JP6020271B2 - 液処理装置 - Google Patents

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Description

本発明は、基板をスピンチャックに保持して液処理を行う液処理装置に関する。
半導体ウエハ（以下「ウエハ」という）に対して、レジスト膜、反射防止膜や絶縁膜等を形成する工程では、スピンチャックにより回転するウエハにレジスト液等の処理液を供給し、ウエハ表面に処理液を塗布する液処理が行われる。スピンチャックの周囲には処理液の飛散を防止するためにカップ体が設けられており、定期的にカップ体の洗浄が行われている。カップ体の洗浄については、特許文献１に洗浄治具をスピンチャック上に載置して回転させ、前記洗浄治具に向けて洗浄液を供給する構成が記載されている。この構成では、搬送機構により洗浄治具をスピンチャックに搬送するため、搬送機構が洗浄治具の搬送に用いられるときは、当該搬送機構によりウエハを搬送できず、また搬送機構によりアクセスできる場所に洗浄治具を保管する必要がある。
このようなことから本発明者らは、液処理装置に洗浄治具を組み込む構成について検討している。このような装置としては、特許文献２に基板保持手段の回転軸にカップ洗浄部材を設ける構成が提案されている。前記カップ洗浄部材は、基板処理時と基板の裏面洗浄時にはベース板により支持されている。また、カップ洗浄時には、ベース板を下降させることによって、回転軸に設けられた回転伝達部にカップ洗浄部材を受け止めさせて係合させ、回転軸により回転させるように構成されている。ベース板には、垂直な裏面洗浄用ノズルと洗浄液供給ノズルとが設けられており、前記基板裏面の洗浄時には、裏面洗浄ノズルはカップ洗浄部材の貫通口を挿通して、ノズル先端が当該カップ洗浄部材から突出し、ウエハ裏面に洗浄液を供給する。またカップ洗浄部材の洗浄時には、洗浄液供給ノズルがカップ洗浄部材に設けられた洗浄液案内部に向けて洗浄液を供給するようになっている。
しかしながら特許文献２の構成では、既述のように、ベース板の昇降を利用して、カップ洗浄部材がベース板に載置されている状態と、前記回転伝達部に突き上げられている状態と、を作り出している。このため基板保持手段の回転の振動によりカップ洗浄部材が横に位置ずれし、カップ洗浄部材と回転伝達部とが係合できない状態が発生する懸念がある。またカップ洗浄部材は基板保持手段よりも小径な回転伝達部に載置された状態で回転するので、基板保持手段と共に回転するときに回転振れが起こる懸念もある。更にまた基板の裏面を洗浄するときに、洗浄液の洗浄部材における跳ね返りの状態などから、カップ洗浄部材の高さを調整することがあるが、洗浄部材の高さ調整が困難であるという不利益もある。更にまた基板の裏面洗浄では、基板裏面の周縁領域を洗浄することが要求されているが、裏面洗浄ノズルは垂直ノズルであるため、前記周縁領域に洗浄液を直接当てることは難しく、基板裏面の洗浄を効率よく行うことができない懸念もある。
特許第２８９３１４６号公報（段落００２２、００２７、図２、図３、図６等） 特開平９−１１７７０８号公報（段落００２２、００２６〜００２８、図１〜図５等）
本発明は、このような事情においてなされたものであり、その目的は、周囲にカップ体が配置された基板保持部により基板を回転させて液処理を行う装置において、基板の裏面洗浄及びカップ体の洗浄を良好に行うことができる液処理装置を提供することにある。
本発明の液処理装置は、
周囲にカップ体が配置された基板保持部に基板を保持させ、前記基板保持部を鉛直軸回りに回転させながら、処理液を前記基板表面に供給して液処理を行う液処理装置において、
前記カップ体を洗浄するための洗浄液を吐出するカップ体洗浄ノズルと、
前記基板保持部に保持された基板の裏面を洗浄するための洗浄液を吐出する基板洗浄ノズルと、
前記カップ体の周方向に沿って環状に形成された環状部と、前記環状部よりもカップ体の径方向内側に位置する開口部と、を含み、鉛直軸周りに支持された洗浄用部材と、
前記洗浄用部材を、第１の位置と、前記第１の位置よりも高い第２の位置と、の間で、前記基板洗浄ノズル及びカップ体洗浄ノズルに対して相対的に昇降させる昇降機構と、
前記第２の位置に置かれた洗浄用部材を鉛直軸周りに回転させるための回転機構と、を備え、
前記第１の位置は、前記基板洗浄ノズルからの洗浄液が前記開口部を通過して基板の裏面に到達する高さ位置であり、前記第２の位置は、前記カップ体洗浄ノズルからの洗浄液が前記環状部に衝突してカップ体の内面に案内される高さ位置であり、
前記洗浄用部材は、鉛直軸周りに回転できるように軸受を介して前記昇降機構に接続されると共に、第２の位置にて基板保持部に装着されて当該基板保持部と一緒に回転できるように構成され、
前記回転機構は、前記基板保持部を回転させるための機構により構成されることを特徴とする。
他の発明の液処理装置は、
周囲にカップ体が配置された基板保持部に基板を保持させ、前記基板保持部を鉛直軸回りに回転させながら、処理液を前記基板表面に供給して液処理を行う液処理装置において、
前記カップ体を洗浄するための洗浄液を吐出するカップ体洗浄ノズルと、
前記基板保持部に保持された基板の裏面を洗浄するための洗浄液を吐出する基板洗浄ノズルと、
前記カップ体の周方向に沿って環状に形成された環状部と、前記環状部よりもカップ体の径方向内側に位置する開口部と、を含み、鉛直軸周りに支持された洗浄用部材と、
前記洗浄用部材を、第１の位置と、前記第１の位置よりも高い第２の位置と、の間で、前記基板洗浄ノズル及びカップ体洗浄ノズルに対して相対的に昇降させる昇降機構と、
前記第２の位置に置かれた洗浄用部材を鉛直軸周りに回転させるための回転機構と、を備え、
前記第１の位置は、前記基板洗浄ノズルからの洗浄液が前記開口部を通過して基板の裏面に到達する高さ位置であり、前記第２の位置は、前記カップ体洗浄ノズルからの洗浄液が前記環状部に衝突してカップ体の内面に案内される高さ位置であり、
前記洗浄用部材が第１の位置に置かれているときには、前記基板洗浄ノズルの吐出口は、洗浄用部材よりも下方に位置し、洗浄液の吐出方向がカップ体の径方向外側かつ上方斜めに向くように設定されていることを特徴とする。
更に他の発明の液処理装置は、
周囲にカップ体が配置された基板保持部に基板を保持させ、前記基板保持部を鉛直軸回りに回転させながら、処理液を前記基板表面に供給して液処理を行う液処理装置において、
前記カップ体を洗浄するための洗浄液を吐出するカップ体洗浄ノズルと、
前記基板保持部に保持された基板の裏面を洗浄するための洗浄液を吐出する基板洗浄ノズルと、
前記カップ体の周方向に沿って環状に形成された環状部と、前記環状部よりもカップ体の径方向内側に位置する開口部と、を含み、鉛直軸周りに支持された洗浄用部材と、
前記洗浄用部材を、第１の位置と、前記第１の位置よりも高い第２の位置と、の間で、前記基板洗浄ノズル及びカップ体洗浄ノズルに対して相対的に昇降させる昇降機構と、
前記第２の位置に置かれた洗浄用部材を鉛直軸周りに回転させるための回転機構と、を備え、
前記第１の位置は、前記基板洗浄ノズルからの洗浄液が前記開口部を通過して基板の裏面に到達する高さ位置であり、前記第２の位置は、前記カップ体洗浄ノズルからの洗浄液が前記環状部に衝突してカップ体の内面に案内される高さ位置であり、
前記基板洗浄ノズルはカップ体洗浄ノズルを兼用することを特徴とする。
本発明は、周囲にカップ体が配置された基板保持部により基板を回転させて液処理を行う装置において、鉛直軸周りに支持されている洗浄用部材を用い、洗浄用部材を、基板洗浄ノズル及びカップ体洗浄ノズルに対して相対的に昇降させている。そして洗浄用部材は、カップ体の洗浄を行う高さ位置にて回転することができ（それ以外の高さ位置にて回転できる場合も含まれる）、互いに異なる高さ位置で基板の裏面洗浄とカップ体の洗浄を行うように構成している。このため基板の裏面洗浄とカップ体の洗浄とを良好に行うことができる。
