KR102429861B1 - 기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 기억 매체 - Google Patents

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Abstract

기판 외주부의 가열 처리의 최적화를 도모하는 것이다. 실시형태에 따른 기판 처리 장치는, 유지부와 회전 기구와 처리액 공급부와 가열 기구를 구비한다. 유지부는 기판을 유지한다. 회전 기구는 유지부를 회전시킨다. 처리액 공급부는 유지부에 유지된 기판에 대하여 처리액을 공급한다. 가열 기구는 유지부에 유지된 기판의 외주부를 가열한다. 또한, 가열 기구는 토출 유로와 분기 유로와 가열부를 구비한다. 토출 유로는 유지부에 유지된 기판의 외주부를 향해 가스를 토출하기 위한 유로이다. 분기 유로는 유지부에 유지된 기판 이외를 향해 가스를 토출하기 위한 유로이다. 가열부는, 토출 유로 및 분기 유로를 가열한다.

Description

기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 기억 매체{SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS, SUBSTRATE PROCESSING METHOD, AND RECORDING MEDIUM}
개시된 실시형태는, 기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 기억 매체에 관한 것이다.
종래, 반도체 디바이스의 제조 공정에서는, 실리콘 웨이퍼 또는 화합물 반도체 웨이퍼 등의 기판을 회전시키면서, 상방으로부터 기판의 중심부를 향해 에칭액 등의 처리액을 공급함으로써, 기판을 처리하는 것이 행해지고 있다.
에칭액 등의 처리액은, 기판 처리의 효율화를 위하여 정해진 온도로 가열되는 경우가 있다. 그러나, 정해진 온도로 가열된 처리액은, 기판의 중심부에 공급된 후, 기판의 외주부에 도달할 때까지의 동안에, 기판으로의 열전도 등에 의해 온도가 저하된다. 즉, 기판의 외주부에 가까워짐에 따라 처리액의 온도는 낮아진다. 그 결과, 기판의 중심부와 외주부에서, 처리액에 의한 처리의 불균일이 생길 우려가 있다.
여기서, 특허 문헌 1에는 기판의 외주부에 대하여 고온의 가스를 공급함으로써, 기판의 외주부를 가열하는 기술이 개시되어 있다. 이러한 기술에 의하면, 기판의 외주부를 가열함으로써, 기판의 외주부에서의 처리액의 온도 저하를 억제할 수 있다.
일본특허공개공보 제2011-054932호
그러나, 특허 문헌 1에 기재된 기술에는, 기판 외주부의 가열 처리의 최적화를 도모한다고 하는 점에서 한층 개선의 여지가 있다.
예컨대, 정해진 온도로 가열된 에칭액을 이용하여 기판을 처리한 후, 순수에 의한 린스 처리를 행한 후에, 기판 상의 순수를 IPA(이소프로필 알코올)로 치환하는 치환 처리가 행해지는 경우가 있다. 이러한 일련의 기판 처리에서, 기판의 외주부를 시종 계속 가열하는 것으로 하면, 예컨대 치환 처리에서, IPA의 휘발이 가열에 의해 촉진되는 결과, 순수로부터 IPA로의 치환이 충분히 달성되지 않을 우려가 있다.
이 때문에, 기판의 외주부를 가열하는 처리, 즉 기판의 외주부로의 고온의 가스의 토출을 일시적으로 정지하는 것도 고려된다. 그러나, 고온의 가스의 토출을 정지한 경우, 토출을 재개해도 토출되는 가스가 정해진 온도에 도달할 때까지는 시간이 걸린다. 이 때문에, 가스의 온도가 정해진 온도에 도달할 때까지, 에칭액을 이용한 다음 기판의 처리의 개시를 기다려야 하므로, 스루풋이 저하될 우려가 있다.
실시형태의 일태양은, 기판 외주부의 가열 처리의 최적화를 도모할 수 있는 기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 기억 매체를 제공하는 것을 목적으로 한다.
실시형태의 일태양에 따른 기판 처리 장치는, 유지부(保持部)와 회전 기구와 처리액 공급부와 가열 기구를 구비한다. 유지부는 기판을 유지한다. 회전 기구는 유지부를 회전시킨다. 처리액 공급부는 유지부에 유지된 기판에 대하여 처리액을 공급한다. 가열 기구는 유지부에 유지된 기판의 외주부를 가열한다. 또한, 가열 기구는 토출 유로와 분기 유로와 가열부를 구비한다. 토출 유로는 유지부에 유지된 기판의 외주부를 향해 가스를 토출하기 위한 유로이다. 분기 유로는 유지부에 유지된 기판 이외를 향해 가스를 토출하기 위한 유로이다. 가열부는 토출 유로 및 분기 유로를 가열한다.
실시형태의 일태양에 따르면, 기판 외주부의 가열 처리의 최적화를 도모할 수 있다.
도 1은 본 실시형태에 따른 기판 처리 시스템의 개략 구성을 나타내는 도면이다.
도 2는 처리 유닛의 개략 구성을 나타내는 도면이다.
도 3은 처리 유닛의 구체적 구성을 나타내는 도면이다.
도 4는 가열 기구의 구성을 나타내는 도면이다.
도 5는 홈 형상 부재의 구성을 나타내는 도면이다.
도 6은 밀봉 부재의 구성을 나타내는 도면이다.
도 7은 기판 처리의 처리 순서를 나타내는 순서도면이다.
도 8은 약액 처리의 동작예를 나타내는 도면이다.
도 9는 IPA 치환 처리의 동작예를 나타내는 도면이다.
도 10은 제 1 변형예에 따른 가열 기구의 구성을 나타내는 도면이다.
도 11은 제 2 변형예에 따른 가열 기구의 구성을 나타내는 도면이다.
도 12는 제 3 변형예에 따른 가열 기구의 구성을 나타내는 도면이다.
이하, 첨부 도면을 참조하여, 본 발명이 개시하는 기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 기억 매체의 실시형태를 상세하게 설명한다. 또한, 이하에 나타내는 실시형태에 의해 이 발명이 한정되는 것은 아니다.
도 1은 본 실시형태에 따른 기판 처리 시스템의 개략 구성을 나타내는 도면이다. 이하에서는, 위치 관계를 명확하게 하기 위해, 서로 직교하는 X축, Y축 및 Z축을 규정하고, Z축 정방향을 연직 상향 방향으로 한다.
도 1에 나타내는 바와 같이, 기판 처리 시스템(1)은, 반입반출 스테이션(2)과, 처리 스테이션(3)을 구비한다. 반입반출 스테이션(2)과 처리 스테이션(3)은 인접하여 마련된다.
반입반출 스테이션(2)은, 캐리어 배치부(11)와, 반송부(12)를 구비한다. 캐리어 배치부(11)에는, 복수매의 기판, 본 실시형태에서는 반도체 웨이퍼[이하 웨이퍼(W)]를 수평 상태로 수용하는 복수의 캐리어(C)가 배치된다.
반송부(12)는, 캐리어 배치부(11)에 인접하여 마련되고, 내부에 기판 반송 장치(13)와, 전달부(14)를 구비한다. 기판 반송 장치(13)는, 웨이퍼(W)를 유지하는 웨이퍼 유지 기구를 구비한다. 또한, 기판 반송 장치(13)는, 수평 방향 및 연직 방향으로의 이동 및 연직축을 중심으로 하는 선회가 가능하고, 웨이퍼 유지 기구를 이용하여 캐리어(C)와 전달부(14) 사이에서 웨이퍼(W)의 반송을 행한다.
처리 스테이션(3)은, 반송부(12)에 인접하여 마련된다. 처리 스테이션(3)은, 반송부(15)와, 복수의 처리 유닛(16)을 구비한다. 복수의 처리 유닛(16)은, 반송부(15)의 양측에 배열되어 마련된다.
반송부(15)는, 내부에 기판 반송 장치(17)를 구비한다. 기판 반송 장치(17)는, 웨이퍼(W)를 유지하는 웨이퍼 유지 기구를 구비한다. 또한, 기판 반송 장치(17)는, 수평 방향 및 연직 방향으로의 이동 및 연직축을 중심으로 하는 선회가 가능하고, 웨이퍼 유지 기구를 이용하여 전달부(14)와 처리 유닛(16) 사이에서 웨이퍼(W)의 반송을 행한다.
처리 유닛(16)은, 기판 반송 장치(17)에 의해 반송되는 웨이퍼(W)에 대하여 정해진 기판 처리를 행한다.
또한, 기판 처리 시스템(1)은, 제어 장치(4)를 구비한다. 제어 장치(4)는, 예컨대 컴퓨터이며, 제어부(18)와 기억부(19)를 구비한다. 기억부(19)에는, 기판 처리 시스템(1)에 있어서 실행되는 각종 처리를 제어하는 프로그램이 저장된다. 제어부(18)는, 기억부(19)에 기억된 프로그램을 읽어내어 실행함으로써 기판 처리 시스템(1)의 동작을 제어한다.
또한, 이러한 프로그램은, 컴퓨터에 의해 판독 가능한 기억 매체에 기록되어 있던 것으로서, 그 기억 매체로부터 제어 장치(4)의 기억부(19)에 인스톨된 것이어도 좋다. 컴퓨터에 의해 판독 가능한 기억 매체로서는, 예컨대 하드 디스크(HD), 플렉시블 디스크(FD), 컴팩트 디스크(CD), 마그넷 옵티컬 디스크(MO), 메모리 카드 등이 있다.
상기한 바와 같이 구성된 기판 처리 시스템(1)에서는, 우선, 반입반출 스테이션(2)의 기판 반송 장치(13)가, 캐리어 배치부(11)에 배치된 캐리어(C)로부터 웨이퍼(W)를 취출하고, 취출된 웨이퍼(W)를 전달부(14)에 배치한다. 전달부(14)에 배치된 웨이퍼(W)는, 처리 스테이션(3)의 기판 반송 장치(17)에 의해 전달부(14)로부터 취출되어, 처리 유닛(16)에 반입된다.
처리 유닛(16)에 반입된 웨이퍼(W)는, 처리 유닛(16)에 의해 처리된 후, 기판 반송 장치(17)에 의해 처리 유닛(16)으로부터 반출되어, 전달부(14)에 배치된다. 그리고, 전달부(14)에 배치된 처리가 끝난 웨이퍼(W)는, 기판 반송 장치(13)에 의해 캐리어 배치부(11)의 캐리어(C)에 복귀된다.
이어서, 처리 유닛(16)의 구성에 대하여 도 2를 참조하여 설명한다. 도 2는 처리 유닛(16)의 개략 구성을 나타내는 도면이다.
도 2에 나타내는 바와 같이, 처리 유닛(16)은, 챔버(20)와, 기판 유지 기구(30)와, 처리 유체 공급부(40)와, 회수컵(50)을 구비한다.
챔버(20)는, 기판 유지 기구(30)와 처리 유체 공급부(40)와 회수컵(50)을 수용한다. 챔버(20)의 천장부에는, FFU(Fan Filter Unit)(21)가 마련된다. FFU(21)는, 챔버(20) 내에 다운 플로우를 형성한다.
기판 유지 기구(30)는, 유지부(31)와, 지주부(32)와, 구동부(33)를 구비한다. 유지부(31)는, 웨이퍼(W)를 수평으로 유지한다. 지주부(32)는, 연직 방향으로 연장되는 부재이며, 기단부가 구동부(33)에 의해 회전 가능하게 지지되고, 선단부에 있어서 유지부(31)를 수평으로 지지한다. 구동부(33)는, 지주부(32)를 연직축 둘레로 회전시킨다. 이러한 기판 유지 기구(30)는, 구동부(33)를 이용하여 지주부(32)를 회전시킴으로써 지주부(32)에 지지된 유지부(31)를 회전시키고, 이에 의해, 유지부(31)에 유지된 웨이퍼(W)를 회전시킨다.
처리 유체 공급부(40)는, 웨이퍼(W)에 대하여 처리 유체를 공급한다. 처리 유체 공급부(40)는, 처리 유체 공급원(70)에 접속된다.
회수컵(50)은, 유지부(31)를 둘러싸도록 배치되고, 유지부(31)의 회전에 의해 웨이퍼(W)로부터 비산하는 처리액을 포집한다. 회수컵(50)의 바닥부에는, 배액부(51)가 형성되어 있고, 회수컵(50)에 의해 포집된 처리액은, 이러한 배액부(51)로부터 처리 유닛(16)의 외부에 배출된다. 또한, 회수컵(50)의 바닥부에는, FFU(21)로부터 공급되는 기체를 처리 유닛(16)의 외부에 배출하는 배기구(52)가 형성된다.
이어서, 처리 유닛(16)의 구체적인 구성에 대하여 도 3을 참조하여 설명한다. 도 3은 처리 유닛(16)의 구체적 구성을 나타내는 도면이다.
도 3에 나타내는 바와 같이, 처리 유닛(16)은 가열 기구(60)를 구비한다. 가열 기구(60)는 유지부(31)에 유지된 웨이퍼(W)의 외주부(WE)에 대하여 고온의 가스를 토출함으로써 웨이퍼(W)의 외주부(WE)를 가열한다. 가열 기구(60)는 웨이퍼(W)의 이면측(피처리면과 반대측의 면측)에 배치된다.
유지부(31)는, 예컨대 진공 척이며, 웨이퍼(W)의 이면 중심부를 흡착 유지 한다. 즉, 웨이퍼(W)의 이면은 유지부(31)에 의해 유지되는 중심부 이외는 노출되어 있으며, 이러한 노출된 이면과 대향하도록 가열 기구(60)가 배치된다. 가열 기구(60)는 웨이퍼(W)의 노출된 이면과 예컨대 2 ~ 3 mm 정도의 간격을 두고 배치된다.
처리 유체 공급부(40)는 노즐(41)과, 노즐(41)에 일단이 접속되는 배관(42)을 구비한다. 배관(42)의 타단은 복수로 분기되어 있고, 각각 밸브(71)를 개재하여 약액 공급원(72)에, 밸브(73)를 개재하여 DIW 공급원(74)에, 밸브(75)를 개재하여 IPA 공급원(76)에 접속된다. 이러한 처리 유체 공급부(40)는 약액 공급원(72)으로부터 공급되는 약액, DIW 공급원(74)으로부터 공급되는 DIW(상온의 순수) 또는 IPA 공급원(76)으로부터 공급되는 상온의 IPA(이소프로필 알코올)를 노즐(41)로부터 웨이퍼(W)의 표면(피처리면)에 대하여 토출한다.
여기서는, 처리 유체 공급부(40)가 1 개의 노즐(41)을 구비하는 경우의 예에 대하여 설명하지만, 처리 유체 공급부(40)는 각 처리액에 대응하는 복수의 노즐을 구비해도 된다. 즉, 처리 유체 공급부(40)는 약액 공급원(72)에 접속되어 약액을 토출하는 노즐과, DIW 공급원(74)에 접속되어 DIW를 토출하는 노즐과, IPA 공급원(76)에 접속되어 IPA를 토출하는 노즐을 구비해도 된다. 또한, 처리 유체 공급부(40)는 IPA 공급원(76) 대신에, IPA 이외의 휘발성 용제를 노즐(41)로 공급하는 휘발성 용제 공급원에 접속되어도 된다.
이어서, 가열 기구(60)의 구체적인 구성에 대하여 도 4를 참조하여 설명한다. 도 4는 가열 기구(60)의 구성예를 나타내는 도면이다. 또한, 도 4에 나타내는 부호(O)는 웨이퍼(W)의 중심선을 나타내고 있다.
도 4에 나타내는 바와 같이, 가열 기구(60)는 대향판(61)과 가열부(62)를 구비한다. 대향판(61)은 웨이퍼(W)의 이면과 대향하는 위치에 마련되고, 가열부(62)는 대향판(61)의 웨이퍼(W)와 대향하는 면과는 반대측의 면에 마련된다.
대향판(61)은 유지부(31)에 유지된 웨이퍼(W)의 외주부(WE)를 향해 가스를 토출하는 토출 유로(63)와, 웨이퍼(W) 이외를 향해 가스를 토출하는 분기 유로(64)를 가진다. 토출 유로(63)는 밀봉 부재(612)에 형성된 제 1 토출구(65)에 연통하고, 분기 유로(64)는 가열부(62)에 형성된 제 2 토출구(66)에 연통한다.
토출 유로(63) 및 분기 유로(64)는, 각각 분기관(81, 84)을 개재하여 전환 밸브(82)에 접속된다. 전환 밸브(82)는 가스 공급원(83)에 접속된다.
분기관(81)에는 토출 유로(63)를 흐르는 가스의 유량을 조정하기 위한 제 1 유량 조정 기구(91)가 마련된다. 또한, 분기관(84)에는 분기 유로(64)를 흐르는 가스의 유량을 조정하기 위한 제 2 유량 조정 기구(92)가 마련된다. 제 1 유량 조정 기구(91) 및 제 2 유량 조정 기구(92)는, 예컨대 매스 플로우 컨트롤러이다.
전환 밸브(82)('전환부'의 일례에 상당)는 제어부(18)에 의해 제어되고, 가스 공급원(83)으로부터 공급되는 가스의 공급처를 토출 유로(63)와 분기 유로(64)의 사이에서 전환한다. 가스 공급원(83)은, 예컨대 상온의 N2 가스 또는 상온의 드라이 에어 등의 상온의 가스를 공급한다.
가열부(62)는 내부에 히터(621)를 가지고 있으며, 이러한 히터(621)를 이용하여 토출 유로(63) 및 분기 유로(64)를 가열한다. 이와 같이 가열된 토출 유로(63) 및 분기 유로(64)에 상온의 가스를 유통시킴으로써, 상온의 가스를 정해진 온도로 가열할 수 있다.
대향판(61)은 홈 형상 부재(611)와 밀봉 부재(612)를 구비한다. 밀봉 부재(612)는 유지부(31)에 유지된 웨이퍼(W)와 대향하는 위치에 배치되고, 홈 형상 부재(611)는 밀봉 부재(612)에서의 웨이퍼(W)와의 대향면과는 반대측의 면에 장착된다.
여기서, 홈 형상 부재(611) 및 밀봉 부재(612)의 구체적인 구성에 대하여 도 5 및 도 6을 참조하여 설명한다. 도 5는 홈 형상 부재(611)의 구성을 나타내는 도면이다. 또한, 도 6은 밀봉 부재(612)의 구성을 나타내는 도면이다.
도 5 및 도 6에 나타내는 바와 같이, 홈 형상 부재(611) 및 밀봉 부재(612)는 웨이퍼(W)와 대략 동일 직경의 원판 형상의 부재이다. 홈 형상 부재(611) 및 밀봉 부재(612)의 중심부에는 유지부(31)보다 대경(大徑)의 원형 홀이 형성된다. 또한 가열 기구(60)는, 홈 형상 부재(611) 및 밀봉 부재(612)에 형성되는 상기 원형의 홀의 중심과 웨이퍼(W)의 중심선(O)(도 4 참조)이 일치하는 위치에 배치된다.
도 5에 나타내는 바와 같이, 홈 형상 부재(611)의 표면에는 토출 유로(63)의 일부를 구성하는 홈(63a)과 분기 유로(64)의 일부를 구성하는 홈(64a)이 각각 형성된다. 홈(63a) 및 홈(64a)은 분기관(81, 84)이 접속되는 홈 형상 부재(611)의 일단부로부터 타단부를 향해, 홈 형상 부재(611)의 중앙에 형성된 원형의 홀을 피하도록 형성되고, 또한 홈 형상 부재(611)의 외주측을 통과하여 다시 일단부로 복귀하도록 형성된다. 또한 홈(63a) 및 홈(64a)은 서로 간섭하지 않도록 형성된다. 구체적으로, 본 실시형태에서는, 홈(63a)의 왕로와 귀로의 사이에 홈(64a)의 왕로와 귀로가 형성된다. 이들 홈(63a, 64a)이 밀봉 부재(612)에 의해 밀봉됨으로써, 토출 유로(63) 및 분기 유로(64)가 형성된다.
또한, 상술한 홈(63a, 64a)은 홈 형상 부재(611)의 Y 축 정방향측의 영역과 부방향측의 영역에 각각 1 개씩 형성된다. 또한, 분기관(81, 84)은 홈 형상 부재(611)의 Y 축 정방향측의 영역에 형성된 홈(63a, 64a) 및 Y 축 부방향측의 영역에 형성된 홈(63a, 64a)에 각각 접속된다.
도 6에 나타내는 바와 같이, 밀봉 부재(612)에는 밀봉 부재(612)의 외주부를 따라 복수의 제 1 토출구(65)가 형성된다. 제 1 토출구(65)는, 홈 형상 부재(611)에서의 홈(63a)의 귀로에 대응하는 위치에 형성되어 있고, 가스 공급원(83)으로부터 토출 유로(63)로 공급된 가스는, 이러한 제 1 토출구(65)로부터 웨이퍼(W)의 외주부(WE)를 향해 토출된다.
가열부(62)에 형성되는 제 2 토출구(66)(도 4 참조)는, 홈 형상 부재(611)에서의 홈(64a)에 대응하는 위치에 형성되어 있고, 분기 유로(64)에서 가스 공급원(83)으로부터 가장 먼 위치에 1 개 형성된다. 상술한 바와 같이, 대향판(61)에는 2 계통의 분기 유로(64)가 마련되어 있다. 이 때문에, 홈 형상 부재(611)에는 합계 2 개의 제 2 토출구(66)가 형성된다.
가스 공급원(83)으로부터 분기 유로(64)로 공급된 가스는, 이러한 제 2 토출구(66)로부터 가열 기구(60)의 하방을 향해 토출된다.
이와 같이, 가열 기구(60)는 대향판(61)에 형성된 토출 유로(63) 및 분기 유로(64)를 가열부(62)에 의해 가열하고, 가열된 토출 유로(63) 또는 분기 유로(64)에 상온의 가스를 유통시킴으로써 상온의 가스를 정해진 온도로 가열하여, 가열된 가스를 제 1 토출구(65)로부터 웨이퍼(W)의 외주부(WE)를 향해 토출할 수 있다. 또는, 제 2 토출구(66)로부터 웨이퍼(W) 이외를 향해 토출할 수 있다.
또한, 가열 기구(60)는 가스 공급원(83)으로부터 공급되는 가스의 공급처를 전환 밸브(82)를 이용하여 토출 유로(63)와 분기 유로(64)의 사이에서 전환함으로써, 정해진 온도로 가열된 가스의 토출처를 웨이퍼(W)의 외주부(WE) 또는 웨이퍼(W) 이외의 어느 한 쪽으로 전환할 수 있다.
또한, 밀봉 부재(612)에는 제 3 토출구(68)가 형성된다. 제 3 토출구(68)는 홈 형상 부재(611)에서의 홈(63a)의 왕로에 대응하는 위치에 형성된다. 가스 공급원(83)으로부터 토출 유로(63)로 공급된 가스는, 이러한 제 3 토출구(68)로부터 웨이퍼(W)의 외주부(WE)보다 중심부쪽의 위치를 향해 토출된다. 이로써, 웨이퍼(W)의 외주부(WE)뿐 아니라, 웨이퍼(W)의 외주부(WE)보다 중심부쪽의 위치에서의 약액의 온도 저하도 억제된다.
제 3 토출구(68)는, 제 1 토출구(65)보다 직경이 작게 형성된다. 이는, 웨이퍼(W)의 외주부(WE)보다 중심부쪽의 위치에서의 약액의 온도 저하가, 웨이퍼(W)의 외주부(WE)에 비해 적은 점에서, 웨이퍼(W)의 외주부(WE)에 토출되는 가스의 유량보다 적은 유량으로도 약액의 온도 저하를 억제할 수 있기 때문이다.
또한 도 4에 나타내는 바와 같이, 제 2 토출구(66)는 제 1 토출구(65)보다 대경으로 형성된다. 이는, 후술하는 바와 같이, 토출 유로(63)와 분기 유로(64)에서 가스의 유량을 일치시키기 위함이다.
즉, 토출 유로(63)에는 복수의 제 1 토출구(65) 및 제 3 토출구(68)가 연통하는것에 반하여, 분기 유로(64)에는 1 개의 제 2 토출구(66)가 연통할 뿐이다. 이 때문에, 제 2 토출구(66)의 직경을 제 1 토출구(65) 또는 제 3 토출구(68)와 동일 직경으로 하면, 토출 유로(63)와 동등한 유량의 가스를 분기 유로(64)에 흘리는 것이 곤란해진다. 환언하면, 토출 유로(63)를 흐르는 가스의 유량을 줄이지 않고, 양자의 가스의 유량을 일치시키는 것은 곤란하다. 따라서, 본 실시형태에 따른 가열 기구(60)에서는, 제 2 토출구(66)의 직경을 제 1 토출구(65)보다 크게 함으로써, 분기 유로(64)에 대하여 토출 유로(63)와 동등한 유량의 가스를 흐르게 할 수 있도록 하고 있다.
이와 같이, 토출 유로(63)와 분기 유로(64)에서 가스의 유량을 일치시킴으로써, 가스의 토출처를 전환했을 때의 히터(621)의 출력 변동을 억제할 수 있다. 따라서, 예컨대, 후술하는 약액 처리에서 가스의 토출처를 분기 유로(64)로부터 토출 유로(63)로 전환했을 때에, 웨이퍼(W)에 대하여 정해진 온도로 가열된 가스를 바로 토출할 수 있다.
이어서, 처리 유닛(16)이 실행하는 기판 처리의 처리 순서에 대하여 도 7 ~ 도 9를 참조하여 설명한다. 도 7은 기판 처리의 처리 순서를 나타내는 순서도면이다. 또한, 도 8은 약액 처리의 동작예를 나타내는 도면이며, 도 9는 IPA 치환 처리의 동작예를 나타내는 도면이다.
또한, 처리 유닛(16)은 제어 장치(4)가 구비하는 제어부(18)에 의해 제어된다. 제어부(18)는, 예컨대 CPU(Central Processing Unit)이며, 기억부(19)에 기억된 나타내지 않은 프로그램을 읽어내어 실행함으로써 처리 유닛(16)의 동작을 제어한다. 또한, 제어부(18)는 프로그램을 이용하지 않고 하드웨어만으로 구성되어도 된다.
여기서, 도 7에 나타내는 단계(S101 ~ S106)의 일련의 기판 처리에서, 토출 유로(63) 및 분기 유로(64)는 가열부(62)에 의해 가열된 상태가 유지된다. 즉, 가열부(62)는 일련의 기판 처리 도중에 정지되지 않는다. 또한, 단계(S101 ~ S106)의 일련의 기판 처리에서, 토출 유로(63) 또는 분기 유로(64)에는 가스 공급원(83)으로부터 가스가 계속 공급된다. 즉, 가스 공급원(83)으로부터 토출 유로(63) 또는 분기 유로(64)로의 가스의 공급도 일련의 기판 처리 도중에 정지되지 않는다.
또한, 일련의 기판 처리의 개시 시점에서, 가스 공급원(83)으로부터 공급되는 가스는 분기 유로(64)에 공급되는 것으로 한다. 즉, 일련의 기판 처리의 개시 시점에서, 가열 기구(60)는 제 2 토출구(66)로부터 가열 기구(60)의 하방을 향해 정해진 온도로 가열된 가스를 토출한 상태로 되어 있다.
도 7에 나타내는 바와 같이, 처리 유닛(16)에서는, 우선 웨이퍼(W)의 반입 처리가 행해진다(단계(S101)). 이러한 반입 처리에서는 기판 반송 장치(17)(도 1 참조)가 유지부(31) 상에 웨이퍼(W)를 배치하고, 유지부(31)가 웨이퍼(W)를 흡착 유지한다.
이어서, 처리 유닛(16)에서는 약액 처리가 행해진다(단계(S102)). 이러한 약액 처리에서는, 우선 구동부(33)가 유지부(31)를 회전시킴으로써, 유지부(31)에 유지된 웨이퍼(W)를 정해진 회전수로 회전시킨다. 이어서, 처리 유체 공급부(40)의 노즐(41)이 웨이퍼(W)의 중앙 상방에 위치한다. 그 후, 밸브(71)가 소정 시간 개방됨으로써, 약액 공급원(72)으로부터 공급되는 약액이 노즐(41)로부터 웨이퍼(W)의 피처리면에 공급된다. 웨이퍼(W)에 공급된 약액은 웨이퍼(W)의 회전에 수반하는 원심력에 의해 웨이퍼(W)의 피처리면의 전면(全面)에 확산된다. 이에 의해, 웨이퍼(W)의 피처리면이 약액에 의해 처리된다.
여기서, 처리 유닛(16)에서는 단계(S102)의 약액 처리로서, HF(불화수소산) 등의 에칭액을 웨이퍼(W)의 피처리면으로 공급함으로써, 웨이퍼(W)의 피처리면을 에칭 하는 에칭 처리가 행해진다.
이러한 에칭 처리에서는 에칭 레이트를 높이기 위하여, 예컨대 50 ~ 80 ℃ 정도로 가열된 에칭액이 사용된다. 그러나, 웨이퍼(W)의 중심부에 공급된 에칭액은 웨이퍼(W)의 외주부에 도달할 때까지의 동안에 웨이퍼(W)에 열을 빼앗겨, 온도가 저하된다. 이 때문에, 웨이퍼(W)의 중심부와 외주부에서 에칭 레이트의 불균일이 생길 우려가 있다.
따라서, 본 실시형태에 따른 처리 유닛(16)에서는, 약액 처리에서 가열 기구(60)의 제 1 토출구(65)로부터 정해진 온도로 가열된 가스를 토출함으로써, 웨이퍼(W)의 외주부(WE)를 가열하는 제 1 토출 처리를 행한다.
구체적으로, 도 8에 나타내는 바와 같이, 예컨대 웨이퍼(W)가 유지부(31)에 의해 유지된 후, 노즐(41)로부터 웨이퍼(W)에 대하여 약액이 공급되기 전에, 가스 공급원(83)을 제어하여, 가스 공급원(83)으로부터 공급되는 가스의 공급처를 분기 유로(64)로부터 토출 유로(63)로 전환한다. 이에 의해, 가스 공급원(83)으로부터 공급되는 상온의 가스는 토출 유로(63)로 공급되고, 토출 유로(63)를 유통하는 동안에 가열부(62)에 의해, 예컨대 에칭액의 온도와 동일한 정도(50 ~ 80 ℃)로 가열된다. 가열된 가스는 제 1 토출구(65)로부터 웨이퍼(W)의 외주부(WE)를 향해 토출된다. 이에 의해, 웨이퍼(W)의 외주부(WE)가 가열된다.
이와 같이, 웨이퍼(W)의 외주부(WE)를 가열함으로써, 웨이퍼(W)의 외주부(WE)에서의 약액의 온도 저하를 억제할 수 있다. 따라서, 에칭 레이트의 면내 균일성을 높일 수 있다.
여기서, 제어부(18)는 일련의 기판 처리에서, 토출 유로(63)와 분기 유로(64)에서 가스의 유량이 동등해지도록, 제 1 유량 조정 기구(91) 및 제 2 유량 조정 기구(92)를 제어한다. 이에 의해, 상술한 바와 같이, 가스의 토출처를 전환했을 때의 히터(621)의 출력 변동을 억제할 수 있다. 또한, 토출 유로(63)에서의 가스의 유량과 분기 유로(64)에서의 가스의 유량은, 반드시 완전하게 일치시키는 것을 필요로 하지 않는다. 즉, 제어부(18)는 가스의 토출처의 전환에 수반하는 온도 변동이 생기지 않는 범위에서, 분기 유로(64)에서의 가스의 유량을 토출 유로(63)에서의 가스의 유량보다 약간 적게 해도 된다. 이에 의해, 가스의 사용량을 삭감할 수 있다.
또한, 도시를 생략하지만, 가열 기구(60)는 제 1 토출 처리에서, 웨이퍼(W)의 외주부(WE)뿐 아니라, 제 3 토출구(68)로부터 웨이퍼(W)의 외주부(WE)보다 중심부쪽의 위치에도 고온의 가스를 토출한다. 이에 의해, 웨이퍼(W)의 외주부(WE)보다 중심부쪽의 위치에서의 약액의 온도 저하도 억제할 수 있다.
이어서, 처리 유닛(16)에서는 웨이퍼(W)의 피처리면을 DIW로 세척하는 린스 처리가 행해진다(단계(S103)). 이러한 린스 처리에서는, 밸브(73)가 소정 시간 개방됨으로써, DIW 공급원(74)으로부터 공급되는 DIW가 노즐(41)로부터 웨이퍼(W)의 피처리면에 공급되고, 웨이퍼(W)에 잔존하는 약액이 씻겨진다.
이어서, 처리 유닛(16)에서는 IPA 치환 처리가 행해진다(단계(S104)). IPA 치환 처리는 린스 처리의 종료 후, 웨이퍼(W)의 피처리면에 잔존하는 DIW를 DIW보다 휘발성이 높은 IPA로 치환하는 처리이다.
이러한 IPA 치환 처리에서는 밸브(75)가 소정 시간 개방됨으로써, IPA 공급원(76)으로부터 공급되는 IPA가 노즐(41)로부터 웨이퍼(W)의 피처리면에 공급된다. 웨이퍼(W)에 공급된 IPA는 웨이퍼(W)의 회전에 수반하는 원심력에 의해 웨이퍼(W)의 피처리면의 전면에 확산된다. 이에 의해, 웨이퍼(W)의 피처리면에 잔존하는 DIW가 IPA로 치환된다.
이어서, 처리 유닛(16)에서는 건조 처리가 행해진다(단계(S105)). 이러한 건조 처리에서는 웨이퍼(W)의 회전 속도를 증가시킴으로써 웨이퍼(W) 상의 IPA를 털어내 웨이퍼(W)를 건조시킨다. 그 후, 처리 유닛(16)에서는 반출 처리가 행해진다(단계 (S106)). 이러한 반출 처리에서는 구동부(33)에 의한 웨이퍼(W)의 회전이 정지한 후, 웨이퍼(W)가 기판 반송 장치(17)(도 1 참조)에 의해 처리 유닛(16)으로부터 반출된다. 이러한 반출 처리가 완료되면, 1 매의 웨이퍼(W)에 대한 일련의 기판 처리가 완료된다.
여기서, 단계(S101 ~ S106)의 일련의 기판 처리에서, 가열 기구(60)의 제 1 토출구(65)로부터 웨이퍼(W)의 외주부(WE)에 대하여 고온의 가스를 계속 공급했다고 하면, 예컨대 단계(S104)의 IPA 치환 처리에서, IPA의 휘발이 필요 이상으로 촉진되어, DIW로부터 IPA로의 치환이 충분히 달성되지 않을 우려가 있다. 또한, IPA는 고온의 가스에 의해 가열됨으로써 발화될 우려도 있다.
이 때문에, 예컨대 단계(S102)의 약액 처리 이외의 처리를 행하는 경우에, 가열부(62)에 의한 가열 및 가스 공급원(83)으로부터의 가스의 공급을 정지하는 것이 고려된다. 그러나 가열부(62)에 의한 가열을 재개하고 나서 히터(621)의 출력이 안정될 때까지는 시간을 필요로 한다. 이 때문에, 정해진 온도의 가스가 제 1 토출구(65)로부터 토출되게 될 때까지 약액 처리의 개시를 기다려야 하므로, 스루풋이 저하될 우려가 있다.
또한, 가열부(62)에 의한 가열을 정지하지 않고, 가스 공급원(83)으로부터의 가스의 공급만을 정지하는 것도 고려된다. 그러나, 이러한 경우, 히터(621)가 빈 상태로 가열되기 때문에, 과열에 의해 히터(621)가 소손(燒損)될 우려가 있다. 또한, 히터(621)가 목표 온도에 맞춰 출력을 자동 조정하는 기능을 가지고 있다고 해도, 가스의 공급이 정지하고 있는 동안은 출력이 낮게 억제되기 때문에, 가스의 공급을 재개했을 때에, 히터(621)의 출력이 안정될 때까지 시간이 걸릴 우려가 있다. 이와 같이, 가열부(62)에 의한 가열 또는 가스 공급원(83)으로부터의 가스의 공급을 일시적으로 정지하는 것은 일련의 기판 처리의 효율화를 도모하는데 바람직하지 않다.
따라서, 본 실시형태에 따른 처리 유닛(16)에서는 가열부(62)에 의한 가열 및 가스 공급원(83)으로부터의 가스의 공급을 정지하는 것이 아닌, 가스 공급원(83)으로부터 공급되는 가스의 공급처를 토출 유로(63)로부터 분기 유로(64)로 전환하는 것으로 했다.
구체적으로, 제어부(18)는 단계(S102)의 약액 처리가 종료된 후, 전환 밸브(82)를 제어하여, 가스 공급원(83)으로부터 공급되는 가스의 공급처를 토출 유로로부터 분기 유로로 전환하는 제 2 토출 처리를 행한다. 이에 의해, 도 9에 나타내는 바와 같이, 가스 공급원(83)으로부터 공급되는 가스는 전환 밸브(82) 및 분기관(84)을 거쳐 분기 유로(64)로 공급되고, 분기 유로(64)를 유통하는 동안에 가열부(62)에 의해 가열되어, 제 2 토출구(66)로부터 가열 기구(60)의 하방으로, 즉 웨이퍼(W) 이외로 토출된다. 따라서, 예컨대 IPA 치환 처리 시에, 웨이퍼(W) 상에 공급된 IPA가 고온의 가스에 의해 가열되는 것을 방지할 수 있다.
또한 제 2 토출 처리, 즉 분기 유로(64)로부터 웨이퍼(W) 이외로 가스를 토출하는 처리는, 예컨대 IPA 치환 처리하는 동안만 행하도록 해도 된다.
상술한 바와 같이, 본 실시형태에 따른 처리 유닛(16)('기판 처리 장치')의 일례에 상당)은, 유지부(31)와 구동부(33)('회전 기구'의 일례에 상당)와 처리 유체 공급부(40)('처리액 공급부'의 일례에 상당)와 가열 기구(60)를 구비한다. 유지부(31)는 웨이퍼(W)를 유지한다. 구동부(33)는 유지부(31)를 회전시킨다. 처리 유체 공급부(40)는, 유지부(31)에 유지된 웨이퍼(W)에 대하여 정해진 온도로 가열된 약액('처리액'의 일례에 상당)을 공급한다. 가열 기구(60)는 유지부(31)에 유지된 웨이퍼(W)의 외주부(WE)를 가열한다.
또한, 가열 기구(60)는 토출 유로(63)와 분기 유로(64)와 가열부(62)를 구비한다. 토출 유로(63)는 유지부(31)에 유지된 웨이퍼(W)의 외주부(WE)를 향해 가스를 토출하기 위한 유로이다. 분기 유로(64)는 유지부(31)에 유지된 웨이퍼(W) 이외를 향해 가스를 토출하기 위한 유로이다. 가열부(62)는 토출 유로(63) 및 분기 유로(64)를 가열한다.
이에 의해, 가열부(62)에 의한 가열 및 가스 공급원(83)으로부터의 가스의 공급을 정지시키지 않고, 예컨대 IPA 치환 처리 시에, 웨이퍼(W) 상에 공급된 IPA가 고온의 가스에 의해 가열되는 것을 방지할 수 있다. 따라서, 본 실시형태에 따른 처리 유닛(16)에 의하면, 웨이퍼(W)의 외주부(WE)의 가열 처리의 최적화를 도모할 수 있다.
(그 외의 실시형태)
가열 기구의 구성은, 상술한 실시형태에서 나타내는 구성에 한정되지 않는다. 따라서, 이하에서는, 가열 기구의 변형예에 대하여 도 10 ~ 도 12를 참조하여 설명한다. 도 10은 제 1 변형예에 따른 가열 기구의 구성을 나타내는 도면이며, 도 11은 제 2 변형예에 따른 가열 기구의 구성을 나타내는 도면이며, 도 12는 제 3 변형예에 따른 가열 기구의 구성을 나타내는 도면이다.
또한 이하의 설명에서는, 이미 설명한 부분과 동일한 부분에 대해서는, 이미 설명한 부분과 동일한 부호를 부여하여, 중복되는 설명을 생략한다.
도 10에 나타내는 바와 같이, 제 1 변형예에 따른 가열 기구(60A)는 가스 안내관(67)을 구비한다. 가스 안내관(67)은 가열 기구(60A)의 제 2 토출구(66)에 일단이 접속되고, 또한 타단이 처리 유체 공급부(40)에서의 배관(42)의 근방에 마련된다.
분기 유로(64)를 통과하여 제 2 토출구(66)로부터 토출된 고온의 가스는, 가스 안내관(67)에 의해 처리 유체 공급부(40)의 배관(42)의 근방까지 안내되고, 가스 안내관(67)으로부터 이러한 배관(42)을 향해 토출된다. 이에 의해, 배관(42)은 고온의 가스에 의해 가열된다. 이와 같이, 배관(42)을 가열함으로써, 약액 처리 이외의 처리에서 가열된 처리액을 이용하는 경우에, 이러한 처리액의 온도가 배관(42)을 통과하여 노즐(41)에 도달할 때까지의 동안에 저하되는 것을 억제할 수 있다. 또한, 배관(42)에 약액을 흘리지 않는 기간이 길게 계속된 후에 약액 처리를 개시하는 경우에도, 개시 직후의 약액의 온도 저하를 억제할 수가 있기 때문에 효과적이다.
또한, 상기의 예에 한정되지 않고, 가스 안내관(67)은 분기 유로(64)로부터 토출되는 고온의 가스를 다른 처리 유닛(16A)의 배관(42)의 근방으로 안내해도 된다. 이에 의해, 다른 처리 유닛(16A)의 약액 처리 중에 있어서, 약액의 온도가 배관(42)을 통과하여 노즐(41)에 도달할 때까지의 동안에 저하되는 것을 억제할 수 있다.
또한, 가스 안내관(67)은 분기 유로(64)로부터 토출되는 고온의 가스를 다른 처리 유닛(16A)의 분기관(81)의 근방으로 안내해도 된다. 이에 의해, 다른 처리 유닛(16A)의 약액 처리 중에 있어서, 가스 공급원(83)으로부터 공급되는 가스를 가열부(62)에 의해 가열되기 전부터 가열할 수 있어, 가열부(62)의 출력을 작게 억제할 수 있다.
또한, 가스 안내관(67)은 분기 유로(64)로부터 토출되는 고온의 가스를, 공장의 배기 라인에 접속되는 처리 유닛(16)의 배기구(52)('배기 라인'의 일례에 상당)로 안내해도 된다. 이와 같이, 분기 유로(64)로부터 토출되는 고온의 가스를 배기구(52)로부터 챔버(20)의 외부로 직접 배출함으로써, 분기 유로(64)로부터 토출되는 고온의 가스에 의한 챔버(20) 내부의 온도 상승을 억제할 수 있다.
또한 상술한 실시형태에서는, 토출 유로(63) 및 분기 유로(64)에 대하여 동일한 가스를 공급하는 경우의 예에 대하여 설명했지만, 토출 유로(63)와 분기 유로(64)에서 공급하는 가스를 다르게 해도 된다.
예컨대, 도 11에 나타내는 바와 같이, 제 2 변형예에 따른 가열 기구(60B)에서, 토출 유로(63)는 배관(85) 및 밸브(86)를 개재하여 제 1 가스 공급원(87)에 접속된다. 제 1 가스 공급원(87)은 배관(85) 및 밸브(86)를 개재하여 토출 유로(63)에 제 1 가스를 공급한다. 또한, 분기 유로(64)는 배관(88) 및 밸브(89)를 개재하여 제 2 가스 공급원(90)에 접속된다. 제 2 가스 공급원(90)은 배관(88) 및 밸브(89)를 개재하여 분기 유로(64)에 제 2 가스를 공급한다.
제 1 가스 공급원(87)으로부터 토출 유로(63)에 공급되는 제 1 가스는, 예컨대 클린 드라이 에어이다. 클린 드라이 에어는, 예컨대 클린 룸 등에 이용되는 청정도가 높은 공기이다. 또한, 제 2 가스 공급원(90)으로부터 분기 유로(64)에 공급되는 제 2 가스는, 예컨대 컴프레서 에어이다. 컴프레서 에어는, 예컨대 펌프의 동작원 등으로서 이용되는 공기이며, 클린 드라이 에어보다 청정도는 낮다.
웨이퍼(W) 이외를 향해 토출되는 제 2 가스는, 웨이퍼(W)에 대하여 직접적으로 토출되는 것은 아니기 때문에, 제 1 가스보다 청정도가 낮은 제 2 가스가 이용되어도 된다. 이와 같이 함으로써, 사용하는 가스의 코스트 삭감을 도모할 수 있다.
또한 제어부(18)는, 예컨대 단계(S102)의 약액 처리를 행하는 경우에, 밸브(89)를 닫고 또한 밸브(86)를 열어, 제 1 가스 공급원(87)으로부터 공급되는 제 1 가스를 토출 유로(63)에 공급한다. 또한, 제어부(18)는 단계(S102)의 약액 처리를 끝낸 후, 밸브(86)를 닫고 또한 밸브(89)를 열어, 제 2 가스 공급원(90)으로부터 공급되는 제 2 가스를 분기 유로(64)에 공급한다. 이와 같이, 제 2 변형예에 따른 가열 기구(60B)에서, 밸브(86) 및 밸브(89)는 전환부의 다른 일례에 상당한다.
또한 제 2 변형예에 따른 가열 기구(60B)와 같이, 토출 유로(63)로의 가스의 공급 경로와 분기 유로(64)로의 가스의 공급 경로가 독립되어 있는 경우, 일련의 기판 처리에서 분기 유로(64)에는 가스가 상시 계속해서 공급되어도 된다.
또한 상술한 실시형태에서는, 가열 기구가 웨이퍼(W)의 이면측(피처리면과 반대측의 면측)에 배치되는 경우의 예에 대하여 설명했지만, 가열 기구는 웨이퍼(W)의 피처리면측에 배치되어도 된다. 이러한 점에 대하여 도 12를 참조하여 설명한다. 도 12는 제 3 변형예에 따른 가열 기구의 구성을 나타내는 도면이다.
도 12에 나타내는 바와 같이, 제 3 변형예에 따른 가열 기구(60C)는 웨이퍼(W)의 표면(피처리면)과 대향하는 위치에 배치된다. 구체적으로, 가열 기구(60C)는 밀봉 부재(612)를 웨이퍼(W)의 피처리면과 대향시킨 상태로 배치된다. 이러한 경우, 홈 형상 부재(611), 밀봉 부재(612) 및 가열부(62)의 중앙부에 형성되는 원형의 홀(도 5, 도 6 참조)에는 노즐(41)이 삽입 통과된다.
이와 같이, 가열 기구는 웨이퍼(W)의 이면측(피처리면과는 반대측의 면측)에 한정되지 않고, 웨이퍼(W)의 표면측(피처리면측)에 배치되어도 된다.
또한, 가열 기구를 웨이퍼(W)의 피처리면측에 배치한 경우, 가열 기구로부터 토출되는 고온의 가스는 웨이퍼(W) 상에 공급된 약액에 토출되므로, 웨이퍼(W)의 외주부는 이러한 고온의 가스에 의해 간접적으로 가열되게 된다. 이에 대하여, 가열 기구를 웨이퍼(W)의 피처리면과는 반대측의 면측에 배치한 경우에는, 가열 기구로부터 토출되는 고온의 가스는 웨이퍼(W)의 외주부에 직접 토출되기 때문에, 웨이퍼(W)의 외주부를 직접적으로 가열할 수 있다. 따라서, 웨이퍼(W)의 외주부를 효율 좋게 가열하고자 하는 경우에는, 가열 기구를 웨이퍼(W)의 피처리면과는 반대측의 면측에 배치하는 것이 바람직하다.
또한 상술한 실시형태에서는, 약액 처리로서 에칭 처리를 행하는 경우의 예에 대하여 설명했지만, 약액 처리는 에칭 처리에 한정되지 않고, 예컨대 DHF(희불산) 등의 세정액을 웨이퍼(W)에 공급함으로써 웨이퍼(W)를 세정하는 세정 처리 등이어도 된다.
또한 상술한 실시형태에서는, 분기 유로(64)를 흐르는 가스를 제 2 토출구(66)로부터 웨이퍼(W)와 반대의 방향을 향해 토출하는 경우의 예에 대하여 설명했다. 그러나, 분기 유로(64)를 흐르는 가스의 토출 방향은 웨이퍼(W) 이외의 방향이면 되고, 상기의 예에 한정되지 않는다. 예컨대, 제 2 토출구(66)를 홈 형상 부재(611)의 둘레면에 형성하여, 분기 유로(64)를 흐르는 가스를 가열 기구(60)의 측방으로 토출해도 된다.
또한, 처리 유닛은 가열 기구를 승강시키는 승강 기구를 더 구비해도 된다. 이러한 경우, 약액 처리 이외의 처리 시에, 즉 가스의 공급처를 토출 유로(63)로부터 분기 유로(64)로 전환하는 타이밍에 가열 기구를 강하시켜, 가열 기구를 웨이퍼(W)로부터 멀어지게 함으로써, 약액 처리 이외의 처리 시에 웨이퍼(W)의 외주부(WE)가 가열되는 것을 보다 확실하게 방지할 수 있다. 또한, 처리 유닛은 가열 기구를 승강시키는 승강 기구 대신에, 유지부(31)를 승강시키는 승강 기구를 구비해도 된다. 이러한 경우, 약액 처리 이외의 처리 시에 유지부(31)를 상승시켜, 유지부(31)에 유지된 웨이퍼(W)를 가열 기구로부터 멀어지게 함으로써, 약액 처리 이외의 처리 시에 웨이퍼(W)의 외주부(WE)가 가열되는 것을 보다 확실하게 방지할 수 있다. 이와 같이, 처리 유닛은 유지부에 유지된 웨이퍼(W)와 가열 기구를 상대적으로 이동시키는 승강 기구를 구비해도 된다.
새로운 효과 또는 변형예는, 당업자에 의해 용이하게 도출할 수 있다. 이 때문에, 본 발명의 보다 광범위한 태양은, 이상과 같이 나타내고 또한 기술한 특정의 상세 및 대표적인 실시형태에 한정되지 않는다. 따라서, 첨부한 특허 청구의 범위 및 그 균등물에 의해 정의되는 총괄적인 발명의 개념의 정신 또는 범위로부터 일탈하지 않고, 다양한 변경이 가능하다.
W : 웨이퍼
WE : 웨이퍼의 외주부
1 : 기판 처리 시스템
4 : 제어 장치
16 : 처리 유닛
18 : 제어부
31 : 유지부
33 : 구동부
40 : 처리 유체 공급부
41 : 노즐
60 : 가열 기구
61 : 대향판
62 : 가열부
63 : 토출 유로
63a : 홈
64 : 분기 유로
64a : 홈
65 : 제 1 토출구
66 : 제 2 토출구
72 : 약액 공급원
74 : DIW 공급원
76 : IPA 공급원
82 : 전환 밸브
83 : 가스 공급원
611 : 홈 형상 부재
612 : 봉지 부재
621 : 히터

Claims (15)

  1. 기판을 유지하는 유지부와,
    상기 유지부를 회전시키는 회전 기구와,
    상기 유지부에 유지된 기판에 대하여 처리액을 공급하는 처리액 공급부와,
    상기 유지부에 유지된 기판의 외주부를 가열하는 가열 기구를 구비하고,
    상기 가열 기구는,
    상기 유지부에 유지된 기판의 외주부를 향해 가스를 토출하기 위한 토출 유로와,
    상기 유지부에 유지된 기판 이외를 향해 가스를 토출하기 위한 분기 유로와,
    상기 토출 유로 및 상기 분기 유로를 가열하는 가열부를 구비하며,
    상기 가열 기구는,
    상기 토출 유로와 상기 분기 유로가 내부에 형성되고, 상기 유지부에 유지된 기판에 대향하는 대향판을 구비하고,
    상기 토출 유로는, 상기 대향판의 상기 기판과의 대향면에 형성된 제 1 토출구에 연통하고,
    상기 분기 유로는, 상기 가열 기구에서의 상기 대향면 이외의 면에 형성된 제 2 토출구에 연통하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    가스 공급원으로부터 공급되는 상기 가스의 공급처를 상기 토출 유로와 상기 분기 유로의 사이에서 전환하는 전환부를 구비하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  3. 기판을 유지하는 유지부와,
    상기 유지부를 회전시키는 회전 기구와,
    상기 유지부에 유지된 기판에 대하여 처리액을 공급하는 처리액 공급부와,
    상기 유지부에 유지된 기판의 외주부를 가열하는 가열 기구를 구비하고,
    상기 가열 기구는,
    상기 유지부에 유지된 기판의 외주부를 향해 가스를 토출하기 위한 토출 유로와,
    상기 유지부에 유지된 기판 이외를 향해 가스를 토출하기 위한 분기 유로와,
    상기 토출 유로 및 상기 분기 유로를 가열하는 가열부와,
    가스 공급원으로부터 공급되는 상기 가스의 공급처를 상기 토출 유로와 상기 분기 유로의 사이에서 전환하는 전환부와,
    상기 회전 기구를 이용하여 상기 기판을 회전시키면서, 상기 처리액 공급부를 이용하여 상기 기판에 정해진 온도로 가열된 상기 처리액을 공급하는 기판 처리와, 적어도 상기 기판 처리에 있어서, 상기 가열부에 의해 가열된 상기 토출 유로로부터 상기 기판의 외주부를 향해 상기 가스를 토출하는 제 1 토출 처리와, 상기 기판 처리 이외의 정해진 처리를 행하는 경우에, 상기 전환부를 제어하여, 상기 가스 공급원으로부터 공급되는 상기 가스의 공급처를 상기 토출 유로로부터 상기 분기 유로로 전환하고, 상기 가열부에 의해 가열된 상기 분기 유로로부터 상기 기판 이외를 향해 상기 가스를 토출하는 제 2 토출 처리를 행하는 제어부를 구비하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 처리액 공급부는, 정해진 온도로 가열된 상기 처리액 및 휘발성 용제를 상기 유지부에 유지된 기판에 대하여 공급하고,
    상기 제어부는, 상기 처리액 공급부를 이용하여 상기 기판에 상기 휘발성 용제를 공급하는 처리를 행하는 경우에, 상기 제 2 토출 처리를 행하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  5. 제 3 항 또는 제 4 항에 있어서,
    상기 토출 유로를 흐르는 가스의 유량을 조정하기 위한 제 1 유량 조정 기구와,
    상기 분기 유로를 흐르는 가스의 유량을 조정하기 위한 제 2 유량 조정 기구를 구비하고,
    상기 제어부는, 상기 제 1 유량 조정 기구 및 상기 제 2 유량 조정 기구를 제어하여, 상기 토출 유로를 흐르는 가스의 유량과 상기 분기 유로를 흐르는 가스의 유량을 일치시키는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  6. 삭제
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 토출 유로는, 복수의 상기 제 1 토출구에 연통하고,
    상기 분기 유로는, 1 개의 상기 제 2 토출구에 연통하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 제 2 토출구는 상기 제 1 토출구보다 대경인 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 가열부는, 상기 대향판의 상기 기판과의 대향면과 반대측의 면에 마련되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  10. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 처리액 공급부는, 상기 기판의 피처리면에 대하여 상기 처리액을 공급하고,
    상기 가열 기구는, 상기 기판의 피처리면과는 반대측의 면에 대향하는 위치에 배치되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  11. 기판을 유지하는 유지부와,
    상기 유지부를 회전시키는 회전 기구와,
    상기 유지부에 유지된 기판에 대하여 처리액을 공급하는 처리액 공급부와,
    상기 유지부에 유지된 기판의 외주부를 가열하는 가열 기구를 구비하고,
    상기 가열 기구는,
    상기 유지부에 유지된 기판의 외주부를 향해 가스를 토출하기 위한 토출 유로와,
    상기 유지부에 유지된 기판 이외를 향해 가스를 토출하기 위한 분기 유로와,
    상기 토출 유로 및 상기 분기 유로를 가열하는 가열부를 구비하고,
    상기 토출 유로는, 상기 유지부에 유지된 기판의 외주부를 향해 제 1 가스를 토출하고,
    상기 분기 유로는, 상기 유지부에 유지된 기판 이외를 향해 상기 제 1 가스보다 청정도가 낮은 제 2 가스를 토출하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  12. 기판을 유지하는 유지부와,
    상기 유지부를 회전시키는 회전 기구와,
    상기 유지부에 유지된 기판에 대하여 처리액을 공급하는 처리액 공급부와,
    상기 유지부에 유지된 기판의 외주부를 가열하는 가열 기구를 구비하고,
    상기 가열 기구는,
    상기 유지부에 유지된 기판의 외주부를 향해 가스를 토출하기 위한 토출 유로와,
    상기 유지부에 유지된 기판 이외를 향해 가스를 토출하기 위한 분기 유로와,
    상기 토출 유로 및 상기 분기 유로를 가열하는 가열부를 구비하는 기판 처리 장치로서,
    상기 처리액 공급부는,
    노즐과,
    상기 노즐에 접속되고, 정해진 온도로 가열된 상기 처리액이 흐르는 배관을 구비하고,
    상기 분기 유로는, 상기 기판 처리 장치 또는 다른 기판 처리 장치가 구비하는 상기 배관을 향해 상기 가스를 토출하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  13. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 분기 유로로부터 토출되는 가스를 가스 안내관을 거쳐 배출하는 배기 라인을 구비하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  14. 가열 기구를 이용한 기판 처리 방법으로, 상기 가열 기구는. 유지부에 유지된 기판의 외주부를 향해 가스를 토출하기 위한 토출 유로와 상기 유지부에 유지된 기판 이외를 향해 가스를 토출하기 위한 분기 유로가 내부에 형성되고, 상기 유지부에 유지된 기판에 대향하는 대향판을 구비하고, 상기 토출 유로는, 상기 대향판의 상기 기판과의 대향면에 형성된 제 1 토출구에 연통하고, 상기 분기 유로는, 상기 가열 기구에서의 상기 대향면 이외의 면에 형성된 제 2 토출구에 연통하며,
    상기 기판 처리 방법은,
    상기 유지부에 의해 기판을 회전시키면서 상기 기판에 대하여 정해진 온도로 가열된 처리액을 공급하는 기판 처리 공정과,
    적어도 상기 기판 처리 공정에 있어서, 상기 토출 유로와 상기 분기 유로를 가열하는 가열부에 의해 가열된 상기 토출 유로로부터 상기 기판의 외주부를 향해 상기 가스를 토출함으로써, 상기 기판의 외주부를 가열하는 제 1 토출 공정과,
    상기 기판 처리 공정에서의 처리 이외의 정해진 처리를 행하는 경우에, 상기 토출 유로로부터 상기 기판의 외주부로의 상기 가스의 토출을 정지하고, 상기 가열부에 의해 가열된 상기 분기 유로로부터 상기 기판 이외를 향해 상기 가스를 토출하는 제 2 토출 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
  15. 컴퓨터 상에서 동작하고, 기판 처리 장치를 제어하는 프로그램이 기억된 컴퓨터 판독 가능한 기억 매체로서,
    상기 프로그램은, 실행 시에, 제 14 항에 기재된 기판 처리 방법이 행해지도록, 컴퓨터에 상기 기판 처리 장치를 제어시키는 것을 특징으로 하는 기억 매체.
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Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102011080202A1 (de) * 2011-08-01 2013-02-07 Gebr. Schmid Gmbh Vorrichtung und Verfahren zur Herstellung von dünnen Schichten
JP5996381B2 (ja) 2011-12-28 2016-09-21 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置および基板処理方法
CN109791415A (zh) * 2016-10-14 2019-05-21 株式会社富士金 流体控制装置
KR101927699B1 (ko) 2016-10-31 2018-12-13 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 방법
KR101958637B1 (ko) * 2016-11-24 2019-03-15 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
CN110073473B (zh) * 2016-12-12 2023-01-17 东京毅力科创株式会社 基片处理装置、基片处理方法和存储介质
JP6945314B2 (ja) 2017-03-24 2021-10-06 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置
JP6842391B2 (ja) * 2017-09-07 2021-03-17 キオクシア株式会社 半導体製造装置および半導体装置の製造方法
JP6986397B2 (ja) * 2017-09-14 2021-12-22 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理方法および記憶媒体
KR102030068B1 (ko) * 2017-10-12 2019-10-08 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
JP6985981B2 (ja) * 2018-05-29 2021-12-22 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置
KR102000011B1 (ko) * 2018-10-30 2019-07-17 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 방법
KR102000010B1 (ko) * 2018-10-30 2019-07-17 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 방법
JP7242392B2 (ja) * 2019-04-16 2023-03-20 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007073729A (ja) * 2005-09-07 2007-03-22 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 熱処理装置

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0616891Y2 (ja) * 1987-06-16 1994-05-02 宇部興産株式会社 オゾン反応処理装置
US6001183A (en) * 1996-06-10 1999-12-14 Emcore Corporation Wafer carriers for epitaxial growth processes
US7479205B2 (en) * 2000-09-22 2009-01-20 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Substrate processing apparatus
US6902623B2 (en) * 2001-06-07 2005-06-07 Veeco Instruments Inc. Reactor having a movable shutter
JP2003115474A (ja) * 2001-10-03 2003-04-18 Ebara Corp 基板処理装置及び方法
AU2003243974A1 (en) * 2002-06-25 2004-01-06 Tokyo Electron Limited Substrate processing device
US8603248B2 (en) * 2006-02-10 2013-12-10 Veeco Instruments Inc. System and method for varying wafer surface temperature via wafer-carrier temperature offset
US8617318B2 (en) * 2008-06-05 2013-12-31 Tokyo Electron Limited Liquid processing apparatus and liquid processing method
JP5220707B2 (ja) * 2009-07-31 2013-06-26 東京エレクトロン株式会社 液処理装置、液処理方法、プログラムおよびプログラム記録媒体
JP5437168B2 (ja) * 2009-08-07 2014-03-12 東京エレクトロン株式会社 基板の液処理装置および液処理方法
JP5893823B2 (ja) * 2009-10-16 2016-03-23 東京エレクトロン株式会社 基板液処理装置及び基板液処理方法並びに基板液処理プログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体
JP5379171B2 (ja) * 2010-08-23 2013-12-25 東京エレクトロン株式会社 接合システム、基板処理システム、接合方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体
JP5740583B2 (ja) * 2011-04-12 2015-06-24 東京エレクトロン株式会社 剥離装置、剥離システム、剥離方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体
KR101233757B1 (ko) * 2011-07-27 2013-02-15 주식회사 디엠에스 기판 디척킹 방법
JP5996381B2 (ja) * 2011-12-28 2016-09-21 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置および基板処理方法
JP5951444B2 (ja) * 2012-10-25 2016-07-13 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置および基板処理方法
JP6022430B2 (ja) * 2012-11-21 2016-11-09 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
KR20150057100A (ko) * 2013-11-18 2015-05-28 삼성전자주식회사 3d 객체 편집을 위한 전자 장치 및 방법

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007073729A (ja) * 2005-09-07 2007-03-22 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 熱処理装置

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