JP2000157922A - 塗布液塗布方法 - Google Patents
塗布液塗布方法Info
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- 238000000576 coating method Methods 0.000 title claims abstract description 252
- 239000007788 liquid Substances 0.000 title claims abstract description 252
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 title claims abstract description 235
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 103
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 273
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims abstract description 120
- 238000005507 spraying Methods 0.000 claims abstract description 20
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 abstract 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 121
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 22
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 21
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 18
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 14
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 14
- 230000006399 behavior Effects 0.000 description 12
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 10
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 6
- LZCLXQDLBQLTDK-UHFFFAOYSA-N ethyl 2-hydroxypropanoate Chemical compound CCOC(=O)C(C)O LZCLXQDLBQLTDK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000003595 mist Substances 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 230000012447 hatching Effects 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 229940116333 ethyl lactate Drugs 0.000 description 2
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 2
- LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N propylene glycol methyl ether acetate Chemical compound COCC(C)OC(C)=O LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 102100028780 AP-1 complex subunit sigma-2 Human genes 0.000 description 1
- 101100055680 Homo sapiens AP1S2 gene Proteins 0.000 description 1
- 241000375392 Tana Species 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 239000006260 foam Substances 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000002203 pretreatment Methods 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- B05C—APPARATUS FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 塗布液の供給に先立って溶媒を噴霧すること
により、溶媒に起因するムラを防止するとともに、溶媒
の消費量を抑制しながらも塗布被膜を形成するために必
要な塗布液の量を極めて少なくすることができる。 【解決手段】 基板を第１の回転数Ｒ１で回転させた状
態で溶媒を噴霧する過程と、基板を第２の回転数Ｒ２で
回転させて塗布液を供給する過程と、供給された塗布液
が基板の表面全体を覆う前に第３の回転数Ｒ３へ上げて
ゆく過程と、基板の回転数を第４の回転数Ｒ４に所定時
間保持して塗布被膜の膜厚を調整する過程とをその順に
実施する。溶媒を噴霧することにより基板表面に溶媒が
滞留することを防止でき、その後に供給した塗布液を拡
がりやすくすることができる。
により、溶媒に起因するムラを防止するとともに、溶媒
の消費量を抑制しながらも塗布被膜を形成するために必
要な塗布液の量を極めて少なくすることができる。 【解決手段】 基板を第１の回転数Ｒ１で回転させた状
態で溶媒を噴霧する過程と、基板を第２の回転数Ｒ２で
回転させて塗布液を供給する過程と、供給された塗布液
が基板の表面全体を覆う前に第３の回転数Ｒ３へ上げて
ゆく過程と、基板の回転数を第４の回転数Ｒ４に所定時
間保持して塗布被膜の膜厚を調整する過程とをその順に
実施する。溶媒を噴霧することにより基板表面に溶媒が
滞留することを防止でき、その後に供給した塗布液を拡
がりやすくすることができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウエハ、フ
ォトマスク用のガラス基板、液晶表示装置用のガラス基
板、光ディスク用の基板など（以下、単に基板と称す
る）に対して、SOG(Spin On Glass,シリカ系被膜形成材
とも呼ばれる) 液、フォトレジスト液、ポリイミド樹脂
などの塗布液を塗布する塗布液塗布方法に係り、特に、
基板の表面に塗布液を供給して所望膜厚の塗布被膜を形
成する技術に関する。
ォトマスク用のガラス基板、液晶表示装置用のガラス基
板、光ディスク用の基板など（以下、単に基板と称す
る）に対して、SOG(Spin On Glass,シリカ系被膜形成材
とも呼ばれる) 液、フォトレジスト液、ポリイミド樹脂
などの塗布液を塗布する塗布液塗布方法に係り、特に、
基板の表面に塗布液を供給して所望膜厚の塗布被膜を形
成する技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来のこの種の塗布液塗布方法において
は、基板に供給された塗布液が平面視でほぼ円形状の塊
（以下、これをコアと称する）のまま暫くその径を拡大
してゆくが、その後はコアの円周部から基板の周縁部に
向かって多数の細長い塗布液の流れ（以下、これをヒゲ
と称する）が放射状に伸び始める。多数のヒゲが基板の
周縁部に達すると、塗布液が供給され続けているコアか
らヒゲを通して大量に塗布液が周囲に飛散するため、基
板の表面全体を塗布液が覆うまでの被覆所要時間が長く
なり塗布液の消費量が多くなる。したがって、基板の表
面全体を塗布液で覆うためには周囲に飛散する量を見込
んで多めに供給する必要がある。
は、基板に供給された塗布液が平面視でほぼ円形状の塊
（以下、これをコアと称する）のまま暫くその径を拡大
してゆくが、その後はコアの円周部から基板の周縁部に
向かって多数の細長い塗布液の流れ（以下、これをヒゲ
と称する）が放射状に伸び始める。多数のヒゲが基板の
周縁部に達すると、塗布液が供給され続けているコアか
らヒゲを通して大量に塗布液が周囲に飛散するため、基
板の表面全体を塗布液が覆うまでの被覆所要時間が長く
なり塗布液の消費量が多くなる。したがって、基板の表
面全体を塗布液で覆うためには周囲に飛散する量を見込
んで多めに供給する必要がある。
【０００３】そこで、このような問題を解決するため
に、まず、溶媒を滴下して基板の表面全体に回転塗布
し、基板の表面を塗布液が拡がりやすくなるように前処
理を施した後に塗布液を滴下して回転塗布するという方
法が提案されている。
に、まず、溶媒を滴下して基板の表面全体に回転塗布
し、基板の表面を塗布液が拡がりやすくなるように前処
理を施した後に塗布液を滴下して回転塗布するという方
法が提案されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
たような従来の方法には次のような問題がある。すなわ
ち、前塗布した溶媒が基板に形成されている回路パター
ンなどの段差部分に滞留しがちなため、その上に形成さ
れた塗布被膜をベークする際に閉じ込められた溶媒が発
泡する場合がある。このような場合には最終的に得られ
る塗布被膜にムラが生じるという問題がある。
たような従来の方法には次のような問題がある。すなわ
ち、前塗布した溶媒が基板に形成されている回路パター
ンなどの段差部分に滞留しがちなため、その上に形成さ
れた塗布被膜をベークする際に閉じ込められた溶媒が発
泡する場合がある。このような場合には最終的に得られ
る塗布被膜にムラが生じるという問題がある。
【０００５】また、溶媒の前塗布により塗布液を拡がり
やすくして塗布液の消費量を抑制することができる一方
で、使用する溶媒自体の消費量が多くなってしまうとい
う問題点もある。
やすくして塗布液の消費量を抑制することができる一方
で、使用する溶媒自体の消費量が多くなってしまうとい
う問題点もある。
【０００６】本発明は、このような事情に鑑みてなされ
たものであって、塗布液の供給に先立って溶媒を噴霧す
ることにより、溶媒に起因するムラを防止するととも
に、溶媒の消費量を抑制しながらも塗布被膜を形成する
ために必要な塗布液の量を極めて少なくすることができ
る塗布液塗布方法を提供することを目的とする。
たものであって、塗布液の供給に先立って溶媒を噴霧す
ることにより、溶媒に起因するムラを防止するととも
に、溶媒の消費量を抑制しながらも塗布被膜を形成する
ために必要な塗布液の量を極めて少なくすることができ
る塗布液塗布方法を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、このような目
的を達成するために、次のような構成をとる。すなわ
ち、請求項１に記載の発明は、基板の表面に塗布液を供
給して所望膜厚の塗布被膜を形成する塗布液塗布方法で
あって、（ａ）基板を静止させた状態若しくは第１の回
転数で回転させた状態で、基板の表面に溶媒を噴霧する
過程と、（ｂ）前記基板を静止させた状態若しくは第２
の回転数で回転させた状態で、その表面中心付近に塗布
液を供給する過程と、（ｃ）前記過程（ｂ）で供給され
た塗布液が拡がって前記基板の表面全体を覆う前に、前
記基板の回転数を第３の回転数へ上げてゆく過程と、
（ｄ）前記基板の回転数を第４の回転数に所定時間保持
して、前記基板の表面全体を覆っている塗布被膜の膜厚
を調整する過程と、をその順に実施することを特徴とす
るものである。
的を達成するために、次のような構成をとる。すなわ
ち、請求項１に記載の発明は、基板の表面に塗布液を供
給して所望膜厚の塗布被膜を形成する塗布液塗布方法で
あって、（ａ）基板を静止させた状態若しくは第１の回
転数で回転させた状態で、基板の表面に溶媒を噴霧する
過程と、（ｂ）前記基板を静止させた状態若しくは第２
の回転数で回転させた状態で、その表面中心付近に塗布
液を供給する過程と、（ｃ）前記過程（ｂ）で供給され
た塗布液が拡がって前記基板の表面全体を覆う前に、前
記基板の回転数を第３の回転数へ上げてゆく過程と、
（ｄ）前記基板の回転数を第４の回転数に所定時間保持
して、前記基板の表面全体を覆っている塗布被膜の膜厚
を調整する過程と、をその順に実施することを特徴とす
るものである。
【０００８】また、請求項２に記載の発明は、請求項１
に記載の塗布液塗布方法において、前記過程（ｂ）で供
給する塗布液を、前記基板を第２の回転数で回転させた
状態で供給開始し、その状態で供給完了するようにした
ことを特徴とするものである。
に記載の塗布液塗布方法において、前記過程（ｂ）で供
給する塗布液を、前記基板を第２の回転数で回転させた
状態で供給開始し、その状態で供給完了するようにした
ことを特徴とするものである。
【０００９】また、請求項３に記載の発明は、請求項１
に記載の塗布液塗布方法において、前記過程（ｂ）で供
給する塗布液を、前記基板を静止させた状態で供給開始
してその状態で供給完了するようにしたことを特徴とす
るものである。
に記載の塗布液塗布方法において、前記過程（ｂ）で供
給する塗布液を、前記基板を静止させた状態で供給開始
してその状態で供給完了するようにしたことを特徴とす
るものである。
【００１０】また、請求項４に記載の発明は、請求項１
に記載の塗布液塗布方法において、前記過程（ｂ）で供
給する塗布液を、前記基板を静止させた状態で供給開始
し、前記基板の回転数を第２の回転数に上げ始めた後で
供給完了するようにしたことを特徴とするものである。
に記載の塗布液塗布方法において、前記過程（ｂ）で供
給する塗布液を、前記基板を静止させた状態で供給開始
し、前記基板の回転数を第２の回転数に上げ始めた後で
供給完了するようにしたことを特徴とするものである。
【００１１】また、請求項５に記載の発明は、基板の表
面に塗布液を供給して所望膜厚の塗布被膜を形成する塗
布液塗布方法であって、（ａ）基板を静止させた状態若
しくは第１の回転数で回転させた状態で、基板の表面に
溶媒を噴霧する過程と、（ｂ）前記基板を静止させた状
態若しくは第２の回転数で回転させた状態で、その表面
中心付近に塗布液を供給する過程と、（ｃ）前記過程
（ｂ）で供給された塗布液が拡がって前記基板の表面全
体を覆う前に、前記基板の回転数を前記第２の回転数よ
りも低い第３の回転数に減速する過程と、（ｄ）前記過
程（ｂ）で供給された塗布液が拡がって前記基板の表面
全体を覆う前に、前記基板の回転数を第４の回転数へ上
げてゆく過程と、（ｅ）前記基板の回転数を第５の回転
数に所定時間保持して、前記基板の表面全体を覆ってい
る塗布被膜の膜厚を調整する過程とをその順に実施し、
少なくとも前記過程（ｃ）において減速を開始してから
第３の回転数に達するまでは塗布液を供給し続けること
を特徴とするものである。
面に塗布液を供給して所望膜厚の塗布被膜を形成する塗
布液塗布方法であって、（ａ）基板を静止させた状態若
しくは第１の回転数で回転させた状態で、基板の表面に
溶媒を噴霧する過程と、（ｂ）前記基板を静止させた状
態若しくは第２の回転数で回転させた状態で、その表面
