JP2024060807A - 基板処理装置、及び基板処理方法 - Google Patents

Abstract

【課題】基板の処理効率の低下を抑制すると共に、ヒータの消費電力を低減する、技術を提供する。【解決手段】基板処理装置は、基板の搬入出口が設けられる処理容器と、前記処理容器の内部で前記基板を水平に保持する基板保持部と、前記基板の下面に処理液を供給する液供給部と、前記基板の上面に向けてガスを吐出するガス吐出口が設けられたカバーと、前記ガスを供給するガス供給部と、前記ガスを加熱するヒータと、制御部と、を備える。前記制御部は、前記基板の下面に対する前記処理液の供給中に、前記ヒータの温度を第２設定温度に維持する制御と、前記基板の搬出開始から次の前記基板の搬入完了までの待機工程の間に、前記ヒータの温度を第１設定温度に維持する制御と、前記待機工程の間に前記ヒータの出力を上げることで、次の前記基板の搬入完了までに前記ヒータの温度を前記第１設定温度から前記第２設定温度に上げる制御と、を行う。【選択図】図４

Description

本開示は、基板処理装置、及び基板処理方法に関する。

特許文献１に記載の基板処理装置は、基板を水平に保持して回転させる基板回転保持部と、基板回転保持部で保持された基板の下面に処理液を供給する処理液供給部とを備える。

特開２０１６－１４３７９０号公報

本開示の一態様は、基板の処理効率の低下を抑制すると共に、ヒータの消費電力を低減する、技術を提供する。

本開示の一態様に係る基板処理装置は、基板の搬入出口が設けられる処理容器と、前記処理容器の内部で前記基板を水平に保持する基板保持部と、前記基板保持部で保持している前記基板の下面に処理液を供給する液供給部と、前記基板保持部で保持している前記基板の上面に向けてガスを吐出するガス吐出口が設けられたカバーと、前記カバーに前記ガスを供給するガス供給部と、前記カバーに設けられ、前記ガスを加熱するヒータと、制御部と、を備える。前記制御部は、前記基板の下面に対する前記処理液の供給中に、前記ヒータの温度を第１設定温度よりも高い第２設定温度に維持する制御と、前記基板の搬出開始から次の前記基板の搬入完了までの待機工程の間に、前記ヒータの温度を前記第１設定温度に維持する制御と、前記待機工程の間に前記ヒータの出力を上げることで、次の前記基板の搬入完了までに前記ヒータの温度を前記第１設定温度から前記第２設定温度に上げる制御と、を行う。

本開示の一態様によれば、基板の処理効率の低下を抑制すると共に、ヒータの消費電力を低減することができる。

図１は、一実施形態に係る基板処理装置の一例を示す断面図である。 図２は、図１の基板処理装置におけるガスと処理液の流れの一例を示す断面図である。 図３は、一実施形態に係る基板処理方法の一例を示すフローチャートである。 図４は、基板処理装置の動作の一例を示すタイミングチャートである。 図５（Ａ）は昇温時間の制御の第１例を示す図であり、図５（Ｂ）は昇温時間の制御の第２例を示す図である。 図６は、第１設定温度の変更の一例を示す図である。 図７は、第１変形例に係る基板処理装置におけるガスと処理液の流れの変形例を示す断面図である。 図８は、第２変形例に係る基板処理装置におけるガスと処理液の流れの変形例を示す断面図である。

以下、本開示の実施形態について図面を参照して説明する。なお、各図面において同一の又は対応する構成には同一の符号を付し、説明を省略することがある。本明細書において、Ｘ軸方向、Ｙ軸方向、Ｚ軸方向は互いに垂直な方向である。Ｘ軸方向およびＹ軸方向は水平方向、Ｚ軸方向は鉛直方向である。

図１を参照して、一実施形態に係る基板処理装置１について説明する。基板処理装置１は、処理容器１０と、基板保持部２０と、回転駆動部３５と、液供給部４０と、カバー５０と、ガス供給部６０と、ヒータ７０と、カバー昇降部７５と、回収カップ８０と、制御部９０と、を備える。

処理容器１０は、基板Ｗを収容する。処理容器１０の側壁には、基板Ｗの搬入出口１１が設けられる。ゲートバルブ１２は、制御部９０による制御下で、搬入出口１１を開閉する。処理容器１０の天井には、ＦＦＵ（Fan Filter Unit）１３設けられる。ＦＦＵ１３は、処理容器１０の内部にダウンフローを形成するダウンフロー形成部の一例である。

