JPH06204198A - 半導体基板の洗浄装置 - Google Patents

半導体基板の洗浄装置

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JPH06204198A
JPH06204198A JP35895192A JP35895192A JPH06204198A JP H06204198 A JPH06204198 A JP H06204198A JP 35895192 A JP35895192 A JP 35895192A JP 35895192 A JP35895192 A JP 35895192A JP H06204198 A JPH06204198 A JP H06204198A
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JP
Japan
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cleaning
wafer
substrate
semiconductor substrate
opening
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Withdrawn
Application number
JP35895192A
Other languages
English (en)
Inventor
Yoshinori Okawa
吉徳 大川
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Nippon Steel Corp
Original Assignee
Nippon Steel Corp
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Publication date
Application filed by Nippon Steel Corp filed Critical Nippon Steel Corp
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 半導体基板の表面と裏面とに対して異なる洗
浄処理を行うことができるようにする。 【構成】 洗浄槽10の中央に隔壁11を設け、隔壁1
1の中央にウエハ1の外形よりも少し小さな径の開口部
12を設ける。開口部12の周囲には真空吸着用の複数
個の小孔13を設ける。隔壁11の開口部12の両側に
一対の噴射ノズル16及び17を対向配置する。ウエハ
1の外周部を開口部12の周囲で吸着保持し、洗浄液供
給装置20により両噴射ノズル16及び17から異なる
洗浄液を異なる時間で噴射して、ウエハ1の表面1a及
び1bを洗浄する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置の製造工程
においてウエハ等の半導体基板を洗浄するための洗浄装
置に関する。
【0002】
【従来の技術】周知のように、半導体装置の製造工程に
おいては、ウエハ等の半導体基板を各種の薬液や純水等
の洗浄液によって順次繰り返しかつ充分に洗浄する必要
がある。なお、洗浄液によってウエハの表裏両面からパ
ーティクル等を除去するだけでなく、ウエハの表面に半
導体素子を形成するためのウエットエッチングも、各種
のエッチング液を用いたウエハ洗浄の一種と考えること
ができる。
【0003】図4は、上述のようにウエハ1を複数の異
なる洗浄液2・・・によって順次洗浄する従来の一般的
な洗浄装置を示すものであり、複数の洗浄槽3・・・が
横に連設された構造となっており、異なる洗浄液2・・
・が供給口4から供給されると共に排液口5から排出さ
れて、各洗浄槽3・・・内に満たされている。そして、
プロセス処理時には、複数のウエハ1を専用のウエハキ
ャリヤ6に収容し、このウエハキャリヤ6を各洗浄槽3
・・・の各洗浄液2・・・内に順次浸漬することによっ
て、複数のウエハ1を順次洗浄している。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
たように従来の洗浄装置においては、洗浄槽3の洗浄液
2内にウエハ1を浸漬することにより、ウエハ1に付着
しているパーティクル等を除去している。このため、常
にウエハ1の表面及び裏面ともに同様の洗浄処理が行わ
れ、表面と裏面とについて異なる洗浄処理を行うことが
できないものであった。
【0005】即ち、ウエハ1の表面は半導体素子を形成
するために鏡面処理を施しているが、ウエハ1の裏面は
表面ほどの鏡面処理を行っていない。また、各種装置に
よる他のプロセス処理の際には、ウエハ1の裏面を保持
するようにしている。このため、一般的に、ウエハ1の
表面よりも裏面に多くのパーティクル等が付着している
が、裏面に対応した強力な洗浄液による処理を行おうと
しても、半導体素子を形成するための表面に悪影響が及
ぶため、強力な洗浄処理は行えなかった。
【0006】従って、不充分な洗浄によって次工程へパ
ーティクル等が持ち込まれる危険性がある他、弱性の洗
浄液により長時間にわたって洗浄を行う必要があり、洗
浄処理の効率が悪い上に、特にオーバーフロー式洗浄に
おいては洗浄液を多く必要とするという問題があった。
【0007】そこで本発明は、半導体基板の表面と裏面
とに対して異なる洗浄処理を行うことができる半導体基
板の洗浄装置を提供することを目的とする。
【0008】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明による半導体基板の洗浄装置は、半導体基板
の外形に対応する開口部を有する隔壁と、この隔壁の開
口部の周囲において前記基板の外周部を保持する基板保
持手段と、この基板保持手段により前記隔壁に保持され
た前記基板の両面にそれぞれ洗浄液を噴射する噴射ノズ
ルを有する洗浄液噴射手段とを具備するものである。
【0009】なお、前記噴射ノズルがそれぞれ複数本の
噴射ノズルによって構成されているとよい。
【0010】
【作用】上記のように構成された本発明によれば、基板
保持手段により半導体基板が開口部を有する隔壁に保持
されるので、その基板の表面と裏面とが隔離された状態
で隔壁の両側に露出される。そして、両側の噴射ノズル
から各種の薬液や純水等の洗浄液がそれぞれ噴射され
て、基板に対して所定の洗浄が行われる。このとき、ウ
エハの表面と裏面とにおいて噴射ノズルは独立している
ので、異なる洗浄液を異なる時間で噴射することができ
る。これにより、基板の表面と裏面とに対して異なる洗
浄処理を最適に行うことができる。
【0011】
【実施例】以下、本発明をウエハの洗浄装置に適用した
実施例を図1〜図3を参照して説明する。図1は第1実
施例における装置全体の斜視図、図2はその要部の断面
図である。
【0012】まず、図1に示すように、上方が開放され
た洗浄槽10のほぼ中央に隔壁11が垂直状に設けら
れ、この隔壁11によって洗浄槽10内が左右に仕切ら
れている。隔壁11のほぼ中央には、ウエハ1の外形よ
りも少し小さな径を有する円形の開口部12が形成され
ている。図2に示すように、この開口部12の周囲には
真空吸着用の複数個の小孔13が開孔され、これら小孔
13は隔壁11内の連通路14を通して真空吸引装置
(図示せず)に接続されている。なお、複数個の小孔1
3に代えて円環状の溝を設けてもよい。また、図1に示
すように、洗浄槽10の左右両底面にはそれぞれ排液口
15が設けられている。
【0013】そして、図1及び図2に示すように、隔壁
11によって仕切られた洗浄槽10内には、一対の噴射
ノズル16及び17が隔壁11の開口部12を挟んで対
向配置されている。両噴射ノズル16及び17はそれぞ
れ供給管18及び19の先端に設けられ、これら供給管
18及び19は洗浄液供給装置20に接続されている。
この洗浄液供給装置20は、両噴射ノズル16及び17
に異なる洗浄液を異なる時間で供給することができるよ
うに構成されている。
【0014】上述のように構成された洗浄装置において
は、まず、ウエハ搬送手段(図示せず)によりウエハ1
が一枚ずつ隔壁11の開口部12部分に搬送され、開口
部12の周囲の小孔13部分での吸引作用によってウエ
ハ1の外周部が吸着されて保持される。即ち、ウエハ1
の表面1aと裏面1bとが隔壁11によって完全に隔離
され、開口部12により片面(この場合は裏面1b)も
外側へ露出される。
【0015】次に、この状態で、洗浄液供給装置20が
作動され、噴射ノズル16及び17から各種の薬液や純
水等の洗浄液21及び22が噴射される。洗浄液21及
び22はウエハ1の表面1a及び裏面1bに対して所定
の時間噴射され、所定の洗浄処理を行った後、排液はそ
れぞれ排液口15から排出される。そして、所定の洗浄
処理が終了したウエハ1はウエハ搬送手段によって隔壁
11から取り外され、次の未洗浄のウエハ1が新たに装
着される。
【0016】このように、ウエハ1の表面1aと裏面1
bとを異なる洗浄液21及び22によって異なる時間で
洗浄することができる。これによって、表面1aよりも
パーティクル等が多い裏面1bについて強力な洗浄液2
2による処理を行うことができ、半導体素子を形成する
表面1aに悪影響を及ぼすことなく、短時間でパーティ
クル等を除去することができる。
【0017】次に、図3は第2実施例における要部の断
面図であり、隔壁11の両側における一対の噴射ノズル
をそれぞれ複数本、例えば3本の噴射ノズル16a〜1
6c及び17a〜17cによって構成したものである。
【0018】この第2実施例においては、一対の噴射ノ
ズル16a及び17aからの洗浄液によってウエハ1の
表面1a及び裏面1bに対する所定の洗浄が終了する
と、別の一対の噴射ノズル16b及び17bからの別の
洗浄液によって次の洗浄が行われる。このように、各噴
射ノズル16a〜16c及び17a〜17cによる異な
る洗浄液の噴射を所定の回数で順次繰り返すことによっ
て、一つの洗浄装置によって複数種類の洗浄処理を行う
ことができる。
【0019】従って、この第2実施例によれば、複数の
洗浄液を用いての洗浄の際に、従来(図4参照)のよう
な複数の洗浄槽3を用いる必要がないので、スペースフ
ァクターが非常によく、また、噴射ノズル16a〜16
c及び17a〜17cから噴射させる洗浄液の変更だけ
で、プロセス処理方法を容易に変更することができる。
【0020】以上、本発明の実施例に付き説明したが、
本発明は上記実施例に限定されることなく、本発明の技
術的思想に基づいて各種の有効な変更並びに応用が可能
である。例えば、本実施例においては洗浄槽内に隔壁を
設けたが、本発明においては隔壁によって基板の表面と
裏面とが実質的に隔離される構成であればよい。また、
基板保持手段は真空吸着に限らず基板の外周部を機械的
に保持するものでもよく、この場合は隔壁の開口部が基
板の外形よりも少し大きいものでもよい。さらに、噴射
ノズルとしては回転式等の各種の構造を適用することが
できる。なお、本装置においては、洗浄液として各種の
エッチング液や純水等を用いることにより、ウエットエ
ッチング処理を行うことができるのは勿論である。
【0021】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
半導体基板を開口部を有する隔壁に保持し、その基板の
両側に噴射ノズルを設けることによって、基板の表面と
裏面とに対して異なる洗浄処理を行うことができる。従
って、例えば表面よりもパーティクル等が多い裏面につ
いて、表面よりも強力な洗浄処理を行うことができるた
め、表面に悪影響を与えることなく、短時間でパーティ
クル等を効果的に除去することができ、洗浄処理の効率
の向上及び洗浄液の削減を図ることができる。
【0022】また、隔壁の両側に複数本の噴射ノズルを
設けた場合には、基板を複数の洗浄液により順次洗浄す
る際、従来のような多数の洗浄槽を用いる必要がないか
ら、スペースファクターが極めてよくてクリーンルーム
内で設置場所を広く取らず、また、従来のような洗浄槽
の挿入や入れ換え等の増減が必要ないので、プロセス処
理方法の変更が極めて容易に可能である、等の利点があ
る。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明をウエハの洗浄装置に適用した第1実施
例における装置全体の斜視図である。
【図2】上記実施例における要部の断面図である。
【図3】第2実施例における要部の断面図である。
【図4】ウエハを複数の異なる洗浄液によって順次洗浄
する従来の一般的な洗浄装置における概略図である。
【符号の説明】
1 ウエハ 1a 表面 1b 裏面 10 洗浄槽 11 隔壁 12 開口部 13 真空吸着用の小孔 14 連通路 15 排液口 16、17 噴射ノズル 16a〜16c、17a〜17c 噴射ノズル 18、19 供給管 20 洗浄液供給装置 21、22 洗浄液

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 半導体基板の外形に対応する開口部を有
    する隔壁と、この隔壁の開口部の周囲において前記基板
    の外周部を保持する基板保持手段と、この基板保持手段
    により前記隔壁に保持された前記基板の両面にそれぞれ
    洗浄液を噴射する噴射ノズルを有する洗浄液噴射手段と
    を具備する半導体基板の洗浄装置。
  2. 【請求項2】 前記噴射ノズルがそれぞれ複数本の噴射
    ノズルによって構成されていることを特徴とする請求項
    1記載の半導体基板の洗浄装置。
  3. 【請求項3】 前記基板保持手段が前記基板を吸着して
    保持するものであることを特徴とする請求項1または2
    記載の半導体基板の洗浄装置。
  4. 【請求項4】 洗浄槽を有し、この洗浄槽内に前記隔壁
    及び噴射ノズルを設けたことを特徴とする請求項1また
    は2記載の半導体基板の洗浄装置。
JP35895192A 1992-12-25 1992-12-25 半導体基板の洗浄装置 Withdrawn JPH06204198A (ja)

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JP35895192A JPH06204198A (ja) 1992-12-25 1992-12-25 半導体基板の洗浄装置

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004056006A (ja) * 2002-07-23 2004-02-19 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置および基板処理方法
US7282098B2 (en) * 2002-03-15 2007-10-16 Seiko Epson Corporation Processing-subject cleaning method and apparatus, and device manufacturing method and device
KR20220108493A (ko) * 2021-01-27 2022-08-03 에스케이실트론 주식회사 매엽식 웨이퍼 세정장치 및 이를 이용한 웨이퍼 표면 거칠기 제어방법

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Effective date: 20000307