回而附着于晶圆W的表面。
在专利文献2中记载有具有从处理杯的上表面及底面分别延伸至保持于旋转吸盘的晶圆的外周附近的圆筒形遮蔽板的抗蚀剂涂敷装置，上述圆筒形遮蔽板的目的在于防止自始终旋转的晶圆飞散的涂敷液溅回，难以解决由上述气流的逆流导致雾沫向处理杯外飞散的问题。
专利文献1：日本特开2008-277708
专利文献2：日本特开昭59-127836
发明内容
本发明即是在该情况下做成的，其目的在于提供这样的液体处理装置及液体处理方法，即，对于一边使基板旋转、一边对基板供给处理液进行处理时，即使提高基板的转速且以低排气量进行处理杯内的排气，也能够抑制排气气流的逆流、且能够降低雾沫再次附着于基板。
本发明的液体处理装置在形成有下降气流的处理杯内一边使保持于基板保持部的基板旋转、一边对该基板进行液体处理，并且，从处理杯的下部吸引排出该处理杯内部的气氛气体且排出液体，其特征在于，该液体处理装置包括：喷嘴，其用于向保持于上述基板保持部的基板供给处理液；下侧引导部，其从与保持于上述基板保持部的基板背面的周缘部接近且相对的位置朝向外侧下方倾斜延伸，且在基板的周向上形成为环状；上侧引导部，其上端面位于与保持于上述基板保持部的基板的表面大致相同的高度，并且，在上侧引导部与上述下侧引导部之间形成用于将自基板飞散的处理液与气流一同向下方引导的下侧环状流路，且以包围基板的外侧下方区域的方式与上述下侧引导部相对地形成为环状，其内周面的纵截面形状向外侧鼓起地弯曲着向下方延伸；外侧引导部，其位于上述上侧引导部的外方侧，而且以包围该上侧引导部的方式设置，为了整流基板旋转时的气流，在该外侧引导部与该上侧引导部之间形成上侧环状流路；开口部，其形成于上述上侧引导部的下缘部，用于将通过上述上侧环状流路后的气流与通过上述下侧环状流路后的气流合流。
另外，本发明例如可以列举以下的具体例子。
1.一种构造，该构造包括：排气通路，其用于吸引排气，且连接于上述处理杯；排气量切换机构，其设置于该排气通路，用于在以第1排气量排出吸引排气量的第1状态、和以比第1排气量少的第2排气量排气的第2状态这两个级别之间进行切换。
2.一种构造，上述喷嘴包括向基板的中心部供给作为处理液的抗蚀液的抗蚀剂喷嘴、和向基板的背面周缘的斜面部喷出作为处理液的清洗液的清洗喷嘴；该构造设有控制部，在自该清洗喷嘴向上述斜面部喷出清洗液时，该控制部输出用于使基板旋转、且将排气量切换机构切换为第2状态的控制信号。
3.自上述清洗喷嘴向上述斜面部喷出清洗液时的基板的转速为400rpm～2500rpm。
本发明的液体处理方法的特征在于，使用上述液体处理装置；包括这两个工序：一边使基板旋转，一边自喷嘴向基板的中心部供给作为处理液的涂敷液而涂敷基板的表面的工序；接着，一边使基板旋转，一边向基板供给作为处理液的清洗液而清洗该基板的工序。
本发明的液体处理方法使用上述液体处理装置向基板的表面涂敷作为处理液的抗蚀液，其特征在于，包括这三个工序：自抗蚀剂用的喷嘴向基板的中心部喷出作为处理液的抗蚀液，并且，将排气量切换机构设定为以第1排气量排气的第1状态，使基板旋转而将抗蚀液涂敷于基板的表面的工序；将排气量切换机构设定为以比第1排气量少的第2排气量排气的第2状态，使在表面涂敷有抗蚀液的基板旋转而进行烘干的工序；自清洗用的喷嘴向基板的背面周缘的斜面部喷出作为处理液的清洗液，并且，在将排气量切换机构设定为第2状态的状态下，使基板旋转而清洗该基板的工序。
本发明的液体处理装置为了自下侧引导部与上侧引导部之间的环状流路吸引排出从保持于基板保持部的基板飞散来的处理液，以使上侧引导部的内周面向外侧鼓起地弯曲而向下方延伸的方式形成。因此，通过增大上述环状流路的容积，能够降低由旋转的基板产生的气流的流速。因而，在基板的转速较高、以低排气进行处理杯内的排气的工序中，也能够抑制气流逆流而使处理液的雾沫乘载于该气流飞散到处理杯的外部而再次附着于基板。
