JP6087771B2 - 基板処理装置 - Google Patents

Description

本発明は、半導体ウェハーや液晶表示装置用ガラス基板等の薄板状の精密電子基板（以下、単に「基板」と称する）に液処理を行う基板処理装置の洗浄技術に関する。

従来より、基板の製造工程において、薬液を用いた薬液処理および純水を用いたリンス処理などの基板の表面処理を行ってから乾燥処理を行う基板処理装置が使用されている。このような基板処理装置としては、基板を１枚ずつ処理する枚葉式の装置と、複数枚の基板を一括して処理するバッチ式の装置とが用いられている。枚葉式の基板処理装置は、通常、スピンチャックに保持した基板を回転させつつその表面に薬液を供給しての薬液処理、純水を供給しての純水リンス処理を行った後、基板を高速回転させて振り切り乾燥を行う。

このような枚葉式の基板処理装置においては、回転する基板の周囲を取り囲むようにカップを配置し、スピンチャックおよび基板から遠心力によって飛散した処理液を受け止めて回収する。カップには薬液および汚染物を含んだ液の液滴が付着するため、処理した基板の枚数が増えるにつれてカップの汚染が進行する。また、遠心力によって飛散した処理液の一部はミスト状となってカップの外壁面やカップの周囲にまで飛散して付着することがある。このようなカップ外に飛散した処理液も乾燥すると汚染源となる。

このため、カップの内外壁面やカップ周囲の部材に付着した処理液を適宜に洗浄する必要がある。特許文献１には、基板を保持するためのスピンベースを回転させつつ、そのスピンベースの上面に洗浄液を供給し、回転するスピンベースから飛散した洗浄液によってカップを洗浄する技術が開示されている。特許文献１に開示の洗浄技術では、スピンベースの回転数を変化させることによって洗浄液の飛散距離を調整し、カップの内壁面のみならずカップの外壁面やカップよりも外側の部材をも洗浄している。

特開２０１２−２３１０４９号公報

しかしながら、特許文献１にも記載されるように、基板の外周端を機械的に把持して基板を保持する装置では、スピンベースの上面に突き出るように複数のチャックピンが設けられている。これらのチャックピンによって基板の外周端を把持することにより、スピンベース上に安定して基板を保持することができるのである。このようなスピンベースを回転させつつその上面に洗浄液を供給すると、洗浄液の一部はチャックピンに衝突して制御されない液はねが生じる。このようなランダムな液はねが生じると、洗浄液の液滴が装置内の意図しない部位に着液して新たな汚染源となる。

本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、スピンベースを用いての洗浄時にチャックピンによる液はねを防止することができる基板処理装置を提供することを目的とする。

上記課題を解決するため、請求項１の発明は、基板処理装置において、平坦なベース面を有し、前記ベース面の上方に所定の間隔を隔てて基板を保持する基板保持手段と、前記基板保持手段を回転させる回転手段と、前記基板保持手段の周囲を取り囲むカップと、前記ベース面上に配置され、基板の外周端を把持する複数のチャックピンと、前記基板保持手段の前記ベース面に洗浄液を供給する洗浄液供給手段と、前記ベース面上に設けられ、前記ベース面の中心から外周に向けて上方に傾斜する傾斜面を有する傾斜部と、を備え、前記傾斜部は、前記複数のチャックピンよりも前記ベース面の中心側に設けられ、前記洗浄液供給手段は、前記傾斜部よりも前記ベース面の中心側に洗浄液を供給することを特徴とする。

また、請求項２の発明は、請求項１の発明に係る基板処理装置において、前記傾斜面の前記ベース面に対する傾斜角度は、前記傾斜部から飛散する洗浄液が前記複数のチャックピンと干渉しない角度とされることを特徴とする。

また、請求項３の発明は、請求項２の発明に係る基板処理装置において、前記傾斜面の前記ベース面に対する傾斜角度は、前記傾斜部から飛散する洗浄液が前記カップの上端部に到達する角度とされることを特徴とする。

また、請求項４の発明は、請求項１から請求項３のいずれかの発明に係る基板処理装置において、前記傾斜部は、前記複数のチャックピンと前記ベース面の中心とを結ぶ線上に設けられた複数の傾斜片を有することを特徴とする。

また、請求項５の発明は、請求項４の発明に係る基板処理装置において、前記複数の傾斜片の前記ベース面の周方向に沿った側面は、前記ベース面と連続する曲面とされていることを特徴とする。

また、請求項６の発明は、請求項１から請求項３のいずれかの発明に係る基板処理装置において、前記傾斜部は、前記ベース面の周方向に沿って環状に形成されることを特徴とする。

また、請求項７の発明は、請求項６の発明に係る基板処理装置において、前記傾斜部には、前記ベース面の中心から外周に向けて洗浄液が流れる開口が形成されることを特徴とする。

また、請求項８の発明は、請求項１から請求項７のいずれかの発明に係る基板処理装置において、前記傾斜部の上端が前記複数のチャックピンによって把持される基板の下面よりも下方となるように前記傾斜部が設けられることを特徴とする。

請求項１から請求項８の発明によれば、ベース面の中心から外周に向けて上方に傾斜する傾斜面を有する傾斜部が複数のチャックピンよりもベース面の中心側に設けられ、その傾斜部よりもベース面の中心側に洗浄液が供給されるため、傾斜部からは斜め上方に向けてチャックピンを飛び越えるように洗浄液が飛散され、チャックピンによる洗浄液の液はねを防止することができる。

特に、請求項５の発明によれば、複数の傾斜片のベース面の周方向に沿った側面がベース面と連続する曲面とされているため、傾斜片による洗浄液の液はねを防止することができる。

本発明に係る基板処理装置の平面図である。 図１の基板処理装置の縦断面図である。 第１実施形態のスピンベースの平面図である。 図３のスピンベースをＡ−Ａ線から見た部分断面図である。 回転するスピンベース上に供給された洗浄液の挙動を示す図である。 第２実施形態の傾斜片の形状を示す図である。 第３実施形態のスピンベースの平面図である。 図７のスピンベースをＢ−Ｂ線から見た部分断面図である。 図７のスピンベースをＣ−Ｃ線から見た部分断面図である。 傾斜部の断面形状の他の例を示す図である。 傾斜部の断面形状の他の例を示す図である。 複数の傾斜片を設けたスピンベースの他の例を示す平面図である。 図１２のスピンベース２１をＤ−Ｄ線から見た部分断面図である。 複数の傾斜片を設けたスピンベースの他の例を示す平面図である。

以下、図面を参照しつつ本発明の実施の形態について詳細に説明する。なお、図１および以降の各図においては、理解容易のため、必要に応じて各部の寸法や数を誇張または簡略化して描いている。

