CN112103209A

CN112103209A - 基片处理方法和基片处理装置

Info

Publication number: CN112103209A
Application number: CN202010511151.9A
Authority: CN
Inventors: 冈村尚幸
Original assignee: Tokyo Electron Ltd
Current assignee: Tokyo Electron Ltd
Priority date: 2019-06-17
Filing date: 2020-06-08
Publication date: 2020-12-18
Also published as: JP2020205334A; JP7292120B2

Abstract

本发明提供一种基片处理方法和基片处理装置。本发明的基片处理方法包括处理液供给步骤、两种液体供给步骤、第1移动步骤和第2移动步骤。处理液供给步骤，向基片供给处理液。两种液体供给步骤，在处理液供给步骤之后，一边向基片供给处理液，一边还向基片供给挥发性比处理液高的干燥用液体。第1移动步骤，在两种液体供给步骤中，使处理液的排出位置向基片的外周部移动。第2移动步骤，在第1移动步骤之后，且从开始向基片供给干燥用液体起经过了预先设定的时间之后，使干燥用液体的排出位置向基片的外周部移动。根据本发明，能够降低附着于基片的颗粒的量。

Description

基片处理方法和基片处理装置

技术领域

本发明涉及基片处理方法和基片处理装置。

背景技术

作为使清洗处理后的基片干燥的方法，已知有通过对基片的表面供给挥发性液体，来将残留在基片上的液体置换为挥发性液体，之后，通过使挥发性液体挥发来使基片干燥的方法。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2015-213105号公报。

发明内容

本发明提供一种能够降低附着于基片的颗粒的量的技术。

本发明的一个方式的基片处理方法包括处理液供给步骤、两种液体供给步骤、第1移动步骤和第2移动步骤。处理液供给步骤，向基片供给处理液。两种液体供给步骤，在处理液供给步骤之后，一边向基片供给处理液，一边还向基片供给挥发性比处理液高的干燥用液体。第1移动步骤，在两种液体供给步骤中，使处理液的排出位置向基片的外周部移动。第2移动步骤，在第1移动步骤之后，且从开始向基片供给干燥用液体起经过了预先设定的时间之后，使干燥用液体的排出位置向基片的外周部移动。

根据本发明，能够降低附着于基片的颗粒的量。

附图说明

图1是表示实施方式的基片处理系统的构成的图。

图2是表示实施方式的处理单元的构成的图。

图3是表示处理单元所执行的基片处理的处理步骤的流程图。

图4是表示置换处理的动作例的图。

图5是表示置换处理的动作例的图。

图6是表示置换处理的动作例的图。

图7是表示置换处理的动作例的图。

图8是表示置换处理的动作例的图。

图9是表示置换处理的动作例的图。

图10是表示变形例的第2移动步骤的动作例的图。

附图标记说明

W 晶片

1 基片处理系统

2 送入送出站

3 处理站

4 控制装置

16 处理单元

18 控制部

19 存储部

20 腔室

30 基片保持机构

31 保持部

32 支柱部

33 驱动部

40 第1供给部

41 冲洗液喷嘴

42 药液喷嘴

43 第1臂

44 第1移动机构

45 阀

46 冲洗液供给源

47 阀

48 药液供给源

50 第2供给部

51 干燥用液体喷嘴

53 第2臂

54 第2移动机构

55 阀

56 干燥用液体供给源

467、487、567 供给线路

具体实施方式

以下，参照附图详细说明本发明的基片处理方法和基片处理装置的实施方式(以下记为“实施方式”)。此外，本发明的基片处理方法和基片处理装置不限于该实施方式。另外，各实施方式能够在处理内容不矛盾的范围内适当组合。另外，在以下的各实施方式中对同一部位标注相同的附图标记，并省略重复说明。

另外，在以下参照的各附图中，为了使说明容易理解，存在规定了彼此正交的X轴、Y轴和Z轴，并表示以Z轴正方向为铅垂向上的方向的正交坐标系的情况。另外，也存在将以铅垂轴为旋转中心的旋转方向为θ方向的情况。

<基片处理系统的构成>

图1是表示实施方式的基片处理系统的构成的图。如图1所示，基片处理系统1包括送入送出站2和处理站3。送入送出站2和处理站3相邻设置。

送入送出站2包括载体载置部11和运送部12。在载体载置部11载置用于将多个基片即本实施方式中的半导体晶片(以下晶片W)以水平状态收纳的多个载体C。

在载体载置台11上，多个装载船与运送部12相邻地并排配置，多个装载船分别逐个地载置载体C。

运送部12与载体载置部11相邻设置，在内部具有基片运送装置13和交接部14。基片运送装置13具有保持晶片W的晶片保持机构。另外，基片运送装置13能够进行向水平方向和铅垂方向的移动和以铅垂轴为中心的旋转，使用晶片保持机构在载体C与交接部14之间进行晶片W的运送。

处理站3与运送部12相邻设置。处理站3具有运送部15和多个处理单元16。多个处理单元16在运送部15的两侧排列设置。

运送部15在内部具有基片运送装置17。基片运送装置17具有保持晶片W的晶片保持机构。另外，基片运送装置17能够进行向水平方向和铅垂方向的移动和以铅垂轴为中心的旋转，使用晶片保持机构在交接部14与处理单元16之间进行晶片W的运送。

处理单元16对由基片运送装置17运送的晶片W进行规定的基片处理。

另外，基片处理系统1具有控制装置4。控制装置4例如是计算机，具有控制部18和存储部19。存储部19保存有控制基片处理系统1中所执行的各种处理的程序。控制部18通过读取并执行存储部19所存储的程序，来控制基片处理系统1的动作。

此外，该程序可以记录在计算机可读取的存储介质中，也可以从该存储介质安装到控制装置4的存储部19。作为计算机可读取的存储介质，例如具有硬盘(HD)、软盘(FD)、光盘(CD)、磁盘(MO)、存储卡等。

在如上述方式构成的基片处理系统1中，首先，送入送出站2的基片运送装置13从载体载置部11所载置的载体C取出晶片W，并将所取出的晶片W载置到交接部14。载置于交接部14的晶片W由处理站3的基片运送装置17从交接部14取出，并送入处理单元16。

被送入处理单元16的晶片W，在由处理单元16处理后，由基片运送装置17从处理单元16送出，并载置到交接部14。然后，载置于交接部14的处理完的晶片W通过基片运送装置13被送回到载体载置部11的载体C。

<处理单元的构成>

接着，参照图2说明处理单元16。图2是表示处理单元16的概略构成的图。

如图2所示，处理单元16具有腔室20、基片保持机构30、第1供给部40、第2供给部50和回收杯体60。

腔室20中收纳有基片保持机构30、第1供给部40、第2供给部50和回收杯体60。在腔室20的顶部设有FFU(Fan Filter Unit，风机过滤单元)21。FFU21在腔室20内形成向下的气流。

基片保持机构30具有保持部31、支柱部32和驱动部33。保持部31水平地保持晶片W。具体而言，保持部31具有多个抓持部31a，使用多个抓持部31a来抓持晶片W的周缘部。支柱部32在垂直方向上延伸，根端部由驱动部33可旋转地支承，在前端部水平地支承保持部31。驱动部33使支柱部32绕垂直轴旋转。上述基片保持机构30使用驱动部33来使支柱部32旋转，以使支柱部32所支承的保持部31旋转，由此使保持部31所保持的晶片W旋转。

第1供给部40具有冲洗液喷嘴41、药液喷嘴42、支承冲洗液喷嘴41和药液喷嘴42的第1臂43以及使第1臂43移动的第1移动机构44。

冲洗液喷嘴41与供给线路467连接。供给线路467将冲洗液喷嘴41与冲洗液供给源46连接。冲洗液供给源46经由供给线路467向冲洗液喷嘴41供给冲洗液。在此，作为冲洗液，能够使用DIW(脱离子水)。在供给线路467设置有阀45。阀45能够通过开闭供给线路467来切换从冲洗液喷嘴41向晶片W的DIW的排出和不排出。

药液喷嘴42与供给线路487连接。供给线路487将药液喷嘴42与药液供给源48连接。药液供给源48经由供给线路487向药液喷嘴42供给药液。药液的种类没有特别限定，例如能够使用HF(氟酸)、SC1(氨水/过氧化氢/水的混合液)等。在供给线路487设置有阀47。阀47能够通过开闭供给线路487来切换从药液喷嘴42向晶片W的药液的排出和不排出。

第2供给部50具有干燥用液体喷嘴51、支承干燥用液体喷嘴51的第2臂53、使第2臂53移动的第2移动机构54。

干燥用液体喷嘴51与供给线路567连接。供给线路567将干燥用液体喷嘴51与干燥用液体供给源56连接。干燥用液体供给源56经由供给线路567向干燥用液体喷嘴51供给干燥用液体。在此，作为干燥用液体，能够使用IPA(异丙醇)。此外，干燥用液体例如可以为丙酮等的IPA以外的挥发性溶剂。除此之外，干燥用液体也可以为比冲洗液(在此为DIW)挥发性高的液体。在供给线路567设置有阀55。阀55能够通过开闭供给线路567来切换从干燥用液体喷嘴51向晶片W的IPA的排出和不排出。

干燥用液体供给源56具有贮存IPA的罐561和从罐561出来又返回罐561的循环线路562。在循环线路562设置有泵563。泵563形成从罐561出来通过循环线路562又返回罐561的循环流。另外，在循环线路562上，加热器564和过滤器565设置在比泵563靠下游侧。加热器564加热循环线路562中流动的IPA。IPA例如由加热器564加热至65～75℃程度。过滤器565除去IPA中所包含的颗粒等的杂质。

另外，循环线路562与多个供给线路567连接。各供给线路567将循环线路562中流动的处理液供给到对应的处理单元16。各循环线路562根据需要能够设置流量控制阀等的流量调整机构、过滤器等。另外，在循环线路562上，在比多个供给线路567靠下游侧设置有用于开闭循环线路562的阀566。

罐561与用于补充IPA的补充部568连接。另外，在罐561设置有用于将罐561内的IPA废弃的排出部569。

此外，药液喷嘴42可以设置在第2供给部50。另外，处理单元16除了具有第1臂43、第2臂53、第1移动机构44和第2移动机构54之外，还具有支承药液喷嘴42的第3臂和使该第3臂移动的第3移动机构。

回收杯体60成以包围保持部31的方式配置，收集因保持部31的旋转而从晶片W飞散的处理液。在回收杯体60的底部形成有排液口61，由回收杯体60收集的处理液从该排液口61被排出到处理单元16的外部。另外，在回收杯体60的底部形成有将从FFU21供给的气体排出到处理单元16的外部的排气口62。

<处理单元的具体的动作>

接着，参照图3说明处理单元16所执行的基片清洗处理的内容。图3是表示处理单元16所执行的基片处理的处理步骤的流程图。此外，图3所示的处理步骤，是通过控制部18读取控制装置4的存储部19所保存的程序，并且基于所读取的命令控制处理单元16等来执行的。

如图3所示，首先进行药液处理(步骤S101)。在药液处理中，保持晶片W的保持部31旋转。另外，药液喷嘴42配置在晶片W的中央上方。之后，阀47开放预先设定的时间，由此从药液喷嘴42向旋转的晶片W的中央部排出药液。被供给到晶片W的中央部的药液，通过伴随晶片W的旋转而产生的离心力，在晶片W的上表面整体扩展。由此，晶片W的上表面被处理。例如，晶片W的器件面即上表面被清洗。

接着，进行冲洗处理(步骤S102)。在冲洗处理中，在晶片W的中央上方配置冲洗液喷嘴41。之后，阀45开放预先设定的时间，从冲洗液喷嘴41向旋转的晶片W的中央部排出作为冲洗液的DIW。被供给到晶片W的中央部的DIW通过伴随晶片W的旋转而产生的离心力，在晶片W的上表面整体扩展。由此，残留在晶片W的上表面的药液被DIW冲洗走。

接着，进行置换处理(步骤S103)。置换处理是将残留在晶片W上的DIW置换为挥发性比DIW高的IPA的处理。在此，在停止向晶片W供给DIW后，要开始向晶片W供给IPA时，从停止DIW的供给后到开始供给IPA为止的期间晶片W会干燥，换言之，晶片W的上表面有可能会从液膜露出。由于晶片W干燥，因此，在晶片W的上表面会产生水印，或者残留于晶片W的上表面的颗粒的量会增加。

因此，在置换处理中，一边接着冲洗处理从冲洗液喷嘴41向晶片W的上表面供给DIW，一边从干燥用液体喷嘴51向晶片W的上表面供给IPA。即，同时对晶片W供给DIW和IPA这两种液体。之后，使冲洗液喷嘴41向晶片W的外周部移动。由此，能够使IPA的液膜扩展，并且用DIW的液膜覆盖IPA尚未到达的晶片W上的区域。因此，能够抑制晶片W的干燥。置换处理的详细在后文述说。

接着，进行干燥处理(步骤S104)。在干燥处理中，保持部31的转速增加。由此，残留于晶片W的IPA被甩出而使晶片W干燥。在干燥处理结束时，保持部31的旋转停止。之后，晶片W由基片运送装置17(参照图1)从处理单元16送出。由此，对一个晶片W进行的一系列的基片处理结束。

但是，在从干燥用液体喷嘴51排出的IPA中有可能混入有从阀55产生的杂质。该杂质例如是在阀55的开闭动作中阀55的可动部(活塞)与阀55的固定部(气缸)摩擦而产生的金属粉等的微颗粒。尤其是，如本实施方式那样使用被加热的IPA的情况下，因被加热的IPA而使阀55热膨胀，由此可动部与固定部之间的摩擦力增大，其结果，导致杂质的产生量增大。另外，如本实施方式的那样同时进行DIW和IPA的排出的情况下，含有杂质的IPA和DIW在晶片W上混合时，有可能导致在晶片W上杂质附着而使颗粒增加。

因此，在实施方式的处理单元16中，为了使从阀55产生的杂质难以残留在晶片W上，而控制置换处理中的第2供给部50等的动作。以下，参照图4～图9说明置换处理中的处理单元16的具体的动作。图4～图9是表示置换处理的动作例的图。

此外，图4～图6是表示置换处理中的两种液体供给步骤的动作例的图。另外，图5和图6是表示置换处理中的第1移动步骤的动作例的图。另外，图8是表示置换处理中的第2移动步骤、维持步骤、转速变更步骤和流量变更步骤的动作例的图。另外，图9是表示置换处理中的第3移动步骤的动作例的图。

首先，如图4所示，接着冲洗处理之后，即冲洗处理结束后，不停止来自冲洗液喷嘴41的DIW的排出，从配置在晶片W的中央上方的冲洗液喷嘴41向旋转的晶片W供给DIW。另外，干燥用液体喷嘴51由第2移动机构54(参照图2)从晶片W的外方开始向晶片W的中央部移动。

在此，杂质M在阀55关闭时产生较多。因此，如图4所示，在供给线路567中残留有前次的置换处理中关闭阀55时产生的杂质M。在此，虽然表示了杂质M残留在比阀55靠下游侧的供给线路567中的例子，但是也存在杂质M残留在比阀55靠上游侧的供给线路567和/或阀55内的情况。

接着，如图5所示，通过第1移动机构44(参照图2)使冲洗液喷嘴41开始从晶片W的中央部向外周部移动。另外，在干燥用液体喷嘴51到达晶片W的中央上方后，打开阀55，由此从干燥用液体喷嘴51向晶片W的中央部供给IPA。如图6所示，IPA的液膜伴随冲洗液喷嘴41的移动而扩大。

接着，如图7所示，冲洗液喷嘴41到达晶片W的外周部后，阀45关闭，从而停止从冲洗液喷嘴41向晶片W的DIW的供给。由此，能够抑制晶片W的干燥，在晶片W的上表面整体形成IPA的液膜。

如图5～图7所示，在处理单元16中，设定比阀55靠下游侧的供给线路567的容积和IPA的流量，以使得残留于阀55周边的杂质M在DIW的供给停止之前不从干燥用液体喷嘴51排出。由此，能够抑制含有杂质M的IPA与DIW混合，因此能够抑制颗粒的增加。此外，不限于此，也可以设定比阀55靠下游侧的供给线路567的容积和IPA的流量，以使得含有杂质M的IPA至少在晶片W的上表面整体形成IPA的液膜之后才从干燥用液体喷嘴51排出。通过不含有杂质M的IPA覆盖晶片W的上表面整体，能够抑制杂质M对晶片W的附着。

接着，从开始向晶片W供给IPA后(参照图5)经过预先设定的时间(第1设定时间)时，干燥用液体喷嘴51开始向晶片W的外周部移动。

第1设定时间能够基于比阀55靠下游侧的供给线路567的容积、IPA的流量、干燥用液体喷嘴51的移动速度等，设定为比阀55打开后起到杂质M从干燥用液体喷嘴51排出所需的时间短的时间。“阀55打开后起到杂质M从干燥用液体喷嘴51排出所需的时间”是通过事先的实验或者模拟等来确定的。

由此，如图8所示，在干燥用液体喷嘴51到达晶片W的外周部后，含有杂质M的IPA被排出到晶片W的外周部。这样，通过将含有杂质M的IPA排出到晶片W的外周部，与将含有杂质M的IPA排出到晶片W的中央部的情况相比，能够抑制杂质M对晶片W的附着量。

干燥用液体喷嘴51的位置，在干燥用液体喷嘴51到达晶片W的外周部后直到经过预先设定的时间(第2设定时间)为止，被维持在晶片W的外周部。第2设定时间被设定为含有杂质M的IPA从干燥用液体喷嘴51排出后直到排出结束为止所需的时间以上的时间。由此，能够抑制例如在接下来的第3移动步骤中含有杂质M的IA被排出到晶片W的比外周部靠径向内侧的位置。

另外，如图8所示，干燥用液体喷嘴51到达晶片W的外周部后经过第2设定时间为止，使保持部31的转速增加。即，晶片W更高速地旋转。由此，能够将排出到晶片W的外周部的杂质M更快速地排出到晶片W的外方。即，能够提高杂质M的排出性能。在经过第2设定时间之后，保持部31的转速返回原来的转速。

另外，在干燥用液体喷嘴51到达晶片W的外周部后经过第2设定时间为止，使从干燥用液体喷嘴51排出的IPA的流量增加。由此，与将含有杂质M的IPA以低流量排出的情况相比，含有杂质M的IPA更难以在晶片W上残留，因此能够提高杂质M的排出性能。在经过第2设定时间后，IPA的流量返回原来的流量。

接着，当经过第2设定时间时，如图9所示，使干燥用液体喷嘴51从晶片W的外周部开始向中央部移动。然后，在干燥用液体喷嘴51到达晶片W的中央部后经过预先设定的时间(第3设定时间)为止，从干燥用液体喷嘴51向晶片W的中央部供给IPA。之后，在经过第3设定时间时，关闭阀55，以停止从干燥用液体喷嘴51向晶片W的IPA供给。

此外，如上所述，杂质M在阀55关闭时会产生较多。在此，本发明的发明人发现，越是减慢阀55的关闭速度，晶片W上的颗粒量越减少。基于该发现，而将阀55的关闭速度设定为比打开速度慢。通过这样地设定，能够降低下一次的置换处理中会排出到晶片W上的杂质M的量。例如，在阀55为单动式的常闭阀的情况下，阀55的关闭速度能够使用可调节用于打开阀55的空气压的调速器来进行调节。此外，阀55可以为双动式。作为阀55，通过使用双动式的阀，与单动式的阀相比能够进一步减慢关闭速度。

<第2移动步骤的变形例>

接着，参照图10说明上述的第2移动步骤的变形例。图10是表示变形例的第2移动步骤的动作例的图。

如图10所示，在第2移动步骤中，干燥用液体喷嘴51经过晶片W的外周部而移动至晶片W的外方。在该情况下，含有杂质M的IPA被排出至晶片W的外方。因此，能够更可靠地抑制杂质M附着在晶片W的上表面。此外，为了抑制含有杂质M的IPA附着在抓持部31a(参照图2)，可以替代保持部31，而使用例如真空吸盘等的对晶片W的下表面进行吸引来进行保持的保持部。

如上所述，实施方式的基片处理方法包括处理液供给步骤(作为一个例子，冲洗处理)、两种液体供给步骤(作为一个例子，置换处理中的两种液体供给步骤)、第1移动步骤(作为一个例子，置换处理中的第1移动步骤)、第2移动步骤(作为一个例子，置换处理中的第2移动步骤)。处理液供给步骤，向基片(作为一个例子，晶片W)供给处理液(作为一个例子，DIW)。两种液体供给步骤，在处理液供给步骤之后，一边向基片供给处理液，一边还向基片供给挥发性比处理液高的干燥用液体(作为一个例子，IPA)。第1移动步骤，在两种液体供给步骤中，使处理液的排出位置向基片的外周部移动。第2移动步骤，在第1移动步骤之后，且从开始向基片供给干燥用液体起经过了预先设定的时间(作为一个例子，第1设定时间)之后，使干燥用液体的排出位置向基片的外周部移动。

由此，例如，能够将含有杂质的干燥用液体排出到基片的外周部。因此，与将含有杂质的干燥用液体排出到基片的中央部的情况相比，能够抑制附着于基片的杂质的量。因此，能够降低附着于基片的颗粒的量。另外，与例如在开始干燥用液体的排出之前进行预先的喷射来排出杂质的情况相比，能够抑制干燥用液体的消耗量。

此外，在上述的实施方式中，说明了在两种液体供给步骤中将干燥用液体排出到基片的中央部后，在第2移动步骤中，使干燥用液体的排出位置向基片的外周部移动的情况的例子。但是，第2移动步骤之前的干燥用液体的排出位置并不需要一定在基片的中央部，只要与基片的外周部相比靠径向内侧即可。

另外，在上述的实施方式中，在第2移动步骤中，说明了一边排出干燥用液体一边使干燥用液体的排出位置移动的情况的例子。但是，不限于此，例如，在第2移动步骤结束为止的期间，也可以停止干燥用液体的排出。

另外，在上述的实施方式中，说明了在第1移动步骤中，在处理液的排出位置到达基片的外周部后，使处理液的排出停止的情况的例子。但是，不限于此，处理液也可以在基片的外周部继续排出。

预先设定的时间是基于以下两者来确定的，即：干燥用液体所流通的配管(作为一个例子，供给线路567)中的位于比切换干燥用液体的排出和不排出的阀(作为一个例子，阀55)靠下游侧的部分的容积；和配管中流通的干燥用液体的流量。

例如在处理液为水的情况下，在基片上杂质与水接触而使杂质固接于基片，使得基片上的颗粒量增加。对此，通过将预先设定的时间以上述方式进行设定，能够抑制杂质与水混合，从而抑制颗粒的增加。

预先设定的时间也可以设定为比阀打开之后起到从阀产生的杂质(作为一个例子，杂质M)能够与干燥用液体一起被排出所需的时间短的时间。由此，例如在处理液为水的情况下，能够抑制杂质与水混合，从而抑制颗粒的增加。

实施方式的基片处理方法还可以包括第3移动步骤(作为一个例子，置换处理中的第3移动步骤)。第3移动步骤，在第2移动步骤之后，使干燥用液体的排出位置向基片的中央部移动。由此，能够抑制与干燥用液体一起被排出的杂质附着于基片，并且能够在基片形成干燥用液体的液膜。

实施方式的基片处理方法还可以包括维持步骤(作为一个例子，置换处理中的维持步骤)。维持步骤，在第2移动步骤之后且第3移动步骤之前，将干燥用液体的排出位置维持在基片的外周部。由此，例如能够抑制含有杂质的干燥用液体被排出到外周部以外的基片上。因此，能够更可靠地抑制杂质对基片的附着量。

实施方式的基片处理方法还可以包括转速变更步骤(作为一个例子，置换处理中的转速变更步骤)。转速变更步骤，在维持步骤中使基片的转速增加。由此，例如能够将排出到基片的外周部的杂质更快速地排出到基片的外方。

实施方式的基片处理方法还可以包括流量变更步骤(作为一个例子，置换处理中的流量变更步骤)。流量变更步骤，在维持步骤中使干燥用液体的流量增加。由此，与将含有杂质的干燥用液体以低流量排出的情况相比，含有杂质的干燥用液体更加难以残留在基片上，因此能够提高杂质的排出性能。

在第2移动步骤中可以使干燥用液体的排出位置移动至基片的外方。在该情况下，含有杂质的干燥用液体被排出到基片的外方。因此，能够更可靠地抑制杂质附着于基片。

另外，实施方式的基片处理装置(作为一个例子，处理单元16)包括保持部(作为一个例子，基片保持机构30)、第1供给部(作为一个例子，第1供给部40)、第2供给部(作为一个例子，第2供给部50)和控制部(作为一个例子，控制部18)。保持部能够将基片(作为一个例子，晶片W)以可旋转的方式保持。第1供给部包括向保持部所保持的基片供给处理液(作为一个例子，DIW)的第1喷嘴(作为一个例子，冲洗液喷嘴41)和使第1喷嘴移动的第1移动机构(作为一个例子，第1移动机构44)。第2供给部包括向保持部所保持的基片供给挥发性比处理液高的干燥用液体(作为一个例子，IPA)的第2喷嘴(作为一个例子，干燥用液体喷嘴51)和使第2喷嘴移动的第2移动机构(作为一个例子，第2移动机构54)。控制部通过控制第1供给部和第2供给部来执行处理液供给处理、两种液体供给处理、第1移动处理和第2移动处理。处理液供给处理，向基片供给处理液。两种液体供给处理，在处理液供给处理之后，一边向基片供给处理液，一边还向基片供给干燥用液体。第1移动处理，在两种液体供给处理中，使处理液的排出位置向基片的外周部移动。第2移动处理，在第1移动处理之后，且从开始向基片供给干燥用液体起经过了预先设定的时间之后，使干燥用液体的排出位置向基片的外周部移动。由此，能够降低附着于基片的颗粒的量。

第2供给部还包括：将干燥用液体供给到第2喷嘴的配管；和设置在配管中的、通过开闭配管来切换干燥用液体的排出和不排出的阀。阀的关闭速度可以设定得比打开速度慢。由此，能够减少从阀产生的杂质的量。因此，能够降低附着于基片的颗粒的量。

此外，本发明公开的实施方式在所有的方面均是例示，不应考虑为限制性的。实际上，上述的实施方式能够通过多种方式实现。另外，上述的实施方式在不脱离附加的权利要求范围及其主旨的范围内，能够以各种的方式省略、置换、变更。

Claims

1.一种基片处理方法，其特征在于，包括：

向基片供给处理液的处理液供给步骤；

在所述处理液供给步骤之后，一边向所述基片供给所述处理液，一边还向所述基片供给挥发性比所述处理液高的干燥用液体的两种液体供给步骤；

在所述两种液体供给步骤中，使所述处理液的排出位置向所述基片的外周部移动的第1移动步骤；和

在所述第1移动步骤之后，且从开始向所述基片供给所述干燥用液体起经过了预先设定的时间之后，使所述干燥用液体的排出位置向所述基片的外周部移动的第2移动步骤。

2.如权利要求1所述的基片处理方法，其特征在于：

所述预先设定的时间是基于以下两者来确定的，即：所述干燥用液体所流通的配管中的位于比切换所述干燥用液体的排出和不排出的阀靠下游侧的部分的容积；和所述配管中流通的所述干燥用液体的流量。

3.如权利要求1所述的基片处理方法，其特征在于：

所述预先设定的时间设定为比以下时间短的时间，即：阀打开之后起到从所述阀产生的杂质能够与所述干燥用液体一起被排出所需的时间，其中，所述阀是设置在所述干燥用液体所流通的配管中的切换所述干燥用液体的排出和不排出的阀。

4.如权利要求1～3中任一项所述的基片处理方法，其特征在于：

还包括在所述第2移动步骤之后，使所述干燥用液体的排出位置向所述基片的中央部移动的第3移动步骤。

5.如权利要求4所述的基片处理方法，其特征在于：

还包括在所述第2移动步骤之后且所述第3移动步骤之前，将所述干燥用液体的排出位置维持在所述基片的外周部的维持步骤。

6.如权利要求5所述的基片处理方法，其特征在于：

还包括在所述维持步骤中使所述基片的转速增加的转速变更步骤。

7.如权利要求5或6所述的基片处理方法，其特征在于：

还包括在所述维持步骤中使所述干燥用液体的流量增加的流量变更步骤。

8.如权利要求1至4中任一项所述的基片处理方法，其特征在于：

所述第2移动步骤使所述干燥用液体的排出位置移动到所述基片的外方。

9.一种基片处理装置，其特征在于，具有：

能够将基片以可旋转的方式保持的保持部；

第1供给部，其包括向所述保持部所保持的所述基片供给处理液的第1喷嘴和使所述第1喷嘴移动的第1移动机构；

第2供给部，其包括向所述保持部所保持的所述基片供给挥发性比所述处理液高的干燥用液体的第2喷嘴和使所述第2喷嘴移动的第2移动机构；和

控制部，其通过控制所述第1供给部和所述第2供给部来执行以下处理，即：向所述基片供给处理液的处理液供给处理；在所述处理液供给处理之后，一边向所述基片供给所述处理液，一边还向所述基片供给干燥用液体的两种液体供给处理；在所述两种液体供给处理中，使所述处理液的排出位置向所述基片的外周部移动的第1移动处理；和在所述第1移动处理之后，且从开始向所述基片供给所述干燥用液体起经过了预先设定的时间之后，使所述干燥用液体的排出位置向所述基片的外周部移动的第2移动处理。

10.如权利要求9所述的基片处理装置，其特征在于：

所述第2供给部还包括：

将所述干燥用液体供给到所述第2喷嘴的配管；和

设置在所述配管中的、通过开闭所述配管来切换所述干燥用液体的排出和不排出的阀，

所述阀的关闭速度设定得比打开速度慢。