换言之，即使是基板的转速较高的液体处理中，也能够降低排气量。而且，在使用本发明的装置进行抗蚀剂涂敷方法的情况下，即使在清洗基板的斜面部时提高基板的转速且设定为低排气量，也能抑制杯内排气的逆流，因此，能够抑制雾沫再次附着于基板，从而能够降低图案缺陷的产生。由于在涂敷抗蚀剂时需要为高排气量，因此，能够利用高排气和低排气的两级别切换这样的简单的功能，而且，能够降低清洗斜面部时的排气量。
附图说明
图1是本发明的实施方式的抗蚀剂涂敷装置的纵剖视图。
图2是上述抗蚀剂涂敷装置所采用的处理杯的俯视图。
图3是上述处理杯的纵截面的立体图。
图4是上述抗蚀剂涂敷装置所采用的斜面清洗喷嘴的侧视图及立体图。
图5是表示上述抗蚀剂涂敷装置所采用的内侧杯与斜面清洗喷嘴的关系的立体图。
图6是说明上述抗蚀剂涂敷装置的涂敷处理的工艺的关系图。
图7是示意地说明采用上述抗蚀剂涂敷装置的抗蚀剂涂敷的情形的示意图。
图8是示意地说明上述抗蚀剂涂敷装置的斜面清洗处理的情形的示意图。
图9是另一实施方式的抗蚀剂涂敷装置的纵剖视图。
图10是示意地说明另一实施方式的抗蚀剂涂敷装置的斜面清洗处理的情形的示意图。
图11是另一实施方式的抗蚀剂涂敷装置的纵剖视图。
图12是示意地说明另一实施方式的抗蚀剂涂敷装置的斜面清洗处理的情形的示意图。
图13是将本发明的实施方式的处理杯与以往的处理杯的、向杯外部飞散的雾沫的量进行比较的比较图。
图14是表示应用本发明的实施方式的抗蚀剂涂敷装置的涂敷、显影装置的俯视图。
图15是上述涂敷、显影装置的立体图。
图16是上述涂敷、显影装置的纵剖视图。
图17是以往的抗蚀剂涂敷装置的纵剖视图。
图18是以往的抗蚀剂涂敷装置所采用的处理杯的俯视图。
图19是示意地说明以往的抗蚀剂涂敷装置的斜面清洗处理的情形的示意图。
具体实施方式
对将本发明的液体处理装置应用于抗蚀剂涂敷装置的实施方式进行说明。如图1所示，抗蚀剂涂敷装置包括通过真空吸附将晶圆W水平保持的旋转吸盘31。该旋转吸盘31能够利用从下方连接的旋转驱动部32升降，能够绕铅垂轴线旋转。包围上述旋转吸盘31地设有处理杯33，处理杯33由内侧杯40、中间杯50和外侧杯60构成。
如图1及图2所示，内侧杯40由自保持于旋转吸盘31的晶圆W的下方、且与晶圆W的背面侧周缘部接近地相对的位置向外侧下方倾斜的环状的倾斜壁41、和连接于该倾斜壁41的下缘且向下方延伸的环状的垂直壁42构成，上述倾斜壁41及垂直壁42具有对自晶圆W掉落的抗蚀液流下进行引导的下侧引导部45的作用。在内侧杯40的顶部，从自晶圆W的周缘向中心侧靠近例如十几毫米的位置的投影区域朝向自晶圆W的背面周缘向中心侧靠近几毫米的位置向斜上方延伸的突壁部43形成为环状，并且设有以该突壁部43内周侧的倾斜面下缘为外周的水平的圆板部44，成为旋转吸盘31贯穿圆板部44的中央部的构造。
上述中间杯50包围内侧杯40的外侧地设置，中间杯50的底部形成为凹部状，构成为环状的液体接收部51。该液体接收部51从下方连接有废液通路52，并且，2根排气管53以突出进入的方式设置在自该废液通路52靠近旋转吸盘31的位置，能够利用排气管53的侧壁分离气体和液体。上述排气管53在下游分别合流，通过减震器54连接于例如工厂的排气管道，能够利用减震器54的开闭度以高排气或者低排气这两个级别的排气量对处理杯33的气氛进行吸引排气。另外，在背景技术的项目中也有所记载，高排气是指排气压力较高、排气量较多的状态，低排气是指排气压力较低、排气量较少的状态。
