JP2004056006A - 基板処理装置および基板処理方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】処理室1内には、ウエハ保持リング2が備えられている。ウエハ保持リング2は、ウエハWの外形に対応した開口21を中央に有している。この開口21の周囲には、Oリング24が設けられていて、ウエハWを開口21に上方から嵌め込むことにより、そのウエハWの周縁部をOリング24で下方から支持することができ、また、ウエハWと水平面23との間をOリング24でシールすることができるようになっている。ウエハ保持リング2の上方および下方には、それぞれウエハ保持リング2に対向した面が開口された容器状のフード5,6が設けられている。フード5,6の内面には、それぞれウエハWの上面および下面に別の処理流体を供給するためのスキャンノズル7,8が配設されている。
【選択図】 図1
Description
【発明の属する技術分野】
この発明は、基板に処理液を用いた処理を施すための装置および方法に関する。処理の対象となる基板には、たとえば、半導体ウエハ、液晶表示装置用ガラス基板、プラズマディスプレイ用ガラス基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板などが含まれる。
【0002】
【従来の技術および発明が解決しようとする課題】
半導体装置や液晶表示装置の製造工程では、基板の表面および裏面に対して処理液による処理が行われる。この処理に対しては、基板の表面と裏面とで要求が異なる。たとえば、洗浄処理を例にとると、基板の表面に対する処理には、表面に付着した汚染物質を良好に除去する一方で、デバイスや配線にダメージを与えないことが要求され、基板の裏面に対する処理には、基板搬送時における基板の再汚染を防ぐために、その裏面に付着している汚染物質の完全な除去が要求される。このため、基板の表面処理と裏面処理とでは、それぞれに適した異なる処理液を用いる必要がある。
【0003】
基板を1枚ずつ処理する枚葉型の基板処理装置では、たとえば、基板を水平に保持して回転させるスピンチャックが備えられていて、このスピンチャックに保持されて水平面内で回転する基板の表面および裏面に、それぞれ表面用および裏面用のノズルから処理液が供給される。
スピンチャックには、基板の裏面を真空吸着して基板を保持するタイプのものと、複数本のチャックピンで基板の端面を挟持して基板を保持するタイプのものとがある。いずれのタイプのスピンチャックを備えた装置であっても、基板の表面に供給された処理液が裏面側へ回り込むか、または、基板の裏面に供給された処理液が表面側へと回り込む。また、基板の表面側の雰囲気と裏面側の雰囲気とが混ざり合う。そのため、表面用および裏面用のノズルからそれぞれ基板の表面処理および裏面処理に適した異なる処理液を供給して、基板の表裏面を同時に別処理するといったことはできない。しかも、基板の裏面を真空吸着するタイプのものでは、基板の裏面の吸着部分に処理液を供給することができず、基板の裏面全域を処理することができない。
【0004】
そこで、この発明の目的は、上述の技術的課題を解決し、基板の表面および裏面に対して、それぞれに別の処理を同時に施すことができる基板処理装置および基板処理方法を提供することである。
【0005】
【課題を解決するための手段および発明の効果】
上記の目的を達成するための請求項1記載の発明は、基板(W)を回転させる基板回転手段(4,M)と、基板の表面に対して表面用の処理流体を供給する表面側処理流体供給手段(7)と、基板の裏面に対して表面用の処理流体とは異なる裏面用の処理流体を供給する裏面側処理流体供給手段(8)と、上記基板回転手段により回転されている基板の表面側と裏面側とを雰囲気的に隔離する隔離手段(2)とを含むことを特徴とする基板処理装置である。
【0006】
なお、括弧内の英数字は、後述の実施形態における対応構成要素等を表す。以下、この項において同じ。
この発明によれば、基板の表面側と裏面側とが雰囲気的に隔離されているから、基板の表面に供給された処理流体が基板の裏面側に回り込んだり、基板の裏面に供給された処理流体が基板の表面側に回り込んだりするおそれはない。また、表面用の処理流体を含む雰囲気と裏面用の処理流体を含む雰囲気とが混じり合うおそれもない。ゆえに、基板の一方面に対する処理が他方面に悪影響を与えることなく、基板の表裏面に対して同時に別処理を施すことができる。
【0007】
請求項2記載の発明は、上記表面側処理流体供給手段および裏面側処理流体供給手段は、それぞれ基板の表面および裏面への処理流体の供給位置を移動させることのできるスキャンノズルであることを特徴とする請求項1記載の基板処理装置である。
この発明によれば、基板を回転させつつ、その回転中の基板の表裏面に処理流体を供給し、その際、処理流体の供給位置を移動させることによって、基板の表裏面の全域に処理流体をむらなく供給することができる。