基板Ｗは、シリコンウェハなどの半導体基板、またはガラス基板である。基板Ｗは、搬送装置２によって搬入出口１１を介して処理容器１０の内部に搬入される。基板Ｗは、処理液で処理された後、搬送装置２によって搬入出口１１を介して処理容器１０の外部に搬出される。

基板保持部２０は、処理容器１０の内部で基板Ｗを水平に保持する。基板保持部２０は、回転軸２１と、ベースプレート２２と、を有する。回転軸２１は、上下方向に延びる。回転軸２１は、中空の筒状に形成される。ベースプレート２２は、回転軸２１の上端に設けられる。ベースプレート２２は、平面視で円形である。ベースプレート２２の直径は、回転軸２１の直径よりも大きい。ベースプレート２２は、回転軸２１と同心円状に形成される。

基板保持部２０は、複数の支持ピン２３を有する。複数の支持ピン２３は、ベースプレート２２の上面に設けられる。複数の支持ピン２３は、基板Ｗの下面に当接し、基板Ｗを支持する。なお、基板保持部２０は、複数の支持ピン２３の代わりに、複数の爪部を有してもよい。複数の爪部は、基板Ｗの周縁を保持する。

ベースプレート２２の上面の中央部には、凹部２４が形成される。凹部２４は、平面視で円形である。ベースプレート２２および回転軸２１には、凹部２４の底面に連通する挿入孔２５が形成される。挿入孔２５には、基板中継部３０の昇降軸３１が挿入される。

基板中継部３０は、昇降軸３１と、昇降プレート３２と、リフトピン３３と、昇降駆動部３４とを備える。昇降プレート３２は、昇降軸３１の上端に設けられる。昇降プレート３２は、平面視で円形である。昇降プレート３２の上面には、リフトピン３３が設けられる。リフトピン３３は、基板Ｗの下面に当接し、基板Ｗを支持する。リフトピン３３の長さは、支持ピン２３の長さよりも短い。

昇降駆動部３４は、昇降プレート３２を下降位置（図１参照）と上昇位置との間で昇降させることで、基板保持部２０と搬送装置２の間で基板Ｗを中継する。昇降駆動部３４は、モータと、モータの回転運動を昇降軸３１の直線運動に変換するボールねじなどを含む。なお、昇降駆動部３４は、空気圧シリンダなどで構成されてもよい。

昇降プレート３２は、下降位置においてベースプレート２２の凹部２４に収容される。この時、リフトピン３３は、基板保持部２０で保持されている基板Ｗの下面よりも下方に位置する。一方、昇降プレート３２が上昇位置に位置する時、リフトピン３３で支持されている基板Ｗは回収カップ８０よりも上方に位置する。

回転駆動部３５は、基板保持部２０を回転させる。回転駆動部３５は、回転軸２１を回転させることで基板保持部２０を回転させる。回転駆動部３５は、減速機構、およびモータなどを含む。モータの回転運動は、減速機構などを介して回転軸２１に伝達される。

液供給部４０は、基板保持部２０で保持している基板Ｗの下面に処理液を供給する。処理液は、例えばエッチング液などの薬液である。液供給部４０は、基板保持部２０で保持している基板Ｗの下面に、処理液と、処理液を基板Ｗから除去するリンス液と、をこの順番で供給してもよい。リンス液は、例えばＤＩＷ（Deionized Water）などである。

液供給部４０は、液供給源４１と、液供給管４２と、流量調整機構４３と、を含む。液供給管４２は、昇降軸３１および昇降プレート３２に設けられる。液供給管４２は、上端に形成される供給口４４から処理液またはリンス液を基板Ｗの下面に向けて吐出する。処理液とリンス液は、異なる供給口４４から吐出してもよい。流量調整機構４３は、液供給源４１から液供給管４２に処理液またはリンス液を送る配管の途中で、処理液またはリンス液の流量を調整する。流量調整機構４３は、流量調整弁および開閉弁などを含む。

カバー５０は、基板保持部２０で保持している基板Ｗの上面に向かい合う。カバー５０は、円環状である。カバー５０の中央部には、カバー５０を上下方向に貫通する開口部５１が形成される。カバー５０の直径は、基板Ｗの直径と略同一である。カバー５０には、ガス吐出口５２Ａ、５２Ｂが設けられる。

ガス吐出口５２Ａ、５２Ｂは、開口部５１の外側に設けられる。ガス吐出口５２Ａ、５２Ｂは、基板Ｗの上面に向けてガスを吐出する。ガス吐出口５２Ａ、５２Ｂは、ガスを真下に向けて吐出するが、ガスを斜め下方向に向けて吐出してもよい。斜め下方向は、具体的には下方に向かうほど基板Ｗの径方向外側に傾斜する方向である。ガスが基板Ｗの径方向外側に流れやすい。