第１の実施の形態に係る塗布装置を示す縦断側面図である。 塗布装置を示す縦断側面図である。 塗布装置に設けられる洗浄用部材の一例を示す斜視図である。 洗浄用部材を示す概略平面図である。 塗布装置にてスピンコーティングを行う様子を示す縦断側面図である。 塗布装置にてウエハ裏面の洗浄処理を行う様子を示す縦断側面図である。 塗布装置にてカップ体の洗浄処理を行う様子を示す縦断側面図である。 第１の実施の形態に係る塗布装置の他の例を示す縦断側面図である。 第１の実施の形態に係る塗布装置の他の例を示す縦断側面図である。 第１の実施の形態に係る塗布装置の他の例を示す縦断側面図である。 第１の実施の形態に係る塗布装置の他の例を示す縦断側面図である。 第１の実施の形態に係る塗布装置の他の例を示す縦断側面図である。 第１の実施の形態に係る塗布装置の他の例を示す縦断側面図である。 第１の実施の形態に係る塗布装置の他の例を示す縦断側面図である。 第１の実施の形態に係る塗布装置の他の例を示す縦断側面図である。 第１の実施の形態に係る塗布装置の他の例を示す縦断側面図である。 第１の実施の形態に係る塗布装置の他の例を示す縦断側面図である。 第１の実施の形態に係る塗布装置の他の例を示す平面図である。 第２の実施の形態に係る塗布装置を示す縦断側面図である。 第２の実施の形態に係る塗布装置を示す縦断側面図である。 第２の実施の形態に係る塗布装置の他の例を示す縦断側面図である。 第２の実施の形態に係る塗布装置の他の例を示す縦断側面図である。
（第１の実施形態）
本発明の液処理装置の一実施形態について、ウエハにレジスト液を供給してレジスト膜を形成する塗布装置１に適用した場合を例にして、図１〜図７を参照して説明する。塗布装置１は、ウエハＷの裏面中央部を真空吸着することにより、当該ウエハＷを水平に保持する基板保持部をなすスピンチャック１１を備えている。このスピンチャック１１は下方より軸部１２を介して駆動部１３に接続されており、当該駆動部１３により鉛直軸回りに回転自在及び昇降自在に構成されている。この駆動部１３は、スピンチャック１１を回転させるための機構に相当するものであり、スピンチャック１１の下方側には軸部１２を取り囲んで円形板１４が設けられる。
前記スピンチャック１１の周囲には、当該スピンチャック１１を取り囲むようにしてカップ体２が設けられている。カップ体２は、回転するウエハＷより飛散したりこぼれ落ちた廃液を受け止めると共に、当該廃液を塗布装置１外に排出するためにガイドする役割を果たす。カップ体２は、内カップ２１と外カップ２２とを備えており、内カップ２１は例えばテトラフルオロエチレンなどの樹脂により構成され、前記円形板１４の周囲にリング状に設けられている。この内カップ２１は、その断面形状が山型に形成された山型ガイド部２３と、山型ガイド部２３の外周端から下方に伸びた環状の垂直壁２４、とを備えている。
前記外カップ２２は内カップ２１の外側を取り囲むように設けられ、垂直な筒状部２５と、この筒状部２５の上縁から内側上方へ向けて斜めに伸びる傾斜壁２６とを備えている。筒状部２５の下方側は凹部状に形成され、山型ガイド部２３の下方に環状の液受け部２７を形成する。この液受け部２７においては、下方より排液路２８が接続されると共に、当該排液路２８よりスピンチャック１１寄りの位置に２本の排気管２９が下方から突入する形で設けられ、排気管２９の側壁によって気体と液体とを分離するように構成されている。スピンチャック１１にウエハＷを保持させたときに、内カップ２１の山型ガイド部２３はウエハＷの周縁部よりも内側に位置し、外カップ２２の円形の開口部２２１はウエハＷよりも大きく構成されている（図５参照）。また後述するようにレジスト液の塗布処理やウエハＷの裏面洗浄処理が行われるときには、スピンチャック１１に保持されたウエハＷの側方に、内カップ２１と外カップ２２との間の領域が位置するように構成されている。
前記スピンチャック１１と円形板１４との間には、図1及び図２に示すように洗浄用部材３が設けられている。この洗浄用部材３は、図３及び図４に示すように、スピンチャック１１の軸部１２を囲むように設けられた平面視環状の中央部材４を備えている。この中央部材４の中央の開口部４１にはスピンチャックの軸部１２が挿通され、中央部材４の上面４２は例えばスピンチャック１１の裏面と対向するように構成されている。例えばこの上面４２の内周縁はスピンチャック１１の外周縁よりも内側に位置し、前記上面４２の外周縁はスピンチャック１１の外周縁よりも外側に位置するように設定されている。図１は中央部材４の断面、図２は中央部材４の側面を夫々示している
洗浄用部材３は、中央部材４の外方に軸部１２の周囲を囲むように、カップ体２の周方向に沿って環状に形成された環状部５を備えている。この環状部５は、後述するようにカップ体２を洗浄するときに洗浄液を衝突させて、カップ体２の内面に向けて飛散させる、つまり洗浄液をカップ体２の内面に案内するために設けられるものであり、案内部として機能する。この環状部５は、中央部材４の周縁部と結合部材５１により接続されており、これら中央部材４、結合部材５１及び環状部５は、例えばフッ素系樹脂や、例えば表面処理されたアルミニウムにより構成されている。この結合部材５１は例えば細長い略矩形状に形成され、中央部材４の周縁部の周方向の例えば３箇所の位置に、中央部材４の径方向にその外方に向かって伸びるように設けられている。結合部材５１の一端側は中央部材４、その他端側は環状部５に夫々接続されており、こうして中央部材４と環状部５との間には、環状部５よりもカップ体２の径方向内側に位置する開口部５２が形成される。
前記洗浄用部材３は、軸受６を介して例えば円筒状に構成された支持部材７により常時鉛直軸周りに支持されている。軸受６としては例えば図４に概略的に示すようにボールベアリングが用いられており、軸受６の内輪６１は支持部材７に接続され、軸受６の外輪６２は中央部材４の内壁に接続されている。この例では内輪６１は固定され、外輪６２が回転するとボール６３が自転するように構成されている。前記軸受６の上面と支持部材７の上面の夫々の高さ位置は、中央部材４の上面４２の高さ位置よりも低くなるように構成されている。中央部材４、環状部５、軸受６及び支持部材７は、軸部１２の回転中心を中心とし、夫々直径の異なる同心円上に夫々設けられる。
支持部材７の下端の一部は昇降板７２を介して、当該昇降板７２を昇降させる昇降機構７１に接続され、支持部材７の下端の他の領域はガイド板７３を介してガイド機構７４に接続されている。こうして洗浄用部材３は、鉛直軸周りに回転できるように軸受６を介して昇降機構７１に接続され、昇降機構７１により第1の位置と第1の位置よりも高い第２の位置と、の間で昇降自在に構成される。前記第1の位置とは、洗浄用部材３がスピンチャック１１から離間する高さ位置であって、ウエハＷの裏面洗浄を行うときに設定される位置である。第２の位置とは洗浄用部材３がスピンチャック１１に接近する高さ位置であって、カップ体２の洗浄処理を行うときに設定される位置である。洗浄用部材３が第２の位置にあるときには、例えば洗浄用部材３の環状部５の側方に、カップ体２の内カップ２１と外カップ２２との間の領域が位置するように構成されている。また円形板１４には、軸部１２、昇降板７２及びガイド板７３を夫々昇降させるための開口領域が形成されている。図１は昇降機構７１及びガイド機構７４を示すように描き、図２は後述する洗浄ノズル８を示すように描いている。
スピンチャック１１の裏面には前記中央部材４の上面４２と対向する位置に例えば６個の凸部１５が、軸部１２の周りに周方向に互いに間隔を開けて設けられている。一方中央部材４の上面４２には、前記凸部１５と対応する位置に例えば６個の凹部４３が形成されている。これら凸部１５と凹部４３とは、洗浄用部材３を第２の位置に設定したときに係合するように構成される。前記凸部１５が凹部４３と係合するときには、必ずしも洗浄用部材３の中央部材４の上面４２がスピンチャック１１の裏面に接触する必要はない。
洗浄用部材３の下方側には、図２及び図４に示すように複数個の洗浄ノズル８が、前記軸部１２の周りに周方向に互いに間隔を開けて設けられている。この例では、３個の洗浄ノズル８が例えば軸部１２を回転中心とする同心円の円周を３等分する位置に夫々設けられる。洗浄ノズル８は、その先端に吐出口８０を備えたノズル部８１を有しており、このノズル部８１は、洗浄液の吐出方向がカップ体２の径方向外側かつ上方斜めを向くように構成されている。図４では前記吐出口８０を概略的に示している。そして洗浄ノズル８は、洗浄用部材３が第1の位置にあるときに、洗浄ノズル８から吐出される洗浄液が洗浄用部材３の開口部５２を通過してスピンチャック１１に保持されたウエハＷの裏面に到達するように構成される。
さらに洗浄ノズル８は、洗浄用部材３が第２の位置にあるときに、洗浄ノズル８から吐出される洗浄液を環状部５に衝突させてカップ体２の内面に案内するように構成される。洗浄液としては例えばレジストを溶解する溶剤が用いられ、洗浄ノズル８はバルブＶ１を備えた供給路８２を介して洗浄液供給源８２ａに接続されている。この例の洗浄ノズル８は、カップ体２を洗浄するための洗浄液を供給するカップ体洗浄ノズルと、ウエハＷの裏面を洗浄する洗浄液を供給するための基板洗浄ノズルとを兼用したものである。
さらにこの塗布装置１にはレジストノズル８３が設けられている。レジストノズル８３はバルブＶ２を備えた供給路８４によりレジスト供給源８５に接続されると共に、ウエハＷの上方の処理位置とカップ体２の側方の待機位置との間で図示しないノズル移動機構により移動できるように構成されている。
ここで洗浄用部材３の寸法の一例を示すと、ウエハＷが３００ｍｍサイズの場合には、中央部材４の直径Ｌ１（図４参照）は例えば２００ｍｍ、環状部５の外径Ｌ２は例えば３０５ｍｍ、環状部５の幅Ｌ３は例えば２５ｍｍ、開口部の幅Ｌ４は例えば３０ｍｍである。
塗布装置１は制御部により各部の動作が制御されている。この制御部は、プログラム格納部、ＣＰＵ、メモリを備えており、プログラム格納部は、コンピュータ記憶媒体例えばフレキシブルディスク、コンパクトディスク、ハードディスク、ＭＯ（光磁気ディスク）及びメモリーカードなどの記憶媒体などにより構成されている。このような記憶媒体に格納されたプログラムが、制御部にインストールされる。プログラムは、塗布装置１の各部に制御信号を送信してその動作を制御し、後述のレジスト膜の形成処理、及びウエハＷの裏面洗浄処理、並びにカップ体２の洗浄処理を行うように命令（各ステップ）が組み込まれている。
次に上述の塗布装置１の動作について、図５〜図７を参照して説明する。先ず、図示しない搬送アームを用いてウエハＷがスピンチャック１１上に搬送され、スピンチャック１１に受け渡される。前記カップ体２の外カップ２２の開口部２２１はウエハＷよりも大きいため、例えばスピンチャック１１を外カップ２２よりも上方の受け渡し位置まで上昇させ、この位置で前記搬送アームとの間でウエハＷの受け渡しが行われて、ウエハＷがスピンチャック１１に吸着保持される。
そして図５に示すように、レジスト液の塗布処理を行う。この塗布処理では、レジストノズル８３を待機位置からウエハＷの上方の処理位置へ移動させ、ウエハＷを例えば３０００ｒｐｍで回転させて、レジストノズル８３からウエハＷの中心部にレジスト液を供給する。洗浄用部材３は第1の位置に設定しておく。前記レジスト液は遠心力によりウエハＷの周縁部へと広げられていわゆるスピンコーティングが行われる。ウエハＷは所定時間回転され、ウエハＷ表面のレジスト液に含まれる溶剤が揮発してレジスト膜が形成される。また不要なレジスト液は遠心力によりウエハＷの外方へ飛散していき、例えば内カップ２１と外カップ２との間の領域から液受け部２７を介して排液路２８へ至り、排出される。さらにレジスト液の一部は内カップ２１の山型ガイド部２３や垂直壁２４、外カップ２２や液受け部２７の内面に付着したまま、堆積していく。
こうしてレジスト膜の塗布処理が終了した後、図６に示すようにウエハＷの裏面洗浄処理を行う。この裏面洗浄処理では、スピンチャック１１にウエハＷを吸着保持させ、洗浄用部材３を第１の位置に設定した状態で、スピンチャック１１を例えば１５００ｒｐｍの回転速度で回転させながら、洗浄ノズル８から洗浄液を吐出させる。洗浄用部材３が第1の位置にあるときには、開口部５２は洗浄ノズル８から吐出された洗浄液を通過するように形成されているため、洗浄液は前記開口部５２を介してウエハＷの裏面側に到達する。
また洗浄ノズル８は、洗浄液の吐出方向がカップ体２の径方向外側かつ上方斜めを向くように構成されているので、洗浄ノズル８が設けられている位置がウエハＷの周縁領域よりもカップ体２の径方向内側であっても、洗浄液はウエハＷ裏面の周縁領域例えばウエハＷの外縁から３０ｍｍ内側の位置近傍に到達する。またウエハＷが回転しているので、この回転の遠心力により外方に広がるように流れ、さらに遠心力により外方に飛ばされてカップ体２により回収される。洗浄ノズル８は軸部１２を囲むように３箇所に設けられているが、ウエハＷが回転していることから、洗浄液はウエハＷの裏面側周縁領域に万遍なく行きわたり、当該裏面側周縁領域に付着したレジストは洗浄液により溶解して除去される。そしてこのレジストは洗浄液と共にカップ体２に向けて飛散していき、例えば内カップ２１と外カップ２２との間の領域を介して液受け部２７へ流れ、排液路２８を介して排液される。
このように洗浄液は遠心力によりカップ体２へ向けて飛散していくので、カップ体２内面において洗浄液が到達した領域では、当該内面に付着したレジストの一部が洗浄液に溶解し、洗浄液と共に液受け部２７へ流れて排液される。こうして例えばウエハＷを回転させながら、洗浄液の供給を所定時間行った後、洗浄液の供給を停止してウエハＷの回転を続ける。これによりウエハＷの裏面側に残存する洗浄液が蒸発して除去される。この洗浄液の除去のための回転を所定時間行った後、スピンチャック１１の回転を停止して、スピンチャック１１を前記受け渡し位置まで上昇させ、図示しない搬送アームにウエハＷを受け渡す。
こうして、例えばロットの全てのウエハＷに対してレジスト液の塗布処理と、ウエハＷの裏面洗浄処理を行った後、図７に示すようにカップ体２の洗浄処理を行う。この洗浄処理では、洗浄用部材３を第２の位置に上昇させて、スピンチャック１１の凸部１５と洗浄用部材３の凹部４３とを係合させる。次いでスピンチャック１１を例えば１５００ｒｐｍの回転速度で回転させながら、洗浄ノズル８から洗浄液を吐出させる。洗浄用部材３はスピンチャック１１と係合しているので、軸部１２の回転力は軸受６を介して洗浄用部材３の中央部材４に伝達され、洗浄用部材３はスピンチャック１１の回転と共に回転する。また軸受６及び支持部材７の夫々の上面は、中央部材４の上面４２よりも低く設けられているので、中央部材４が回転するときに、軸受６と支持部材７とがスピンチャック１１の裏面に接触するおそれがなく、スムーズに洗浄用部材３が回転する。
洗浄用部材３が第２の位置にあるときには、洗浄ノズル８から吐出された洗浄液は環状部５に衝突する。また洗浄用部材３は回転しているので、環状部５に衝突した洗浄液は、回転の遠心力により外方に案内され、まき散らされるように飛散していく。こうして洗浄液は広範囲に拡散していき、内カップ２１の山型ガイド部２３や垂直壁２４、外カップ２２や液受け部２７の内壁等のカップ体２の内面の広い領域に到達する。レジスト液の塗布処理時にウエハＷから飛散するレジスト液の量は、カップ体２の洗浄処理時に洗浄用部材３から飛散する洗浄液の量に比べて僅かであり、レジスト液は洗浄液よりも粘性が大きい。このためカップ体２のレジストの付着領域よりも、洗浄時における洗浄液の到達領域の方が広くなる。従ってカップ体２のレジスト付着領域には万遍なく洗浄液が到達し、カップ体２の内面に堆積していたレジストが洗浄液に溶解して、洗浄液と共に液受け部２７へ流れ、排液される。このようにして洗浄用部材３を回転させながら、洗浄液の供給を所定時間行った後、洗浄液の供給を停止し、洗浄用部材３の回転を続ける。これにより洗浄用部材３に残存する洗浄液が蒸発して除去される。この洗浄液の除去のための回転を所定時間行った後、スピンチャック１１の回転を停止する。そして洗浄用部材３を第１の位置まで下降させる。
