JP2010093191A - 基板処理装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】基板処理装置1は、基板Wを水平に保持するための支持リング9を有するスピンチャック3と、スピンチャック3に保持された基板Wに処理液を供給する洗浄液ノズル4およびリンス液ノズル5と、基板Wの外方に向かって飛散する処理液の液滴を受け止めるためのスプラッシュガード6とを備えている。支持リング9は、基板Wの上面から外方へと処理液が流れていくように、基板Wの全周を取り囲んで基板Wの外周縁を外方に拡張するように設けられた環状の拡張面61を有している。また、スプラッシュガード6は、スピンチャック3に保持された基板Wの外方において、拡張面61の全周縁部を上方から覆う環状の上壁部45を有している。
【選択図】図1
Description
この発明によれば、保持部が、基板の全周を取り囲んで当該基板の外周縁を外方に拡張するように設けられた環状の拡張面を有しているので、処理液供給手段から基板の上面に供給された処理液を拡張面に移動させることができる。また、この拡張面に移動した処理液を拡張面の縁部から飛散させて、拡張面から処理液を排出させることができる。これにより、処理液の飛散点を基板の外方に移動させることができる。
この発明によれば、被覆部が拡張面に近接されているので、基板側に跳ね返ってくる処理液の液滴が、被覆部と拡張面との間を通って被覆部よりも前記回転軸線側(基板側)に移動することを一層確実に抑制または防止することができる。これにより、基板から排出された処理液が基板に再付着することを一層確実に抑制または防止することができ、処理液の再付着による基板の汚染を一層確実に抑制または防止することができる。
この発明によれば、拡張面の親液性が基板よりも高くされているので、基板の上面周縁部から拡張面へと向かう処理液の外方への移動を拡張面の親液性によって促して、基板から拡張面に処理液を円滑に移動させることができる。これにより、基板から拡張面に処理液を確実に移動させて、処理液捕獲部材により覆われた拡張面の縁部から当該処理液を排出させることができる。その結果、基板側に飛散する処理液の液滴を処理液捕獲部材によって確実に受け止めて、処理液の再付着による基板の汚染を一層確実に抑制または防止することができる。
この発明によれば、保持部に基板を保持させた状態で当該保持部を前記回転手段によって鉛直な回転軸線まわりに回転させることにより、基板の下方に生じた空間の気体を遠心力によって連通部から排出させて、当該空間を負圧にすることができる。したがって、この負圧により基板を吸着保持することができる。これにより、基板を吸着保持した状態で、保持部とともに一体回転させることができる。
図1は、本発明の一実施形態に係る基板処理装置1の構成を説明するための図解図である。基板処理装置1は、基板Wを1枚ずつ処理する枚葉式の装置である。基板Wは、この実施形態では、半導体ウエハのような円形基板である。
基板処理装置1は、隔壁で区画された処理室2内に、1枚の基板Wを水平に保持して回転させるスピンチャック3(基板保持手段)と、スピンチャック3に保持された基板Wの上面に処理液としての洗浄液を供給するための洗浄液ノズル4(処理液供給手段)と、スピンチャック3に保持された基板Wの上面に処理液としてのリンス液を供給するためのリンス液ノズル5(処理液供給手段)とを備えている。スピンチャック3の周囲には、基板Wの周囲に飛散する処理液を受け止めて捕獲するためのスプラッシュガード6(処理液捕獲部材)が配置されている。
下側処理液供給管12に供給される洗浄液としては、たとえば、薬液やリンス液を用いることができる。薬液としては、たとえば、硫酸、酢酸、硝酸、塩酸、フッ酸、アンモニア水、過酸化水素水のうちの少なくとも1つを含む液を例示することができる。また、リンス液としては、純水(脱イオン水)、炭酸水、電解イオン水、水素水、オゾン水や、希釈濃度(たとえば、10〜100ppm程度)の塩酸水などを例示することができる。
洗浄液ノズル4には、洗浄液供給管25が接続されている。洗浄液ノズル4には、洗浄液供給管25を介して図示しない洗浄液タンクからの洗浄液が供給される。洗浄液供給管25には、洗浄液ノズル4への洗浄液の供給および供給停止を切り換えるための洗浄液バルブ26が介装されている。この実施形態では、洗浄液ノズル4に対応する洗浄液タンクと下面ノズル13に対応する洗浄液タンクとが共通のタンクにされており、洗浄液ノズル4および下面ノズル13に同一の洗浄液が供給されるようになっている。すなわち、この実施形態では、洗浄液ノズル4および下面ノズル13から同一の洗浄液が吐出されるようになっている。
リンス液ノズル5には、リンス液供給管30が接続されている。リンス液ノズル5には、リンス液供給管30を介して図示しないリンス液供給源からのリンス液が供給される。リンス液供給管30には、リンス液ノズル5へのリンス液の供給および供給停止を切り換えるためのリンス液バルブ31が介装されている。リンス液ノズル5には、たとえば、下側リンス液供給管15を介して下面ノズル13に供給されるリンス液と同種のリンス液が供給されるようになっている。すなわち、この実施形態では、リンス液ノズル5および下面ノズル13から同種のリンス液が吐出されるようになっている。
内構成部材34は、円筒状の外壁部36と、この外壁部36の上端から中心側(回転軸線L1に近づく方向)に向かって斜め上方に延びる筒状の上壁部37と、外壁部36と同軸になるように外壁部36の内側に配置され、上壁部37の途中部から下方に延びる円筒状の案内部38とを有している。上壁部37の上端部の内周面によってリンス液捕獲部39が形成されている。
底部42には、基板Wの処理に用いられた後のリンス液を排液するための排液溝46と、基板Wの処理に用いられた後の洗浄液を回収するための回収溝47とが形成されている。排液溝46には、リンス液排液配管48が接続されており、回収溝47には洗浄液回収管49が接続されている。洗浄液回収管49は、洗浄液ノズル4および下面ノズル13に供給するための洗浄液が貯留された前述の洗浄液タンク(図示せず)に接続されている。回収溝47に集められた洗浄液は、洗浄液回収管49を介して洗浄液タンクに回収され、再び洗浄液ノズル4および下面ノズル13に供給される。これにより、洗浄液が再利用され洗浄液の消費量が低減される。
上壁部45は、外壁部43の上端から中心側に向かって斜め上方にゆるやかに傾斜する円環状の主体部51と、主体部51の内周縁から中心側に延びる先端部52とを有している。主体部51の下面は、支持リング9に支持された基板Wの周端面に対向するように形成されており、洗浄液捕獲部54を形成している。また、先端部52は、主体部51の内周縁から中心に向かって水平に延びており、その途中部が下方に折り曲げられて階段状をなしている。先端部52は、上壁部45の内周縁部を構成する円環状の水平部52aと、この水平部52aの外周縁から鉛直上方に立ち上がる円筒状の立ち上がり部52bとを含む。水平部52aの下面は、平坦な水平面とされている。また、立ち上がり部52bの周囲には、立ち上がり部52bを取り囲む筒状の空間が確保されている。
支持リング9は、円環状をなす平板部57と、この平板部57の外周部から鉛直下方に延びる筒状部58とを有している。平板部57および筒状部58は、同軸となるように一体形成されている。平板部57および筒状部58の厚みは、たとえば、数mm〜数cm程度にされている。平板部57の内径は、基板Wの外径よりも小さくされており、平板部57の外径は、基板Wの外径よりも大きくされている。この実施形態では、平板部57の外径が、スピンベース8の外径とほぼ同じ大きさにされている。支持リング9は、平板部57とスピンベース8とが同軸となるように、スピンベース8の上面周縁部に沿って水平に配置されている。筒状部58は、スピンベース8の外側に位置しており、スピンベース8の上端部を全周にわたって取り囲んでいる。筒状部58の内周面と、スピンベース8の外周面との間には、所定の隙間が形成されている。
テーパ面60は、内径が基板Wの外径よりも小さくされており、外径が基板Wの外径よりも大きくされている。テーパ面60は、基板Wの下面外周縁に対して全周にわたって線接触した状態で、当該基板Wを支持することができる。水平面59およびテーパ面60は、テーパ面60によって基板Wが支持された状態で、水平面59の高さが、基板Wの上面と同一または基板Wの上面よりも低くなるように形成されている。テーパ面60によって基板Wの下面周縁部を支持することにより、スピンベース8の上面と基板Wの下面との間に、水平方向に沿う狭空間S1(空間)を形成することができる。
すなわち、基板Wおよびスピンベース8を前記所定の回転速度で回転させると、狭空間S1に存在する気体には外向きの力(回転軸線L1から離れる方向への遠心力)が作用する。また、狭空間S1は、連通部としての隙間63によって支持リング9の周囲の空間に連通されている。さらに、基板Wの下面周縁部が全周にわたって支持リング9に支持されているので、基板Wの下面周縁部と支持リング9との間は、ほぼ密閉された状態となっている。したがって、基板Wおよびスピンベース8が前記所定の回転速度で回転されると、狭空間S1に存在する気体は遠心力によって隙間63から排出され、狭空間S1が負圧となる。そのため、支持リング9によって支持された基板Wは、スピンチャック3に吸着保持され、この状態で支持リング9とともに回転軸線L1まわりに回転する。これにより、基板Wと支持リング9とを回転軸線L1まわりに一体回転させることができる。支持リング9によって支持された基板Wは、基板Wの下面周縁部以外の部分がスピンチャック3に対して非接触となった状態で、スピンチャック3に吸着保持されるようになっている。
支持リング9に対する基板Wの載置は、スピンベース8に取り付けられた複数の突上げピン64により行われる。各突上げピン64は、鉛直方向に延びる軸部65と、軸部65の上端に連結された上端部66とを有している。上端部66の上面には、球面状の微少突起67が形成されている。複数の突上げピン64は、微少突起67を基板Wの下面に点接触させることにより、当該基板Wを協働して支持することができる。
図3に示すように、複数の貫通孔68は、支持リング9と同心の所定の円周上で間隔を隔てて配置されている。同様に、複数の突上げピン64も、支持リング9と同心の所定の円周上で間隔を隔てて配置されている。また、図2に示すように、各貫通孔68には、環状のシール69が保持されている。各突上げピン64の軸部65は、対応するシール69を挿通している。これにより、各突上げピン64の軸部65とスピンベース8との間が封止されている。各突上げピン64は、対応するシール69に対して上下動可能となっている。
この基板処理装置1は、制御部75を備えている。制御部75は、モータ10、ノズル揺動駆動機構28,33、昇降機構41、プッシャ71などの動作を制御する。また、基板処理装置1に備えられたバルブの開閉、および流量調整バルブの開度の調整は、制御部75によって制御される。
以下では、図1および図5を参照して、基板処理装置1による基板Wの処理例について説明する。また、この処理例の各処理工程において、図2、および図6〜図8を適宜参照する。
隙間63から外方に窒素ガスを吹き出させることにより、処理液のミストやパーティクルなどの異物が、隙間63を介して狭空間S1に進入することを抑制または防止することができる。また、この実施形態では、スピンベース8と平板部57との間の鉛直方向への間隔G1が狭くされているので(図2参照)、異物が、隙間63を介して狭空間S1に進入することを一層確実に抑制または防止することができる。これにより、異物が基板Wの下面に付着して、当該下面が汚染されることを抑制または防止することができる。
次に、基板Wの上面および下面に対するリンス処理が同時に行われる(ステップS13)。具体的には、最初に、制御部75により昇降機構41が制御されて、図7に示すように、リンス液捕獲部39がスピンチャック3に保持された基板Wの周端面に対向する排液位置まで内構成部材34が移動させられる。そして、制御部75により2つのノズル揺動駆動機構28,33が制御されて、洗浄液ノズル4が基板W上から退避された後、リンス液ノズル5が基板Wの中心部の上方に配置される。このとき、スピンベース8は、所定の回転速度(たとえば数百rpm以上)で回転されており、下側ガス吐出口19からはスピンチャック3による基板Wの吸着状態が維持される量で窒素ガスが吐出されている。
次に、基板Wを乾燥させる乾燥処理(スピンドライ)が行われる(ステップS14)。具体的には、内構成部材34が排液位置(図1において実線で示す内構成部材34の位置)に位置する状態で、制御部75によりモータ10が制御されて、高回転速度(たとえば数千rpm)でスピンベース8が回転される。このとき下側ガス吐出口19からは、スピンチャック3による基板Wの吸着状態が維持される吐出流量で、窒素ガスが吐出されている。
以上のように本実施形態では、拡張面61を有する支持リング9により基板Wを支持させることにより、処理液による処理(洗浄処理、リンス処理)や乾燥処理における処理液の飛散点を基板Wの外方に移動させることができる。
さらに、内構成部材34や外構成部材35に衝突して基板W側に跳ね返った処理液の液滴や、この跳ね返った液滴と拡張面61から外方に飛散する後続の液滴との衝突により基板W側に跳ね返った処理液の液滴を内構成部材34および外構成部材35によって受け止めて、この処理液の液滴が基板W側に戻ることを抑制または防止することができる。
前述の実施形態では、支持リング9の平板部57が円環状であり、その断面形状が、その内周側に向かって先細りとなる楔状をなしている場合について説明したが、平板部57の形状はこれに限らない。具体的には、たとえば、平板部57が図9〜図12に示す形状にされていてもよい。また、前述の実施形態では、平板部57の外周部から鉛直下方に延びる筒状部58が支持リング9に設けられている場合について説明したが、これに限らず、筒状部58は、省略されていてもよいし、たとえば図13に示す形状にされていてもよい。
また、平板部257の上面は、円環状の水平面にされており、水平面77によって基板Wが支持された状態で、基板Wの上面周縁部に連なるように形成されている。この支持リング209の上面が、基板Wの外周縁を外方に拡張するように、当該基板Wの全周を取り囲む拡張面261となっている。
また、平板部357の上面は、円環状の水平面にされており、テーパ面80によって基板Wが支持された状態で、基板Wの上面周縁部に連なるように形成されている。この平板部357の上面が、基板Wの外周縁を外方に拡張するように、当該基板Wの全周を取り囲む拡張面361となっている。
また、図13に示す支持リング509(保持部)は、平板部57と、この平板部57の外周部から外方に広がりつつ下方に延びる筒状部558とを有している。筒状部558は、スピンベース8の外側に位置しており、隙間63を取り囲んでいる。筒状部558の内周面と、スピンベース8の外周面との間には、所定の隙間が形成されている。
その他、特許請求の範囲に記載された事項の範囲で種々の設計変更を施すことが可能である。
3 スピンチャック
4 洗浄液ノズル
5 リンス液ノズル
6 スプラッシュガード
9 支持リング
10 モータ
45 (外構成部材35の)上壁部
61 拡張面
63 隙間
109 支持リング
161 拡張面
209 支持リング
261 拡張面
309 支持リング
361 拡張面
409 支持リング
463 隙間
509 支持リング
L1 回転軸線
S1 狭空間
W 基板
Claims (4)
- 基板を水平に保持するための保持部、および前記保持部を鉛直な回転軸線まわりに回転させる回転手段を有する基板保持手段と、
前記基板保持手段に保持された基板に処理液を供給する処理液供給手段と、
前記基板保持手段に保持された基板の周囲を取り囲み、当該基板の外方に向かって飛散する処理液の液滴を受け止めるための処理液捕獲部材とを含み、
前記保持部は、基板の全周を取り囲んで当該基板の外周縁を外方に拡張するように設けられた環状の拡張面を有し、
前記処理液捕獲部材は、前記保持部に保持された基板の外方において、前記拡張面の全周縁部を上方から覆う環状の被覆部を有している、基板処理装置。 - 前記被覆部は、処理液の液滴が前記拡張面との間を通って当該被覆部よりも前記回転軸線側に進入しないように、前記拡張面に近接されている、請求項1記載の基板処理装置。
- 前記拡張面は、処理液に対する親液性が基板よりも高い親液面とされている、請求項1または2記載の基板処理装置。
- 前記保持部は、基板の下方に空間が生じるように当該基板の下面周縁部を全周にわたって支持できるように形成されたものであり、当該空間を当該保持部の周囲の空間に連通させるための連通部を有している、請求項1〜3の何れか1項に記載の基板処理装置。
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