另外，中间杯50中垂直配置的筒状部50a、和自该筒状部50a的上缘朝向内侧上方大致倾斜延伸的上侧引导部70的下缘位于比下侧引导部的下缘高一些的位置、即筒状部50a的上缘位于比下侧引导部的下缘高一些的位置。而且，上侧引导部70的上端面被设定在与保持于旋转吸盘31的晶圆W的表面大致相同的高度位置，形成为其内缘自晶圆W的周缘分开例如2mm、且其宽度(沿着晶圆W直径的延长线的长度尺寸)为例如304mm的环状的水平面76。与上侧引导部70中的上述上端面的外缘连续的面(外周面)从上方依次构成为倾斜面75、垂直面74及倾斜面73，在下侧的倾斜面73中如图3所示地沿着周向形成有多个开口部77。
另一方面，上侧引导部70的内周面以包围保持于旋转吸盘31的晶圆W的外侧下方区域的方式形成为环状，其内周面的纵截面形状由向外侧鼓起地弯曲的弯曲面72、和向外侧下方延伸的倾斜面71构成。在上述上侧引导部70与倾斜壁41之间形成有向外侧倾斜延伸的环状流路79，而且，在筒状部50a与垂直壁42之间形成有垂直延伸的环状流路79。
外侧杯60由自中间杯50中的筒状部50a的上端部垂直地向上方延伸出的筒状部60a、和自该筒状部60a的上缘向内侧上方延伸的倾斜壁61构成。外侧杯60与中间杯50之间的环状空间78具有在扩散抗蚀液时降低由晶圆W的旋转形成的气流紊乱的作用。另外，将倾斜壁61与上侧引导部70的水平面76的最短距离L设定为例如10mm，使得后述的下降气流的流速增大。另外，图中的附图标记62是开口部，能够通过该开口部62将晶圆W交接到旋转吸盘31上。
接着，说明斜面清洗喷嘴46。如图4(b)及图5所示，斜面清洗喷嘴46以嵌入到切削掉内侧杯40的环状倾斜壁43的一部分而成的切口部47中、在圆板部44的直径方向上互相相对的方式设有2个。上述斜面清洗喷嘴46能够沿着在圆板部44的径向上延伸的轨道48在旋转吸盘31侧与倾斜壁43侧之间进退。另外，如图4(a)所示，斜面清洗喷嘴46具有用于喷出清洗液的喷出口46a，该清洗液用于清洗晶圆W的斜面部。该喷出口46a以斜面清洗喷嘴46嵌入到切口部47的状态形成为朝向晶圆W的背面周缘部，接受自通过配管连接于斜面清洗喷嘴46的未图示的清洗液供给源供给的清洗液，能将该清洗液向晶圆W喷出。
上述处理杯33容纳于壳体80，在该壳体80的侧壁设有用于通过未图示的输送臂搬出或搬入晶圆W的搬出搬入口81，图中的附图标记82是用于打开或关闭搬出搬入口的闸门(shutter)。该闸门82在除利用输送臂将晶圆W搬入到壳体80的内部或将晶圆W自壳体80的内部搬出的情况之外都关闭。在上述壳体80内的上部设有风机过滤单元(FFU)83，该FFU83具有通过从上方连接的配管84向壳体80内供给清洁气体、例如清扫气而形成下降气流的作用。另外，在壳体80的底部设有用于吸引排出该壳体80内的气氛的排气通路85。来自上述FFU83的下降气流与排气管85的吸引排气相结合地在壳体80内形成下降气流。
在壳体80内，在处理杯33的上方设有用于排出溶剂例如稀薄剂(thinner)的溶剂喷嘴91及用于排出抗蚀剂的抗蚀剂喷嘴92。这些喷嘴分别通过供给管93、94连接于溶剂供给源95及抗蚀剂供给源96，并且，能够利用未图示的输送臂在晶圆W上方的规定位置与处理杯33侧方的待机位置之间移动。另外，各喷嘴91、92例如也可以采用一体化、利用共用的移动机构移动的构造。
图1中的附图标记90是控制部，利用该控制部90进行旋转驱动部32的驱动控制及减震器54的切换控制。上述控制部90例如由包括中央计算处理装置(CPU)、和使抗蚀剂涂敷装置工作的程序的计算机构成。根据预先决定的程序表(schedule)，在该程序中编入有与抗蚀液的供给时机和供给量、旋转吸盘31的旋转速度和旋转时间、清洗液的供给时机和供给量等的控制相关的步骤(命令)组等。该程序例如容纳于硬盘、光盘、磁光盘、存储卡等存储介质中，安装于计算机。