中心付近に塗布液を供給する過程と、（ｃ）前記過程
（ｂ）で供給された塗布液が拡がって前記基板の表面全
体を覆う前に、前記基板の回転数を前記第２の回転数よ
りも低い第３の回転数に減速する過程と、（ｄ）前記過
程（ｂ）で供給された塗布液が拡がって前記基板の表面
全体を覆う前に、前記基板の回転数を第４の回転数へ上
げてゆく過程と、（ｅ）前記基板の回転数を第５の回転
数に所定時間保持して、前記基板の表面全体を覆ってい
る塗布被膜の膜厚を調整する過程とをその順に実施し、
少なくとも前記過程（ｃ）において減速を開始してから
第３の回転数に達するまでは塗布液を供給し続けること
を特徴とするものである。
【００１２】また、請求項６に記載の発明は、請求項５
に記載の塗布液塗布方法において、前記過程（ｂ）で供
給する塗布液を、前記基板を第２の回転数で回転させた
状態で供給開始し、前記過程（ｄ）で前記基板の回転数
を第４の回転数に上げ始めた時点で供給完了するように
したことを特徴とするものである。
に記載の塗布液塗布方法において、前記過程（ｂ）で供
給する塗布液を、前記基板を第２の回転数で回転させた
状態で供給開始し、前記過程（ｄ）で前記基板の回転数
を第４の回転数に上げ始めた時点で供給完了するように
したことを特徴とするものである。
【００１３】また、請求項７に記載の発明は、請求項５
に記載の塗布液塗布方法において、前記過程（ｂ）で供
給する塗布液を、前記基板を静止させた状態で供給開始
し、前記過程（ｄ）で前記基板の回転数を第４の回転数
に上げ始めた時点で供給完了するようにしたことを特徴
とするものである。
に記載の塗布液塗布方法において、前記過程（ｂ）で供
給する塗布液を、前記基板を静止させた状態で供給開始
し、前記過程（ｄ）で前記基板の回転数を第４の回転数
に上げ始めた時点で供給完了するようにしたことを特徴
とするものである。
【００１４】
【作用】請求項１に記載の発明の作用は次のとおりであ
る。まず、基板の表面に塗布液を供給する前に、基板を
静止させた状態若しくは第１の回転数で回転させた状態
で基板の表面に溶媒を噴霧する（過程（ａ））。このよ
うに塗布液の塗布前に溶媒を噴霧しておくことによって
塗布液の基板表面との接触角を小さくすることができる
ので、この後に塗布液が基板に供給されたときに、その
表面上で塗布液が極めて滑らかに拡がり易くなる。ま
た、溶媒を滴下するのではなく霧状に噴射して供給する
ので、短時間で広範囲にわたり供給することができると
ともに、基板の表面に回路パターン等の凹凸が形成され
ていたとしてもその部分に溶媒が滞留しにくくなる。
る。まず、基板の表面に塗布液を供給する前に、基板を
静止させた状態若しくは第１の回転数で回転させた状態
で基板の表面に溶媒を噴霧する（過程（ａ））。このよ
うに塗布液の塗布前に溶媒を噴霧しておくことによって
塗布液の基板表面との接触角を小さくすることができる
ので、この後に塗布液が基板に供給されたときに、その
表面上で塗布液が極めて滑らかに拡がり易くなる。ま
た、溶媒を滴下するのではなく霧状に噴射して供給する
ので、短時間で広範囲にわたり供給することができると
ともに、基板の表面に回路パターン等の凹凸が形成され
ていたとしてもその部分に溶媒が滞留しにくくなる。
【００１５】溶媒の噴霧が完了した後、基板を静止させ
た状態若しくは第２の回転数で回転させた状態で塗布液
をその表面中心付近に供給する（過程（ｂ））。そし
て、その塗布液が拡がる際には、まず円形状の塗布液の
コアから多数の細長いヒゲが基板の周縁部に向かって放
射状に延びはじめ、これらのヒゲが基板の周縁部に到達
すると、これらを通って塗布液が基板の周囲に飛散塗布
液となって飛散するので、不要な塗布液の量が極めて多
くなる。そこで、基板の表面に供給された塗布液が拡が
って基板の表面全体を覆う前に、基板の回転数を第３の
回転数へと上げてゆく（過程（ｃ））。
た状態若しくは第２の回転数で回転させた状態で塗布液
をその表面中心付近に供給する（過程（ｂ））。そし
て、その塗布液が拡がる際には、まず円形状の塗布液の
コアから多数の細長いヒゲが基板の周縁部に向かって放
射状に延びはじめ、これらのヒゲが基板の周縁部に到達
すると、これらを通って塗布液が基板の周囲に飛散塗布
液となって飛散するので、不要な塗布液の量が極めて多
くなる。そこで、基板の表面に供給された塗布液が拡が
って基板の表面全体を覆う前に、基板の回転数を第３の
回転数へと上げてゆく（過程（ｃ））。
【００１６】このように回転数を制御すると、塗布液は
図４に示すような挙動を示す。
図４に示すような挙動を示す。
【００１７】まず、従来例のように回転数が第２の回転
数のままである場合には、図４中にハッチングで示す領
域コアＲa ／ヒゲＲb の状態から、二点鎖線で示すよう
にコアＲa ／ヒゲＲb が基板Ｗの周縁部に向かって遠心
力により拡大／伸長するが、ここで回転数を第３の回転
数に上げてゆく（加速してゆく）と、ヒゲＲb に慣性
力、つまり回転方向とは逆方向の力が作用する。したが
って、遠心力と慣性力との合力によりヒゲＲb は周方向
に曲げられるようにその幅が拡大するとともに、遠心力
によってその先端部が周縁部に向かって伸長し（図４中
の点線）、コアＲ a の径も拡大することになる。しか
も、塗布液の塗布に先立って溶媒を基板Ｗの表面全体に
噴霧して塗布しているので、慣性力によりヒゲＲb は容
易に大きく周方向に曲げられる。なお、模式図では省略
しているが溶媒塗布を行っている関係上、従来例に比較
してヒゲＲb が細く、かつ、従来例よりもさらに多くの
ヒゲＲ b が発生する。さらに、コアＲa の径の拡大も従
来例に比較して速くなる。
数のままである場合には、図４中にハッチングで示す領
域コアＲa ／ヒゲＲb の状態から、二点鎖線で示すよう
にコアＲa ／ヒゲＲb が基板Ｗの周縁部に向かって遠心
力により拡大／伸長するが、ここで回転数を第３の回転
数に上げてゆく（加速してゆく）と、ヒゲＲb に慣性
力、つまり回転方向とは逆方向の力が作用する。したが
って、遠心力と慣性力との合力によりヒゲＲb は周方向
に曲げられるようにその幅が拡大するとともに、遠心力
によってその先端部が周縁部に向かって伸長し（図４中
の点線）、コアＲ a の径も拡大することになる。しか
も、塗布液の塗布に先立って溶媒を基板Ｗの表面全体に
噴霧して塗布しているので、慣性力によりヒゲＲb は容
易に大きく周方向に曲げられる。なお、模式図では省略
しているが溶媒塗布を行っている関係上、従来例に比較
してヒゲＲb が細く、かつ、従来例よりもさらに多くの
ヒゲＲ b が発生する。さらに、コアＲa の径の拡大も従
来例に比較して速くなる。
【００１８】その結果、ヒゲＲb は基板Ｗの周縁部に向
かって伸長するだけでなく、周方向にもその幅を大きく
拡大するので、ヒゲＲb が基板Ｗの周縁部に達するまで
にヒゲＲb 間の隙間が急速に狭まり、塗布液が基板Ｗの
表面全体を覆うまでの時間（被覆所要時間）を短縮する
ことができる。この被覆所要時間が短いということは、
塗布液の供給を開始してから塗布液が基板Ｗの表面全体
を覆って塗布液の供給を停止するまでの時間が短いこと
を意味する。換言すれば、ヒゲＲb が基板Ｗの周縁部に
達してから塗布液の供給が停止されるまでの時間が短く
なり、それだけヒゲＲb を通って基板Ｗの周縁部から飛
散する塗布液の量が少なくなるので、その後に基板を第
４の回転数に所定時間だけ保持して（過程（ｄ））、余
分な塗布液を振り切って所望膜厚の塗布被膜を形成する
ために必要となる塗布液の量を少なくすることができ
る。
かって伸長するだけでなく、周方向にもその幅を大きく
拡大するので、ヒゲＲb が基板Ｗの周縁部に達するまで
にヒゲＲb 間の隙間が急速に狭まり、塗布液が基板Ｗの
表面全体を覆うまでの時間（被覆所要時間）を短縮する
ことができる。この被覆所要時間が短いということは、
塗布液の供給を開始してから塗布液が基板Ｗの表面全体
を覆って塗布液の供給を停止するまでの時間が短いこと
を意味する。換言すれば、ヒゲＲb が基板Ｗの周縁部に
達してから塗布液の供給が停止されるまでの時間が短く
なり、それだけヒゲＲb を通って基板Ｗの周縁部から飛
散する塗布液の量が少なくなるので、その後に基板を第
４の回転数に所定時間だけ保持して（過程（ｄ））、余
分な塗布液を振り切って所望膜厚の塗布被膜を形成する
ために必要となる塗布液の量を少なくすることができ
る。
【００１９】また、請求項２に記載の発明によれば、基
板を第２の回転数で回転させつつ塗布液の供給を開始
し、その状態で供給を完了する、いわゆる『ダイナミッ
ク法』によって塗布液を供給する場合であっても、塗布
液が基板の表面全体を覆う前に、回転数を第３の回転数
に上げてゆくことにより上述したものと同様の作用が生
じて被覆所要時間を短縮できる。したがって、飛散する
塗布液の量を少なくすることができる。
板を第２の回転数で回転させつつ塗布液の供給を開始
し、その状態で供給を完了する、いわゆる『ダイナミッ
ク法』によって塗布液を供給する場合であっても、塗布
液が基板の表面全体を覆う前に、回転数を第３の回転数
に上げてゆくことにより上述したものと同様の作用が生
じて被覆所要時間を短縮できる。したがって、飛散する
塗布液の量を少なくすることができる。
【００２０】また、請求項３に記載の発明によれば、基
板を静止させた状態で塗布液の供給を開始し、その状態
で塗布液の供給を完了する、いわゆる『スタティック
法』によって塗布液を供給する場合であっても、塗布液
が基板の表面全体を覆う前に、回転数を第３の回転数に
上げてゆくことにより被覆所要時間を短縮できる。した
がって、飛散する塗布液の量を少なくすることができ
る。
板を静止させた状態で塗布液の供給を開始し、その状態
で塗布液の供給を完了する、いわゆる『スタティック
法』によって塗布液を供給する場合であっても、塗布液
が基板の表面全体を覆う前に、回転数を第３の回転数に
上げてゆくことにより被覆所要時間を短縮できる。した
がって、飛散する塗布液の量を少なくすることができ
る。
【００２１】また、請求項４に記載の発明によれば、基
板を静止させた状態で塗布液の供給を開始し、基板の回
転数を第２の回転数に上げ始めた後でその供給を完了す
る、上記のスタティック法とダイナミック法とを組み合
わせたような塗布液の供給方法（以下、この供給方法を
『スタミック法』と称する）であっても、塗布液が基板
の表面全体を覆う前に、回転数を第３の回転数に上げて
ゆくことにより被覆所要時間を短縮できる。したがっ
て、飛散する塗布液の量を少なくすることができる。
板を静止させた状態で塗布液の供給を開始し、基板の回
転数を第２の回転数に上げ始めた後でその供給を完了す
る、上記のスタティック法とダイナミック法とを組み合
わせたような塗布液の供給方法（以下、この供給方法を
『スタミック法』と称する）であっても、塗布液が基板
の表面全体を覆う前に、回転数を第３の回転数に上げて
ゆくことにより被覆所要時間を短縮できる。したがっ
て、飛散する塗布液の量を少なくすることができる。
【００２２】また、請求項５に記載の発明の作用は次の
とおりである。まず、基板の表面に塗布液を供給する前
に、基板を静止させた状態若しくは第１の回転数で回転
させた状態で基板の表面中心付近に溶媒を噴霧する（過
程（ａ））。このように塗布液の塗布前に溶媒を噴霧し
て塗布しておくことによって塗布液の基板表面との接触
角を小さくすることができるので、その表面上で塗布液
が極めて滑らかに拡がり易くなる。また、溶媒を霧状に
噴射して供給するので、短時間で広範囲に供給すること
ができ、基板の表面に回路パターン等が形成されていた
としてもその部分に溶媒が滞留しにくくなる。
とおりである。まず、基板の表面に塗布液を供給する前
に、基板を静止させた状態若しくは第１の回転数で回転
させた状態で基板の表面中心付近に溶媒を噴霧する（過
程（ａ））。このように塗布液の塗布前に溶媒を噴霧し
て塗布しておくことによって塗布液の基板表面との接触
角を小さくすることができるので、その表面上で塗布液
が極めて滑らかに拡がり易くなる。また、溶媒を霧状に
噴射して供給するので、短時間で広範囲に供給すること
ができ、基板の表面に回路パターン等が形成されていた
としてもその部分に溶媒が滞留しにくくなる。
【００２３】溶媒の塗布が完了した後、基板を静止させ
た状態若しくは第２の回転数で回転させた状態で塗布液
をその表面中心付近に供給する（過程（ｂ））。そし
て、その塗布液が第２の回転数によって拡がる際には、
上述したようにコアから多数の細長いヒゲが基板の周縁
部に向けて放射状に延び、これらが基板の周縁部に達し
た時点で塗布液が飛散塗布液となって飛散するので、不
要な塗布液の量が極めて多くなる。
た状態若しくは第２の回転数で回転させた状態で塗布液
をその表面中心付近に供給する（過程（ｂ））。そし
て、その塗布液が第２の回転数によって拡がる際には、
上述したようにコアから多数の細長いヒゲが基板の周縁
部に向けて放射状に延び、これらが基板の周縁部に達し
た時点で塗布液が飛散塗布液となって飛散するので、不
要な塗布液の量が極めて多くなる。
【００２４】そこで、基板の表面に供給された塗布液が
第２の回転数により拡がって基板の表面全体を覆う前
に、基板の回転数を第２の回転数よりも低速の第３の回
転数に一時的に減速する（過程（ｃ））。なお、この第
３の回転数は、回転数＝０、すなわち、基板の回転を停
止させた状態をも含むものである。このように回転数制
御を行うと、塗布液は図７ないし図１０の模式図に示す
ような挙動を示す。なお、図７および図８は基板および
塗布液を模式的に示した側面図であり、図９および図１
０は基板および塗布液を模式的に示した平面図である。
第２の回転数により拡がって基板の表面全体を覆う前
に、基板の回転数を第２の回転数よりも低速の第３の回
転数に一時的に減速する（過程（ｃ））。なお、この第
３の回転数は、回転数＝０、すなわち、基板の回転を停
止させた状態をも含むものである。このように回転数制
御を行うと、塗布液は図７ないし図１０の模式図に示す
ような挙動を示す。なお、図７および図８は基板および
塗布液を模式的に示した側面図であり、図９および図１
０は基板および塗布液を模式的に示した平面図である。
【００２５】まず、基板の回転数を第２の回転数よりも
低い第３の回転数に減速し始めるとと、基板ＷのコアＲ
a の径の拡大およびヒゲＲb の延びが鈍り始め、第３の
回転数に達すると減速を始める前の状態に比較して一時
的にほぼ停止状態となる。少なくとも第３の回転数に達
するまでは、依然として塗布液を供給し続けているの
で、減速前のコアＲa （図７）に比較してコアＲa の塗
布液Ｒの量を増加（図８）させることができる。このよ
うにコアＲa の塗布液Ｒの液量が増加した状態、つま
り、コアＲa の拡大運動量が増大した状態で、基板Ｗの
表面全体を塗布液が覆う前に、基板の回転数を第３の回
転数よりも高い第４の回転数へと上げて始めて再び基板
を回転駆動する（過程（ｄ））。すると、図９および図
１０に示すような挙動が塗布液Ｒに生じる。
低い第３の回転数に減速し始めるとと、基板ＷのコアＲ
a の径の拡大およびヒゲＲb の延びが鈍り始め、第３の
回転数に達すると減速を始める前の状態に比較して一時
的にほぼ停止状態となる。少なくとも第３の回転数に達
するまでは、依然として塗布液を供給し続けているの
で、減速前のコアＲa （図７）に比較してコアＲa の塗
布液Ｒの量を増加（図８）させることができる。このよ
うにコアＲa の塗布液Ｒの液量が増加した状態、つま
り、コアＲa の拡大運動量が増大した状態で、基板Ｗの
表面全体を塗布液が覆う前に、基板の回転数を第３の回
転数よりも高い第４の回転数へと上げて始めて再び基板
