JP4749829B2 - レジスト塗布方法およびレジスト塗布装置 - Google Patents
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Description
レジスト液の供給を停止した直後、被処理基板の回転速度を前記第1の回転速度より遅く、かつレジスト液の引き戻しが顕著に現れずレジスト液の乾燥を急速に進行させない第2の回転速度に減速して第2の回転速度で短時間保持する工程と、
さらに塗布されたレジスト液の流動性を保ちつつ第2の回転速度より遅い第3の回転速度まで減速または回転を停止して膜厚を整える工程と、
被処理基板の回転速度を、前記第3の回転速度より速い第4の回転速度まで加速して、残余のレジスト液を振り切る工程と
を具備し、
前記第2の回転速度は、500〜2000rpmであり、
前記第3の回転速度は、0〜500rpmであり、
前記第1の回転速度から前記第2の回転速度へ減速する際の加速度が20000〜50000rpm/秒であり、
前記第2の回転速度から前記第3の回転速度へ減速する際の加速度が5000〜50000rpm/秒であり、
前記第1の回転速度から前記第2の回転速度への減速時間と、前記第2の回転速度の保持時間と、前記第2の回転速度から前記第3の回転速度への減速時間と、の合計が、0秒を超え1.5秒以下であることを特徴とする、レジスト塗布方法を提供する。
被処理基板を保持する基板保持部材と、
前記基板保持部材を速度可変に回転させる回転手段と、
前記基板保持部材に保持された被処理基板の略中央にレジスト液を供給するレジスト液ノズルと、
被処理基板を保持した基板保持部材を第1の回転速度で回転させつつレジスト液の供給を開始させ、レジスト液の供給停止直後に、基板保持部材の回転速度を前記第1の回転速度より遅く、かつレジスト液の引き戻しが顕著に現れずレジスト液の乾燥を急速に進行させない第2の回転速度に減速して、この第2の回転速度で短時間保持し、さらに塗布されたレジスト液の流動性を保ちつつ第2の回転速度より遅い第3の回転速度まで減速または回転を停止させ、その後、基板保持部材の回転速度を、前記第3の回転速度より速い第4の回転速度まで加速させ、残余のレジスト液を振り切るように基板保持部材の回転を制御する制御手段とを具備し、
前記制御手段は、前記第2の回転速度が、500〜2000rpmであり、
前記第3の回転速度が、0〜500rpmであり、
前記第1の回転速度から前記第2の回転速度へ減速する際の加速度が20000〜50000rpm/秒であり、
前記第2の回転速度から前記第3の回転速度へ減速する際の加速度が5000〜50000rpm/秒であり、
前記第1の回転速度から前記第2の回転速度への減速時間と、前記第2の回転速度の保持時間と、前記第2の回転速度から前記第3の回転速度への減速時間と、の合計が、0秒を超え1.5秒以下となるように制御することを特徴とする、レジスト塗布装置。
すなわち、第1の回転速度から膜厚を整えるための第3の回転速度へ減速する途中で、一旦第2の回転速度に短時間保持することにより、急激な減速に伴いレジストが被処理基板の表面で該基板の内側へ引き戻される引き戻し現象を抑制し、余分なレジストの消費を回避することが可能になる。また、第3の回転速度または回転停止状態で膜厚を整えることによって膜厚の均一化を図ることができる。したがって、レジスト液の供給量を極力削減しながら、均一な膜厚でレジストを塗布することが可能になる。
さらに、ウエハWの上部には、高集塵フィルタ41が配備されている。そして、温度・湿度調節器42にて温度および湿度が調節された空気は、高集塵フィルタ41を通過することにより除塵され、クリーンな空気がレジスト塗布処理ユニット(COT)1内に供給される。なお、空気の代わりに例えばレジスト用溶剤を含む気体を導入することもできる。
制御部20は、CPUを備えたプロセスコントローラ21と、ユーザーインターフェース22と、記憶部23とを備えている。プロセスコントローラ21に接続されたユーザーインターフェース22は、工程管理者がレジスト塗布処理ユニット(COT)1を管理するためにコマンドの入力操作等を行うキーボードや、レジスト塗布処理ユニット(COT)1の稼働状況を可視化して表示するディスプレイ等から構成される。プロセスコントローラ21に接続された記憶部23は、レジスト塗布処理ユニット(COT)1で実行される各種処理をプロセスコントローラ21の制御にて実現するための制御プログラム(ソフトウエア)や処理条件データ等が記録されたレシピを格納している。
図示しないウエハ搬送機構の保持部材9によってレジスト塗布処理ユニット(COT)1内のカップCPの真上までウエハWが搬送されると、そのウエハWは、例えばエアシリンダからなる昇降駆動手段6および昇降ガイド手段7によって上昇してきたスピンチャック2によって真空吸着される。ウエハ搬送機構はウエハWをスピンチャック2に真空吸着せしめた後、保持部材9をレジスト塗布処理ユニット(COT)1内から引き戻し、レジスト塗布処理ユニット(COT)1へのウエハWの受け渡しを終える。
工程a:
ウエハWを第1の回転速度R1で回転させながら、レジストノズル10からウエハWの略中央にレジスト液を滴下してウエハWの径方向外方に拡げながら塗布する。この際のレジスト吐出時間をT1とする。
工程b:
次いで、レジスト液の滴下終了後、ウエハWの回転速度を所定時間だけ第1の回転速度R1より遅い第2の回転速度R2に減速し、その状態を一定時間保持する。
工程c:
さらに、ウエハWの回転速度を第3の回転速度R3に減速し、その状態を一定時間保持する。
工程d:
その後、ウエハWの回転速度を、第3の回転速度R3より速い第4の回転速度R4まで加速して、残余のレジスト液を振り切る。
なお、第3の回転速度R3は、回転停止状態(R3=0rpm)としてもよい。この場合、ウエハW上部の高集塵フィルタ41を介して供給される清浄空気の風量を制御することにより、その風量によって膜厚を調整することが可能になる。また、高集塵フィルタ41を介して供給される気体は、空気に限定されず、例えばレジスト用の溶剤を含む気体(例えば、空気やN2ガスなど)を用いることが可能であり、この場合、レジスト塗布処理ユニット(COT)1内を溶剤雰囲気にすることができるので、レジスト液の乾燥をさらに遅らせることができる。
第1の回転速度R1は、回転中のウエハWの中央付近に吐出されたレジスト液が遠心力で一気に振り切られることなくウエハWの表面を均等に広がっていくような回転速度に設定される。ウエハWの直径が200mmである場合には、例えば第1の回転速度R1を3000〜6000rpmとすることが好ましい。また、ウエハWの直径が300mmである場合には、例えば第1の回転速度R1を2000〜4000rpmとすることが好ましい。
なお、前記のように、第3の回転速度R3は回転停止状態(R3=0rpm)としてもよく、この際にはウエハW上部の高集塵フィルタ41を介してレジスト塗布処理ユニット(COT)1内に導入される清浄空気の風量を制御することにより、膜厚を調整することが可能になる。
ここでは、図6(a)に示すように、レジスト塗布後に回転速度を1段階の減速で下げ、その後回転速度を上げて振り切り乾燥を行う方法(比較方法)、図6(b)に示すように、レジスト塗布後に回転速度を2段階の減速で下げ、その後回転速度を上げて振り切り乾燥を行う方法(本発明方法)の2通りの塗布方法を比較検討した。なお、図6(a)、(b)は模式図であり、各実施例、比較例の回転速度や工程時間を正確に描写しているものではない。
2;スピンチャック
3;駆動モータ(回転駆動手段)
10;レジストノズル
17;溶剤ノズル
20;制御部
W;半導体ウエハ(被処理基板)
Claims (15)
- 被処理基板を第1の回転速度で回転させつつ被処理基板の略中央にレジスト液の供給を開始して、レジスト液を被処理基板の径方向外方に拡げながら塗布する工程と、
レジスト液の供給を停止した直後、被処理基板の回転速度を前記第1の回転速度より遅く、かつレジスト液の引き戻しが顕著に現れずレジスト液の乾燥を急速に進行させない第2の回転速度に減速して第2の回転速度で短時間保持する工程と、
さらに塗布されたレジスト液の流動性を保ちつつ第2の回転速度より遅い第3の回転速度まで減速または回転を停止して膜厚を整える工程と、
被処理基板の回転速度を、前記第3の回転速度より速い第4の回転速度まで加速して、残余のレジスト液を振り切る工程と
を具備し、
前記第2の回転速度は、500〜2000rpmであり、
前記第3の回転速度は、0〜500rpmであり、
前記第1の回転速度から前記第2の回転速度へ減速する際の加速度が20000〜50000rpm/秒であり、
前記第2の回転速度から前記第3の回転速度へ減速する際の加速度が5000〜50000rpm/秒であり、
前記第1の回転速度から前記第2の回転速度への減速時間と、前記第2の回転速度の保持時間と、前記第2の回転速度から前記第3の回転速度への減速時間と、の合計が、0秒を超え1.5秒以下であることを特徴とする、レジスト塗布方法。 - 被処理基板を第1の回転速度で回転させつつ被処理基板の略中央にレジスト液の供給を開始して、レジスト液を被処理基板の径方向外方に拡げながら塗布する工程と、
レジスト液の供給を停止した直後、被処理基板の回転速度を前記第1の回転速度より遅い第2の回転速度に減速して第2の回転速度で短時間保持する工程と、
さらに第2の回転速度より遅い第3の回転速度まで減速または回転を停止して膜厚を整える工程と、
被処理基板の回転速度を、前記第3の回転速度より速い第4の回転速度まで加速して、残余のレジスト液を振り切る工程と
を具備し、
前記第2の回転速度は、500〜2000rpmであり、
前記第3の回転速度は、0〜500rpmであり、
前記第1の回転速度から前記第2の回転速度へ減速する際の加速度が20000〜50000rpm/秒であり、
前記第2の回転速度から前記第3の回転速度へ減速する際の加速度が5000〜50000rpm/秒であり、
前記第1の回転速度から前記第2の回転速度への減速時間と、前記第2の回転速度の保持時間と、前記第2の回転速度から前記第3の回転速度への減速時間と、の合計が、0秒を超え1.5秒以下であることを特徴とするレジスト塗布方法。 - 前記第2の回転速度の保持時間が0.2〜0.5秒であることを特徴とする、請求項1又は請求項2に記載のレジスト塗布方法。
- 前記第3の回転速度の保持時間が1〜3秒であることを特徴とする、請求項1から請求項3のいずれか1項に記載のレジスト塗布方法。
- 前記第1の回転速度から前記第2の回転速度へ減速する際の減速時間が0秒を超え0.2秒以下であることを特徴とする、請求項1から請求項4のいずれか1項に記載のレジスト塗布方法。
- 前記第2の回転速度から前記第3の回転速度へ減速する際の減速時間が0秒を超え0.5秒以下であることを特徴とする、請求項1から請求項5のいずれか1項に記載のレジスト塗布方法。
- 被処理基板が直径200mmの円板であり、前記第1の回転速度は、3000〜6000rpmであることを特徴とする、請求項1から請求項6のいずれか1項に記載のレジスト塗布方法。
- 前記第4の回転速度は、1500〜4000rpmであることを特徴とする、請求項7に記載のレジスト塗布方法。
- 被処理基板が直径300mmの円板であり、前記第1の回転速度は、2000〜4000rpmであることを特徴とする、請求項1から請求項8のいずれか1項に記載のレジスト塗布方法。
- 前記第4の回転速度は、750〜2000rpmであることを特徴とする、請求項9に記載のレジスト塗布方法。
- さらに、レジスト塗布に先立って、被処理基板の表面に、その表面を濡らすための液剤を供給する工程を具備することを特徴とする、請求項1から請求項10のいずれか1項に記載のレジスト塗布方法。
- 回転する被処理基板にレジスト液を供給して塗布するレジスト塗布装置であって、
被処理基板を保持する基板保持部材と、
前記基板保持部材を速度可変に回転させる回転手段と、
前記基板保持部材に保持された被処理基板の略中央にレジスト液を供給するレジスト液ノズルと、
被処理基板を保持した基板保持部材を第1の回転速度で回転させつつレジスト液の供給を開始させ、レジスト液の供給停止直後に、基板保持部材の回転速度を前記第1の回転速度より遅く、かつレジスト液の引き戻しが顕著に現れずレジスト液の乾燥を急速に進行させない第2の回転速度に減速して、この第2の回転速度で短時間保持し、さらに塗布されたレジスト液の流動性を保ちつつ第2の回転速度より遅い第3の回転速度まで減速または回転を停止させ、その後、基板保持部材の回転速度を、前記第3の回転速度より速い第4の回転速度まで加速させ、残余のレジスト液を振り切るように基板保持部材の回転を制御する制御手段とを具備し、
前記制御手段は、前記第2の回転速度が、500〜2000rpmであり、
前記第3の回転速度が、0〜500rpmであり、
前記第1の回転速度から前記第2の回転速度へ減速する際の加速度が20000〜50000rpm/秒であり、
前記第2の回転速度から前記第3の回転速度へ減速する際の加速度が5000〜50000rpm/秒であり、
前記第1の回転速度から前記第2の回転速度への減速時間と、前記第2の回転速度の保持時間と、前記第2の回転速度から前記第3の回転速度への減速時間と、の合計が、0秒を超え1.5秒以下となるように制御することを特徴とする、レジスト塗布装置。 - 前記基板保持部材に保持された被処理基板の略中央にレジスト液供給に先立ってその表面を濡らすための液剤を供給する液剤ノズルをさらに有することを特徴とする、請求項12に記載のレジスト塗布装置。
- コンピュータ上で動作し、実行時に、請求項1から請求項11のいずれか1項に記載されたレジスト塗布方法が行なわれるようにレジスト塗布装置を制御することを特徴とする、制御プログラム。
- コンピュータ上で動作する制御プログラムが記憶されたコンピュータ記憶媒体であって、前記制御プログラムは、実行時に、請求項1から請求項11のいずれか1項に記載されたレジスト塗布方法が行なわれるようにレジスト塗布装置を制御することを特徴とする、コンピュータ記憶媒体。
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