接着，说明上述实施方式的作用。使用未图示的输送臂将晶圆W从搬出搬入口81搬入到壳体80内，利用旋转驱动部32使旋转吸盘31上升，在该旋转吸盘31上载置晶圆W并对晶圆W进行真空吸附。之后，旋转吸盘31下降，晶圆W被收入在处理杯33内。另外，也可以将例如3根升降销以贯穿上述圆形板44的方式设置，利用该升降销的升降动作将晶圆W交接到旋转吸盘31。此时，在处理杯33内形成有上述下降气流，该下降气流的一部分通过环状空间78，经由开口部77流向环状流路79，而且，下降气流的一部分经由晶圆W的外缘与上侧引导部70的间隙在环状流路79中流动，自排气管53被排出。上述下降气流在环状空间78中流动时，在该环状空间78中，上侧引导部70的外侧侧壁(水平面76)与外侧杯60的倾斜壁61内壁之间的最短距离L被设定为10mm，通过在该狭窄空间中流动，以下降气流的流速上升的状态在开口部77中流向下方。
接着，利用旋转吸盘31使晶圆W以例如1500rpm的转速旋转，并且，将减震器54设定为高排气的状态(第1状态)，以高排气进行排气(图6中的时刻t0)。利用该旋转的晶圆W产生气流，产生的气流在外侧杯60内侧的环状空间78及中间杯50内侧的环状流路79中流动，经由开口部77而两者合流，从以高排气吸引的排气管53被排出到处理杯33的外部。然后，使用未图示的移动机构使溶剂喷嘴91从待机位置移动到晶圆W上方的规定位置。接着，自溶剂喷嘴91向晶圆W供给稀薄剂(图6中的时刻t1)，通过由稀薄剂润湿晶圆W的表面，进行调整为之后涂敷的抗蚀液易于扩散的环境的预浸湿。之后，使溶剂喷嘴91退避到待机位置，并且，使抗蚀剂喷嘴92向晶圆W上方的规定位置移动。
接着，在持续将减震器54设定为高排气的状态下，使晶圆W的转速上升至例如3000rpm(图6中的时刻t2)，从抗蚀剂喷嘴92将抗蚀剂向该晶圆W的中心部喷出(图6中的时刻t3)。如图7所示，抗蚀剂利用由晶圆W的旋转产生的离心力从中心部朝向周缘部扩散，并且，多余的抗蚀剂从晶圆W的表面被甩落。在刚刚喷出抗蚀液之后，被甩落的多余的抗蚀液飞散到环状流路79内，在下侧引导部45的表面上传递而临时积存于液体接收部51，从废液通路52被排出到处理杯33的外部。另外，成为雾沫的抗蚀剂乘载于上述下降气流而在中间杯50内侧的环状流路79中流动，从排气管53被排出到处理杯33的外部。在涂敷该抗蚀剂时，自晶圆W被甩落的抗蚀剂的雾沫冲撞弯曲面72，但由于该弯曲面72自晶圆W向外侧鼓起地向下方弯曲，因此，很少溅回到晶圆W。在抗蚀剂的涂敷处理结束之后，抗蚀剂喷嘴92退避到规定的待机位置，并且，使晶圆W的转速下降至例如2000rpm，使该晶圆W旋转例如1秒钟。
接着，将减震器54切换为低排气的状态(第2状态)，在使晶圆W的转速暂时下降至例如100rpm而确保抗蚀剂液膜的平坦性之后，使其转速上升至例如2000rpm(图6中的时刻t4)，在规定的期间、例如15秒左右调整抗蚀剂膜厚，并烘干抗蚀剂而形成抗蚀剂膜。之后，使晶圆W的转速为例如2500rpm，从斜面清洗喷嘴46向晶圆W的周缘部喷出作为清洗液的溶剂(图6中的时刻t5)。该清洗液的喷出进行例如5秒钟。如图8所示，清洗液从晶圆W背面侧的斜面部回流到正面侧的斜面部，以规定的宽度清洗(切割)抗蚀液膜的周缘部。