を回転駆動する（過程（ｄ））。すると、図９および図
１０に示すような挙動が塗布液Ｒに生じる。
【００２６】従来例のように回転数が保持されたとする
と、図９中にハッチングで示すコアＲa ／ヒゲＲb の状
態から、二点鎖線で示すようにコアＲa ／ヒゲＲb が基
板Ｗの周縁部に向かって遠心力によって直線的に拡大／
伸長する。さらに液量が増加したコアＲa から新たな放
射状の塗布液の流れ（以下、新たなヒゲＲb ’と称す
る）が生じて、多数のヒゲＲb の間から新たなヒゲ
Ｒb ’が基板Ｗの周縁部に向かって延び始める。
と、図９中にハッチングで示すコアＲa ／ヒゲＲb の状
態から、二点鎖線で示すようにコアＲa ／ヒゲＲb が基
板Ｗの周縁部に向かって遠心力によって直線的に拡大／
伸長する。さらに液量が増加したコアＲa から新たな放
射状の塗布液の流れ（以下、新たなヒゲＲb ’と称す
る）が生じて、多数のヒゲＲb の間から新たなヒゲ
Ｒb ’が基板Ｗの周縁部に向かって延び始める。
【００２７】そこで、第３の回転数から第４の回転数へ
と回転数を上げてゆくと、その過程において図９に示す
状態を経てヒゲＲb および新たなヒゲＲb ’に慣性力、
つまり回転方向とは逆方向の力が作用する。したがっ
て、遠心力と慣性力との合力によりヒゲＲb および新た
なヒゲＲb は、図１０に点線で示すように周方向に曲げ
られるようにその幅が拡大するとともに、遠心力によっ
てその先端部が基板の周縁部に向かって伸長し、コアＲ
a の径も拡大することになる。しかも、塗布液の塗布に
先立って溶媒を基板Ｗの表面全体に噴霧塗布しているの
で、慣性力によりヒゲＲb および新たなヒゲＲb ’は容
易に大きく周方向に曲げられる。なお、模式図では省略
しているが溶媒塗布を行っている関係上、従来例に比較
してヒゲＲ b および新たなヒゲＲb ’が細く、かつ、従
来例よりもさらに多くのヒゲＲb および新たなヒゲ
Ｒb ’が発生する。さらに、コアＲa の径の拡大も従来
例に比較して速くなる。
と回転数を上げてゆくと、その過程において図９に示す
状態を経てヒゲＲb および新たなヒゲＲb ’に慣性力、
つまり回転方向とは逆方向の力が作用する。したがっ
て、遠心力と慣性力との合力によりヒゲＲb および新た
なヒゲＲb は、図１０に点線で示すように周方向に曲げ
られるようにその幅が拡大するとともに、遠心力によっ
てその先端部が基板の周縁部に向かって伸長し、コアＲ
a の径も拡大することになる。しかも、塗布液の塗布に
先立って溶媒を基板Ｗの表面全体に噴霧塗布しているの
で、慣性力によりヒゲＲb および新たなヒゲＲb ’は容
易に大きく周方向に曲げられる。なお、模式図では省略
しているが溶媒塗布を行っている関係上、従来例に比較
してヒゲＲ b および新たなヒゲＲb ’が細く、かつ、従
来例よりもさらに多くのヒゲＲb および新たなヒゲ
Ｒb ’が発生する。さらに、コアＲa の径の拡大も従来
例に比較して速くなる。
【００２８】その結果、図１０に示すようにヒゲＲb お
よび新たなヒゲＲb ’は基板Ｗの周縁部に向かって伸長
するだけでなく周方向にもその幅を拡大するので、ヒゲ
Ｒbが基板Ｗの周縁部に達するまでにヒゲＲb 間の隙間
が、新たなヒゲＲb ’の発生も加わって急速に狭まり、
塗布液Ｒが基板Ｗの表面全体を覆うまでの被覆所要時間
を大幅に短縮することができる。この被覆所要時間が短
いということは、塗布液Ｒの供給を開始してから塗布液
Ｒが基板Ｗの表面全体を覆ってその供給が停止されるま
での時間が短いことを意味する。換言すれば、上述した
ようなヒゲＲb（および新たなヒゲＲb ’）を通って周
囲に飛散する塗布液Ｒの量が少なくなるので、その後に
基板を第５の回転数に所定時間だけ保持して（過程
（ｅ））、余分な塗布液を振り切って所望膜厚の塗布被
膜を形成するために必要となる塗布液の量を少なくする
ことができる。
よび新たなヒゲＲb ’は基板Ｗの周縁部に向かって伸長
するだけでなく周方向にもその幅を拡大するので、ヒゲ
Ｒbが基板Ｗの周縁部に達するまでにヒゲＲb 間の隙間
が、新たなヒゲＲb ’の発生も加わって急速に狭まり、
塗布液Ｒが基板Ｗの表面全体を覆うまでの被覆所要時間
を大幅に短縮することができる。この被覆所要時間が短
いということは、塗布液Ｒの供給を開始してから塗布液
Ｒが基板Ｗの表面全体を覆ってその供給が停止されるま
での時間が短いことを意味する。換言すれば、上述した
ようなヒゲＲb（および新たなヒゲＲb ’）を通って周
囲に飛散する塗布液Ｒの量が少なくなるので、その後に
基板を第５の回転数に所定時間だけ保持して（過程
（ｅ））、余分な塗布液を振り切って所望膜厚の塗布被
膜を形成するために必要となる塗布液の量を少なくする
ことができる。
【００２９】また、請求項６に記載の発明によれば、基
板を第２の回転数で回転させつつ塗布液の供給を開始
し、過程（ｃ）の減速を行った後、第４の回転数で再び
回転させ始める時点でその供給を停止するというように
基板を回転させた状態で塗布液の供給開始および供給完
了を行う、いわゆる『ダイナミック法』により塗布液を
供給する場合であっても、塗布液が基板の表面全体を覆
う前に第３の回転数に減速することにより、コアおよび
ヒゲの伸長をほぼ停止させた状態でコアだけの塗布液増
量を終えることができる。したがって、コアの拡大運動
量を最大化した状態で第４の回転数へと上げ始めること
ができるので、コアの径の拡大をより速く、かつ新たな
ヒゲを効率よく発生させることができる。
板を第２の回転数で回転させつつ塗布液の供給を開始
し、過程（ｃ）の減速を行った後、第４の回転数で再び
回転させ始める時点でその供給を停止するというように
基板を回転させた状態で塗布液の供給開始および供給完
了を行う、いわゆる『ダイナミック法』により塗布液を
供給する場合であっても、塗布液が基板の表面全体を覆
う前に第３の回転数に減速することにより、コアおよび
ヒゲの伸長をほぼ停止させた状態でコアだけの塗布液増
量を終えることができる。したがって、コアの拡大運動
量を最大化した状態で第４の回転数へと上げ始めること
ができるので、コアの径の拡大をより速く、かつ新たな
ヒゲを効率よく発生させることができる。
【００３０】また、請求項７に記載の発明によれば、基
板を静止させた状態で塗布液の供給を開始し、過程
（ｃ）の減速を行った後、第４の回転数で再び回転させ
始める時点でその供給を停止するというようにスタティ
ック法とダイナミック法とを組み合わせたような『スタ
ミック法』により塗布液を供給する場合であっても、塗
布液が基板の表面全体を覆う前に第３の回転数に減速す
ることにより、コアおよびヒゲの伸長をほぼ停止させた
状態でコアだけの塗布液増量を終えることができる。し
たがって、コアの拡大運動量を最大化した状態で第４の
回転数へと上げ始めることができるので、コアの径の拡
大をより速く、かつ新たなヒゲを効率よく発生させるこ
とができる。
板を静止させた状態で塗布液の供給を開始し、過程
（ｃ）の減速を行った後、第４の回転数で再び回転させ
始める時点でその供給を停止するというようにスタティ
ック法とダイナミック法とを組み合わせたような『スタ
ミック法』により塗布液を供給する場合であっても、塗
布液が基板の表面全体を覆う前に第３の回転数に減速す
ることにより、コアおよびヒゲの伸長をほぼ停止させた
状態でコアだけの塗布液増量を終えることができる。し
たがって、コアの拡大運動量を最大化した状態で第４の
回転数へと上げ始めることができるので、コアの径の拡
大をより速く、かつ新たなヒゲを効率よく発生させるこ
とができる。
【００３１】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の一
実施例を説明する。図１は、本発明方法を適用した回転
式基板塗布装置の概略構成を示す図である。
実施例を説明する。図１は、本発明方法を適用した回転
式基板塗布装置の概略構成を示す図である。
【００３２】図中、符号１は、吸引式スピンチャックで
あって基板Ｗをほぼ水平姿勢で吸着支持する。この吸引
式スピンチャック１は、中空の回転軸２を介して回転モ
ータ３によって駆動されるようになっており、回転モー
タ３の駆動により基板Ｗとともに鉛直軸周りで回転され
る。吸引式スピンチャック１の周囲には、塗布液である
フォトレジスト液などの飛散を防止するための飛散防止
カップ５が配設されている。図示省略しているが、飛散
防止カップ５と回転軸２とは相対昇降するように構成さ
れており、これらを相対昇降させた状態で未処理基板Ｗ
を飛散防止カップ５内に搬入したり、処理済の基板Ｗを
飛散防止カップ５外へ搬出するようになっている。
あって基板Ｗをほぼ水平姿勢で吸着支持する。この吸引
式スピンチャック１は、中空の回転軸２を介して回転モ
ータ３によって駆動されるようになっており、回転モー
タ３の駆動により基板Ｗとともに鉛直軸周りで回転され
る。吸引式スピンチャック１の周囲には、塗布液である
フォトレジスト液などの飛散を防止するための飛散防止
カップ５が配設されている。図示省略しているが、飛散
防止カップ５と回転軸２とは相対昇降するように構成さ
れており、これらを相対昇降させた状態で未処理基板Ｗ
を飛散防止カップ５内に搬入したり、処理済の基板Ｗを
飛散防止カップ５外へ搬出するようになっている。
【００３３】飛散防止カップ５の上方であって、基板Ｗ
のほぼ回転中心の上方には、フォトレジスト液を基板Ｗ
に対して吐出する塗布液吐出ノズル１１が配設されてい
る。この塗布液吐出ノズル１１は、塗布液供給部１３か
ら塗布液であるフォトレジスト液を供給されるようにな
っており、駆動部１５によってその先端部を図１に示す
供給位置と、飛散防止カップ５の側方に離れた図示しな
い待機位置とにわたって揺動移動されるようになってい
る。
のほぼ回転中心の上方には、フォトレジスト液を基板Ｗ
に対して吐出する塗布液吐出ノズル１１が配設されてい
る。この塗布液吐出ノズル１１は、塗布液供給部１３か
ら塗布液であるフォトレジスト液を供給されるようにな
っており、駆動部１５によってその先端部を図１に示す
供給位置と、飛散防止カップ５の側方に離れた図示しな
い待機位置とにわたって揺動移動されるようになってい
る。
【００３４】また、溶媒を霧状にして基板Ｗに噴射する
ための溶媒噴霧ノズル１７が塗布液吐出ノズル１１に並
設されている。この溶媒噴霧ノズル１７は、溶媒供給部
１９からの溶媒を噴霧するように構成されており、溶媒
供給部１９は溶媒を貯留している容器１９ａを備えると
ともに容器１９ａを加熱することにより溶媒の蒸気を発
生させるためのヒータ１９ｂを配備している。また、溶
媒噴霧ノズル１７には、電磁開閉弁２１を通して加圧さ
れたＮ2 ガスが供給されるようになっている。したがっ
て、図１中に点線で示すように、電磁開閉弁２１を開放
するとヒータ１９ｂの加熱により蒸気となった溶媒が溶
媒噴霧ノズル１７の先端部に取り付けられたスプレイガ
ン１７ａから噴霧され、ほぼ基板Ｗの半径を覆う範囲に
溶媒が噴霧されるようになっている。なお、スプレイガ
ン１７ａは、噴霧範囲が基板Ｗの全面を覆うものであっ
てもよい。
ための溶媒噴霧ノズル１７が塗布液吐出ノズル１１に並
設されている。この溶媒噴霧ノズル１７は、溶媒供給部
１９からの溶媒を噴霧するように構成されており、溶媒
供給部１９は溶媒を貯留している容器１９ａを備えると
ともに容器１９ａを加熱することにより溶媒の蒸気を発
生させるためのヒータ１９ｂを配備している。また、溶
媒噴霧ノズル１７には、電磁開閉弁２１を通して加圧さ
れたＮ2 ガスが供給されるようになっている。したがっ
て、図１中に点線で示すように、電磁開閉弁２１を開放
するとヒータ１９ｂの加熱により蒸気となった溶媒が溶
媒噴霧ノズル１７の先端部に取り付けられたスプレイガ
ン１７ａから噴霧され、ほぼ基板Ｗの半径を覆う範囲に
溶媒が噴霧されるようになっている。なお、スプレイガ
ン１７ａは、噴霧範囲が基板Ｗの全面を覆うものであっ
てもよい。
【００３５】また、溶媒噴霧ノズル１７は、駆動部２３
により図１に示す供給位置と待機位置とにわたって揺動
移動されるように構成されているとともに、基板Ｗを回
転させない状態で溶媒を噴霧する場合には、基板Ｗの全
面にわたって溶媒を噴霧できるように上記の供給位置か
ら一定範囲をスキャンするように移動可能に構成されて
いる。
により図１に示す供給位置と待機位置とにわたって揺動
移動されるように構成されているとともに、基板Ｗを回
転させない状態で溶媒を噴霧する場合には、基板Ｗの全
面にわたって溶媒を噴霧できるように上記の供給位置か
ら一定範囲をスキャンするように移動可能に構成されて
いる。
【００３６】なお、上記の溶媒供給部１９が貯留する溶
媒としては、例えば、フォトレジスト液の主溶媒として
利用されているＰＧＭＥＡ（プロピレングリコールモノ
メチルエーテルアセテート）やＥＬ（乳酸エチル）など
が利用できる。
媒としては、例えば、フォトレジスト液の主溶媒として
利用されているＰＧＭＥＡ（プロピレングリコールモノ
メチルエーテルアセテート）やＥＬ（乳酸エチル）など
が利用できる。
【００３７】上述した回転モータ３と、塗布液供給部１
３と、駆動部１５と、溶媒供給部１９と、電磁開閉弁２
１と、駆動部２３とは制御部３１によって制御されるよ
うになっている。なお、制御部３１は、メモリ３３に予
め格納されている、後述するタイムチャートに応じた処
理プログラムによって上記各部の制御を行うようになっ
ている。
３と、駆動部１５と、溶媒供給部１９と、電磁開閉弁２
１と、駆動部２３とは制御部３１によって制御されるよ
うになっている。なお、制御部３１は、メモリ３３に予
め格納されている、後述するタイムチャートに応じた処
理プログラムによって上記各部の制御を行うようになっ
ている。
【００３８】＜第１実施例＞（請求項１ないし請求項４
に対応する実施例） 『ダイナミック法』（請求項２の実施例） 次に、図２のタイムチャートおよび図３の模式図を参照
して、『ダイナミック法』によるフォトレジスト液塗布
処理について説明する。なお、このタイムチャートに相
当する処理プログラムは、図１に示したメモリ３３に予
め格納されており、制御部３１によって実行される。ま
た、処理対象の基板Ｗは、既に吸引式スピンチャック１
に載置されて吸着保持されており、溶媒噴霧ノズル１７
が駆動部２３によって供給位置に移動されているものと
する。なお、図３の模式図では、基板Ｗを簡略的に円形
で表し、フォトレジスト液をハッチングした領域で表し
ている。
に対応する実施例） 『ダイナミック法』（請求項２の実施例） 次に、図２のタイムチャートおよび図３の模式図を参照
して、『ダイナミック法』によるフォトレジスト液塗布
処理について説明する。なお、このタイムチャートに相
当する処理プログラムは、図１に示したメモリ３３に予
め格納されており、制御部３１によって実行される。ま
た、処理対象の基板Ｗは、既に吸引式スピンチャック１
に載置されて吸着保持されており、溶媒噴霧ノズル１７
が駆動部２３によって供給位置に移動されているものと
する。なお、図３の模式図では、基板Ｗを簡略的に円形
で表し、フォトレジスト液をハッチングした領域で表し
ている。
【００３９】まず、回転モータ３の回転駆動を開始す
る。具体的には、ｔ１時点で回転数Ｒ１（例えば、１０
０ｒｐｍ）に達するように制御部３１が回転モータ３を
正転駆動する。そして、基板Ｗの回転数が回転数Ｒ１で
安定した時点ｔPSにおいて、電磁開閉弁２１を開放して
溶媒噴霧ノズル１７から溶媒を霧状にして供給開始し、
ｔPE時点において電磁開閉弁２１を閉止してその供給を
停止する。これにより基板Ｗの表面全体にわたって溶媒
が薄く均一に塗布される。なお、上記のｔPS時点からｔ
PE時点までが溶媒噴霧時間ＴPSU であり、この間に供給
される溶媒の量は、例えば、０．３ミリリットルであ
る。
る。具体的には、ｔ１時点で回転数Ｒ１（例えば、１０
０ｒｐｍ）に達するように制御部３１が回転モータ３を
正転駆動する。そして、基板Ｗの回転数が回転数Ｒ１で
安定した時点ｔPSにおいて、電磁開閉弁２１を開放して
溶媒噴霧ノズル１７から溶媒を霧状にして供給開始し、
ｔPE時点において電磁開閉弁２１を閉止してその供給を
停止する。これにより基板Ｗの表面全体にわたって溶媒
が薄く均一に塗布される。なお、上記のｔPS時点からｔ
PE時点までが溶媒噴霧時間ＴPSU であり、この間に供給
される溶媒の量は、例えば、０．３ミリリットルであ
る。
【００４０】上述したようにフォトレジスト液の塗布前
に溶媒を噴霧して基板Ｗの表面全体に塗布しておくこと
により、次いでその表面に供給されるフォトレジスト液
が極めて滑らかにその表面上で拡がり易くすることがで
きる。しかも、溶媒を液滴ではなく霧状で供給するよう
にしているので、少ない供給量で均一に基板Ｗの表面を
溶媒で覆うことができる。そのため基板Ｗの表面に回路
パターン等の凹凸が形成されていたとしても、その部分
に溶媒が滞留することを防止できる。なお、溶媒の供給
を停止したｔPE時点以降において、駆動部２３が溶媒噴
霧ノズル１７を待機位置に移動するとともに、それに代
えて駆動部１５が塗布液吐出ノズル１１を供給位置にま
で移動する。なお、上記の回転数Ｒ１が本発明の第１の
回転数に相当し、ｔPS時点からｔPE時点までが本発明の
過程（ａ）に相当する。
に溶媒を噴霧して基板Ｗの表面全体に塗布しておくこと
により、次いでその表面に供給されるフォトレジスト液
が極めて滑らかにその表面上で拡がり易くすることがで
きる。しかも、溶媒を液滴ではなく霧状で供給するよう
にしているので、少ない供給量で均一に基板Ｗの表面を
溶媒で覆うことができる。そのため基板Ｗの表面に回路
パターン等の凹凸が形成されていたとしても、その部分
に溶媒が滞留することを防止できる。なお、溶媒の供給
を停止したｔPE時点以降において、駆動部２３が溶媒噴
霧ノズル１７を待機位置に移動するとともに、それに代
えて駆動部１５が塗布液吐出ノズル１１を供給位置にま
で移動する。なお、上記の回転数Ｒ１が本発明の第１の
回転数に相当し、ｔPS時点からｔPE時点までが本発明の
過程（ａ）に相当する。
【００４１】次いで、ｔ３時点において基板Ｗの回転数
が回転数Ｒ２（例えば、１０００ｒｐｍ）に達するよう
に、ｔ２時点で回転数を上げてゆく。そして、この回転
数Ｒ２が安定した時点ｔS において、塗布液吐出ノズル
１１から一定流量でフォトレジスト液を供給開始し、そ
の時点から供給時間ＴSUになるｔE 時点においてフォト
レジスト液の供給を停止する。つまり、基板Ｗの回転数
をｔ３時点からｔ４時点までの間、回転数Ｒ２に保持し
てその間にフォトレジスト液の供給を完了する（ダイナ
ミック法）。なお、上記の回転数Ｒ２が本発明における
第２の回転数に相当し、ｔS 時点からｔE 時点までが本
発明における過程（ｂ）に相当する。
が回転数Ｒ２（例えば、１０００ｒｐｍ）に達するよう
に、ｔ２時点で回転数を上げてゆく。そして、この回転
数Ｒ２が安定した時点ｔS において、塗布液吐出ノズル
１１から一定流量でフォトレジスト液を供給開始し、そ
の時点から供給時間ＴSUになるｔE 時点においてフォト
レジスト液の供給を停止する。つまり、基板Ｗの回転数
をｔ３時点からｔ４時点までの間、回転数Ｒ２に保持し
てその間にフォトレジスト液の供給を完了する（ダイナ
ミック法）。なお、上記の回転数Ｒ２が本発明における
第２の回転数に相当し、ｔS 時点からｔE 時点までが本
発明における過程（ｂ）に相当する。
【００４２】このようにして回転数Ｒ２で回転されてい
る基板Ｗの表面に供給されたフォトレジスト液は、ｔS
時点では基板Ｗの回転中心付近で平面視円形状の塊Ｒa
（以下、これをコアＲa と称する）となって存在してい
る（図３（ａ））。このコアＲa は、回転数Ｒ２に伴う
遠心力が作用してほぼその形状を保ったまま基板Ｗの周
縁部に向かって同心円状に拡大してゆく。
る基板Ｗの表面に供給されたフォトレジスト液は、ｔS
時点では基板Ｗの回転中心付近で平面視円形状の塊Ｒa
（以下、これをコアＲa と称する）となって存在してい
る（図３（ａ））。このコアＲa は、回転数Ｒ２に伴う
遠心力が作用してほぼその形状を保ったまま基板Ｗの周
縁部に向かって同心円状に拡大してゆく。
【００４３】コアＲa は暫くの間は円形状を保っている
が、その後つぎのように大きくその形状を変えてゆく。
すなわち、この円形状のコアＲa の円周部から基板Ｗの
周縁部に向かって多数の細長いフォトレジスト液Ｒb の
流れ（以下、これをヒゲＲb と称する）が放射状に延び
始める（図３（ａ），（ｂ））。この多数のヒゲＲ
b は、遠心力によってコアＲa の径の拡大とともに基板
Ｗの周縁部に向かって延び続けるが、ヒゲＲ b はコアＲ
a よりも半径が大きいことに起因して遠心力がより大き
く加わるので、コアＲa の径の拡大よりも速く基板Ｗの
周縁部に向かって延びることになる（図３（ｂ））。
が、その後つぎのように大きくその形状を変えてゆく。
すなわち、この円形状のコアＲa の円周部から基板Ｗの
周縁部に向かって多数の細長いフォトレジスト液Ｒb の
流れ（以下、これをヒゲＲb と称する）が放射状に延び
始める（図３（ａ），（ｂ））。この多数のヒゲＲ
b は、遠心力によってコアＲa の径の拡大とともに基板
Ｗの周縁部に向かって延び続けるが、ヒゲＲ b はコアＲ
a よりも半径が大きいことに起因して遠心力がより大き
く加わるので、コアＲa の径の拡大よりも速く基板Ｗの
周縁部に向かって延びることになる（図３（ｂ））。
【００４４】そこで、基板Ｗの表面に供給されたフォト
レジスト液Ｒによって基板Ｗの表面全体が覆われる前
に、回転数を回転数Ｒ２（１０００ｒｐｍ）よりも高い
回転数Ｒ３（例えば、２５００ｒｐｍ）に上げ始める
（ｔ４時点）。このとき回転数をｔ４時点から上げ始め
てｔ５時点で回転数Ｒ３に到達するように制御するが、
この間は例えば、約０．１ｓｅｃである。なお、上記の
回転数Ｒ３が本発明の第３の回転数に相当し、ｔ４時点
からｔ５時点が過程（ｃ）に相当する。
レジスト液Ｒによって基板Ｗの表面全体が覆われる前
に、回転数を回転数Ｒ２（１０００ｒｐｍ）よりも高い
回転数Ｒ３（例えば、２５００ｒｐｍ）に上げ始める
（ｔ４時点）。このとき回転数をｔ４時点から上げ始め
てｔ５時点で回転数Ｒ３に到達するように制御するが、
この間は例えば、約０．１ｓｅｃである。なお、上記の
回転数Ｒ３が本発明の第３の回転数に相当し、ｔ４時点
からｔ５時点が過程（ｃ）に相当する。
【００４５】このように基板Ｗの回転数を回転数Ｒ２か
ら回転数Ｒ３に急激に上げてゆくことにより、基板Ｗの
周縁部に向かって直線的に延びてゆくはずのヒゲＲ
b に、回転上昇過程における加速度によって慣性力が作
用するとともに回転による遠心力が作用し、ヒゲＲb の
延びる方向がその合力によって周方向に曲げられるよう
にしてその幅が拡大する（図４参照）。さらにコアＲa
の径も拡大する（図３（ｃ），図４）。
ら回転数Ｒ３に急激に上げてゆくことにより、基板Ｗの
周縁部に向かって直線的に延びてゆくはずのヒゲＲ
b に、回転上昇過程における加速度によって慣性力が作
用するとともに回転による遠心力が作用し、ヒゲＲb の
延びる方向がその合力によって周方向に曲げられるよう
にしてその幅が拡大する（図４参照）。さらにコアＲa
の径も拡大する（図３（ｃ），図４）。
【００４６】なお、基板Ｗの表面全体には上述したよう
に予め溶媒が塗布されているので、フォトレジスト液の
Ｒと基板Ｗ表面との接触角が非常に小さくなっている。
したがって、上記の過程においてコアＲa の径の拡大が
速くなるとともに、模式図上では省略しているが、従来
例に比較してヒゲＲb が細く多く発生するとともに、ヒ
ゲＲb が慣性力によって非常に曲がりやすくなってい
る。
に予め溶媒が塗布されているので、フォトレジスト液の
Ｒと基板Ｗ表面との接触角が非常に小さくなっている。
したがって、上記の過程においてコアＲa の径の拡大が
速くなるとともに、模式図上では省略しているが、従来
例に比較してヒゲＲb が細く多く発生するとともに、ヒ
ゲＲb が慣性力によって非常に曲がりやすくなってい
る。
【００４７】そして図３（ｃ）に示すように、多数のヒ
ゲＲb の先端部が基板Ｗの周縁部に到達すると、それら
から基板Ｗの周囲にフォトレジスト液Ｒが飛散する（飛
散フォトレジスト液Ｒc ）。しかしながら、加速度によ
りヒゲＲb が周方向に曲げられているので、基板Ｗの周
縁部に向かって拡大／伸長してゆくコアＲa ／ヒゲＲ b
が一体となって、フォトレジスト液Ｒにより基板Ｗの表
面全体が覆われるまでの時間が従来に比較して大幅に短
縮される（図３（ｃ）〜図３（ｅ））。
ゲＲb の先端部が基板Ｗの周縁部に到達すると、それら
から基板Ｗの周囲にフォトレジスト液Ｒが飛散する（飛
散フォトレジスト液Ｒc ）。しかしながら、加速度によ
りヒゲＲb が周方向に曲げられているので、基板Ｗの周
縁部に向かって拡大／伸長してゆくコアＲa ／ヒゲＲ b
が一体となって、フォトレジスト液Ｒにより基板Ｗの表
面全体が覆われるまでの時間が従来に比較して大幅に短
縮される（図３（ｃ）〜図３（ｅ））。
【００４８】このようにして基板Ｗの表面全体がフォト
レジスト液Ｒによって覆われ、ｔ７時点で基板Ｗの回転
数を回転数Ｒ４（例えば、１５００ｒｐｍ）に下げ、こ
の回転数Ｒ４をｔ７時点からｔ８時点まで保持すること
により、基板Ｗの表面全体を覆っているフォトレジスト
液Ｒのうち僅かな余剰分（余剰フォトレジスト液Ｒd）
を振り切る。これにより基板Ｗの表面に所望膜厚のフォ
トレジスト被膜Ｒ’が形成される。なお、上記の回転数
Ｒ４が本発明の第４の回転数に相当し、ｔ７時点からｔ
８時点までが本発明の過程（ｄ）に相当する。
レジスト液Ｒによって覆われ、ｔ７時点で基板Ｗの回転
数を回転数Ｒ４（例えば、１５００ｒｐｍ）に下げ、こ
の回転数Ｒ４をｔ７時点からｔ８時点まで保持すること
により、基板Ｗの表面全体を覆っているフォトレジスト
液Ｒのうち僅かな余剰分（余剰フォトレジスト液Ｒd）
を振り切る。これにより基板Ｗの表面に所望膜厚のフォ
トレジスト被膜Ｒ’が形成される。なお、上記の回転数
Ｒ４が本発明の第４の回転数に相当し、ｔ７時点からｔ
８時点までが本発明の過程（ｄ）に相当する。
【００４９】上述したように基板Ｗにフォトレジスト液
Ｒを供給する前に溶媒を塗布しておき、フォトレジスト
液Ｒと基板Ｗ表面との接触角を小さくしているので、そ
の後に供給されたフォトレジスト液ＲのコアＲa の径を
容易に拡げることができ、コアＲa から基板Ｗの周縁部
に向けて発生するヒゲＲb を細く多くすることができ
る。また、フォトレジスト液に先立って供給する溶媒を
噴霧するようにしたため短時間で広範囲にわたり供給す
ることができ、基板Ｗの表面に回路パターン等の凹凸が
形成されていたとしてもその部分に溶媒を滞留しにくく
することができるので、溶媒に起因するムラがフォトレ
ジスト被膜に生じることを防止できる。
Ｒを供給する前に溶媒を塗布しておき、フォトレジスト
液Ｒと基板Ｗ表面との接触角を小さくしているので、そ
の後に供給されたフォトレジスト液ＲのコアＲa の径を
容易に拡げることができ、コアＲa から基板Ｗの周縁部
に向けて発生するヒゲＲb を細く多くすることができ
る。また、フォトレジスト液に先立って供給する溶媒を
噴霧するようにしたため短時間で広範囲にわたり供給す
ることができ、基板Ｗの表面に回路パターン等の凹凸が
形成されていたとしてもその部分に溶媒を滞留しにくく
することができるので、溶媒に起因するムラがフォトレ
ジスト被膜に生じることを防止できる。
【００５０】さらに、基板Ｗの表面がフォトレジスト液
Ｒによって覆われる前に、基板Ｗの回転数を回転数Ｒ２
（第２の回転数）から回転数Ｒ３（第３の回転数）上げ
てヒゲＲb に慣性力を与えると、接触角が小さくされて
いる関係上、細く多く発生しているヒゲＲb が大きく周
方向に曲げられてその幅を大きく拡大するので、基板Ｗ
の表面がフォトレジスト液Ｒによって覆われるまでの被
覆所要時間を大幅に短縮することができる。したがっ
て、ヒゲＲb が基板Ｗの周縁部に到達してから、フォト
レジスト液Ｒの供給が停止されるまでの時間が短くなる
ので、ヒゲＲb を通して基板Ｗの周囲に放出・飛散する
フォトレジスト液Ｒの量を少なくすることができる。そ
の結果、溶媒の消費量を抑制しつつも所望膜厚のフォト
レジスト被膜Ｒ’を得るのに要するフォトレジスト液Ｒ
の量を極めて少なくすることができる。
Ｒによって覆われる前に、基板Ｗの回転数を回転数Ｒ２
（第２の回転数）から回転数Ｒ３（第３の回転数）上げ
てヒゲＲb に慣性力を与えると、接触角が小さくされて
いる関係上、細く多く発生しているヒゲＲb が大きく周
方向に曲げられてその幅を大きく拡大するので、基板Ｗ
の表面がフォトレジスト液Ｒによって覆われるまでの被
覆所要時間を大幅に短縮することができる。したがっ
て、ヒゲＲb が基板Ｗの周縁部に到達してから、フォト
レジスト液Ｒの供給が停止されるまでの時間が短くなる
ので、ヒゲＲb を通して基板Ｗの周囲に放出・飛散する
フォトレジスト液Ｒの量を少なくすることができる。そ
の結果、溶媒の消費量を抑制しつつも所望膜厚のフォト
レジスト被膜Ｒ’を得るのに要するフォトレジスト液Ｒ
の量を極めて少なくすることができる。
【００５１】なお、被覆所要時間を短縮するには急激に
回転数を上げることが好ましい。つまり、図２のタイム
チャート中における時点ｔ４から時点ｔ５までの時間
（以下、回転数切換時間と称する）が短い方が加速度が
大きくなるので好ましい。しかしながら、急激すぎると
逆に被覆所要時間が長くなって不要なフォトレジスト液
が増加することが実験によって判明している。
回転数を上げることが好ましい。つまり、図２のタイム
チャート中における時点ｔ４から時点ｔ５までの時間
（以下、回転数切換時間と称する）が短い方が加速度が
大きくなるので好ましい。しかしながら、急激すぎると
逆に被覆所要時間が長くなって不要なフォトレジスト液
が増加することが実験によって判明している。
【００５２】そこで、実験により種々の回転数切換時間
および回転数Ｒ４，回転数Ｒ５を組み合わせて被覆所要
時間を測定したところ、７，５００〜５０，０００ｒｐ
ｍ／ｓｅｃの範囲に加速度を設定した場合に良好な結果
が得られることがわかった。したがって、上記図２のタ
イムチャート中における時点ｔ４から時点ｔ５までの回
転数切換時間および回転数Ｒ２，Ｒ３は、上記の好適な
加速度範囲を考慮して設定することが好ましい。
および回転数Ｒ４，回転数Ｒ５を組み合わせて被覆所要
時間を測定したところ、７，５００〜５０，０００ｒｐ
ｍ／ｓｅｃの範囲に加速度を設定した場合に良好な結果
が得られることがわかった。したがって、上記図２のタ
イムチャート中における時点ｔ４から時点ｔ５までの回
転数切換時間および回転数Ｒ２，Ｒ３は、上記の好適な
加速度範囲を考慮して設定することが好ましい。
【００５３】なお、上記の説明においては、回転数Ｒ２
から回転数Ｒ３に急激に回転数を上げてヒゲＲb に慣性
力を与え、その後に回転数Ｒ３よりも低い回転数Ｒ４で
回転駆動して膜厚を調整するようにしたが、回転数Ｒ２
から回転数Ｒ４より低い回転数Ｒ３に加速した後、回転
数Ｒ３から回転数Ｒ４に回転数を上げて膜厚調整を行う
ようにしてもよい。さらに、上記説明ではｔ４時点から
１段階で回転数を変えるようにしたが、２段階以上に回