【0008】
上記隔離手段は、請求項3に記載のように、基板の外周形状に対応した開口(21)を有する開口部材(2)であってもよく、また、その開口部材は、請求項4に記載のように、上記開口の周縁部で基板の外周を保持するものであってもよい。
さらに、上記開口部材が上記開口の周縁部で基板の外周を保持する構成である場合、請求項5に記載のように、上記開口の周縁部(23)にシール部材(24)が設けられていることが好ましい。シール部材を設けることにより、基板と開口の周縁部との隙間をシールすることができ、基板の表面側と裏面側とをより精密に隔離することができる。
【0009】
また、上記隔離手段が上記開口部材である場合には、請求項6に記載のように、上記基板回転手段は、基板を保持している上記開口部材を回転させることにより当該基板を回転させるものであってもよい。
請求項7記載の発明は、上記開口部材を挟むように設けられた一対のフード(5,6)をさらに含むことを特徴とする請求項1ないし6のいずれかに記載の基板処理装置である。
【0010】
この発明によれば、一対のフードが開口部材を挟むように設けられているので、基板の上面側および下面側の雰囲気がそれぞれ開口部材の外方を回り込んで基板の反対側へ流入することを防止でき、基板の表面側と裏面側とをより一層精密に隔離することができる。
請求項8記載の発明は、基板(W)の表面側と裏面側とを雰囲気的に隔離しつつ、当該基板を回転させながら、当該基板の表面および裏面に対してそれぞれ互いに異なる処理流体を供給することにより、当該基板の表面および裏面を処理することを特徴とする基板処理方法である。
【0011】
この方法によれば、請求項1に関連して述べた効果と同様な効果を達成することができる。
【0012】
【発明の実施の形態】
以下では、この発明の実施の形態を、添付図面を参照して詳細に説明する。
図1は、この発明の一実施形態に係る基板処理装置を簡略化して示す断面図である。この基板処理装置は、基板の一例である半導体ウエハ(以下、単に「ウエハ」という。)Wの表面および裏面に対して、それぞれ表面用および裏面用の処理液による処理を施すことができるものであり、隔壁で区画された処理室1内に、ウエハWをほぼ水平に保持して回転するウエハ保持リング2を備えている。
【0013】
ウエハ保持リング2は、平面視における外形が円形状に形成されており、ウエハWの外形に対応した開口21を中央に有している。この開口21の周囲には、その全周にわたって、ウエハ保持リング2の上面から開口21の内側に近づくにつれて下方に傾斜した傾斜面22と、この傾斜面22の下端縁に連続した水平面23とが形成されている。水平面23上には、Oリング24が設けられていて、ウエハWを開口21に上方から嵌め込むことにより、そのウエハWの周縁部をOリング24で下方から支持することができ、また、ウエハWと水平面23との間をOリング24でシールすることができるようになっている。
【0014】
なお、ウエハWの周縁部を支持することができ、かつ、ウエハWと水平面23との間をシールすることができるものであれば、Oリング24に限らず、リップパッキンなどの他のシール部材が水平面23上に設けられてもよい。
また、処理室1内には、少なくとも3つのリング支持ブロック3がその処理室1に対して固定配置されている。各リング支持ブロック3は、ほぼ水平に配置された回転軸まわりに回転可能なローラ31を有していて、ウエハ保持リング2は、その下面の周縁部が少なくとも3つのローラ31で支持されることにより、ほぼ水平な面内で、各ローラ31の回転軸線の延長線が互いに交わる点を通る鉛直軸線(ウエハWのほぼ中心を通る鉛直軸線)まわりに回転することができるようになっている。
【0015】
ウエハ保持リング2の外周面25には、全周にわたって、ギヤ歯が形成されている。このギヤ歯には、鉛直軸線まわりに回転可能な駆動ギヤ4が噛合している。また、駆動ギヤ4には、処理室1の外に配置された電動モータMの回転力が入力されるようになっている。したがって、電動モータMを駆動すれば、この電動モータMの回転力が、駆動ギヤ4を介してウエハ保持リング2に伝達され、ウエハ保持リング2を上記鉛直軸線まわりに回転させる。
【0016】
ウエハ保持リング2の上方および下方には、それぞれウエハ保持リング2に対向した面が開口された容器状のフード5,6が設けられている。フード5,6は、ウエハ保持リング2に対して昇降可能に構成されており、ウエハWの処理時に、それぞれ下端縁51および上端縁61とウエハ保持リング2との間に所定の隙間が形成される位置(図1に示す位置)まで接近させたり、ウエハ保持リング2に対するウエハWの搬入出の妨げにならないように、それぞれ上方および下方に大きく離間させたりすることができるようになっている。
【0017】
フード5,6の内面には、それぞれウエハWの上面および下面に処理流体を供給するためのスキャンノズル7,8が配設されている。スキャンノズル7,8は、それぞれウエハWの上面および下面への処理流体の供給位置を移動させることができる。これにより、ウエハWを保持したウエハ保持リング2を回転させつつ、その回転中のウエハWの上下面にそれぞれスキャンノズル7,8から処理流体を供給し、その際、処理流体の供給位置を移動させることによって、ウエハWの上下面の全域に処理流体をむらなく供給することができる。
【0018】
フード5の天面52には、フード5内に窒素ガス(N2)を導入するための窒素導入管91が接続されている。フード6の底面62には、ウエハWの下面の処理に使用された処理流体およびこの処理流体を含む雰囲気を排出するための排液排気管101が接続されている。また、フード6の上端縁に関連して、フード6の上端縁近傍に窒素ガスを導入するための窒素導入管92が接続されている。さらにまた、ウエハ保持リング2の上面には、ウエハ保持リング2に近接したフード5の下端縁の近傍の位置に、ウエハWの上面の処理に使用された処理流体(液体)を溜めておくことのできる液溜め溝26が形成されており、この液溜め溝26に関連して、フード5の下端縁とウエハ保持リング2との間の隙間から漏れ出す雰囲気および液溜め溝26に溜まった処理流体を吸引して排出するための吸引排出管102が設けられている。排液排気管101および吸引排出管102からの排液および排気は、図示しない排液排気処理設備へと導かれて、この排液排気処理設備で排液と排気とに分けられて処理される。
【0019】
ウエハWに処理を施す時には、その処理対象のウエハWが、図示しないロボットハンドによって搬入されてきて、ウエハ保持リング2に受け渡される。ウエハ保持リング2へのウエハWの受渡しは、たとえば、ウエハWを下方から支持して昇降可能なプッシャピンにより達成することができる。すなわち、プッシャピンを、ウエハ保持リング2の開口21を通してウエハ保持リング2の上方に突出した状態にしておき、まず、ロボットハンドからプッシャピンにウエハWを受け渡す。そして、プッシャピンを下降させて、ウエハWをウエハ保持リング2の開口21に嵌め込むことにより、ウエハ保持リング2へのウエハWの受渡しを達成することができる。
【0020】
ウエハ保持リング2にウエハWが保持されると、フード5,6が、それぞれ下端縁51および上端縁61とウエハ保持リング2との間に所定の隙間が形成される位置まで近づけられる。これにより、フード5内の空間(ウエハWの上面側の空間)とフード6内の空間(ウエハWの下面側の空間)とは、ウエハ保持リング2により隔離された状態となり、ウエハWの上面側の雰囲気とウエハWの下面側の雰囲気とが直接的に混じり合うことが防止される。
【0021】
この状態で、窒素導入管91からフード5内に窒素ガスが導入される。このとき、窒素導入管91は、フード5内の気圧がフード5の周囲の気圧よりも高くなるような流量で窒素ガスを導入する。また、窒素導入管92からフード6の上端縁近傍に窒素ガスが導入される。この窒素導入管92からの窒素ガスの導入により、フード6の周囲の気圧は、フード6内の気圧よりも高くなり、また、フード5の周囲の気圧よりも高くなる。ゆえに、フード6内の雰囲気がフード6の外へ漏れ出すおそれはなく、また、フード5の周囲の雰囲気がフード6の周囲の空間に流入してくるおそれもない。したがって、フード5内の雰囲気が、フード5,6の周囲の空間を通ってフード6内に流入するおそれはなく、また逆に、フード6内の雰囲気が、フード5,6の周囲の空間を通ってフード5内に流入するおそれもない。つまり、フード5,6のウエハ保持リング2への接近および窒素ガスの導入により、ウエハWの上面側と下面側とが雰囲気的に完全に隔離された状態となる。
【0022】
その後、電動モータMが駆動されて、ウエハ保持リング2が回転される。ウエハ保持リング2の回転により、ウエハWは、その中心を通る鉛直軸線まわりに回転する。そして、この回転中のウエハWの上下面に対して、それぞれスキャンノズル7,8から処理流体がその供給位置を変えつつ供給される。たとえば、ウエハWの上面には、スキャンノズル7から処理流体としてのフッ酸のベーパ(気体)が供給され、ウエハWの下面には、スキャンノズル8から処理流体としてのSC1(NH4OH+H2O2+H2O)(液体)が供給される。これにより、ウエハWの上面には、エッチング処理が施されるのに対し、ウエハWの下面には、パーティクル除去処理が施され、ウエハWの上下面は、互いに異なる処理流体を用いた別の処理が同時に施されることになる。
【0023】
このようにウエハWの上下面に対して別処理を同時に行っても、ウエハWとウエハ保持リング2との間はOリング24でシールされているので、そのウエハWとウエハ保持リング2との間の隙間を通って、スキャンノズル7からウエハWの上面に供給された処理流体がウエハWの下面側に回り込んだり、スキャンノズル8からウエハWの下面に供給された処理流体がウエハWの上面側に回り込んだりするおそれはない。また、フード5内の雰囲気とフード6内の雰囲気とが混じり合うこともないから、ウエハWの一方面に対する処理が他方面に悪影響を与えることはなく、ウエハWの上下面に対して良好な処理を施すことができる。