在该斜面清洗工序中，由于晶圆W的转速例如为2500rpm，因此，由晶圆W的旋转产生的气流的速度较大(气流存在较强的气势)。但是，如图8所示，该气流的流速在容积增大的环状流路79中变小，与通过了开口部77的下降气流合流，无论是否以低排气排出处理杯33内的气氛，都从排气管53被吸引排出到处理杯33的外部。然后，使晶圆W继续旋转，在烘干清洗液例如5秒钟之后停止旋转，并且，继续以低排气的状态吸引(时刻t6)，利用与上述搬入晶圆W时相反的顺序将晶圆W交接到输送臂，将晶圆W从抗蚀剂涂敷装置搬出。另外，为了浅显易懂地说明作用，方便起见，环状流路79的形状不与图1相对应。
采用以上说明的本发明的实施方式，将上侧引导部70的内侧侧壁的一部分做成自保持于旋转吸盘31的晶圆W分开地向外方鼓起的弯曲面72，增大由上侧引导部70的内侧侧壁与下侧引导部45的表面划分出的环状流路79的容积，从而利用旋转的晶圆W产生的气流的气势(速度)在该环状流路79内缓和。因此，虽然是斜面清洗时的晶圆W的高速旋转、且处理杯33的排气量为低排气的状态，但能够抑制空气自开口部77逆流的现象。结果，由于能够减小自处理杯33的开口部62乘载于气流而向外部飞散的清洗液雾沫的量，因此，能够抑制雾沫再次附着于已经形成有抗蚀剂膜的晶圆W表面。另外，由于上侧引导部70的弯曲面72以向外侧鼓起的方式弯曲，因此，能够抑制从晶圆W甩落的液体溅回到该晶圆W。并且，将上侧引导部70的水平面76与外侧杯60的倾斜壁61的最短距离L缩窄为例如3mm，增大下降气流的流速，能够将在开口部77中自下向上逆流的空气推向下方。因而，能够提高上述效果。
接着，说明本发明的抗蚀剂涂敷装置的另一实施方式。对与上述实施方式相同的构成部位标注相同的附图标记，以不同的部分为中心进行说明。如图9所示，在该例子中，在外侧杯60的倾斜壁61的底面设有形成于整周的环状的垂直壁100。该垂直壁100朝向上侧引导部70的水平面76垂直地伸长，该垂直壁100的下端面与水平面76的距离被设定为5mm。只要这样地设置垂直壁100，如图10所示，通过自FFU83供给来的空气经过垂直壁100的下端面与上述水平面76之间的狭窄的间隙，从而其流速增大，经由开口部77流到下方，因此，能够更强地抑制欲在开口部77中自下向上逆流的空气。因而，能够进一步提高上述实施方式的效果。
另外，本发明的抗蚀剂涂敷装置也可以采用图11所示的实施方式，对与上述实施方式相同的构成部位标注相同的附图标记，以不同的部分为中心进行说明。在该例子中，替代上述倾斜壁41而采用向下方侧弯曲的环状的弯曲壁110，与该弯曲壁110连续地设置垂直壁42，构成下侧引导部45。通过这样地使下侧引导部45的一部分弯曲，环状流路79的容积与上述实施方式相比增大，因此，利用旋转的晶圆W产生的气流的流速进一步缓和(参照图12)。因而，能够进一步提高上述实施方式的效果。
如上所述，本发明通过将中间杯50内侧的环状流路79做成鼓起的形状，从而能够成为低排气、同时能够提高利用处理液处理基板时(在上述例子中为利用溶剂进行的斜面清洗处理)的转速，但这样的效果并不限定于进行斜面清洗时。对于在使晶圆W旋转的同时，在例如将反射防止膜、用于应对浸液曝光的抗蚀剂保护膜涂敷于晶圆W时、或者利用显影液将曝光后的基板显影之后利用纯水进行清洗，或者在浸液曝光之前或之后利用纯水等清洗液清洗晶圆W时，为了防止雾沫逆流而能够以比迄今为止更低的排气进行。在上述抗蚀剂涂敷装置中，在外侧杯60内设有用于使飞散的液体流到下方的开口部77，但本发明在未设置外侧杯60的液体处理装置的情况下也具有效果。即，在晶圆W的单片清洗装置等中，设定与晶圆W的转速相对应的排气量，其理由在于，雾沫在包围晶圆W的环状流路79中逆流而产生同样的问题，因此，在这样的装置中也存在通过使环状流路79鼓起而能够防止雾沫逆流、换言之即是能够降低排气量的效果。
接着，利用以往的处理杯和本发明的实施方式的处理杯，对流出到处理杯外部的雾沫的量进行比较。以往的处理杯使用图17的处理杯20，本发明的实施方式的处理杯使用图1中的处理杯33，两杯20、33各自的排气量为低排气且相同。图13是表示在斜面清洗工序中流出到处理杯外部的雾沫的量的图，纵轴表示流出的雾沫的数量(个)，横轴表示晶圆W的转速。另外，将以往的处理杯20的曲线做成四边形(□)，本发明的实施方式的处理杯33的曲线做成圆(○)。在以往的处理杯20中可知，在转速为1500～1900rpm的情况下，雾沫的量为200个以下，但在转速为1900rpm以下的情况下，数量急剧增加。另一方面，在图1的处理杯33中可知，在1500～2300rpm之间，雾沫的量为200个以下。由该结果可理解，与图17的处理杯20相比，在图1的处理杯33中流出到处理杯之外的雾沫的量较少。
接着，对在应用上述抗蚀剂涂敷装置的涂敷、显影装置上连接曝光装置而成的抗蚀剂图案形成系统的一个例子进行简单的说明。如图14及图15所示，在涂敷、显影装置中设有载体组件S1。在该载体组件S1中，交接臂C自载置于载置台201上的密闭型的载体200取出晶圆W而将其交接到与该载体组件S1相邻的处理组件S2，并且，上述交接臂C接受在处理组件S2中处理后的处理完毕的晶圆W而将其运回到上述载体200。
如图16所示，上述处理组件S2在该例子中从下方层叠用于进行显影处理的第1组件(DEV层)B1、用于进行形成于抗蚀剂膜下层侧的反射防止膜的形成处理的第2组件(BCT层)B2、用于进行抗蚀液的涂敷处理的第3组件(COT层)B3、用于进行形成于抗蚀剂膜上层侧的反射防止膜的形成处理的第4组件(TCT层)B4而构成。
上述第3组件(COT层)B3包括用于涂敷抗蚀液的抗蚀剂涂敷装置、组装有用于进行由该抗蚀剂涂敷装置进行的处理的前处理及后处理的基板加热装置的加热冷却系统的处理单元组、和设置在上述抗蚀剂涂敷装置与基板加热装置之间的、在上述抗蚀剂涂敷装置与基板加热装置之间交接晶圆W的输送臂A3。另外，第2组件(BCT层)B2和第4组件(TCT层)B4分别包括利用旋涂法涂敷用于形成反射防止膜的药液的液体处理装置、上述加热冷却系统的处理单元组、和设置在上述处理装置与处理单元组之间的、在上述处理装置与处理单元组之间交接晶圆W的输送臂A2、A4。另一方面，对于第1处理组件(DEV层)B1，例如在一个DEV层B1内层叠有两层显影单元。而且，在该DEV层B1内设有用于向这两层显影单元输送晶圆W的共用的输送臂A1。如图14及图16所示，在处理组件S2中还设有架单元U1，在该架单元U1的各部彼此之间，利用设置在上述架单元U1附近的能够升降的交接臂D1输送晶圆W。
在这样的抗蚀剂图案形成装置中，来自载体组件S1的晶圆W被交接臂C依次输送到上述架单元U1的一个交接单元、例如第2组件(BCT层)B2相对应的交接单元CPL2，晶圆W从交接单元CPL2经由交接单元CPL3及输送臂A3被搬入到第3组件(COT层)B3，在疏水化处理单元中将晶圆W表面疏水化之后，利用液体处理装置2形成抗蚀剂膜。形成抗蚀剂膜之后的晶圆W被输送臂A3交接到架单元U1的交接单元BF3。
之后，在这种情况下，晶圆W经由交接单元BF3→交接臂D1→交接单元CPL4被交接到输送臂A4，在抗蚀剂膜上形成反射防止膜之后，被输送臂A4交接到交接单元TRS4。另外，也存在抗蚀剂膜上未形成反射防止膜的情况、替代对晶圆W进行疏水化处理而在第2组件(BCT层)B2中形成反射防止膜的情况。