＜第１実施形態＞
図１は、本発明に係る基板処理装置１の平面図である。また、図２は、基板処理装置１の縦断面図である。この基板処理装置１は、半導体用途の基板Ｗを１枚ずつ処理する枚葉式の処理装置であり、円形のシリコンの基板Ｗに薬液処理および純水等のリンス液を用いたリンス処理を行ってから乾燥処理を行う。より具体的には、基板Ｗに、ＳＣ１液、ＤＨＦ液、ＳＣ２液等の薬液を供給して基板Ｗを洗浄処理（薬液処理）した後、リンス液を用いてリンス処理を行い基板Ｗ上から薬液を除去し、最後に基板Ｗの乾燥処理を行う枚葉式の基板洗浄装置である。なお、図１はスピンチャック２０に基板Ｗが保持されていない状態を示し、図２はスピンチャック２０に基板Ｗが保持されている状態を示している。

基板処理装置１は、チャンバー１０内に、主たる要素として基板Ｗを水平姿勢（法線が鉛直方向に沿う姿勢）に保持するスピンチャック２０と、スピンチャック２０に保持された基板Ｗの上面に処理液を供給するための上面処理液ノズル３０と、スピンチャック２０の周囲を取り囲む処理カップ４０と、を備える。また、チャンバー１０内における処理カップ４０の周囲には、チャンバー１０の内側空間を上下に仕切る仕切板１５が設けられている。なお、本明細書において、処理液は、薬液、リンス液および洗浄液のすべてを含む総称である。

チャンバー１０は、鉛直方向に沿う側壁１１、側壁１１によって囲まれた空間の上側を閉塞する天井壁１２および下側を閉塞する床壁１３を備える。側壁１１、天井壁１２および床壁１３によって囲まれた空間が基板Ｗの処理空間となる。また、チャンバー１０の側壁１１の一部には、チャンバー１０に対して基板Ｗを搬出入するための搬出入口およびその搬出入口を開閉するシャッターが設けられている（いずれも図示省略）。

チャンバー１０の天井壁１２には、基板処理装置１が設置されているクリーンルーム内の空気をさらに清浄化してチャンバー１０内の処理空間に供給するためのファンフィルタユニット（ＦＦＵ）１４が取り付けられている。ファンフィルタユニット１４は、クリーンルーム内の空気を取り込んでチャンバー１０内に送り出すためのファンおよびフィルタ（例えばＨＥＰＡフィルタ）を備えており、チャンバー１０内の処理空間に清浄空気のダウンフローを形成する。ファンフィルタユニット１４から供給された清浄空気を均一に分散するために、多数の吹出し孔を穿設したパンチングプレートを天井壁１２の直下に設けるようにしても良い。

スピンチャック２０は、鉛直方向に沿って延びる回転軸２４の上端に水平姿勢で固定された円板形状のスピンベース２１を備える。スピンベース２１の下方には回転軸２４を回転させるスピンモータ２２が設けられる。スピンモータ２２は、回転軸２４を介してスピンベース２１を水平面内にて回転させる。また、スピンモータ２２および回転軸２４の周囲を取り囲むように筒状のカバー部材２３が設けられている。

図３は、第１実施形態のスピンベース２１の平面図である。図４は、図３のスピンベース２１をＡ−Ａ線から見た部分断面図である。円板形状のスピンベース２１の外径は、スピンチャック２０に保持される円形の基板Ｗの径よりも若干大きい。よって、スピンベース２１は、保持すべき基板Ｗの下面の全面と対向する平坦な円形のベース面２１ａを有している。

スピンベース２１のベース面２１ａの周縁部には複数（本実施形態では４本）のチャックピン２６が立設されている。複数のチャックピン２６は、円形の基板Ｗの外周円に対応する円周上に沿って均等な間隔をあけて（本実施形態のように４個のチャックピン２６であれば９０°間隔にて）配置されている。複数のチャックピン２６は、スピンベース２１内に収容された図示省略のリンク機構によって連動して駆動される。スピンチャック２０は、複数のチャックピン２６のそれぞれを基板Ｗの外周端に当接させて基板Ｗを把持することにより、当該基板Ｗをスピンベース２１の上方でベース面２１ａから所定の間隔を隔てた水平姿勢にて保持することができるとともに（図２参照）、複数のチャックピン２６のそれぞれを基板Ｗの外周端から離間させて把持を解除することができる。

また、スピンベース２１のベース面２１ａ上には複数の傾斜片７１からなる傾斜部７０が設けられている。第１実施形態では、傾斜部７０としてチャックピン２６と同数の４個の傾斜片７１が設けられている。４本のチャックピン２６と４個の傾斜片７１とは、径の異なる同心円状に配置されている。具体的には、４本のチャックピン２６が配置される円の径（基板Ｗの外径とほぼ同じ）よりも４個の傾斜片７１が配置される円の径の方が小さい。それら双方の円の中心は、スピンベース２１のベース面２１ａの中心ＣＳと一致する。すなわち、第１実施形態の傾斜部７０は、複数のチャックピン２６よりもスピンベース２１のベース面２１ａの中心ＣＳ側に設けられている。

４個の傾斜片７１は、スピンベース２１の周方向に沿って等間隔（つまり、９０°間隔）にて設けられる。４個の傾斜片７１は、４本のチャックピン２６に１対１で対応する内側位置に設けられている。より正確には、４個の傾斜片７１のそれぞれは、４本のチャックピン２６とベース面２１ａの中心ＣＳとを結ぶ線上（つまり、チャックピン２６よりも内側のベース面２１ａの径上）に設けられている。

スピンベース２１に設けられる複数の傾斜片７１は互いに同一の大きさおよび形状を有しており、その材質はスピンベース２１と同じである。各傾斜片７１は、三角柱形状を有する。スピンベース２１の径方向に沿って切断した各傾斜片７１の断面は直角三角形である。よって、平坦なベース面２１ａ上に設けられた傾斜片７１は傾斜面７１ａを有することとなる（図４）。４個の傾斜片７１のそれぞれは、傾斜面７１ａがベース面２１ａの中心ＣＳから径方向外周に向かって上方に傾斜するように（次第に高さが高くなるように）設けられる。スピンベース２１のベース面２１ａに対する傾斜面７１ａの傾斜角度αについては、さらに後述する。また、図４に示すように、４個の傾斜片７１の最上端が複数のチャックピン２６によって把持される基板Ｗの下面よりも下方となるように傾斜部７０は設けられる。

図１，２に戻り、スピンモータ２２を覆うカバー部材２３は、その下端がチャンバー１０の床壁１３に固定され、上端がスピンベース２１の直下にまで到達している。カバー部材２３の上端部には、カバー部材２３から外方へほぼ水平に張り出し、さらに下方に屈曲して延びる鍔状部材２５が設けられている。複数のチャックピン２６による把持によってスピンチャック２０が基板Ｗを保持した状態にて、スピンモータ２２が回転軸２４を回転させることにより、基板Ｗの中心を通る鉛直方向に沿った回転軸ＣＸまわりに基板Ｗを回転させることができる。なお、スピンモータ２２の駆動は制御部９によって制御される。

上面処理液ノズル３０は、ノズルアーム３２の先端に吐出ヘッド３１を取り付けて構成されている。ノズルアーム３２の基端側はノズル基台３３に固定して連結されている。ノズル基台３３は図示を省略するモータによって鉛直方向に沿った軸のまわりで回動可能とされている。ノズル基台３３が回動することにより、上面処理液ノズル３０の吐出ヘッド３１はスピンチャック２０の上方の処理位置と処理カップ４０よりも外側の待機位置との間で水平方向に沿って円弧状に移動する。上面処理液ノズル３０には、複数種の処理液（少なくとも純水を含む）が供給されるように構成されている。処理位置にて上面処理液ノズル３０の吐出ヘッド３１から吐出された処理液はスピンチャック２０に保持された基板Ｗの上面に着液する。また、ノズル基台３３の回動によって、上面処理液ノズル３０はスピンベース２１のベース面２１ａの上方にて揺動可能とされている。

一方、回転軸２４の内側を挿通するようにして鉛直方向に沿って下面処理液ノズル２８が設けられている。下面処理液ノズル２８の上端開口は、スピンチャック２０に保持された基板Ｗの下面中央に対向する位置に形成されている。下面処理液ノズル２８にも複数種の処理液が供給されるように構成されている。下面処理液ノズル２８から吐出された処理液はスピンチャック２０に保持された基板Ｗの下面に着液する。

また、基板処理装置１には、上面処理液ノズル３０とは別に二流体ノズル６０が設けられている。二流体ノズル６０は、純水などの処理液と加圧した気体とを混合して液滴を生成し、その液滴と気体との混合流体（二流体）を基板Ｗに噴射するノズルである。二流体ノズル６０は、ノズルアーム６２の先端に図示省略の液体ヘッドを取り付けるとともに、ノズルアーム６２から分岐するように設けられた支持部材に気体ヘッド６４を取り付けて構成されている。ノズルアーム６２の基端側はノズル基台６３に固定して連結されている。ノズル基台６３は図示を省略するモータによって鉛直方向に沿った軸のまわりで回動可能とされている。ノズル基台６３が回動することにより、二流体ノズル６０はスピンチャック２０の上方の処理位置と処理カップ４０よりも外側の待機位置との間で水平方向に沿って円弧状に移動する。液体ヘッドには純水などの処理液が供給され、気体ヘッド６４には加圧された不活性ガス（本実施形態では窒素ガス（Ｎ_２））が供給される。処理位置にて二流体ノズル６０から噴出された処理液の混合流体はスピンチャック２０に保持された基板Ｗの上面に吹き付けられる。

スピンチャック２０を取り囲む処理カップ４０は、互いに独立して昇降可能な内カップ４１、中カップ４２および外カップ４３を備えている。内カップ４１は、スピンチャック２０の周囲を取り囲み、スピンチャック２０に保持された基板Ｗの中心を通る回転軸ＣＸに対してほぼ回転対称となる形状を有している。この内カップ４１は、平面視円環状の底部４４と、底部４４の内周縁から上方に立ち上がる円筒状の内壁部４５と、底部４４の外周縁から上方に立ち上がる円筒状の外壁部４６と、内壁部４５と外壁部４６との間から立ち上がり、上端部が滑らかな円弧を描きつつ中心側（スピンチャック２０に保持される基板Ｗの回転軸ＣＸに近づく方向）斜め上方に延びる第１案内部４７と、第１案内部４７と外壁部４６との間から上方に立ち上がる円筒状の中壁部４８とを一体的に備えている。

内壁部４５は、内カップ４１が最も上昇された状態で、カバー部材２３と鍔状部材２５との間に適当な隙間を保って収容されるような長さに形成されている。中壁部４８は、内カップ４１と中カップ４２とが最も近接した状態で、中カップ４２の後述する第２案内部５２と処理液分離壁５３との間に適当な隙間を保って収容されるような長さに形成されている。

第１案内部４７は、滑らかな円弧を描きつつ中心側（基板Ｗの回転軸ＣＸに近づく方向）斜め上方に延びる上端部４７ｂを有している。また、内壁部４５と第１案内部４７との間は、使用済みの処理液を集めて廃棄するための廃棄溝４９とされている。第１案内部４７と中壁部４８との間は、使用済みの処理液を集めて回収するための円環状の内側回収溝５０とされている。さらに、中壁部４８と外壁部４６との間は、内側回収溝５０とは種類の異なる処理液を集めて回収するための円環状の外側回収溝５１とされている。

廃棄溝４９には、この廃棄溝４９に集められた処理液を排出するとともに、廃棄溝４９内を強制的に排気するための図示省略の排気液機構が接続されている。排気液機構は、例えば、廃棄溝４９の周方向に沿って等間隔で４つ設けられている。また、内側回収溝５０および外側回収溝５１には、内側回収溝５０および外側回収溝５１にそれぞれ集められた処理液を基板処理装置１の外部に設けられた回収タンクに回収するための回収機構（いずれも図示省略）が接続されている。なお、内側回収溝５０および外側回収溝５１の底部は、水平方向に対して微少角度だけ傾斜しており、その最も低くなる位置に回収機構が接続されている。これにより、内側回収溝５０および外側回収溝５１に流れ込んだ処理液が円滑に回収される。

中カップ４２は、スピンチャック２０の周囲を取り囲み、スピンチャック２０に保持された基板Ｗの中心を通る回転軸ＣＸに対してほぼ回転対称となる形状を有している。この中カップ４２は、第２案内部５２と、この第２案内部５２に連結された円筒状の処理液分離壁５３とを一体的に備えている。

第２案内部５２は、内カップ４１の第１案内部４７の外側において、第１案内部４７の下端部と同軸円筒状をなす下端部５２ａと、下端部５２ａの上端から滑らかな円弧を描きつつ中心側（基板Ｗの回転軸ＣＸに近づく方向）斜め上方に延びる上端部５２ｂと、上端部５２ｂの先端部を下方に折り返して形成される折返し部５２ｃとを有している。下端部５２ａは、内カップ４１と中カップ４２とが最も近接した状態で、第１案内部４７と中壁部４８との間に適当な隙間を保って内側回収溝５０内に収容される。また、上端部５２ｂは、内カップ４１の第１案内部４７の上端部４７ｂと上下方向に重なるように設けられ、内カップ４１と中カップ４２とが最も近接した状態で、第１案内部４７の上端部４７ｂに対してごく微小な間隔を保って近接する。さらに、上端部５２ｂの先端を下方に折り返して形成される折返し部５２ｃは、内カップ４１と中カップ４２とが最も近接した状態で、折返し部５２ｃが第１案内部４７の上端部４７ｂの先端と水平方向に重なるような長さとされている。

また、第２案内部５２の上端部５２ｂは、下方ほど肉厚が厚くなるように形成されており、処理液分離壁５３は上端部５２ｂの下端外周縁部から下方に延びるように設けられた円筒形状を有している。処理液分離壁５３は、内カップ４１と中カップ４２とが最も近接した状態で、中壁部４８と外カップ４３との間に適当な隙間を保って外側回収溝５１内に収容される。

外カップ４３は、中カップ４２の第２案内部５２の外側において、スピンチャック２０の周囲を取り囲み、スピンチャック２０に保持された基板Ｗの中心を通る回転軸ＣＸに対してほぼ回転対称となる形状を有している。この外カップ４３は、第３案内部としての機能を有する。外カップ４３は、第２案内部５２の下端部５２ａと同軸円筒状をなす下端部４３ａと、下端部４３ａの上端から滑らかな円弧を描きつつ中心側（基板Ｗの回転軸ＣＸに近づく方向）斜め上方に延びる上端部４３ｂと、上端部４３ｂの先端部を下方に折り返して形成される折返し部４３ｃとを有している。

下端部４３ａは、内カップ４１と外カップ４３とが最も近接した状態で、中カップ４２の処理液分離壁５３と内カップ４１の外壁部４６との間に適当な隙間を保って外側回収溝５１内に収容される。また、上端部４３ｂは、中カップ４２の第２案内部５２と上下方向に重なるように設けられ、中カップ４２と外カップ４３とが最も近接した状態で、第２案内部５２の上端部５２ｂに対してごく微小な間隔を保って近接する。さらに、上端部４３ｂの先端部を下方に折り返して形成される折返し部４３ｃは、中カップ４２と外カップ４３とが最も近接した状態で、折返し部４３ｃが第２案内部５２の折返し部５２ｃと水平方向に重なるように形成されている。

また、内カップ４１、中カップ４２および外カップ４３は互いに独立して昇降可能とされている。すなわち、内カップ４１、中カップ４２および外カップ４３のそれぞれには個別に昇降機構（図示省略）が設けられており、それによって別個独立して昇降される。このような昇降機構としては、例えばボールネジ機構やエアシリンダなどの公知の種々の機構を採用することができる。

仕切板１５は、処理カップ４０の周囲においてチャンバー１０の内側空間を上下に仕切るように設けられている。仕切板１５は、処理カップ４０を取り囲む１枚の板状部材であっても良いし、複数の板状部材をつなぎ合わせたものであっても良い。また、仕切板１５には、厚さ方向に貫通する貫通孔や切り欠きが形成されていても良く、本実施形態では上面処理液ノズル３０および二流体ノズル６０のノズル基台３３，６３を支持するための支持軸を通すための貫通穴が形成されている。

仕切板１５の外周端はチャンバー１０の側壁１１に連結されている。また、仕切板１５の処理カップ４０を取り囲む端縁部は外カップ４３の外径よりも大きな径の円形形状となるように形成されている。よって、仕切板１５が外カップ４３の昇降の障害となることはない。

また、チャンバー１０の側壁１１の一部であって、床壁１３の近傍には排気ダクト１８が設けられている。排気ダクト１８は図示省略の排気機構に連通接続されている。ファンフィルタユニット１４から供給されてチャンバー１０内を流下した清浄空気のうち、処理カップ４０と仕切板１５との間を通過した空気は排気ダクト１８から装置外に排出される。

基板処理装置１に設けられた制御部９のハードウェアとしての構成は一般的なコンピュータと同様である。すなわち、制御部９は、各種演算処理を行うＣＰＵ、基本プログラムを記憶する読み出し専用のメモリであるＲＯＭ、各種情報を記憶する読み書き自在のメモリであるＲＡＭおよび制御用ソフトウェアやデータなどを記憶しておく磁気ディスクなどを備えて構成される。制御部９のＣＰＵが所定の処理プログラムを実行することによって、基板処理装置１の各動作機構が制御部９に制御され、基板処理装置１における処理が進行する。

次に、基板処理装置１における動作について説明する。まず、通常の処理対象となる基板Ｗの処理手順について概説する。基板処理装置１における一般的な基板Ｗの処理手順の概略は、基板Ｗの表面に薬液を供給して所定の薬液処理を行った後、純水を供給して純水リンス処理を行い、その後基板Ｗを高速回転させて振り切り乾燥処理を行うというものである。基板Ｗの処理を行う際には、スピンチャック２０に基板Ｗを保持するとともに、処理カップ４０が昇降動作を行う。スピンチャック２０が基板Ｗを保持するに際して、傾斜片７１の最上端が複数のチャックピン２６によって把持される基板Ｗの下面よりも下方となるように傾斜部７０は設けられているため、傾斜部７０が基板Ｗの保持の支障となることは無い。なお、スピンチャック２０に基板Ｗが渡された時点（複数のチャックピン２６によって把持される直前）では、基板Ｗの下面の一部が傾斜部７０によって支持されていても良い。

基板Ｗに薬液処理を行うときには、例えば外カップ４３のみが上昇し、外カップ４３の上端部４３ｂと中カップ４２の第２案内部５２の上端部５２ｂとの間に、スピンチャック２０に保持された基板Ｗの周囲を取り囲む開口が形成される。この状態にて基板Ｗがスピンチャック２０とともに回転され、上面処理液ノズル３０および下面処理液ノズル２８から基板Ｗの上面および下面に薬液が供給される。供給された薬液は基板Ｗの回転による遠心力によって基板Ｗの上面および下面に沿って流れ、やがて基板Ｗの端縁部から側方に向けて飛散される。これにより、基板Ｗの薬液処理が進行する。回転する基板Ｗの端縁部から飛散した薬液は外カップ４３の上端部４３ｂによって受け止められ、外カップ４３の内面を伝って流下し、外側回収溝５１に回収される。

また、純水リンス処理を行うときには、例えば、内カップ４１、中カップ４２および外カップ４３の全てが上昇し、スピンチャック２０に保持された基板Ｗの周囲が内カップ４１の第１案内部４７によって取り囲まれる。この状態にて基板Ｗがスピンチャック２０とともに回転され、上面処理液ノズル３０および下面処理液ノズル２８から基板Ｗの上面および下面に純水が供給される。供給された純水は基板Ｗの回転による遠心力によって基板Ｗの上面および下面に沿って流れ、やがて基板Ｗの端縁部から側方に向けて飛散される。これにより、基板Ｗの純水リンス処理が進行する。回転する基板Ｗの端縁部から飛散した純水は第１案内部４７の内壁を伝って流下し、廃棄溝４９から排出される。なお、純水を薬液とは別経路にて回収する場合には、中カップ４２および外カップ４３を上昇させ、中カップ４２の第２案内部５２の上端部５２ｂと内カップ４１の第１案内部４７の上端部４７ｂとの間に、スピンチャック２０に保持された基板Ｗの周囲を取り囲む開口を形成するようにしても良い。

また、振り切り乾燥処理を行うときには、内カップ４１、中カップ４２および外カップ４３の全てが下降し、外カップ４３の上端部４３ｂの外側上面４３ｄがスピンチャック２０に保持された基板Ｗよりも下方に位置する。この状態にて基板Ｗがスピンチャック２０とともに高速回転され、基板Ｗに付着していた水滴が遠心力によって振り切られ、乾燥処理が行われる。

このような通常の基板Ｗの処理が進行するにつれて、飛散した処理液中に含まれる汚染物質が付着して処理カップ４０に徐々に汚染が蓄積される。特に、内カップ４１、中カップ４２および外カップ４３の上側湾曲部分、つまり内カップ４１の上端部４７ｂ、中カップ４２の上端部５２ｂおよび外カップ４３の上端部４３ｂの内側には比較的汚染が蓄積されやすい。処理カップ４０に蓄積した汚染をそのまま放置すると、処理対象となる基板Ｗに付着して処理不良の原因となるおそれがある。

また、処理中に回転する基板Ｗから飛散した処理液の一部はミスト状となって処理カップ４０の外部にまで拡散することがある。このような処理液は処理カップ４０の外側上面や仕切板１５にまで到達して付着する。ここで処理カップ４０の外側上面とは、最も外側に位置する外カップ４３の上端部４３ｂの外側上面４３ｄである。処理カップ４０の外側上面４３ｄや仕切板１５の上面に付着した処理液が乾燥するとパーティクルなどを発生する汚染源となるおそれがある。

このため、本実施形態においては、傾斜部７０を設けたスピンベース２１を利用して処理カップ４０の内外の洗浄を行っている。処理カップ４０の内外の洗浄は、処理対象となる基板Ｗの処理を行っていないとき、例えば処理ロット間のタイミングにて行うのが好ましい。

まず、洗浄を行う対象となる部位に応じて、処理カップ４０を適宜昇降させる。処理カップ４０は、互いに独立して昇降可能な内カップ４１、中カップ４２および外カップ４３を備えている。処理カップ４０の外側上面４３ｄや仕切板１５の洗浄を行う場合には、内カップ４１、中カップ４２および外カップ４３の全てをスピンベース２１のベース面２１ａよりも下方にまで下降させる。一方、処理カップ４０の内側を洗浄する場合には、３つのカップのうち洗浄処理の対象となるカップを上昇させる。例えば、外カップ４３の上側湾曲部分を洗浄する場合には、外カップ４３のみを上昇させ、外カップ４３の上端部４３ｂと中カップ４２の第２案内部５２の上端部５２ｂとの間に開口を形成する。また、中カップ４２の上側湾曲部分を洗浄する場合には、中カップ４２および外カップ４３を上昇させ、中カップ４２の第２案内部５２の上端部５２ｂと内カップ４１の第１案内部４７の上端部４７ｂとの間に開口を形成する。さらに、内カップ４１の上側湾曲部分を洗浄する場合には、内カップ４１、中カップ４２および外カップ４３の全てを上昇させる。

本実施形態では、外カップ４３の内側、特に汚染が蓄積されやすい湾曲部分である上端部４３ｂを洗浄するべく、外カップ４３のみを上昇させる。外カップ４３の高さ位置は適宜のものとすることができるが、少なくともスピンベース２１のベース面２１ａよりも上端部４３ｂが上となるように外カップ４３を上昇させる。この状態にてスピンモータ２２の駆動によってスピンチャック２０のスピンベース２１が回転軸ＣＸのまわりで回転する。スピンベース２１の回転数は、特に限定されるものではなく適宜の値とすることができ、その値は制御部９によって制御される。

スピンベース２１を回転させつつ、上面処理液ノズル３０のノズル基台３３がノズルアーム３２を回動させて吐出ヘッド３１を回転するスピンベース２１の上方に移動させる。そして、回転するスピンベース２１のベース面２１ａ上に吐出ヘッド３１から洗浄液（本実施形態では純水）を供給する。このとき、上面処理液ノズル３０の吐出ヘッド３１は、傾斜部７０よりもベース面２１ａの中心側、例えばベース面２１ａの中心ＣＳ近傍に洗浄液を供給する。また、制御部９の制御によってノズル基台３３がノズルアーム３２を揺動させ、洗浄液を供給する吐出ヘッド３１を傾斜部７０よりも内側の範囲内で往復移動させるようにしても良い。

図５は、回転するスピンベース２１上に供給された洗浄液の挙動を示す図である。回転するスピンベース２１のベース面２１ａ上に洗浄液を供給すると、遠心力によってベース面２１ａの中心側から外周へと向けて洗浄液が流れる。そして、外周へと向けて流れる洗浄液の一部は複数の傾斜片７１によって導かれ、スピンベース２１の径方向斜め上方に向けて飛散される。傾斜片７１によって斜め上方に向けて飛散された洗浄液は、図５に示すように、外カップ４３の上端部４３ｂに吹き付けられる。洗浄液が吹き付けられることによって、外カップ４３の湾曲部分である上端部４３ｂに付着していた汚染物が洗い流されて洗浄される。

また、傾斜部７０を構成する４個の傾斜片７１は、４本のチャックピン２６に１対１で対応する内側位置に設けられている。よって、傾斜片７１によって斜め上方に向けて飛散された洗浄液は、図５に示すように、チャックピン２６の上方を飛び越えて外カップ４３の上端部４３ｂに向けて飛翔する。従って、供給された洗浄液が複数のチャックピン２６に衝突してランダムな液はねが生じることを防止することができる。その結果、液はねに起因した基板処理装置１内の汚染を防止することができる。

換言すれば、スピンベース２１のベース面２１ａに対する傾斜片７１の傾斜面７１ａの傾斜角度α（図４）は、傾斜片７１から飛散する洗浄液がチャックピン２６と干渉しない角度とされている。また、傾斜角度αは、傾斜片７１から飛散する洗浄液が外カップ４３の上端部４３ｂに到達する角度とされている。

一方、ベース面２１ａの中心側から外周へと向けて流れる洗浄液の一部（傾斜片７１によって斜め上方に向けて飛散されなかった残部）は、ベース面２１ａの外周端から略水平方向に向けて飛散され、外カップ４３の内側壁面に吹き付けられる。このようにして、外カップ４３の内側の広い範囲にわたって洗浄液が吹き付けられて洗浄処理が行われる。特に汚染が蓄積されやすい外カップ４３の湾曲部分である上端部４３ｂは、傾斜部７０から斜め上方に向けて飛散された洗浄液が吹き付けられることにより効果的に洗浄されることとなる。

また、スピンベース２１からの洗浄液の飛散とあわせて、外カップ４３を上下に往復移動させるようにしても良い。さらには、スピンベース２１の回転数を調整して外カップ４３に吹き付ける洗浄液の速度を変化させるようにしても良い。このようにすることにより、外カップ４３の内側壁面の広い範囲を効率良く洗浄することができる。特に汚染が蓄積されやすい外カップ４３の上端部４３ｂに対して強い勢いで洗浄液が吹き付けられるように、外カップ４３の高さ位置およびスピンベース２１の回転数を調整することが好ましい。

図５には、外カップ４３を洗浄する場合について例示したが、中カップ４２および内カップ４１を洗浄する場合であっても、対象となるカップを上昇させることによって同様にして洗浄を行うことができる。また、処理カップ４０の外側上面４３ｄや仕切板１５の洗浄を行う場合には、内カップ４１、中カップ４２および外カップ４３の全てをスピンベース２１のベース面２１ａよりも下方にまで下降させるとともに、スピンベース２１の回転数を上記よりもさらに高回転とすることによって洗浄を行うことができる。すなわち、スピンベース２１の回転数をより高回転とすることによって、処理カップ４０の外側上面４３ｄや仕切板１５にまで洗浄液を到達させて洗浄することができる。

このように、第１実施形態では、スピンベース２１のベース面２１ａ上に複数の傾斜片７１からなる傾斜部７０を設け、そのスピンベース２１を回転させつつベース面２１ａ上の傾斜部７０よりも中心側に洗浄液を供給することによって、処理カップ４０の内外を洗浄することができる。複数の傾斜片７１のそれぞれは、傾斜面７１ａがベース面２１ａの中心ＣＳから径方向外周に向かって上方に傾斜するように設けられているため、傾斜片７１によって洗浄液を斜め上方に飛散させることができ、処理カップ４０の上側湾曲部分に洗浄液を吹き付けて効果的に洗浄することができる。

また、４個の傾斜片７１のそれぞれは、４本のチャックピン２６とベース面２１ａの中心ＣＳとを結ぶ線上に設けられているため、傾斜片７１によって斜め上方に向けて飛散された洗浄液は、チャックピン２６と干渉することなくチャックピン２６の上方を飛び越えて飛翔することとなる。このため、チャックピン２６による液はねを防止して、新たな汚染源が発生するのを防止することができる。

また、スピンベース２１のベース面２１ａ上に傾斜部７０を設け、そのスピンベース２１に直接に洗浄液を供給することによって処理カップ４０の内外を洗浄することができるため、洗浄用の専用の基板や治具を設ける必要が無い。このため、専用の基板や治具を保管しておくスペースも不要となる。

＜第２実施形態＞
次に、本発明の第２実施形態について説明する。第２実施形態の基板処理装置の全体構成および処理動作は第１実施形態と概ね同様である。第２実施形態が第１実施形態と相違するのは、傾斜部７０を構成する複数の傾斜片の形状である。

図６は、第２実施形態の傾斜片１７１の形状を示す図である。図６は、スピンベース２１の外周側から傾斜片１７１を見た図である。同図において、点線で示したのは、第１実施形態の傾斜片７１の形状であり、参考のために図示している。また、図６においてチャックピン２６の側面図示は省略されている。

第１実施形態と同じく、スピンベース２１のベース面２１ａ上に複数の傾斜片１７１からなる傾斜部７０が設けられる。複数の傾斜片１７１の配置構成は第１実施形態と同様である。すなわち、複数の傾斜片１７１は複数のチャックピン２６と同心円状に設けられ、各傾斜片１７１はチャックピン２６とベース面２１ａの中心ＣＳとを結ぶ線上に設けられている。

第１実施形態では傾斜片７１が三角柱形状であったため、スピンベース２１の外周側から見たときには、図６の点線で示すように、傾斜片７１は四角形となる。第２実施形態においては、図６に実線で示すように、スピンベース２１のベース面２１ａの周方向に沿った各傾斜片１７１の側面をベース面２１ａと連続する曲面としている。

上述した通り、回転するスピンベース２１のベース面２１ａ上に吐出ヘッド３１から洗浄液を供給すると、その洗浄液は遠心力によってベース面２１ａ上を中心から外周へと向けて流れる。このとき、吐出ヘッド３１から供給された直後の洗浄液は回転する方向の速度成分を有していない。その一方、ベース面２１ａの中心から外周へと向けて流れる洗浄液は、回転するスピンベース２１のベース面２１ａとの摩擦によって徐々にスピンベース２１の回転方向の速度成分をも有するようになる。その結果、スピンベース２１の中心から外周へと向けて流れる洗浄液は、ベース面２１ａの径方向に沿って直線的には流れず、ベース面２１ａの径方向から湾曲するような軌跡を描きつつ流れる。

このようにスピンベース２１のベース面２１ａ上を流れる洗浄液の軌跡が径方向から湾曲していると、洗浄液の一部はベース面２１ａの周方向に沿った傾斜片１７１の側面に当たることとなる。第２実施形態においては、スピンベース２１のベース面２１ａの周方向に沿った各傾斜片１７１の側面をベース面２１ａと連続する曲面としているため、そのような側面から当たる洗浄液も円滑に傾斜片１７１に案内されることとなり、傾斜片１７１による洗浄液の液はねを防止することができる。

各傾斜片１７１の形状を除く第２実施形態の残余の点は第１実施形態と同様であり、第１実施形態と同様に、処理カップ４０の上側湾曲部分に洗浄液を吹き付けて効果的に洗浄することができるとともに、チャックピン２６による液はねを防止することができる。

＜第３実施形態＞
次に、本発明の第３実施形態について説明する。第１および第２実施形態では傾斜部７０を複数の傾斜片７１（または１７１）で構成していたが、第３実施形態では傾斜部２７０を円環形状に形成している。第３実施形態において、第１実施形態と同一の要素については同一の符号を付している。

図７は、第３実施形態のスピンベース２１の平面図である。図８は、図７のスピンベース２１をＢ−Ｂ線から見た部分断面図である。また、図９は、図７のスピンベース２１をＣ−Ｃ線から見た部分断面図である。円板形状のスピンベース２１の外径は基板Ｗの径よりも大きく、スピンベース２１の上面は平坦なベース面２１ａとされている。第１実施形態と同様に、ベース面２１ａの周縁部には４本のチャックピン２６が立設されている。

第３実施形態においては、スピンベース２１のベース面２１ａ上に円環形状の傾斜部２７０を設けている。円環形状の傾斜部２７０の中心は、スピンベース２１のベース面２１ａの中心ＣＳと一致する。すなわち、傾斜部２７０は、ベース面２１ａの周方向に沿って環状に形成されているものである。

また、円環形状の傾斜部２７０は、４本のチャックピン２６が配置される円とも同心円状となるように設けられている。傾斜部２７０の外径よりも４本のチャックピン２６が配置される円の径の方が大きい。よって、第３実施形態の傾斜部２７０は、複数のチャックピン２６よりもスピンベース２１のベース面２１ａの中心ＣＳ側に設けられている。

図８に示すように、スピンベース２１の径方向に沿って切断した傾斜部２７０の断面は第１実施形態の傾斜片７１の断面と同じく直角三角形である。よって、平坦なベース面２１ａ上に設けられた傾斜部２７０は傾斜面２７１ａを有することとなる。傾斜部２７０の傾斜面２７１ａは、ベース面２１ａの中心ＣＳから径方向外周に向かって上方に傾斜するように（次第に高さが高くなるように）形成される。スピンベース２１のベース面２１ａに対する傾斜面２７１ａの傾斜角度αは第１実施形態と同じである。また、傾斜部２７０は、その最上端が複数のチャックピン２６によって把持される基板Ｗの下面よりも下方となるように設けられる。

さらに、第３実施形態の傾斜部２７０には、４箇所に開口部２７２が設けられている。４箇所の開口部２７２は、円環形状の傾斜部２７０の周方向に沿って等間隔（９０°間隔）に設けられる。図９に示すように、各開口部２７２は、傾斜部２７０の底部において、スピンベース２１のベース面２１ａの中心ＣＳ側から外周側へと貫通するように設けられた流路である。４箇所の開口部２７２は、４本のチャックピン２６とは対向しない位置に設けられている。より正確には、４箇所の開口部２７２は、４本のチャックピン２６とベース面２１ａの中心ＣＳとを結ぶ線上から外れた位置に設けられている。

傾斜部２７０を除く第３実施形態の装置の残余の構成は第１実施形態と同じである。また、第３実施形態における処理動作も第１実施形態と概ね同じである。第３実施形態においても、回転するスピンベース２１のベース面２１ａ上に吐出ヘッド３１から洗浄液を供給する。このとき、吐出ヘッド３１は、円環形状の傾斜部２７０よりもベース面２１ａの中心側に洗浄液を供給する。回転するスピンベース２１のベース面２１ａ上に洗浄液を供給すると、遠心力によってベース面２１ａの中心側から外周へと向けて洗浄液が流れる。

ベース面２１ａの外周へと向けて流れる洗浄液の一部は、傾斜部２７０の傾斜面２７１ａに沿って案内され、スピンベース２１の径方向斜め上方に向けて飛散される。ベース面２１ａに対する傾斜面２７１ａの傾斜角度αは第１実施形態と同じであるため、傾斜部２７０から飛散された洗浄液は、チャックピン２６と干渉することなくその上を飛び越えて処理カップ４０の上側湾曲部分に到達する。これにより、処理カップ４０の上側湾曲部分に洗浄液を吹き付けて効果的に洗浄することができる。

一方、ベース面２１ａの外周へと向けて流れる洗浄液の一部は、開口部２７２を通過してベース面２１ａの外周端から略水平方向に向けて飛散され、処理カップ４０の内側壁面に吹き付けられる。これにより、処理カップ４０の広い範囲にわたって洗浄液が吹き付けられて洗浄処理が行われる。また、開口部２７２がチャックピン２６とは対向しない位置に設けられているため、開口部２７２を通過した処理液がチャックピン２６に衝突することは防がれる。このため、チャックピン２６による液はねを防止して、新たな汚染源が発生するのを防止することができる。

このように、円環形状の傾斜部２７０を設けた第３実施形態においても、第１実施形態と同様に、処理カップ４０の上側湾曲部分に洗浄液を吹き付けて効果的に洗浄することができるとともに、チャックピン２６による液はねを防止することができる。

＜変形例＞
以上、本発明の実施の形態について説明したが、この発明はその趣旨を逸脱しない限りにおいて上述したもの以外に種々の変更を行うことが可能である。例えば、上記各実施形態における傾斜部の断面形状は直角三角形であったが、これに限定されるものではなく、図１０または図１１に示すような形状であっても良い。図１０に断面形状を示す傾斜部３７０は、上記実施形態の直角三角形の角を丸めて外周を滑らかな曲面としたものである。また、図１１に断面形状を示す傾斜部４７０は、上記実施形態の傾斜面を湾曲面としたものである。いずれの例においても、傾斜部３７０，４７０の傾斜面は、ベース面２１ａの中心ＣＳから径方向外周に向かって上方に傾斜するように（次第に高さが高くなるように）形成される。すなわち、傾斜部は、スピンベース２１のベース面２１ａの中心ＣＳから径方向外周に向かって上方に傾斜する傾斜面を有していれば良い。

また、第１実施形態では、スピンベース２１のベース面２１ａ上に４個の傾斜片７１を設けていたが、傾斜片７１の個数は４個に限定されるものではなく、適宜の数とすることができる。例えば、ベース面２１ａ上に６０°間隔で６個の傾斜片７１を設けるようにしても良いし、４５°間隔で８個の傾斜片７１を設けるようにしても良い。但し、チャックピン２６による液はねを防止する観点からは、傾斜片７１の個数をチャックピン２６の本数以上とし、少なくとも複数のチャックピン２６とベース面２１ａの中心ＣＳとを結ぶ線上には傾斜片７１を設けるのが好ましい。このようにすれば、複数の傾斜片７１の少なくとも一部が複数のチャックピン２６に対向するように設けられるため、洗浄液がチャックピン２６に衝突して液はねが生じるのを防止することができる。なお、スピンチャック２０に設けられるチャックピン２６の本数は、典型的には４本または６本である。

なお、複数の傾斜片７１の傾斜角αは異なる角度に設定してもよい。様々な傾斜角の傾斜片７１をベース面２１ａに配置すると、各傾斜片７１からは洗浄液が異なる角度で斜め上方に飛翔するため、処理カップ４０の内面の洗浄範囲を上下に拡大することができる。

また、図１４に示すように、複数のチャックピン２６よりもベース面２１ａの中心側であって、チャックピン２６とベース面２１ａの中心ＣＳとを結ぶ線上から外れた位置に１個または複数個の傾斜片７１０を追加しても良い。

この傾斜片７１０はチャックピン２６と対向しておらず傾斜片７１０から飛翔する液とチャックピン２６との干渉を考慮する必要がないため、傾斜角αを他の傾斜片７１の傾斜角αよりも小さな角度に設定することができる。このような傾斜片７１０をベース面２１ａに配置すると、洗浄液の飛翔方向をさらに上下に拡大することができる。

また、第３実施形態では、傾斜部２７０の４箇所の開口部２７２を設けていたが、開口部２７２の個数も４個に限定されるものではなく、適宜の数とすることができる。但し、チャックピン２６による液はねを防止する観点からは、開口部２７２は、チャックピン２６とベース面２１ａの中心ＣＳとを結ぶ線上から外れた位置に設ける必要がある。好ましくは、図７に示したように、スピンベース２１のベース面２１ａの周方向に沿って隣り合うチャックピン２６の中間位置とベース面２１ａの中心ＣＳとを結ぶ線上に開口部２７２を設けるのが良い。

また、第３実施形態において、開口部２７２は必ずしも形成する必要はない。傾斜部２７０に開口部２７２を形成しない場合には、スピンベース２１のベース面２１ａに供給された洗浄液の全てを傾斜部２７０から斜め上方に向けて飛散させることができる。よって、全ての洗浄液がチャックピン２６と干渉することなくその上を飛び越えて処理カップ４０の上側湾曲部分に到達することとなる。このようにしても、処理カップ４０の上側湾曲部分に洗浄液を吹き付けて効果的に洗浄することができるとともに、チャックピン２６による液はねを防止することができる。もっとも、傾斜部２７０に開口部２７２を形成しない場合には、処理後に円環形状の傾斜部２７０の内側に洗浄液溜まりが形成される可能性がある。このような液溜まりが形成されると不都合である場合には、第３実施形態のように傾斜部２７０に開口部２７２を設けて、液の流路を確保しておく方が望ましい。

また、第１実施形態では複数の傾斜片７１の長手方向がベース面２１ａの径方向と一致するように設けていたが、傾斜片７１の長手方向がベース面２１ａの径方向に対して傾斜するようにしても良い。第２実施形態に記述したように、吐出ヘッド３１から供給されてスピンベース２１の中心から外周へと向けて流れる洗浄液は、ベース面２１ａの径方向に沿って直線的には流れず、ベース面２１ａの径方向から湾曲するような軌跡を描きつつ流れる。傾斜片７１の長手方向がベース面２１ａの径方向に対して傾斜していれば、傾斜片７１の傾斜面７１ａによって案内される洗浄液が当該傾斜面７１ａから流れ落ちるのを低減することができる。その結果、複数の傾斜片７１によって洗浄液を効率良く斜め上方に向けて飛散させることができる。

また、上記各実施形態における傾斜部は、スピンベース２１に対して着脱自在に装着されたものであっても良いし、固定設置されたものであっても良い。

また、上記各実施形態では複数のチャックピン２６の内側に傾斜部を設けていたが、これを複数のチャックピン２６よりも外側に設けるようにしても良い。図１２は、複数の傾斜片７１を設けたスピンベース２１の他の例を示す平面図である。図１３は、図１２のスピンベース２１をＤ−Ｄ線から見た部分断面図である。円板形状のスピンベース２１の外径は基板Ｗの径よりも大きく、スピンベース２１の上面は平坦なベース面２１ａとされている。第１実施形態と同様に、ベース面２１ａの周縁部には４本のチャックピン２６が立設されている。スピンベース２１のベース面２１ａ上には４個の傾斜片７１からなる傾斜部７０が設けられている。図１２の例では、４本のチャックピン２６が配置される円の径よりも４個の傾斜片７１が配置される円の径の方が大きい。すなわち、複数のチャックピン２６よりもスピンベース２１のベース面２１ａの外周端側に４個の傾斜片７１からなる傾斜部７０が設けられている。傾斜片７１の形状は第１実施形態と同じである。

このようにしても、ベース面２１ａの中心側から外周へと向けて流れる洗浄液の一部は、傾斜片７１の傾斜面７１ａに沿って案内され、スピンベース２１の径方向斜め上方に向けて飛散される。これにより、処理カップ４０の上側湾曲部分に洗浄液を吹き付けて効果的に洗浄することができる。もっとも、チャックピン２６による液はねを防止する観点からは、上記各実施形態のように、複数のチャックピン２６よりもスピンベース２１のベース面２１ａの中心ＣＳ側に傾斜部を設けるのが好ましい。なお、複数のチャックピン２６よりも外側に円環形状に傾斜部を設けるようにしても良い。

また、上記各実施形態においては、処理カップ４０に互いに独立して昇降可能な内カップ４１、中カップ４２および外カップ４３を備えていたが、３つのカップが一体に構成されて昇降するものであっても良い。さらに、処理カップ４０はスピンベース２１を取り囲む１段のカップのみを備えるものであっても良い。

また、基板洗浄装置１によって処理対象となる基板は半導体用途の基板に限定されるものではなく、太陽電池用途の基板や液晶表示装置などのフラットパネルディスプレイに用いるガラス基板であっても良い。

さらに、基板処理装置１は、スピンチャックに保持した基板を回転させつつ、その表面に処理液を供給し、基板から飛散した処理液をカップによって受け止める装置であれば良く、枚葉式の洗浄処理装置やエッチング処理装置の他に、例えばレジストなどを塗布する回転塗布装置（スピンコータ）や回転現像装置（スピンデベロッパー）であっても良い。回転塗布装置のように、カップに容易に塗布液が付着して汚染源となる装置には、本発明に係るカップ洗浄技術を好適に適用することができる。或いは、基板処理装置１は、回転する基板の表面に洗浄液を供給しつつブラシを当接または近接させてスクラブ洗浄処理を行うスピンスクラバであっても良い。

１ 基板処理装置
９ 制御部
１０ チャンバー
２０ スピンチャック
２１ スピンベース
２１ａ ベース面
２２ スピンモータ
２６ チャックピン
２８ 下面処理液ノズル
３０ 上面処理液ノズル
３１ 吐出ヘッド
４０ 処理カップ
４１ 内カップ
４２ 中カップ
４３ 外カップ
４３ｂ 上端部
４３ｃ 折返し部
７０，２７０，３７０，４７０ 傾斜部
７１，１７１ 傾斜片
７１ａ，２７１ａ 傾斜面
２７２ 開口部
Ｗ 基板

Claims (8)

1. 平坦なベース面を有し、前記ベース面の上方に所定の間隔を隔てて基板を保持する基板保持手段と、
   前記基板保持手段を回転させる回転手段と、
   前記基板保持手段の周囲を取り囲むカップと、
   前記ベース面上に配置され、基板の外周端を把持する複数のチャックピンと、
   前記基板保持手段の前記ベース面に洗浄液を供給する洗浄液供給手段と、
   前記ベース面上に設けられ、前記ベース面の中心から外周に向けて上方に傾斜する傾斜面を有する傾斜部と、
   を備え、
   前記傾斜部は、前記複数のチャックピンよりも前記ベース面の中心側に設けられ、
   前記洗浄液供給手段は、前記傾斜部よりも前記ベース面の中心側に洗浄液を供給することを特徴とする基板処理装置。
2. 請求項１記載の基板処理装置において、
   前記傾斜面の前記ベース面に対する傾斜角度は、前記傾斜部から飛散する洗浄液が前記複数のチャックピンと干渉しない角度とされることを特徴とする基板処理装置。
3. 請求項２記載の基板処理装置において、
   前記傾斜面の前記ベース面に対する傾斜角度は、前記傾斜部から飛散する洗浄液が前記カップの上端部に到達する角度とされることを特徴とする基板処理装置。
4. 請求項１から請求項３のいずれかに記載の基板処理装置において、
   前記傾斜部は、前記複数のチャックピンと前記ベース面の中心とを結ぶ線上に設けられた複数の傾斜片を有することを特徴とする基板処理装置。
5. 請求項４記載の基板処理装置において、
   前記複数の傾斜片の前記ベース面の周方向に沿った側面は、前記ベース面と連続する曲面とされていることを特徴とする基板処理装置。
6. 請求項１から請求項３のいずれかに記載の基板処理装置において、
   前記傾斜部は、前記ベース面の周方向に沿って環状に形成されることを特徴とする基板処理装置。
7. 請求項６記載の基板処理装置において、
   前記傾斜部には、前記ベース面の中心から外周に向けて洗浄液が流れる開口が形成されることを特徴とする基板処理装置。
8. 請求項１から請求項７のいずれかに記載の基板処理装置において、
   前記傾斜部の上端が前記複数のチャックピンによって把持される基板の下面よりも下方となるように前記傾斜部が設けられることを特徴とする基板処理装置。

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