ガス吐出口５２Ａとガス吐出口５２Ｂは、基板Ｗの径方向に間隔をおいて設けられる。以下、ガス吐出口５２Ａを第１ガス吐出口５２Ａと記載し、ガス吐出口５２Ｂを第２ガス吐出口５２Ｂと記載することがある。第２ガス吐出口５２Ｂは、第１ガス吐出口５２Ａよりも基板Ｗの径方向外側に設けられる。第１ガス吐出口５２Ａと第２ガス吐出口５２Ｂは、それぞれ、基板Ｗの周方向に沿って等間隔で複数設けられる。

カバー５０は、ガス流路５３Ａ、５３Ｂを内部に有する。以下、ガス流路５３Ａを第１ガス流路５３Ａと記載し、ガス流路５３Ｂを第２ガス流路５３Ｂと記載することがある。第１ガス流路５３Ａの末端に第１ガス吐出口５２Ａが設けられ、第２ガス流路５３Ｂの末端に第２ガス吐出口５２Ｂが設けられる。

第１ガス流路５３Ａと第２ガス流路５３Ｂは、基板Ｗの径方向に並べて設けられる。第２ガス流路５３Ｂは、第１ガス流路５３Ａよりも基板Ｗの径方向外側に設けられる。第１ガス流路５３Ａと第２ガス流路５３Ｂは、それぞれ、壁などによって屈曲している。壁が設けられることで、カバー５０とガスの接触面積を増やすことができ、ガスの加熱効率を向上できる。

ガス供給部６０は、カバー５０にガスを供給する。ガス供給部６０は、ガス供給源６１と、ガス配管６２と、流量調整機構６３と、を有する。ガス配管６２は、ガス供給源６１からカバー５０にガスを送る。流量調整機構６３は、ガス配管６２の途中に設けられ、ガスの流量を調整する。流量調整機構６３は、流量調整弁および開閉弁などを含む。流量調整機構６３は、第１ガス流路５３Ａの流量と第２ガス流路５３Ｂの流量とを独立に調整可能である。

ヒータ７０は、カバー５０に設けられ、ガスを加熱する。加熱したガスが基板Ｗの上面に吐出され、基板Ｗが加熱される。ヒータ７０は、例えば、シーズヒータである。ヒータ７０は、カバー５０の内部に設けられる。ヒータ７０は、ガス流路５３Ａ、５３Ｂの上側に設けられるが、下側に設けられてもよく、上下両側に設けられてもよい。

カバー昇降部７５は、カバー５０を、基板Ｗの下面に対する処理液の供給中に位置する処理位置（図１参照）と、処理位置よりも上方の待機位置と、の間で昇降させる。カバー昇降部７５は、カバー５０を支持するアーム７６と、アーム７６を昇降させるアーム駆動部７７と、を有する。アーム駆動部７７は、アーム７６を旋回させることも可能である。

回収カップ８０は、基板Ｗに供給した処理液を回収する。回収カップ８０は、ベースプレート２２の周囲を覆うように設けられる。回収カップ８０は、第１壁部８１と、第２壁部８２と、天井部８３と、底部８４とを含む。第１壁部８１は、円環状に形成される。第１壁部８１は、ベースプレート２２よりも外側に形成される。第２壁部８２は、円環状に形成される。第２壁部８２は、第１壁部８１よりも内側に形成される。第２壁部８２は、処理液が第２壁部８２よりも内側に流れずに、第２壁部８２よりも外側に流れるように形成される。

天井部８３は、第１壁部８１の上端から内側に突出するように形成される。天井部８３には、天井部８３を上下方向に貫通する開口部８５が形成される。開口部８５は、平面視で円形である。開口部８５の直径は、基板Ｗの直径およびカバー５０の直径よりも大きい。基板Ｗおよびカバー５０は、開口部８５において昇降可能である。

底部８４には、排液管８６と、排気管８７とが接続される。排液管８６は、第２壁部８２よりも外側において、処理液またはリンス液を外部へ排出する。排気管８７は、第２壁部８２よりも内側において、ガスを外部に排出する。排気管８７は、排気装置８８に接続される。排気装置８８は、ポンプなどを含む。

制御部９０は、例えばコンピュータであり、ＣＰＵ（Central Processing Unit）等の演算部と、メモリ等の記憶部と、を備える。記憶部には、基板処理装置１において実行される各種の処理を制御するプログラムが格納される。制御部９０は、記憶部に記憶されたプログラムを演算部に実行させることにより、基板処理装置１の動作を制御する。

次に、図２を参照して、基板処理装置１におけるガスと処理液の流れの一例について説明する。基板処理装置１では、処理液Ｌの残渣がパーティクルとして基板Ｗに付着するおそれがある。そのため、基板処理装置１は、ＦＦＵ１３を備える。ＦＦＵ１３は、処理容器１０の内部にダウンフローを形成することで、パーティクルの巻き上げを抑制する。

ダウンフローが形成されることで、カバー５０の開口部５１から基板Ｗの中央部にガスが流入し、基板Ｗとカバー５０との隙間においてガスの旋回流が安定化する。ガスの旋回流は、基板Ｗの回転方向に向かうほど基板Ｗの径方向外側に流れ、パーティクルを基板Ｗよりも外側に排出する。

また、ダウンフローが形成されることで、カバー５０の開口部５１から基板Ｗの中央部にガスが流入し、基板Ｗの中央部における負圧の発生が抑制される。基板Ｗの中央部が負圧によって上に凸に湾曲することが抑制され、基板Ｗとカバー５０との接触が抑制される。

但し、ダウンフローが形成されることで、基板Ｗの温度が下がるおそれがある。基板Ｗの温度が下がるほど、処理液Ｌによる処理速度（例えばエッチング速度）が低下する。また、ガスの旋回流が発生することで、基板Ｗの径方向に基板Ｗの温度がばらつくおそれがある。基板Ｗの温度のばらつきは、処理速度のばらつきにつながる。

ヒータ７０は、カバー５０に設けられ、ガスを加熱する。加熱したガスが基板Ｗの上面に吐出され、基板Ｗが加熱される。これにより、処理速度の低下を抑制できる。ヒータ７０は、基板Ｗの温度の面内均一性を向上することも可能であり、処理速度のばらつきを低減することも可能である。

次に、図３を参照して、一実施形態に係る基板処理方法について説明する。基板処理方法は、図３に示すステップＳ１０１～Ｓ１０５を有する。ステップＳ１０１～Ｓ１０５は、制御部９０による制御下で実施される。

先ず、搬送装置２が、基板Ｗを処理容器１０の内部に搬入する（ステップＳ１０１）。基板Ｗは、基板中継部３０によって搬送装置２から基板保持部２０に受け渡される。基板保持部２０が基板Ｗを保持することで、基板Ｗの搬入が完了する。

基板Ｗの搬入完了後、カバー昇降部７５がカバー５０を待機位置Ｐ２から処理位置Ｐ１まで下降させる（図４参照）。また、基板Ｗの搬入完了後、回転駆動部３５が基板保持部２０と共に基板Ｗを回転させる。

次に、液供給部４０が、基板Ｗの下面に処理液Ｌを供給する（ステップＳ１０２）。処理液Ｌは、回転する基板Ｗの下面の中央部に供給され、遠心力によって基板Ｗの径方向外側に流れ、基板Ｗの下面全体に濡れ広がる。その後、液供給部４０が処理液Ｌの供給を停止する。

次に、液供給部４０が、基板Ｗの下面にリンス液を供給する（ステップＳ１０３）。リンス液は、回転する基板Ｗの下面の中央部に供給され、遠心力によって基板Ｗの径方向外側に流れ、処理液Ｌを置換しながら、基板Ｗの下面全体に濡れ広がる。その後、液供給部４０がリンス液の供給を停止する。

次に、回転駆動部３５が引き続き基板保持部２０と共に基板Ｗを回転させることで、基板Ｗを乾燥する（ステップＳ１０４）。その後、回転駆動部３５が基板保持部２０の回転を停止し、基板保持部２０が基板Ｗの保持を解除する。

次に、搬送装置２が、基板Ｗを処理容器１０の内部に搬出する（ステップＳ１０５）。基板Ｗは、基板中継部３０によって基板保持部２０から搬送装置２に受け渡された後、搬送装置２によって搬出される。

以下、ｎ（ｎは１以上の整数）枚目の基板Ｗの搬入完了から、ｎ枚目の基板Ｗの搬出開始までの期間を、プロセス工程と記載することがある。プロセス工程は、基板保持部２０がｎ枚目の基板Ｗの保持を開始してから、ｎ枚目の基板Ｗの保持を解除するまでの期間である。

また、プロセス工程以外の期間を、待機工程と記載することがある。待機工程は、ｎ枚目の基板Ｗの搬出開始から、（ｎ＋１）枚目の基板Ｗの搬入完了までの期間である。待機工程は、基板処理装置１の電源投入から、１枚目の基板Ｗの搬入完了までの期間であってもよい。

次に、図４を参照して、基板処理装置１の動作タイミングの一例について説明する。図４の破線Ａに示すように、制御部９０は、待機工程の間にヒータ７０の温度を第１設定温度Ｔ１に維持する制御と、処理液Ｌの供給中にヒータ７０の温度を第２設定温度Ｔ２（Ｔ２＞Ｔ１）に維持する制御と、を行う。待機工程では、基板Ｗを処理しないので、基板Ｗを加熱する必要が無い。待機工程の間にヒータ７０の出力を絞ることで、消費電力を低減できる。

また、図４の破線Ａに示すように、制御部９０は、待機工程の間にヒータ７０の出力を上げることで、基板Ｗの搬入完了までにヒータ７０の温度を第１設定温度Ｔ１から第２設定温度Ｔ２に上げる制御を行う。基板Ｗの搬入完了までにヒータ７０の昇温を完了しておくことで、速やかに基板Ｗの下面に対する処理液Ｌの供給に移行でき、基板Ｗの処理効率の低下を抑制できる。

制御部９０は、ヒータ７０の昇温完了から基板Ｗの搬入完了までの時間が設定時間以内になるように（好ましくはゼロになるように）、ヒータ７０の温度を第１設定温度Ｔ１から第２設定温度Ｔ２に上げ始めるタイミングを決める。制御部９０は、ホストコンピュータなどから基板Ｗの処理計画を取得し、その処理計画を参照して基板Ｗの搬入完了のタイミングを求める。制御部９０は、基板Ｗの搬入完了のタイミングを基に、ヒータ７０の温度を第１設定温度Ｔ１から第２設定温度Ｔ２に上げ始めるタイミングを決める。

図４の破線Ｂに示すように、制御部９０は、処理液Ｌの供給完了以降（処理液Ｌの供給完了と同時を含む）であって、リンス液の供給開始以前（リンス液の供給開始と同時を含む）に、ヒータ７０の出力を下げることでヒータ７０の温度を第２設定温度Ｔ２から下げる制御を行う。リンス液の供給中、ヒータ７０の出力をゼロに維持することが好ましい。

リンス液は、処理液Ｌを基板Ｗから除去する。処理液Ｌが基板Ｗと反応するのに対し、リンス液は基板Ｗとは反応しない。それゆえ、リンス液は、反応速度を制御する必要がない。処理液Ｌの供給完了以降であってリンス液の供給開始以前にヒータ７０の出力を下げれば、基板Ｗの処理品質を維持しつつ、消費電力を低減できる。

なお、図４では、処理液Ｌの供給完了とリンス液の供給開始との間に、遅延時間があるが、遅延時間はなくてもよい。処理液Ｌの供給完了と、リンス液の供給開始と、ヒータ７０の出力低下とは、同時に行われてもよい。

図４の破線Ｃに示すように、制御部９０は、待機工程の開始から設定時間内に（好ましくは待機工程の開始と同時に）ヒータ７０の出力を上げることで、ヒータ７０の温度を第１設定温度Ｔ１に戻す制御を行う。リンス液の供給中に低下したヒータ７０の温度を第１設定温度Ｔ１に戻しておけば、その後に一定の時間で第２設定温度Ｔ２に上げることが可能であり、次の基板Ｗの搬入に備えることができる。

図４の破線Ｄに示すように、制御部９０は、待機工程の間にガスの吐出流量を第１設定流量Ｆ１に維持する制御と、処理液Ｌの供給中にガスの吐出流量を第２設定流量Ｆ２（Ｆ２＞Ｆ１）に維持する制御とを行う。待機工程では、基板Ｗを処理しないので、基板Ｗを加熱する必要が無い。待機工程の間にガスの吐出流量を絞ることで、ガスの使用量を低減できる。

図４の破線Ｄに示すように、制御部９０は、ヒータ７０の温度を第１設定温度Ｔ１から第２設定温度Ｔ２に上げる間に、基板Ｗを加熱するガスの吐出流量を第１設定流量Ｆ１から第２設定流量Ｆ２に上げる制御を行う。ヒータ７０の温度が安定化した後にガスの吐出流量が変動すると、ヒータ７０の温度が変動し得る。ヒータ７０の温度が安定化する前にガスの吐出流量を上げておくことで、短時間でヒータ７０の温度を安定化できる。

図４の破線Ｅに示すように、制御部９０は、ガスの吐出流量を第２設定流量Ｆ２に維持した状態で、カバー５０を待機位置Ｐ２から処理位置Ｐ１に下降する制御を行う。ヒータ７０の温度が安定化した状態で、カバー５０が基板Ｗの上面にガスを吐出でき、基板Ｗの温度が所望の温度で安定化しやすい。

図４の破線Ｆに示すように、制御部９０は、処理液Ｌの供給完了以降であって、カバー５０を処理位置Ｐ１から待機位置Ｐ２に上昇する前（好ましくは、リンス液の供給開始以前）に、ガスの吐出流量を第２設定流量Ｆ２から第１設定流量Ｆ１に下げる制御を行う。処理液Ｌの供給完了以降は、基板Ｗを加熱する必要が無い。処理液Ｌの供給完了以降においてガスの吐出流量を絞ることで、ガスの使用量を低減できる。

次に、図５を参照して、ヒータ７０の温度を、第１設定温度Ｔ１よりも低い温度Ｔａ、Ｔｂから第１設定温度Ｔ１まで上げる制御の一例について説明する。図５に示す制御は、例えば図４に破線Ｃで示す期間に行われる。あるいは、基板処理装置１の電源投入から、１枚目の基板Ｗの搬入完了までに行われる。

図５に示すように、制御部９０は、昇温開始時の温度Ｔａ、Ｔｂ（Ｔａ＜Ｔｂ）に関係なく、予め設定された一定の昇温時間で昇温するように、ヒータ７０の出力を制御する。昇温開始時の温度が高い場合に、低い場合と同じ昇温速度で昇温を行うと、図５（Ｂ）に破線で示すように、ヒータ７０の温度が第１設定温度Ｔ１に達するタイミングが早すぎ、ヒータ７０の消費電力が増大してしまう。

本実施形態では、上記の通り、制御部９０は、昇温開始時の温度Ｔａ、Ｔｂ（Ｔａ＜Ｔｂ）に関係なく、予め設定された一定の昇温時間で昇温するように、ヒータ７０の出力を制御する。これにより、ヒータ７０の温度が第１設定温度Ｔ１に達するタイミングを一定にすることができ、ヒータ７０の消費電力を低減できる。

次に、図６を参照して、第１設定温度Ｔ１の変更の一例を示す断面図である。図６に示すように、制御部９０は、待機工程中に、時間の経過に応じて第１設定温度Ｔ１を段階的に下げる制御を行う。つまり、制御部９０は、待機工程中に、時間の経過に応じてヒータ７０の温度を段階的に下げる制御を行う。第１設定温度Ｔ１として２つ以上（図６では４つ）の温度が予め準備される。待機工程の時間が長くなる場合に、ヒータ７０の出力を段階的に低減でき、ヒータ７０の消費電力を低減できる。

次に、図７を参照して、第１変形例に係る基板処理装置１について説明する。以下、本変形例と上記実施形態との相違点について主に説明する。基板Ｗの径方向に沿って複数のヒータ７０Ａ、７０Ｂが設けられる。以下、ヒータ７０Ａを第１ヒータ７０Ａと記載し、ヒータ７０Ｂを第２ヒータ７０Ｂと記載することがある。

第２ヒータ７０Ｂは、第１ヒータ７０Ａよりも基板Ｗの径方向外側に設けられる。第１ヒータ７０Ａは、第１ガス流路５３Ａを加熱する。第２ヒータ７０Ｂは、第２ガス流路５３Ｂを加熱する。制御部９０は、第１ヒータ７０Ａの出力と第２ヒータ７０Ｂの出力とを独立に制御可能である。

制御部９０は、複数のヒータ７０Ａ、７０Ｂの出力を独立に制御可能である。複数のヒータ７０Ａ、７０Ｂの出力を独立に制御することで、基板Ｗを径方向に複数の領域に分け、領域毎に適切な熱量を与えることができ、消費電力を低減できる。なお、消費電力が少なければ、ヒータ７０の数は１つでもよい。

次に、図８を参照して、第２変形例に係る基板処理装置１について説明する。以下、本変形例と上記第１変形例との相違点について主に説明する。カバー５０は、第１ガス吐出口５２Ａおよび第２ガス吐出口５２Ｂに加えて、第３ガス吐出口５２Ｃを有する。第３ガス吐出口５２Ｃは、第２ガス吐出口５２Ｂよりも基板Ｗの径方向外側に設けられ、基板Ｗの周方向に等間隔で複数設けられる。

第３ガス吐出口５２Ｃは、基板Ｗの外周部に向けて、ガスを斜め下方向に向けて吐出する。斜め下方向は、具体的には下方に向かうほど基板Ｗの径方向外側に傾斜する方向である。基板Ｗの外周部に向けてガスを斜め下方向に吐出することで、処理液Ｌが基板Ｗの上面に回り込むことを抑制できる。

カバー５０は、第１ガス流路５３Ａおよび第２ガス流路５３Ｂに加えて、第３ガス流路５３Ｃを有する。第３ガス流路５３Ｃは、第２ガス流路５３Ｂよりも基板Ｗの径方向外側に設けられる。第３ガス流路５３Ｃの末端に、第３ガス吐出口５２Ｃが設けられる。

基板処理装置１は、第１ヒータ７０Ａと第２ヒータ７０Ｂに加えて、第３ヒータ７０Ｃを備える。第３ヒータ７０Ｃは、第２ヒータ７０Ｂよりも基板Ｗの径方向外側に設けられる。第３ヒータ７０Ｃは、第３ガス流路５３Ｃを流れるガスを加熱する。

制御部９０は、複数のヒータ７０Ａ、７０Ｂ、７０Ｃの出力を独立に制御可能である。複数のヒータ７０Ａ、７０Ｂ、７０Ｃの出力を独立に制御することで、基板Ｗを径方向に複数の領域に分け、領域毎に適切な熱量を与えることができ、消費電力を低減できる。

以上、本開示に係る基板処理装置、及び基板処理方法の実施形態等について説明したが、本開示は上記実施形態等に限定されない。特許請求の範囲に記載された範疇内において、各種の変更、修正、置換、付加、削除、及び組み合わせが可能である。それらについても当然に本開示の技術的範囲に属する。

１ 基板処理装置
１０ 処理容器
２０ 基板保持部
４０ 液供給部
５０ カバー
５２Ａ、５２Ｂ ガス吐出口
６０ ガス供給部
７０ ヒータ
９０ 制御部
Ｗ 基板

Claims (20)

1. 基板の搬入出口が設けられる処理容器と、
   前記処理容器の内部で前記基板を水平に保持する基板保持部と、
   前記基板保持部で保持している前記基板の下面に処理液を供給する液供給部と、
   前記基板保持部で保持している前記基板の上面に向けてガスを吐出するガス吐出口が設けられたカバーと、
   前記カバーに前記ガスを供給するガス供給部と、
   前記カバーに設けられ、前記ガスを加熱するヒータと、
   制御部と、
   を備え、
   前記制御部は、
   前記基板の下面に対する前記処理液の供給中に、前記ヒータの温度を第１設定温度よりも高い第２設定温度に維持する制御と、
   前記基板の搬出開始から次の前記基板の搬入完了までの待機工程の間に、前記ヒータの温度を前記第１設定温度に維持する制御と、
   前記待機工程の間に前記ヒータの出力を上げることで、次の前記基板の搬入完了までに前記ヒータの温度を前記第１設定温度から前記第２設定温度に上げる制御と、
   を行う、基板処理装置。
2. 前記液供給部は、前記基板保持部で保持している前記基板の下面に、前記処理液と、前記処理液を前記基板から除去するリンス液と、をこの順番で供給し、
   前記制御部は、前記処理液の供給完了以降であって前記リンス液の供給開始以前に前記ヒータの出力を下げることで前記ヒータの温度を前記第２設定温度から下げる制御を行う、請求項１に記載の基板処理装置。
3. 前記制御部は、前記待機工程の開始から設定時間内に、前記ヒータの出力を上げることで前記ヒータの温度を前記第１設定温度に戻す制御を行う、請求項２に記載の基板処理装置。
4. 前記カバーの中央部には、前記カバーを上下方向に貫通する開口部が設けられており、
   前記基板処理装置は、前記処理容器の天井に設けられるダウンフロー形成部を備える、請求項１～３のいずれか１項に記載の基板処理装置。
5. 前記制御部は、
   前記基板の下面に対する前記処理液の供給中に、前記ガスの吐出流量を第１設定流量よりも大きい第２設定流量に維持する制御と、
   前記待機工程の間に前記ガスの吐出流量を前記第１設定流量に維持する制御と、
   前記ヒータの温度を前記第１設定温度から前記第２設定温度に上げる間に、前記ガスの吐出流量を前記第１設定流量から前記第２設定流量に上げる制御と、
   を行う、請求項１～３のいずれか１項に記載の基板処理装置。
6. 前記カバーを、前記基板の下面に対する前記処理液の供給中に位置する処理位置と、前記処理位置よりも上方の待機位置と、の間で昇降させる昇降部を備え、
   前記制御部は、前記ガスの吐出流量を前記第２設定流量に維持した状態で、前記カバーを前記待機位置から前記処理位置に下降する制御を行う、請求項５に記載の基板処理装置。
7. 前記制御部は、前記処理液の供給完了以降であって、前記カバーを前記処理位置から前記待機位置に上昇する前に、前記ガスの吐出流量を前記第２設定流量から前記第１設定流量に下げる制御を行う、請求項６に記載の基板処理装置。
8. 前記制御部は、前記ヒータの温度を、前記第１設定温度よりも低い温度から前記第１設定温度まで、予め設定された昇温時間で昇温するように、前記ヒータの出力を制御する、請求項１～３のいずれか１項に記載の基板処理装置。
9. 前記制御部は、前記待機工程中に、時間の経過に応じて前記第１設定温度を段階的に下げる制御を行う、請求項１～３のいずれか１項に記載の基板処理装置。
10. 前記ガス吐出口は、前記基板の径方向に沿って複数設けられ、
    前記ヒータは、前記基板の径方向に沿って複数設けられ、
    前記制御部は、複数の前記ヒータの出力を独立に制御する、請求項１～３のいずれか１項に記載の基板処理装置。
11. 基板処理装置を用いて基板を処理することを有する、基板処理方法であって、
    前記基板処理装置は、前記基板の搬入出口が設けられる処理容器と、前記処理容器の内部で前記基板を水平に保持する基板保持部と、前記基板保持部で保持している前記基板の下面に処理液を供給する液供給部と、前記基板保持部で保持している前記基板の上面に向けてガスを吐出するガス吐出口が設けられたカバーと、前記カバーに前記ガスを供給するガス供給部と、前記カバーに設けられ、前記ガスを加熱するヒータと、制御部と、を備え、
    前記基板処理方法は、
    前記基板の下面に対する前記処理液の供給中に、前記ヒータの温度を第１設定温度よりも高い第２設定温度に維持することと、
    前記基板の搬出開始から次の前記基板の搬入完了までの待機工程の間に、前記ヒータの温度を前記第１設定温度に維持することと、
    前記待機工程の間に前記ヒータの出力を上げることで、次の前記基板の搬入完了までに前記ヒータの温度を前記第１設定温度から前記第２設定温度に上げることと、
    を有する、基板処理方法。
12. 前記液供給部は、前記基板保持部で保持している前記基板の下面に、前記処理液と、前記処理液を前記基板から除去するリンス液と、をこの順番で供給し、
    前記基板処理方法は、前記処理液の供給完了以降であって前記リンス液の供給開始以前に前記ヒータの出力を下げることで前記ヒータの温度を前記第２設定温度から下げることを有する、請求項１１に記載の基板処理方法。
13. 前記待機工程の開始から設定時間内に、前記ヒータの出力を上げることで前記ヒータの温度を前記第１設定温度に戻すことを有する、請求項１２に記載の基板処理方法。
14. 前記カバーの中央部には、前記カバーを上下方向に貫通する開口部が設けられており、
    前記基板処理装置は、前記処理容器の天井に設けられるダウンフロー形成部を備える、請求項１１～１３のいずれか１項に記載の基板処理方法。
15. 前記基板の下面に対する前記処理液の供給中に、前記ガスの吐出流量を第１設定流量よりも大きい第２設定流量に維持することと、
    前記待機工程の間に前記ガスの吐出流量を前記第１設定流量に維持することと、
    前記ヒータの温度を前記第１設定温度から前記第２設定温度に上げる間に、前記ガスの吐出流量を前記第１設定流量から前記第２設定流量に上げることと、
    を有する、請求項１１～１３のいずれか１項に記載の基板処理方法。
16. 前記基板処理装置は、前記カバーを、前記基板の下面に対する前記処理液の供給中に位置する処理位置と、前記処理位置よりも上方の待機位置と、の間で昇降させる昇降部を備え、
    前記基板処理方法は、前記ガスの吐出流量を前記第２設定流量に維持した状態で、前記カバーを前記待機位置から前記処理位置に下降することを有する、請求項１５に記載の基板処理方法。
17. 前記処理液の供給完了以降であって、前記カバーを前記処理位置から前記待機位置に上昇する前に、前記ガスの吐出流量を前記第２設定流量から前記第１設定流量に下げることを有する、請求項１６に記載の基板処理方法。
18. 前記ヒータの温度を、前記第１設定温度よりも低い温度から前記第１設定温度まで、予め設定された昇温時間で昇温するように、前記ヒータの出力を制御することを有する、請求項１１～１３のいずれか１項に記載の基板処理方法。
19. 前記待機工程中に、時間の経過に応じて前記第１設定温度を段階的に下げることを有する、請求項１１～１３のいずれか１項に記載の基板処理方法。
20. 前記ガス吐出口は、前記基板の径方向に沿って複数設けられ、
    前記ヒータは、前記基板の径方向に沿って複数設けられ、
    前記基板処理方法は、複数の前記ヒータの出力を独立に制御することを有する、請求項１１～１３のいずれか１項に記載の基板処理方法。

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