JP6769166B2 - 液処理装置及び液処理方法 - Google Patents

液処理装置及び液処理方法 Download PDF

Info

Publication number
JP6769166B2
JP6769166B2 JP2016157997A JP2016157997A JP6769166B2 JP 6769166 B2 JP6769166 B2 JP 6769166B2 JP 2016157997 A JP2016157997 A JP 2016157997A JP 2016157997 A JP2016157997 A JP 2016157997A JP 6769166 B2 JP6769166 B2 JP 6769166B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
wafer
holding portion
surrounding member
liquid treatment
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2016157997A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2018026477A (ja
Inventor
福田 昌弘
昌弘 福田
博 一ノ宮
博 一ノ宮
耕一 小畑
耕一 小畑
山本 太郎
太郎 山本
公一朗 田中
公一朗 田中
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Electron Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Priority to JP2016157997A priority Critical patent/JP6769166B2/ja
Priority to TW106125983A priority patent/TWI757316B/zh
Priority to KR1020170098087A priority patent/KR102410089B1/ko
Priority to US15/671,325 priority patent/US10128136B2/en
Priority to CN201710679783.4A priority patent/CN107731709B/zh
Publication of JP2018026477A publication Critical patent/JP2018026477A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6769166B2 publication Critical patent/JP6769166B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/6715Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/30Imagewise removal using liquid means
    • G03F7/3021Imagewise removal using liquid means from a wafer supported on a rotating chuck
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05CAPPARATUS FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05C11/00Component parts, details or accessories not specifically provided for in groups B05C1/00 - B05C9/00
    • B05C11/02Apparatus for spreading or distributing liquids or other fluent materials already applied to a surface ; Controlling means therefor; Control of the thickness of a coating by spreading or distributing liquids or other fluent materials already applied to the coated surface
    • B05C11/08Spreading liquid or other fluent material by manipulating the work, e.g. tilting
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05CAPPARATUS FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05C11/00Component parts, details or accessories not specifically provided for in groups B05C1/00 - B05C9/00
    • B05C11/10Storage, supply or control of liquid or other fluent material; Recovery of excess liquid or other fluent material
    • B05C11/1002Means for controlling supply, i.e. flow or pressure, of liquid or other fluent material to the applying apparatus, e.g. valves
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05CAPPARATUS FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05C5/00Apparatus in which liquid or other fluent material is projected, poured or allowed to flow on to the surface of the work
    • B05C5/02Apparatus in which liquid or other fluent material is projected, poured or allowed to flow on to the surface of the work the liquid or other fluent material being discharged through an outlet orifice by pressure, e.g. from an outlet device in contact or almost in contact, with the work
    • B05C5/0254Coating heads with slot-shaped outlet
    • B05C5/0258Coating heads with slot-shaped outlet flow controlled, e.g. by a valve
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08CLEANING
    • B08BCLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B3/00Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B3/02Cleaning by the force of jets or sprays
    • B08B3/022Cleaning travelling work
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08CLEANING
    • B08BCLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B3/00Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B3/04Cleaning involving contact with liquid
    • B08B3/08Cleaning involving contact with liquid the liquid having chemical or dissolving effect
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08CLEANING
    • B08BCLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B3/00Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B3/04Cleaning involving contact with liquid
    • B08B3/10Cleaning involving contact with liquid with additional treatment of the liquid or of the object being cleaned, e.g. by heat, by electricity or by vibration
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/16Coating processes; Apparatus therefor
    • G03F7/162Coating on a rotating support, e.g. using a whirler or a spinner
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/40Treatment after imagewise removal, e.g. baking
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041Cleaning
    • H01L21/02043Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process
    • H01L21/02052Wet cleaning only
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H01L21/0271Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
    • H01L21/0273Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67161Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers
    • H01L21/67178Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers vertical arrangement

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Coating Apparatus (AREA)

Description

本発明は、水平に保持した基板を鉛直軸周りに回転させて処理液を供給して処理を行う技術に関する。
従来、基板にレジストパターンを形成するシステムに用いられる現像装置では筒状のカップ体の中に設けられた基板保持部に基板である半導体ウエハ(以下ウエハと記載する)を吸着保持し、このウエハの表面に現像液ノズルから現像液を供給し、その後ウエハを回転させながら洗浄ノズルにより洗浄液を供給して洗浄し、更に振り切り乾燥する一連の工程が行われる。
この時カップ体内に開口する排気ポートからカップ体内の排気を行いながらウエハに処理液を供給して液処理を行うことで、処理液の飛散により発生するミストやパーティクルのウエハ上への付着を防いでいる。
近年では、デバイスの微細化により現像処理後の洗浄力を高める要請があり、本発明者は、ウエハを例えば4000rpm程度の高回転で回転させながら洗浄を行う手法が検討されている。しかしながらウエハの回転数が上がるとウエハから洗浄液が飛散しやすく、カップ体から跳ね返った洗浄液の液撥ねの増加やウエハから飛散した洗浄液によるミストの量の増加によるウエハ表面へのミストの再付着の増加が問題となる。
特許文献1には、基板への液撥ね及びミストの再付着を抑制する技術が記載されているが、ウエハの回転数は2500rpm程度であり、ウエハの回転数がより高い場合については想定していない。
また特許文献2にはウエハから飛散する洗浄液をカップ体の内面に沿って流しカップ体内を洗浄し、カップ体に付着したミストによるウエハの汚染を抑制する技術が記載されているが、ウエハへの液撥ねやミストの再付着を抑制する技術ではない。
特開2010−206019号公報 特開2015−176996号公報
本発明はこのような事情の下になされたものであり、その目的は、鉛直軸周りに回転させた基板に処理液を供給して処理を行う液処理装置において、基板のミストの再付着を抑制する技術を提供することにある。
本発明の液処理装置は、基板にノズルから処理液を供給して処理を行う液処理装置において、
基板を水平に保持して鉛直軸周りに回転するための基板保持部と、
前記基板保持部上の基板を囲むように設けられ、その上部側が内方側に向けて斜め上方に伸び出した囲み部材と、
前記基板保持部の下方側領域を当該基板保持部の周方向に沿って囲むように設けられ、前記基板保持部に保持された基板の裏面の周縁部に近接して対向した位置から外側下方に向かう傾斜面が形成されたガイド部材と、
前記囲み部材とガイド部材との隙間を介して基板の周囲の雰囲気を排気するための排気機構と、を備え、
前記囲み部材の内周面における前記基板保持部に保持された基板の上面の高さの部位よりも上方側に、周方向に沿って伸びる溝部が上下に2本並べて、全周に亘って形成されたことを特徴とする。
本発明の液処理方法は、基板を水平に保持して鉛直軸周りに回転するための基板保持部と、前記基板保持部上の基板を囲むように設けられ、その上部側が内方側に向けて斜め上方に伸び出した囲み部材と、前記基板保持部の下方側領域を当該基板保持部の周方向に沿って囲むように設けられ、前記基板保持部に保持された基板の裏面の周縁部に近接して対向した位置から外側下方に向かう傾斜面が形成されたガイド部材と、前記囲み部材とガイド部材との隙間を介して基板の周囲の雰囲気を排気するための排気機構と、を備え、前記囲み部材の内周面における前記基板保持部に保持された基板の上面の高さの部位よりも上方側に、周方向に伸びる溝部が上下に2本並べて、全周に亘って形成された液処理装置を用い、
水平に保持された基板に処理液を供給し、4000rpm以上の回転数で回転させて液処理を行うことを特徴とする
本発明は、基板保持部に保持された基板を回転させながら当該基板に処理液を供給し、基板を囲む囲み部材と、基板の下方側を囲むガイド部材との間の隙間を介して排気を行うにあたって、囲み部材の内周面における上縁部側に周方向に伸びる溝部を設けている。そのため基板から振り切られた処理液により発生したミストが囲み部材に沿って流れ出ようとしたときに、溝部により捕捉される。従って基板を高回転で回転させて液処理を行う場合にもミストの流出を防ぐことができ、基板への再付着を抑制することができる。
本発明の実施の形態に係る現像装置の断面図である。 前記現像装置における囲み部材を内面側から見た断面図である。 前記現像装置におけるカップ体を拡大した断面図である。 前記現像装置におけるカップ体を拡大した断面図である。 溝部における気流を説明する説明図である。 カップ体における気流の流れを説明する説明図である。 上側カップに衝突する気流を説明する説明図である。 囲み部材の他の例を示す断面図である。 囲み部材のさらに他の例を示す断面図である。 溝部の形状の他の例を示す断面図である。 溝部の形状の他の例を示す断面図である。 溝部の形状の他の例を示す断面図である。 比較例1に係る囲み部材を示す断面図である。 比較例3に係るカップ体を示す断面図である
本発明の液処理装置を現像装置に適用した実施の形態ついて説明する。図1に示すように現像装置は基板であるウエハWの裏面側中央部を吸着して水平姿勢に保持するための基板保持部であるスピンチャック11を備えている。スピンチャック11は回転軸12を介して回転機構13と接続され、ウエハWが鉛直軸回りに回転するように構成されている。
スピンチャック11の下方には、回転軸12を囲む水平板14が設けられている。水平板14には、水平板14を垂直方向に貫通する孔部15が周方向等間隔に3か所設けられている。各孔部15には各々昇降ピン16が設けられ、昇降ピン16は昇降板17を介して昇降機構18に接続されて昇降自在に構成されている。
またスピンチャック11に載置されたウエハWの側方を含む領域を囲むカップ体1が設けられている。カップ体1は、起立した円筒部21を備え、円筒部21は、上部側が肉厚に構成され、下方側が肉薄に構成されている。この円筒部21の上縁には、内側上方に向けて斜めに伸びる傾斜部22が全周に亘って設けられている。図2に示すように傾斜部22の上端部の内周面には、各々周方向に沿って全周に亘って伸びる溝部23が上下に2本並んで形成されている。この円筒部21と傾斜部22とは、囲み部材に相当する。
図1に戻って囲み部材2の下方には、環状体4が設けられている。環状体4は環状に形成された底面部40を備え、底面部40の外周縁に円筒部21の下端が接続されている。また底面部40の内周縁には、起立した内筒部42が形成されている。また底面部40から上方に伸び出し周方向に沿って形成された区画壁41が設けられ、区画壁41により、環状体4は内側領域45と外側領域46とに区画されている。外側領域46の底部には貯留した現像液などのドレインを排出する排出路である排液口43が設けられている。また内側領域45には、底面部40から上方に向かって伸びる筒状の排気ポート44が下方から嵌入しており、排気ポート44の上端は、後述する垂直壁33の下端よりも高い位置で開口している。排気ポート44の下端には排気管の一端が接続されており、排気管の他端は圧力調整部47を介して工場排気管(工場用力)に接続されている。排気ポート44、圧力調整部47及び工場排気管は排気機構に相当する。
スピンチャック11に保持されたウエハWの下方における水平板14の周囲には、ガイド部材3が設けられている。ガイド部材3は断面が概略山型のリング状の板状部31を備え、板状部31の下面には、環状体40の内筒部42の上端が接続されると共に板状部31の周縁部には、下方に向けて伸びる垂直壁33が全周に亘って形成されている。ガイド部材3は、その頂部がスピンチャック11に保持されたウエハWの周縁部の下面と隙間を介して対向するように配置され、頂部から外側に向けて下方に傾斜した傾斜面32が形成されている。ガイド部材3の傾斜面32と囲み部材2の傾斜部22の内面とは、互いに隙間を介して対向するように配置されている。またガイド部材3の垂直壁33は、環状体4の外側領域46に挿入され、垂直壁33は、円筒部21の内周面、区画壁41及び底面部40との間には、隙間が形成されている。
上述実施の形態に係る現像装置のカップ体1の具体的な寸法の一例について図3、図4を参照して示しておく。図3に示すようにガイド部材3の傾斜面32の傾斜角度θ1は5〜20°この例では8°、囲み部材2における傾斜部22の内面の傾斜角度θ2は、10〜30°、この例では22°に設定される。従って囲み部材2における傾斜部22の内面と、ガイド部材3の傾斜面32と、の間の角度は、0〜20°この例では14°に設定されている。また囲み部材2における傾斜部22の内面と、ガイド部材3の傾斜面32と、は最も狭い部位の間隔d1が3〜10mm、この例では5mmに設定されており、囲み部材2における円筒部21の内面と、ガイド部材3の垂直壁33との間隔d2は、3〜10mmこの例では8mmに設定されている。
またスピンチャック11に保持されたウエハWの周縁から囲み部材2の内面におけるウエハWの上面の高さの位置までの水平距離d3は、20〜40mmこの例では30mmに設定され、囲み部材2の上端とスピンチャック11に保持されたウエハWの周縁との水平距離d4は、3〜5mm、この例では5mmに設定されている。さらにウエハWの上面の高さから囲み部材2の内面の上端の高さまでの間隔h1は、5〜10mm、この例では10mmに設定されている。また囲み部材2の傾斜部22の外面から内面までの長さh2は、10〜20mm、この例では13mmに設定されている。
またウエハWから振り切られた液滴が溝部23に衝突することを避けるため、溝部23は、囲み部材2の内面におけるウエハWの上面の高さ位置よりも囲み部材2の上端側に設けられ、囲み部材2の内面におけるウエハWの上面を延長した線の交差するポイントと下方側の溝部23までの離間寸法d5は、0〜13mm、この例では13mmに設定され、高さの差は、0〜10mmこの例では5mmに設定されている。溝部23は、傾斜部22に沿って10〜27mmの範囲この例では、14mmの範囲d6に亘って形成されている。図4に示すように各溝部23の幅L1は、4〜10mmこの例では5mmに設定され、各溝部23の深さh3は、8〜10mmこの例では8〜9.2mmに形成されている。また2つの溝部23の間の壁部24及び囲み部材2の最も上端側に形成された溝部23の囲み部材2の上端側の壁部25の厚さL2は各々0.5〜2mm、この例では1mmの厚さに形成されている。また溝部23は、水平面に対して垂直方向に伸びるように形成しているが、溝部23の上方側が外側に傾斜するように形成してもよい。この場合には水平面と溝部23との角度が例えば90〜120°であればよい。
図1に戻って現像装置は、現像液ノズル5と例えば純水などの洗浄液を供給する洗浄液ノズル6とを備えている。現像液ノズル5は、現像液供給路51を介して現像液が貯留された現像液供給機構52に接続されている。現像液供給機構52は現像液ノズル5へ現像液を圧送する手段や、当該現像液の流量を制御するためのバルブやマスフローコントローラを備えている。洗浄液ノズル6は、洗浄液供給路61を介して洗浄処理を行うための例えば純水などの洗浄液を供給する洗浄液供給機構62に接続されている。洗浄液供給機構62は洗浄液ノズル6へ洗浄液を圧送する手段や、当該洗浄液の流量を制御するためのバルブやマスフローコントローラを備えている。また現像装置は、カップ体1の上方に、例えばファンフィルターユニット(FFU)9を備え、現像処理を行う間、カップ体1に向けて下降気流が形成されている。
現像装置は、制御部100を備えている。制御部100は、例えばコンピュータからなり、メモリ、CPU及びプログラムを備えている。このプログラムには、搬入されたウエハWをスピンチャック11で保持し、現像処理を行った後、洗浄処理と乾燥処理とを行い、その後ウエハWを現像装置から搬出するまでのウエハWの搬送スケジュールや一連の各部の動作を制御するようにステップ群が組まれている。これらのプログラム(処理パラメータの入力操作や表示に関するプログラムも含む)は、例えばハードディスク、コンパクトディスク、マグネットオプティカルディスクまたはメモリーカードなどの記憶媒体に格納されて制御部100にインストールされる。
次に現像装置で行われる現像処理の一連の流れについて説明する。レジスト膜が形成され、露光されたウエハWが図示しない外部の搬送アームによりスピンチャック11の上方に搬送され、搬送アームと昇降ピン16との協働作用により、ウエハWはスピンチャック11に受け渡されて、吸着保持される。
続いて現像液ノズル5がウエハWの中心部の上方に移動し、ウエハWに現像液を吐出して液溜まりを形成する。しかる後、ウエハWの回転を開始し、例えば10rpmの回転数を維持すると共に現像液ノズル5をウエハWの周縁に向けて移動させる。これにより現像液の液溜まりがウエハWの中心から周縁部へ向けて広げられる。そして現像液ノズル5はウエハWの周縁まで移動した後、現像液の供給を停止し、カップ体1の外部の図示しない待機部に退避する。この結果ウエハWの表面全体を覆うように現像液の液溜まりが形成される。その後ウエハWの回転を停止する。レジスト膜における露光処理が行われた部位は、露光によりレジストが現像液に対して不溶性となっている。従って現像液の液溜まりを形成し、ウエハWに対して液溜まりを静止することにより、レジスト膜における露光されていない可溶部位が現像液と反応して溶解する。
続いてウエハWの回転を開始すると、レジスト膜における現像液と反応して溶解した部位は、流動性が高くなっているため、ウエハWの回転により、ウエハWの表面に供給された現像液と共に振り切られて除去される。
その後洗浄液ノズル6をウエハWの中心に向けて洗浄液を吐出する位置に移動する。そしてウエハWの回転させた状態で、ウエハWの中心に向けて洗浄液を供給する。これによりウエハWの表面に洗浄液の液溜まりが形成され、ウエハWの周縁に向けて広がって行く。続いてウエハWの回転速度を、例えば4000rpmに維持し、ウエハWの表面の洗浄液を振り切る。その後洗浄液を停止すると共にウエハを回転させてウエハWの表面を乾燥させる。
ウエハWに処理液を供給しているときのカップ体1における気液流について説明する。ウエハWに一連の現像処理を行うときには、工場用力によりカップ体1内が例えば40Paの排気圧で排気され、ウエハW表面から囲み部材2とガイド部材3との間の隙間に流れ込む排気流が形成されている。例えばウエハWに洗浄液を供給し、ウエハを4000rpmで回転させると、洗浄液はウエハWの表面から振り切られてカップ体1内に飛散し、例えばミストになって雰囲気中に漂う。この時ウエハWから振り切られた洗浄液及びミストは、排気流に捕捉され囲み部材2とガイド部材3との間の隙間に流れ込む。そして洗浄液及びミストが捕捉された排気流(気液流)は囲み部材2の円筒部21とガイド部材3の垂直壁33との間を流れて、下側カップ体4の外側領域46に流れ込む。この時液体の成分は、外側領域46に流れ落ち排液口43から排液され、ミストを含む気体成分は、区画壁41を越えて内側領域45に流れ込み排気ポート44から排気される。
しかしながらカップ体1内においてウエハWの表面からカップ体1に排気される気流が乱れることがあり、囲み部材2の内面に沿ってカップ体1の外に流れ出ようとすることがある。そのため気流に含まれるミストがカップ体1から流れ、ウエハWに再付着してしまうことがある。特にウエハWの回転数が高い場合、例えば4000rpm程度の場合には、振り切られる処理液が勢いよく飛散してカップ体1の壁面に強く衝突するためミストになりやすい。そのためミストの量が増加し、ミストを排気しきれずにウエハWに付着しやすくなる。
上述の実施の形態は、スピンチャック11に保持されたウエハWを回転させながら当該ウエハWに洗浄液を供給し、ウエハWを囲む囲み部材2と、ウエハWの下方側を囲むガイド部材3との間の隙間を介して排気を行うにあたって、囲み部材2の内周面における上縁部側に周方向に伸びる2本の溝部23を設けている。そのため図5に示すように囲み部材2に沿って気流が流れると、気流は溝部23において渦流を形成し、溝部23内にて滞留する。そのため囲み部材2に沿ってミストを含む気流が流れたときに溝部23内に当該気流を捕捉することができ、カップ体1の外部へのミストの流出を抑制することができる。従ってウエハWへのミストの付着を抑制することができる。
またウエハWの表面からカップ体1内に流れる気流は、図6に示すようにウエハWの表面から周方向に水平に流れ出す。気流はガイド部材3の傾斜面32に沿って流れるため、ガイド部材3の傾斜面32と、囲み部材2の傾斜部22の内面とが平行でない場合には、図7に示すようにガイド部材3の傾斜面32に沿って流れた気流が囲み部材2の内面に衝突し、囲み部材2の内面を押し、囲み部材2に沿って流れようとする。この時ガイド部材3の傾斜面32と、囲み部材2の傾斜部22の内面の平行度が低い場合、即ち、ガイド部材3の傾斜面32と、囲み部材2の傾斜部22の内面との間の角度が大きい場合には、囲み部材2の内面に衝突し、囲み部材2の内面を押す力が大きくなり、囲み部材2の内面に強く衝突するためウエハWの表面に処理液の液撥ねが起こりやすくなる。また水平に保持されたウエハWを鉛直軸周りに回転させて洗浄液を振り切るため、囲み部材2における傾斜部22の内面の傾斜角度が大きい場合には、振り切られた洗浄液が囲み部材2における傾斜部22の内面に強く衝突するため液撥ねがしやすくなる。
上述の実施の形態では、囲み部材2の傾斜部22の内面と、ガイド部材3の傾斜面32との間の角度を14°と小さくしている。従ってガイド部材3の傾斜面32に沿って流れた気流が囲み部材2の内面に強く衝突することが抑制される。さらに囲み部材2の傾斜部22の内面の傾斜角度を22°としているため、ウエハWから水平に振り切られる洗浄液の液撥ねを抑制することができる。
この時囲み部材2の傾斜部22の内面の傾斜角度はガイド部材3の傾斜面32の傾斜角度に対して、+0°から+20°の範囲にあることが好ましく+0°に近い程、跳ね返りは少なくなる。また囲み部材2における傾斜部22の内面の傾斜角度は、10°から30°が好ましい。
また上述の実施の形態では、囲み部材2の傾斜部22の内面と、ガイド部材3の傾斜面32との間の最も狭い部位の間隔を5mmとし、囲み部材2の傾斜部22の内面と、ガイド部材3の傾斜面32との間が狭くなるようにしている。そのため排気流の流速が高まり、気流がカップ体1の外部に流出しにくくなる。このとき排気流の流速を十分に速くするためにガイド部材3の傾斜面32と前記囲み部材2の内面とは、最も狭い部位の間隔が3〜10mmであることが好ましい。
また本発明の実施の形態に係る液処理装置は、図8に示すように囲み部材2の上端部に設ける溝部23は1つであってもよい。既述のように溝部23内にて渦流を形成することでカップ体1から流出しようとするミストを捕捉することができるため効果はあるが、後述の実施例に示すように溝部23を2本形成することでよりミストの捕集効率を高めることができる。さらに溝部23内に気流を滞留させるために、溝部23は深さ8〜10mm、幅4〜10mmに形成することが好ましい。さらに溝部23の数は、3つ以上であってもよい。
また囲み部材2がスピンチャック11に保持されたウエハWに近い場合には、液撥ねが起こりやすくなる。そのためスピンチャック11に保持されたウエハWの周縁と、前記囲み部材2の内面と、は、水平距離で20〜40mm離れていることが好ましく、さらに囲み部材2の内面の上端部は、ウエハWの表面高さより5〜10mmであることが好ましく、囲み部材2の上端部と、ウエハWの周縁部との水平距離は3〜5mmであることが好ましい。また囲み部材2の傾斜部22の先端部の厚さを厚くすることでカップ体1の内部から気流が漏れにくくなる。囲み部材2の傾斜部22の先端部の厚さが厚すぎるとウエハWの受け渡しが行いにくくなることから囲み部材2の傾斜部22の先端部の厚さは、10〜20mmが好ましい。
また複数の溝部23を各々区画する壁部24及び囲み部材2の最も上端側の溝部23の囲み部材2の上端側に形成された壁部25は、囲み部材2における傾斜部22の内面の延長した面よりも上方であることが、ウエハWから振り切られた処理液の液撥ねを抑制するという観点から好ましい。この時図9に示すように囲み部材2における傾斜部22の内面の延長した面よりも下方に、突出させることでミストがカップ体1の外部に流出しにくくなる。その場合には、最もウエハWよりの壁部25の先端の高さ位置は、ウエハWの表面の高さ位置よりも5〜10mmであることが好ましい。
また溝部23の形状の他の例について図10〜図12に示す。例えば図10に示すように溝部23の内面の角部の面取りを行い、曲面にしてもよい。さらに図11に示すように壁部24、25を下方側に向かうに従い外側に向けて幅が広くなるように構成してもよい。さらに溝部23は、図12に示すように断面が山形形状に形成されてもよい。
また本発明は、フッ酸溶液を処理液としてウエハWに供給し、表面の酸化膜を除去する液処理装置に適用してもよいし、あるいはその他薬液によりウエハWの表面のパーティクルを除去する液処理装置に適用してもよい。さらにはまた基板にレジスト液を塗布する塗布装置に適用してもよい。
[実施例]
本発明の実施の形態の効果を検証するために以下の試験を行った。
[実施例1]
本発明の実施の形態に示した現像装置を用い、ウエハWに向けて洗浄液を供給した例を実施例1とした。
[実施例2]
囲み部材2の上端部の内面に幅10mm、深さ8〜9.2mmの溝部23を一本形成したことを除いて実施例1と同様に構成した例を実施例2とした。
[比較例1]
図13に示すように囲み部材2の上端部の内面に囲み部材2の先端から14mm、深さ8mmの切欠き220を囲み部材2の先端部の周縁に沿って、形成したことを除いて実施例1と同様に構成した例を比較例1とした。
[比較例2]
囲み部材2に溝部23を設けないことを除いて実施例1と同様に構成した例を比較例2とした。
[比較例3]
また比較例3に係る現像装置は、図14に示すようにガイド部材300における傾斜面301を下方側に湾曲した曲面に形成すると共に囲み部材200の円筒部201を実施例に係る現像装置よりも上方まで伸ばし、スピンチャック11に保持されたウエハWの外方に向けて伸びる傾斜部202を形成した。また傾斜部202の上端部に下方に突出する突起203を設けた。従って比較例3に係る現像装置においては、ガイド部材300における傾斜面301と囲み部材における傾斜部202の内面との間の角度が実施例と比べて大きく、ガイド部材300における傾斜面301と囲み部材200の内面との間が広い空間となっている。
実施例1、2及び比較例1〜3の各々の現像装置を用いてウエハWに洗浄液を供給したときのカップ体1外部におけるミスト数ついて計数した。実施例1、2及び比較例1〜3の各々の現像装置を用いて4000rpmで回転させたウエハWに洗浄液の供給を行いカップ体1の外部にパーティクルカウンターを設けてウエハWの洗浄液を供給して4000rpmの回転数で回転させている間のミストの計数を行った。実施例1〜4及び比較例の夫々における洗浄液供給時の排気圧は、実施例1では、30、35、40、45、50、55及び60Pa、実施例2、比較例1では、35、40、45、50、55及び60Pa、比較例2では、40、45、50、55及び60Paに設定した。また比較例における排気圧は60Paに設定した。
表1はこの結果を示し、実施例1、2及び比較例1〜3の各々について、各排気圧に設定した時にカップ体1外部にて計数されたミスト数を示している。
[表1]
Figure 0006769166
表1に示すように実施例1では、排気圧を45〜60Paに設定したときには、ミストは確認されず、排気圧を35Paに設定した時に8個、排気圧を30Paに設定したときに5805個のミストが計数された。また実施例2では、排気圧を45〜60Paに設定したときには、ミストは確認されず、排気圧を35Paに設定した時に554個のミストが計数された。
比較例1では、排気圧を45〜60Paに設定したときには、ミストは確認されず、排気圧を40Paに設定した時に2個、排気圧を35Paに設定したときに5179個のミストが計数された。また比較例2では、排気圧を45〜60Paに設定したときには、ミストは確認されず、排気圧を40Paに設定した時に95個のミストが計数された。さらに比較例3では、排気圧を60Paに設定したときに13974個のミストが計数された。
この結果によれば本発明の実施の形態に係る液処理装置を用いることで、排気圧を高めることなくカップ体1外部へのミストの流出を抑制することができると言える。また囲み部材2の先端に溝部23を設けることで、よりカップ体1外部へのミストの流出を抑制することができ、さらに囲み部材2に設ける溝部23を1本とした場合よりも2本とした場合の方がカップ体1外部へのミストの流出を抑制することができると言える。
また実施例1、2及び比較例1〜3の各々の現像装置を用いて4000rpmで回転させたウエハWに洗浄液を供給したときのウエハW表面における液撥ね数(直径26nm以上)について計数した。洗浄液供給時の排気圧は、実施例1では、35、40、45、50、55及び60Pa、実施例2、比較例1では、40、45、50及び55Pa、比較例2では、45、55及び60Paに設定した。また比較例3における排気圧は60Paに設定した。各処理後のウエハWをパーティクルカウンターに搬送し、ウエハWの周縁部における液撥ね数の計数を行った。
表2はこの結果を示し、実施例1、2及び比較例1〜3の各々について、各排気圧に設定してウエハWに洗浄液を供給した後の、ウエハW表面における液撥ね数を示している。
[表2]
Figure 0006769166
表2に示すように実施例1では、排気圧を35、40、45、50及び55Paに設定したときに夫々387個、8個、11個、2個及び1個の液撥ねが確認された。また実施例2では、排気圧を40、45、50及び55Paに設定したときに夫々1113個、297個、5個及び0個の液撥ねが確認された。
比較例1では、40、45、50及び55Paに設定したときに夫々11825個、2718個、193個及び11個の液撥ねが確認された。また比較例2では、40、55及び60Paに設定したときに夫々1504個、82個及び8個の液撥ねが確認された。さらに比較例では、排気圧を60Paに設定したときに3340個の液撥ねが計数されていた。
この結果によれば本発明の実施の形態に係る液処理装置を用いることで、ウエハWへの液撥ねを抑制することができると言える。また囲み部材2の先端に溝部23を設けることで、よりウエハWへの液撥ねを抑制することができ、さらに囲み部材2に設ける溝部23を1本とした場合よりも2本とした場合の方が液撥ねを抑制することができると言える。
1 カップ体
2 囲み部材
3 ガイド部材
4 下側カップ体
5 現像液ノズル
6 洗浄液ノズル
11 スピンチャック
12 回転軸
13 回転機構
21 円筒部
22 傾斜部
23 溝部
32 傾斜面
33 垂直壁
W ウエハ

Claims (8)

  1. 基板にノズルから処理液を供給して処理を行う液処理装置において、
    基板を水平に保持して鉛直軸周りに回転するための基板保持部と、
    前記基板保持部上の基板を囲むように設けられ、その上部側が内方側に向けて斜め上方に伸び出した囲み部材と、
    前記基板保持部の下方側領域を当該基板保持部の周方向に沿って囲むように設けられ、前記基板保持部に保持された基板の裏面の周縁部に近接して対向した位置から外側下方に向かう傾斜面が形成されたガイド部材と、
    前記囲み部材とガイド部材との隙間を介して基板の周囲の雰囲気を排気するための排気機構と、を備え、
    前記囲み部材の内周面における前記基板保持部に保持された基板の上面の高さの部位よりも上方側に、周方向に沿って伸びる溝部が上下に2本並べて、全周に亘って形成されたことを特徴とする液処理装置。
  2. 前記囲み部材における前記ガイド部材の傾斜面に対向する面の傾斜角度は、10°から30°であることを特徴とする請求項に記載の液処理装置。
  3. 前記囲み部材における前記ガイド部材の傾斜面に対向する面の傾斜角度は、前記ガイド部材の傾斜面の傾斜角度に対して、+0°から+20°の範囲にあることを特徴とする請求項1または2に記載の液処理装置。
  4. 前記溝部は深さ8〜10mm、幅4〜10mmに形成されたことを特徴とする請求項1ないしのいずれか一項に記載の液処理装置。
  5. 前記ガイド部材の傾斜面と前記囲み部材における前記ガイド部材の傾斜面に対向する面とは、最も狭い部位の間隔が3〜10mmであることを特徴とする請求項1ないしのいずれか一項に記載の液処理装置。
  6. 前記基板保持部に保持された基板の周縁と、前記囲み部材における、前記基板保持部に保持された基板の上面の高さの部位と、は、水平方向に20〜40mm離れたことを特徴とする請求項1ないしのいずれか一項に記載の液処理装置。
  7. 前記囲み部材の内面における、基板の上面を延長した線の交差するポイントと下方側の溝部までの離間寸法は、0〜13mmであることを特徴とする請求項1ないしのいずれか一項に記載の液処理装置。
  8. 基板を水平に保持して鉛直軸周りに回転するための基板保持部と、前記基板保持部上の基板を囲むように設けられ、その上部側が内方側に向けて斜め上方に伸び出した囲み部材と、前記基板保持部の下方側領域を当該基板保持部の周方向に沿って囲むように設けられ、前記基板保持部に保持された基板の裏面の周縁部に近接して対向した位置から外側下方に向かう傾斜面が形成されたガイド部材と、前記囲み部材とガイド部材との隙間を介して基板の周囲の雰囲気を排気するための排気機構と、を備え、前記囲み部材の内周面における前記基板保持部に保持された基板の上面の高さの部位よりも上方側に、周方向に伸びる溝部が上下に2本並べて、全周に亘って形成された液処理装置を用い、
    水平に保持された基板に処理液を供給し、4000rpm以上の回転数で回転させて液処理を行うことを特徴とする液処理方法。
JP2016157997A 2016-08-10 2016-08-10 液処理装置及び液処理方法 Active JP6769166B2 (ja)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2016157997A JP6769166B2 (ja) 2016-08-10 2016-08-10 液処理装置及び液処理方法
TW106125983A TWI757316B (zh) 2016-08-10 2017-08-02 液體處理裝置及液體處理方法
KR1020170098087A KR102410089B1 (ko) 2016-08-10 2017-08-02 액 처리 장치 및 액 처리 방법
US15/671,325 US10128136B2 (en) 2016-08-10 2017-08-08 Liquid processing apparatus and liquid processing method
CN201710679783.4A CN107731709B (zh) 2016-08-10 2017-08-09 液处理装置和液处理方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2016157997A JP6769166B2 (ja) 2016-08-10 2016-08-10 液処理装置及び液処理方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2018026477A JP2018026477A (ja) 2018-02-15
JP6769166B2 true JP6769166B2 (ja) 2020-10-14

Family

ID=61159312

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2016157997A Active JP6769166B2 (ja) 2016-08-10 2016-08-10 液処理装置及び液処理方法

Country Status (5)

Country Link
US (1) US10128136B2 (ja)
JP (1) JP6769166B2 (ja)
KR (1) KR102410089B1 (ja)
CN (1) CN107731709B (ja)
TW (1) TWI757316B (ja)

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102594342B1 (ko) * 2018-03-12 2023-10-26 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 기판의 휨 수정 방법, 컴퓨터 기억 매체 및 기판 휨 수정 장치
JP7033970B2 (ja) * 2018-03-20 2022-03-11 三菱電機株式会社 レジスト塗布装置およびレジスト塗布方法
KR102099433B1 (ko) * 2018-08-29 2020-04-10 세메스 주식회사 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치
JP7232737B2 (ja) * 2019-08-07 2023-03-03 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
KR102635385B1 (ko) * 2020-11-23 2024-02-14 세메스 주식회사 기판 처리 장치
KR102677969B1 (ko) * 2020-12-30 2024-06-26 세메스 주식회사 노즐 대기 포트와 이를 포함하는 기판 처리 장치 및 이를 이용한 노즐 세정 방법
JP2022124070A (ja) * 2021-02-15 2022-08-25 株式会社Screenホールディングス 基板処理装置、および、筒状ガードの加工方法
TW202309684A (zh) * 2021-07-30 2023-03-01 日商東京威力科創股份有限公司 顯影處理裝置及顯影處理方法
CN115148623A (zh) * 2021-12-31 2022-10-04 华海清科股份有限公司 一种晶圆后处理装置

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0343728U (ja) * 1989-09-08 1991-04-24
JP3476305B2 (ja) * 1996-03-18 2003-12-10 大日本スクリーン製造株式会社 回転式基板処理装置
JP3620016B2 (ja) * 1999-10-25 2005-02-16 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
JP2003031475A (ja) * 2001-07-16 2003-01-31 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 現像装置および現像方法
JP4492939B2 (ja) * 2004-05-28 2010-06-30 ルネサスエレクトロニクス株式会社 基板処理装置
JP4985082B2 (ja) * 2007-05-07 2012-07-25 東京エレクトロン株式会社 塗布膜形成装置、塗布膜形成装置の使用方法及び記憶媒体
JP4816747B2 (ja) * 2009-03-04 2011-11-16 東京エレクトロン株式会社 液処理装置及び液処理方法
JP4862902B2 (ja) * 2009-03-04 2012-01-25 東京エレクトロン株式会社 液処理装置、液処理方法及び記憶媒体
JP5461107B2 (ja) * 2009-08-26 2014-04-02 芝浦メカトロニクス株式会社 基板処理装置
JP2011054785A (ja) * 2009-09-02 2011-03-17 Nippon Valqua Ind Ltd ウエハ洗浄乾燥装置のスピンカップ
JP5864232B2 (ja) * 2011-02-01 2016-02-17 東京エレクトロン株式会社 液処理装置および液処理方法
JP6020271B2 (ja) * 2013-03-18 2016-11-02 東京エレクトロン株式会社 液処理装置
JP2015176996A (ja) 2014-03-14 2015-10-05 株式会社Screenホールディングス 基板処理装置

Also Published As

Publication number Publication date
TWI757316B (zh) 2022-03-11
US10128136B2 (en) 2018-11-13
US20180047592A1 (en) 2018-02-15
TW201816840A (zh) 2018-05-01
JP2018026477A (ja) 2018-02-15
KR20180018340A (ko) 2018-02-21
KR102410089B1 (ko) 2022-06-17
CN107731709A (zh) 2018-02-23
CN107731709B (zh) 2023-06-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6769166B2 (ja) 液処理装置及び液処理方法
JP5012651B2 (ja) 塗布装置、塗布方法、塗布、現像装置及び記憶媒体
US9802227B2 (en) Method of cleaning substrate processing apparatus
TWI362068B (ja)
JP4983885B2 (ja) 液処理装置、液処理方法及び記憶媒体
TWI381435B (zh) Liquid treatment device, liquid treatment method and memory media
JP2010206019A (ja) 液処理装置及び液処理方法
JP4008935B2 (ja) 基板表面処理装置
JP2008034779A (ja) 基板処理方法および基板処理装置
JPWO2006038472A1 (ja) 基板処理装置及び基板処理方法
JP5387636B2 (ja) 液処理装置
KR101950047B1 (ko) 기판 세정 건조 방법 및 기판 현상 방법
JP6027465B2 (ja) 基板処理装置及び基板処理方法
TWI659464B (zh) Substrate processing method and memory medium
JP2007311776A (ja) 液処理装置
JP6961362B2 (ja) 基板処理装置
JP2007311775A (ja) 液処理装置
KR102208287B1 (ko) 기판 처리 장치
JP2006073753A (ja) 基板洗浄装置
JP7372068B2 (ja) 基板処理装置および基板処理方法
JP4391387B2 (ja) 基板処理装置および基板処理方法
JP2007095960A (ja) 基板洗浄方法、半導体装置の製造方法、表示装置、基板洗浄装置および基板現像処理装置
JP5667592B2 (ja) 基板処理装置
JP4678772B2 (ja) 半導体製造装置
JP2006351574A (ja) 洗浄用治具及びその治具を用いた装置

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20170522

RD02 Notification of acceptance of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422

Effective date: 20180117

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20190513

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20200226

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20200317

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20200427

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20200825

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20200907

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6769166

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250