この実施の形態によれば、鉛直軸周りに支持されている洗浄用部材３を用い、洗浄用部材３を、洗浄ノズル８に対して相対的に昇降させている。そして洗浄用部材３は、カップ体２の洗浄を行う高さ位置（第２の位置）にて回転することができ、第２の位置よりも低い第１の位置でウエハＷの裏面洗浄を行うように構成されている。そしてウエハＷ裏面を洗浄するときには、洗浄用部材３に設けられた開口部５２を介して洗浄液をウエハＷ裏面に供給し、カップ体２を洗浄するときには、洗浄用部材３をスピンチャック１１と共に回転させて、環状部５に洗浄液を衝突させて当該洗浄液をカップ体２内に案内している。
従ってスピンチャック１１とは別個に設けられた洗浄用部材を用いることなく、ウエハＷの裏面及びカップ体２の洗浄を行うことができる。このため洗浄用部材を搬送機構により搬送する必要がないので、搬送機構をウエハＷの処理のみに使用することができ、搬送スループットの低下が抑えられる。また洗浄用部材を収納する保管庫を用意する必要がないので、装置の小型化を図ることができる。
また鉛直軸周りに支持されている洗浄用部材３を用い、第２の位置に置かれた洗浄用部材３を、スピンチャック１１を回転させる機構である駆動部１３により回転させている。このため洗浄用部材３は第２の位置において確実に回転し、回転振れの発生が抑えられる。さらに洗浄用部材３は、昇降機構７１により洗浄ノズル８に対して相対的に昇降するように構成されている。従ってウエハＷ裏面を洗浄するときに、洗浄液の洗浄用部材３における跳ね返りなどを抑えるために、洗浄用部材３の高さを微調整できる。さらに洗浄ノズル８は洗浄用部材３の下方側に設けられているので、洗浄ノズル８の形状や配置箇所が洗浄用部材３によって制限されることなく、自由に選択できる。このため例えばウエハＷの裏面洗浄時には、ウエハＷ裏面の周縁領域に直接洗浄液を供給するように、洗浄ノズル８を構成することができる。またカップ体２の洗浄時には、環状部５に洗浄液を衝突させているので、洗浄用部材３を回転させたとき常に環状部２に洗浄液が衝突し、環状のカップ体２へ向けて確実に洗浄液を案内することができる。このためウエハＷの裏面洗浄とカップ体２の洗浄とを良好に行うことができる。
さらに洗浄用部材３はカップ体２内を洗浄するときにのみスピンチャック１１に係合してスピンチャック１１と共に回転するように構成されている。このためウエハＷの液処理時には洗浄用部材３が回転しないので、気流の乱れが抑えられ、面内均一性の高いレジスト液の塗布処理を行うことができる。さらにまた洗浄用部材３をスピンチャック１１と係合させてスピンチャック１１と共に回転するように構成した場合には、洗浄用部材３専用の回転機構が不要となる。また洗浄ノズル８によりウエハＷの裏面洗浄時の洗浄液と、カップ体２洗浄時の洗浄液を供給しているので、カップ体洗浄ノズルと基板洗浄ノズルとを別個に設ける場合に比べて、構造が簡易となる。
第１の実施の形態の変形例について図８を参照して説明する。この例は、上述の第１の実施の形態の液処理装置１において、洗浄用部材３の環状部５の表面に洗浄液を供給するカップ体洗浄ノズル８６をさらに設けたものである。例えばカップ体洗浄ノズル８６は複数個用意され、夫々のノズル８６が軸部１２を中心とする同心円上に周方向に互いに間隔を開けて設けられている。これらカップ体洗浄ノズル８６はバルブＶ３を備えた供給路８７を介して洗浄液供給源８８に接続されている。またこの例の環状部５３は、外縁に向かって下降する傾斜面を備えるように構成されている。その他の構成は第１の実施の形態と同様である。
この構成では、カップ体２の洗浄時に、洗浄ノズル８から環状部５３の裏面に向けて洗浄液を吐出すると共に、カップ体洗浄ノズル８６から環状部５３の表面に向けて洗浄液を吐出して衝突させる。環状部５３の裏面及び表面に夫々衝突した洗浄液は、環状部５３の回転の遠心力により四方八方にまき散らされながら飛散していく。従ってカップ体２内部の様々な部位に洗浄液を供給することができ、さらに洗浄効果を高くすることができる。また環状部５３に傾斜面を設けることにより、環状部が水平である場合に比べて洗浄液の飛散の仕方が変わってくるので、傾斜面の調整によりカップ体２の形状に合わせて洗浄液を供給でき、良好な洗浄を行うことができる。
第１の実施の形態の他の変形例について図９及び図１０を参照して説明する。この例は、上述の第１の実施の形態の液処理装置１において、ウエハ裏面洗浄用の基板洗浄ノズル８Ａとカップ体洗浄用のカップ体洗浄ノズル８Ｂとを別個に設けたものである。これら基板洗浄ノズル８Ａ及びカップ体洗浄ノズル８Ｂは、例えば第１の実施の形態の洗浄ノズル８と同様に構成されている。また基板洗浄ノズル８Ａはカップ体洗浄ノズル８Ｂよりも軸部１２に近い位置に設けられている。これら洗浄ノズル８Ａ，８Ｂは例えば夫々複数個ずつ用意され、例えば夫々軸部１２を中心とし、直径の異なる同心円上に周方向に互いに間隔を開けて設けられている。その他の構成は第１の実施の形態と同様である。この構成では、ウエハＷ裏面の洗浄（図９参照）とカップ体２の洗浄（図１０参照）に適した形状のノズルを適切な設置個所に夫々設けることができる。このためウエハＷ裏面の周縁領域に洗浄液を供給することができ、かつ環状部５に確実に衝突するように洗浄液を供給することができるので、ウエハＷの裏面洗浄とカップ体２の洗浄を良好に行うことができる。
第１の実施の形態のさらに他の変形例について図１１を参照して説明する。この例は、上述の第１の実施の形態の液処理装置１において、洗浄ノズルの吐出口の位置を、ウエハＷの裏面を洗浄する位置と、カップ体２を洗浄する位置との間で移動させる移動機構を設けたものである。この例の洗浄ノズル８００は基板洗浄ノズルとカップ体洗浄ノズルとを兼用するものであり、カップ体２の径方向に沿って水平に設けられたガイドレール８０１上を駆動機構８０２により移動自在に構成されている。前記移動機構は、例えば駆動機構８０２とガイドレール８０１とにより構成される。洗浄ノズル８００は例えば複数個用意され、例えば軸部１２を中心とする同心円上に周方向に互いに間隔を開けて設けられている。その他の構成は第１の実施の形態と同様である。この構成では、洗浄ノズル８００はウエハＷ裏面の洗浄位置（図１１にて実線にて示した位置）とカップ体２の洗浄位置（図１１にて点線にて示した位置）との間で移動する。このため、ウエハＷ裏面の周縁領域に洗浄液を供給することができ、かつ環状部５に確実に衝突するように洗浄液を供給することができるので、ウエハＷ及び裏面洗浄とカップ体２の洗浄を良好に行うことができる。
第１の実施の形態のさらに他の変形例について図１２及び図１３を参照して説明する。この例は、上述の第１の実施の形態の液処理装置１において、洗浄ノズルの吐出口の位置を、上下方向に移動させる移動機構を設けたものである。この例の洗浄ノズル８１０は基板洗浄ノズルとカップ体洗浄ノズルとを兼用するものであり、ノズル部８１１が、移動機構をなす昇降機構８１２により昇降自在に構成されている。この例では、昇降機構８１２は、洗浄用部材３を、第１の位置と、前記第１の位置よりも高い第２の位置と、の間で、前記基板洗浄ノズル及びカップ体洗浄ノズルに対して相対的に昇降させる昇降機構に相当する。洗浄ノズル８１０は複数個用意され、例えば夫々軸部１２を中心とする同心円上に周方向に互いに間隔を開けて設けられている。洗浄用部材３に昇降機構７１が設けられていない以外は、第１の実施の形態と同様に構成されている。
