CN113838774A - 液处理装置和液处理方法 - Google Patents

液处理装置和液处理方法 Download PDF

Info

Publication number
CN113838774A
CN113838774A CN202110666079.1A CN202110666079A CN113838774A CN 113838774 A CN113838774 A CN 113838774A CN 202110666079 A CN202110666079 A CN 202110666079A CN 113838774 A CN113838774 A CN 113838774A
Authority
CN
China
Prior art keywords
line
liquid
ipa
supply
supply line
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202110666079.1A
Other languages
English (en)
Inventor
小佐井一树
高松祐助
井上大诚
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Electron Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Publication of CN113838774A publication Critical patent/CN113838774A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01DSEPARATION
    • B01D35/00Filtering devices having features not specifically covered by groups B01D24/00 - B01D33/00, or for applications not specifically covered by groups B01D24/00 - B01D33/00; Auxiliary devices for filtration; Filter housing constructions
    • B01D35/02Filters adapted for location in special places, e.g. pipe-lines, pumps, stop-cocks
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08CLEANING
    • B08BCLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B13/00Accessories or details of general applicability for machines or apparatus for cleaning
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08CLEANING
    • B08BCLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B3/00Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B3/02Cleaning by the force of jets or sprays
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08CLEANING
    • B08BCLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B3/00Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B3/04Cleaning involving contact with liquid
    • B08B3/08Cleaning involving contact with liquid the liquid having chemical or dissolving effect
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08CLEANING
    • B08BCLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B3/00Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B3/04Cleaning involving contact with liquid
    • B08B3/10Cleaning involving contact with liquid with additional treatment of the liquid or of the object being cleaned, e.g. by heat, by electricity or by vibration
    • B08B3/14Removing waste, e.g. labels, from cleaning liquid; Regenerating cleaning liquids
    • FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F17STORING OR DISTRIBUTING GASES OR LIQUIDS
    • F17DPIPE-LINE SYSTEMS; PIPE-LINES
    • F17D1/00Pipe-line systems
    • F17D1/08Pipe-line systems for liquids or viscous products
    • F17D1/14Conveying liquids or viscous products by pumping
    • FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F17STORING OR DISTRIBUTING GASES OR LIQUIDS
    • F17DPIPE-LINE SYSTEMS; PIPE-LINES
    • F17D3/00Arrangements for supervising or controlling working operations
    • F17D3/01Arrangements for supervising or controlling working operations for controlling, signalling, or supervising the conveyance of a product
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041Cleaning
    • H01L21/02057Cleaning during device manufacture
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67109Apparatus for thermal treatment mainly by convection
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/6715Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67248Temperature monitoring
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08CLEANING
    • B08BCLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B2203/00Details of cleaning machines or methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B2203/007Heating the liquid

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Public Health (AREA)
  • Water Supply & Treatment (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

本发明提供能够提高处理液的清洁度的液处理装置和液处理方法。本发明的实施方式的液处理装置包括储存罐、循环管线、供给管线、返回管线和至少一个过滤器。储存罐用于储存处理液。循环管线用于使从储存罐输送的处理液返回到储存罐。供给管线用于将循环管线和向基片供给处理液的供给部连接。返回管线与供给管线连接,用于使处理液从供给管线返回到储存罐。过滤器设置在供给管线的比返回管线与供给管线的连接部位靠上游侧的位置和返回管线中的至少一者,用于除去处理液中的异物。

Description

液处理装置和液处理方法
技术领域
本发明涉及液处理装置和液处理方法。
背景技术
专利文献1公开了一种液处理装置,其用于从处理液循环的循环管线经由供给管线向处理单元供给处理液。液处理装置能够利用与供给管线连接的返回管线不使处理液供给至处理单元,而使处理液返回到循环管线。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2011-35135号公报
发明内容
本发明要解决的技术问题
本发明提供能够提高处理液的清洁度的技术。
用于解决技术问题的手段
本发明的一个方面的液处理装置包括储存罐、循环管线、供给管线、返回管线和至少一个过滤器。储存罐用于储存处理液。循环管线用于使从储存罐输送的处理液返回到储存罐。供给管线用于将循环管线和向基片供给处理液的供给部连接。返回管线与供给管线连接,用于使处理液从供给管线返回到储存罐。过滤器设置在供给管线的比返回管线与供给管线的连接部位靠上游侧的位置和返回管线中的至少一者,用于除去处理液中的异物。
发明效果
采用本发明,能够提高处理液的清洁度。
附图说明
图1是表示实施方式的基片处理系统的概略构成的图。
图2是表示实施方式的处理单元的构成的示意图。
图3是表示实施方式的处理液供给源的概略构成的图。
图4是表示实施方式的供给时的IPA的流动的图。
图5是表示实施方式的待机时的IPA的流动的图。
图6是对实施方式的初始动作时的处理进行说明的流程图。
图7是表示实施方式的变形例的处理液供给源的概略构成的图。
附图标记说明
1基片处理系统(液处理装置),4控制装置,16处理单元,40处理液供给部(供给部),70处理液供给源,71罐(储存罐),74循环管线,75供给管线,76返回管线,80泵,81加热器(温度调节部),85背压阀(流量调节部),91恒压阀,92过滤器,93开关阀(切换部),100开关阀(切换部)。
具体实施方式
下面,参照附图,对本申请公开的液处理装置和液处理方法的实施方式进行详细说明。本发明的液处理装置和液处理方法并不受下面所示的实施方式限定。
<基片处理系统的概要>
参照图1对实施方式的基片处理系统1(液处理装置的一个例子)的概略构成进行说明。图1是表示实施方式的基片处理系统1的概略构成的图。在下面的说明中,为了使位置关系明确,规定彼此正交的X轴、Y轴和Z轴,设Z轴正方向为铅垂向上的方向。
如图1所示,基片处理系统1包括送入送出站2和处理站3。送入送出站2与处理站3相邻地设置。
送入送出站2包括承载器载置部11和输送部12。在承载器载置部11可载置能够将多个基片、在实施方式中是半导体晶片W(下面称为晶片W)以水平状态收纳的多个承载器C。
输送部12与承载器载置部11相邻地设置,在内部设置有基片输送装置13和交接部14。基片输送装置13包括用于保持晶片W的晶片保持机构。基片输送装置13能够在水平方向和铅垂方向上移动并且能够以铅垂轴为中心转动,使用晶片保持机构在承载器C与交接部14之间进行晶片W的输送。
处理站3与输送部12相邻地设置。处理站3包括输送部15和多个处理单元16。多个处理单元16在输送部15的两侧并排设置。
输送部15在内部设置有基片输送装置17。基片输送装置17包括用于保持晶片W的晶片保持机构。基片输送装置17能够在水平方向和铅垂方向上移动并且能够以铅垂轴为中心转动,使用晶片保持机构在交接部14与处理单元16之间进行晶片W的输送。
处理单元16用于对由基片输送装置17输送的晶片W进行基片处理。处理单元16能够保持被输送的晶片,并对所保持的晶片进行基片处理。处理单元16能够向被保持的晶片供给处理液,进行基片处理。处理液可以是HFC(HydroFluoroCarbon:氢氟烷)等对晶片W进行处理的CF类清洗液、或DHF(Diluted HydroFluoric acid:稀释氢氟酸)等对晶片W的残渣进行清洗的清洗液。另外,处理液还可以是DIW(DeIonized Water:去离子水)等冲洗液、IPA(IsoPropyl Alcohol:异丙醇)等置换液。
此外,基片处理系统1包括控制装置4。控制装置4例如为计算机,包括控制部18和存储部19。在存储部19中存储用于对基片处理系统1中执行的各种处理进行控制的程序。控制部18通过读取并执行在存储部19中存储的程序来控制基片处理系统1的动作。
也可以是,上述程序记录在可由计算机读取的存储介质中,从该存储介质安装至控制装置4的存储部19。作为可由计算机读取的存储介质,例如有硬盘(HD)、软盘(FD)、光盘(CD)、磁光盘(MO)、存储卡等。
在如上述那样构成的基片处理系统1中,首先,送入送出站2的基片输送装置13从被载置在承载器载置部11中的承载器C取出晶片W,并将所取出的晶片W载置在交接部14。被载置在交接部14的晶片W由处理站3的基片输送装置17从交接部14取出,并送入处理单元16。
被送入处理单元16的晶片W在由处理单元16进行基片处理后,由基片输送装置17从处理单元16送出,并被载置在交接部14。然后,被载置在交接部14的处理完的晶片W由基片输送装置13送回到承载器载置部11的承载器C。
<处理单元的概要>
接下来,参照图2对处理单元16的概要进行说明。图2是表示实施方式的处理单元16的构成的示意图。处理单元16包括腔室20、基片保持机构30、处理液供给部40和回收皿50。
腔室20用于收纳基片保持机构30、处理液供给部40和回收皿50。在腔室20的顶部设置有FFU(Fan Filter Unit:风扇过滤器单元)21。FFU 21用于在腔室20内形成下降流。
基片保持机构30包括保持部31、支柱部32和驱动部33。保持部31能够水平地保持晶片W。支柱部32是在铅垂方向上延伸的部件,支柱部32的基端部由驱动部33可转动地支承,在支柱部32的前端部水平地支承保持部31。驱动部33能够使支柱部32绕铅垂轴转动。
基片保持机构30通过使用驱动部33使支柱部32转动,来使由支柱部32支承的保持部31转动。由此,被保持在保持部31的晶片W转动。
处理液供给部40(供给部的一个例子)用于向晶片W(基片的一个例子)供给处理液。处理液供给部40与处理液供给源70连接。处理液供给部40包括多个喷嘴。例如,多个喷嘴与各处理液对应地设置。各喷嘴用于向晶片W排出从各处理液供给源70供给的处理液。
回收皿50以包围保持部31的方式配置,用于收集因保持部31的转动而从晶片W飞散的处理液。在回收皿50的底部形成有排液口51,由回收皿50收集的处理液从该排液口51被排出到处理单元16的外部。此外,在回收皿50的底部形成有用于将从FFU 21供给的气体排出到处理单元16的外部的排气口52。
<处理液供给源的概要>
接下来,参照图3对处理液供给源70进行说明。图3是表示实施方式的处理液供给源70的概略构成的图。在此,以供给IPA的处理液供给源70为例进行说明。图3所示的处理液供给源70的构成并不限于供给IPA,也可以应用于供给其它处理液的处理液供给源的构成。此外,在图3中示出了处理液供给源70向2个处理液供给部40供给IPA的一个例子,但是并不限于此。处理液供给源70能够向多个处理液供给部40供给IPA。此外,也可以是处理液供给源70向1个处理液供给部40供给IPA。
处理液供给源70包括罐71、处理液补充部72、排液管线73、循环管线74、供给管线75和返回管线76。
罐71(储存罐的一个例子)用于储存IPA(处理液的一个例子)。处理液补充部72用于向罐71供给新的IPA。例如,在更换罐71的IPA的情况下、或在罐71的IPA少于规定的量的情况下,处理液补充部72向罐71供给新的IPA。
在更换罐71的IPA的情况下,排液管线73将IPA从罐71排出到外部,将IPA废弃。在更换罐71的IPA的情况下,可以在供给新IPA的同时进行IPA的循环,将残留在循环管线74、供给管线75和返回管线76中的IPA废弃。即,可以更换包括残留在循环管线74、供给管线75和返回管线76中的IPA在内的IPA。
循环管线74用于使从罐71(储存罐的一个例子)输送的IPA(处理液的一个例子)返回到罐71。循环管线74设置成使得IPA在罐71的外部流动,再返回到罐71。循环管线74设置成使得能够向多个处理单元16供给IPA。
在循环管线74上设置有泵80、加热器81、过滤器82、流量计83、温度传感器84和背压阀85。具体而言,在循环管线74上,在以罐71为基准的IPA的流动方向上,从上游侧起依次设置有泵80、加热器81、过滤器82、流量计83、温度传感器84和背压阀85。
泵80用于在循环管线74中压送IPA。被压送的IPA在循环管线74中循环,并返回到罐71。
加热器81设置在循环管线74上,用于调节IPA(处理液的一个例子)的温度。具体而言,加热器81用于对IPA进行加热。加热器81基于来自控制装置4的信号来控制IPA的加热量,调节IPA的温度。例如,基于由温度传感器84检测出的IPA的温度,来调节加热器81对IPA的加热量。
例如,控制装置4控制加热器81,将IPA的温度调节到规定的温度。规定的温度是在供给时从处理液供给部40的喷嘴排出到晶片W的IPA的温度成为预先设定的处理温度的温度。规定的温度是基于设置在供给管线75等上的过滤器92的热容量等而设定的温度。
过滤器82用于除去在循环管线74中流动的IPA中包含的颗粒等污染物即异物。流量计83用于测量在循环管线74中流动的IPA的流量。温度传感器84用于检测在循环管线74中流动的IPA的温度。温度传感器84设置在循环管线74的比循环管线74与供给管线75的连接部位靠上游侧的位置。
在背压阀85的上游侧的IPA的压力大于规定的压力的情况下,背压阀85增大阀开度。在背压阀85的上游侧的IPA的压力小于规定的压力的情况下,背压阀85减小阀开度。背压阀85具有将上游侧的处理液的压力保持在规定的压力的功能。规定的压力是预先设定的压力。背压阀85的阀开度由控制装置4(参照图1)控制。
通过控制阀开度,背压阀85能够对循环管线74中的IPA的流量进行调节。即,背压阀85(流量调节部的一个例子)设置在循环管线74上,用于对由循环管线74返回到罐71(储存罐的一个例子)的IPA(处理液的一个例子)的流量进行调节。另外,也可以是通过控制泵80的排出压力来对循环管线74中的IPA的流量进行调节。循环管线74中的IPA的流量可基于由流量计83检测出的IPA的流量来控制。
供给管线75与循环管线74连接。供给管线75与循环管线74的比温度传感器84靠下游侧、并且比背压阀85靠上游侧的位置连接。供给管线75与多个处理液供给部40(供给部的一个例子)对应地设置有多个。供给管线75从循环管线74分支,设置成能够向处理液供给部40供给IPA。供给管线75用于将循环管线74和向晶片W(基片的一个例子)供给IPA(处理液的一个例子)的处理液供给部40连接。
在供给管线75上设置有流量计90、恒压阀91、过滤器92和开关阀93。具体而言,在供给管线75上,从循环管线74侧起依次设置有流量计90、恒压阀91、过滤器92和开关阀93。即,在供给管线75上,在从循环管线74流向处理液供给部40的IPA的流动方向上,从上游侧起依次设置有流量计90、恒压阀91、过滤器92和开关阀93。
流量计90用于测量在供给管线75中流动的IPA的流量。恒压阀91用于调节比恒压阀91靠下游侧的位置的IPA的压力。例如,恒压阀91对IPA的压力进行调节,使得从处理液供给部40的喷嘴排出的IPA的排出量成为规定的排出量。即,恒压阀91能够调节从处理液供给部40的喷嘴排出的IPA的流量。规定的排出量是预先设定的量,可根据晶片W的处理条件来设定。恒压阀91基于来自控制装置4的信号对IPA的压力进行调节。
过滤器92设置在供给管线75的比返回管线76与供给管线75的连接部位75a靠上游侧的位置。过滤器92设置在供给管线75的比恒压阀91靠下游侧的位置。过滤器92用于除去在供给管线75中流动的IPA中包含的颗粒等污染物即异物。即,过滤器92用于除去IPA(处理液的一个例子)中的异物。
过滤器92是比设置在循环管线74上的过滤器82小型的过滤器。过滤器92例如是POU(Point Of Use:使用点)过滤器。通过使用POU过滤器等小型的过滤器,能够抑制供给管线75的大型化、即基片处理系统1的大型化。
开关阀93用于切换对处理液供给部40的IPA的供给的有无。通过打开开关阀93,能够向处理液供给部40供给IPA。即,通过打开开关阀93,能够从处理液供给部40的喷嘴排出IPA。通过关闭开关阀93,能够不向处理液供给部40供给IPA。即,通过关闭开关阀93,能够不从处理液供给部40的喷嘴排出IPA。开关阀93基于来自控制装置4的信号进行开关。即,开关阀93由控制装置4控制。
返回管线76与供给管线75连接,用于使IPA(处理液的一个例子)从供给管线75返回到罐71(储存罐的一个例子)。返回管线76在设置在过滤器92与开关阀93之间的连接部位75a与供给管线75连接。返回管线76与多个处理液供给部40(供给部的一个例子)对应地设置有多个。在返回管线76上设置有开关阀100。
开关阀100用于切换返回管线76中的IPA的流动的有无。通过打开开关阀100,IPA能够从供给管线75流到返回管线76。流到返回管线76的IPA能够返回到罐71。通过关闭开关阀100,IPA不能流到返回管线76。开关阀100基于来自控制装置4的信号进行开关。即,开关阀100由控制装置4控制。
各开关阀93、100(切换部的一个例子)用于将IPA(处理液)的流动切换到返回管线76、或者供给管线75的比连接部位75a靠处理液供给部40(供给部的一个例子)侧的位置。
多个返回管线76在返回管线76中的IPA的流动方向上的比开关阀100靠下游侧的位置合流,并与罐71连接。在返回管线76的比多个返回管线76合流的部位靠下游侧的位置,设置有温度传感器101。温度传感器101用于检测从返回管线76返回到罐71的IPA的温度。此外,也可以是返回管线76与循环管线74的比背压阀85靠下游侧的位置连接。
<供给时的IPA的流动>
接下来,参照图4对供给时的IPA的流动进行说明。图4是表示实施方式的供给时的IPA的流动的图。
在从处理液供给部40(供给部的一个例子)向晶片W(基片的一个例子)供给IPA(处理液的一个例子)的供给时,控制装置4控制各开关阀93、100(切换部的一个例子)使得IPA流入处理液供给部40。具体而言,在供给时,控制装置4将设置在返回管线76上的开关阀100关闭,将设置在供给管线75上的开关阀93打开。由此,IPA不流入返回管线76,而从处理液供给部40的喷嘴排出。
在供给管线75中流动的IPA由过滤器92除去异物,从处理液供给部40的喷嘴向晶片W排出。因此,能够向晶片W排出清洁度高的IPA。
<待机时的IPA的流动>
接下来,参照图5对待机时的IPA的流动进行说明。图5是表示实施方式的待机时的IPA的流动的图。
在不从处理液供给部40(供给部的一个例子)向晶片W(基片的一个例子)供给IPA(处理液的一个例子)的待机时,控制装置4控制开关阀93、100(切换部的一个例子)使得IPA流入返回管线76。具体而言,在待机时,控制装置4将设置在供给管线75上的开关阀93关闭,将设置在返回管线76上的开关阀100打开。由此,IPA不从处理液供给部40的喷嘴排出,而经由返回管线76返回到罐71。
在返回管线76中流动的IPA由设置在供给管线75上的过滤器92除去异物。在待机时IPA中的异物被除去,因此,IPA的清洁度变高。
此外,在多个处理单元16中,根据各处理单元16中的晶片W的处理状况,分别控制各开关阀93、100的开关。
待机时在供给管线75中流动的IPA的流量,是与供给时在供给管线75中流动的IPA的流量相同的流量。由此,通过切换各开关阀93、100的开关,能够向晶片W供给规定的排出量的IPA。
<初始动作时的控制>
接下来,参照图6对初始动作时的处理进行说明。图6是对实施方式的初始动作时的处理进行说明的流程图。初始动作包括更换罐71的IPA的更换动作、向罐71补充IPA的补充动作、和基片处理系统1的启动动作。
在初始动作时,控制装置4控制各开关阀93、100(切换部的一个例子)使得IPA(处理液的一个例子)流入返回管线76(S100)。控制装置4在多个供给管线75和多个返回管线76中控制各开关阀93、100,使得IPA流入返回管线76。
控制装置4利用泵80使IPA在循环管线74中循环(S101),并使流入返回管线76的IPA(处理液的一个例子)的流量比待机时增加(S102)。具体而言,在初始动作时,控制装置4通过控制恒压阀91,来使流入返回管线76的IPA(处理液的一个例子)的流量比待机时增加。控制装置4能够控制设置在各供给管线75上的各恒压阀91。另外,在初始动作时,控制装置4通过控制背压阀85,来使由循环管线74返回到罐71(储存罐的一个例子)的IPA(处理液的一个例子)的流量比待机时减少,并使流入返回管线76的IPA的流量比待机时增加。因为由循环管线74返回到罐71的IPA的流量减少,所以,流入各供给管线75的IPA的流量增加,流入返回管线76的IPA的流量增加。
由此,在初始动作时,在循环管线74中循环的IPA由设置在循环管线74上的过滤器82除去异物。此外,从循环管线74流到供给管线75和返回管线76的IPA由设置在供给管线75上的过滤器92除去异物。
在初始动作时,流入供给管线75和返回管线76的IPA的流量比待机时增加。因此,处理液供给源70能够利用设置在供给管线75上的过滤器92将许多异物从IPA中除去。处理液供给源70在初始动作时能够迅速提高IPA的清洁度,能够尽早开始晶片W的处理。即,处理液供给源70能够缩短初始动作的时间。
控制装置4判断从使流入供给管线75和返回管线76的IPA的流量比待机时增加起是否经过了规定的时间(S103)。规定的时间是预先设定的时间,是IPA的清洁度成为预先设定的清洁度的时间。规定的时间可根据初始动作的种类来设定。
控制装置4在从使流入供给管线75和返回管线76的IPA的流量比待机时增加起经过规定的时间之前(S103:否),使流入返回管线76的IPA的流量持续增加(S102)。
控制装置4在从使流入供给管线75和返回管线76的IPA的流量比待机时增加起经过规定的时间时(S103:是),使IPA的流量减少到待机时的流量(S104)。
<效果>
基片处理系统1(液处理装置的一个例子)包括罐71(储存罐的一个例子)、循环管线74、供给管线75、返回管线76和过滤器92。罐71用于储存IPA(处理液的一个例子)。循环管线74用于使从罐71输送的IPA返回到罐71。供给管线75用于将循环管线74和向晶片W(基片的一个例子)供给IPA的处理液供给部40(供给部的一个例子)连接。返回管线76与供给管线75连接,用于使IPA从供给管线75返回到罐71。过滤器92设置在供给管线75的比返回管线76与供给管线75的连接部位75a靠上游侧的位置,用于除去IPA中的异物。
由此,基片处理系统1能够利用过滤器92除去IPA中的异物,提高IPA的清洁度。基片处理系统1例如在待机时能够除去IPA中的异物,在供给时能够向晶片W供给清洁度高的IPA。基片处理系统1通过在靠近处理液供给部40的部位设置过滤器92,能够向晶片W供给清洁度高的IPA。
基片处理系统1包括恒压阀91。恒压阀91设置在供给管线75上。过滤器92设置在供给管线75的比恒压阀91靠下游侧的位置。
由此,基片处理系统1能够使配置在从过滤器92到处理液供给部40的供给管线75上的部件减少,向晶片W供给清洁度高的IPA。
供给管线75和返回管线76可与多个处理液供给部40(供给部的一个例子)对应地设置多个。由此,基片处理系统1能够利用设置在各供给管线75上的过滤器92除去IPA中的异物,能够尽早除去IPA中的异物。
基片处理系统1包括加热器81(温度调节部的一个例子)。加热器81设置在循环管线74上,用于对IPA(处理液的一个例子)的温度进行调节。
由此,基片处理系统1能够利用加热器81调节IPA的温度,使通过过滤器92并从处理液供给部40供给到晶片W的IPA的温度稳定。
基片处理系统1包括各开关阀93、100(切换部)和控制装置4。各开关阀93、100用于将IPA(处理液的一个例子)的流动切换到返回管线76、或者供给管线75的比连接部位75a靠处理液供给部40(供给部的一个例子)侧的位置。控制装置4能够控制各开关阀93、100。在不从处理液供给部40向晶片W(基片的一个例子)供给IPA的待机时,控制装置4控制开关阀93、100使得IPA流入返回管线76。在从处理液供给部40向晶片W供给IPA的供给时,控制装置4控制开关阀93、100使得IPA流入处理液供给部40。
由此,基片处理系统1能够在待机时和供给时利用过滤器92除去IPA中的异物,能够提高IPA的清洁度。基片处理系统1能够在待机时利用过滤器92除去IPA中的异物,从而在供给时向晶片W供给清洁度高的IPA。
在初始动作时,控制装置4控制各开关阀93、100(切换部的一个例子)使得IPA(处理液的一个例子)流入返回管线76,并且使流入返回管线76的IPA(处理液的一个例子)的流量比待机时增加。
由此,基片处理系统1能够在初始动作时尽早除去IPA中的异物,能够缩短初始动作的时间,尽早开始晶片W的处理。
在初始动作时,控制装置4通过控制恒压阀91,来使流入返回管线76的IPA(处理液的一个例子)的流量比待机时增加。
由此,基片处理系统1能够利用简易的结构使流入设置在供给管线75上的过滤器92的IPA的流量增加,从而尽早除去IPA中的异物。因此,基片处理系统1能够缩短初始动作的时间,尽早开始晶片W的处理。
基片处理系统1包括背压阀85(流量调节部的一个例子)。背压阀85设置在循环管线74上,用于对由循环管线74返回到罐71(储存罐的一个例子)的IPA的流量进行调节。在初始动作时,控制装置4通过控制背压阀85,来使由循环管线74返回到罐71的IPA的流量比待机时减少,并使流入返回管线76的IPA的流量比待机时增加。
由此,基片处理系统1能够利用简易的结构使流入设置在供给管线75上的过滤器92的IPA的流量增加,从而尽早除去IPA中的异物。因此,基片处理系统1能够缩短初始动作的时间,尽早开始晶片W的处理。
<变形例>
在处理液供给源70中,也可以是如图7所示的那样,过滤器92设置在供给管线75的比恒压阀91靠上游侧的位置。图7是表示实施方式的变形例的处理液供给源70的概略构成的图。通过将过滤器92设置在供给管线75的比恒压阀91靠上游侧的位置,能够使从恒压阀91流到处理液供给部40的IPA的流量稳定。即,基片处理系统1能够使在供给时从处理液供给部40的喷嘴排出的IPA的流量稳定。
另外,也可以是过滤器92设置在返回管线76上。设置在返回管线76上的过滤器92可以设置在返回管线76的比开关阀100靠上游侧的位置,也可以设置在返回管线76的比开关阀100靠下游侧的位置。
过滤器92可以设置多个。例如,可以在供给管线75和返回管线76上设置过滤器92。此外,也可以是在供给管线75上设置多个过滤器92。例如,可以在供给管线75的比返回管线76与供给管线75的连接部位75a靠上游侧的位置、以及供给管线75的比开关阀93靠下游侧的位置设置过滤器92。此外,也可以是在供给管线75上设置多个过滤器92,并且在返回管线76上设置过滤器92。
用于除去IPA中的异物的至少一个过滤器92设置在供给管线75的比返回管线76与供给管线75的连接部位75a靠上游侧的位置和返回管线76中的至少一者。
由此,基片处理系统1能够利用过滤器92除去IPA中的异物,提高IPA的清洁度。基片处理系统1能够在待机时除去IPA中的异物,能够在供给时向晶片W供给清洁度高的IPA。此外,基片处理系统1能够在初始动作时尽早除去IPA中的异物,能够缩短初始动作的时间,尽早开始晶片W的处理。
此外,可以是,控制装置4在初始动作时,在规定的非加热时间内不使加热器81(温度调节部的一个例子)对IPA(处理液的一个例子)进行加热,在使IPA流入返回管线76之后,开始利用加热器81对IPA进行加热。具体而言,控制装置4在初始动作时,不使加热器81对IPA进行加热,而使IPA从供给管线75流入返回管线76。由此,IPA在温度低的状态下通过过滤器92。因此,基片处理系统1能够提高过滤器92对IPA中的异物的捕集效率,能够尽早除去IPA中的异物,能够缩短初始动作的时间。规定的非加热时间是预先设定的时间,是IPA中的异物被充分除去的时间。控制装置4在经过了规定的非加热时间时,利用加热器81对IPA进行加热,将IPA的温度调节到规定的温度。
此外,也可以是,控制装置4在初始动作时,不使IPA(处理液的一个例子)流入供给管线75和返回管线76,而利用加热器81(温度调节部的一个例子)使在循环管线74中流动的IPA的温度成为规定的加热温度。控制装置4在使IPA的温度成为规定的加热温度之后,使IPA流入供给管线75和返回管线76。规定的加热温度是预先设定的温度。规定的加热温度在使IPA流入供给管线75和返回管线76的情况下,可考虑由过滤器92等吸热而降低的IPA的温度来设定。规定的加热温度高于规定的温度。由此,基片处理系统1能够尽早将IPA的温度调节到规定的温度,能够尽早从处理液供给部40的喷嘴向晶片W供给进行了温度调节的IPA。
此外,也可以是,在循环管线74上,在比背压阀85靠下游侧的位置设置温度传感器。也可以是,控制装置4在初始动作时,当由温度传感器84检测出的IPA的温度与背压阀85的下游侧的IPA的温度之间的温度差成为规定的第一温度差以下时,使处理液流入供给管线75和返回管线76。规定的第一温度差是预先设定的温度差。规定的第一温度差是能够判断为在循环管线74中流动的IPA的温度已稳定的温度差。由此,基片处理系统1能够在使IPA的温度稳定之后除去IPA中的异物,提高IPA的清洁度。
此外,也可以是,控制装置4在进行了初始动作之后,基于在循环管线74中流动的IPA的温度与在返回管线76中流动的IPA的温度之间的温度差,使IPA流入处理液供给部40。具体而言,控制装置4在使IPA流入供给管线75和返回管线76之后,在温度差成为规定的第二温度差以下的情况下,允许从处理液供给部40的喷嘴向晶片W排出IPA。规定的第二温度差是例如能够判断为通过过滤器92等的IPA的温度已稳定的温度差。由此,基片处理系统1能够除去IPA中的异物,向晶片W供给温度稳定了的IPA。
此外,可以在各返回管线76上分别设置温度传感器101。由此,基片处理系统1能够准确地检测出各返回管线76中的IPA的温度、即每个处理单元16的IPA的温度。控制装置4基于检测出的IPA的温度,对流入各供给管线75的IPA的流量进行调节。控制装置4例如控制背压阀85、设置在各供给管线75上的恒压阀91,对流入各供给管线75的IPA的流量进行调节。由此,基片处理系统1能够恰当地控制流入各供给管线75的IPA的温度和流量。
本次公开的实施方式在所有方面均应认为是例示性的而不是限制性的。实际上,上述的实施方式可以以多种方式具体实现。此外,上述的实施方式在不脱离所附的权利要求书及其主旨的情况下,可以以各种方式省略、替换、改变。

Claims (12)

1.一种液处理装置,其特征在于,包括:
用于储存处理液的储存罐;
循环管线,其用于使从所述储存罐输送的所述处理液返回到所述储存罐;
供给管线,其用于将所述循环管线和向基片供给所述处理液的供给部连接;
与所述供给管线连接的返回管线,其用于使所述处理液从所述供给管线返回到所述储存罐;和
至少一个过滤器,其设置在所述供给管线的比所述返回管线与所述供给管线的连接部位靠上游侧的位置和所述返回管线中的至少一者,用于除去所述处理液中的异物。
2.根据权利要求1所述的液处理装置,其特征在于:
包括设置在所述供给管线上的恒压阀,
所述过滤器设置在所述供给管线的比所述恒压阀靠下游侧的位置。
3.根据权利要求1所述的液处理装置,其特征在于:
包括设置在所述供给管线上的恒压阀,
所述过滤器设置在所述供给管线的比所述恒压阀靠上游侧的位置。
4.根据权利要求1~3中任一项所述的液处理装置,其特征在于:
与多个供给部对应地设置有多个所述供给管线和所多个述返回管线。
5.根据权利要求1~4中任一项所述的液处理装置,其特征在于:
包括设置在所述循环管线上的、用于对所述处理液的温度进行调节的温度调节部。
6.根据权利要求1~5中任一项所述的液处理装置,其特征在于,包括:
切换部,其用于将所述处理液的流动切换到所述返回管线、或者所述供给管线的比所述连接部位靠所述供给部侧的位置;和
用于控制所述切换部的控制装置,
在不从所述供给部向所述基片供给所述处理液的待机时,所述控制装置控制所述切换部,使得所述处理液流入所述返回管线,在从所述供给部向所述基片供给所述处理液的供给时,所述控制装置控制所述切换部,使得所述处理液流入所述供给部。
7.根据权利要求6所述的液处理装置,其特征在于:
在初始动作时,所述控制装置控制所述切换部使得所述处理液流入所述返回管线,并且使流入所述返回管线的所述处理液的流量比所述待机时增加。
8.根据权利要求7所述的液处理装置,其特征在于:
包括设置在所述供给管线上的恒压阀,
在所述初始动作时,所述控制装置通过控制所述恒压阀,来使流入所述返回管线的所述处理液的流量比所述待机时增加。
9.根据权利要求7或8所述的液处理装置,其特征在于:
包括设置在所述循环管线上的、用于对由所述循环管线返回到所述储存罐的所述处理液的流量进行调节的流量调节部,
在所述初始动作时,所述控制装置通过控制所述流量调节部,来使由所述循环管线返回到所述储存罐的所述处理液的流量比所述待机时减少,并使流入所述返回管线的所述处理液的流量比所述待机时增加。
10.根据权利要求6~9中任一项所述的液处理装置,其特征在于:
包括设置在所述循环管线上的、用于对所述处理液的温度进行调节的温度调节部,
所述控制装置在初始动作时,在规定的非加热时间内不使所述温度调节部对所述处理液进行加热,在使所述处理液流入所述返回管线之后,开始利用所述温度调节部对所述处理液进行加热。
11.根据权利要求6~9中任一项所述的液处理装置,其特征在于:
包括设置在所述循环管线上的、用于对所述处理液的温度进行调节的温度调节部,
所述控制装置在初始动作时,不使所述处理液流入所述供给管线和所述返回管线,在由所述温度调节部使所述循环管线中流动的所述处理液的温度成为规定的加热温度之后,使所述处理液流入所述供给管线和所述返回管线。
12.一种液处理方法,其特征在于,包括:
循环步骤,由循环管线使储存在储存罐中的处理液循环;
供给步骤,由与所述循环管线连接的供给管线,向基片供给所述处理液;
返回步骤,由与所述供给管线连接的返回管线,使所述处理液从所述供给管线返回到所述储存罐;和
除去步骤,由至少一个过滤器除去所述处理液中的异物,所述过滤器设置在所述供给管线的比所述返回管线与所述供给管线的连接部位靠上游侧的位置和所述返回管线中的至少一者。
CN202110666079.1A 2020-06-23 2021-06-16 液处理装置和液处理方法 Pending CN113838774A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2020107773A JP7499622B2 (ja) 2020-06-23 2020-06-23 液処理装置および液処理方法
JP2020-107773 2020-06-23

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN113838774A true CN113838774A (zh) 2021-12-24

Family

ID=78962677

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202110666079.1A Pending CN113838774A (zh) 2020-06-23 2021-06-16 液处理装置和液处理方法

Country Status (5)

Country Link
US (1) US11798819B2 (zh)
JP (1) JP7499622B2 (zh)
KR (1) KR20210158330A (zh)
CN (1) CN113838774A (zh)
TW (1) TW202203314A (zh)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102657375B1 (ko) * 2021-12-30 2024-04-12 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 방법
WO2023204048A1 (ja) * 2022-04-21 2023-10-26 東京エレクトロン株式会社 液供給システム、液処理装置および液供給方法

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5381388B2 (ja) * 2009-06-23 2014-01-08 東京エレクトロン株式会社 液処理装置
JP5220707B2 (ja) 2009-07-31 2013-06-26 東京エレクトロン株式会社 液処理装置、液処理方法、プログラムおよびプログラム記録媒体
JP5313074B2 (ja) 2009-07-31 2013-10-09 東京エレクトロン株式会社 液処理装置、液処理方法、プログラムおよびプログラム記録媒体
JP5714449B2 (ja) 2011-08-25 2015-05-07 東京エレクトロン株式会社 液処理装置、液処理方法および記憶媒体
JP6376457B2 (ja) 2014-09-26 2018-08-22 株式会社Screenホールディングス 処理液供給装置およびフィルタ劣化検出方法
US10717117B2 (en) * 2017-02-22 2020-07-21 SCREEN Holdings Co., Ltd. Substrate processing apparatus and substrate processing method
JP6959743B2 (ja) * 2017-02-22 2021-11-05 株式会社Screenホールディングス 基板処理装置
JP7220537B2 (ja) 2018-09-20 2023-02-10 株式会社Screenホールディングス 基板処理装置および基板処理方法

Also Published As

Publication number Publication date
KR20210158330A (ko) 2021-12-30
JP2022003666A (ja) 2022-01-11
JP7499622B2 (ja) 2024-06-14
US20210398828A1 (en) 2021-12-23
TW202203314A (zh) 2022-01-16
US11798819B2 (en) 2023-10-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6605394B2 (ja) 基板液処理装置、タンク洗浄方法及び記憶媒体
CN109427627B (zh) 液处理装置和液处理方法
KR102429861B1 (ko) 기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 기억 매체
WO2022009661A1 (ja) 液処理装置および液処理方法
KR100929809B1 (ko) 기판처리장치
CN113838774A (zh) 液处理装置和液处理方法
CN107579020B (zh) 基板液处理装置、基板液处理方法以及存储介质
KR20200016805A (ko) 기판 처리 장치의 파티클 제거 방법 및 기판 처리 장치
JPWO2018030516A1 (ja) 基板処理装置、基板処理方法および記憶媒体
CN112002654A (zh) 基片处理方法和基片处理装置
CN110931389A (zh) 基片处理装置和基片处理方法
US11794219B2 (en) Liquid supply unit and substrate treating apparatus and method
WO2020235381A1 (ja) 基板処理装置および基板処理方法
KR102644203B1 (ko) 기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 기억 매체
WO2023204048A1 (ja) 液供給システム、液処理装置および液供給方法
JP7378578B2 (ja) 基板処理装置および基板処理方法
KR102161794B1 (ko) 부품 세정 장치 및 방법
KR20240034713A (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
CN114026679A (zh) 基片处理设备和处理液制备方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination