TW201604949A - 基板處理裝置、基板處理方法及記憶媒體 - Google Patents

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Abstract

[課題]達成基板外周部的加熱處理的最適化。 [技術內容]實施例的基板處理裝置，是具備：保持部、及旋轉機構、及處理液供給部、及加熱機構。保持部，是將基板保持。旋轉機構，是將保持部旋轉。處理液供給部，是對於被保持在保持部的基板供給處理液。加熱機構，是將被保持在保持部的基板的外周部加熱。且，加熱機構，是具備：吐出流路、及分岐流路、及加熱部。吐出流路，是朝向被保持在保持部的基板的外周部將氣體吐出用的流路。分岐流路，是朝向被保持在保持部的基板以外將氣體吐出用的流路。加熱部，是將吐出流路及分岐流路加熱。

Description

基板處理裝置、基板處理方法及記憶媒體
本揭示的實施例，是有關於基板處理裝置、基板處理方法及記憶媒體。
習知，在半導體裝置的製造過程中，將矽晶圓和化合物半導體晶圓等的基板旋轉，且藉由從上方朝向基板的中心部供給蝕刻液等的處理液，進行基板處理。
蝕刻液等的處理液，是為了基板處理的效率化具有被加熱至規定的溫度的情況。但是，被加熱至規定的溫度的處理液，是被供給至基板的中心部之後，到達基板的外周部為止之間，會藉由朝基板的熱傳導等使溫度下降。即，處理液的溫度會隨著接近基板的外周部而降低。此結果，在基板的中心部及外周部，有可能發生處理液的處理不均一。
在此，在專利文獻1中揭示了，藉由對於基板的外周部供給高溫的氣體，將基板的外周部加熱的技術。依據這種技術的話，藉由將基板的外周部加熱，就可以抑制基板的外周部的處理液的溫度下降。
[習知技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2011-54932號公報
但是在專利文獻1的技術中，在達成基板外周部的加熱處理的最適化的點具有進一步改善的餘地。
例如，使用被加熱至規定的溫度的蝕刻液將基板處理之後，除了由純水進行清洗處理以外，具有進行將基板上的純水置換成IPA(異丙醇)的置換處理的情況。在這種一連串的基板處理中，將基板的外周部始終持續加熱的話，在例如置換處理，IPA的揮發是藉由加熱被促進的結果，從純水朝IPA的置換有可能不充分。
因此考慮，一時地停止將基板的外周部加熱的處理，即，朝基板的外周部的高溫的氣體的吐出。但是，停止高溫的氣體吐出的情況，即使將吐出再開，使被吐出的氣體到達規定的溫度為止會花費時間。因此，氣體的溫度到達規定的溫度為止，必需等待使用蝕刻液的下一個基板的處理的開始，處理量(能力)有可能下降。
實施例的一態樣，其目的是提供一種可以達成基板外周部的加熱處理的最適化的基板處理裝置、基板 處理方法及記憶媒體。
實施例的一態樣的基板處理裝置，是具備：保持部、及旋轉機構、及處理液供給部、及加熱機構。保持部，是將基板保持。旋轉機構，是將保持部旋轉。處理液供給部，是對於被保持在保持部的基板供給處理液。加熱機構，是將被保持在保持部的基板的外周部加熱。且，加熱機構，是具備：吐出流路、及分岐流路、及加熱部。吐出流路，是朝向被保持在保持部的基板的外周部將氣體吐出用的流路。分岐流路，是朝向被保持在保持部的基板以外將氣體吐出用的流路。加熱部，是將吐出流路及分岐流路加熱。
依據實施例的一態樣的話，可以達成基板外周部的加熱處理的最適化。
W‧‧‧晶圓
WE‧‧‧外周部
1‧‧‧基板處理系統
2‧‧‧搬入出站
3‧‧‧處理站
4‧‧‧控制裝置
11‧‧‧載體載置部
12‧‧‧搬運部
13‧‧‧基板搬運裝置
14‧‧‧交付部
15‧‧‧搬運部
16‧‧‧處理單元
16A‧‧‧處理單元
17‧‧‧基板搬運裝置
18‧‧‧控制部
19‧‧‧記憶部
20‧‧‧室
30‧‧‧基板保持機構
31‧‧‧保持部
32‧‧‧支柱部
33‧‧‧驅動部
40‧‧‧處理流體供給部
41‧‧‧噴嘴
42‧‧‧配管
50‧‧‧回收杯
51‧‧‧排液口
52‧‧‧排氣口
60‧‧‧加熱機構
60A‧‧‧加熱機構
60B‧‧‧加熱機構
60C‧‧‧加熱機構
61‧‧‧相面對板
62‧‧‧加熱部
63‧‧‧吐出流路
63a，64a‧‧‧溝
64‧‧‧分岐流路
65‧‧‧第1吐出口
66‧‧‧第2吐出口
67‧‧‧氣體導引管
68‧‧‧第3吐出口
70‧‧‧處理流體供給源
71‧‧‧閥
72‧‧‧藥液供給源
73‧‧‧閥
74‧‧‧DIW供給源
75‧‧‧閥
76‧‧‧IPA供給源
81，84‧‧‧分岐管
82‧‧‧切換閥
83‧‧‧氣體供給源
85‧‧‧配管
86‧‧‧閥
87‧‧‧第1氣體供給源
88‧‧‧配管
89‧‧‧閥
90‧‧‧第2氣體供給源
91‧‧‧第1流量調整機構
92‧‧‧第2流量調整機構
611‧‧‧溝形成構件
612‧‧‧密封構件
621‧‧‧加熱器
[第1圖]顯示本實施例的基板處理系統的概略構成的圖。
[第2圖]顯示處理單元的概略構成的圖。
[第3圖]顯示處理單元的具體的構成的圖。
[第4圖]顯示加熱機構的構成的圖。
[第5圖]顯示溝形成構件的構成的圖。
[第6圖]顯示密封構件的構成的圖。
[第7圖]顯示基板處理的處理程序的流程圖。
[第8圖]顯示藥液處理的動作例的圖。
[第9圖]顯示IPA置換處理的動作例的圖。
[第10圖]顯示第1變形例的加熱機構的構成的圖。
[第11圖]顯示第2變形例的加熱機構的構成的圖。
[第12圖]顯示第3變形例的加熱機構的構成的圖。
以下，參照添付圖面，詳細說明本案揭示的 基板處理裝置、基板處理方法及記憶媒體的實施例。又，本發明不藉由以下所示的實施例被限定。
第1圖，是顯示本實施例的基板處理系統的 概略構成的圖。以下，為了將位置關係明確，限定彼此之間垂直交叉的X軸、Y軸及Z軸，將Z軸正方向設成垂直朝向上方向。
如第1圖所示，基板處理系統1，是具備：搬 入出站2、及處理站3。搬入出站2及處理站3是鄰接地設置。
搬入出站2，是具備：載體載置部11、及搬 運部12。在載體載置部11中，載置有複數枚的基板，在本實施例中為將半導體晶圓(以下晶圓W)在水平狀態下 收容的複數載體C。
搬運部12，是鄰接於載體載置部11地設置， 在內部具備：基板搬運裝置13、及交付部14。基板搬運裝置13，是具備將晶圓W保持的晶圓保持機構。且，基板搬運裝置13，是可朝水平方向及垂直方向的移動以及以垂直軸為中心的繞轉，使用晶圓保持機構在載體C及交付部14之間進行晶圓W的搬運。
處理站3，是鄰接於搬運部12地設置。處理 站3，是具備：搬運部15、及複數處理單元16。複數處理單元16，是被並列設置在搬運部15的兩側。
搬運部15，是在內部具備基板搬運裝置17。 基板搬運裝置17，是具備將晶圓W保持的晶圓保持機構。且，基板搬運裝置17，是可朝水平方向及垂直方向的移動以及以垂直軸為中心的繞轉，使用晶圓保持機構在交付部14及處理單元16之間進行晶圓W的搬運。
處理單元16，是對於藉由基板搬運裝置17被 搬運的晶圓W進行規定的基板處理。
且基板處理系統1，是具備控制裝置4。控制 裝置4，是例如具備：電腦、控制部18及記憶部19。在記憶部19中，在基板處理系統1容納有控制被實行的各種處理的程式。控制部18，是藉由將被記憶在記憶部19的程式讀出並實行來控制基板處理系統1的動作。
又，這種程式，是被記錄在可藉由電腦讀取 的記憶媒體者，從其記憶媒體被安裝在控制裝置4的記憶 部19者也可以。可由電腦讀取的記憶媒體，是具有例如硬碟(HD)、軟碟(FD)、雷射光碟(CD)、磁光碟(MO)、記憶卡等。
在如上述構成的基板處理系統1中，首先， 搬入出站2的基板搬運裝置13，是從被載置於載體載置部11的載體C將晶圓W取出，將被取出的晶圓W載置在交付部14。被載置於交付部14的晶圓W，是藉由處理站3的基板搬運裝置17從交付部14被取出，朝處理單元16被搬入。
朝處理單元16被搬入的晶圓W，是藉由處理 單元16被處理之後，藉由基板搬運裝置17從處理單元16被搬出，被載置在交付部14。且被載置於交付部14的處理過的晶圓W，是藉由基板搬運裝置13朝載體載置部11的載體C返回。
接著，對於處理單元16的構成參照第2圖進行說明。第2圖，是顯示處理單元16的概略構成的圖。
如第2圖所示，處理單元16，是具備：室20、及基板保持機構30、及處理流體供給部40、及回收杯50。
室20，是收容基板保持機構30及處理流體供給部40及回收杯50。在室20的天花板部中，設有FFU(風機過濾單元、Fan Filter Unit)21。FFU21，是在室20內形成向下流。
基板保持機構30，是具備：保持部31、及支 柱部32、及驅動部33。保持部31，是將晶圓W水平保持。支柱部32，是朝垂直方向延伸的構件，基端部是藉由驅動部33可旋轉地被支撐，將保持部31水平支撐在先端部。驅動部33，是將支柱部32繞垂直軸周圍旋轉。這種基板保持機構30，是藉由使用驅動部33將支柱部32旋轉使被支撐於支柱部32的保持部31旋轉，由此，使被保持在保持部31的晶圓W旋轉。
處理流體供給部40，是對於晶圓W供給處理 流體。處理流體供給部40，是與處理流體供給源70連接。
回收杯50，是將保持部31圍起來地配置，藉 由保持部31的旋轉將從晶圓W飛散的處理液捕集。在回收杯50的底部，形成有排液口51，藉由回收杯50被捕集的處理液，是從這種排液口51朝處理單元16的外部被排出。且，在回收杯50的底部中，形成有將從FFU21被供給的氣體朝處理單元16的外部排出的排氣口52。
接著，對於處理單元16的具體的構成參照第 3圖進行說明。第3圖，是顯示處理單元16的具體的構成的圖。
如第3圖所示，處理單元16，是具備加熱機 構60。加熱機構60，是藉由對於被保持在保持部31的晶圓W的外周部WE將高溫的氣體吐出而將晶圓W的外周部WE加熱。加熱機構60，是被配置於晶圓W的背面側(被處理面的相反側的面側)。
保持部31，是例如真空挾盤，將晶圓W的背 面中心部吸附保持。即，晶圓W的背面，是藉由保持部31被保持的中心部以外被露出，與這種露出的背面相面對的方式配置有加熱機構60。加熱機構60，是與晶圓W的露出的背面隔有例如2~3mm程度的間隔地配置。
處理流體供給部40，是具備：噴嘴41、及一 端連接在噴嘴41的配管42。配管42的另一端是複數分岐，各別透過閥71與藥液供給源72連接，透過閥73與DIW供給源74連接，透過閥75與IPA供給源76連接。 這種處理流體供給部40，是將從藥液供給源72被供給的藥液、從DIW供給源74被供給的DIW(常溫的純水)或是IPA供給源76被供給的常溫的IPA(異丙醇)從噴嘴41對於晶圓W的表面(被處理面)吐出。
在此說明，處理流體供給部40是具備1個噴 嘴41的情況的例，但是處理流體供給部40，是具備對應各處理液的複數噴嘴也可以。即，處理流體供給部40，是具備：與藥液供給源72連接將藥液吐出的噴嘴、及與DIW供給源74連接將DIW吐出的噴嘴、及與IPA供給源76連接將IPA吐出的噴嘴也可以。且，處理流體供給部40，可取代IPA供給源76，與將IPA以外的揮發性溶劑朝噴嘴41供給的揮發性溶劑供給源連接也可以。
接著，對於加熱機構60的具體的構成參照第 4圖進行說明。第4圖，是顯示加熱機構60的構成例的圖。又，第4圖所示的符號O，是顯示晶圓W的中心 線。
如第4圖所示，加熱機構60，是具備：相面 對板61、及加熱部62。相面對板61，是設在與晶圓W的背面相面對的位置，加熱部62，是設於與相面對板61的晶圓W相面對的面相反側的面。
相面對板61，是具有：朝向被保持在保持部 31的晶圓W的外周部WE將氣體吐出的吐出流路63、及朝向晶圓W以外將氣體吐出的分岐流路64。吐出流路63，是與形成於密封構件612的第1吐出口65連通，分岐流路64，是與形成於加熱部62的第2吐出口66連通。
吐出流路63及分岐流路64，是透過各別分岐 管81、84與切換閥82連接。切換閥82，是與氣體供給源83連接。
在分岐管81中，設有調整流動於吐出流路63 的氣體的流量用的第1流量調整機構91。且，在分岐管84中，設有調整流動於分岐流路64的氣體的流量用的第2流量調整機構92。第1流量調整機構91及第2流量調整機構92，是例如質量流動控制器。
切換閥82(相當於「切換部」的一例)，是 藉由控制部18被控制，將從氣體供給源83被供給的氣體的供給目的地在吐出流路63及分岐流路64之間切換。氣體供給源83，是供給例如常溫的N2氣體和常溫的乾空氣等的常溫的氣體。
加熱部62，是在內部具有加熱器621，使用 這種加熱器621將吐出流路63及分岐流路64加熱。藉由在被如此加熱的吐出流路63及分岐流路64使常溫的氣體流通，就可以將常溫的氣體加熱至規定的溫度。
相面對板61，是具備：溝形成構件611、及 密封構件612。密封構件612，是被配置於與被保持在保持部31的晶圓W相面對的位置，溝形成構件611，是被安裝於密封構件612中的與晶圓W相對面相反側的面。
在此，對於溝形成構件611及密封構件612 的具體的構成參照第5圖及第6圖進行說明。第5圖，是顯示溝形成構件611的構成的圖。且，第6圖，是顯示密封構件612的構成的圖。
如第5圖及第6圖所示，溝形成構件611及 密封構件612，是與晶圓W大致同徑的圓板狀的構件。在溝形成構件611及密封構件612的中心部中，形成有比保持部31更大徑的圓形的孔。又，加熱機構60，是被配置於：形成於溝形成構件611及密封構件612的上述圓形的孔的中心、及晶圓W的中心線O(第4圖參照)一致的位置。
如第5圖所示，在溝形成構件611的表面， 各別形成有：構成吐出流路63的一部分的溝63a、及構成分岐流路64的一部分的溝64a。溝63a及溝64a，是從連接有分岐管81、84的溝形成構件611的一端部朝向另一端部，避免形成於溝形成構件611的中央的圓形的孔地 形成，並且通過溝形成構件611的外周側再度朝一端部返回地形成。且，溝63a及溝64a，是彼此不干涉地形成。 具體而言，在本實施例中，在溝63a的往路及返路之間形成有溝64a的往路及返路。這些的溝63a、64a是藉由密封構件612被密封，而形成吐出流路63及分岐流路64。
又，上述的溝63a、64a，是在溝形成構件 611的Y軸正方向側的領域及負方向側的領域各形成1個。且，分岐管81、84，是分別被連接在：形成於溝形成構件611的Y軸正方向側的領域的溝63a、64a、及形成於Y軸負方向側的領域的溝63a、64a。
如第6圖所示，在密封構件612中，沿著密 封構件612的外周部形成有複數第1吐出口65。第1吐出口65，是形成於溝形成構件611中的對應溝63a的返路的位置，從氣體供給源83朝吐出流路63被供給的氣體，是從這種第1吐出口65朝向晶圓W的外周部WE被吐出。
形成於加熱部62的第2吐出口66(第4圖參照)，是形成於對應溝形成構件611中的溝64a的位置，在分岐流路64中最遠離氣體供給源83的位置形成1個。如上述，在相面對板61中，設有2系統的分岐流路64。因此，在溝形成構件611中，形成有合計2個的第2吐出口66。
從氣體供給源83朝分岐流路64被供給的氣體，是從這種第2吐出口66朝向加熱機構60的下方被吐 出。
如此，加熱機構60，是將形成於相面對板61 的吐出流路63及分岐流路64藉由加熱部62加熱，藉由在被加熱的吐出流路63或是分岐流路64將常溫的氣體流通而將常溫的氣體加熱至規定的溫度，就可以將被加熱的氣體從第1吐出口65朝向晶圓W的外周部WE吐出。或是可以從第2吐出口66朝向晶圓W以外吐出。
且加熱機構60，是藉由使用切換閥82將從氣 體供給源83被供給的氣體的供給目的地在吐出流路63及分岐流路64之間切換，就可以將被加熱至規定的溫度的氣體的吐出目的地切換至晶圓W的外周部WE或是晶圓W以外的其中任一。
且在密封構件612中，形成有第3吐出口 68。第3吐出口68，是形成於對應溝形成構件611中的溝63a的往路的位置。從氣體供給源83朝吐出流路63被供給的氣體，是從這種第3吐出口68朝向比晶圓W的外周部WE更靠近中心部的位置被吐出。由此，不是只有晶圓W的外周部WE，比晶圓W的外周部WE更靠近中心部的位置中的藥液的溫度下降也被抑制。
第3吐出口68，是形成比第1吐出口65更小 徑。這是因為比晶圓W的外周部WE更靠近中心部的位置中的藥液的溫度下降，是比晶圓W的外周部WE少，所以也可以由比在晶圓W的外周部WE被吐出的氣體的流量更少的流量抑制藥液的溫度下降。
且如第4圖所示，第2吐出口66，是形成比 第1吐出口65更大徑。這是為了如後述，在吐出流路63及分岐流路64將氣體的流量對齊。
即，在吐出流路63中，複數第1吐出口65 及第3吐出口68連通，對於此，在分岐流路64中，只有1個第2吐出口66連通。因此，將第2吐出口66的徑作成與第1吐出口65或是第3吐出口68同徑的話，將與吐出流路63同等流量的氣體朝分岐流路64流動是成為困難。換言之，不將流動於吐出流路63的氣體的流量減少的話，將兩者的氣體的流量對齊是困難的。在此，在本實施例的加熱機構60中，藉由將第2吐出口66的徑比第1吐出口65更大，就可以對於分岐流路64流動與吐出流路63同等流量的氣體。
如此，藉由在吐出流路63及分岐流路64將 氣體的流量對齊，就可以抑制將氣體的吐出目的地切換時的加熱器621的輸出變動。因此，例如，在後述的藥液處理將氣體的吐出目的地從分岐流路64朝吐出流路63切換時，可以對於晶圓W將被加熱至規定的溫度的氣體馬上吐出。
接著，對於處理單元16實行的基板處理的處 理程序參照第7圖~第9圖進行說明。第7圖，是顯示基板處理的處理程序的流程圖。且，第8圖，是顯示藥液處理的動作例的圖，第9圖，是顯示IPA置換處理的動作例的圖。
又，處理單元16，是藉由控制裝置4所具備的控制部18被控制。控制部18，是例如CPU(中央處理器、Central Processing Unit)，藉由將被記憶在記憶部19的無圖示的程式讀出實行來控制處理單元16的動作。又，控制部18，是不使用程式只有硬體地構成也可以。
在此，在第7圖所示的步驟S101~S106的一連串的基板處理中，吐出流路63及分岐流路64，是藉由加熱部62維持被加熱的狀態。即，加熱部62，不會在一連串的基板處理的途中被停止。且，在步驟S101~S106的一連串的基板處理中，在吐出流路63或是分岐流路64中，氣體是從氣體供給源83被持續供給。即，即使從氣體供給源83朝吐出流路63或是分岐流路64供給氣體，也不會在一連串的基板處理的途中被停止。
且在一連串的基板處理的開始時點，從氣體供給源83被供給的氣體，是被供給至分岐流路64。即，在一連串的基板處理的開始時點中，加熱機構60，是成為從第2吐出口66朝向加熱機構60的下方將被加熱至規定的溫度的氣體吐出的狀態。
如第7圖所示，在處理單元16中，首先，進行晶圓W的搬入處理(步驟S101)。在這種搬入處理中，基板搬運裝置17(第1圖參照)是將晶圓W載置在保持部31上，保持部31是將晶圓W吸附保持。
接著，在處理單元16中，進行藥液處理(步驟S102)。在這種藥液處理中，首先，藉由驅動部33將 保持部31旋轉，將被保持在保持部31的晶圓W以規定的旋轉數旋轉。接著，處理流體供給部40的噴嘴41是位於晶圓W的中央上方。其後，閥71是藉由被開放規定時間，使從藥液供給源72被供給的藥液從噴嘴41朝晶圓W的被處理面被供給。朝晶圓W被供給的藥液，是藉由伴隨晶圓W的旋轉的離心力擴大至晶圓W的被處理面的全面。由此，晶圓W的被處理面是藉由藥液被處理。
在此，在處理單元16中，步驟S102的藥液 處理，是藉由將HF(氫氟酸)等的蝕刻液朝晶圓W的被處理面供給，來進行將晶圓W的被處理面蝕刻的蝕刻處理。
在這種蝕刻處理中，為了提高蝕刻率，使用 被加熱至例如50~80℃程度的蝕刻液。但是，被供給至晶圓W的中心部的蝕刻液，是在到達晶圓W的外周部為止之間，熱被晶圓W奪走，溫度會下降。因此，在晶圓W的中心部及外周部有可能發生蝕刻率不均一。
在此，在本實施例的處理單元16中，在藥液 處理中，藉由將從加熱機構60的第1吐出口65被加熱至規定的溫度的氣體吐出，進行將晶圓W的外周部WE加熱的第1吐出處理。
具體而言，如第8圖所示，例如晶圓W是藉 由保持部31被保持之後，直到從噴嘴41對於晶圓W供給藥液之前，將氣體供給源83控制，將從氣體供給源83被供給的氣體的供給目的地從分岐流路64朝吐出流路63 切換。由此，從氣體供給源83被供給的常溫的氣體，是朝吐出流路63被供給，在將吐出流路63流通的期間，藉由加熱部62被加熱至例如與蝕刻液的溫度同程度(50~80℃)。被加熱的氣體，是從第1吐出口65朝向晶圓W的外周部WE被吐出。由此，晶圓W的外周部WE被加熱。
如此，藉由將晶圓W的外周部WE加熱，就 可以抑制晶圓W的外周部WE中的藥液的溫度下降。因此，可以提高蝕刻率的面內均一性。
在此，控制部18，是在一連串的基板處理 中，在吐出流路63及分岐流路64使氣體的流量成為同等的方式，將第1流量調整機構91及第2流量調整機構92控制。由此，如上述，可以抑制將氣體的吐出目的地切換時的加熱器621的輸出變動。又，吐出流路63中的氣體的流量及分岐流路64中的氣體的流量，不需要完全一致。即，控制部18，是在不會伴隨氣體的吐出目的地切換而產生溫度變動的範圍，將分岐流路64中的氣體的流量比吐出流路63中的氣體的流量稍減少也可以。由此，可以削減氣體的使用量。
且圖示省略，是加熱機構60，是在第1吐出 處理中，不是只有晶圓W的外周部WE，也朝從第3吐出口68比晶圓W的外周部WE更靠近中心部的位置將高溫的氣體吐出。由此，也可以抑制比晶圓W的外周部WE更靠近中心部的位置中的藥液的溫度下降。
接著，在處理單元16中，進行將晶圓W的被 處理面由DIW沖洗的清洗處理(步驟S103)。在這種清洗處理中，閥73是藉由被規定時間開放，從DIW供給源74被供給的DIW是從噴嘴41朝晶圓W的被處理面被供給，使殘存於晶圓W的藥液被沖洗。
接著，在處理單元16中，進行IPA置換處理(步驟S104)。IPA置換處理，是清洗處理終了後，將殘存於晶圓W的被處理面的DIW置換為揮發性比DIW更高的IPA的處理。
在這種IPA置換處理中，閥75是藉由被規定時間開放，從IPA供給源76被供給的IPA是從噴嘴41朝晶圓W的被處理面被供給。朝晶圓W被供給的IPA，是藉由伴隨晶圓W的旋轉的離心力擴大至晶圓W的被處理面的全面。由此，殘存於晶圓W的被處理面的DIW是被置換成IPA。
接著，在處理單元16中，進行乾燥處理(步驟S105)。在這種乾燥處理中，藉由將晶圓W的旋轉速度增速來擺脫晶圓W上的IPA使晶圓W乾燥。其後，在處理單元16中，進行搬出處理(步驟S106)。在這種搬出處理中，由驅動部33所產生的晶圓W的旋轉停止之後，晶圓W是藉由基板搬運裝置17(第1圖參照)從處理單元16被搬出。這種搬出處理完成的話，對於1枚的晶圓W的一連串的基板處理就完成。
在此，在步驟S101~S106的一連串的基板處 理中，從加熱機構60的第1吐出口65對於晶圓W的外周部WE持續供給高溫的氣體的話，在例如步驟S104的IPA置換處理中，IPA的揮發被過度地促進，從DIW朝IPA的置換有可能無法充分地達成。且，IPA藉由高溫的氣體被加熱的話，也有發火的可能。
因此，進行例如步驟S102的藥液處理以外的 處理的情況時，考慮停止由加熱部62所產生的加熱及來自氣體供給源83的氣體的供給。但是，將由加熱部62所產生的加熱再開之後至加熱器621的輸出穩定為止需要時間。因此，規定的溫度的氣體從第1吐出口65被吐出為止必需等待藥液處理的開始，處理量(能力)有可能下降。
且也考慮不將由加熱部62所產生的加熱停 止，只有將來自氣體供給源83的氣體的供給停止。但是，這種情況，加熱器621因為是成為被空燒，藉由過熱有可能使加熱器621燒損。且，加熱器621即使具有可配合目標溫度將輸出自動調整的功能，但氣體的供給停止期間因為輸出是被抑制較低，所以將氣體的供給再開時，直到加熱器621的輸出穩定為止有可能會花費時間。如此，將由加熱部62所產生的加熱和來自氣體供給源83的氣體的供給一時地停止，對於達成一連串的基板處理的效率化並不佳。
在此，在本實施例的處理單元16中，不停止 由加熱部62所產生的加熱及來自氣體供給源83的氣體的 供給，而是將從氣體供給源83被供給的氣體的供給目的地從吐出流路63朝分岐流路64切換。
具體而言，控制部18，是步驟S102的藥液處 理終了之後，將切換閥82控制，進行將從氣體供給源83被供給的氣體的供給目的地從吐出流路切換至分岐流路的第2吐出處理。由此，如第9圖所示，從氣體供給源83被供給的氣體，是透過切換閥82及分岐管84朝分岐流路64被供給，在將分岐流路64流通期間藉由加熱部62被加熱，從第2吐出口66朝加熱機構60的下方，即，朝晶圓W以外被吐出。因此，在例如IPA置換處理時，可以防止被供給至晶圓W上的IPA藉由高溫的氣體被加熱。
又，第2吐出處理，即，從分岐流路64朝晶 圓W以外將氣體吐出的處理，是只有例如IPA置換處理期間進行也可以。
如上述，本實施例的處理單元16(相當於 「基板處理裝置」的一例)，是具備：保持部31、及驅動部33(相當於「旋轉機構」的一例)、及處理流體供給部40(相當於「處理液供給部」的一例)、及加熱機構60。保持部31，是將晶圓W保持。驅動部33，是將保持部31旋轉。處理流體供給部40，是對於被保持在保持部31的晶圓W供給被加熱至規定的溫度的藥液(相當於「處理液」的一例)。加熱機構60，是將被保持在保持部31的晶圓W的外周部WE加熱。
且加熱機構60，是具備：吐出流路63、及分 岐流路64、及加熱部62。吐出流路63，是朝向被保持在保持部31的晶圓W的外周部WE將氣體吐出用的流路。 分岐流路64，是朝向被保持在保持部31的晶圓W以外將氣體吐出用的流路。加熱部62，是將吐出流路63及分岐流路64加熱。
由此，不會停止由加熱部62所產生的加熱及 來自氣體供給源83的氣體的供給，在例如IPA置換處理時，可以防止被供給至晶圓W上的IPA藉由高溫的氣體被加熱。因此，依據本實施例的處理單元16的話，可以達成晶圓W的外周部WE的加熱處理的最適化。
(其他的實施例)
加熱機構的構成，是不限定於上述實施例顯示的構成。在此，以下，對於加熱機構的變形例參照第10圖~第12圖進行說明。第10圖，是顯示第1變形例的加熱機構的構成的圖，第11圖，是顯示第2變形例的加熱機構的構成的圖，第12圖，是顯示第3變形例的加熱機構的構成的圖。
又，在以下的說明中，對於與已經說明的部分同樣的部分，是附加與已經說明的部分相同的符號，並省略重複的說明。
如第10圖所示，第1變形例的加熱機構60A，是具備氣體導引管67。氣體導引管67，其一端是連接在加熱機構60A的第2吐出口66，並且另一端是設於 處理流體供給部40中的配管42的附近。
通過分岐流路64從第2吐出口66被吐出的 高溫的氣體，是藉由氣體導引管67被導引至處理流體供給部40的配管42的附近為止，從氣體導引管67朝向這種配管42被吐出。由此，配管42，是藉由高溫的氣體被加熱。如此，藉由將配管42加熱，在藥液處理以外的處理使用被加熱的處理液的情況時，可以抑制這種處理液的溫度直到通過配管42到達噴嘴41為止之間下降。且，在配管42無藥液流動期間持續了長時間之後開始藥液處理的情況時，因為也可以抑制開始隨後的藥液的溫度下降而有效。
且不限定於上述的例，氣體導引管67，是將 從分岐流路64被吐出的高溫的氣體朝其他的處理單元16A的配管42的附近導引也可以。由此，在其他的處理單元16A的藥液處理中，可以抑制藥液的溫度直到通過配管42朝噴嘴41到達為止之間下降。
且氣體導引管67，是將從分岐流路64被吐出 的高溫的氣體朝其他的處理單元16A的分岐管81的附近導引也可以。由此，在其他的處理單元16A的藥液處理中，可以從將從氣體供給源83被供給的氣體藉由加熱部62被加熱之前就開始加熱，可以減小地抑制加熱部62的輸出。
且氣體導引管67，是將從分岐流路64被吐出 的高溫的氣體、和與工場的排氣路線連接的處理單元16 的排氣口52(相當於「排氣路線」的一例)連接也可以。如此，藉由將從分岐流路64被吐出的高溫的氣體從排氣口52朝室20的外部直接排出，就可以抑制由從分岐流路64被吐出的高溫的氣體所產生的室20內部的溫度上昇。
且在上述的實施例中，雖說明了對於吐出流 路63及分岐流路64供給相同的氣體的情況的例，但是使由吐出流路63及分岐流路64供給的氣體相異也可以。
例如，如第11圖所示，在第2變形例的加熱 機構60B中，吐出流路63，是透過配管85及閥86與第1氣體供給源87連接。第1氣體供給源87，是透過配管85及閥86朝吐出流路63供給第1氣體。且分岐流路64，是透過配管88及閥89與第2氣體供給源90連接。第2氣體供給源90，是透過配管88及閥89朝分岐流路64供給第2氣體。
從第1氣體供給源87朝吐出流路63被供給 的第1氣體，是例如清淨乾空氣。清淨乾空氣，是例如清淨室等所使用的清淨度較高的空氣。且，從第2氣體供給源90朝分岐流路64被供給的第2氣體，是例如壓縮機空氣。壓縮機空氣，是例如作為泵的動作源等使用的空氣，清淨度是比清淨乾空氣更低。
朝向晶圓W以外被吐出的第2氣體，因為不 是對於晶圓W直接地被吐出，所以使用清淨度比第1氣體更低的第2氣體也可以。藉由如此，可以達成使用氣體 的成本削減。
又，控制部18，是進行例如步驟S102的藥液 處理的情況時，將閥89關閉並且將閥86打開，將從第1氣體供給源87被供給的第1氣體朝吐出流路63供給。 且，控制部18，是結束步驟S102的藥液處理之後，將閥86關閉並且將閥89打開，將從第2氣體供給源90被供給的第2氣體朝分岐流路64供給。如此，在第2變形例的加熱機構60B中，閥86及閥89，是相當於切換部的其他的一例。
又，如第2變形例的加熱機構60B，朝吐出 流路63的氣體的供給路徑及朝分岐流路64的氣體的供給路徑是獨立的情況，在一連串的基板處理中，在分岐流路64中，氣體是時常被持續供給也可以。
且在上述的實施例中，說明了加熱機構是被 配置於晶圓W的背面側(被處理面的相反側的面側)的情況的例，但是加熱機構，是被配置於晶圓W的被處理面側也可以。對於此點參照第12圖進行說明。第12圖，是顯示第3變形例的加熱機構的構成的圖。
如第12圖所示，第3變形例的加熱機構 60C，是被配置於與晶圓W的表面(被處理面)相面對的位置。具體而言，加熱機構60C，是在將密封構件612與晶圓W的被處理面相面對的狀態下被配置。這種情況，噴嘴41是插通形成於溝形成構件611、密封構件612及加熱部62的中央部的圓形的孔(第5圖、第6圖參照) 中。
如此，加熱機構，不限定於晶圓W的背面側(與被處理面相反側的面側)，被配置於晶圓W的表面側(被處理面側)也可以。
又，將加熱機構配置於晶圓W的被處理面側的情況，從加熱機構被吐出的高溫的氣體，因為成為朝被供給至晶圓W上的藥液被吐出，所以晶圓W的外周部，是藉由這種高溫的氣體被間接地加熱。對於此，將加熱機構配置於晶圓W的被處理面相反側的面側的情況時，從加熱機構被吐出的高溫的氣體，因為直接朝晶圓W的外周部被吐出，所以可以將晶圓W的外周部直接地加熱。因此，在欲將晶圓W的外周部效率良好地加熱的情況中，將加熱機構配置於晶圓W的被處理面相反側的面側較佳。
且在上述的實施例中，雖說明了作為藥液處理進行蝕刻處理的情況的例，但是藥液處理，不限定於蝕刻處理，藉由將例如DHF(稀氫氟酸)等的洗淨液朝晶圓W供給以將晶圓W洗淨的洗淨處理等也可以。
且在上述的實施例中，雖說明了將流動於分岐流路64的氣體從第2吐出口66朝向晶圓W相反的方向吐出的情況的例。但是，流動於分岐流路64的氣體的吐出方向，是晶圓W以外的方向即可，不限於上述的例。例如，將第2吐出口66設在溝形成構件611的周面，將流動於分岐流路64的氣體朝加熱機構60的側方吐 出也可以。
且處理單元，是進一步具備將加熱機構昇降 的昇降機構也可以。這種情況，在藥液處理以外的處理時，即，將氣體的供給目的地從吐出流路63朝分岐流路64在切換的時間點將加熱機構降下，藉由將加熱機構從晶圓W遠離，就可以更確實地防止在藥液處理以外的處理時晶圓W的外周部WE被加熱。且，處理單元，可取代將加熱機構昇降的昇降機構，而具備將保持部31昇降的昇降機構也可以。這種情況，在藥液處理以外的處理時將保持部31上昇，藉由將被保持在保持部31的晶圓W從加熱機構遠離，就可以更確實地防止在藥液處理以外的處理時晶圓W的外周部WE被加熱。如此，處理單元，是具備將被保持在保持部的晶圓W及加熱機構相對地移動的昇降機構也可以。
進一步的效果和變形例，本行業者可以容易地導出。因此，本發明的更廣泛的態樣，不限定於如以上表示記載的特定的詳細及代表例的實施例。因此，在不脫離藉由添付的申請專利範圍及其均等物被定義的總括的發明的概念的精神或是範圍，可進行各式各樣的變更。
W‧‧‧晶圓
WE‧‧‧外周部
30‧‧‧基板保持機構
31‧‧‧保持部
32‧‧‧支柱部
60‧‧‧加熱機構
61‧‧‧相面對板
62‧‧‧加熱部
63‧‧‧吐出流路
64‧‧‧分岐流路
65‧‧‧第1吐出口
66‧‧‧第2吐出口
81‧‧‧分岐管
82‧‧‧切換閥
83‧‧‧氣體供給源
84‧‧‧分岐管
91‧‧‧第1流量調整機構
92‧‧‧第2流量調整機構
611‧‧‧溝形成構件
612‧‧‧密封構件
621‧‧‧加熱器

Claims (15)

  1. 一種基板處理裝置，其特徵為，具備：將基板保持的保持部、及使前述保持部旋轉的旋轉機構、及對於被保持在前述保持部的基板供給處理液的處理液供給部、及將被保持在前述保持部的基板的外周部加熱的加熱機構，前述加熱機構，具備：朝向被保持在前述保持部的基板的外周部將氣體吐出用的吐出流路、及朝向被保持在前述保持部的基板以外將氣體吐出用的分岐流路、及將前述吐出流路及前述分岐流路加熱的加熱部。
  2. 如申請專利範圍第1項的基板處理裝置，其中，具備將從氣體供給源被供給的前述氣體的供給目的地在前述吐出流路及前述分岐流路之間切換的切換部。
  3. 如申請專利範圍第2項的基板處理裝置，其中，具備控制部，其是使用前述旋轉機構將前述基板旋轉，且使用前述處理液供給部朝前述基板供給被加熱至規定的溫度的前述處理液的基板處理；及在至少前述基板處理中，從藉由前述加熱部被加熱的前述吐出流路朝向前述基板的外周部將前述氣體吐出的第1吐出處理；及進行前述基板處理以外的規定的處理的情況時，進行將前述切換 部控制，將從前述氣體供給源被供給的前述氣體的供給目的地從前述吐出流路朝前述分岐流路切換，從藉由前述加熱部被加熱的前述分岐流路朝向前述基板以外將前述氣體吐出的第2吐出處理。
  4. 如申請專利範圍第3項的基板處理裝置，其中，前述處理液供給部，是將被加熱至規定的溫度的前述處理液及揮發性溶劑對於被保持在前述保持部的基板供給，前述控制部，是使用前述處理液供給部進行朝前述基板供給前述揮發性溶劑的處理的情況時，進行前述第2吐出處理。
  5. 如申請專利範圍第3或4項的基板處理裝置，其中，具備：調整流動於前述吐出流路的氣體的流量用的第1流量調整機構、及調整流動於前述分岐流路的氣體的流量用的第2流量調整機構，前述控制部，是將前述第1流量調整機構及前述第2流量調整機構控制，將流動於前述吐出流路的氣體的流量及流動於前述分岐流路的氣體的流量對齊。
  6. 如申請專利範圍第1至4項中任一項的基板處理裝置，其中，前述加熱機構，是具備：前述吐出流路及前述分岐流路形成於內部，且與被保持在前述保持部的基板相面對的 相面對板，前述吐出流路，是與形成於前述相面對板的與前述基板的相對面的第1吐出口連通，前述分岐流路，是與前述加熱機構中的形成於前述相對面以外的面的第2吐出口連通。
  7. 如申請專利範圍第6項的基板處理裝置，其中，前述吐出流路，是與複數前述第1吐出口連通，前述分岐流路，是與1個的前述第2吐出口連通。
  8. 如申請專利範圍第7項的基板處理裝置，其中，前述第2吐出口，是比前述第1吐出口更大徑。
  9. 如申請專利範圍第6項的基板處理裝置，其中，前述加熱部，是設於前述相面對板的與前述基板的相對面的相反側的面。
  10. 如申請專利範圍第1至4項中任一項的基板處理裝置，其中，前述處理液供給部，是對於前述基板的被處理面供給前述處理液，前述加熱機構，是被配置於相面對於與前述基板的被處理面相反側的面的位置。
  11. 如申請專利範圍第1至4項中任一項的基板處理裝置，其中，前述吐出流路，是朝向被保持在前述保持部的基板的外周部將第1氣體吐出，前述分岐流路，是朝向被保持在前述保持部的基板以 外將清淨度比前述第1氣體更低的第2氣體吐出。
  12. 如申請專利範圍第1至4項中任一項的基板處理裝置，其中，前述處理液供給部，具備：噴嘴、及與前述噴嘴連接使被加熱至規定的溫度的前述處理液流動的配管，前述分岐流路，是朝向自裝置或是其他的基板處理裝置所具備的前述配管將前述氣體吐出。
  13. 如申請專利範圍第1至4項中任一項的基板處理裝置，其中，具備將從前述分岐流路被吐出的氣體透過氣體導引管排出的排氣路線。
  14. 一種基板處理方法，其特徵為，包含：將基板旋轉且對於前述基板供給被加熱至規定的溫度的處理液的基板處理過程；及在至少前述基板處理過程中，藉由從藉由將朝向前述基板的外周部將氣體吐出用的吐出流路及朝向前述基板以外將氣體吐出用的分岐流路加熱的加熱部被加熱的前述吐出流路朝向前述基板的外周部將前述氣體吐出，將前述基板的外周部加熱的第1吐出過程；及進行前述基板處理過程中的處理以外的規定的處理的情況時，停止從前述吐出流路朝前述基板的外周部的前述氣體的吐出，從藉由前述加熱部被加熱的前述分岐流路朝 向前述基板以外將前述氣體吐出的第2吐出過程。
  15. 一種記憶媒體，其特徵為：可在電腦上動作，記憶有將基板處理裝置控制的程式的電腦可讀取的記憶媒體，前述程式，是在實行時，進行如申請專利範圍第14項的基板處理方法，由電腦控制前述基板處理裝置。
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