JP5327238B2 - 塗布処理装置、塗布処理方法及び記憶媒体 - Google Patents
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Description
前記基板の表面に塗布膜を形成するための塗布液を供給するノズルと、
塗布液の供給位置を、基板の中心位置と当該中心位置からずれた偏心位置との間で基板の径方向に沿って移動させるために前記ノズルを移動させる移動機構と、
前記回転保持部による基板の回転と、前記ノズルからの塗布液の吐出と、移動機構によるノズルの移動とを制御するために制御信号を出力する制御部と、
を備え、
前記制御部は、
基板の中心部に塗布液を供給すると共に、遠心力により前記塗布液を基板の周縁部に広げるために第1の回転速度で基板を回転させ、
次いで、前記塗布液の供給を続けたまま、当該基板の中心部側の液膜を周縁部側の液膜に比べて盛り上げて、液溜まりを形成するために、前記第1の回転速度よりも小さい第2の回転速度で基板を回転させた状態で塗布液の供給位置を基板の中心位置から前記偏心位置に向けて移動させ、
次いで、液溜まりの厚さを大きくして、ノズルの液切れ時に当該液溜まりに垂れる液滴を馴染ませるために、基板の回転速度を前記第2の回転速度よりも小さい第3の回転速度に減速させた状態で、ノズルから前記偏心位置への塗布液の供給を停止し、
その後、液溜まりを基板の周縁部に広げて塗布膜を形成するために、基板の回転速度が前記第3の回転速度よりも高くなるように制御信号を出力することを特徴とする。
(a)基板が前記第2の回転速度で回転している間に、塗布液の供給位置が偏心位置で停止する。第2の回転速度で回転している間には、第2の回転速度から第3の回転速度に切り替えを行う時点も含む
(b)前記第3の回転速度は、0rpm〜30rpmである。
(c)前記第2の回転速度は、50rpm〜1000rpmである。
基板の表面にノズルから基板の中心部に塗布膜を形成するための塗布液を供給すると共に、第1の回転速度で基板を回転させて、塗布液を基板の周縁部に遠心力によって広げる工程と、
次いで、前記塗布液の供給を続けたまま、当該基板の中心部側の液膜を周縁部側の液膜に比べて盛り上げて、液溜まりを形成するために、前記第1の回転速度よりも小さい第2の回転速度で基板を回転させた状態で塗布液の供給位置を基板の中心位置から当該中心位置に対してずれた偏心位置に向けて移動させる工程と、
次いで、液溜まりの厚さを大きくして、ノズルの液切れ時に当該液溜まりに垂れる液滴を馴染ませるために、基板の回転速度を前記第2の回転速度よりも小さい第3の回転速度に減速させた状態で、ノズルから前記偏心位置への塗布液の供給を停止する工程と、
その後、液溜まりを基板の周縁部に広げて塗布膜を形成するために基板の回転速度を前記第3の回転速度よりも高くする工程と、
を備えたことを特徴とする。
前記コンピュータプログラムは、上述の塗布処理方法を実施するためのものであることを特徴とする。
[評価試験1]
上記の実施形態に従ってウエハW1にレジスト膜を成膜した。そして、ウエハW1の直径に沿って間隔をおいた多数の位置でレジスト膜の膜厚を測定した。また、ウエハW2にレジスト膜を形成した。このレジスト膜の形成処理は、上記の実施形態と略同様であるが、差異点としてステップS2で回転速度を200rpmにした後、ステップS3でウエハWの回転速度の減速を行わず、0.2秒間回転速度を200rpmに維持している。200rpmに維持している間にステップS4を行い、然る後上記の実施形態と同様にステップS5を行っている。このように処理したウエハW2のレジスト膜について、ウエハW1と同様に直径方向の多数の位置で膜厚の測定を行った。
上記のウエハW1〜W3を各々複数枚用意し、夫々の周縁部において、周方向に沿って間隔をおいた25箇所のレジスト膜の膜厚を測定し、3シグマを測定した。また、ウエハW1、W2、W3夫々について、3シグマの平均を演算した。図18のグラフは、ウエハWごとに得られた3シグマの値をプロットして示しており、グラフの縦軸は3シグマの値を示している。ウエハW1の3シグマの平均は0.99、ウエハW2の3シグマの平均は0.51、ウエハW3の3シグマの平均は1.36であった。
上記の実施形態のステップS3〜S4において、10rpmになるように回転速度を低下させた後、回転速度が10rpmに維持されている時刻t4からt7の間隔を変化させて各ウエハWに処理を行い、塗布斑の発生頻度を調べた。さらに、このステップS3〜S4において、回転速度を10rpmにする代わりに10rpmとは異なる回転速度に制御してウエハWを処理し、塗布斑の発生頻度を調べた。この評価試験3ではレジスト液の吐出量を0.55mLに設定し、レジスト液の吐出時間を1.9秒に設定した。下記の表1は、この評価試験3の結果を示している。
R1 液滴
W ウエハ
1 レジスト塗布装置
11 スピンチャック
12 回転駆動部
21 レジスト液ノズル
26 移動機構
4 制御部
41 液溜まり
43 レジスト液層
45 上方領域
Claims (9)
- 基板を水平に保持して回転させる回転保持部と、
前記基板の表面に塗布膜を形成するための塗布液を供給するノズルと、
塗布液の供給位置を、基板の中心位置と当該中心位置からずれた偏心位置との間で基板の径方向に沿って移動させるために前記ノズルを移動させる移動機構と、
前記回転保持部による基板の回転と、前記ノズルからの塗布液の吐出と、移動機構によるノズルの移動とを制御するために制御信号を出力する制御部と、
を備え、
前記制御部は、
基板の中心部に塗布液を供給すると共に、遠心力により前記塗布液を基板の周縁部に広げるために第1の回転速度で基板を回転させ、
次いで、前記塗布液の供給を続けたまま、当該基板の中心部側の液膜を周縁部側の液膜に比べて盛り上げて、液溜まりを形成するために、前記第1の回転速度よりも小さい第2の回転速度で基板を回転させた状態で塗布液の供給位置を基板の中心位置から前記偏心位置に向けて移動させ、
次いで、液溜まりの厚さを大きくして、ノズルの液切れ時に当該液溜まりに垂れる液滴を馴染ませるために、基板の回転速度を前記第2の回転速度よりも小さい第3の回転速度に減速させた状態で、ノズルから前記偏心位置への塗布液の供給を停止し、
その後、液溜まりを基板の周縁部に広げて塗布膜を形成するために、基板の回転速度が前記第3の回転速度よりも高くなるように制御信号を出力することを特徴とする塗布処理装置。 - 基板が前記第2の回転速度で回転している間に、塗布液の供給位置が偏心位置で停止することを特徴とする請求項1記載の塗布処理装置。
- 前記第3の回転速度は、0rpm〜30rpmであることを特徴とする請求項1または2記載の塗布処理装置。
- 前記第2の回転速度は、50rpm〜1000rpmであることを特徴とする請求項1または2記載の塗布処理装置。
- 基板を回転保持部により水平に保持する工程と、
基板の表面にノズルから基板の中心部に塗布膜を形成するための塗布液を供給すると共に、第1の回転速度で基板を回転させて、塗布液を基板の周縁部に遠心力によって広げる工程と、
次いで、前記塗布液の供給を続けたまま、当該基板の中心部側の液膜を周縁部側の液膜に比べて盛り上げて、液溜まりを形成するために、前記第1の回転速度よりも小さい第2の回転速度で基板を回転させた状態で塗布液の供給位置を基板の中心位置から当該中心位置に対してずれた偏心位置に向けて移動させる工程と、
次いで、液溜まりの厚さを大きくして、ノズルの液切れ時に当該液溜まりに垂れる液滴を馴染ませるために、基板の回転速度を前記第2の回転速度よりも小さい第3の回転速度に減速させた状態で、ノズルから前記偏心位置への塗布液の供給を停止する工程と、
その後、液溜まりを基板の周縁部に広げて塗布膜を形成するために基板の回転速度を前記第3の回転速度よりも高くする工程と、
を備えたことを特徴とする塗布処理方法。 - 基板が前記第2の回転速度で回転している間に、塗布液の供給位置が偏心位置で停止する工程を含むことを特徴とする請求項5記載の塗布処理方法。
- 前記第3の回転速度は、0rpm〜30rpmであることを特徴とする請求項5または6記載の塗布処理方法。
- 前記第2の回転速度は、50rpm〜1000rpmであることを特徴とする請求項5ないし7のいずれか一項に記載の塗布処理方法。
- 基板に対する塗布処理を行う塗布処理装置に用いられるコンピュータプログラムが記憶された記憶媒体であって、
前記コンピュータプログラムは、請求項5ないし8のいずれか一つに記載の塗布処理方法を実施するためのものであることを特徴とする記憶媒体。
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