JP6785595B2 - 基板処理方法 - Google Patents

Description

本発明は、基板を処理する基板処理方法に関し、特に基板に溶剤を供給する技術に関する。基板は、半導体ウエハ、フォトマスク用のガラス基板、液晶表示用のガラス基板、光ディスク用の基板などである。

フォトリソグラフィープロセスは、半導体デバイスの回路パターンを基板上のレジスト膜に転写する。フォトリソグラフィープロセスは、基板にレジスト膜などの塗膜を形成する処理やレジスト膜を現像する処理などを含む。

これらの処理では、各種の処理液を基板に供給する。処理液は、例えば、薬液や溶剤である。薬液は、例えば、基板にレジスト膜などの塗膜を形成する塗布液や、レジスト膜を現像する現像液である。塗布液は、レジスト膜を形成するためのレジスト膜材料などである。溶剤は、例えばシンナーである。

溶剤は、例えば、レジスト膜材料の濡れ性を向上させる。レジスト膜の濡れ性を向上させることによって、レジスト膜材料の消費量を抑制できる（例えば、特許文献１、２参照）。あるいは、レジスト膜の濡れ性を向上させることによって、品質の良いレジスト膜を基板上に形成できる（例えば、特許文献３、４参照）。

特許文献１では、静止した基板上にシンナーを供給する。シンナーの供給を終了した後、基板上にレジスト膜材料を供給しながら基板の回転速度を直ちに４０００ｒｐｍに増加する。これにより、溶剤およびレジスト膜材料を基板の表面に広げ、基板上にレジスト膜を形成する。

特許文献２では、回転速度が０〜５０ｒｐｍに保たれた基板上にシンナーを供給する。シンナーの供給を終了した後、レジスト膜材料を供給しながら基板の回転速度を直ちに２０００〜４０００ｒｐｍに増加する。これにより、溶剤およびレジスト膜材料を基板の表面に広げ、基板上にレジスト膜を形成する。

特許文献３では、静止した基板上にシンナーを滴下する。シンナーの滴下を終了した後、基板を回転させてシンナーを基板の表面に広げ、基板の表面にシンナーの膜を形成する。その後、基板上にレジスト膜材料を供給する。これにより、基板上にレジスト膜を形成する。

特許文献４では、静止した基板上に溶剤を供給する。溶剤の供給を終了した後、基板の回転速度を直ちに５００ｒｐｍに増加し、溶剤を基板の表面に広げる。その後、基板上にレジスト膜材料を供給する。これにより、基板上にレジスト膜を形成する。

溶剤の用途は、レジスト膜材料の濡れ性を向上させることに限られない。溶剤の用途としては、例えば、レジスト膜材料以外の薬液の濡れ性を向上させること、基板の表面を薬液が馴染みやすい状態にすること、または、薬液を希釈することなどがある。また、溶剤の用途としては、基板の表面改質を行うこと、または、基板の表面の濡れ性を高めることなどもある。

特開２００２−１３４３９９号公報 特開２０１０−２０７７８８号公報 特開２００２−１７５９６６号公報 特開２０１２−５８９号公報

近年、レジストパターンの微細化に伴い、従前では問題にならなかった微小なパーティクルがパターン欠陥になる可能性がでてきた。また、処理の品質を検査する精度が向上し、従前では見過ごされていたパーティクルが検出されるようになってきた。これらの事情により、基板に処理液を供給する処理においても、微小なパーティクルの発生が問題となってきた。

本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、処理品質をさらに向上できる基板処理方法を提供することを目的とする。

本発明者らは、基板に対する薬液の供給の仕方に、パーティクルの発生原因があると考えた。薬液は一般に溶剤に較べて濡れ性が悪く（低く）、または、粘度が高いので、薬液を基板に適切に供給することは、溶剤を基板に適切に供給することに較べて難しいからである。

本発明者らは、薬液を基板に供給する手順や条件の変更を試みた。しかしながら、薬液を基板に供給する手順や条件をどのように変更しても、パーティクルの発生を効果的に抑制することが出来なかった。

そこで、パーティクルの発生状況を改めて検討したところ、多くのパーティクルが基板の中央部に位置する小さな仮想円の周上に分布することを、本発明者らは知見した。さらに、その仮想円が、基板に溶剤を供給したときに一時的に形成される溶剤の液溜まりの範囲と類似することに、本発明者らは気付いた。基板に対する溶剤の供給の仕方にパーティクルの発生原因があるかも知れない、と本発明者らは考えた。

なお、「溶剤の液溜まり」は、溶剤の塊のことである。本明細書では、「溶剤の液溜まり」を、適宜に「溶剤のコア」と呼ぶ。

そこで、本発明者らは、溶剤を基板に供給する手順や条件の変更を試みた。

本発明は、このような知見、検討および試行によって得られたものであり、次のような構成をとる。すなわち、本発明は、基板を処理する基板処理方法であって、基板の中央部に溶剤を供給し、且つ、基板の回転速度を増加させる溶剤供給工程を備え、前記溶剤供給工程は、溶剤が基板の周縁に到達する時まで、基板に対する溶剤の供給を継続する基板処理方法である。

本発明に係る基板処理方法は溶剤供給工程を備える。溶剤供給工程は、基板の中央部に溶剤を供給することにより、基板の中央部に溶剤の１つのコアを形成する。溶剤供給工程は、基板の回転速度を増加させることにより、溶剤のコアを広げる。溶剤供給工程は、さらに、基板に溶剤を供給し始めた時から溶剤が基板の周縁に到達する時までにわたって、基板に溶剤を供給し続ける。これにより、溶剤が基板の周縁に到達する時まで、溶剤のコアを円滑に拡大できる。その結果、パーティクルの発生を効果的に抑制しつつ、基板の表面の全部を溶剤で覆うことができる。すなわち、溶剤を基板に供給する処理の品質を効果的に高めることができる。

なお、「基板の中央部」とは、基板の回転中心を含む基板の表面の部分である。基板に対する溶剤の供給を継続する間、溶剤の供給位置が常に基板の中央部である必要はない。例えば、基板に対する溶剤の供給を継続する間、溶剤の供給位置を基板の中央部から基板の中央部以外の部分に移動してもよい。「基板の回転速度を増加させる」とは、溶剤供給工程が終わる時の基板の回転速度が溶剤供給工程が始まる時の基板の回転速度より大きく、且つ、溶剤供給工程が終わるまで基板の回転速度が減少することがないことを言う。例えば、溶剤供給工程の全期間にわたって基板の回転速度の加速を継続してもよい。あるいは、溶剤供給工程の一部の期間において基板の回転速度を増加させ、溶剤供給工程のその他の期間において基板の回転速度を一定に保ってもよい。

上述の基板処理方法において、前記溶剤供給工程は、基板の回転速度を第１速度に保ち、基板に溶剤を供給する第１等速工程と、前記第１等速工程の後、基板の回転速度を前記第１速度から前記第１速度より大きな第２速度に加速し、基板に対する溶剤の供給を継続する第１加速工程と、を含み、前記第１加速工程は、溶剤が基板の周縁に到達する前に開始することが好ましい。溶剤供給工程は第１等速工程を含むので、溶剤のコアを基板上に好適に形成できる。溶剤供給工程は第１加速工程を含むので、溶剤が基板の周縁に到達する前に、溶剤に働く遠心力を積極的に増大できる。これにより、溶剤のコアを円滑に拡大できる。

上述の基板処理方法において、前記溶剤供給工程は、前記第１加速工程の後、基板の回転速度を前記第２速度に保ち、基板に対する溶剤の供給を継続する第２等速工程と、を含み、前記第２等速工程は、溶剤が基板の周縁に到達する前に開始することが好ましい。溶剤供給工程は、基板に溶剤を供給し始めた時から溶剤が基板の周縁に到達する時までに、少なくとも２つの等速工程（すなわち、第１等速工程と第２等速工程）を実行する。溶剤供給工程は、溶剤が基板の周縁に到達する時まで、基板の回転速度を段階的に増加する。これにより、溶剤のコアを一層円滑に拡大できる。

上述の基板処理方法において、前記溶剤供給工程は、前記第２等速工程の後、基板の回転速度を前記第２速度から前記第２速度より大きな第３速度に加速し、基板に対する溶剤の供給を継続する第２加速工程と、を含み、前記第２加速工程は、溶剤が基板の周縁に到達する前に開始することが好ましい。溶剤供給工程は、基板に溶剤を供給し始めた時から溶剤が基板の周縁に到達する時までに、少なくとも２つの加速工程（すなわち、第１加速工程と第２加速工程）を実行する。溶剤供給工程は、溶剤が基板の周縁に到達するまでに、溶剤に働く遠心力を２回以上、積極的に増大する。これにより、溶剤のコアを一層円滑に拡大できる。

上述の基板処理方法において、前記溶剤供給工程は、前記第２加速工程の後、基板の回転速度を前記第３速度に保ち、基板に対する溶剤の供給を継続する第３等速工程と、を含み、前記第３等速工程は、溶剤が基板の周縁に到達する前に開始することが好ましい。溶剤供給工程は、基板に溶剤を供給し始めた時から溶剤が基板の周縁に到達する時までに、少なくとも３つの等速工程（すなわち、第１等速工程と第２等速工程と第３等速工程）を実行する。溶剤供給工程は、溶剤が基板の周縁に到達するまで、基板の回転速度を３つ以上の段階によって増加する。これにより、溶剤のコアを一層円滑に拡大できる。

上述の基板処理方法において、前記第１速度は０ｒｐｍ以上で、かつ、３０ｒｐｍ未満であることが好ましい。第１速度は比較的に小さいので、溶剤のコアを一層好適に形成できる。

また、本発明は、基板を処理する基板処理方法であって、基板の中央部に溶剤を供給し、且つ、基板の回転速度を増加させる溶剤供給工程を備え、前記溶剤供給工程は、基板に溶剤を供給し始めた時から溶剤が基板の周縁に到達する時まで、基板の回転速度を３つ以上の段階で増加させる基板処理方法である。

本発明に係る基板処理方法は溶剤供給工程を備える。溶剤供給工程は、基板の中央部に溶剤を供給することにより、基板の中央部に溶剤のコアを１つのみ形成する。溶剤供給工程は、基板の回転速度を増加させることにより、溶剤のコアを基板上に広げる。ここで、溶剤供給工程は、基板に溶剤を供給し始めた時から溶剤が基板の周縁に到達する時までに、少なくとも３つの段階を通して基板の回転速度を増加する。これにより、溶剤が基板の周縁に到達する時まで、溶剤のコアを円滑に拡大できる。その結果、パーティクルの発生を効果的に抑制しつつ、基板の表面の全部を溶剤で覆うことができる。すなわち、溶剤を基板に供給する処理の品質を効果的に高めることができる。

なお、「少なくとも３つの段階」はそれぞれ、互いに異なる速度で基板の回転速度を一定に保つ。

上述の基板処理方法において、前記溶剤供給工程は、基板の回転速度を第１速度に保ち、基板に溶剤を供給する第１等速工程と、前記第１等速工程の後、基板の回転速度を前記第１速度より大きな第２速度に保つ第２等速工程と、前記第２等速工程の後、基板の回転速度を前記第２速度より大きな第３速度に保つ第３等速工程と、を含み、前記第３等速工程は、溶剤が基板の周縁に到達する前に開始することが好ましい。溶剤供給工程は、基板に溶剤を供給し始めた時から溶剤が基板の周縁に到達する時までに、少なくとも３つの等速工程（すなわち、第１等速工程と第２等速工程と第３等速工程）を実行する。すなわち、溶剤供給工程は、溶剤が基板の周縁に到達するまで、基板の回転速度を３つ以上の段階によって増加する。これにより、溶剤のコアを一層円滑に拡大できる。

なお、第１乃至第３等速工程は、上述の基板処理方法に記載の「少なくとも３つの段階」の例である。

上述の基板処理方法において、第１速度は０ｒｐｍ以上で、かつ、３０ｒｐｍ未満であることが好ましい。第１速度は比較的に小さいので、基板上に溶剤のコアを一層好適に形成できる。

また、本発明は、基板を処理する基板処理方法であって、基板の中央部に溶剤を供給し、且つ、基板の回転速度を増加させる溶剤供給工程を備え、前記溶剤供給工程は、基板に溶剤を供給し始めた時から溶剤が基板の周縁に到達する時までにわたって基板の回転速度の加速を継続する基板処理方法である。

本発明に係る基板処理方法は溶剤供給工程を備える。溶剤供給工程は、基板の中央部に溶剤を供給することにより、基板の中央部に溶剤の１つのコアを一時的に形成する。溶剤供給工程は、基板の回転速度を増加させることにより、溶剤のコアを拡大する。ここで、溶剤供給工程は、基板に溶剤を供給し始めた時から溶剤が基板の周縁に到達する時までにわたって、基板の回転速度を加速し続ける。これにより、溶剤が基板の周縁に到達する時まで、溶剤のコアを円滑に拡大できる。その結果、パーティクルの発生を効果的に抑制しつつ、基板の表面の全部を溶剤で覆うことができる。すなわち、溶剤を基板に供給する処理の品質を効果的に高めることができる。

上述の基板処理方法において、前記溶剤供給工程は、溶剤が基板の周縁に到達する時まで、基板に対する溶剤の供給を継続することが好ましい。溶剤供給工程は、基板に溶剤を供給し始めた時から溶剤が基板の周縁に到達する時までにわたって、基板に対する溶剤の供給を継続する。これにより、溶剤が基板の周縁に到達する時まで、溶剤のコアを一層円滑に拡大できる。

上述の基板処理方法において、溶剤が基板の周縁に到達する時の基板の回転速度は、１５００ｒｐｍ未満であることが好ましい。換言すれば、基板に溶剤を供給し始めた時から溶剤が基板の周縁に到達する時まで、基板の回転速度は１５００ｒｐｍ未満に制限されることが好ましい。これによれば、溶剤のコアを一層円滑に拡大できる。

上述の基板処理方法において、溶剤が基板の周縁に到達する時の基板の回転速度は、２００ｒｐｍ未満であることが好ましい。換言すれば、基板に溶剤を供給し始めた時から溶剤が基板の周縁に到達する時まで、基板の回転速度は２００ｒｐｍ未満に制限されることが好ましい。これによれば、溶剤のコアを一層円滑に拡大できる。

上述の基板処理方法において、前記溶剤供給工程は、基板に溶剤を供給し始めた時から溶剤が基板の周縁に到達する時までの期間の少なくとも一部において、基板の回転速度をＳ字状に加速させることが好ましい。基板の回転速度をＳ字状に加速させることによって、基板の回転加速度を緩やかに変化させることができる。すなわち、基板上の溶剤に働く遠心力を緩やかに変化させることができる。これにより、溶剤のコアを一層円滑に拡大できる。

なお、「基板の回転速度をＳ字状に加速させる」とは、基板の回転速度を加速し始める際、時間の経過に伴って基板の回転加速度を増加させることを含む。また、「基板の回転速度をＳ字状に加速させる」とは、基板の回転速度の加速を終了する際、時間の経過に伴って基板の回転加速度を減少させることを含む。

上述の基板処理方法において、基板に対する溶剤の供給を終了した後、基板に薬液を供給する薬液供給工程を備えることが好ましい。溶剤を基板に品質良く供給した後に薬液供給工程を実行するので、薬液を基板に供給する処理の品質も高めることができる。

上述の基板処理方法において、基板に対する溶剤の供給を終了した後、基板に処理液を供給すること無く、基板を回転させる単純回転工程を備えることが好ましい。これによれば、基板上に形成された溶剤の膜の厚みを好適に薄くできる。

なお、本明細書は、次のような基板処理方法に係る発明も開示する。

（１）基板を処理する基板処理方法であって、
基板の中央部に溶剤を供給し始めることによって、溶剤のコアを基板上の中央部に生成し、
基板に対する溶剤の供給を継続し、且つ、基板の回転速度を緩やかに増加させることによって、溶剤のコアの縁が基板に接触した状態で溶剤のコアを拡大する基板処理方法。

前記（１）に記載の基板処理方法は基板に対する溶剤の供給を継続するので、溶剤のコアを拡大するとき、溶剤のコアの縁が基板の表面に接触した状態を好適に保つことができる。さらに、前記（１）に記載の基板処理方法は基板の回転速度を緩やかに増加させるので、溶剤のコアを拡大するとき、溶剤のコアの縁が基板の表面に接触した状態を一層好適に保つことができる。これにより、溶剤のコアは、気泡を巻き込むこと無く、拡大する。その結果、パーティクルの発生を効果的に抑制できる。すなわち、溶剤を基板に供給する処理の品質を効果的に高めることができる。

（２）上述の基板処理方法において、基板に溶剤を供給し始める時、基板に対する溶剤の供給位置は基板の中央部である基板処理方法。

前記（２）に記載の基板処理方法によれば、基板の中央部に溶剤のコアを好適に生成できる。

（３）上述の基板処理方法において、基板に対する溶剤の供給位置は基板の中央部のみである基板処理方法。

前記（３）に記載の基板処理方法は、基板に溶剤を供給するとき、基板に対する溶剤の供給位置は基板の表面の中央部に限る。これにより、溶剤のコアを一層円滑に拡大できる。

（４）上述の基板処理方法において、前記第１等速工程において基板の中央部に溶剤を供給し始めることが好ましい。

前記（４）に記載の基板処理方法によれば、第１等速工程は、溶剤のコアを基板上の中央部に好適に生成できる。

（５）上述の基板処理方法において、前記溶剤供給工程は、前記第３等速工程の後、基板の回転速度を前記第３速度から加速し、基板に対する溶剤の供給を継続する第３加速工程と、を含み、前記第３加速工程は、溶剤が基板の周縁に到達する前に開始する基板処理方法。

前記（５）に記載の基板処理方法によれば、溶剤供給工程は、基板に溶剤を供給し始めた時から溶剤が基板の周縁に到達する時までに、少なくとも３つの加速工程（第１加速工程と第２加速工程と第３加速工程）を実行する。溶剤供給工程は、溶剤が基板の周縁に到達するまでに、溶剤に働く遠心力を３回以上、積極的に増大する。これにより、溶剤のコアを一層円滑に拡大できる。

（６）上述の基板処理方法において、前記溶剤供給工程は、基板の回転速度を第１速度に加速する事前加速工程を含む基板処理方法。

前記（６）に記載の基板処理方法によれば、溶剤供給工程は、事前加速工程を含むので、第１等速工程を好適に準備できる。

（７）上記（６）に記載の基板処理方法において、第１速度は０ｒｐｍより大きく、かつ、３０ｒｐｍ未満である基板処理方法。

前記（７）に記載の基板処理方法によれば、第１速度は比較的に小さいので、溶剤のコアを一層好適に形成できる。

（８）上記（６）または上記（７）に記載した基板処理方法において、事前加速工程は、基板に溶剤を供給する基板処理方法。

前記（８）に記載の基板処理方法によれば、事前加速工程において溶剤のコアを基板上に好適に形成できる。

（９）上記（６）から上記（８）のいずれかに記載した基板処理方法において、前記事前加速工程において基板の中央部に溶剤を供給し始める基板処理方法。

前記（９）に記載の基板処理方法によれば、事前加速工程は、溶剤のコアを基板上の中央部に好適に生成できる。

（１０）上述の板処理方法において、溶剤供給工程は、基板に溶剤を供給し始めた時から溶剤が基板の周縁に到達する時までにわたって基板の回転速度の加速を継続する基板処理方法。

前記（１０）に記載の基板処理方法によれば、溶剤のコアを円滑に拡大できる。

（１１）上述の基板処理方法において、基板に溶剤を供給し始める時、基板の回転速度は０ｒｐｍ以上で、かつ、３０ｒｐｍ未満である基板処理方法。

前記（１１）に記載の基板処理方法によれば、基板に溶剤を供給し始める時の基板の回転速度が比較的に小さいので、基板上に溶剤のコアを一層好適に生成できる。

（１２）基板を処理する基板処理方法であって、基板の中央部に溶剤を供給し、且つ、基板の回転速度を増加させる溶剤供給工程を備え、前記溶剤供給工程は、基板に溶剤を供給し始めた時から溶剤が基板の周縁に到達する時まで、基板の回転速度を２００ｒｐｍ未満に制限する基板処理方法。

前記（１２）に記載の基板処理方法は溶剤供給工程を備える。溶剤供給工程は、基板の中央部に溶剤を供給することにより、基板の中央部に溶剤の１つのコアを一時的に形成する。溶剤供給工程は、基板の回転速度を増加させることにより、溶剤のコアを拡大する。ここで、溶剤供給工程は、基板に溶剤を供給し始めた時から溶剤が基板の周縁に到達する時まで、基板の回転速度を２００ｒｐｍ未満に制限する。これにより、溶剤が基板の周縁に到達する時まで、溶剤のコアを円滑に拡大できる。その結果、パーティクルの発生を効果的に抑制しつつ、基板の表面の全部を溶剤で覆うことができる。すなわち、溶剤を基板に供給する処理の品質を効果的に高めることができる。

（１３）上述の基板処理方法において、前記溶剤供給工程の後、基板に処理液を供給すること無く、基板を回転させる単純回転工程と、前記単純回転工程の後、基板に薬液を供給する薬液供給工程と、を備えることが好ましい。

前記（１３）に記載の基板処理方法は単純回転工程を備えるので、基板上に形成された溶剤の膜の厚みを好適に薄くできる。また、基板処理方法は薬液供給工程を備えるので、溶剤を基板に供給する処理の品質のみならず、薬液を基板に供給する処理の品質も高めることができる。

（１４）上述の基板処理方法において、基板に対する溶剤の供給を終了した時に、基板に薬液を供給し始めることが好ましい。

前記（１４）に記載の基板処理方法によれば、基板上の溶剤が乾燥する前に基板に薬液を供給できるので、薬液は基板上を一層円滑に広がる。よって、薬液を基板に供給する処理の品質を好適に高めることができる。

本発明に係る基板処理方法によれば、処理液を基板に供給する処理の品質を効果的に高めることができる。

実施例に係る基板処理装置の概略構成を示す図である。 処理例１の手順を示すフローチャートである。 処理例１の手順を示すタイミングチャートである。 図４（ａ）−４（ｃ）はそれぞれ、基板上の溶剤を示す平面図である。 比較例に係る基板処理方法の手順を示すタイミングチャートである。 処理例１によって処理を行った基板について、パーティクルの測定結果を示す図である。 比較例によって処理を行った基板について、パーティクルの測定結果を示す図である。 図８（ａ）−８（ｅ）はそれぞれ、比較例における溶剤の振る舞いを模式的に示す図である。 図９（ａ）−９（ｄ）はそれぞれ、処理例１における溶剤の振る舞いを模式的に示す図である 処理例２の手順を示すフローチャートである。 処理例２の手順を示すタイミングチャートである。 処理例３の手順を示すフローチャートである。 処理例３の手順を示すタイミングチャートである。 処理例４の手順を示すフローチャートである。 処理例４の手順を示すタイミングチャートである。 処理例５の手順を示すフローチャートである。 処理例５の手順を示すタイミングチャートである。 処理例６の手順を示すフローチャートである。 処理例６の手順を示すタイミングチャートである。

以下、図面を参照してこの発明の実施例を説明する。
図１は、実施例に係る基板処理装置の概略構成を示す図である。

基板処理装置１は、基板（例えば、半導体ウエハ）Ｗに処理液を供給する。処理液は、例えば溶剤と薬液である。薬液は、例えば基板Ｗ上に塗膜を形成する塗布液である。塗布液は、例えばレジスト膜材料（以下、適宜「レジスト」という）である。

基板処理装置１は、基板Ｗを回転可能に保持する回転保持部１１を備える。回転保持部１１は、スピンチャック１３とモータ１５を含む。スピンチャック１３は基板Ｗを略水平姿勢で保持する。より具体的には、スピンチャック１３は基板Ｗの下面の中央部を吸着する。スピンチャック１３の下部にはモータ１５の出力軸１５ａの先端が連結される。出力軸１５ａは略鉛直方向に延びる。モータ１５が出力軸１５ａを回転駆動することにより、スピンチャック１３及び基板Ｗは一体に回転する。出力軸１５ａの軸芯は、基板Ｗの回転中心Ｒａに相当する。基板Ｗの回転中心Ｒａは、基板Ｗの上面の中央部を通り、基板Ｗの上面と略直交する。以下では、基板Ｗの上面を「表面」と適宜に呼ぶ。

基板処理装置１は、スピンチャック１３の周囲に設けられる飛散防止カップ１７を備える。飛散防止カップ１７は、基板Ｗから飛散する処理液（すなわち、薬液や溶剤など）を受け止めて回収する。

基板処理装置１は、溶剤を供給する溶剤供給部２１を備える。溶剤供給部２１は、溶剤供給源２３と配管２４と開閉弁２５とノズル２６と移動機構２７を備える。溶剤供給源２３は、溶剤を貯留する。溶剤供給源２３は、配管２４の一端と連通接続する。開閉弁２５は、配管２４上に設けられる。開閉弁２５は、配管２４内の溶剤の流路を開閉する。ノズル２６は、配管２４の他端と連通接続する。ノズル２６は溶剤を吐出する。移動機構２７はノズル２６を移動する。具体的には、移動機構２７は、基板Ｗの表面の中央部の上方に当たる処理位置と、基板Ｗの上方から外れた退避位置との間で、ノズル２６を移動する。図１では、退避位置にあるノズル２６を実線で示し、処理位置にあるノズル２６を破線で示す。

溶剤は、例えば親水性である。溶剤は、レジストに較べて濡れ性が高い。溶剤は、レジストに較べて粘度が低い。溶剤は、例えば有機溶剤である。溶剤は、例えば、シンナー、ＰＧＭＥＡ、乳化エチル、ＩＰＡなどである。

基板処理装置１は、レジストを供給するレジスト供給部３１を備える。レジスト供給部３１は、レジスト供給源３３と配管３４と開閉弁３５とノズル３６と移動機構３７を備える。レジスト供給源３３は、レジストを貯留する。レジスト供給源３３は、配管３４の一端と連通接続する。開閉弁３５は、配管３４上に設けられる。開閉弁３５は、配管３４内のレジストの流路を開閉する。ノズル３６は、配管３４の他端と連通接続する。ノズル３６はレジストを吐出する。移動機構３７はノズル３６を移動する。具体的には、移動機構３７は、基板Ｗの中央部の上方に当たる処理位置と、基板Ｗの上方から外れた退避位置との間で、ノズル３６を移動する。図１では、退避位置にあるノズル３６を実線で示し、処理位置にあるノズル３６を破線で示す。

基板処理装置１は、上述した各構成を統括的に操作する制御部４１を備える。具体的には、制御部４１は、モータ１５を制御して基板Ｗの回転速度（回転数）を調整する。制御部４１は、移動機構２７、３７を制御してノズル２６、３６を移動させる。制御部４１は、開閉弁２５、３５を制御して溶剤およびレジストの供給・停止を切り替える。

制御部４１は、基板Ｗを処理するための処理条件が予め設定される処理レシピ等を有する。処理条件は、例えば、基板Ｗの回転速度と時間との関係、基板Ｗの回転加速度と時間との関係、および、処理液の供給と時間との関係に関する情報などである。制御部４１は、各種処理を実行する中央演算処理装置（ＣＰＵ）や、演算処理の作業領域となるＲＡＭ（Random-Access Memory）や、各種情報を記憶する固定ディスク等の記憶媒体等によって実現される。

次に、実施例に係る基板処理装置１によって行われる複数の基板処理方法（処理例）について説明する。

［処理例１］
図２は、処理例１の手順を示すフローチャートである。処理例１は、溶剤供給工程（ステップＳ１）と単純回転工程（ステップＳ２）と薬液供給工程（ステップＳ３）を含む。処理例１は、まず溶剤供給工程を行い、溶剤供給工程の後に単純回転工程を行い、単純回転工程の後に薬液供給工程を行う。溶剤供給工程は、基板Ｗに溶剤を供給する。溶剤供給工程は、さらに、６つの工程（ステップＳ１ａ−Ｓ１ｆ）を含む。単純回転工程は、基板Ｗに処理液を供給せずに、単に基板Ｗを回転させる。薬液供給工程は、基板Ｗにレジストを供給する。溶剤供給工程は「プリウェット」とも呼ばれる。

図３は、処理例１の手順を示すタイミングチャートである。図３を参照して、上述した各工程を詳細に説明する。なお、以下の説明においては、基板Ｗが回転保持部１１に略水平に保持されているものとする。基板Ｗの回転速度は零（０ｒｐｍ）であり、基板Ｗは静止しているものとする。ノズル２６、３６は退避位置にあり、開閉弁２５、３５は閉止されているものとする。

＜ステップＳ１＞
溶剤供給工程は、６つの工程（ステップＳ１ａ−Ｓ１ｆ）を順に行う。以下、各工程を説明する。

＜ステップＳ１ａ＞ 事前加速工程（時刻ｔ１−ｔ２）
制御部４１は、モータ１５を制御して、時刻ｔ１−ｔ２の期間において基板Ｗの回転速度を０ｒｐｍから第１速度Ｖ１に増加する。

第１速度Ｖ１は、０ｒｐｍより大きく、且つ、３０ｒｐｍ未満であることが好ましい。

第１速度Ｖ１は例えば１０ｒｐｍである。時刻ｔ１−ｔ２の期間は例えば０．１ｓｅｃである。時刻ｔ１−ｔ２の期間における基板Ｗの回転加速度は例えば一定である。時刻ｔ１−ｔ２の期間における基板Ｗの回転加速度は例えば１００ｒｐｍ／ｓｅｃである。言い換えれば、事前加速工程は、１００ｒｐｍ／ｓｅｃの回転加速度で０．１ｓｅｃの間、基板Ｗの回転速度を加速する。これにより、基板Ｗの回転速度は０ｒｐｍから１０ｒｐｍに増加する。

＜ステップＳ１ｂ＞ 第１等速工程（時刻ｔ２−ｔ４）
制御部４１は、モータ１５を駆動して、時刻ｔ２から時刻ｔ４まで、基板Ｗの回転速度を第１速度Ｖ１に保つ。制御部４１は、移動機構２７を駆動して、ノズル２６を退避位置から処理位置に移動させる。制御部４１は、開閉弁２５を開放して、ノズル２６から溶剤を吐出させる。これにより、時刻ｔ３に、基板Ｗの表面の中央部に溶剤を供給し始める。

時刻ｔ２−ｔ４の期間は例えば２ｓｅｃである。

図４（ａ）は、第１等速工程（より具体的には、基板Ｗに溶剤を供給し始めた直後）における、基板Ｗ上の溶剤を示す平面図である。図示するように、第１等速工程では、基板Ｗの中央部に溶剤Ａの１つの液溜まりが生成される。ここで、溶剤Ａの液溜まりは、溶剤Ａの塊のことである。以下では、溶剤Ａの液溜まりを、適宜に「溶剤Ａのコア」と呼ぶ。溶剤Ａのコアは平面視で円形状を有する。溶剤Ａのコアの大きさは基板Ｗの表面より小さい。第１等速工程では、溶剤Ａは未だ基板Ｗの周縁Ｅに到達しない。

第１溶剤供給工程では基板Ｗは回転しているので、溶剤Ａのコアに遠心力Ｆが作用する。遠心力Ｆは、回転中心Ｒａから離れる方向に働く。遠心力Ｆによって、溶剤Ａのコアは均等に拡大する。より具体的には、溶剤Ａのコアの縁ｅは、基板Ｗの周縁Ｅの全部に向かって、広がる。これにより、溶剤Ａのコアは、平面視で円形状に保たれる。

＜ステップＳ１ｃ＞ 第１加速工程（時刻ｔ４−ｔ５）
第１加速工程は、時刻ｔ４−ｔ５の期間において基板Ｗの回転速度を第１速度Ｖ１から第１速度Ｖ１より大きな第２速度Ｖ２に加速する。さらに、第１加速工程は、基板Ｗの中央部に溶剤Ａを供給し続ける。

第２速度Ｖ２は、１５００ｒｐｍ未満であることが好ましい。第２速度Ｖ２は、２００ｒｐｍ未満であることが一層好ましい。

第２速度Ｖ２は例えば３０ｒｐｍである。時刻ｔ４−ｔ５の期間は例えば０．５ｓｅｃである。時刻ｔ４−ｔ５の期間における基板Ｗの回転加速度は例えば一定である。時刻ｔ４−ｔ５の期間における基板Ｗの回転加速度は例えば４０ｒｐｍ／ｓｅｃである。

第１加速工程では、基板Ｗの回転速度が増加するので、溶剤Ａのコアに働く遠心力Ｆが増大する。遠心力Ｆの増大により、溶剤Ａのコアは積極的に拡大する。また、遠心力Ｆの増大をきっかけとして、基板Ｗに対する溶剤Ａのコアの流動性が高まり、溶剤Ａのコアが円滑に拡大する。さらに、第１加速工程では、基板Ｗに対する溶剤Ａの供給を継続するので、溶剤Ａのコアは一層円滑に拡大する。第１加速工程においても、溶剤Ａのコアは均等に拡大し、溶剤Ａのコアの形状は円形状に保たれる。

＜ステップＳ１ｄ＞ 第２等速工程（ｔ５−ｔ６）
第２等速工程は、時刻ｔ５から時刻ｔ６までにわたり、基板Ｗの回転速度を第２速度Ｖ２に保ち、基板Ｗに対する溶剤Ａの供給を継続する。

時刻ｔ５−ｔ６の期間は例えば３ｓｅｃである。

図４（ｂ）は、第２等速工程における、基板Ｗ上の溶剤Ａを示す平面図である。第２等速工程では、第１等速工程よりも、溶剤Ａのコアが大きい。このように、溶剤Ａのコアは、時間の経過に伴って、大きくなる。ただし、第２等速工程では、溶剤Ａのコアは未だ基板Ｗの周縁Ｅに到達しない。第２速度Ｖ２は第１速度Ｖ１より大きいので、第２等速工程では、第１等速工程よりも大きな遠心力Ｆが溶剤Ａのコアに作用する。第２等速工程においても、溶剤Ａのコアは均等に拡大し、溶剤Ａのコアは平面視で円形状に保たれる。

＜ステップＳ１ｅ＞ 第２加速工程（時刻ｔ６−ｔ７）
第２加速工程は、時刻ｔ６−ｔ７の期間において基板Ｗの回転速度を第２速度Ｖ２から第２速度Ｖ２より大きな第３速度Ｖ３に加速する。第２加速工程は、基板Ｗの中央部に溶剤Ａを供給し続ける。

第３速度Ｖ３は、１５００ｒｐｍ未満であることが好ましい。第３速度Ｖ３は、２００ｒｐｍ未満であることが一層好ましい。

第３速度Ｖ３は例えば１００ｒｐｍである。時刻ｔ６−ｔ７の期間は例えば１．０ｓｅｃである。時刻ｔ６−ｔ７の期間における基板Ｗの回転加速度は例えば一定である。時刻ｔ６−ｔ７の期間における基板Ｗの回転加速度は例えば７０ｒｐｍ／ｓｅｃである。

第２加速工程では、第２等速工程よりも、遠心力Ｆが増大する。これにより、溶剤Ａのコアは、再び、積極的に、かつ、円滑に拡大する。さらに、第２加速工程では、基板Ｗに対する溶剤Ａの供給を継続するので、溶剤Ａのコアは一層円滑に拡大する。また、溶剤Ａのコアは均等に拡大し、溶剤Ａのコアは平面視で円形状に保たれる。

＜ステップＳ１ｆ＞ 第３等速工程（ｔ７−ｔ９）
第３等速工程は、時刻ｔ７から時刻ｔ９まで、基板Ｗの回転速度を第３速度Ｖ３に保ち、基板Ｗに対する溶剤Ａの供給を継続する。第３等速工程の実行中、溶剤Ａは、時刻ｔ８において基板Ｗの周縁Ｅに到達する。具体的には、溶剤Ａのコアの縁ｅが基板Ｗの周縁Ｅに到達する。

時刻ｔ７−ｔ９の期間は例えば４ｓｅｃである。

図４（ｃ）は、第３等速工程（より具体的には、溶剤Ａが基板Ｗの周縁Ｅに到達した後）における、基板Ｗ上の溶剤Ａを示す平面図である。図示するように、溶剤Ａは、基板Ｗの表面の全部を覆う。溶剤Ａの膜が基板Ｗ上に形成される。

溶剤Ａが基板Ｗの周縁Ｅに到達する時刻ｔ８以降、基板Ｗ上の溶剤Ａは、基板Ｗの周縁Ｅから振り切られ、基板Ｗの周囲に飛散する。飛散した溶剤Ａは、飛散防止カップ１７によって回収される。

時刻ｔ９において、基板Ｗに対する溶剤Ａの供給を停止する。その後、制御部４１は、移動機構２７を駆動して、ノズル２６を処理位置から退避位置に移動させる。これにより、第３等速工程が終了する。

第３等速工程の終了により、溶剤供給工程が終了する。

＜ステップＳ２＞ 単純回転工程（ｔ９−ｔ１０）
単純回転工程は、基板Ｗに処理液を供給すること無く、基板Ｗを回転させる。より具体的には、単純回転工程は、時刻ｔ９−ｔ１０の期間にわたり、基板Ｗの回転速度を第３速度Ｖ３に保つ。基板Ｗ上の溶剤Ａの大部分は基板Ｗ外に捨てられ、基板Ｗ上の溶剤Ａの膜が薄くなる。

＜ステップＳ３＞ 薬液供給工程（ｔ１０−ｔ１５）
制御部４１は、移動機構３７を駆動して、ノズル３６を退避位置から処理位置に移動させ、開閉弁３５を開放してノズル３６からレジストを吐出させる。これにより、時刻ｔ１０において、基板Ｗにレジストを供給し始める。基板Ｗに対するレジストの供給は時刻ｔ１５まで継続される。基板Ｗにレジストを供給する時刻ｔ１０−ｔ１５の間、制御部４１は、基板Ｗの回転速度を増減させる。

具体的には、時刻ｔ１０−ｔ１１の期間において、基板Ｗの回転速度は第３速度Ｖ３に保たれる。時刻ｔ１１−ｔ１２の期間において、基板Ｗの回転加速度は第３速度Ｖ３から第３速度Ｖ３より大きな第４速度Ｖ４に増加する。時刻ｔ１２−ｔ１３の期間において、基板Ｗの回転加速度は第４速度Ｖ４に保たれる。時刻ｔ１３−ｔ１４の期間において、基板Ｗの回転加速度は第４速度Ｖ４から零まで減少する。時刻ｔ１４−ｔ１５の期間において、基板Ｗの回転加速度は零に保たれる。

基板Ｗに対するレジストの供給は、時刻ｔ１５において終了する。このような薬液供給工程により、基板Ｗの表面にレジスト膜が形成される。

処理例１の手順については、以上の通りである。

次に、比較例を例示した上で、溶剤Ａを基板Ｗに供給する処理の品質に関して、処理例１と比較例とを比較する。

図５は、比較例に係る基板処理方法の手順を示すタイミングチャートである。比較例１は、時刻ｔａ−ｔｃにわたり、基板Ｗの回転速度を所定の低速度ＶＬに保つ。低速度ＶＬは、例えば、零である。さらに、時刻ｔａから、溶剤Ａを基板Ｗに供給し始める。これにより、基板Ｗ上に溶剤Ａのコアが生成される。時刻ｔｂにおいて、基板Ｗに対する溶剤Ａの供給を終了する。

時刻ｔｃ−ｔｄにおいて、基板Ｗの回転速度を低速度ＶＬから高速度ＶＨに直ちに増加する。高速度ＶＨは比較的に高い。高速度ＶＨは、例えば数百〜数千ｒｐｍである。時刻ｔｄ以降において、基板Ｗの回転速度を高速度ＶＨに保つ。溶剤Ａは、時刻ｔｃ以降に基板Ｗの周縁Ｅに到達する。

図６は、処理例１の手順で溶剤を供給する処理を行った基板Ｗについて、パーティクルを測定した結果である。具体的には、処理例１のうち、溶剤供給工程と単純回転工程のみを行い、薬液供給工程を行っていない基板Ｗについて、パーティクルを測定した結果である。図７は、比較例の手順で溶剤を供給する処理を行った基板Ｗについて、パーティクルを測定した結果である。図６、図７はそれぞれ、基板Ｗの平面図において、パーティクルが検出された位置を示す。

処理例１では、３５個のパーティクルＢが検出された。これに対し、比較例では、１２０個のパーティクルＢが検出された。このように、処理例１における溶剤Ａを基板Ｗに供給する処理では、パーティクルＢの数が、比較例の３分の１以下に抑制された。

本発明者らは、パーティクルＢの発生に関して、以下のように推察する。

図８（ａ）−８（ｅ）はそれぞれ、比較例における、基板Ｗ上の溶剤Ａの振る舞いを模式的に示す図である。図８（ａ）−８（ｅ）は、基板Ｗの部分的な垂直断面図である。

比較例では、まず、基板Ｗ上に溶剤Ａのコアを生成する（図８（ａ）参照）。続いて、基板Ｗの回転速度が低速度ＶＬから高速度ＶＨに増加する。基板Ｗの回転速度が増加するとき、溶剤Ａのコアの拡大は円滑に行われない。より具体的に言えば、溶剤Ａのコアの縁ｅの形状が乱れる（図８（ｂ）、８（ｃ）参照）。例えば、溶剤Ａのコアの縁ｅが基板Ｗの表面から浮き上がり、ギザギザした形状になる。縁ｅが乱れた形状で延びるので、溶剤Ａのコアは気泡ｂを巻き込む（図８（ｄ）参照）。巻き込まれた気泡ｂは、基板Ｗ上に留まる。溶剤Ａは基板Ｗの周縁Ｅに向かって基板Ｗ上を流れるが、巻き込まれた気泡ｂは溶剤Ａと一緒に流れない。溶剤Ａの膜が薄膜化された後、あるいは、溶剤Ａが乾燥した後、気泡ｂの痕がパーティクルＢとなる（図８（ｅ））。

縁ｅの形状の乱れの原因は、いくつか考えられる。

第１の原因は、基板Ｗの回転速度が高速度ＶＨに直ちに増加することである。図５に示す時刻ｔｃの直後、遠心力は急峻に増大する。溶剤Ａのコアが比較的に大きな遠心力を突然に受ける。これにより、溶剤Ａのコアの縁ｅの形状が乱れる。

第２の原因は、溶剤Ａのコアが拡大するとき、基板Ｗに対する溶剤Ａの供給が行われないことである。基板Ｗに対する溶剤Ａの供給が継続されないので、溶剤Ａのコアが拡大するにつれて、溶剤Ａのコアの厚みが薄くなり、溶剤Ａのコアの縁ｅは基板Ｗ上を円滑に延びにくくなる。このため、溶剤Ａのコアの縁ｅの形状が乱れる。

図７を参照する。比較例では、多くのパーティクルＢが、基板Ｗの中央部に位置する仮想縁Ｃ上に分布する。これは、基板Ｗの回転速度が増加し始めた直後（すなわち、時刻ｔｃの直後）に、溶剤Ａのコアの縁ｅの形状が乱れ、溶剤Ａのコアが多数の気泡ｂを巻き込んだことを意味する。

図９（ａ）−９（ｄ）はそれぞれ、処理例１における、基板Ｗ上の溶剤Ａの振る舞いを模式的に示す図である。図９（ａ）−９（ｄ）は、基板Ｗの部分的な垂直断面図である。

処理例１では、まず、基板Ｗ上に溶剤Ａのコアが形成される（図９（ａ）参照）。その後、基板Ｗの回転速度が段階的に増加し、溶剤Ａのコアが拡大する。その際、溶剤Ａのコアの拡大は円滑に行われる。より具体的に言えば、溶剤Ａのコアの縁ｅの形状は乱にくい（図９（ｂ）参照）。換言すれば、縁ｅは、基板Ｗの表面に接触するような形状に保たれる。このため、溶剤Ａのコアは、気泡を巻き込むこと無く、拡大する。よって、溶剤Ａが基板Ｗの表面を覆った後においても、基板Ｗ上に気泡はほとんど存在しない（図９（ｃ）参照）。その結果、溶剤Ａの膜が薄膜化された後、あるいは、溶剤Ａが乾燥した後、気泡に起因するパーティクルＢが生じにくい（図９（ｄ）参照）。

なお、本明細書では、「溶剤Ａのコアが円滑に拡大する」とは、溶剤Ａのコアの縁ｅが基板Ｗに接触した状態で基板Ｗに沿って延びることと同義である。

以下に例示する３つの条件の少なくともいずれかを満たせば、溶剤Ａのコアを円滑に拡大できる。なお、処理例１は３つの条件を満たすので、溶剤Ａのコアを極めて円滑に拡大できる。

第１の条件は、溶剤Ａのコアが拡大するとき、基板Ｗに対する溶剤Ａの供給を継続することである。処理例１では、基板Ｗに溶剤を供給し始めてから溶剤Ａが基板Ｗの周縁Ｅに到達するまで、基板Ｗに対する溶剤Ａの供給を継続する。このため、溶剤Ａのコアが拡大する際、溶剤Ａのコアの縁ｅは基板Ｗの表面に沿って円滑に延びる。すなわち、溶剤Ａのコアは円滑に拡大する。

第２の条件は、溶剤Ａのコアが拡大するとき、基板Ｗの回転速度が緩やかに増加することである。処理例１では、基板Ｗの回転速度は、第１速度Ｖ１から第２速度Ｖ２に、第２速度Ｖ２から第３速度Ｖ３に、段階的に増加する。基板Ｗの回転速度が徐々に増加するので、遠心力は緩やかに増大する。このため、溶剤Ａのコアの縁ｅの形状は遠心力によって乱れにくい。

第３の条件は、溶剤Ａのコアが拡大するとき、基板Ｗの回転速度が比較的に低いことである。処理例１では、基板Ｗに溶剤Ａを供給し始めてから溶剤Ａが基板Ｗの周縁Ｅに到達するまで、基板Ｗの回転速度は、第３速度Ｖ３（すなわち、１００ｒｐｍ）以下に制限される。このため、溶剤Ａのコアの縁ｅの形状が遠心力によって乱れることを、好適に抑制できる。

溶剤Ａのコアの円滑な拡大と溶剤Ａのコアの均等な拡大の間には、一定の相関がある。換言すれば、溶剤Ａのコアの縁ｅの微視的な形状と、溶剤Ａのコアの巨視的な形状とは一定の相関関係がある。

例えば、溶剤Ａのコアの縁ｅの形状が乱れていなければ、平面視において溶剤Ａのコアは円形状に保たれる、と言える。例えば、平面視において溶剤Ａのコアが円形状に保たれていれば、溶剤Ａのコアの縁ｅの形状が乱れていない、と言える。例えば、溶剤Ａのコアが基板Ｗの周縁Ｅの一部分に向かって細長く延びる部分（「髭」または「筋」とも呼ばれる）を有する場合、溶剤Ａのコアの縁ｅの形状が乱れている、と言える。

このため、平面視において溶剤Ａのコアを円形状に保つことは、溶剤供給工程における目標または目安となる。

パーティクルＢの発生に関する推察は、以上の通りである。

＜処理例１の効果＞
処理例１によれば、以下の効果を奏する。
溶剤供給工程は、基板Ｗの中央部に溶剤Ａを供給することにより、基板Ｗの中央部に溶剤Ａの１つのコアを一時的に形成する。溶剤供給工程は、基板Ｗの回転速度を増加させることにより、溶剤Ａのコアを基板Ｗの周縁Ｅに向かって拡大する。溶剤供給工程は、さらに、基板Ｗに溶剤Ａを供給し始める時刻ｔ３から溶剤Ａが基板Ｗの周縁Ｅに到達する時刻ｔ８までにわたって、基板Ｗに溶剤Ａを供給し続ける。これにより、溶剤Ａが基板Ｗの周縁Ｅに到達する時刻ｔ８まで、溶剤Ａのコアが円滑に拡大する。その結果、パーティクルＢの発生を効果的に抑制しつつ、基板Ｗの表面の全部を溶剤Ａで覆うことができる。すなわち、溶剤Ａを基板Ｗに供給する処理の品質を効果的に高めることができる。

溶剤供給工程は第１等速工程を含むので、溶剤Ａのコアを基板Ｗ上に好適に形成できる。

第１等速工程における第１速度Ｖ１は０ｒｐｍより大きく、かつ、３０ｒｐｍ未満であり、比較的に小さい。このため、溶剤Ａのコアを一層好適に形成できる。

第１等速工程において基板Ｗの中央部に溶剤Ａを供給し始めるので、溶剤Ａのコアを基板Ｗ上の中央部に好適に生成できる。

溶剤供給工程は第１等速工程に加えて、第２、第３等速工程を含み、基板Ｗに溶剤Ａを供給し始める時刻ｔ３から溶剤Ａが基板Ｗの周縁Ｅに到達する時刻ｔ８までの間に、基板Ｗの回転速度を３つの段階によって増加する。これにより、溶剤Ａのコアを一層円滑に拡大できる。

溶剤供給工程は第１加速工程を含むので、溶剤Ａが基板Ｗの周縁Ｅに到達する時刻ｔ８の前に、溶剤Ａに働く遠心力Ｆを積極的に増大できる。これにより、溶剤Ａのコアを一層円滑に拡大できる。

溶剤供給工程は第１加速工程に加えて第２加速工程を含むので、溶剤Ａが基板Ｗの周縁Ｅに到達する時刻ｔ８の前に、溶剤Ａに働く遠心力を複数回（２回）、積極的に増大する。これにより、溶剤Ａのコアを一層円滑に拡大できる。

溶剤Ａが基板Ｗの周縁Ｅに到達する時刻ｔ８における基板Ｗの回転速度は、第３速度Ｖ３である。第３速度Ｖ３は１５００ｒｐｍ未満であり、比較的に小さい。よって、溶剤Ａのコアを円滑に拡大できる。さらに、第３速度Ｖ３は２００ｒｐｍ未満であり、一層小さい。よって、溶剤Ａのコアを一層円滑に拡大できる。

基板Ｗに溶剤Ａを供給し始める時刻ｔ３から溶剤Ａが基板Ｗの周縁Ｅに到達する時刻ｔ８までにわたり、基板Ｗの回転速度は第３速度Ｖ３以下に制限される。第３速度Ｖ３は比較的に小さいので、溶剤Ａのコアを一層円滑に拡大できる。

時間的に相前後して行われる２つの等速工程の間における基板Ｗの回転速度の差は、１００ｒｐｍ以下である。例えば、第１速度Ｖ１と第２速度Ｖ２との差は、２０ｒｐｍであり、第２速度Ｖ２と第３速度Ｖ３は７０ｒｐｍである。このように、基板Ｗの回転速度は緩やかに増加するので、溶剤Ａのコアを一層円滑に拡大できる。

基板Ｗに溶剤Ａを供給し始める時刻ｔ３から溶剤Ａが基板Ｗの周縁Ｅに到達する時刻ｔ８までの間、基板Ｗに対する溶剤Ａの供給位置は常に基板Ｗの表面の中央部である。よって、溶剤Ａのコアを一層円滑に拡大できる。

溶剤供給工程は事前加速工程を含むので、第１等速工程を好適に準備できる。

基板処理方法は、単純回転工程を備えるので、基板Ｗ上に形成された溶剤Ａの膜の厚みを好適に薄くできる。

基板処理方法は薬液供給工程を備えるので、レジストを基板Ｗに供給する処理の品質も好適に高めることができる。

［処理例２］
次に、処理例２を説明する。図１０は、処理例２の手順を示すフローチャートである。なお、処理例１と同じステップについては、同符号を付して簡略に説明する。

処理例２は、溶剤供給工程（ステップＳ１）と薬液供給工程（ステップＳ３）を含む。処理例２は、まず溶剤供給工程を行い、溶剤供給工程の後に薬液供給工程を行う。処理例２は、単純回転工程を含まない。

図１１は、処理例２の手順を示すタイミングチャートである。図１１を参照して、上述した各工程を詳細に説明する。

＜ステップＳ１ａ＞ 事前加速工程（時刻ｔ２１−ｔ２２）
事前加速工程は、時刻ｔ２１−ｔ２２の期間において基板Ｗの回転速度を０ｒｐｍから第１速度Ｖ１に増加させる。

第１速度Ｖ１は例えば２０ｒｐｍである。時刻ｔ２１−ｔ２２の期間は例えば０．１ｓｅｃである。時刻ｔ２１−ｔ２２の期間における基板Ｗの回転加速度は例えば２００ｒｐｍ／ｓｅｃである。

＜ステップＳ１ｂ＞ 第１等速工程（時刻ｔ２２−ｔ２４）
第１等速工程は、時刻ｔ２２から時刻ｔ２４まで、基板Ｗの回転速度を第１速度Ｖ１に保つ。第１等速工程は、時刻Ｔ２３から基板Ｗに溶剤Ａを供給し始める。

時刻ｔ２２−ｔ２４の期間は例えば３ｓｅｃである。

＜ステップＳ１ｃ＞ 第１加速工程（時刻ｔ２４−ｔ２５）
第１加速工程は、時刻ｔ２４−ｔ２５の期間において基板Ｗの回転速度を第１速度Ｖ１から第２速度Ｖ２に加速する。第１加速工程は、基板Ｗに対する溶剤Ａの供給を継続する。

第２速度Ｖ２は例えば５０ｒｐｍである。時刻ｔ２４−ｔ２５の期間は例えば０．５ｓｅｃである。時刻ｔ２４−ｔ２５の期間における基板Ｗの回転加速度は例えば６０ｒｐｍ／ｓｅｃである。

＜ステップＳ１ｄ＞ 第２等速工程（ｔ２５−ｔ２６）
第２等速工程は、時刻ｔ２５から時刻ｔ２６まで基板Ｗの回転速度を第２速度Ｖ２に保ち、基板Ｗに対する溶剤Ａの供給を継続する。

時刻ｔ２５−ｔ２６の期間は例えば３ｓｅｃである。

＜ステップＳ１ｅ＞ 第２加速工程（時刻ｔ２６−ｔ２７）
第２加速工程は、時刻ｔ２６−ｔ２７の期間において基板Ｗの回転速度を第２速度Ｖ２から第３速度Ｖ３に加速する。第２加速工程は、基板Ｗに対する溶剤Ａの供給を継続する。

第３速度Ｖ３は例えば１００ｒｐｍである。時刻ｔ２６−ｔ２７の期間は例えば１．０ｓｅｃである。時刻ｔ２６−ｔ２７の期間における基板Ｗの回転加速度は例えば５０ｒｐｍ／ｓｅｃである。

＜ステップＳ１ｆ＞ 第３等速工程（ｔ２７−ｔ２９）
第３等速工程は、時刻ｔ２７から時刻ｔ２９まで、基板Ｗの回転速度を第３速度Ｖ３に保ち、基板Ｗに対する溶剤Ａの供給を継続する。第３等速工程の実行中、溶剤Ａは、時刻ｔ２８において基板Ｗの周縁Ｅに到達する。

時刻ｔ２７−ｔ２９の期間は例えば３ｓｅｃである。

時刻ｔ２９において、基板Ｗに対する溶剤Ａの供給を停止する。これにより、第３等速工程が終了し、溶剤供給工程が終了する。

＜ステップＳ３＞ 薬液供給工程（ｔ２９以降）
薬液供給工程は、時刻２９からレジストを基板Ｗに供給し始める。すなわち、基板Ｗに対する溶剤Ａの供給を停止した時に、基板Ｗに対するレジストの供給を開始する。薬液供給工程は、時刻ｔ２９以降、基板Ｗの回転速度を変えながら、基板Ｗにレジストを供給する。

＜処理例２の効果＞
処理例２によっても、処理例１と同じような効果を奏する。例えば、処理例２によっても、溶剤Ａを基板Ｗに供給する処理の品質を効果的に高めることができる。

さらに、処理例２は、溶剤供給工程を終了した時に薬液供給工程を始める。換言すれば、処理例２は、基板Ｗに対する溶剤Ａの供給を終了した時に、基板Ｗにレジストを供給し始める。溶剤Ａが乾燥する前にレジストが溶剤Ａ上に供給されるので、レジストは基板Ｗ上を一層円滑に広がる。これにより、レジストを基板Ｗに供給する処理（すなわち、基板Ｗ上にレジスト膜を形成する処理）の品質を効果的に高めることができる。

［処理例３］
次に、処理例３を説明する。図１２は、処理例３の手順を示すフローチャートである。なお、処理例１と同じステップについては、同符号を付して簡略に説明する。

処理例３は、溶剤供給工程（ステップＳ１）と単純回転工程（ステップＳ２）と薬液供給工程（ステップＳ３）を含む。処理例３の溶剤供給工程（ステップＳ１）の内容は、処理例１の溶剤供給工程と異なる。

図１３は、処理例３の手順を示すタイミングチャートである。図１３を参照して、溶剤供給工程を詳細に説明する。なお、単純回転工程と薬液供給工程は、処理例１と略同様であるので、その説明を省略する。

＜ステップＳ１ｂ＞ 第１等速工程（時刻ｔ３０−ｔ３２）
第１等速工程は、時刻ｔ３０から時刻ｔ３２まで、基板Ｗの回転速度を第１速度Ｖ１に保つ。第１等速工程は、時刻ｔ３１から基板Ｗに溶剤Ａを供給し始める。

第１速度Ｖ１は例えば零である。時刻ｔ３０−ｔ３２の期間は例えば２ｓｅｃである。

＜ステップＳ１ｃ＞ 第１加速工程（時刻ｔ３２−ｔ３３）
第１加速工程は、時刻ｔ３２−ｔ３３の期間において基板Ｗの回転速度を第１速度Ｖ１から第２速度Ｖ２に加速する。第１加速工程は、基板Ｗに対する溶剤Ａの供給を継続する。

第２速度Ｖ２は例えば１０ｒｐｍである。時刻ｔ３２−ｔ３３の期間は例えば０．１ｓｅｃである。時刻ｔ３２−ｔ３３の期間における基板Ｗの回転加速度は例えば１００ｒｐｍ／ｓｅｃである。

＜ステップＳ１ｄ＞ 第２等速工程（ｔ３３−ｔ３４）
第２等速工程は、時刻ｔ３３から時刻ｔ３４まで基板Ｗの回転速度を第２速度Ｖ２に保ち、基板Ｗに対する溶剤Ａの供給を継続する。

時刻ｔ３３−ｔ３４の期間は例えば２ｓｅｃである。

＜ステップＳ１ｅ＞ 第２加速工程（時刻ｔ３４−ｔ３５）
第２加速工程は、時刻ｔ３４−ｔ３５の期間において基板Ｗの回転速度を第２速度Ｖ２から第３速度Ｖ３に加速する。第２加速工程は、基板Ｗに対する溶剤Ａの供給を継続する。

第３速度Ｖ３は例えば３０ｒｐｍである。時刻ｔ３５−ｔ３６の期間は例えば０．５ｓｅｃである。時刻ｔ３４−ｔ３５の期間における基板Ｗの回転加速度は例えば４０ｒｐｍ／ｓｅｃである。

＜ステップＳ１ｆ＞ 第３等速工程（ｔ３５−ｔ３６）
第３等速工程は、時刻ｔ３５から時刻ｔ３６まで基板Ｗの回転速度を第３速度Ｖ３に保ち、基板Ｗに対する溶剤Ａの供給を継続する。

時刻ｔ３５−ｔ３６の期間は例えば２ｓｅｃである。

＜ステップＳ１ｇ＞ 第３加速工程（時刻ｔ３６−ｔ３７）
第３加速工程は、時刻ｔ３６−ｔ３７の期間において基板Ｗの回転速度を第３速度Ｖ３から第４速度Ｖ４に加速する。第３加速工程は、基板Ｗに対する溶剤Ａの供給を継続する。

第４速度Ｖ４は例えば１００ｒｐｍである。時刻ｔ３６−ｔ３７の期間は例えば１．０ｓｅｃである。時刻ｔ３６−ｔ３７の期間における基板Ｗの回転加速度は例えば７０ｒｐｍ／ｓｅｃである。

＜ステップＳ１ｈ＞ 第４等速工程（ｔ３７−ｔ３９）
第４等速工程は、時刻ｔ３７から時刻ｔ３９まで基板Ｗの回転速度を第４速度Ｖ４に保ち、基板Ｗに対する溶剤Ａの供給を継続する。第４等速工程の実行中、溶剤Ａは、時刻ｔ３８において基板Ｗの周縁Ｅに到達する。

時刻ｔ３７−ｔ３９の期間は例えば４ｓｅｃである。

第４等速工程の終了時である時刻ｔ３９において、基板Ｗに対する溶剤Ａの供給を停止する。これにより、第４等速工程が終了し、溶剤供給工程が終了する。

＜処理例３の効果＞
処理例３によっても、処理例１と同じような効果を奏する。例えば、処理例３によっても、溶剤Ａを基板Ｗに供給する処理の品質を効果的に高めることができる。

さらに、処理例３によれば、第１等速工程における第１速度Ｖ１が零であるので、第１等速工程は静止する基板Ｗに溶剤Ａを供給し始める。これにより、溶剤Ａのコアを基板Ｗ上に好適に生成できる。

溶剤供給工程は、基板Ｗに溶剤Ａを供給し始めた時刻ｔ３１から溶剤Ａが基板Ｗの周縁Ｅに到達する時刻ｔ３８までに、４つの等速工程（すなわち、第１−第４等速工程）を実行する。すなわち、溶剤供給工程は、基板Ｗの回転速度を４つの段階によって増加する。よって、溶剤Ａのコアを一層円滑に拡大できる。

［処理例４］
次に、処理例４を説明する。図１４は、処理例４の手順を示すフローチャートである。なお、処理例１と同じステップについては、同符号を付して簡略に説明する。

図示するように、処理例４は、溶剤供給工程（ステップＳ１）と単純回転工程（ステップＳ２）を含む。溶剤供給工程は、薬液供給工程を含まない。処理例４の溶剤供給工程の内容は、処理例１の溶剤供給工程と異なる。

図１５は、処理例５の手順を示すタイミングチャートである。図１５を参照して、溶剤供給工程をさらに詳細に説明する。なお、単純回転工程は、処理例１と略同様であるので、その説明を省略する。

＜ステップＳ１ｂ＞ 第１等速工程（時刻ｔ４１−ｔ４３）
第１等速工程は、時刻ｔ４１から時刻ｔ４３まで、基板Ｗの回転速度を第１速度Ｖ１に保つ。第１等速工程は、時刻ｔ４２から基板Ｗに溶剤Ａを供給し始める。

第１速度Ｖ１は、０ｒｐｍ以上で、且つ、３０ｒｐｍ未満であることが好ましい。

＜ステップＳ１ｃ＞ 第１加速工程（時刻ｔ４３−ｔ４６）
第１加速工程は、時刻ｔ４３−ｔ４６の期間において基板Ｗの回転速度を第１速度Ｖ１から加速する。時刻ｔ４３−ｔ４６における基板Ｗの回転加速度は一定である。第１加速工程は、時刻ｔ４４まで基板Ｗに対する溶剤Ａの供給を継続し、時刻ｔ４４において溶剤Ａの供給を終了する。溶剤Ａは、時刻ｔ４５において基板Ｗの周縁Ｅに到達する。溶剤Ａが基板Ｗの周縁Ｅに到達するのは、溶剤Ａの供給を終了した後である。

溶剤Ａが基板Ｗの周縁Ｅに到達する時刻ｔ４５における基板Ｗの回転速度ＶＥは、１５００ｒｐｍ未満であることが好ましい。回転速度ＶＥは、２００ｒｐｍ未満であることが一層好ましい。

＜処理例４の効果＞
処理例４によれば、以下の効果を奏する。基板Ｗに溶剤Ａを供給し始める時刻ｔ４２から溶剤Ａが基板Ｗの周縁Ｅに到達する時刻ｔ４５まで、基板Ｗの回転速度は緩やかに増加する。これにより、溶剤Ａのコアを円滑に拡大できる。よって、溶剤Ａを基板Ｗに供給する処理の品質を効果的に高めることができる。

溶剤Ａが基板Ｗの周縁Ｅに到達する時の基板Ｗの回転速度は比較的に低い。すなわち、基板Ｗに溶剤Ａを供給し始める時刻ｔ４２から溶剤Ａが基板Ｗの周縁Ｅに到達する時刻ｔ４５まで、基板Ｗの回転速度は比較的に低い範囲に制限される。これにより、溶剤Ａのコアを一層円滑に拡大できる。

第１加速工程は、基板Ｗに溶剤Ａを供給し始めた後に行われる最初の加速工程である。この第１加速工程が始まる時（より具体的に言えば、第１加速工程において基板Ｗを加速し始める時）まで、溶剤Ａの供給を継続する。よって、少なくとも溶剤Ａのコアが拡大し始める初期の段階において、溶剤Ａのコアを円滑に拡大できる。

［処理例５］
次に、処理例５を説明する。図１６は、処理例５の手順を示すフローチャートである。なお、処理例１と同じステップについては、同符号を付して簡略に説明する。

図示するように、処理例５は、溶剤供給工程（ステップＳ１）を含む。処理例４は、単純回転工程と薬液供給工程を含まない。処理例４の溶剤供給工程の内容は、処理例１の溶剤供給工程と異なる。

図１７は、処理例５の手順を示すタイミングチャートである。図１７を参照して、溶剤供給工程をさらに詳細に説明する。

＜ステップＳ１ｉ＞ 加速工程（時刻ｔ５１−ｔ５３）
加速工程は、時刻ｔ５１から時刻ｔ５３にわたり、基板Ｗの回転速度を加速する。加速工程は、時刻ｔ５１から基板Ｗに溶剤Ａを供給し始める。加速工程は、時刻ｔ５３まで基板Ｗに対する溶剤Ａの供給を継続し、時刻ｔ５３に基板Ｗに対する溶剤Ａの供給を終了する。加速工程の実行中、溶剤Ａは、時刻ｔ５２において基板Ｗの周縁Ｅに到達する。

基板Ｗに溶剤Ａを供給し始める時刻ｔ５１における基板Ｗの回転速度ＶＳは、０ｒｐｍ以上で、かつ、３０ｒｐｍ未満であることが好ましい。溶剤Ａが基板Ｗの周縁Ｅに到達する時刻ｔ５２における基板Ｗの回転速度ＶＥは、１５００ｒｐｍ未満であることが好ましい。回転速度ＶＥは、２００ｒｐｍ未満であることが一層好ましい。時刻ｔ５１から時刻ｔ５３における基板Ｗの回転加速度は一定であることが好ましい。

＜処理例５の効果＞
処理例５によれば、以下の効果を奏する。
溶剤供給工程は、溶剤Ａのコアが拡大するとき、基板Ｗの回転速度を緩やかに増加する。具体的には、基板Ｗに溶剤Ａを供給し始める時刻ｔ５１から溶剤Ａが基板Ｗの周縁Ｅに到達する時刻ｔ５２まで、基板Ｗの回転速度の加速を継続する。これにより、溶剤Ａのコアを円滑に拡大できる。よって、溶剤Ａを基板Ｗに供給する処理の品質を効果的に高めることができる。

溶剤供給工程は、溶剤Ａのコアが拡大するとき、基板Ｗに対する溶剤Ａの供給を継続する。具体的には、基板Ｗに溶剤を供給し始める時刻ｔ５１から溶剤Ａが基板Ｗの周縁Ｅに到達する時刻ｔ５２まで、基板Ｗに対する溶剤Ａの供給を継続する。これにより、溶剤Ａのコアを円滑に拡大できる。

溶剤Ａが基板Ｗの周縁Ｅに到達する時の基板Ｗの回転速度ＶＥが比較的に低い。すなわち、基板Ｗに溶剤Ａを供給し始める時刻ｔ５１から溶剤Ａが基板Ｗの周縁Ｅに到達する時刻ｔ５２まで、基板Ｗの回転速度は比較的に低い範囲に制限される。これにより、溶剤Ａのコアを円滑に一層拡大できる。

基板Ｗに溶剤Ａを供給し始める時刻ｔ５１から溶剤Ａが基板Ｗの周縁Ｅに到達する時刻ｔ５２まで、基板Ｗの回転加速度は一定である。これにより、基板Ｗの回転速度は一定の割合で連続的に増加するので、溶剤Ａのコアを一層円滑に拡大できる。

［処理例６］
次に、処理例６を説明する。図１８は、処理例６の手順を示すフローチャートである。なお、処理例１と同じステップについては、同符号を付して簡略に説明する。

図示するように、処理例６は、溶剤供給工程（ステップＳ１）を含む。処理例６は、単純回転工程と薬液供給工程を含まない。処理例６の溶剤供給工程の内容は、処理例１の溶剤供給工程と異なる。

図１９は、処理例６の手順を示すタイミングチャートである。図１９を参照して、溶剤供給工程をさらに詳細に説明する。

＜ステップＳ１ｊ＞ 加速工程（時刻ｔ６１−ｔ６７）
加速工程は、時刻ｔ６１から基板Ｗの回転速度を加速し始め、時刻ｔ６７で基板Ｗの回転速度の加速を終了する。

ここで、基板Ｗの回転速度を加速し始める際、加速工程は、基板Ｗの回転速度をＳ字状に加速する。より具体的には、時刻６１から時刻ｔ６３まで、加速工程は、時間の経過に伴って単位時間当たりの基板Ｗの回転加速度を増加させる。これにより、基板Ｗの回転速度を加速し始める際、基板Ｗの回転加速度が緩やかに大きくなる。以下では、時間の経過に伴って単位時間当たりの基板Ｗの回転加速度を増加させることを、「第１Ｓ字加速駆動」と呼ぶ。

さらに、基板Ｗの回転速度の加速を終了する際、加速工程は、基板Ｗの回転速度をＳ字状に加速する。より具体的には、時刻ｔ６４から時刻６７まで、加速工程は、時間の経過に伴って単位時間当たりの基板Ｗの回転加速度を零まで減少させる。これにより、基板Ｗの回転速度の加速を終了する際、基板Ｗの回転加速度が緩やかに小さくなる。以下では、時間の経過に伴って単位時間当たりの基板Ｗの回転加速度を減少させることを、「第２Ｓ字加速駆動」と呼ぶ。

第１Ｓ字加速駆動を終了してから第２Ｓ字加速駆動の開始するまで、加速工程は、基板Ｗの回転加速度を一定に保つ。より具体的には、時刻ｔ６３から時刻ｔ６４までにわたり、加速工程は、基板Ｗの回転速度を一定の加速度で増加させる。以下では、基板Ｗの回転速度を一定の加速度で増加させることを「定加速駆動」と呼ぶ。

定加速駆動における基板Ｗの回転加速度は、第１Ｓ字加速駆動の終了時における基板Ｗの回転加速度と等しいことが好ましい。定加速駆動における基板Ｗの回転加速度は、第２Ｓ字加速駆動の開始時における基板Ｗの回転加速度と等しいことが好ましい。

加速工程は、時刻ｔ６２から時刻６５にわたり、基板Ｗに溶剤Ａを供給する。

加速工程は、時刻ｔ６２に溶剤Ａを基板Ｗに供給し始める。すなわち、第１Ｓ字加速駆動を行っているときに溶剤Ａを基板Ｗに供給し始める。

加速工程は、時刻ｔ６５に基板Ｗに対する溶剤Ａの供給を停止する。すなわち、加速工程は、第２Ｓ字加速駆動を行っているときに基板Ｗに対する溶剤Ａの供給を停止する。

溶剤Ａは、第２Ｓ字加速駆動が行われている時刻ｔ６６に、基板Ｗの周縁Ｅに到達する。このように、加速工程は、溶剤Ａが基板Ｗの周縁Ｅに到達する時刻ｔ６６まで、基板Ｗの回転速度の加速を継続する。ただし、溶剤Ａが基板Ｗの周縁Ｅに到達するのは、基板Ｗに対する溶剤Ａの供給が終了した後である。

時刻ｔ６７において、加速工程が終了し、溶剤供給工程が終了する。

＜処理例６の効果＞
処理例６によれば、以下の効果を奏する。
溶剤供給工程は、基板Ｗに溶剤Ａを供給し始めた時刻ｔ６２から溶剤Ａが基板Ｗの周縁Ｅに到達する時刻ｔ６６までの期間の少なくとも一部において、基板Ｗの回転速度をＳ字状に加速させる。これにより、溶剤Ａのコアが拡大するとき、基板Ｗの回転速度は極めて緩やかに増加する。よって、溶剤Ａのコアを極めて円滑に拡大できる。

溶剤供給工程は、時刻ｔ６１から時刻ｔ６３の期間において、第１Ｓ字加速駆動を行う。これにより、時間の経過につれて基板Ｗの回転速度を緩やかに増加させることができる。さらに、第１Ｓ字加速駆動を行っているときに、基板Ｗに溶剤Ａを供給し始める。よって、基板Ｗ上に溶剤Ａのコアを一層好適に生成できる。

溶剤供給工程は、時刻ｔ６４から時刻ｔ６６までの期間でにおいて、第２Ｓ字加速駆動を行う。これにより、時間の経過につれて基板Ｗの回転速度を緩やかに収束させることができる。

第１Ｓ字加速駆動の終了時における基板Ｗの回転加速度は、定加速駆動における基板Ｗの回転加速度と等しい。このため、第１Ｓ字加速駆動から定加速駆動に移行する時刻ｔ６３において、基板Ｗの回転加速度が急峻に変化しない。よって、溶剤Ａのコアを一層円滑に拡大できる。

同様に、定加速駆動における基板Ｗの回転加速度は、第２Ｓ字加速駆動の開始時における基板Ｗの回転加速度と等しい。このため、定加速駆動から第２Ｓ字加速駆動に移行する時刻ｔ６４において、基板Ｗの回転加速度が急峻に変化しない。よって、溶剤Ａのコアを基板Ｗの周縁Ｅに向かって一層円滑に拡大できる。

本発明は、上記実施形態に限られることはなく、下記のように変形実施することができる。

（１）上述した各処理例１−６では、溶剤Ａの供給位置は常に基板Ｗの表面の中央部であったが、これに限られない。溶剤Ａの供給位置を適宜に変更してもよい。例えば、基板Ｗに溶剤Ａを供給し始めるとき、溶剤Ａの供給位置を基板Ｗの中央部とし、その後、溶剤Ａの供給位置を基板Ｗの周縁Ｅに向かって移動してもよい。

（２）上述した実施例では、溶剤Ａはレジストの濡れ性を向上させるものであったが、これに限られない。溶剤Ａは、レジスト以外の塗布液の濡れ性を向上させるものでもよい。ここで、レジスト以外の塗布液は、例えば、反射防止膜材料、保護膜材料、ＳＯＧ（Spin On Glass）膜材料、ＳＯＤ（Spin on Dielectric）膜材料などである。あるいは、溶剤Ａは、塗布液以外の薬液の濡れ性を向上させるものでもよい。塗布液以外の薬液は、例えば現像液である。

溶剤Ａは、基板Ｗの表面を薬液が馴染みやすい状態にするものでもよい。例えば、溶剤Ａは、基板Ｗの表面を現像液が馴染みやすい状態にするものでもよい。

溶剤Ａは、薬液を希釈するものでもよい。

あるいは、溶剤Ａを、薬液と無関係な用途に使用してもよい。例えば、溶剤Ａは、基板Ｗの表面改質を行うものでもよい。例えば、溶剤Ａは、基板Ｗの表面の濡れ性を高めるものでもよい。

（２）上述した実施例では、薬液はレジストであったが、これに限られない。上述したように、薬液は、レジスト以外の塗布液（例えば、反射防止膜材料、保護膜材料、ＳＯＧ膜材料、ＳＯＤ膜材料など）でもよい。あるいは、薬液は、現像液などでもよい。

（３）上述した処理例１、３、４の単純回転工程は、溶剤Ａを乾燥させてもよいし、溶剤Ａを乾燥させなくてもよい。

（４）上述した処理例１、２では、第１等速工程において溶剤Ａを基板Ｗに供給し始めるが、これに限られない。例えば、事前加速工程において溶剤Ａを基板Ｗに供給し始めてもよい。

（５）上述した処理例１、２では、第３等速工程において溶剤Ａが基板Ｗの周縁Ｅに到達するが、これに限られない。例えば、第２等速工程において溶剤Ａが基板Ｗの周縁Ｅに到達してもよい。この変形実施例において、第２加速工程および第３等速工程の少なくともいずれかを省略してもよい。

あるいは、第１、第２加速工程のいずれかにおいて溶剤Ａが基板Ｗの周縁Ｅに到達してもよい。この変形実施例においても、溶剤Ａが基板Ｗの周縁Ｅに到達した後の等速工程および加速工程の少なくともいずれかを省略してもよい。

（６）上述した各処理例において、溶剤供給工程が有する等速工程の数を適宜に変更してもよい。例えば、溶剤供給工程が有する等速工程の数は１つでもよい。例えば、溶剤供給工程が有する等速工程の数は２つでもよい。例えば、溶剤供給工程が有する等速工程の数は３つ以上でもよい。例えば、溶剤供給工程は等速工程を含まなくてもよい。

（７）上述した処理例１−５における各加速工程は、一定の回転加速度で基板Ｗの回転速度を増加するが、これに限られない。すなわち、少なくともいずれかの加速工程は、基板Ｗの回転加速度を変化させながら、基板Ｗの回転速度を増加させてもよい。あるいは、少なくともいずれかの加速工程は、処理例６で説明したように、基板Ｗの回転速度をＳ字状に加速してもよい。

（８）上述した実施例では、回転保持部１１は、スピンチャック１３を備えていたが、これに限られない。例えば、回転保持部１１は、スピンチャック１３に代えて、基板Ｗの周縁Ｅを保持する複数のピンを有する回転盤を備えてもよい。

（９）上述した各処理例において、ノズル２６、３６が移動するタイミングを適宜に変更してもよい。処理例１では、ノズル２６が第１等速工程において待機位置から処理位置に移動したが、これに限られない。例えば、第１等速工程の前にノズル２６が処理位置に移動してもよい。

（１０）上述した各実施例および上記（１）から（９）で説明した各変形実施例については、さらに各構成を他の変形実施例の構成に置換または組み合わせるなどして適宜に変更してもよい。

１ … 基板処理装置
１１ … 回転保持部
２１ … 溶剤供給部
２６ … 溶剤のノズル
３１ … 薬液供給部
３６ … 薬液のノズル
４１ … 制御部
Ａ … 溶剤
Ｂ … パーティクル
ｂ … 気泡
Ｃ … 仮想円
Ｅ … 基板Ｗの周縁
ｅ … 溶剤Ａのコアの縁
Ｒａ … 回転中心
Ｆ … 遠心力
Ｖ１ … 第１速度
Ｖ２ … 第２速度
Ｖ３ … 第３速度
Ｖ４ … 第４速度
ＶＥ … 溶剤Ａが基板Ｗの周縁Ｅに到達する時の基板Ｗの回転速度
ＶＳ … 基板Ｗに溶剤Ａを供給し始める時の基板Ｗの回転速度
Ｗ … 基板

Claims (22)

1. 基板を処理する基板処理方法であって、
   基板の中央部に溶剤を供給し、且つ、基板の回転速度を増加させる溶剤供給工程を備え、
   前記溶剤供給工程は、溶剤が基板の周縁に到達する時まで、基板に対する溶剤の供給を継続し、
   前記溶剤供給工程は、
   基板の回転速度を第１速度に保ち、基板に溶剤を供給する第１等速工程と、
   前記第１等速工程の後、基板の回転速度を前記第１速度から前記第１速度より大きな第２速度に加速し、基板に対する溶剤の供給を継続する第１加速工程と、
   を含み、
   前記第１加速工程は、溶剤が基板の周縁に到達する前に開始する基板処理方法。
2. 請求項１に記載の基板処理方法において、
   前記溶剤供給工程は、
   前記第１加速工程の後、基板の回転速度を前記第２速度に保ち、基板に対する溶剤の供給を継続する第２等速工程と、
   を含み、
   前記第２等速工程は、溶剤が基板の周縁に到達する前に開始する基板処理方法。
3. 請求項２に記載の基板処理方法において、
   前記溶剤供給工程は、
   前記第２等速工程の後、基板の回転速度を前記第２速度から前記第２速度より大きな第３速度に加速し、基板に対する溶剤の供給を継続する第２加速工程と、
   を含み、
   前記第２加速工程は、溶剤が基板の周縁に到達する前に開始する基板処理方法。
4. 請求項３に記載の基板処理方法において、
   前記溶剤供給工程は、
   前記第２加速工程の後、基板の回転速度を前記第３速度に保ち、基板に対する溶剤の供給を継続する第３等速工程と、
   を含み、
   前記第３等速工程は、溶剤が基板の周縁に到達する前に開始する基板処理方法。
5. 請求項１から４のいずれかに記載の基板処理方法において、
   前記第１等速工程において基板の中央部に溶剤を供給し始め、
   前記第１速度は０ｒｐｍ以上で、かつ、３０ｒｐｍ未満である基板処理方法。
6. 基板を処理する基板処理方法であって、
   基板の中央部に溶剤を供給し、且つ、基板の回転速度を増加させる溶剤供給工程を備え、
   前記溶剤供給工程は、溶剤が基板の周縁に到達する時まで、基板に対する溶剤の供給を継続し、
   溶剤が基板の周縁に到達する時の基板の回転速度は、１５００ｒｐｍ未満である基板処理方法。
7. 基板を処理する基板処理方法であって、
   基板の中央部に溶剤を供給し、且つ、基板の回転速度を増加させる溶剤供給工程を備え、
   前記溶剤供給工程は、溶剤が基板の周縁に到達する時まで、基板に対する溶剤の供給を継続し、
   溶剤が基板の周縁に到達する時の基板の回転速度は、２００ｒｐｍ未満である基板処理方法。
8. 基板を処理する基板処理方法であって、
   基板の中央部に溶剤を供給し、且つ、基板の回転速度を増加させる溶剤供給工程を備え、
   前記溶剤供給工程は、溶剤が基板の周縁に到達する時まで、基板に対する溶剤の供給を継続し、
   前記溶剤供給工程は、基板に溶剤を供給し始めた時から溶剤が基板の周縁に到達する時までの期間の少なくとも一部において、基板の回転速度をＳ字状に加速させる基板処理方法。
9. 基板を処理する基板処理方法であって、
   基板の中央部に溶剤を供給し、且つ、基板の回転速度を増加させる溶剤供給工程を備え、
   前記溶剤供給工程は、溶剤が基板の周縁に到達する時まで、基板に対する溶剤の供給を継続し、
   基板に対する溶剤の供給を終了した後、基板に処理液を供給すること無く、基板を回転させる単純回転工程を備える基板処理方法。
10. 基板を処理する基板処理方法であって、
    基板の中央部に溶剤を供給し、且つ、基板の回転速度を増加させる溶剤供給工程を備え、
    前記溶剤供給工程は、基板に溶剤を供給し始めた時から溶剤が基板の周縁に到達する時まで、基板の回転速度を３つ以上の段階で増加させる基板処理方法。
11. 請求項１０に記載の基板処理方法において、
    前記溶剤供給工程は、
    基板の回転速度を第１速度に保ち、基板に溶剤を供給する第１等速工程と、
    前記第１等速工程の後、基板の回転速度を前記第１速度より大きな第２速度に保つ第２等速工程と、
    前記第２等速工程の後、基板の回転速度を前記第２速度より大きな第３速度に保つ第３等速工程と、
    を含み、
    前記第３等速工程は、溶剤が基板の周縁に到達する前に開始する基板処理方法。
12. 請求項１０または１１に記載の基板処理方法において、
    溶剤が基板の周縁に到達する時の基板の回転速度は、１５００ｒｐｍ未満である基板処理方法。
13. 請求項１０から１２のいずれかに記載の基板処理方法において、
    溶剤が基板の周縁に到達する時の基板の回転速度は、２００ｒｐｍ未満である基板処理方法。
14. 請求項１０から１３のいずれかに記載の基板処理方法において、
    前記溶剤供給工程は、基板に溶剤を供給し始めた時から溶剤が基板の周縁に到達する時までの期間の少なくとも一部において、基板の回転速度をＳ字状に加速させる基板処理方法。
15. 請求項１０から１４のいずれかに記載の基板処理方法において、
    基板に対する溶剤の供給を終了した後、基板に処理液を供給すること無く、基板を回転させる単純回転工程を備える基板処理方法。
16. 基板を処理する基板処理方法であって、
    基板の中央部に溶剤を供給し、且つ、基板の回転速度を増加させる溶剤供給工程を備え、
    前記溶剤供給工程は、基板に溶剤を供給し始めた時から溶剤が基板の周縁に到達する時までにわたって基板の回転速度の加速を継続し、
    溶剤が基板の周縁に到達する時の基板の回転速度は、１５００ｒｐｍ未満である基板処理方法。
17. 基板を処理する基板処理方法であって、
    基板の中央部に溶剤を供給し、且つ、基板の回転速度を増加させる溶剤供給工程を備え、
    前記溶剤供給工程は、基板に溶剤を供給し始めた時から溶剤が基板の周縁に到達する時までにわたって基板の回転速度の加速を継続し、
    溶剤が基板の周縁に到達する時の基板の回転速度は、２００ｒｐｍ未満である基板処理方法。
18. 基板を処理する基板処理方法であって、
    基板の中央部に溶剤を供給し、且つ、基板の回転速度を増加させる溶剤供給工程を備え、
    前記溶剤供給工程は、基板に溶剤を供給し始めた時から溶剤が基板の周縁に到達する時までにわたって基板の回転速度の加速を継続し、
    前記溶剤供給工程は、基板に溶剤を供給し始めた時から溶剤が基板の周縁に到達する時までの期間の少なくとも一部において、基板の回転速度をＳ字状に加速させる基板処理方法。
19. 基板を処理する基板処理方法であって、
    基板の中央部に溶剤を供給し、且つ、基板の回転速度を増加させる溶剤供給工程を備え、
    前記溶剤供給工程は、基板に溶剤を供給し始めた時から溶剤が基板の周縁に到達する時までにわたって基板の回転速度の加速を継続し、
    基板に対する溶剤の供給を終了した後、基板に処理液を供給すること無く、基板を回転させる単純回転工程を備える基板処理方法。
20. 請求項１０から１９のいずれかに記載の基板処理方法において、
    前記溶剤供給工程は、溶剤が基板の周縁に到達する時まで、基板に対する溶剤の供給を継続する基板処理方法。
21. 請求項１から２０のいずれかに記載の基板処理方法において、
    基板に対する溶剤の供給を終了した後、基板に薬液を供給する薬液供給工程を備える基板処理方法。
22. 基板を処理する基板処理方法であって、
    基板の中央部に溶剤を供給し、且つ、基板の回転速度を増加させる溶剤供給工程を備え、
    前記溶剤供給工程は、溶剤が基板の周縁に到達する時まで、基板に対する溶剤の供給を継続し、
    前記溶剤供給工程は、
    基板の回転速度を第１速度に保ち、基板に溶剤を供給する第１等速工程と、
    前記第１等速工程の後、基板の回転速度を前記第１速度から前記第１速度より大きな第２速度に加速し、基板に対する溶剤の供給を継続する第１加速工程と、
    を含む基板処理方法。

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