この構成では、図１２に示すようにウエハＷ裏面を洗浄するときには、ノズル部８１１を上昇させ、洗浄用部材３の開口部５２を介してノズル部８１１の先端の吐出口８１３から吐出する洗浄液をウエハＷ裏面に到達させる。洗浄用部材３とノズル部８１１の吐出口８１３とは接近しており、このときの洗浄用部材３の高さ位置が第１の位置となる。また図１３に示すようにカップ体２を洗浄するときには、スピンチャック１１を下降させて洗浄用部材３と係合させると共に、ノズル部８１１を下降させ、ノズル部８１１から吐出する洗浄液を洗浄用部材３の環状部５に衝突させる。洗浄用部材３は、支持部材７により軸受６を介して鉛直軸周りに回転自在に支持されているので、スピンチャック１１と係合することによってスピンチャック１１の回転に伴って回転する。ノズル部８１１を下降させることにより、洗浄用部材３とノズル部８１１の吐出口８１３とは離間し、このときの洗浄用部材３の高さ位置が第２の位置となる。従ってノズル部の吐出口８１３から見ると、第２の位置は第１の位置よりも高くなる。この例においても、ウエハＷ裏面の周縁領域に洗浄液を供給することができ、かつ環状部５に確実に衝突するように洗浄液を供給することができるので、ウエハＷの裏面洗浄とカップ体２の洗浄を良好に行うことができる。
第１の実施の形態のさらに他の変形例について図１４及び図１５を参照して説明する。この例は、上述の第１の実施の形態の液処理装置１において、洗浄ノズルの吐出口の位置を、水平軸まわりに回転移動させるための移動機構を設けたものである。この例の洗浄ノズル８２０は基板洗浄ノズルとカップ体洗浄ノズルとを兼用するものであり、例えばノズル本体８２１が駆動モータ８２２により水平な回転軸８２３を介して回転することによって、ノズル部８２４の角度（水平面とのなす角）が変化するように構成されている。前記移動機構は、駆動モータ８２２と回転軸８２３とにより構成される。このようにノズル部８２４の角度が変化することにより、洗浄液の吐出角度（水平軸と吐出方向とのなす角）が変化する。洗浄ノズル８２０は複数個用意され、例えば軸部１２を中心とする同心円上に周方向に互いに間隔を開けて夫々設けられている。その他の構成は第１の実施の形態と同様である。この構成では、洗浄ノズル８２０は、図１４に示すウエハＷ裏面を洗浄するときと、図１５に示すようにカップ体２を洗浄するときとの間で、ノズル部８２４の角度が異なり、洗浄液の吐出角度が変化する。このためウエハＷ裏面の周縁領域に洗浄液を供給することができ、かつ環状部５に確実に衝突するように洗浄液を供給することができるので、ウエハＷの裏面洗浄とカップ体２の洗浄を良好に行うことができる。
第１の実施の形態のさらに他の変形例について図１６〜図１８を参照して説明する。この例は、洗浄用部材３１を、スピンチャック１１の側面と係合するように構成したものである。洗浄用部材３１は例えば平面視環状に構成され、中央部にはスピンチャック１１に対応する開口領域３２が形成されている。また洗浄用部材３１の周縁領域は環状部５４に相当し、この環状部５４よりもカップ体２の径方向内側に位置する開口部５５を備えている。
またスピンチャック１１の側面には凸部１６が設けられており、洗浄用部材３１開口領域３２の内面には凸部１６に係合する凹部３３が形成されている。この凸部１６と凹部３３とは、洗浄用部材３を第１の位置から第２の位置に上昇させることにより、互いに係合するように構成されている。図１８では、凸部１６と凹部３３との間の隙間を大きく描いている。
洗浄用部材３１は、軸部１２の周囲を囲むように設けられた例えば円筒状の支持部材３４により例えばボールベアリングよりなる軸受６４を介して支持されている。前記軸受６４は内輪が支持部材３４に接続され、外輪が例えば環状の保持部材３５に接続されており、この保持部材３５の他端側は洗浄用部材３に接続されている。従って洗浄用部材３１は常時鉛直軸周りに支持されることになる。前記支持部材３４の下面は第1の実施の形態と同様に昇降板７２を介して昇降機構７１に接続されており、洗浄用部材３を第１の位置（図１６参照）と、第２の位置（図１７参照）との間で昇降させる。また洗浄用部材３が第２の位置にあるときには、洗浄用部材３の環状部５４に衝突した洗浄液が飛散して、カップ体２内に案内される必要がある。このため例えば洗浄用部材３の側方に、カップ体２の内カップ２１と外カップ２２との間の開口領域が位置するように、洗浄用部材３１及びスピンチャック１１の高さ位置が調整される。その他の構成は、上述の第１の実施の形態と同様である。
この構成では、ウエハＷ裏面を洗浄するときには、洗浄用部材３１を第１の位置に設定すると共に、前記開口部５５を洗浄ノズル８に対応する位置に設定し、洗浄ノズル８からの洗浄液を前記開口部５５を介してウエハＷ裏面に供給する。またカップ体２を洗浄するときには、洗浄用部材３１を第２の高さ位置に設定してスピンチャック１１と係合させ、洗浄用部材３１の側方にカップ体２が位置するように、スピンチャック１１と洗浄用部材３１との高さ位置を夫々調整する。そしてスピンチャック１１の回転により洗浄用部材３１を回転させ、洗浄ノズル８からの洗浄液を環状部５４に衝突させてカップ体２の内面へ案内してカップ体２の洗浄処理を行う。
この構成においても、ウエハＷ裏面を洗浄するときには、洗浄用部材３１の開口部５５を介してウエハＷの裏面側周縁部に洗浄液が直接供給されるので、ウエハＷ裏面に付着したレジストが速やかに除去される。またカップ体２を洗浄するときには、洗浄用部材３１の周縁領域である環状部５４に洗浄液を衝突させて飛散させ、カップ体２内に案内しているので、カップ体２内の広範囲に洗浄液が飛散していき、カップ体２に付着したレジストが速やかに除去される。
以上において、洗浄用部材３はスピンチャック１１の駆動部１３とは別個の回転機構により鉛直軸周りに回転自在に構成するようにしてもよい。また洗浄用部材３、３１とスピンチャック１１とは、例えば電磁石を用いて接続するようにしてもよい。例えば電磁石を洗浄用部材３側に設け、洗浄用部材３、３１を第２の位置に設定したときに、電磁石をオンにして、洗浄用部材３、３１をスピンチャック１１に装着し、洗浄用部材３、３１をスピンチャック１１と共に回転させる。そして、洗浄用部材３、３１を第１の位置に設定するときには、電磁石をオフにして、洗浄用部材３、３１をスピンチャック１１から離脱させるように構成される。さらに上述の第１の実施の形態では、変形例同士を組み合わせて構成するようにしてもよい。また環状部５、５４は上昇する傾斜面を備えるようにしてもよい。前記傾斜面は、環状部５、５４自体を外縁に向かって上昇または下降するように傾斜させてもよいし、カップ体２の径方向において環状部５、５４の外側近傍を傾斜させるようにしてもよい。
（第２の実施形態）
続いて本発明の液処理装置の第２の実施の形態について、図１９及び図２０を参照して説明する。この例の塗布装置９が第１の実施の形態の塗布装置１と異なる点は、洗浄用部材９１がスピンチャック１１に取り付けられていることである。この例のスピンチャック（基板保持部）１１及びカップ体２は、第１の実施の形態と同様に構成されている。第２の実施の形態において第１の実施の形態と同様の部分については、同符号を付し、説明を省略する。
前記スピンチャック１１と円形板１４との間には、図１９及び図２０に示すように洗浄用部材９１が回転軸である軸部１２に固定して設けられている。この洗浄用部材９１は、例えば軸部１２の回転中心を中心とする平面視円形状に構成され、例えばスピンチャック１１の裏面と対向する面部９２と、この面部９２から外方に向かうに連れて上昇する傾斜面部９３とを備えている。この傾斜面部９３は、後述するようにカップ体２を洗浄するときに洗浄液を衝突させてカップ体２内へ案内する役割を持つ。また洗浄用部材９１は、スピンチャック１１に保持されたウエハＷよりも小径に形成され、洗浄用部材９１の外縁がスピンチャック１１に保持されたウエハＷの外縁よりもカップ体２の径方向内側に位置している。
洗浄用部材９１の下方側には、ウエハＷの裏面洗浄用の洗浄液を供給するための複数個の基板洗浄ノズル９４が前記軸部１２の周りに周方向に互いに間隔を開けて設けられている。前記基板洗浄ノズル９４の吐出口９４０は、洗浄液の吐出方向がカップ体２の径方向外側かつ上方斜めに向くように設定されている。また基板洗浄ノズル９４はスピンチャック１１上に保持されたウエハＷの裏面を洗浄するときには、洗浄用部材９１の周縁の外方を介して、ウエハＷ裏面の周縁領域に洗浄液を到達させるように構成されている。この例では、３個の基板洗浄ノズル９４が、軸部１２を回転中心とする第１の同心円の円周を３等分する位置に設けられており、夫々の基板洗浄ノズル９４から、ウエハＷ裏面の外縁から例えば３０ｍｍ内側の位置に洗浄液が供給される。
さらにカップ体２を洗浄するときに洗浄液を供給するための複数個のカップ体洗浄ノズル９５が、前記軸部１２の周りに周方向に互いに間隔を開けて設けられている。前記カップ体洗浄ノズル９５の吐出口９５０は、洗浄液の吐出方向がカップ体２の径方向外側かつ上方斜めに向くように設定されている。またカップ体２を洗浄するときには洗浄用部材９１の傾斜面部９３に洗浄液を衝突させるように構成されている。この例では、例えば３個のカップ体洗浄ノズル９５が、軸部１２を回転中心とし、第１の同心円よりも直径が小さい第２の同心円の円周を３等分する位置に設けられる。洗浄液としては例えばレジストを溶解する溶剤が用いられ、基板洗浄ノズル９４及びカップ体洗浄ノズル９５は図示しない供給路を介して洗浄液供給源に接続されている。
さらにこの塗布装置９にはレジストノズル８３が設けられている。このレジストノズルは図示しない供給路によりレジスト供給源に接続されると共に、ウエハＷの上方の処理位置とカップ体２の側方の待機位置との間で図示しないノズル移動機構により移動できるように構成されている。
この塗布装置９は制御部により各部の動作が制御されている。この制御部は、プログラム格納部、ＣＰＵ、メモリを備えており、プログラム格納部は、コンピュータ記憶媒体例えばフレキシブルディスク、コンパクトディスク、ハードディスク、ＭＯ（光磁気ディスク）及びメモリーカードなどの記憶媒体などにより構成されている。このような記憶媒体に格納されたプログラムが、制御部にインストールされる。プログラムは、塗布装置９の各部に制御信号を送信してその動作を制御し、後述のレジスト膜の形成処理、及びウエハＷの裏面の洗浄処理、並びにカップ２の洗浄処理を行うように命令（各ステップ）が組み込まれている。
次に上述の塗布装置の動作について説明する。先ず、図示しない搬送アームを用いてウエハＷがスピンチャック１１上に搬送され、受け渡される。この例では、カップ体２の外カップ２２の開口部２２１はウエハＷよりも大きいため、例えばスピンチャック１１を外カップ２２よりも上方側まで上昇させ、この位置で前記搬送アームとスピンチャック１１との間でウエハＷが受け渡され、吸着保持される。そしてレジスト液の塗布処理を行うが、この塗布処理では、レジストノズル８３を前記処理位置へ移動し、ウエハＷを例えば３０００ｒｐｍで回転させて、レジストノズル８３からウエハＷの中心部にレジスト液を供給する。前記レジスト液は遠心力によりウエハＷの周縁部へと広げられて、ウエハＷ表面全体にレジスト液が供給される。ウエハＷは所定時間回転が続けられ、ウエハＷ表面のレジスト液に含まれる溶剤が揮発してレジスト膜が形成される。また不要なレジスト液は遠心力によりウエハＷの外方へ飛散していき、例えば内カップ２１と外カップ２との間の領域から液受け部２７を介して排液路２８へ至り、排出される。さらにレジスト液の一部は内カップ２１の山型ガイド部２３や垂直壁２４、外カップ２２や液受け部２７の内壁に付着し、堆積する。
レジスト膜の塗布処理が終了した後、図１９に示すようにウエハＷの裏面洗浄処理を行う。この裏面洗浄処理では、スピンチャック１１にウエハＷを吸着保持させ、スピンチャック１１を例えば１０００ｒｐｍの回転速度で回転させながら、基板洗浄ノズル９４から洗浄液を吐出させる。洗浄液は、洗浄用部材９１の外方を介してウエハＷ裏面の周縁領域に供給される。基板洗浄ノズル９４は、洗浄液の吐出方向がカップ体２の径方向外側かつ上方斜めに向くように設定されているので、ウエハＷ裏面の周縁領域例えばウエハＷの外縁から３０ｍｍ内側の位置に到達する。
このときウエハＷが回転しているので、この回転の遠心力により洗浄液は外方に広がるように流れ、さらに遠心力により外方に飛ばされてカップ体２により回収される。またウエハＷは回転しているので、洗浄液はウエハＷの裏面側周縁部に万遍なく行きわたり、ウエハＷの裏面側周縁部に付着したレジスト液は洗浄液により溶解して除去される。そしてこのレジスト液は洗浄液と共にカップ体２に向けて飛散していき、例えば内カップ２１と外カップ２２との間の領域を介して液受け部２７へ流れ、排液路２８を介して排液される。
こうして例えばウエハＷを回転させながら洗浄液の供給を所定時間行った後、洗浄液の供給を停止し、ウエハＷの回転を続ける。これによりウエハＷの裏面側に残存する洗浄液が蒸発して除去される。この洗浄液の除去のための回転を所定時間行った後、スピンチャック１１の回転を停止して、スピンチャック１１を受け渡し位置まで上昇させ、図示しない搬送アームにウエハＷを受け渡す。
そして例えばロットの全てのウエハＷに対してレジスト液の塗布処理と、ウエハＷの裏面洗浄処理を行った後、カップ体２の洗浄処理を行う。この洗浄処理では、スピンチャック１１を例えば１５００ｒｐｍの回転速度で回転させながら、カップ体洗浄ノズル９５から洗浄液を吐出させる。この洗浄液は、洗浄用部材９１の傾斜面部９３に衝突し、回転の遠心力により当該傾斜面部９３により案内されて外方に広がっていき、外方にまき散らされるように飛散していく。これにより洗浄液は広範囲に拡散して、内カップ２１の山型ガイド部２３や垂直壁２４、外カップ２２や液受け部２７の内壁等のカップ体２の内面の広い領域に到達する。レジスト液の塗布処理においてウエハＷから飛散するレジスト液の量は、カップ体２の洗浄処理にて洗浄用部材３から飛散する洗浄液の量に比べて僅かであり、レジスト液は洗浄液よりも粘性が大きい。このためカップ体２のレジストの付着領域よりも、洗浄時における洗浄液の到達領域の方が広くなる。従ってカップ体２のレジスト付着領域には万遍なく洗浄液が到達する。これにより前記レジストが洗浄液に溶解し、洗浄液と共に液受け部２７へ流れて、排液される。こうして例えば洗浄用部材９１を回転させながら、洗浄液の供給を所定時間行った後、洗浄液の供給を停止し、洗浄用部材９１の回転を続ける。これにより洗浄用部材９１に残存する洗浄液が蒸発して除去される。この洗浄液の除去のための回転を所定時間行った後、スピンチャック１１の回転を停止する。
この実施の形態によれば、洗浄用部材９１をスピンチャック１１の軸部１２に設けているので、カップ体２の洗浄のときにスピンチャック１１とは別個に設けられた洗浄用部材９１を用いることなく、カップ体２の洗浄を行うことができる。このため洗浄用部材９１を搬送アームにより搬送する必要がないので、搬送アームをウエハＷの処理のみに使用することができ、搬送スループットの低下が抑えられる。また洗浄用部材９１を収納する保管庫を用意する必要がないので、装置の小型化を図ることができる。
また基板洗浄ノズル９４は洗浄用部材９１の下方側に設けられているので、洗浄ノズル９４の形状や配置箇所の自由度が高く、洗浄効果が高い液処理装置を適宜設計できる。このためウエハＷの裏面洗浄及びカップ体２の洗浄を良好に行うことができる。さらに洗浄用部材９１をスピンチャック１１の軸部１２に設け、スピンチャック１１の回転に伴い洗浄用部材９１が回転するように構成したので、洗浄用部材９１専用の回転機構が不要となり、簡易な構造となる。
第２の実施の形態の変形例について図２１を参照して説明する。この例は、上述の第２の実施の形態の液処理装置９において、基板洗浄ノズル９４とカップ体洗浄ノズル９５とを兼用する洗浄ノズル９００を設け、当該洗浄ノズル９００の吐出口９０１の位置を、ウエハＷの裏面を洗浄する位置と、カップ体２を洗浄する位置との間で移動させる移動機構を設けたものである。この例の洗浄ノズル９００は、カップ体２の径方向に沿って水平に設けられたガイドレール９０２上を駆動機構９０３により移動自在に構成されている。前記移動機構は、例えば駆動機構９０３とガイドレール９０２とにより構成される。洗浄ノズル９００は、例えば複数個用意され、例えば軸部１２を中心とする同心円上に周方向に互いに間隔を開けて設けられている。その他の構成は第２の実施の形態と同様である。