転数を可変して加速してもよい。
から回転数Ｒ３に急激に回転数を上げてヒゲＲb に慣性
力を与え、その後に回転数Ｒ３よりも低い回転数Ｒ４で
回転駆動して膜厚を調整するようにしたが、回転数Ｒ２
から回転数Ｒ４より低い回転数Ｒ３に加速した後、回転
数Ｒ３から回転数Ｒ４に回転数を上げて膜厚調整を行う
ようにしてもよい。さらに、上記説明ではｔ４時点から
１段階で回転数を変えるようにしたが、２段階以上に回
転数を可変して加速してもよい。
【００５４】『スタティック法』（請求項３の実施例） 次に、図５のタイムチャートを参照して『スタティック
法』によるフォトレジスト液塗布処理について説明す
る。なお、この塗布処理を実施する装置は、上記の図１
に示した構成と同一であり、そのメモリ３３に格納され
ている処理プログラムが以下のように異なるだけであ
る。
法』によるフォトレジスト液塗布処理について説明す
る。なお、この塗布処理を実施する装置は、上記の図１
に示した構成と同一であり、そのメモリ３３に格納され
ている処理プログラムが以下のように異なるだけであ
る。
【００５５】まず、基板Ｗを吸引式スピンチャック１に
吸着保持させた状態で、回転モータ３を駆動することな
く、つまり、基板Ｗを静止させた状態（第１の回転数Ｒ
１＝０）で溶媒を噴霧する。具体的には、ｔPS時点で溶
媒噴霧ノズル１７から基板Ｗの表面に溶媒を噴霧して供
給開始しつつ、ｔPE時点までの溶媒噴霧時間ＴPSU 内に
溶媒が基板Ｗの表面全体にゆきわたるように駆動部２３
でスプレイガン１７ａを移動する。なお、ｔPS時点から
ｔPE時点までが本発明の過程（ａ）に相当する。
吸着保持させた状態で、回転モータ３を駆動することな
く、つまり、基板Ｗを静止させた状態（第１の回転数Ｒ
１＝０）で溶媒を噴霧する。具体的には、ｔPS時点で溶
媒噴霧ノズル１７から基板Ｗの表面に溶媒を噴霧して供
給開始しつつ、ｔPE時点までの溶媒噴霧時間ＴPSU 内に
溶媒が基板Ｗの表面全体にゆきわたるように駆動部２３
でスプレイガン１７ａを移動する。なお、ｔPS時点から
ｔPE時点までが本発明の過程（ａ）に相当する。
【００５６】次に、ｔS 時点において塗布液吐出ノズル
１１からフォトレジスト液を供給開始し、供給時間ＴSU
が経過するｔE 時点でその供給を停止する。つまり、基
板Ｗを静止させた状態でフォトレジスト液の供給を完了
する（スタティック法）。このときフォトレジスト液
は、図３（ａ）の模式図に示すように、そのコアＲa が
基板Ｗの中心付近にあってほぼ円形状を保ちつつ、供給
され続けるフォトレジスト液によってその径を拡大して
ゆく（図示省略）。なお、ｔS 時点からｔE 時点までが
本発明の過程（ｂ）に相当する。
１１からフォトレジスト液を供給開始し、供給時間ＴSU
が経過するｔE 時点でその供給を停止する。つまり、基
板Ｗを静止させた状態でフォトレジスト液の供給を完了
する（スタティック法）。このときフォトレジスト液
は、図３（ａ）の模式図に示すように、そのコアＲa が
基板Ｗの中心付近にあってほぼ円形状を保ちつつ、供給
され続けるフォトレジスト液によってその径を拡大して
ゆく（図示省略）。なお、ｔS 時点からｔE 時点までが
本発明の過程（ｂ）に相当する。
【００５７】ｔE 時点においてフォトレジスト液の供給
を停止するとともに、基板Ｗの回転数を回転数Ｒ２（第
２の回転数）に向けて上昇させ、これをｔ１時点からｔ
２時点まで維持した後、ｔ３時点で基板Ｗの回転数が回
転数Ｒ３（第３の回転数）に到達するようにｔ２時点か
ら加速を開始する。この時点ｔ２は、基板Ｗの表面に供
給されたフォトレジスト液が第２の回転数Ｒ２によって
広がって基板Ｗの表面全体を覆う前に設定されている。
なお、上記のｔ２時点からｔ３時点までが本発明におけ
る過程（ｃ）に相当する。
を停止するとともに、基板Ｗの回転数を回転数Ｒ２（第
２の回転数）に向けて上昇させ、これをｔ１時点からｔ
２時点まで維持した後、ｔ３時点で基板Ｗの回転数が回
転数Ｒ３（第３の回転数）に到達するようにｔ２時点か
ら加速を開始する。この時点ｔ２は、基板Ｗの表面に供
給されたフォトレジスト液が第２の回転数Ｒ２によって
広がって基板Ｗの表面全体を覆う前に設定されている。
なお、上記のｔ２時点からｔ３時点までが本発明におけ
る過程（ｃ）に相当する。
【００５８】この過程においては、上述した『ダイナミ
ック法』と同様の挙動がフォトレジスト液に生じる。つ
まり、回転数Ｒ２に向けて回転駆動され始めた時点ｔE
において、コアＲa の円周部から多数のヒゲＲb が発生
して基板Ｗの周縁部に向けて延び始め（図３（ｂ））、
回転数Ｒ２から回転数Ｒ３に急激に加速することにより
ヒゲＲb が慣性力を受けつつ、周方向に大きく曲げられ
てその幅を拡大する（図３（ｃ），図４）。したがっ
て、フォトレジスト液Ｒが基板Ｗの表面全体を覆うまで
の被覆所要時間を短縮することができる。なお、フォト
レジスト液の塗布に先立って溶媒を塗布して基板Ｗ表面
とフォトレジスト液Ｒとの接触角を小さくしている関係
上、従来に比較してコアＲa の径の拡大が速く、発生す
るヒゲＲbの数が多くかつそれぞれの幅が細いものであ
ることは既に述べた『ダイナミック法』と同様である。
ック法』と同様の挙動がフォトレジスト液に生じる。つ
まり、回転数Ｒ２に向けて回転駆動され始めた時点ｔE
において、コアＲa の円周部から多数のヒゲＲb が発生
して基板Ｗの周縁部に向けて延び始め（図３（ｂ））、
回転数Ｒ２から回転数Ｒ３に急激に加速することにより
ヒゲＲb が慣性力を受けつつ、周方向に大きく曲げられ
てその幅を拡大する（図３（ｃ），図４）。したがっ
て、フォトレジスト液Ｒが基板Ｗの表面全体を覆うまで
の被覆所要時間を短縮することができる。なお、フォト
レジスト液の塗布に先立って溶媒を塗布して基板Ｗ表面
とフォトレジスト液Ｒとの接触角を小さくしている関係
上、従来に比較してコアＲa の径の拡大が速く、発生す
るヒゲＲbの数が多くかつそれぞれの幅が細いものであ
ることは既に述べた『ダイナミック法』と同様である。
【００５９】そして、ｔ４時点まで回転数Ｒ３に保持し
た後、回転数を下げてｔ５時点からｔ６時点まで回転数
Ｒ４（第４の回転数）に保持してフォトレジスト被膜の
膜厚を調整する。このように回転数を制御することによ
って被覆所要時間を短縮することができ、ヒゲＲb を通
して基板Ｗの周囲に飛散するフォトレジスト液Ｒの量を
少なくすることができる。したがって、所望膜厚のフォ
トレジスト被膜を得るために必要なフォトレジスト液の
量を少なくすることができる。なお、ｔ５時点からｔ６
時点までが本発明の過程（ｄ）に相当する。
た後、回転数を下げてｔ５時点からｔ６時点まで回転数
Ｒ４（第４の回転数）に保持してフォトレジスト被膜の
膜厚を調整する。このように回転数を制御することによ
って被覆所要時間を短縮することができ、ヒゲＲb を通
して基板Ｗの周囲に飛散するフォトレジスト液Ｒの量を
少なくすることができる。したがって、所望膜厚のフォ
トレジスト被膜を得るために必要なフォトレジスト液の
量を少なくすることができる。なお、ｔ５時点からｔ６
時点までが本発明の過程（ｄ）に相当する。
【００６０】なお、上記の回転数切換時間（ｔ２〜ｔ
３）については、上記の『ダイナミック法』で記載した
程度の加速度が得られるように、回転数Ｒ２，Ｒ３とと
もに設定することが好ましい。
３）については、上記の『ダイナミック法』で記載した
程度の加速度が得られるように、回転数Ｒ２，Ｒ３とと
もに設定することが好ましい。
【００６１】さらに、この『スタティック法』における
フォトレジスト液の供給停止時点ｔ E は、図５のタイム
チャートで示した時点に限定されるものではなく、基板
Ｗを静止させた状態で供給が完了すればよい。したがっ
て、供給開始時点ｔS から回転数Ｒ２に向けて回転数を
上昇させる時点までの適宜の範囲内に設定することが可
能である。
フォトレジスト液の供給停止時点ｔ E は、図５のタイム
チャートで示した時点に限定されるものではなく、基板
Ｗを静止させた状態で供給が完了すればよい。したがっ
て、供給開始時点ｔS から回転数Ｒ２に向けて回転数を
上昇させる時点までの適宜の範囲内に設定することが可
能である。
【００６２】なお、上記『ダイナミック法』で述べたよ
うに加速を２段階以上で行ってもよい。また、上述した
『ダイナミック法』による塗布処理では、基板Ｗを回転
させつつ溶媒を供給するようにしたが、この『スタティ
ック法』による供給方法のように基板Ｗを静止させた状
態で溶媒を供給するようにしてもよいことは言うまでも
ない。同様に、この『スタティック法』における溶媒塗
布時に、基板Ｗを回転させつつ溶媒を供給してもよい。
うに加速を２段階以上で行ってもよい。また、上述した
『ダイナミック法』による塗布処理では、基板Ｗを回転
させつつ溶媒を供給するようにしたが、この『スタティ
ック法』による供給方法のように基板Ｗを静止させた状
態で溶媒を供給するようにしてもよいことは言うまでも
ない。同様に、この『スタティック法』における溶媒塗
布時に、基板Ｗを回転させつつ溶媒を供給してもよい。
【００６３】『スタミック法』（請求項４の実施例） 次に、上述したスタティック法とダイナミック法とを組
み合わせたような『スタミック法』によるフォトレジス
ト液塗布処理について図５のタイムチャートを参照して
説明する。すなわち、基板Ｗを静止させた状態でフォト
レジスト液の供給を開始し（スタティック法における供
給開始）、基板Ｗが回転を開始した後にフォトレジスト
液の供給を停止（ダイナミック法における供給停止）す
る。
み合わせたような『スタミック法』によるフォトレジス
ト液塗布処理について図５のタイムチャートを参照して
説明する。すなわち、基板Ｗを静止させた状態でフォト
レジスト液の供給を開始し（スタティック法における供
給開始）、基板Ｗが回転を開始した後にフォトレジスト
液の供給を停止（ダイナミック法における供給停止）す
る。
【００６４】フォトレジスト液の塗布前に溶媒を噴霧し
て、フォトレジスト液の基板Ｗ表面における接触角を小
さくしておくことは上記と同様である。そして、ｔS 時
点においてフォトレジスト液の供給を開始し、フォトレ
ジスト液の供給を継続しつつ時点ｔE において回転数Ｒ
２（第２の回転数）に上げ始め、その回転数Ｒ２に達し
た時点ｔ１において供給を停止する。換言すると、供給
時間（ＴSU）中に基板Ｗの回転を開始する。なお、この
場合、ｔS 時点からｔ１時点が本発明における過程
（ｃ）に相当する。
て、フォトレジスト液の基板Ｗ表面における接触角を小
さくしておくことは上記と同様である。そして、ｔS 時
点においてフォトレジスト液の供給を開始し、フォトレ
ジスト液の供給を継続しつつ時点ｔE において回転数Ｒ
２（第２の回転数）に上げ始め、その回転数Ｒ２に達し
た時点ｔ１において供給を停止する。換言すると、供給
時間（ＴSU）中に基板Ｗの回転を開始する。なお、この
場合、ｔS 時点からｔ１時点が本発明における過程
（ｃ）に相当する。
【００６５】そして、フォトレジスト液が基板Ｗの表面
全体を覆う前に、具体的にはｔ２時点からｔ３時点の間
に基板Ｗの回転数を回転数Ｒ２から回転数Ｒ３（第３の
回転数）に急激に加速して、溶媒塗布の効果によって大
きく同心円状に広がったコアＲa から細く多く発生して
いるヒゲＲb を周方向に大きく曲げる。したがって、ヒ
ゲＲb を通して基板Ｗの周囲に飛散するフォトレジスト
液の量を少なくすることができる。その後、ｔ３時点か
らｔ４時点まで回転数Ｒ３（第３の回転数）に保持して
所望膜厚のフォトレジスト被膜を形成する。その結果、
上述した『ダイナミック法』および『スタティック法』
による塗布処理と同様に、溶媒の使用量を抑制しつつも
所望膜厚のフォトレジスト被膜を形成するのに要するフ
ォトレジスト液の量を少なくすることができる。
全体を覆う前に、具体的にはｔ２時点からｔ３時点の間
に基板Ｗの回転数を回転数Ｒ２から回転数Ｒ３（第３の
回転数）に急激に加速して、溶媒塗布の効果によって大
きく同心円状に広がったコアＲa から細く多く発生して
いるヒゲＲb を周方向に大きく曲げる。したがって、ヒ
ゲＲb を通して基板Ｗの周囲に飛散するフォトレジスト
液の量を少なくすることができる。その後、ｔ３時点か
らｔ４時点まで回転数Ｒ３（第３の回転数）に保持して
所望膜厚のフォトレジスト被膜を形成する。その結果、
上述した『ダイナミック法』および『スタティック法』
による塗布処理と同様に、溶媒の使用量を抑制しつつも
所望膜厚のフォトレジスト被膜を形成するのに要するフ
ォトレジスト液の量を少なくすることができる。
【００６６】なお、フォトレジスト液の供給停止タイミ
ングは、図５のｔ１時点のように、回転数Ｒ２に到達し
た時点に限定されるものではなく、回転を開始した後で
あればどの時点であってもよい。例えば、図５中に点線
矢印で示すように、回転数Ｒ２に回転開始する時点ｔE
から回転数Ｒ２に到達するまでの間にあたる時点ｔ7で
あってもよい。
ングは、図５のｔ１時点のように、回転数Ｒ２に到達し
た時点に限定されるものではなく、回転を開始した後で
あればどの時点であってもよい。例えば、図５中に点線
矢印で示すように、回転数Ｒ２に回転開始する時点ｔE
から回転数Ｒ２に到達するまでの間にあたる時点ｔ7で
あってもよい。
【００６７】また、回転数切換時間（ｔ２〜ｔ３）は、
上述した『スタティック法』に準じて設定すればよい。
上述した『スタティック法』に準じて設定すればよい。
【００６８】また、溶媒噴霧時の基板Ｗの回転状態や、
加速時における回転数の切換段階なども上記『スタティ
ック法』と同様に変形実施可能である。
加速時における回転数の切換段階なども上記『スタティ
ック法』と同様に変形実施可能である。
【００６９】＜第２実施例＞（請求項５ないし請求項７
に対応する実施例） 『ダイナミック法』（請求項５の実施例） 次に、上述した第１実施例に係る方法とは異なる方法に
ついて図６のタイムチャートを参照しつつ説明する。上
記の第１実施例との相違点は、基板Ｗにフォトレジスト
液の供給を開始した後に、一時的に基板Ｗの回転を『減
速』する点にある。なお、装置構成は、上述したものと
同様であるのでその説明については省略する。
に対応する実施例） 『ダイナミック法』（請求項５の実施例） 次に、上述した第１実施例に係る方法とは異なる方法に
ついて図６のタイムチャートを参照しつつ説明する。上
記の第１実施例との相違点は、基板Ｗにフォトレジスト
液の供給を開始した後に、一時的に基板Ｗの回転を『減
速』する点にある。なお、装置構成は、上述したものと
同様であるのでその説明については省略する。
【００７０】まず、回転モータ３の回転を時間原点にお
いて開始して、ｔ１時点において回転数Ｒ１（例えば、
１００ｒｐｍであり、第１の回転数に相当する）に達す
るように制御する。回転数Ｒ１で安定した時点ｔPSから
溶媒噴霧ノズル１７より溶媒の噴霧を開始し、溶媒噴霧
時間ＴPSU が経過した時点ｔPEで噴霧を停止する。
いて開始して、ｔ１時点において回転数Ｒ１（例えば、
１００ｒｐｍであり、第１の回転数に相当する）に達す
るように制御する。回転数Ｒ１で安定した時点ｔPSから
溶媒噴霧ノズル１７より溶媒の噴霧を開始し、溶媒噴霧
時間ＴPSU が経過した時点ｔPEで噴霧を停止する。
【００７１】その後、ｔ３時点で基板Ｗが回転数Ｒ２
（例えば、１０００ｒｐｍであり、第２の回転数に相当
する）に達するように、ｔ２時点で回転数を上げ始め
る。この回転数Ｒ２が安定した時点ｔS において塗布液
吐出ノズル１１からフォトレジスト液を基板Ｗの回転中
心付近に供給開始する。供給されたフォトレジスト液Ｒ
は、上述したように回転に伴う遠心力によって同心円状
にコアＲa の径を拡大するとともに（図３（ａ））、そ
の円周部からヒゲＲb が延び始める（図３（ｂ））。こ
のようにフォトレジスト液Ｒが拡がって基板Ｗの表面全
体を覆う前に、具体的にはｔ４時点から減速を開始し
て、ｔE 時点でフォトレジスト液の供給を停止するとと
もに回転数Ｒ２よりも低い回転数Ｒ３（例えば、０ｒｐ
ｍであり、本発明の第３の回転数に相当する）に達する
ように減速する。この例では、回転数Ｒ３が『０』であ
るので基板Ｗは静止した状態である。この減速（停止）
状態をｔ５時点まで維持する。
（例えば、１０００ｒｐｍであり、第２の回転数に相当
する）に達するように、ｔ２時点で回転数を上げ始め
る。この回転数Ｒ２が安定した時点ｔS において塗布液
吐出ノズル１１からフォトレジスト液を基板Ｗの回転中
心付近に供給開始する。供給されたフォトレジスト液Ｒ
は、上述したように回転に伴う遠心力によって同心円状
にコアＲa の径を拡大するとともに（図３（ａ））、そ
の円周部からヒゲＲb が延び始める（図３（ｂ））。こ
のようにフォトレジスト液Ｒが拡がって基板Ｗの表面全
体を覆う前に、具体的にはｔ４時点から減速を開始し
て、ｔE 時点でフォトレジスト液の供給を停止するとと
もに回転数Ｒ２よりも低い回転数Ｒ３（例えば、０ｒｐ
ｍであり、本発明の第３の回転数に相当する）に達する
ように減速する。この例では、回転数Ｒ３が『０』であ
るので基板Ｗは静止した状態である。この減速（停止）
状態をｔ５時点まで維持する。
【００７２】なお、ｔPS時点からｔPE時点までが本発明
の過程（ａ）に相当し、ｔS 時点からｔE 時点までが本
発明の過程（ｂ）に相当し、ｔE 時点からｔ５時点まで
が本発明の過程（ｃ）に相当する。
の過程（ａ）に相当し、ｔS 時点からｔE 時点までが本
発明の過程（ｂ）に相当し、ｔE 時点からｔ５時点まで
が本発明の過程（ｃ）に相当する。
【００７３】上記のｔS 時点でフォトレジスト液を供給
開始した直後では、基板Ｗの回転中心付近でフォトレジ
スト液がコアＲa となって存在している。さらにフォト
レジスト液Ｒの供給を継続すると、コアＲa の径は回転
数Ｒ２に伴う遠心力が作用してほぼ円形状を保ったまま
基板Ｗの周縁部に向かって同心円状に拡大してゆく。な
お、予め溶媒を噴霧している関係上、その径の拡大は従
来例に比較して速くなっている。
開始した直後では、基板Ｗの回転中心付近でフォトレジ
スト液がコアＲa となって存在している。さらにフォト
レジスト液Ｒの供給を継続すると、コアＲa の径は回転
数Ｒ２に伴う遠心力が作用してほぼ円形状を保ったまま
基板Ｗの周縁部に向かって同心円状に拡大してゆく。な
お、予め溶媒を噴霧している関係上、その径の拡大は従
来例に比較して速くなっている。
【００７４】コアＲa は暫くの間は円形状を保っている
が、図３（ａ），（ｂ）に示すように、回転数Ｒ２の遠
心力によりコアＲa の円周部から基板Ｗの周縁部に向か
って多数のヒゲＲb が発生して延び始める。このヒゲＲ
b は、上述したように溶媒の作用によって従来に比較し
て多くかつ細くなっており、さらにヒゲＲb は上述した
ようにコアＲa よりも速く周縁部に向かって伸長する。
この状態を示した側面図が、図７の模式図である。
が、図３（ａ），（ｂ）に示すように、回転数Ｒ２の遠
心力によりコアＲa の円周部から基板Ｗの周縁部に向か
って多数のヒゲＲb が発生して延び始める。このヒゲＲ
b は、上述したように溶媒の作用によって従来に比較し
て多くかつ細くなっており、さらにヒゲＲb は上述した
ようにコアＲa よりも速く周縁部に向かって伸長する。
この状態を示した側面図が、図７の模式図である。
【００７５】上述したように、基板Ｗの表面に供給され
ているフォトレジスト液Ｒによって基板Ｗの表面全体が
覆われる前に基板Ｗを静止（回転数Ｒ３＝０で回転）さ
せると、コアＲa の円周部から放射状に発生しているヒ
ゲＲb の伸長およびコアＲaの径の拡大を一時的にほぼ
停止させることができる。回転が停止される時点ｔEま
ではフォトレジスト液Ｒの供給が継続されていたので、
図８の模式図に示すように、コアＲa のフォトレジスト
液Ｒの液量だけを増加させることができる。このように
コアＲa の液量が増大すると、コアＲa の拡大運動量が
増大することになる。しかも、一時的に回転数を低下さ
せておくことにより、回転を継続させた場合に基板Ｗの
周縁部にて発生して膜厚不均一を生じさせる乱流の影響
を受けにくくすることができる。
ているフォトレジスト液Ｒによって基板Ｗの表面全体が
覆われる前に基板Ｗを静止（回転数Ｒ３＝０で回転）さ
せると、コアＲa の円周部から放射状に発生しているヒ
ゲＲb の伸長およびコアＲaの径の拡大を一時的にほぼ
停止させることができる。回転が停止される時点ｔEま
ではフォトレジスト液Ｒの供給が継続されていたので、
図８の模式図に示すように、コアＲa のフォトレジスト
液Ｒの液量だけを増加させることができる。このように
コアＲa の液量が増大すると、コアＲa の拡大運動量が
増大することになる。しかも、一時的に回転数を低下さ
せておくことにより、回転を継続させた場合に基板Ｗの
周縁部にて発生して膜厚不均一を生じさせる乱流の影響
を受けにくくすることができる。
【００７６】このようにコアＲa の拡大運動量を増大さ
せた状態で、従来例のように基板Ｗを供給時の回転数Ｒ
２で回転し続けた場合、フォトレジスト液Ｒの挙動は次
のようになる。すなわち、図９中にハッチングで示すコ
アＲa ／ヒゲＲb の状態から、二点鎖線で示すようにコ
アＲa ／ヒゲＲb が基板Ｗの周縁部に向かって遠心力に
より直線的に拡大／伸長するとともに、液量が増加して
拡大運動量が増大しているコアＲa から新たな放射状の
フォトレジスト液の流れＲb （以下、新たなヒゲＲb と
称する）が生じて、多数のヒゲＲb の間から新たなヒゲ
Ｒb が基板Ｗの周縁部に向かって直線的に延び始める。
せた状態で、従来例のように基板Ｗを供給時の回転数Ｒ
２で回転し続けた場合、フォトレジスト液Ｒの挙動は次
のようになる。すなわち、図９中にハッチングで示すコ
アＲa ／ヒゲＲb の状態から、二点鎖線で示すようにコ
アＲa ／ヒゲＲb が基板Ｗの周縁部に向かって遠心力に
より直線的に拡大／伸長するとともに、液量が増加して
拡大運動量が増大しているコアＲa から新たな放射状の
フォトレジスト液の流れＲb （以下、新たなヒゲＲb と
称する）が生じて、多数のヒゲＲb の間から新たなヒゲ
Ｒb が基板Ｗの周縁部に向かって直線的に延び始める。
【００７７】そこで、フォトレジスト液Ｒが基板Ｗの表
面全体を覆う前に、具体的にはｔ５時点で基板Ｗの回転
数を回転数Ｒ３（＝０ｒｐｍ）から回転数Ｒ４（例え
ば、２５００ｒｐｍであり、本発明の第４の回転数に相
当する）に上げてゆき、ｔ６時点でその回転数Ｒ４に達
するように急激に加速する。この加速によりコアＲa の
拡大運動量を最大化した状態で以下のような作用をフォ
トレジスト液Ｒに与えることができるので、新たなヒゲ
Ｒb を効率的に発生させることができるとともに、コア
Ｒa の径をより速く拡大することができる。なお、ｔ５
時点からｔ６時点までが本発明の過程（ｄ）に相当す
る。
面全体を覆う前に、具体的にはｔ５時点で基板Ｗの回転
数を回転数Ｒ３（＝０ｒｐｍ）から回転数Ｒ４（例え
ば、２５００ｒｐｍであり、本発明の第４の回転数に相
当する）に上げてゆき、ｔ６時点でその回転数Ｒ４に達
するように急激に加速する。この加速によりコアＲa の
拡大運動量を最大化した状態で以下のような作用をフォ
トレジスト液Ｒに与えることができるので、新たなヒゲ
Ｒb を効率的に発生させることができるとともに、コア
Ｒa の径をより速く拡大することができる。なお、ｔ５
時点からｔ６時点までが本発明の過程（ｄ）に相当す
る。
【００７８】つまり、図９に示したような状態を経てヒ
ゲＲb および新たなヒゲＲb ’に慣性力、つまり、回転
方向とは逆方向の力が作用することになる。したがっ
て、遠心力と慣性力との合力によってヒゲＲb および新
たなヒゲＲb ’は、図１０および図１１に示すように周
方向に大きく曲げられるようにその幅を拡大するととも
に、遠心力によってその先端部が基板Ｗの周縁部に向か
って伸長する。さらに、これとともにコアＲa の径も拡
大することになる。なお、予め溶媒を噴霧しているた
め、ヒゲＲb および新たなヒゲＲb ’は従来に比較して
大きく周方向に曲げられ、その幅を大きく拡大すること
になる。
ゲＲb および新たなヒゲＲb ’に慣性力、つまり、回転
方向とは逆方向の力が作用することになる。したがっ
て、遠心力と慣性力との合力によってヒゲＲb および新
たなヒゲＲb ’は、図１０および図１１に示すように周
方向に大きく曲げられるようにその幅を拡大するととも
に、遠心力によってその先端部が基板Ｗの周縁部に向か
って伸長する。さらに、これとともにコアＲa の径も拡
大することになる。なお、予め溶媒を噴霧しているた
め、ヒゲＲb および新たなヒゲＲb ’は従来に比較して
大きく周方向に曲げられ、その幅を大きく拡大すること
になる。
【００７９】そして、図１２に示すように、多数のヒゲ
Ｒb および多数の新たなヒゲＲb ’の先端部が基板Ｗの
周縁部に到達すると、それらから基板Ｗの周囲にフォト
レジスト液Ｒが飛散する（飛散フォトレジスト液
Ｒc ）。しかしながら、加速度によりヒゲＲb および新
たなヒゲＲb ’が周方向に大きく曲げられているので、
基板Ｗの周縁部に向かって拡大／伸長してゆくコアＲa
／新たなヒゲＲb ’／コアＲ a が一体となって、フォト
レジスト液Ｒにより基板Ｗの表面全体が覆われるまでの
被覆所要時間が従来に比較して大幅に短縮される（図１
２〜図１４）。
Ｒb および多数の新たなヒゲＲb ’の先端部が基板Ｗの
周縁部に到達すると、それらから基板Ｗの周囲にフォト
レジスト液Ｒが飛散する（飛散フォトレジスト液
Ｒc ）。しかしながら、加速度によりヒゲＲb および新
たなヒゲＲb ’が周方向に大きく曲げられているので、
基板Ｗの周縁部に向かって拡大／伸長してゆくコアＲa
／新たなヒゲＲb ’／コアＲ a が一体となって、フォト
レジスト液Ｒにより基板Ｗの表面全体が覆われるまでの
被覆所要時間が従来に比較して大幅に短縮される（図１
２〜図１４）。
【００８０】このような作用を生じさせつつ、ｔ７時点
からｔ８時点にかけて基板Ｗを回転数Ｒ４から回転数Ｒ
５（例えば、１５００ｒｐｍであり、本発明の第５の回
転数に相当する）に下げ、この回転数Ｒ５をｔ９時点ま
で保持することにより、表面を覆っている僅かな余剰分
を振り切って基板Ｗの表面全体に所望膜厚のフォトレジ
スト被膜を形成する。なお、ｔ８時点からｔ９時点が本
発明における過程（ｅ）に相当する。
からｔ８時点にかけて基板Ｗを回転数Ｒ４から回転数Ｒ
５（例えば、１５００ｒｐｍであり、本発明の第５の回
転数に相当する）に下げ、この回転数Ｒ５をｔ９時点ま
で保持することにより、表面を覆っている僅かな余剰分
を振り切って基板Ｗの表面全体に所望膜厚のフォトレジ
スト被膜を形成する。なお、ｔ８時点からｔ９時点が本
発明における過程（ｅ）に相当する。
【００８１】上述したようにフォトレジスト液の塗布に
先立って溶媒を噴霧しておき、フォトレジスト液と基板
Ｗ表面との接触角を小さくしているので、その後、基板
Ｗの表面に供給されたフォトレジスト液のコアＲa の径
を容易に拡げることができる。また、フォトレジスト液
に先立って供給する溶媒を噴霧するようにしたため短時
間で広範囲にわたり供給することができ、基板Ｗ上の凹
凸に溶媒を滞留しにくくすることができるので、溶媒に
起因するムラがフォトレジスト被膜に生じることを防止
できる。
先立って溶媒を噴霧しておき、フォトレジスト液と基板
Ｗ表面との接触角を小さくしているので、その後、基板
Ｗの表面に供給されたフォトレジスト液のコアＲa の径
を容易に拡げることができる。また、フォトレジスト液
に先立って供給する溶媒を噴霧するようにしたため短時
間で広範囲にわたり供給することができ、基板Ｗ上の凹
凸に溶媒を滞留しにくくすることができるので、溶媒に
起因するムラがフォトレジスト被膜に生じることを防止
できる。
【００８２】さらに、基板Ｗの表面全体がフォトレジス
ト液Ｒによって覆われる前に、一時的に基板の回転を停
止させてコアＲa の径の拡大およびヒゲＲb の延びを停
止させた状態でフォトレジスト液の拡大運動量を増大さ
せて急加速することにより、より細い多くの新たなヒゲ
Ｒb ’を容易に発生させることができる。また、これら
の新たなヒゲＲb ’およびヒゲＲb には強い慣性力が加
えられるので、周方向に曲げられつつ幅を拡大するが、
このとき溶媒の作用によってより速く周方向に曲げられ
つつその幅が急速に拡がることになる。よって、ヒゲＲ
b （および新たなヒゲＲb ’）が基板Ｗの周縁部に到達
して周囲に放出・飛散するフォトレジスト液の量を少な
くすることができ、溶媒の消費量を抑制しつつも所望膜
厚のフォトレジスト被膜を得るのに要するフォトレジス
ト液の量を極めて少なくすることができる。
ト液Ｒによって覆われる前に、一時的に基板の回転を停
止させてコアＲa の径の拡大およびヒゲＲb の延びを停
止させた状態でフォトレジスト液の拡大運動量を増大さ
せて急加速することにより、より細い多くの新たなヒゲ
Ｒb ’を容易に発生させることができる。また、これら
の新たなヒゲＲb ’およびヒゲＲb には強い慣性力が加
えられるので、周方向に曲げられつつ幅を拡大するが、
このとき溶媒の作用によってより速く周方向に曲げられ
つつその幅が急速に拡がることになる。よって、ヒゲＲ
b （および新たなヒゲＲb ’）が基板Ｗの周縁部に到達
して周囲に放出・飛散するフォトレジスト液の量を少な
くすることができ、溶媒の消費量を抑制しつつも所望膜
厚のフォトレジスト被膜を得るのに要するフォトレジス
ト液の量を極めて少なくすることができる。
【００８３】なお、回転数切換時間（ｔ５〜ｔ６）は、
上述したような種々の条件に加えて、さらに減速（停
止）期間ｔE 〜ｔ５を考慮して設定すればよい。
上述したような種々の条件に加えて、さらに減速（停
止）期間ｔE 〜ｔ５を考慮して設定すればよい。
【００８４】また、この実施例では、コアＲa の拡大運
動量を増加させるために、少なくとも減速を開始してか
ら第３の回転数Ｒ３に達するまではフォトレジスト液を
供給し続けていることが肝要であるが、上述した例のよ
うに第３の回転数Ｒ３に達する時点ｔE で必ずしも同時
に供給を停止する必要はなく、図６中に点線矢印および
供給時間（ＴSU）で示すように減速中を含め加速時点ｔ
５までフォトレジスト液Ｒの供給を延長するようにして
もよい（請求項６の実施例）。
動量を増加させるために、少なくとも減速を開始してか
ら第３の回転数Ｒ３に達するまではフォトレジスト液を
供給し続けていることが肝要であるが、上述した例のよ
うに第３の回転数Ｒ３に達する時点ｔE で必ずしも同時
に供給を停止する必要はなく、図６中に点線矢印および
供給時間（ＴSU）で示すように減速中を含め加速時点ｔ
５までフォトレジスト液Ｒの供給を延長するようにして
もよい（請求項６の実施例）。
【００８５】なお、上記の例では、基板Ｗを回転させつ
つ溶媒を噴霧するようにしたが、後述するように基板Ｗ
を静止させた状態で溶媒を噴霧するようにしてもよい。
つ溶媒を噴霧するようにしたが、後述するように基板Ｗ
を静止させた状態で溶媒を噴霧するようにしてもよい。
【００８６】なお、この第２実施例に係る塗布処理は、
回転によりフォトレジスト液Ｒが基板Ｗの表面全体を覆
う前に減速する点が特徴であるので、基板Ｗを静止させ
た状態でフォトレジスト液Ｒの供給開始および停止を行
う『スタティック法』による塗布処理は存在しない。し
たがって、次にスタティック法とダイナミック法とを組
み合わせたようなスタミック法について図１５のタイム
チャートを参照して説明する。
回転によりフォトレジスト液Ｒが基板Ｗの表面全体を覆
う前に減速する点が特徴であるので、基板Ｗを静止させ
た状態でフォトレジスト液Ｒの供給開始および停止を行
う『スタティック法』による塗布処理は存在しない。し
たがって、次にスタティック法とダイナミック法とを組
み合わせたようなスタミック法について図１５のタイム
チャートを参照して説明する。
【００８７】『スタミック法』（請求項７の実施例） まず、ｔPS時点において、基板Ｗを静止させた状態で溶
媒噴霧ノズル１７からその表面全体に溶媒を噴霧する。
そして、溶媒噴霧時間ＴPSU が経過した時点ｔ PEで噴霧
を停止する。なお、ｔPS時点からｔPE時点までが本発明
の過程（ａ）に相当する。
媒噴霧ノズル１７からその表面全体に溶媒を噴霧する。
そして、溶媒噴霧時間ＴPSU が経過した時点ｔ PEで噴霧
を停止する。なお、ｔPS時点からｔPE時点までが本発明
の過程（ａ）に相当する。
【００８８】その後、基板Ｗを静止させたまま、ｔS 時
点において塗布液吐出ノズル１１からフォトレジスト液
の供給を開始する。そして、ｔ２時点で回転数Ｒ２に達
するようにｔ１時点から回転数を上げ始め、この回転数
Ｒ２をｔ３時点まで保持した後、供給時間ＴSUが経過す
る前にｔ４時点で回転数Ｒ３（例えば、１００ｒｐｍで
あり、本発明の第３の回転数に相当する）に達するよう
に減速する。この減速した状態を、供給開始時点ｔS か
ら供給時間ＴSUが経過する時点ｔE まで維持し、フォト
レジスト液の供給を停止するとともに、回転数Ｒ４（第
４の回転数に相当する）に向けて急激に加速する。な
お、減速期間ｔ４〜ｔE および加速期間ｔ E 〜ｔ５は、
フォトレジスト液が拡がって基板Ｗの表面全体を覆う前
までに設定されている。また、上記ｔS 時点からｔE 時
点までが本発明の過程（ｂ）に相当し、上記ｔ４時点か
らｔE 時点までが本発明の過程（ｃ）に相当し、ｔE 時
点からｔ５時点までが本発明の過程（ｄ）に相当する。
点において塗布液吐出ノズル１１からフォトレジスト液
の供給を開始する。そして、ｔ２時点で回転数Ｒ２に達
するようにｔ１時点から回転数を上げ始め、この回転数
Ｒ２をｔ３時点まで保持した後、供給時間ＴSUが経過す
る前にｔ４時点で回転数Ｒ３（例えば、１００ｒｐｍで
あり、本発明の第３の回転数に相当する）に達するよう
に減速する。この減速した状態を、供給開始時点ｔS か
ら供給時間ＴSUが経過する時点ｔE まで維持し、フォト
レジスト液の供給を停止するとともに、回転数Ｒ４（第
４の回転数に相当する）に向けて急激に加速する。な
お、減速期間ｔ４〜ｔE および加速期間ｔ E 〜ｔ５は、
フォトレジスト液が拡がって基板Ｗの表面全体を覆う前
までに設定されている。また、上記ｔS 時点からｔE 時
点までが本発明の過程（ｂ）に相当し、上記ｔ４時点か
らｔE 時点までが本発明の過程（ｃ）に相当し、ｔE 時
点からｔ５時点までが本発明の過程（ｄ）に相当する。
【００８９】このようにして基板Ｗの表面に供給された
フォトレジスト液は、上述した＜第１実施例＞の『スタ
ミック法』の如くコアＲa の径を拡大しつつヒゲＲb が
発生する（図３（ａ），（ｂ）参照）。さらに、その時
点で減速（回転数Ｒ３＝１００ｒｐｍ）することによ
り、本実施例の『ダイナミック法』で述べたようにヒゲ
Ｒb の伸長およびコアＲa の径の拡大が一時的にほぼ停
止状態とされ、コアＲaのフォトレジスト液量だけが増
大されてその拡大運動量が増大される（図７，図８）。
そして、加速期間（ｔE 〜ｔ５）においては、本実施例
の『ダイナミック法』で既に述べたような作用がフォト
レジスト液に生じ、ヒゲＲb および新たなヒゲＲb ’の
発生も加わって、被覆所要時間が大幅に短縮される。ま
た、予め溶媒が噴霧されて接触角が小さくされているの
で、上記各過程においてコアＲa の径の拡大が従来に比
較して速やかに行われるとともに、ヒゲＲb および新た
なヒゲＲb ’が細く多く発生するとともに慣性力によっ
て大きくその幅を周方向に拡大することになる。
フォトレジスト液は、上述した＜第１実施例＞の『スタ
ミック法』の如くコアＲa の径を拡大しつつヒゲＲb が
発生する（図３（ａ），（ｂ）参照）。さらに、その時
点で減速（回転数Ｒ３＝１００ｒｐｍ）することによ
り、本実施例の『ダイナミック法』で述べたようにヒゲ
Ｒb の伸長およびコアＲa の径の拡大が一時的にほぼ停
止状態とされ、コアＲaのフォトレジスト液量だけが増
大されてその拡大運動量が増大される（図７，図８）。
そして、加速期間（ｔE 〜ｔ５）においては、本実施例
の『ダイナミック法』で既に述べたような作用がフォト
レジスト液に生じ、ヒゲＲb および新たなヒゲＲb ’の
発生も加わって、被覆所要時間が大幅に短縮される。ま
た、予め溶媒が噴霧されて接触角が小さくされているの
で、上記各過程においてコアＲa の径の拡大が従来に比
較して速やかに行われるとともに、ヒゲＲb および新た
なヒゲＲb ’が細く多く発生するとともに慣性力によっ
て大きくその幅を周方向に拡大することになる。
【００９０】そして、加速期間が経過した後、ｔ７時点
で回転数Ｒ５（本発明の第５の回転数に相当）に達する
ようにｔ６時点において減速を開始し、その回転数Ｒ５
をｔ８時点まで維持することにより、基板Ｗの表面全体
を覆っているフォトレジスト液Ｒのうち僅かな余剰分を
振り切って所望膜厚のフォトレジスト被膜を形成する。
なお、ｔ７時点からｔ８時点までが本発明の過程（ｅ）
に相当する。上述したように被覆所要時間が短縮されて
いるので、ヒゲＲb （および新たなヒゲＲb ’）を通し
て飛散するフォトレジスト液の量が少なくでき、所望膜
厚の被膜を形成するのに必要なフォトレジスト液の量を
極めて少なくすることができる。
で回転数Ｒ５（本発明の第５の回転数に相当）に達する
ようにｔ６時点において減速を開始し、その回転数Ｒ５
をｔ８時点まで維持することにより、基板Ｗの表面全体
を覆っているフォトレジスト液Ｒのうち僅かな余剰分を
振り切って所望膜厚のフォトレジスト被膜を形成する。
なお、ｔ７時点からｔ８時点までが本発明の過程（ｅ）
に相当する。上述したように被覆所要時間が短縮されて
いるので、ヒゲＲb （および新たなヒゲＲb ’）を通し
て飛散するフォトレジスト液の量が少なくでき、所望膜
厚の被膜を形成するのに必要なフォトレジスト液の量を
極めて少なくすることができる。
【００９１】なお、回転数切換時間（ｔE 〜ｔ５）は、
本実施例の『ダイナミック法』で述べたように種々の条
件を考慮して設定すればよい。
本実施例の『ダイナミック法』で述べたように種々の条
件を考慮して設定すればよい。
【００９２】また、フォトレジスト液の供給時間Ｔ
SUは、図１５中に示したものの他、減速ｔ４時点にまで
短縮しても、コアの拡大運動量を大きくすることができ
るので同様の効果を得ることができる。
SUは、図１５中に示したものの他、減速ｔ４時点にまで
短縮しても、コアの拡大運動量を大きくすることができ
るので同様の効果を得ることができる。
【００９３】また、上記の説明では、減速した際の回転
数として『０』ｒｐｍおよび『１００』ｒｐｍを例に採
って説明したが、第２の回転数Ｒ２よりも低い回転数で
あって、コアＲa の拡大およびヒゲＲb の伸長を一時的
に低下させるとともに、乱流の影響を抑制することがで
きれば種々の回転数を選択可能である。
数として『０』ｒｐｍおよび『１００』ｒｐｍを例に採
って説明したが、第２の回転数Ｒ２よりも低い回転数で
あって、コアＲa の拡大およびヒゲＲb の伸長を一時的
に低下させるとともに、乱流の影響を抑制することがで
きれば種々の回転数を選択可能である。
【００９４】なお、第１実施例および第２実施例では、
塗布液としてフォトレジスト液を例に採って説明した
が、本発明方法はＳＯＧ液やポリイミド樹脂などの塗布
液であっても適用可能である。
塗布液としてフォトレジスト液を例に採って説明した
が、本発明方法はＳＯＧ液やポリイミド樹脂などの塗布
液であっても適用可能である。
【００９５】また、上記の説明では、溶媒の噴霧を塗布
装置内で実施するようにしているが、別体の装置で溶媒
噴霧だけを実施した後、塗布装置で塗布液の塗布を行う
ようにしてもよい。
装置内で実施するようにしているが、別体の装置で溶媒
噴霧だけを実施した後、塗布装置で塗布液の塗布を行う
ようにしてもよい。
【００９６】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、請求項
１に記載の発明によれば、基板の表面に供給された塗布
液が基板の表面全体を覆う前に回転数を上げてゆくこと
により、同心円状の塗布液から放射状に延びた塗布液の
流れに慣性力を与えることができ、各放射状の塗布液の
流れの間の隙間を急速に狭めることができる。また、塗
布液の塗布に先立って溶媒を噴霧しているので、塗布液
から延びる塗布液の流れを細く多くすることができ、同
心円状の塗布液の径の拡大をも速めることができるとと
もに、塗布液の流れに慣性力を与えた際に容易に大きく
周方向に曲げることができる。
１に記載の発明によれば、基板の表面に供給された塗布
液が基板の表面全体を覆う前に回転数を上げてゆくこと
により、同心円状の塗布液から放射状に延びた塗布液の
流れに慣性力を与えることができ、各放射状の塗布液の
流れの間の隙間を急速に狭めることができる。また、塗
布液の塗布に先立って溶媒を噴霧しているので、塗布液
から延びる塗布液の流れを細く多くすることができ、同
心円状の塗布液の径の拡大をも速めることができるとと
もに、塗布液の流れに慣性力を与えた際に容易に大きく
周方向に曲げることができる。
【００９７】したがって、塗布液が基板の表面全体を覆
うまでの時間を短縮することができる。その結果、放射
状の塗布液の流れを通して基板の周囲に飛散する塗布液
の量を少なくすることができ、所望膜厚の塗布被膜を形
成するのに要する塗布液の量を少なくすることができ
る。また、塗布液に先立って供給する溶媒を噴霧するよ
うにしたため短時間で広範囲にわたり供給することがで
きるとともに、基板の表面に回路パターン等の凹凸が形
成されていたとしてもその部分に溶媒を滞留しにくくす
ることができるので、溶媒に起因するムラが塗布被膜に
生じることを防止することができる。これによって溶媒
の消費量を抑制しながらも高価な塗布液の量を少なくす
ることができるので、半導体装置などの製造コストを低
減することができるとともにスループットを向上させる
ことができる。
うまでの時間を短縮することができる。その結果、放射
状の塗布液の流れを通して基板の周囲に飛散する塗布液
の量を少なくすることができ、所望膜厚の塗布被膜を形
成するのに要する塗布液の量を少なくすることができ
る。また、塗布液に先立って供給する溶媒を噴霧するよ
うにしたため短時間で広範囲にわたり供給することがで
きるとともに、基板の表面に回路パターン等の凹凸が形
成されていたとしてもその部分に溶媒を滞留しにくくす
ることができるので、溶媒に起因するムラが塗布被膜に
生じることを防止することができる。これによって溶媒
の消費量を抑制しながらも高価な塗布液の量を少なくす
ることができるので、半導体装置などの製造コストを低
減することができるとともにスループットを向上させる
ことができる。
【００９８】また、塗布液の供給時に高速回転させ、そ
の後に回転数を下げて膜厚を調整することにより塗布液
の少量化を図る塗布液塗布方法もあるが、この場合には
噴霧した溶媒が揮発してその効果が得られにくい一方、
請求項１に記載の発明であれば噴霧した溶媒が揮発しに
くく溶媒の効果を大きく生かすことができる。
の後に回転数を下げて膜厚を調整することにより塗布液
の少量化を図る塗布液塗布方法もあるが、この場合には
噴霧した溶媒が揮発してその効果が得られにくい一方、
請求項１に記載の発明であれば噴霧した溶媒が揮発しに
くく溶媒の効果を大きく生かすことができる。
【００９９】また、請求項２に記載に発明によれば、基
板を回転させつつ塗布液を供給開始してその状態で供給
を完了する、いわゆる『ダイナミック法』による塗布液
塗布方法であっても、請求項１に記載の効果と同じ効果
を得ることができる。
板を回転させつつ塗布液を供給開始してその状態で供給
を完了する、いわゆる『ダイナミック法』による塗布液
塗布方法であっても、請求項１に記載の効果と同じ効果
を得ることができる。
【０１００】また、請求項３に記載の発明によれば、基
板を静止させた状態で塗布液の供給を開始してその状態
で塗布液の供給を完了する、いわゆる『スタティック
法』による塗布液塗布方法であっても請求項１と同様の
効果を奏する。
板を静止させた状態で塗布液の供給を開始してその状態
で塗布液の供給を完了する、いわゆる『スタティック
法』による塗布液塗布方法であっても請求項１と同様の
効果を奏する。
【０１０１】また、請求項４に記載の発明によれば、基
板を静止させた状態で塗布液の供給を開始して、基板の
回転数を上げ始めた後でその供給を完了する、上記のス
タティック法とスタミック法とを組み合わせたような塗
布液塗布方法（スタミック法）であっても、請求項１に
記載の効果を奏する。
板を静止させた状態で塗布液の供給を開始して、基板の
回転数を上げ始めた後でその供給を完了する、上記のス
タティック法とスタミック法とを組み合わせたような塗
布液塗布方法（スタミック法）であっても、請求項１に
記載の効果を奏する。
【０１０２】また、請求項５に記載の発明によれば、基
板の表面に供給された塗布液が基板の表面全体を覆う前
に、基板の回転数を一時的に減速して第３の回転数に達
するまでは塗布液を供給し続けておくことにより、同心
円状の塗布液だけを増量してその拡大運動量を増大させ
ることができる。その後に、基板の回転数を上げてゆく
ことにより、同心円状の塗布液から放射状に延びた塗布
液の流れの間に、新たな塗布液の流れを生じさせること
ができるとともに、各塗布液の流れに慣性力を与えるこ
とができ、各放射状の塗布液の流れの間を急速に狭める
ことができる。また、塗布液の塗布に先立って溶媒を基
板の表面に噴霧しているので、塗布液から延びる塗布液
の流れを細く多くすることができ、同心円状の塗布液の
径の拡大をも速めることができるとともに、塗布液の流
れおよび新たな塗布液の流れに慣性力を与えた際に容易
に大きく周方向に曲げることができる。
板の表面に供給された塗布液が基板の表面全体を覆う前
に、基板の回転数を一時的に減速して第３の回転数に達
するまでは塗布液を供給し続けておくことにより、同心
円状の塗布液だけを増量してその拡大運動量を増大させ
ることができる。その後に、基板の回転数を上げてゆく
ことにより、同心円状の塗布液から放射状に延びた塗布
液の流れの間に、新たな塗布液の流れを生じさせること
ができるとともに、各塗布液の流れに慣性力を与えるこ
とができ、各放射状の塗布液の流れの間を急速に狭める
ことができる。また、塗布液の塗布に先立って溶媒を基
板の表面に噴霧しているので、塗布液から延びる塗布液
の流れを細く多くすることができ、同心円状の塗布液の
径の拡大をも速めることができるとともに、塗布液の流
れおよび新たな塗布液の流れに慣性力を与えた際に容易
に大きく周方向に曲げることができる。
【０１０３】したがって、塗布液が基板の表面全体を覆
うまでの時間を短縮することができる。その結果、放射
状の塗布液の流れを通して基板の周囲に飛散する塗布液
の量を極めて少なくすることができ、所望膜厚の塗布被
