JP6022430B2 - 基板処理装置 - Google Patents
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- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims description 83
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 74
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 139
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 60
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 52
- 239000003595 mist Substances 0.000 claims description 34
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims description 4
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 32
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 21
- 238000000034 method Methods 0.000 description 16
- 230000008569 process Effects 0.000 description 13
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 8
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 7
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 5
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 4
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 3
- 230000001174 ascending effect Effects 0.000 description 3
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 3
- 239000010808 liquid waste Substances 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000009471 action Effects 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 210000000078 claw Anatomy 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 1
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 230000009191 jumping Effects 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
- H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
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- H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
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- Power Engineering (AREA)
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Description
ウエハから飛散したミストは回転カップに案内されて非回転カップの内部に形成された流路に導かれる。回転する回転カップと回転しない第1カップとの干渉を確実に回避するため、両者の間にはある程度の大きさの隙間を設ける必要がある。
第1カップ31と第2カップ32との間には第1流路311が形成され、第2カップ32と第3カップ33との間には第2流路321が形成され、第3カップ33と内壁34との間には第3流路331が形成される。
ウエハWが基板処理部10により保持され、回転駆動部18によりウエハWが回転する。この回転するウエハWには、処理液として、酸性薬液ノズル51から酸性薬液例えばDHFが供給され、ウエハWに酸性薬液洗浄処理が施される。酸性薬液は遠心力によりウエハWから振り切られ、回転カップ20に受け止められる。このとき、第2カップ32及び第3カップ33が下降位置に位置しており、酸性薬液は第1カップ31と第2カップと32との間の第1流路311を通って流れる。
ミストの大部分は、第1流路311の途中に設けられた屈曲部の壁体に捕捉され、液受け312に落下する。また、第1流路311に面する第1カップ31及び第2カップ32の表面に沿って流下する酸性薬液も液受け312に落下する。液受け312に落ちた酸性薬液は、排液口313を介してカップ30内から排出される。
次に、ウエハWの回転を継続したまま、酸性薬液ノズル51からの酸性薬液の吐出を停止し、代わりに、リンス液ノズル53から、処理液として、リンス液例えばDIWをウエハWに供給する。これによりウエハW上に残留する酸性薬液及び残渣が洗い流される。このリンス処理は、上記の点のみが酸性薬液洗浄処理と異なり、その他の点(ガス、処理液等の流れ)は酸性薬液洗浄処理と同じである。
次に、ウエハWの回転を継続したまま、リンス液ノズル53からのリンス液の吐出を停止し、第3カップ33を下降位置に維持したまま第2カップ32を上昇位置に移動させ、切替弁40の弁体を第2位置(図1に示す位置)に移動させる。次いで、ウエハWに、処理液として、アルカリ性薬液ノズル52からアルカリ性洗浄液例えばSC−1がウエハに供給され、ウエハWにアルカリ性薬液洗浄処理が施される。このアルカリ性薬液洗浄処理は、ガス及びアルカリ性薬液の排出経路が酸性薬液洗浄処理と異なり、他の点については酸性薬液洗浄処理と同じである。
次に、ウエハWの回転を継続したまま、アルカリ性薬液ノズル52からのアルカリ性薬液の吐出を停止し、代わりに、リンス液ノズル53から、リンス液をウエハWに供給する。これによりウエハW上に残留するアルカリ性薬液及び残渣が洗い流される。この第2リンス処理は、ガス及び処理液(リンス液)の排出経路が第1リンス処理と異なり、他の点については第1リンス処理と同じである。
次に、ウエハWの回転を継続したまま、リンス液ノズル53からのリンス液の吐出を停止し、第2カップ32を上昇位置に維持したまま第3カップ33を上昇位置に移動させ(このときに図1に示す状態となる)、切替弁40の弁体44を第3位置(図1に示す位置から左にシフトした位置)に移動させる。この状態でウエハWの回転が所定時間継続される。これにより、ウエハW上に残留していたDIWがウエハW上から振り切られ、ウエハWの乾燥が行われる。
(1)ウエハWから振り切られて外方に飛散した処理液が内側のカップCi(回転カップ20に相当するカップ)を飛び越えて(図4の矢印Aを参照)、外側のカップCoの表面(例えば点P2近傍の鉛直面または傾斜面)に直接付着すること。
(2)前述した外側のカップCoと内側のカップCiとの間の隙間に生じているガス流れは比較的弱いものであり、通常は陰圧(負圧)となっているカップ組立体の内部空間Sが何らかの理由により一時的に陽圧になることにより、内部空間S内にあるミストが外側のカップCoと内側のカップCiとの間の隙間に向けて逆流し、当該ミストが外側のカップCoと内側のカップCiとの間の気体案内空間31fに相当する空間内の気流により外側のカップCoの表面に付着すること。なお、この現象が生じた場合には、ミストが逆流に乗って直接的にウエハの上方に向けて吹き出すこともある。
18 回転駆動部
51〜54 処理液ノズル
20 回転カップ(外側回転カップ)
20c 外側突出部
20d 凹所
31 外カップ(第1カップ)
31e 内側突出部
31h 凹所
40,100 排気制御部(切替弁、コントローラ)
60 ハウジング
Claims (10)
- 基板を水平姿勢で保持する基板保持部と、
前記基板保持部を鉛直軸線周りに回転させる回転駆動部と、
前記基板に所定の液処理を行うための処理液を供給する処理液ノズルと、
前記基板保持部に設けられ、前記基板保持部に保持された基板を囲むとともに前記基板保持部と一緒に回転し、回転する基板から飛散した処理液を案内する回転カップと、
前記回転カップの周囲に隙間を介して設けられ、前記回転カップにより案内された処理液を受ける外カップと、
を備え、
前記回転カップの上端の高さは、前記外カップの上端の高さより高く、
前記回転カップの外周面の上端部に、前記回転カップの半径方向外側に張り出すとともに円周方向に延びる外側突出部が設けられており、前記外側突出部は、前記隙間から前記基板保持部により保持された基板の上方に向かって飛び出す処理液のミストを遮断する、基板処理装置。 - 前記回転カップの外周面に対面する前記外カップの内周面の上端部に、前記外カップの半径方向内側に張り出すとともに円周方向に延びる内側突出部が設けられており、前記内側突出部がある位置において、前記回転カップの外周面と前記外カップの内周面との間隔が狭められており、前記内側突出部の下面に上向きに窪んだ凹所が設けられている、請求項1記載の基板処理装置。
- 前記回転カップの外周面の上部は、上方にゆくに従って半径方向内側に向かうように傾斜する斜め上方を向いた傾斜面となっており、この傾斜面の上端部と前記外側突出部の下面との間に、円周方向に延びる半径方向内側に向けて窪んだ凹所が形成されている、請求項1記載の基板処理装置。
- 前記回転カップの前記凹所の表面は曲面からなる、請求項3記載の基板処理装置。
- 前記内側突出部の上端の高さは、前記外側突出部の下面の外周端の高さよりも低い、請求項2記載の基板処理装置。
- 前記回転カップの外周面に対面する前記外カップの内周面の上端部に、前記外カップの半径方向内側に張り出すとともに円周方向に延びる内側突出部が設けられており、前記内側突出部の内周面は、その下部が上方にゆくに従って半径方向内側に向かうように斜め下方を向いて傾斜し、その上部が上方にゆくに従って半径方向外側に向かうように斜め上方を向いて傾斜している、請求項3記載の基板処理装置。
- 前記回転カップの前記外側突出部は、前記外カップの上部のうちの最も半径方向内側の位置にある部分よりも半径方向外側に張り出している、請求項1記載の基板処理装置。
- 前記回転カップの内周面は、当該内周面の上端から当該上端より低い第1の高さ位置まで延びる第1の領域と、前記第1の高さ位置から前記第1の高さ位置より低い第2の高さ位置まで延びる第2の領域とを有しており、前記第1および第2の領域は下方にゆくに従って半径方向外側に向かうように斜め下方を向いて傾斜しており、水平面に対して前記第1の領域が成す角度は水平面に対して前記第2の領域が成す角度よりも大きく、前記内周面の上端に対応する前記回転カップの上部内周端はエッジ形状となっている、請求項1〜7のうちのいずれか一項に記載の基板処理装置。
- 前記回転カップと前記外カップとの間の空間に、洗浄液を供給する洗浄液供給部を備えた、請求項1〜8のうちのいずれか一項に記載の基板処理装置。
- 前記基板保持部、前記回転カップおよび前記外カップを収容するハウジングと、
前記ハウジング内の雰囲気の排気を制御する排気制御部と、
前記排気制御部は、前記処理液ノズルから処理液を基板に供給して前記基板に所定の液処理が行われているときに前記ハウジング内の雰囲気を排気し、前記基板に乾燥処理が行われているときに前記ハウジング内の雰囲気の排気を停止する、請求項1〜9のうちのいずれか一項に記載の基板処理装置。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013205418A JP6022430B2 (ja) | 2012-11-21 | 2013-09-30 | 基板処理装置 |
TW102141260A TWI540001B (zh) | 2012-11-21 | 2013-11-13 | Substrate processing device |
KR1020130140482A KR101934924B1 (ko) | 2012-11-21 | 2013-11-19 | 기판 처리 장치 |
US14/084,839 US9768039B2 (en) | 2012-11-21 | 2013-11-20 | Substrate processing apparatus |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012255566 | 2012-11-21 | ||
JP2012255566 | 2012-11-21 | ||
JP2013205418A JP6022430B2 (ja) | 2012-11-21 | 2013-09-30 | 基板処理装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014123713A JP2014123713A (ja) | 2014-07-03 |
JP6022430B2 true JP6022430B2 (ja) | 2016-11-09 |
Family
ID=50726755
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013205418A Active JP6022430B2 (ja) | 2012-11-21 | 2013-09-30 | 基板処理装置 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9768039B2 (ja) |
JP (1) | JP6022430B2 (ja) |
KR (1) | KR101934924B1 (ja) |
TW (1) | TWI540001B (ja) |
Families Citing this family (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10707099B2 (en) | 2013-08-12 | 2020-07-07 | Veeco Instruments Inc. | Collection chamber apparatus to separate multiple fluids during the semiconductor wafer processing cycle |
JP6090113B2 (ja) * | 2013-10-30 | 2017-03-08 | 東京エレクトロン株式会社 | 液処理装置 |
JP6195803B2 (ja) * | 2014-05-02 | 2017-09-13 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置、基板処理方法および記憶媒体 |
JP6370678B2 (ja) * | 2014-10-28 | 2018-08-08 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板液処理装置 |
JP6395673B2 (ja) * | 2015-07-14 | 2018-09-26 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置 |
US10832902B2 (en) * | 2015-12-28 | 2020-11-10 | Tokyo Electron Limited | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
JP6665042B2 (ja) * | 2016-06-21 | 2020-03-13 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置、基板処理装置の洗浄方法及び記憶媒体 |
WO2018200398A1 (en) * | 2017-04-25 | 2018-11-01 | Veeco Precision Surface Processing Llc | Semiconductor wafer processing chamber |
KR102447277B1 (ko) * | 2017-11-17 | 2022-09-26 | 삼성전자주식회사 | 스핀 코터 및 이를 구비하는 기판처리 장치와 기판처리 시스템 |
KR102634281B1 (ko) * | 2020-12-21 | 2024-02-07 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 |
KR20230050871A (ko) | 2021-10-08 | 2023-04-17 | 세메스 주식회사 | 기판처리장치 및 기판처리방법 |
CN113945072B (zh) * | 2021-10-18 | 2022-11-29 | 北京烁科精微电子装备有限公司 | 一种干燥系统及干燥方法 |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5439519A (en) * | 1992-04-28 | 1995-08-08 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Solution applying apparatus |
JP2003174005A (ja) * | 2001-12-07 | 2003-06-20 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
JP3890025B2 (ja) * | 2003-03-10 | 2007-03-07 | 東京エレクトロン株式会社 | 塗布処理装置及び塗布処理方法 |
JP4985082B2 (ja) * | 2007-05-07 | 2012-07-25 | 東京エレクトロン株式会社 | 塗布膜形成装置、塗布膜形成装置の使用方法及び記憶媒体 |
US8580042B2 (en) * | 2007-12-10 | 2013-11-12 | Acm Research (Shanghai) Inc. | Methods and apparatus for cleaning semiconductor wafers |
JP5309118B2 (ja) * | 2010-12-17 | 2013-10-09 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板液処理装置 |
JP5864232B2 (ja) * | 2011-02-01 | 2016-02-17 | 東京エレクトロン株式会社 | 液処理装置および液処理方法 |
-
2013
- 2013-09-30 JP JP2013205418A patent/JP6022430B2/ja active Active
- 2013-11-13 TW TW102141260A patent/TWI540001B/zh active
- 2013-11-19 KR KR1020130140482A patent/KR101934924B1/ko active IP Right Grant
- 2013-11-20 US US14/084,839 patent/US9768039B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20140137902A1 (en) | 2014-05-22 |
KR20140065343A (ko) | 2014-05-29 |
TW201440896A (zh) | 2014-11-01 |
JP2014123713A (ja) | 2014-07-03 |
KR101934924B1 (ko) | 2019-01-03 |
TWI540001B (zh) | 2016-07-01 |
US9768039B2 (en) | 2017-09-19 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20150715 |
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