JPH0817782A - 基板処理装置 - Google Patents

基板処理装置

Info

Publication number
JPH0817782A
JPH0817782A JP17012194A JP17012194A JPH0817782A JP H0817782 A JPH0817782 A JP H0817782A JP 17012194 A JP17012194 A JP 17012194A JP 17012194 A JP17012194 A JP 17012194A JP H0817782 A JPH0817782 A JP H0817782A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrates
substrate
cleaning
processing liquid
cleaning tank
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP17012194A
Other languages
English (en)
Inventor
Hajime Shirakawa
元 白川
Kazuo Sugihara
一男 杉原
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd filed Critical Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Priority to JP17012194A priority Critical patent/JPH0817782A/ja
Publication of JPH0817782A publication Critical patent/JPH0817782A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Abstract

(57)【要約】 (修正有) 【目的】 基板Wを均一かつ効率よく洗浄処理すること
ができる基板処理装置を提供する。 【構成】 基板処理装置では、洗浄室21内に複数の基
板Wが互いに等間隔で平行に配列して収納され、処理液
が洗浄室21に供給されて基板Wが洗浄される。洗浄室
21に供給される処理液は、多孔板24に形成された噴
出孔24aから基板Wの間に噴出される。噴出孔24a
は、基板Wの配列ピッチLpに等しい間隔であって基板
Wの間の中央に設けられているから、処理液は、基板W
の間で層流状態の上昇流となり、基板Wを均一に洗浄す
る。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、洗浄槽に収納したウエ
ハや液晶用ガラス板等の基板に薬液等を噴出して基板を
洗浄する基板処理装置に関する。
【0002】
【従来の技術】従来、ウエハやチップ等の基板を洗浄ま
たはエッチングするための基板処理装置として、例え
ば、図8に示す装置が知られている(特開平5−267
262号公報)。すなわち、基板処理装置100は、洗
浄槽102及び洗浄槽102の上部外周にオーバーフロ
ー槽103を備え、薬液または純水で調製された処理液
を洗浄槽102内に満たすと共に、この処理液にカセッ
ト104によって搬送される基板Wが浸漬されるように
なっている。そして、洗浄槽102の底部の処理液供給
口106からフィルタ108を介して処理液を供給し、
図9に示す分散板110に形成したほぼ同一径に配列さ
れた多数の噴出孔112から処理液を基板Wに向けて噴
出させることにより、基板Wを洗浄している。
【0003】しかし、上記基板処理装置100では、洗
浄槽102にごみ等の流入を防止するためにフィルタ1
08を設けているが、このフィルタ108の存在により
処理液は、フィルタ108の上方でその流速が大きくな
らず、また、その粘性で基板Wの間で流速が低下し、基
板Wの間に十分の流量でかつ均一に供給されない。その
結果、効率的な洗浄を行なうことができないと共に、基
板Wの洗浄が不均一になり易いという問題があった。
【0004】上記問題を解決するために、図10に示す
ように分散板122の噴出孔124として、中央部の噴
出孔124aをその基板Wの両側部に対向する噴出孔1
24bより大きく形成し、噴出孔124aから噴出され
る処理液を噴出孔124bより大流量で噴出させて、基
板Wに対して十分な流量の処理液で洗浄しようとしてい
る。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記基板処理
装置100では、噴出孔124の上方に基板Waが配置
されているために、噴出孔124から噴出される処理液
は、基板Waの下端部に直接当たってその付近で渦流と
なり、基板Wの上部にまで十分に流通しない。このた
め、基板Wの上下部で洗浄やエッチングの不均一な状態
が発生するという問題があった。また、処理液は、洗浄
槽102の上部からオーバーフロー槽103に溢れさせ
て循環させているが、洗浄後の処理液が渦流で停留し
て、オーバーフロー槽103から速やかに排出されず、
次に処理される基板Wに汚染が転写されるという問題も
あった。
【0006】また、こうした問題は、上述したように基
板Wをカセット104に収納した状態で洗浄する装置の
ほかに、カセットから基板を取り出して洗浄する場合に
も同様にあった。
【0007】本発明は、上記従来の技術の問題点を解消
するためになされたものであり、基板を均一かつ効率よ
く洗浄処理することができる基板処理装置を提供するこ
とを目的とする。
【0008】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
になされた請求項1の発明は、複数の基板を平行に配列
した状態で収納する洗浄槽と、洗浄槽内の基板に向けて
処理液を噴出する処理液供給手段とを備えた基板処理装
置において、上記処理液供給手段は、上記洗浄槽内に収
納した基板の配列ピッチに等しい間隔であって互いに隣
接する基板の間のほぼ中央位置に配列した複数の噴出孔
と、上記噴出孔から処理液を噴出させるように処理液を
圧送する処理液圧送部と、を備えたことを特徴とする。
【0009】請求項2の発明は、請求項1において、洗
浄槽内の下部に設けた洗浄板を備え、上記噴出孔を上記
洗浄板に形成したものである。
【0010】請求項3の発明は、請求項1において、上
記処理液圧送部の処理液が圧送される洗浄水噴出管体を
備え、該洗浄水噴出管体に上記噴出孔を形成したもので
ある。
【0011】請求項4の発明は、複数の基板を所定の配
列ピッチで収納するカセットを用いて、該カセットを保
持するカセット保持部を上記洗浄槽内に設けたものであ
る。
【0012】
【作用】本発明の請求項1の基板処理装置では、洗浄槽
内に複数の基板が互いに平行に配列した状態で収納さ
れ、処理液供給手段の処理液圧送部から処理液が基板に
向けて噴出されて基板が洗浄される。このとき、処理液
は、基板の間のほぼ中央位置に配置された噴出孔から噴
出される。したがって、処理液は、基板の間に噴出さ
れ、その間で、層流状態で流動するから、処理液の基板
に付着したパーティクル除去能力が高い。また、処理液
は、基板間の上部にまで速やかに流れるから、洗浄後の
処理液を効率よく、洗浄槽外へ排出することができる。
【0013】請求項2及び請求項3の発明は、噴出孔の
配設に好適な態様である。つまり、請求項2では、洗浄
板に形成した噴出孔から処理液が噴出されるから、全て
の基板が均一かつ効率よく洗浄される。また、請求項3
では、洗浄水噴出管体を通じて噴出孔から噴出するの
で、液圧が低減することなく、処理液を基板の間に噴出
させることができる。
【0014】請求項4は、基板を洗浄槽内に収納する態
様のうち、基板をカセットに保持したまま洗浄すること
ができるものである。
【0015】
【実施例】以上説明した本発明の構成・作用を一層明ら
かにするために、以下本発明の好適な実施例について説
明する。
【0016】図1は本発明の一実施例に係る基板処理装
置10を示し、図2は洗浄槽20の断面を示す。図1及
び図2に示すように、基板処理装置10は、カセットC
内に収納した複数の基板Wを一括して洗浄処理する洗浄
槽20と、洗浄槽20に第1薬液A及び第2薬液Bを供
給する薬液供給系30と、洗浄槽20に純水を供給する
純水供給系40と、第1及び第2薬液A,B及び純水か
ら調製された処理液を循環しつつ所定温度に維持する処
理液循環系50とを備えている。
【0017】上記洗浄槽20は、洗浄室21を有する石
英製の槽本体22と、槽本体22の上部外周に配置され
たオーバーフロー槽23と、槽本体22内の底部よりや
や上方に水平配置された多孔板24とを備え、多孔板2
4により、上記洗浄室21を洗浄上室21aと洗浄下室
21bとに区分けしている。上記洗浄上室21aには、
基板Wを収納したカセットCを載置するカセット支持部
25が設けられ、洗浄下室21bには、処理液循環系5
0からの処理液を供給する処理液供給管26が設けられ
ている。なお、カセットCの下部には、カセット開口C
aが形成されており、このカセット開口Caを通じて処
理液が流入するようになっている。
【0018】上記多孔板24には、図3及び図4に示す
ように、複数の噴出孔24aが形成されている。図3は
多孔板24に載置した基板Wを側面から見た図であり、
図4は多孔板24を上方から見た図である。噴出孔24
aは、基板Wの配列方向Dに対して基板Wの配列ピッチ
Lpと等間隔であり、基板Wの間の中央位置に形成され
ており、しかも、基板Wの配列方向Dとの直角方向Hに
対しても等間隔に形成されている。したがって、噴出孔
24aは、所定間隔で格子状に配置されていることにな
る。
【0019】次に、図1に戻って、薬液供給系30につ
いて説明する。薬液供給系30は、第1薬液供給部30
aと第2薬液供給部30bとを備えている。第1薬液供
給部30aは、第1薬液Aを供給する第1薬液供給源3
2aから薬液配管33aを通じて接続された薬液計量槽
34aを備えている。薬液配管33aには、開閉弁35
aが設けられている。薬液計量槽34aは、薬液配管3
6aを介して洗浄槽20に接続されている。薬液配管3
6aには、薬液供給ポンプ37aが設けられている。ま
た、薬液計量槽34aと洗浄槽20との間には、薬液配
管36aをバイパスし、かつ開閉弁38aを介設したバ
イパス管39aが接続されている。
【0020】こうした第1薬液供給部30aの構成によ
り、第1薬液供給源32aからの第1薬液Aは、薬液配
管33aを介して薬液計量槽34aに供給され、この薬
液計量槽34aで計量されて薬液配管36aを通じて薬
液供給ポンプ37aで洗浄槽20へ送られる。
【0021】また、第2薬液供給部30bは、第1薬液
供給部30aと同様な構成により、第2薬液供給源32
bから薬液計量槽34bを経て、洗浄槽20に第2薬液
Bを供給している。
【0022】上記処理液循環系50は、オーバーフロー
槽23から溢れた処理液を洗浄槽20へ循環させる系統
である。処理液循環系50は、オーバーフロー槽23と
洗浄槽20の底部とを接続した循環管路51を備え、こ
の循環管路51に上流側から順に、開閉弁52、循環ポ
ンプ53、循環ヒータ54、開閉弁55、循環フィルタ
56を介設している。また、循環管路51の循環ヒータ
54の下流側には、開閉弁57を介設した排出配管58
が接続されている。
【0023】上記構成による処理液循環系50により、
オーバーフロー槽23の処理液が循環ポンプ53により
循環管路51を介して循環ヒータ54に送られ、循環ヒ
ータ54で所定温度に加熱された後に、循環フィルタ5
6に送られる。循環フィルタ56を経て浄化された処理
液は、洗浄槽20の処理液供給管26に圧送され、さら
に洗浄下室21bを満たす。洗浄下室21bを満たした
処理液は、多孔板24の噴出孔24aを介して洗浄上室
21aに噴出され、洗浄室21内の処理液を攪拌すると
ともにオーバーフロー槽23へ溢れさせる。その後、オ
ーバーフロー槽23で受けた処理液は、循環ポンプ53
によって循環ヒータ54側へ送られる。こうした動作に
より洗浄槽20内の処理液は循環しつつ循環ヒータ54
による所定温度の維持及び循環フィルタ56による浄化
処理が行なわれる。
【0024】上記洗浄槽20内での基板Wの洗浄動作に
ついてさらに説明すると、まず、図示しない基板搬送装
置により基板Wを収納したカセットCが洗浄槽20内の
カセット支持部25に搬送され、ここで載置支持され
る。このとき、基板Wは、カセットC内にて互いに平行
でかつ所定間隔の配列ピッチLpにて配置されている。
その後、薬液供給系30から所定量の第1薬液A及び第
2薬液Bが洗浄槽20に供給されると共に、純水供給系
40から純水が洗浄槽20に供給される。続いて、循環
ポンプ53が駆動されることにより、洗浄槽20から溢
れた処理液は、循環管路51、処理液供給管26に設け
られた噴出孔(図示せず)を介して洗浄槽20の洗浄下
室21bに圧送される。洗浄下室21bの処理液は、多
孔板24の噴出孔24aを通って基板W側へ噴出され
る。
【0025】このとき、図3及び図4に示すように、多
孔板24の噴出孔24aは、基板Wの配列ピッチLpに
等しい間隔であって基板Wの間の中央位置に設けられて
いるので、噴出孔24aから噴出される処理液は、カセ
ットCのカセット開口Caを通じて基板Wの間に噴出さ
れて、基板Wの上部にまで流れ込む上昇流となる。こう
した上昇流は、基板Wの全面にわたる均一な流れである
から、基板Wに付着しているパーティクルの除去能力が
増加する。このため隣合う基板W間の汚染の転写がなく
なり、また、次回に処理する基板Wへの汚染の転写もな
い。
【0026】また、処理液は、強い上昇流となって基板
Wの間を通って洗浄槽20の上部にまで達した後にオー
バーフロー槽23へ排出されるから、洗浄後の廃液を効
率よく、オーバーフロー槽23へ排出することができ
る。よって、多数の基板Wを一括して順次処理する場合
において、次回に処理する基板Wに汚染が転写されるこ
ともない。
【0027】図5は他の実施例に係る洗浄槽20Bを示
す断面図である。図5に示すように、洗浄槽20Bは、
基板Wを収納するカセットを支持しない構造であり、そ
の洗浄室21B内に基板保持具25Bが架設されてい
る。基板保持具25Bは、基板Wを所定間隔の配列ピッ
チLp(図6参照)で保持するように保持溝(図示省
略)を有している。また、洗浄槽20Bの槽本体22B
の下側両側には、基板Wに対して平行にノズル管26B
が配設されている。ノズル管26Bの基板W側には、図
6及び図7に示すように、多数の噴出孔26Baが洗浄
室21B内に向けて形成されている。噴出孔26Ba
は、基板Wの配列ピッチLpと同じ間隔で、基板Wの間
の中央位置に配置されている。処理液循環系からノズル
管26Bに処理液が圧送されると、噴出孔26Baから
噴出される処理液は、基板Wの間に噴出し、上記実施例
と同様に、均一に基板Wの洗浄を行なうことができる。
なお、上記実施例では、ノズル管26Bは洗浄槽20B
の下部に2本平行して配置したが、これに限らず、その
本数は特に限定されず、基板Wの洗浄処理の種類に応じ
て適宜設けることができる。
【0028】なお、この発明は上記実施例に限られるも
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々の
態様において実施することが可能であり、例えば次のよ
うな変形も可能である。
【0029】(1) 処理液を噴出する手段は、図4の
多孔板24と図7のノズル管26Bを並設して、その洗
浄効果を一層高めてもよい。
【0030】(2) 噴出孔は、図7に示すようなノズ
ル管に透孔として形成するほか、基板Wの間に突出した
ノズル形状に形成してもよい。この場合には、その処理
液を一層、基板の間に確実に噴出させることができる。
【0031】(3) 噴出孔は、基板の間に配設される
のであれば、その数は特に限定されず、例えば基板の間
でかつ、基板の配列方向Dに対して2以上設けてもよ
い。さらに、基板Wの下方から噴出する場合のほか、側
部またはその上方であってもよく、いずれにしても、基
板Wの間に噴出できればよい。
【0032】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の請求項1
の基板処理装置によれば、洗浄槽内に収納された複数の
基板の間に噴出孔が配置され、該噴出孔から処理液が基
板の間に噴出され、その間において層流状態で流動する
から、基板に付着したパーティクル除去能力が高い。ま
た、処理液は、基板間の上部にまで速やかに流れるか
ら、洗浄後の処理液を効率よく洗浄槽外へ排出すること
ができ、次回に処理する基板への汚染の転写がなくな
る。
【0033】請求項2及び請求項3の発明によれば、噴
出孔の設置を好適に実現したものであり、請求項2では
洗浄板に格子状に形成した噴出孔から処理液が噴出され
るので、全ての基板が均一かつ効率よく洗浄され、ま
た、請求項3では、洗浄水噴出管体を通じて噴出孔から
噴出されるので、液圧が低減することなく、処理液を基
板の間に強く噴出させることができる。
【0034】請求項4は、基板を洗浄槽内に収納する態
様のうち、基板をカセットに保持したまま洗浄すること
ができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例に係る基板処理装置を示す概
略構成図。
【図2】同実施例に係る洗浄槽を示す断面図。
【図3】同実施例に係る基板の洗浄処理を説明する説明
図。
【図4】同実施例に係る多孔板を示す平面図。
【図5】他の実施例に係る洗浄槽を示す断面図。
【図6】他の実施例に係る基板の洗浄処理を説明する説
明図。
【図7】他の実施例に係る洗浄処理を説明する説明図。
【図8】従来の基板処理装置を示す断面図。
【図9】従来の多孔板を説明する説明図。
【図10】従来の他の多孔板を説明する説明図。
【符号の説明】
10…基板処理装置 20…洗浄槽 20B…洗浄槽 21…洗浄室 21B…洗浄室 21a…洗浄上室 21b…洗浄下室 22…槽本体 22B…槽本体 23…オーバーフロー槽 24…多孔板 24a…噴出孔 25…カセット支持部 25B…基板保持具 26…処理液供給管 26B…ノズル管 26Ba…噴出孔 30…薬液供給系 30a…第1薬液供給部 30b…第2薬液供給部 32a…第1薬液供給源 32b…第2薬液供給源 33a…薬液配管 34a…薬液計量槽 34b…薬液計量槽 35a…開閉弁 36a…薬液配管 37a…薬液供給ポンプ 38a…開閉弁 39a…バイパス管 40…純水供給系 50…処理液循環系 51…循環管路 52…開閉弁 53…循環ポンプ 54…循環ヒータ 55…開閉弁 56…循環フィルタ 57…開閉弁 58…開閉弁

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 複数の基板を平行に配列した状態で収納
    する洗浄槽と、洗浄槽内の基板に向けて処理液を噴出す
    る処理液供給手段とを備えた基板処理装置において、 上記処理液供給手段は、 上記洗浄槽内に収納した基板の配列ピッチに等しい間隔
    であって互いに隣接する基板の間のほぼ中央位置に配列
    した複数の噴出孔と、 上記噴出孔から処理液を噴出させるように処理液を圧送
    する処理液圧送部と、 を備えたことを特徴とする基板処理装置。
  2. 【請求項2】 洗浄槽内の下部に設けた洗浄板を備え、 噴出孔は、上記洗浄板に形成されている請求項1に記載
    の基板処理装置。
  3. 【請求項3】 処理液圧送部の処理液が圧送される洗浄
    水噴出管体を備え、該洗浄水噴出管体に噴出孔を形成し
    た請求項1に記載の基板処理装置。
  4. 【請求項4】 複数の基板を所定の配列ピッチで収納す
    るカセットを用いて、該カセットを保持するカセット保
    持部を洗浄槽内に設けた請求項1ないし請求項3のいず
    れかに記載の基板処理装置。
JP17012194A 1994-06-28 1994-06-28 基板処理装置 Pending JPH0817782A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP17012194A JPH0817782A (ja) 1994-06-28 1994-06-28 基板処理装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP17012194A JPH0817782A (ja) 1994-06-28 1994-06-28 基板処理装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH0817782A true JPH0817782A (ja) 1996-01-19

Family

ID=15899036

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP17012194A Pending JPH0817782A (ja) 1994-06-28 1994-06-28 基板処理装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH0817782A (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012015490A (ja) * 2010-05-31 2012-01-19 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置、基板処理方法、およびこの基板処理方法を実行するためのコンピュータプログラムが記録された記録媒体
KR20150146397A (ko) * 2014-06-23 2015-12-31 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 기판 액 처리 장치 및 기판 액 처리 방법
WO2019181067A1 (ja) * 2018-03-19 2019-09-26 株式会社Screenホールディングス 基板処理装置

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012015490A (ja) * 2010-05-31 2012-01-19 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置、基板処理方法、およびこの基板処理方法を実行するためのコンピュータプログラムが記録された記録媒体
US9027573B2 (en) 2010-05-31 2015-05-12 Tokyo Electron Limited Substrate processing apparatus for maintaining a more uniform temperature during substrate processing
TWI490936B (zh) * 2010-05-31 2015-07-01 Tokyo Electron Ltd A substrate processing apparatus, a substrate processing method, and a recording medium on which a computer program for carrying out the substrate processing method is recorded
KR20150146397A (ko) * 2014-06-23 2015-12-31 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 기판 액 처리 장치 및 기판 액 처리 방법
WO2019181067A1 (ja) * 2018-03-19 2019-09-26 株式会社Screenホールディングス 基板処理装置

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100226548B1 (ko) 웨이퍼 습식 처리 장치
US6532976B1 (en) Semiconductor wafer cleaning apparatus
KR101055465B1 (ko) 기판 처리법 및 기판 처리 장치
JPH07273077A (ja) ウエーハのリンス方法及びリンス装置
KR100202191B1 (ko) 반도체 웨이퍼 습식 처리장치
JPH0817782A (ja) 基板処理装置
JP2006013015A (ja) 洗浄装置及び洗浄方法
JPH11111663A (ja) 薬液処理装置および薬液処理方法
JPH09186126A (ja) 半導体ウエーハの洗浄装置
JP2000173962A (ja) ウエハ洗浄装置及び洗浄方法
JPH1154466A (ja) 半導体ウエハー等の表面処理方法
JP2528111Y2 (ja) ウエハ保持ホルダ
JP2001104897A (ja) 超音波洗浄装置及び洗浄方法
KR0161865B1 (ko) 제트노즐을 이용한 반도체웨이퍼 세정장치
JP3639154B2 (ja) バッチ式処理槽
JPH11319736A (ja) 基板処理方法及びその装置
JP2007105626A (ja) 基板処理装置
KR20080005942U (ko) 기판 세정용 이류체 공급모듈 및 이를 이용한 세정장치
KR20000024808A (ko) Tft lcd용 글라스의 자동 에칭 장치 및 에칭방법
JP3017979B1 (ja) 高周波洗浄装置
JP3247322B2 (ja) 洗浄装置
KR100593672B1 (ko) 웨이퍼 세척 장치
JPH06204198A (ja) 半導体基板の洗浄装置
JPH11290801A (ja) 洗浄槽
JPH0831789A (ja) 基板の表面処理装置