【0024】
ウエハWの上下面に対して十分な処理が行われると、スキャンノズル7,8からの処理流体の供給が停止される。処理流体の供給停止後も、しばらくの間、窒素導入管91,92からの窒素ガスの導入が続けられるとともに、吸引排出管102からの排液および排気の吸引が続けられる。これにより、フード5,6の内外の雰囲気が窒素ガスに置換される。そして、この雰囲気の置換後に、フード5,6がウエハ保持リング2から離間されて、ウエハ保持リング2に保持されている処理後のウエハWがロボットハンドによって搬出される。したがって、ウエハWの搬出時には、フード5,6の内外に処理流体を含む雰囲気は存在しないから、この搬出時に、ウエハWの上面が下面用の処理流体を含む雰囲気による汚染を受けたり、ウエハWの下面が上面用の処理流体を含む雰囲気による汚染を受けたりするおそれはない。
【0025】
なお、ウエハ保持リング2からロボットハンドへのウエハWの受渡しは、たとえば、ウエハ保持リング2の回転が止められた後、プッシャピンによってウエハWが押し上げられることにより、ウエハWがウエハ保持リング2から離脱され、このプッシャピン上のウエハWがロボットハンドに受け取られることにより達成できる。
以上、この発明の一実施形態について説明したが、この発明は他の形態で実施することもできる。たとえば、上記の実施形態では、スキャンノズル7からウエハWの上面にフッ酸のベーパが供給され、スキャンノズル8からウエハWの下面にSC1が供給されることにより、ウエハWの上面にエッチング処理が施され、ウエハWの下面にパーティクル除去処理が施されるとしたが、これに限定されず、スキャンノズル7からウエハWの上面に硫酸+過酸化水素水を供給し、スキャンノズル8からウエハWの下面にSC2(HCl+H2O2+H2O)を供給することにより、ウエハWの上面にレジスト剥離処理を施すのと同時に、ウエハWの下面に金属汚染除去処理を施すようにしてもよい。つまり、ウエハWの上面用の処理流体をスキャンノズル7から吐出させ、この上面用の処理流体とは異なる下面用の処理流体をスキャンノズル8から吐出させることにより、ウエハWの上下面に対して別の処理を同時に施すことができる。
【0026】
また、上記の実施形態では、ウエハWをウエハ保持リング2の開口21に上方から嵌め込むことにより、ウエハWの周縁部がウエハ保持リング2に保持されるとしたが、図2に示すように、ウエハ保持リング2を2つ(または3つ以上)の部分2A,2Bに分割して、各分割部分2A,2Bを互いに接合および離間させることにより、各分割部分の内周面27でウエハWの端面を挟持したり、その挟持を解除したりできるようにしてもよい。この場合、各分割部分2A,2Bの内周面27には、ウエハWの端面に密着するOリングのようなシール部材28が設けられることが好ましい。
【0027】
さらにまた、処理室1内でウエハWをウエハ保持リング2に脱着するのではなく、ウエハWをウエハ保持リング2に保持させた状態でウエハ保持リング2ごと処理室1内に搬入して、そのウエハ保持リング2をリング支持ブロック3に支持させ、ウエハWの処理後は、処理後のウエハWをウエハ保持リング2ごと処理室1から搬出するようにしてもよい。こうすれば、ウエハWをウエハ保持リング2から脱着させるためのプッシャピンを処理室1内に設ける必要がなくなる。
【0028】
その他、特許請求の範囲に記載された事項の範囲で種々の設計変更を施すことが可能である。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明の一実施形態に係る基板処理装置を簡略化して示す断面図である。
【図2】ウエハ保持リングの他の構成について説明するための平面図である。
【符号の説明】
1 処理室
2 ウエハ保持リング
4 駆動ギヤ
5 フード
6 フード
7 スキャンノズル
8 スキャンノズル
21 開口
22 傾斜面
23 水平面
24 Oリング
M 電動モータ
W ウエハ
Claims (8)
- 基板を回転させる基板回転手段と、
基板の表面に対して表面用の処理流体を供給する表面側処理流体供給手段と、基板の裏面に対して表面用の処理流体とは異なる裏面用の処理流体を供給する裏面側処理流体供給手段と、
上記基板回転手段により回転されている基板の表面側と裏面側とを雰囲気的に隔離する隔離手段と
を含むことを特徴とする基板処理装置。 - 上記表面側処理流体供給手段および裏面側処理流体供給手段は、それぞれ基板の表面および裏面への処理流体の供給位置を移動させることのできるスキャンノズルであることを特徴とする請求項1記載の基板処理装置。
- 上記隔離手段は、基板の外周形状に対応した開口を有する開口部材であることを特徴とする請求項1または2記載の基板処理装置。
- 上記開口部材は、上記開口の周縁部で基板の外周を保持するものであることを特徴とする請求項3記載の基板処理装置。
- 上記開口部材は、上記開口の周縁部にシール部材を有していることを特徴とする請求項4記載の基板処理装置。
- 上記基板回転手段は、基板を保持している上記開口部材を回転させることにより当該基板を回転させるものであることを特徴とする請求項3ないし5のいずれかに記載の基板処理装置。
- 上記開口部材を挟むように設けられた一対のフードをさらに含むことを特徴とする請求項1ないし6のいずれかに記載の基板処理装置。
- 基板の表面側と裏面側とを雰囲気的に隔離しつつ、当該基板を回転させながら、当該基板の表面および裏面に対してそれぞれ互いに異なる処理流体を供給することにより、当該基板の表面および裏面を処理することを特徴とする基板処理方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002214276A JP4456800B2 (ja) | 2002-07-23 | 2002-07-23 | 基板処理装置および基板処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2002214276A JP4456800B2 (ja) | 2002-07-23 | 2002-07-23 | 基板処理装置および基板処理方法 |
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Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004056006A true JP2004056006A (ja) | 2004-02-19 |
JP4456800B2 JP4456800B2 (ja) | 2010-04-28 |
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
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Country Status (1)
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20050314 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20070607 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070703 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070831 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20071009 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20071107 |
|
A911 | Transfer of reconsideration by examiner before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20071213 |
|
A912 | Removal of reconsideration by examiner before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912 Effective date: 20080111 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20091224 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20100208 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130212 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130212 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130212 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140212 Year of fee payment: 4 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
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LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |