JP6032189B2 - 塗布膜形成装置、塗布膜形成方法、記憶媒体 - Google Patents
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Description
前記基板保持部に保持された基板を回転させる回転機構と、
前記基板に塗布膜を形成するために前記基板の中央部に塗布液を供給する塗布液供給機構と、
基板の周縁部上方を覆うために基板の周方向に沿うように環状に設けられた環状部材と、
前記基板保持部に対して前記環状部材を相対的に昇降させる昇降機構と、
前記基板の周縁部上方の気流を整流する処理位置に前記環状部材が位置する状態で、基板の中央部に供給された塗布液が遠心力により周縁部に向けて広がるように当該基板を第1の回転数で回転させるステップと、次いで前記環状部材を前記基板に対して上昇させて、前記基板の回転数の低下による当該基板の表面近傍の気流の乱れを抑えるための退避位置に退避させるステップと、然る後、前記塗布膜の膜厚分布を調整するために前記基板の回転数を前記第1の回転数よりも低い第2の回転数に低下させるステップと、が行われるように制御信号を出力する制御部と、
を備え、
前記制御部は、前記環状部材を前記退避位置に退避させるステップと並行して、前記基板が前記第1の回転数よりも低く、前記第2の回転数よりも高い第3の回転数で回転させるステップが行われるように制御信号を出力することを特徴とする。
以下、本発明に関連して行われた評価試験について説明する。
評価試験1
評価試験1−1として、上記のレジスト塗布装置1と略同様の塗布装置を用いて直径が300mmのウエハWにレジスト塗布処理を行った。この評価試験1−1で用いる塗布装置には、リングプレート41が設けられていない。レジストの吐出量は前記ウエハW1枚あたり、0.25mLとした。処理を行うにあたり、ウエハWの回転数は、図12の実線で示すグラフのように制御した。この回転数の制御は上記の実施形態と略同様に行っており、回転数が変化する各タイミングについて、実施形態と同様の時刻t1〜t7の符号をグラフ中に表示している。ただし、この評価試験1では実施形態の時刻t4における回転数の低下を行っておらず、時刻t3で回転数が上昇して、回転数を1200rpmになった後は、時刻t6まで回転数を1200rpmに維持し、時刻t6で200rpmになるように当該回転数を低下させている。
評価試験2−1として、上記のレジスト塗布装置1を用いて直径が450mmのウエハWに処理を行った。ウエハWへのレジストの吐出量は、0.76gに設定した。評価試験2−1において、ウエハWの回転数は、評価試験1−1と同様に制御した。つまり前記図12のグラフで示すように回転数を制御した。リングプレート41については、図12のグラフの鎖線で示すように、その高さを制御した。具体的にこのリングプレート41の高さについて、上記の実施形態との差異点を説明すると、前記処理位置に位置させた後、ウエハWの処理中は退避位置に退避させず、当該処理位置に位置させたままとした。
上記の実施形態と同様に複数のウエハWにレジストの塗布処理を行った。ただし、時刻t3〜t4における排気管28の排気圧及びウエハWの回転数は、処理毎に変更した。処理を終えた各ウエハWのレジスト膜について、乱流が転写されたことによる塗布斑の有無を調べた。下記の表1は、評価試験3の結果を示している。表中、前記塗布斑が観察されない処理に○を、前記塗布斑が観察された処理に×を夫々付して示している。
10 制御部
11 スピンチャック
2 カップ
28 排気管
33 レジストノズル
41 リングプレート
43 昇降機構
44 開口部
Claims (11)
- 基板を水平に保持する基板保持部と、
前記基板保持部に保持された基板を回転させる回転機構と、
前記基板に塗布膜を形成するために前記基板の中央部に塗布液を供給する塗布液供給機構と、
基板の周縁部上方を覆うために基板の周方向に沿うように環状に設けられた環状部材と、
前記基板保持部に対して前記環状部材を相対的に昇降させる昇降機構と、
前記基板の周縁部上方の気流を整流する処理位置に前記環状部材が位置する状態で、基板の中央部に供給された塗布液が遠心力により周縁部に向けて広がるように当該基板を第1の回転数で回転させるステップと、次いで前記環状部材を前記基板に対して上昇させて、前記基板の回転数の低下による当該基板の表面近傍の気流の乱れを抑えるための退避位置に退避させるステップと、然る後、前記塗布膜の膜厚分布を調整するために前記基板の回転数を前記第1の回転数よりも低い第2の回転数に低下させるステップと、が行われるように制御信号を出力する制御部と、
を備え、
前記制御部は、前記環状部材を前記退避位置に退避させるステップと並行して、前記基板が前記第1の回転数よりも低く、前記第2の回転数よりも高い第3の回転数で回転させるステップが行われるように制御信号を出力することを特徴とする塗布膜形成装置。 - 前記基板は、直径450mmのウエハであり、前記第3の回転数は800rpm以下の回転数であることを特徴とする請求項1記載の塗布膜形成装置。
- 前記制御部は、前記環状部材を退避位置で静止させ、当該静止から1秒以上経過した後に、前記基板の回転数を前記第2の回転数に低下させるように制御信号を出力することを特徴とする請求項1または2記載の塗布膜形成装置。
- 前記制御部は、
前記塗布液供給機構から基板の中央部に塗布液を供給すると共に、塗布液供給用の回転数で基板を回転させるステップと、
次いで、塗布液供給機構から基板への塗布液の供給を停止させると共に、前記塗布液供給用の回転数及び前記第1の回転数よりも低い液溜まり形成用の回転数で基板を回転させるステップと、が行われ、
前記第1の回転数で基板を回転させるステップは、前記液溜まり形成用の回転数で基板を回転させるステップの後に行われるように制御信号を出力することを特徴とする請求項1ないし3のいずれか一つに記載の塗布膜形成装置。 - 前記基板保持部に保持された基板を囲み、その内側が排気されるカップと、
前記カップ内の排気流量を調整する排気流量調整機構と、
を備え、
前記第1の回転数及び当該第1の回転数で基板を回転させるときの前記排気流量が処理毎に変更可能であり、
前記第1の回転数に対応した排気流量で前記カップ内の排気が行われることを特徴とする請求項1ないし4のいずれか一つに記載の塗布膜形成装置。 - 基板保持部に基板を水平に保持する工程と、
前記基板の周縁部上方を覆うために当該基板の周方向に沿うように環状に設けられた環状部材を、基板の周縁部上方の気流を整流する処理位置に位置させる工程と、
前記基板に塗布膜を形成するために、前記基板の中央部に塗布液を供給する工程と、
前記環状部材が前記処理位置に位置する状態で、前記基板保持部に保持された基板を回転機構により第1の回転数で回転させ、前記基板の遠心力により基板の中央部に供給された塗布液を当該基板の周縁部に向けて広げる工程と、
次いで、昇降機構により前記環状部材を前記処理位置から前記基板に対して相対的に上昇させ、前記基板の回転数の変化による当該基板の表面近傍の気流の乱れを抑えるための退避位置に位置させる工程と、
然る後、前記基板の回転数を前記第1の回転数よりも低い第2の回転数に低下させ、前記塗布膜の膜厚分布を調整する工程と、
を備え、
前記環状部材を前記基板に対して相対的に上昇させる工程は、前記基板を前記第1の回転数よりも低く、前記第2の回転数よりも高い第3の回転数で回転させる工程と並行して行われることを特徴とする塗布膜形成方法。 - 前記基板は、直径450mmのウエハであり、前記第3の回転数は800rpm以下の回転数であることを特徴とする請求項6記載の塗布膜形成方法。
- 前記退避位置に移動した環状部材を静止させる工程を含み、
前記基板の回転数を前記第2の回転数に低下させる工程は、前記環状部材の静止から1秒以上経過した後に行われることを特徴とする請求項6または7に記載の塗布膜形成方法。 - 基板に塗布液を供給すると共に、塗布液供給用の回転数で基板を回転させる工程と、
次いで、基板への塗布液の供給を停止させると共に、前記塗布液供給用の回転数よりも低い液溜まり形成用の回転数で基板を回転させる工程と、
を含み、
前記基板を第1の回転数で回転させる工程は、前記液溜まり形成用の回転数で基板を回転させる工程の後に行われることを特徴とする請求項6ないし8のいずれか一つに記載の塗布膜形成方法。 - 処理毎に互いに異なる前記第1の回転数で基板を回転させる工程と、
前記第1の回転数で基板を回転させる工程に並行して、当該第1の回転数に対応付けられた排気流量で、前記基板保持部に保持された基板を囲むカップ内を排気する工程と、
を含むことを特徴とする請求項6ないし9のいずれか一つに記載の塗布膜形成方法。 - 基板に塗布膜を形成する塗布膜形成装置に用いられるコンピュータプログラムを格納した記憶媒体であって、
前記プログラムは請求項6ないし10のいずれか一つに記載された塗布膜形成方法を実行するためにステップが組まれていることを特徴とする記憶媒体。
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