另一方面，在DEV层B1内的上部设有梭式臂E，该梭式臂E是用于将晶圆W从设置于架单元U1的交接单元CPL11直接输送到设置于架单元U2的交接单元CPL12的专用的输送部件。形成有抗蚀剂膜以及反射防止膜的晶圆W利用交接臂D1经由交接单元BF3、TRS4而被交接到交接单元CPL11，从这里利用梭式臂E被直接输送到架单元U2的交接单元CPL12，被放入到接口组件S3中。另外，图16中的标注有CPL的交接单元兼作温度调节用的冷却单元，标注有BF的交接单元兼作能够载置多枚晶圆W的缓冲单元。
接着，晶圆W被接口臂B输送到曝光装置S4，在此进行规定的曝光处理之后，被载置于架单元U2的交接单元TRS6而返回到处理组件S2。在第1组件(DEV层)B1中对返回来的晶圆W进行显影处理，被输送臂A1输送到架单元U5中的交接臂C可及范围的交接台，借助交接臂C返回到载体200。

Claims (4)

1.一种液体处理装置，该液体处理装置在形成有下降气流的处理杯内一边使保持于基板保持部的基板旋转、一边对该基板进行液体处理，并且，从处理杯的下部吸引排出该处理杯内部的气氛气体且排出液体，其特征在于，
该液体处理装置包括：
喷嘴，其用于向保持于上述基板保持部的基板供给处理液；
下侧引导部，其从与保持于上述基板保持部的基板的背面的周缘部接近且相对的位置起朝向外侧下方倾斜延伸，且在基板的周向上形成为环状；
上侧引导部，其上端面位于与保持于上述基板保持部的基板的表面大致相同的高度，并且，在上侧引导部与上述下侧引导部之间形成用于将自基板飞散的处理液与气流一同向下方引导的下侧环状流路，且该上侧引导部以包围基板的外侧下方区域的方式与上述下侧引导部相对地形成为环状；
外侧引导部，其以包围该上侧引导部且自该上侧引导部的外方侧跨至上方侧的方式配置，为了整流基板旋转时的气流，在该外侧引导部与该上侧引导部之间形成上侧环状流路；
突出部，其为了使上述上侧环状流路在中途变狭窄而自外侧引导部的下表面朝向上述上侧引导部的上表面突出，且该突出部沿周向形成为环状；
开口部，其形成于上述上侧引导部的下缘部，用于将通过上述上侧环状流路后的气流与通过上述下侧环状流路后的气流合流。
2.一种液体处理装置，该液体处理装置在形成有下降气流的处理杯内一边使保持于基板保持部的基板旋转、一边对该基板进行液体处理，并且，从处理杯的下部吸引排出该处理杯内部的气氛气体且排出液体，其特征在于，
该液体处理装置包括：
喷嘴，其用于向保持于上述基板保持部的基板供给处理液；
下侧引导部，其从与保持于上述基板保持部的基板的背面的周缘部接近且相对的位置起朝向外侧下方倾斜延伸，且在基板的周向上形成为环状；
上侧引导部，其上端面位于与保持于上述基板保持部的基板的表面大致相同的高度，并且，在上侧引导部与上述下侧引导部之间形成用于将自基板飞散的处理液与气流一同向下方引导的下侧环状流路，且该上侧引导部以包围基板的外侧下方区域的方式与上述下侧引导部相对地形成为环状；
外侧引导部，其以包围该上侧引导部且自该上侧引导部的外方侧跨至上方侧的方式配置，为了整流基板旋转时的气流，在该外侧引导部与该上侧引导部之间形成上侧环状流路；
开口部，其形成于上述上侧引导部的下缘部，用于将通过上述上侧环状流路后的气流与通过上述下侧环状流路后的气流合流；
上述下侧引导部的与上侧引导部相对的纵截面形状以向下方侧鼓起的方式弯曲。
3.根据权利要求1或2所述的液体处理装置，其特征在于，
上述喷嘴包括向基板的背面周缘的斜面部喷出作为处理液的清洗液的清洗喷嘴。
4.根据权利要求3所述的液体处理装置，其特征在于，
上述液体处理装置具有圆板部，该圆板部与上述下侧引导部相连接，且在保持于上述基板保持部的基板的中心部侧形成为环状；
上述清洗喷嘴以能够沿在上述圆板部上沿径向伸长的轨道自由移动的方式设置。
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