この構成では、洗浄ノズル９００はウエハＷ裏面の洗浄位置（図２１にて点線にて示した位置）とカップ体２の洗浄位置（図２１にて実線にて示した位置）との間で移動する。このため、ウエハＷ裏面の周縁領域に洗浄液を供給することができ、かつ洗浄用部材３１に確実に衝突するように洗浄液を供給することができるので、ウエハＷの裏面洗浄とカップ体２の洗浄を良好に行うことができる。
また例えば洗浄ノズル９００を垂直ノズルとしてもよく、例えばウエハＷ裏面を洗浄するときには、ウエハＷ裏面の周縁領域に対向する位置に洗浄ノズル９００を移動させて、洗浄液をウエハＷ裏面に供給する。一方カップ体２を洗浄するときには、洗浄用部材９１の傾斜面部９３に対向する位置に洗浄ノズル９００を移動させて、洗浄液を供給する。前記傾斜面部９３に供給された洗浄液は、回転の遠心力により傾斜面部９３の外縁まで案内されて移動し、外方に向けて飛散し、カップ体２内に案内されるので、カップ体２の洗浄を行うことができる。
第２の実施の形態の他の変形例について図２２を参照して説明する。この例は、上述の第２の実施の形態の液処理装置９において、洗浄ノズルの吐出口の位置を、水平軸まわりに回転移動させるための移動機構を設けたものである。この例の洗浄ノズル９１０は基板洗浄ノズルとカップ体洗浄ノズルとを兼用するものであり、例えばノズル本体９１１が図示しない駆動モータにより水平な回転軸９１２を介して回転することによって、ノズル部９１３の角度（水平面とのなす角）が変化するように構成されている。前記移動機構は、駆動モータと回転軸９１２とにより構成される。このようにノズル部９１３の角度が変化することにより、洗浄液の吐出角度（水平軸と吐出方向とのなす角）が変化する。洗浄ノズル９１０は複数個用意され、例えば軸部１２を中心とする同心円上に周方向に互いに間隔を開けて夫々設けられている。その他の構成は第２の実施の形態と同様である。この構成では、洗浄ノズル９１０は、ウエハＷ裏面を洗浄するときとカップ体２を洗浄するときとの間で、ノズル部９１３の角度が異なり、洗浄液の吐出角度が変化する。このためウエハＷ裏面の周縁領域に洗浄液を供給することができ、かつ環状部５に確実に衝突するように洗浄液を供給することができるので、ウエハＷの裏面洗浄とカップ体２の洗浄を良好に行うことができる。なお図２２では、洗浄ノズル９１０の傾きを示すために、夫々洗浄ノズル９１０はノズル部９１３の角度が異なっている。
第２の実施の形態の液処理装置においても、洗浄用部材９１の表面側に洗浄液を供給するカップ体洗浄ノズルを設けるようにしてもよい。また洗浄用部材９１の傾斜面部９３は、外縁に向かって下降するものであってもよい。さらに変形例同士を組み合わせてもよい。
以上において、本発明の液処理装置は、レジスト液の液処理のみならず、反射防止膜形成用の薬液の液処理や、絶縁膜形成用の薬液の液処理に適用できる。
Ｗ ウエハ
１、９ 塗布装置
１２ 軸部
１３ 駆動部
２ カップ体
２１ 内カップ
２２ 外カップ
３ 洗浄用部材
５ 環状部
５２ 開口部
６ 軸受
７ 支持部材
７１ 昇降機構
８ 洗浄ノズル
８Ａ 基板洗浄ノズル
８Ｂ カップ体洗浄ノズル

Claims (5)

  1. 周囲にカップ体が配置された基板保持部に基板を保持させ、前記基板保持部を鉛直軸回りに回転させながら、処理液を前記基板表面に供給して液処理を行う液処理装置において、
    前記カップ体を洗浄するための洗浄液を吐出するカップ体洗浄ノズルと、
    前記基板保持部に保持された基板の裏面を洗浄するための洗浄液を吐出する基板洗浄ノズルと、
    前記カップ体の周方向に沿って環状に形成された環状部と、前記環状部よりもカップ体の径方向内側に位置する開口部と、を含み、鉛直軸周りに支持された洗浄用部材と、
    前記洗浄用部材を、第１の位置と、前記第１の位置よりも高い第２の位置と、の間で、前記基板洗浄ノズル及びカップ体洗浄ノズルに対して相対的に昇降させる昇降機構と、
    前記第２の位置に置かれた洗浄用部材を鉛直軸周りに回転させるための回転機構と、を備え、
    前記第１の位置は、前記基板洗浄ノズルからの洗浄液が前記開口部を通過して基板の裏面に到達する高さ位置であり、前記第２の位置は、前記カップ体洗浄ノズルからの洗浄液が前記環状部に衝突してカップ体の内面に案内される高さ位置であり、
    前記洗浄用部材は、鉛直軸周りに回転できるように軸受を介して前記昇降機構に接続されると共に、第２の位置にて基板保持部に装着されて当該基板保持部と一緒に回転できるように構成され、
    前記回転機構は、前記基板保持部を回転させるための機構により構成されることを特徴とする液処理装置。
  2. 前記洗浄用部材は、第２の位置にて基板保持部に係合されるように構成されていることを特徴とする請求項１記載の液処理装置。
  3. 周囲にカップ体が配置された基板保持部に基板を保持させ、前記基板保持部を鉛直軸回りに回転させながら、処理液を前記基板表面に供給して液処理を行う液処理装置において、
    前記カップ体を洗浄するための洗浄液を吐出するカップ体洗浄ノズルと、
    前記基板保持部に保持された基板の裏面を洗浄するための洗浄液を吐出する基板洗浄ノズルと、
    前記カップ体の周方向に沿って環状に形成された環状部と、前記環状部よりもカップ体の径方向内側に位置する開口部と、を含み、鉛直軸周りに支持された洗浄用部材と、
    前記洗浄用部材を、第１の位置と、前記第１の位置よりも高い第２の位置と、の間で、前記基板洗浄ノズル及びカップ体洗浄ノズルに対して相対的に昇降させる昇降機構と、
    前記第２の位置に置かれた洗浄用部材を鉛直軸周りに回転させるための回転機構と、を備え、
    前記第１の位置は、前記基板洗浄ノズルからの洗浄液が前記開口部を通過して基板の裏面に到達する高さ位置であり、前記第２の位置は、前記カップ体洗浄ノズルからの洗浄液が前記環状部に衝突してカップ体の内面に案内される高さ位置であり、
    前記洗浄用部材が第１の位置に置かれているときには、前記基板洗浄ノズルの吐出口は、洗浄用部材よりも下方に位置し、洗浄液の吐出方向がカップ体の径方向外側かつ上方斜めに向くように設定されていることを特徴とする液処理装置。
  4. 周囲にカップ体が配置された基板保持部に基板を保持させ、前記基板保持部を鉛直軸回りに回転させながら、処理液を前記基板表面に供給して液処理を行う液処理装置において、
    前記カップ体を洗浄するための洗浄液を吐出するカップ体洗浄ノズルと、
    前記基板保持部に保持された基板の裏面を洗浄するための洗浄液を吐出する基板洗浄ノズルと、
    前記カップ体の周方向に沿って環状に形成された環状部と、前記環状部よりもカップ体の径方向内側に位置する開口部と、を含み、鉛直軸周りに支持された洗浄用部材と、
    前記洗浄用部材を、第１の位置と、前記第１の位置よりも高い第２の位置と、の間で、前記基板洗浄ノズル及びカップ体洗浄ノズルに対して相対的に昇降させる昇降機構と、
    前記第２の位置に置かれた洗浄用部材を鉛直軸周りに回転させるための回転機構と、を備え、
    前記第１の位置は、前記基板洗浄ノズルからの洗浄液が前記開口部を通過して基板の裏面に到達する高さ位置であり、前記第２の位置は、前記カップ体洗浄ノズルからの洗浄液が前記環状部に衝突してカップ体の内面に案内される高さ位置であり、
    前記基板洗浄ノズルはカップ体洗浄ノズルを兼用することを特徴とする液処理装置。
  5. 前記環状部は外縁に向かって上昇または下降する傾斜面を備えることを特徴とする請求項１ないし４のいずれか一つに記載の液処理装置。
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Families Citing this family (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6032189B2 (ja) * 2013-12-03 2016-11-24 東京エレクトロン株式会社 塗布膜形成装置、塗布膜形成方法、記憶媒体
KR102303597B1 (ko) * 2014-12-01 2021-09-17 세메스 주식회사 세정 용기 및 이를 가지는 기판 처리 장치
US10037902B2 (en) 2015-03-27 2018-07-31 SCREEN Holdings Co., Ltd. Substrate processing device and substrate processing method
JP6427449B2 (ja) * 2015-03-27 2018-11-21 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
KR101736441B1 (ko) 2015-11-30 2017-05-17 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 안내판 세정 방법
JP6769166B2 (ja) * 2016-08-10 2020-10-14 東京エレクトロン株式会社 液処理装置及び液処理方法
JP6961362B2 (ja) * 2017-03-03 2021-11-05 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
JP6841188B2 (ja) * 2017-08-29 2021-03-10 東京エレクトロン株式会社 塗布処理装置及び塗布液捕集部材
JP6983602B2 (ja) * 2017-09-26 2021-12-17 芝浦メカトロニクス株式会社 基板処理装置及び基板処理方法
JP6972939B2 (ja) * 2017-11-07 2021-11-24 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、半導体装置の製造方法、及び記憶媒体
JP6971865B2 (ja) * 2018-01-17 2021-11-24 キオクシア株式会社 処理装置
JP7144982B2 (ja) * 2018-06-22 2022-09-30 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
EP3594748B1 (en) * 2018-07-09 2021-04-14 C&D Semiconductor Services. Inc Optimal exposure of a bottom surface of a substrate material and/or edges thereof for cleaning in a spin coating device
KR102119685B1 (ko) * 2018-08-21 2020-06-09 세메스 주식회사 기판 처리 장치
JP6574513B2 (ja) * 2018-10-26 2019-09-11 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
CN109701943A (zh) * 2019-01-22 2019-05-03 上海提牛机电设备有限公司 一种晶片清洗盆
KR102378337B1 (ko) * 2019-06-24 2022-03-25 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 방법
KR20210006566A (ko) * 2019-07-08 2021-01-19 세메스 주식회사 기판 처리 장치
JP7232737B2 (ja) * 2019-08-07 2023-03-03 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
KR102612183B1 (ko) * 2020-09-29 2023-12-13 세메스 주식회사 처리 용기 및 액처리 장치
JP2022062395A (ja) * 2020-10-08 2022-04-20 東京エレクトロン株式会社 液処理装置及び洗浄方法
JP2022063043A (ja) * 2020-10-09 2022-04-21 東京エレクトロン株式会社 基板洗浄装置、基板洗浄方法及びコンピュータ読み取り可能な記録媒体
CN114433533B (zh) * 2020-11-04 2023-09-19 中国科学院微电子研究所 光刻胶收集杯清洗设备及光刻胶收集杯清洗方法
KR20220097680A (ko) * 2020-12-30 2022-07-08 세메스 주식회사 노즐 대기 포트와 이를 포함하는 기판 처리 장치 및 이를 이용한 노즐 세정 방법
JP2022124070A (ja) * 2021-02-15 2022-08-25 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置、および、筒状ガードの加工方法
JP2023007561A (ja) * 2021-07-02 2023-01-19 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及びミストガードの洗浄方法
CN113471135B (zh) * 2021-07-06 2022-07-29 华海清科股份有限公司 一种晶圆夹持装置和晶圆清洗装置
KR20230016859A (ko) 2021-07-27 2023-02-03 삼성전자주식회사 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0462831A (ja) * 1990-06-25 1992-02-27 Toshiba Corp ホトレジスト塗布方法
JP2886382B2 (ja) * 1992-03-16 1999-04-26 東京エレクトロン株式会社 塗布装置
JP2893146B2 (ja) 1991-09-20 1999-05-17 東京エレクトロン株式会社 塗布装置
KR0167572B1 (ko) 1991-09-20 1999-02-01 이노우에 아키라 기판도포장치
JP2814184B2 (ja) * 1993-08-23 1998-10-22 東京エレクトロン株式会社 塗布装置
JPH08117708A (ja) 1994-10-24 1996-05-14 Hitachi Ltd 洗浄方法及びその装置
JP3573504B2 (ja) * 1994-11-04 2004-10-06 株式会社ルネサステクノロジ 半導体装置の製造方法
JP3518948B2 (ja) * 1995-08-24 2004-04-12 大日本スクリーン製造株式会社 基板の回転処理装置
JP3518953B2 (ja) * 1996-06-28 2004-04-12 大日本スクリーン製造株式会社 回転式基板処理装置
SG103277A1 (en) * 1996-09-24 2004-04-29 Tokyo Electron Ltd Method and apparatus for cleaning treatment
JPH1133468A (ja) * 1997-07-23 1999-02-09 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 回転式基板処理装置およびカップの洗浄方法
JP4040270B2 (ja) * 2001-06-25 2008-01-30 東京エレクトロン株式会社 基板の処理装置
JP2006270115A (ja) * 2006-05-22 2006-10-05 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置及び基板処理方法
JP4816747B2 (ja) * 2009-03-04 2011-11-16 東京エレクトロン株式会社 液処理装置及び液処理方法
JP2012012647A (ja) * 2010-06-30 2012-01-19 Tokyo Electron Ltd 金属膜形成装置

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