膜を形成するのに要する塗布液の量を少なくすることが
できる。また、溶媒を噴霧するようにしたため短時間で
広範囲に供給することができるとともに、基板の表面に
形成されている凹凸に溶媒を滞留しにくくすることがで
きるので、溶媒に起因するムラが塗布被膜に生じること
を防止することができる。これにより溶媒の消費量を抑
制しながらも高価な塗布液の量を少なくすることができ
るので、半導体装置などの製造コストを低減することが
できるとともにスループットを向上させることができ
る。
うまでの時間を短縮することができる。その結果、放射
状の塗布液の流れを通して基板の周囲に飛散する塗布液
の量を極めて少なくすることができ、所望膜厚の塗布被
膜を形成するのに要する塗布液の量を少なくすることが
できる。また、溶媒を噴霧するようにしたため短時間で
広範囲に供給することができるとともに、基板の表面に
形成されている凹凸に溶媒を滞留しにくくすることがで
きるので、溶媒に起因するムラが塗布被膜に生じること
を防止することができる。これにより溶媒の消費量を抑
制しながらも高価な塗布液の量を少なくすることができ
るので、半導体装置などの製造コストを低減することが
できるとともにスループットを向上させることができ
る。
【０１０４】また、塗布液の供給時に高速回転させ、膜
厚調整時に低速回転させることにより塗布液の少量化を
図る塗布液塗布方法もあるが、この場合には噴霧した溶
媒が揮発するためその効果が得られにくい一方、請求項
５に記載の発明であれば噴霧した溶媒が揮発しにくくそ
の効果を大きく生かすことができる。
厚調整時に低速回転させることにより塗布液の少量化を
図る塗布液塗布方法もあるが、この場合には噴霧した溶
媒が揮発するためその効果が得られにくい一方、請求項
５に記載の発明であれば噴霧した溶媒が揮発しにくくそ
の効果を大きく生かすことができる。
【０１０５】また、請求項６に記載の発明によれば、基
板を回転させつつ塗布液を供給開始してその状態で供給
を完了する、いわゆる『ダイナミック法』による塗布液
塗布方法であっても、請求項５に記載の効果と同じ効果
を得ることができる。さらに、同心円状の塗布液の拡大
運動量を最大化した状態で回転数を上げてゆくことがで
きるので、同心円状の塗布液の径の拡大をより速く、か
つ、各放射状の塗布液の流れの間に効率良く新たな塗布
液の流れを生じさせることができる。したがって、より
速く各放射状の塗布液の流れの隙間を狭めることができ
て、基板の表面全体を塗布液が覆うまでの時間をより短
縮することが可能である。
板を回転させつつ塗布液を供給開始してその状態で供給
を完了する、いわゆる『ダイナミック法』による塗布液
塗布方法であっても、請求項５に記載の効果と同じ効果
を得ることができる。さらに、同心円状の塗布液の拡大
運動量を最大化した状態で回転数を上げてゆくことがで
きるので、同心円状の塗布液の径の拡大をより速く、か
つ、各放射状の塗布液の流れの間に効率良く新たな塗布
液の流れを生じさせることができる。したがって、より
速く各放射状の塗布液の流れの隙間を狭めることができ
て、基板の表面全体を塗布液が覆うまでの時間をより短
縮することが可能である。
【０１０６】また、請求項７に記載の発明によれば、基
板を静止させた状態で塗布液の供給を開始し、基板を回
転させ始めた時点で供給を完了する、上記のスタティッ
ク法とダイナミック法とを組み合わせたような塗布液塗
布方法（スタミック法）であっても請求項５と同等の効
果を得ることができる。
板を静止させた状態で塗布液の供給を開始し、基板を回
転させ始めた時点で供給を完了する、上記のスタティッ
ク法とダイナミック法とを組み合わせたような塗布液塗
布方法（スタミック法）であっても請求項５と同等の効
果を得ることができる。
【図１】本発明方法を適用した回転式基板塗布装置の概
略構成を示す図である。
略構成を示す図である。
【図２】第１実施例に係るフォトレジスト液塗布方法
（ダイナミック法）を示すタイムチャートである。
（ダイナミック法）を示すタイムチャートである。
【図３】フォトレジスト液塗布方法の説明に供する図で
ある。
ある。
【図４】フォトレジスト液の挙動を示す模式図である。
【図５】第１実施例に係るフォトレジスト液塗布方法の
その他の実施例（スタティック法およびスタミック法）
を示すタイムチャートである。
その他の実施例（スタティック法およびスタミック法）
を示すタイムチャートである。
【図６】第２実施例に係るフォトレジスト液塗布方法
（ダイナミック法）を示すタイムチャートである。
（ダイナミック法）を示すタイムチャートである。
【図７】フォトレジスト液の挙動を示す模式的な側面図
である。
である。
【図８】フォトレジスト液の挙動を示す模式的な側面図
である。
である。
【図９】フォトレジスト液の挙動を示す模式的な平面図
である。
である。
【図１０】フォトレジスト液の挙動を示す模式的な平面
図である。
図である。
【図１１】フォトレジスト液の挙動を示す模式的な平面
図である。
図である。
【図１２】フォトレジスト液の挙動を示す模式的な平面
図である。
図である。
【図１３】フォトレジスト液の挙動を示す模式的な平面
図である。
図である。
【図１４】フォトレジスト液の挙動を示す模式的な平面
図である。
図である。
【図１５】第２実施例に係るフォトレジスト液塗布方法
のその他の実施例（スタミック法）を示すタイムチャー
トである。
のその他の実施例（スタミック法）を示すタイムチャー
トである。
１ … 吸引式スピンチャック ５ … 飛散防止カップ １１ … 塗布液吐出ノズル １３ … 塗布液供給部 １５ … 駆動部 １７ … 溶媒噴霧ノズル １７ａ … スプレイガン １９ … 溶媒供給部 ２３ … 駆動部 ２１ … 電磁開閉弁 ３１ … 制御部 ３３ … メモリ Ｗ … 基板 Ｒ … フォトレジスト液 Ｒa … コア Ｒb … ヒゲ Ｒb ’ … 新たなヒゲ Ｒc … 飛散フォトレジスト液 Ｒd … 余剰フォトレジスト液
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 中野 佳代子 京都市上京区堀川通寺之内上る４丁目天神 北町１番地の１ 大日本スクリーン製造株 式会社内 (72)発明者 後藤 茂弘 京都市上京区堀川通寺之内上る４丁目天神 北町１番地の１ 大日本スクリーン製造株 式会社内 (72)発明者 松永 実信 京都市上京区堀川通寺之内上る４丁目天神 北町１番地の１ 大日本スクリーン製造株 式会社内 Ｆターム(参考） 2H025 AA00 AB08 AB16 AB17 EA05 4D075 AA01 AC64 DA08 DB13 DC22 EA05 4F042 AA07 BA05 BA25 EB18 EB29 EB30
Claims (7)
- 【請求項１】 基板の表面に塗布液を供給して所望膜厚
の塗布被膜を形成する塗布液塗布方法であって、 （ａ）基板を静止させた状態若しくは第１の回転数で回
転させた状態で、基板の表面に溶媒を噴霧する過程と、 （ｂ）前記基板を静止させた状態若しくは第２の回転数
で回転させた状態で、その表面中心付近に塗布液を供給
する過程と、 （ｃ）前記過程（ｂ）で供給された塗布液が拡がって前
記基板の表面全体を覆う前に、前記基板の回転数を第３
の回転数へ上げてゆく過程と、 （ｄ）前記基板の回転数を第４の回転数に所定時間保持
して、前記基板の表面全体を覆っている塗布被膜の膜厚
を調整する過程と、 をその順に実施することを特徴とする塗布液塗布方法。 - 【請求項２】 請求項１に記載の塗布液塗布方法におい
て、前記過程（ｂ）で供給する塗布液を、前記基板を第
２の回転数で回転させた状態で供給開始し、その状態で
供給完了するようにしたことを特徴とする塗布液塗布方
法。 - 【請求項３】 請求項１に記載の塗布液塗布方法におい
て、前記過程（ｂ）で供給する塗布液を、前記基板を静
止させた状態で供給開始してその状態で供給完了するよ
うにしたことを特徴とする塗布液塗布方法。 - 【請求項４】 請求項１に記載の塗布液塗布方法におい
て、前記過程（ｂ）で供給する塗布液を、前記基板を静
止させた状態で供給開始し、前記基板の回転数を第２の
回転数に上げ始めた後で供給完了するようにしたことを
特徴とする塗布液塗布方法。 - 【請求項５】 基板の表面に塗布液を供給して所望膜厚
の塗布被膜を形成する塗布液塗布方法であって、 （ａ）基板を静止させた状態若しくは第１の回転数で回
転させた状態で、基板の表面に溶媒を噴霧する過程と、 （ｂ）前記基板を静止させた状態若しくは第２の回転数
で回転させた状態で、その表面中心付近に塗布液を供給
する過程と、 （ｃ）前記過程（ｂ）で供給された塗布液が拡がって前
記基板の表面全体を覆う前に、前記基板の回転数を前記
第２の回転数よりも低い第３の回転数に減速する過程
と、 （ｄ）前記過程（ｂ）で供給された塗布液が拡がって前
記基板の表面全体を覆う前に、前記基板の回転数を第４
の回転数へ上げてゆく過程と、 （ｅ）前記基板の回転数を第５の回転数に所定時間保持
して、前記基板の表面全体を覆っている塗布被膜の膜厚
を調整する過程とをその順に実施し、少なくとも前記過
程（ｃ）において減速を開始してから第３の回転数に達
するまでは塗布液を供給し続けることを特徴とする塗布
液塗布方法。 - 【請求項６】 請求項５に記載の塗布液塗布方法におい
て、前記過程（ｂ）で供給する塗布液を、前記基板を第
２の回転数で回転させた状態で供給開始し、前記過程
（ｄ）で前記基板の回転数を第４の回転数に上げ始めた
時点で供給完了するようにしたことを特徴とする塗布液
塗布方法。 - 【請求項７】 請求項５に記載の塗布液塗布方法におい
て、前記過程（ｂ）で供給する塗布液を、前記基板を静
止させた状態で供給開始し、前記過程（ｄ）で前記基板
の回転数を第４の回転数に上げ始めた時点で供給完了す
るようにしたことを特徴とする塗布液塗布方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33878398A JP3800282B2 (ja) | 1998-11-30 | 1998-11-30 | 塗布液塗布方法 |
| KR1019990049370A KR100365042B1 (ko) | 1998-11-30 | 1999-11-09 | 도포액 도포방법 및 장치 |
| US09/450,946 US6440218B1 (en) | 1998-11-30 | 1999-11-29 | Coating solution applying method and apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33878398A JP3800282B2 (ja) | 1998-11-30 | 1998-11-30 | 塗布液塗布方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000157922A true JP2000157922A (ja) | 2000-06-13 |
| JP3800282B2 JP3800282B2 (ja) | 2006-07-26 |
Family
ID=18321436
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33878398A Expired - Fee Related JP3800282B2 (ja) | 1998-11-30 | 1998-11-30 | 塗布液塗布方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6440218B1 (ja) |
| JP (1) | JP3800282B2 (ja) |
| KR (1) | KR100365042B1 (ja) |
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| JP2016219791A (ja) * | 2015-04-08 | 2016-12-22 | ズス・マイクロテック・リソグラフィ・ゲゼルシャフト・ミット・ベシュレンクテル・ハフツングＳｕｓｓ ＭｉｃｒｏＴｅｃ Ｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ ＧｍｂＨ | 基材にコーティングを施すための装置及び方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20000035316A (ko) | 2000-06-26 |
| KR100365042B1 (ko) | 2002-12-16 |
| JP3800282B2 (ja) | 2006-07-26 |
| US6440218B1 (en) | 2002-08-27 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20050616 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20050628 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20050823 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20051220 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060201 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20060418 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20060418 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
| R360 | Written notification for declining of transfer of rights |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R360 |
|
| R371 | Transfer withdrawn |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R371 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090512 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100512 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110512 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110512 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120512 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130512 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140512 Year of fee payment: 8 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
| S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |