JPH11111663A - 薬液処理装置および薬液処理方法 - Google Patents

薬液処理装置および薬液処理方法

Info

Publication number
JPH11111663A
JPH11111663A JP9265275A JP26527597A JPH11111663A JP H11111663 A JPH11111663 A JP H11111663A JP 9265275 A JP9265275 A JP 9265275A JP 26527597 A JP26527597 A JP 26527597A JP H11111663 A JPH11111663 A JP H11111663A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
chemical
processing
discharge
wafer
chemical solution
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP9265275A
Other languages
English (en)
Other versions
JP3932618B2 (ja
Inventor
Isato Iwamoto
勇人 岩元
Kiyoshi Kurosawa
清志 黒沢
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sony Corp
Original Assignee
Sony Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sony Corp filed Critical Sony Corp
Priority to JP26527597A priority Critical patent/JP3932618B2/ja
Priority to US09/158,572 priority patent/US6156153A/en
Priority to KR1019980040617A priority patent/KR100555857B1/ko
Publication of JPH11111663A publication Critical patent/JPH11111663A/ja
Priority to US09/694,980 priority patent/US6281137B1/en
Application granted granted Critical
Publication of JP3932618B2 publication Critical patent/JP3932618B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67063Apparatus for fluid treatment for etching
    • H01L21/67075Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching
    • H01L21/67086Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching with the semiconductor substrates being dipped in baths or vessels
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08CLEANING
    • B08BCLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B3/00Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B3/04Cleaning involving contact with liquid
    • B08B3/10Cleaning involving contact with liquid with additional treatment of the liquid or of the object being cleaned, e.g. by heat, by electricity or by vibration
    • B08B3/102Cleaning involving contact with liquid with additional treatment of the liquid or of the object being cleaned, e.g. by heat, by electricity or by vibration with means for agitating the liquid
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67057Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing with the semiconductor substrates being dipped in baths or vessels
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67063Apparatus for fluid treatment for etching
    • H01L21/67075Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching
    • H01L21/6708Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching using mainly spraying means, e.g. nozzles

Abstract

(57)【要約】 【課題】 処理層内にて淀み層を形成することなく効率
良く薬液を流せるようにし、ウエットエッチングの際の
エッチング均一性の向上や汚染物質の被処理ウエットへ
の再付着の抑制を図る。 【解決手段】 薬液40を満たす処理槽2と、処理槽1
内の底部2a側に設けられて吐出孔5から薬液40を吐
出する一対の吐出管4とを備えた薬液処理装置1におい
て、吐出孔5は、一対の吐出管4の内側でかつ上方に薬
液20を吐出する第1孔5aと、一対の吐出管4の内側
でかつ吐出管4の水平方向よりも斜め下方向に薬液を吐
出する第2孔5bと、吐出管4の略直下方向に薬液20
を吐出する第3孔5cとを有して構成されたものからな
る。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、薬液処理装置およ
び薬液処理方法に関し、詳細には半導体装置の製造の洗
浄処理工程やエッチング工程に用いられる薬液処理装置
および薬液処理方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】従来より、半導体装置の製造分野では、
各プロセスにおいて薬液を用いたウエハの処理が行われ
ている。例えば、半導体ウエハの作製プロセスにおい
て、ウエハの表面に付着している不要な物質(汚染物)
を除去するための洗浄処理や、ウエハに半導体素子を形
成するプロセスにおけるウエットエッチング等である。
半導体装置が微細化するにつれて、洗浄効果はもちろん
のこと、ウエットエッチングの均一性も格段の向上が望
まれている。
【0003】薬液処理方法の代表例としては、複数枚の
被処理ウエハを一度に薬液に浸漬させて処理するディッ
プ式処理が挙げられる。ディップ式処理方法を採用した
従来の薬液処理装置の概略を図5(イ)〜(ハ)に示
す。この薬液処理装置30は、ノズル式循環処理槽31
を備えたもので、処理槽31内の薬液40を同図(イ)
中矢印Aに示すように処理槽31からこの外周に設けら
れた外槽32へとオーバーフローさせ、薬液40ととも
に薬液40中の汚染物質を外槽32に排出する。そして
外槽32内の薬液40をポンプ33を介してフィルタ3
4に導き、そこで濾過して清浄化した後に再び処理槽3
1内に供給する。
【0004】このとき、処理層31内の薬液40に浸漬
させた被処理ウエハ50の表面に薬液40を効果的に接
触させるため、フィルタ34からの薬液40を処理槽3
1内の底部側に設けられたノズルである吐出管35に送
り、その表面に形成された小さな吐出孔36を介して処
理槽31内に供給している。
【0005】なお、ディップ式処理では、通常、複数枚
の被処理ウエハ50を、互いに略平行にかつ所定の間隔
で配列した状態で薬液40に浸漬させて処理を行う。こ
のため薬液処理装置30では、上記吐出管35として、
対向配置された一対のものが用いられる。そしてこれら
吐出管35の間でかつ吐出管35の上方に、複数枚の被
処理ウエハ50がその配列方向を吐出管35の長さ方向
と略平行にした状態で浸漬されるようになっている。ま
た各吐出管35の吐出孔36は、隣り合う被処理ウエハ
50の間でかつ被処理ウエハ50の略中心に向かう図5
(イ),(ロ)の矢印Bにて示す方向に薬液40が吐出
されるよう形成された孔のみで構成され、この吐出孔3
6が各吐出管35の長さ方向に沿って複数形成されてい
る。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】ところが、図5に示す
薬液処理装置30を用いた薬液処理では、吐出管35か
ら吐出される薬液40の全てが被処理ウエハ50の上部
側に向かって処理槽31から外槽32へとオーバーフロ
ーするのではなく、同図(イ)中矢印Gにて示すよう
に、一部は対流によって被処理ウエハ50の上部側から
吐出管35付近に戻ってしまう。この吐出管35付近に
戻った薬液40は、被処理ウエハ50から除去された各
種の汚染物質を含むもので、図5(ロ)中矢印Hにて示
すように処理槽31の底部31a付近で滞留し、これに
よって底部31a付近に汚い淀み層41が形成されてし
まう。このように処理槽31の底部31a付近で薬液4
0が滞留するのは、吐出管35付近、特に吐出管35よ
り下方である処理層31の底部31a付近にて薬液40
に流れを生じさせるものがないためである。
【0007】上記の淀み層41が形成されると、処理層
31内における薬液40の循環効率が悪くなる。その結
果、例えば薬液処理がウエットエッチング後の水洗処理
である場合には、除去すべきウエットエッチング剤が被
処理ウエハ50の表面に多くかつムラになって残存し、
被処理ウエハ面内におけるエッチング均一性が悪化する
という不具合が生じる。また薬液40の循環効率が悪く
なることにより、被処理ウエハ50の洗浄効果が低下
し、さらには薬液40中に取り込まれた汚染物が被処理
ウエハ50の表面に再付着するといった不都合も生じ
る。被処理ウエハ50が汚染された状態で半導体装置が
製造されると、半導体装置の電気的信頼性および製造歩
留りが著しく低下してしまうのである。
【0008】また、淀み層41を除去するためには頻繁
に処理槽31を洗浄したり、使用する薬液40の交換頻
度を上げる必要があるため、人手を要する、コストが上
がる、薬液処理装置30の稼働率の低下により製造歩留
りが低下する等の問題も生じる。
【0009】
【課題を解決するための手段】そこで、上記課題を解決
するために本発明に係る薬液処理装置は、処理槽内の底
部側に設けられた吐出管の吐出孔が、上方に薬液を吐出
する第1孔と、この第1孔とは異なる方向に薬液を吐出
する第2孔とを少なくとも有して構成されたものからな
っている。
【0010】この発明では、吐出管の吐出孔が上方に薬
液を吐出する第1孔と、この第1孔とは異なる方向に薬
液を吐出する第2孔とを有しているため、例えば処理層
内の吐出管より上方に被処理ウエハを配置して第1孔を
被処理ウエハの略中心に向けて薬液を吐出する孔とし、
第2孔を被処理ウエハの下方の処理槽の底部側に向けて
薬液を吐出する孔とすれば、処理層内に被処理ウエハの
略中心から上部側に向かう薬液の流れの他に、処理層の
底部側に向かう薬液の流れが形成される。よって、たと
え対流により薬液が被処理ウエハの上部側から吐出管の
付近に戻ってきても、処理層の底部側に向かう薬液の流
れによって処理層の底部側での滞留が防止されるため、
その底部側に淀み層が発生しない。したがって、処理槽
内を薬液が効率良く流れることになる。また淀み層が形
成されないため、処理槽を洗浄したり薬液を交換する作
業を頻繁に行わなくて済む。
【0011】また本発明に係る洗浄処理方法は、処理槽
内に薬液を満たし、この処理層内に被処理ウエハを浸漬
させつつ被処理ウエハの下方から薬液を吐出させて被処
理ウエハを処理する際に、被処理ウエハに向かう方向と
この方向とは異なる方向との少なくとも2方向に薬液を
吐出させることを特徴としている。
【0012】この方法では、被処理ウエハを処理する際
に、被処理ウエハに向かう方向とこの方向とは異なる方
向との少なくとも2方向に薬液を吐出させるため、被処
理ウエハに向かう方向とは異なる方向を、処理槽の底部
側に向けて薬液を吐出する方向とすれば、たとえ対流に
より薬液が被処理ウエハの上部側から薬液を吐出してい
る箇所付近に戻ってきても、その付近で滞留することな
く処理槽の底部側に向かう薬液の流れに乗って流れてい
く。したがって、処理層の底部側に淀み層を形成するこ
となく処理槽内を効率良く流れる薬液によって、被処理
ウエハが処理される。また淀み層が形成されないため、
処理槽を洗浄したり薬液を交換する作業を頻繁に行わな
くて済む。
【0013】
【発明の実施の形態】以下、本発明に係る薬液処理装置
および薬液処理方法の実施の形態を図面に基づいて説明
する。図1は本発明に係る薬液処理装置の第1実施形態
の説明図であり、(イ)は概略構成図、(ロ)は(イ)
の要部拡大図である。また図1(イ)では処理槽内に被
処理ウエハを浸漬させて処理している状態を示してい
る。
【0014】図1に示すようにこの薬液処理装置1は、
処理槽2から薬液40をオーバーフローさせつつ複数枚
の被処理ウエハ50を薬液40に浸漬させてその表面を
薬液処理するもので、上記処理槽2の他に、外槽3と、
吐出孔5を有する吐出管4と、供給部6とを備えて構成
されている。なお、本明細書中において薬液40とは、
半導体装置の製造の薬液処理工程で用いる薬液を意味す
ることとする。このような薬液としては、例えば、純
水、アンモニア過水、塩酸過水、硫酸過水、希フッ酸、
緩衝フッ酸、発煙硝酸、リン酸、有機溶剤等が挙げられ
る。
【0015】処理槽2は薬液40を満たすもので、例え
ば底部2aと底部2aの周縁から立ち上がった側壁部2
bとから平面視略矩形状に形成されている。また外槽3
は、処理槽2からオーバーフローした薬液40を受ける
ためのもので、処理槽2の上部側に処理槽2の外周に沿
って設けられている。
【0016】吐出管4は、吐出孔5から薬液40を吐出
するいわゆるノズル管であり、処理槽2の底部2a側に
設けられている。ここでは吐出管4は、従来と同様に処
理槽2内に対向配置された一対のものからなり、それぞ
れの吐出管4の一端部側に供給部6が接続されたものと
なっている。また、それぞれの吐出管4の吐出孔5は、
上方に薬液40を吐出する第1孔5aと、第1孔5aと
は異なる方向に薬液40を吐出する第2孔5bとを少な
くとも有して構成されたものからなる。
【0017】この薬液処理装置1を用いた薬液処理で
は、通常のディップ式薬液処理と同様に、薬液処理に際
して複数枚の被処理ウエハ50が、互いに略平行にかつ
所定の間隔で配列した状態でキャリアに収納され、キャ
リアごと薬液40に浸漬される。またその際、被処理ウ
エハ50の配列方向が吐出管4の長さ方向に略平行とな
り、かつ一対の吐出管4の上方に被処理ウエハ50が位
置するよう、これら吐出管4の間に浸漬させる。
【0018】したがって、第1実施形態において第1孔
5aは、一対の吐出管4の内側、つまり配置される被処
理ウエハ50側で、かつ吐出管4より上方に配置される
被処理ウエハ50の中心に向かう方向(以下、この方向
を第1方向Bと記す)に薬液40を吐出するように形成
された孔からなる。また第2孔5bは、一対の吐出管4
の内側でかつ吐出管4の水平方向(図1(ロ)中破線で
示す)よりも斜め下方(以下、この方向を第2方向Cと
記す)に形成された孔からなる。すなわち、第2方向C
は、被処理ウエハ50の下方で対向する吐出管4よりも
処理槽2の底部2a側に向かう方向となる。
【0019】さらに第1実施形態においてそれぞれの吐
出管4の吐出孔5は、各吐出管4の略直下方向(以下、
この方向を第3方向Dと記す)、つまり吐出管4の真下
から処理槽2の底部2aに向けて薬液40を吐出する第
3孔5bを有して構成されている。
【0020】上記第1孔5aは、被処理ウエハ50の
間、および被処理ウエハ50と処理槽2の側壁部2bと
の間にて、第1方向Bに薬液40を吐出させて被処理ウ
エハ50の表面を処理する薬液40の流れを形成するた
めのものである。よって、一度の薬液処理にて処理槽2
内に浸漬させる被処理ウエハ50の枚数よりも多い数、
吐出管4の長さ方向に沿って形成されている。ここで
は、各吐出管4に例えば50個の第1孔5aが形成され
ている。また各第1孔5aの直径は、良好な線流速を得
る上で、例えば1.0mm〜2.0mm程度であること
が好適である。
【0021】また第2孔5bは、被処理ウエハ50の下
方の処理槽2の底部2a付近に薬液40の流れを形成す
るためのものである。よって第2孔5bからの薬液40
の吐出方向である第2方向Cを、例えば吐出管4の水平
方向とこの水平方向よりも45度斜め下方向との範囲内
における所定の方向とすることが好適となっている。水
平方向よりも斜め下方向とするのは、複数枚の被処理ウ
エハ50を保持するキャリアが吐出管4の水平方向に配
置される場合があり、この場合に水平方向に薬液40を
吐出させると、薬液40がキャリアに当たって被処理ウ
エハ50の下方に薬液40の流れを形成できない恐れが
あるためである。またその斜め下方向を水平方向と45
度斜め下方向との範囲内とするのは、その範囲である
と、吐出管5の下方で滞留し易い箇所の略中心に向かう
よう薬液40を吐出できると考えられるためである。
【0022】また第2孔5bは、第1孔5aの数の1/
3以下の数、各吐出管4に形成されている。1/3以下
とするのは、第1孔5aの数の1/3を越えると、第2
孔5bから吐出された薬液40の流れが被処理ウエハ5
0の表面を処理する薬液40の流れに悪影響を与え、エ
ッチング均一性や洗浄処理効果等を低下させる恐れがあ
るためである。しかしながら前述したように、被処理ウ
エハ50の下方に薬液40の流れを形成するため、第2
孔5bは各吐出管4に少なくとも1個形成されているこ
とが必要である。この第1実施形態では、各吐出管4
に、第1孔5aの数の1/3以下の数である5個の第2
孔5bが形成されている。さらに第1孔5aと同様、第
2孔5bの直径は、良好な線流速を得る上で、例えば
1.0mm〜2.0mm程度であることが好適である。
【0023】上記第3孔5cは、各吐出管4の直下に薬
液40の流れを形成するためのもので、第1孔5aの数
の1/5以下の数、各吐出管4に形成されている。1/
5以下とするのは、第1孔5aの数の1/5を越える
と、第3孔5cから吐出された薬液40の流れが被処理
ウエハ50の表面を処理する薬液40の流れに悪影響を
与え、エッチング均一性や洗浄処理効果等を低下させる
恐れがあるためである。しかしながら、各吐出管4の直
下の処理槽2の底部2a付近に薬液40の流れを形成す
るため、第3孔5cは各吐出管4に少なくとも1個形成
されていることが必要である。この第1実施形態では、
各吐出管4に、第1孔5aの数の1/5以下の数である
5個の第3孔5cが形成されている。さらに第1孔5a
と同様、第3孔5cの直径は、良好な線流速を得る上
で、例えば1.0mm〜2.0mm程度であることが好
適である。
【0024】一方、供給部6は、処理槽2からオーバー
フローするように吐出管4に薬液40を供給するもの
で、薬液40を循環させるためのポンプ6aと、ポンプ
6aからの薬液40を濾過して汚染物質を取り除くため
のフィルタ6bとを備えて構成されている。そして、外
槽3とポンプ6aとが配管6cを介して接続され、フィ
ルタ6bと各吐出管4とが配管6dを介して接続されて
いる。
【0025】上記のごとく構成された薬液処理装置1で
は、吐出管4から薬液40が第1方向B、第2方向C、
第3方向Dヘと吐出しつつ、処理槽2内の薬液40が処
理槽2から外槽3へと矢印Aに示すようにオーバーフロ
ーする。そして外槽3から配管6cを介してポンプ6
a、フィルタ6bに順次に入り、そこで濾過されて清浄
化された後に配管6dを介して吐出管4に供給され、再
び吐出管4から処理槽2内に吐出する。
【0026】次に、このような薬液処理装置1を用いた
被処理ウエハ50の薬液処理方法に基づき、本発明に係
る薬液処理方法の第1実施形態を説明する。被処理ウエ
ハ50の表面を薬液処理する場合には、まず処理槽2内
に薬液40を満たす。そして、処理槽2から薬液40を
オーバーフローさせつつかつ吐出管4から薬液40を吐
出させつつ、キャリアに収納した複数枚の被処理ウエハ
50をキャリアごと処理槽2内に浸漬させて、各被処理
ウエハ50の表面を薬液処理する。
【0027】薬液40を吐出させる際には、吐出管4の
第1吐出孔5a、第2吐出孔5b、第3吐出孔5cから
薬液40を吐出させる。これによって、被処理ウエハ5
0の間、および被処理ウエハ50と処理槽2の側壁部2
bとの間にて第1方向Bへの薬液40の流れを形成する
とともに、被処理ウエハ50の下方に第2方向Cへの薬
液40の流れを形成し、かつ吐出管4の下方に第3方向
Dへの薬液40の流れを形成する。そして、所定時間が
経過した後は、キャリアを処理槽2から搬出し、被処理
ウエハ50を次工程の処理エリアに搬送する。
【0028】上記方法に用いる薬液処理装置1では、吐
出管4の吐出孔5として、従来と同様の第1方向Bに薬
液40を吐出する第1孔5aの他に、被処理ウエハ50
の下方に向かう第2方向Cに薬液40を吐出する第2孔
5bと、吐出管35の略直下方向に向かう第3方向Dに
薬液40を吐出する第3孔5cとを備えている。
【0029】このため、上記の薬液処理方法のように、
被処理ウエハ50の薬液処理に際して、これら第1吐出
孔5a、第2吐出孔5b、第3吐出孔5cから薬液40
を吐出させることにより、被処理ウエハ50間および被
処理ウエハ50と処理槽2の側壁2bとの間に薬液40
の流れを形成できる一方、被処理ウエハ50の下方の処
理槽2の底部2a付近と吐出管4の真下の処理槽2の底
部2a付近とに薬液40の流れを形成できる。なお、底
部2a付近に形成された薬液40の流れは、処理槽2の
底部2aや側壁部2bに当たって処理槽2の上部側に向
かう流れとなる。
【0030】よって、たとえ吐出管4から吐出された薬
液40の一部が対流によって被処理ウエハ50の上部側
から吐出管4付近に戻っても、処理槽2の底部2a付近
に形成された薬液40の流れに乗って流れることになる
ため、吐出管4付近に戻った薬液40が処理槽2の底部
2a側で滞留するのを防止できる。その結果、底部2a
側に淀み層が形成されるのを防ぐことができ、処理槽2
内にて薬液40を効率良く循環させることができる。
【0031】第1実施形態の薬液処理装置1によって、
被処理ウエハ50をウエットエッチング処理した結果を
図2に示す。この結果は、熱酸化膜の直径が8インチの
被処理ウエハ50表面の熱酸化膜を0.5重量%の希フ
ッ酸からなる薬液40を用いてウエットエッチングし、
次いで水洗処理を行い、最後にスピンドライヤーによっ
て乾燥したときのものである。また比較例として、図5
に示した従来の薬液処理装置30を用いて同様に被処理
ウエハ50を処理したときの結果も図2に示してある。
なお、従来の薬液処理装置30において、吐出孔36か
らの薬液40の吐出方向は、第1実施形態の薬液処理装
置1の第1吐出孔5aの第1方向Bと同様である。
【0032】図2に示すように、薬液処理装置1を用い
れば被処理ウエハ50面内におけるエッチング均一性
(3σ/平均値(Ave.))が従来の薬液処理装置3
0に比較して約1%以上も向上することが明らかであ
る。このことから、薬液処理装置1では、処理槽2内に
て薬液40が効率良く循環していることが知見される。
また、処理層2の底部2a側に淀み層が存在していない
ことも可視化実験で確認されている。
【0033】以上の結果からも明らかなように、薬液処
理装置1では処理槽2内にて淀み層を形成することなく
薬液40を効率良く循環させることができるため、被処
理ウエハ50の表面全体に十分な量の薬液40を供給で
き、結果として前述のごとく薬液処理がウエットエッチ
ングである場合に被処理ウエハ50面内におけるエッチ
ング均一性を向上できる効果が得られる。また薬液処理
が洗浄処理である場合に、被処理ウエハ50表面全体を
ムラなく十分に洗浄できる。さらに、薬液40中の汚染
物質が被処理ウエハ50の表面に再付着するのを大幅に
抑制することができる。
【0034】また淀み層が形成されないため、頻繁に処
理槽2を洗浄する作業が不要になってこの作業に要する
人手を削減できるとともに、使用する薬液40の延命化
も期待でき、さらには薬液40の延命化による薬液40
のコスト削減、薬液40のトータル使用量の低減による
環境への配慮も達成することできる。また処理層2の洗
浄作業や薬液40の交換を頻繁に行わなくて済むため、
薬液処理装置1の稼働率を向上できて製造歩留りの向上
を図ることができる。
【0035】前述した第1実施形態の薬液処理方法で
は、このような薬液処理装置1を用い、被処理ウエハ5
0の薬液処理に際して、被処理ウエハ50間および被処
理ウエハ50と処理槽2の側壁2bとの間に薬液40の
流れを形成する一方、被処理ウエハ50の下方の処理槽
2の底部2a付近と吐出管4の真下の処理槽2の底部2
a付近とに薬液40の流れを形成するため、処理槽2内
にて淀み層を形成することなく効率良く循環する薬液4
0によって被処理ウエハ50を処理できる。よって、上
記薬液処理装置1と同様の効果を得ることができる。
【0036】したがって、第1実施形態に係る薬液処理
装置1および薬液処理方法によれば、被処理ウエハ50
に対して安定した薬液処理効果を奏する薬液処理プロセ
スを実施できるため、被処理ウエハ50を用いて製造さ
れる半導体装置の電気的信頼性および製造歩留りの向上
を図ることができる。
【0037】次に、本発明に係る薬液処理装置の第2実
施形態を図3に示す要部平面図に基づいて説明する。な
お、図3において第1実施形態の薬液処理装置1と同一
の形成要素には同一の符号を付し、ここでの説明を省略
する。第2実施形態の薬液処理装置11において第1実
施形態の薬液処理装置1と相違するところは、一対の吐
出管4と供給部6との接続状態にある。すなわち、一対
の吐出管4には、それぞれの長さ方向の略中央位置に供
給部6の配管6d(図1参照)が接続されている。よっ
て、フィルタ6bで清浄化された薬液40は、配管6d
を介して図3中矢印Eで示すように各吐出管4の長さ方
向の略中央から各吐出管4内に供給されるようになって
いる。
【0038】前述したように図5に示した従来の薬液処
理装置30では、各吐出管35の一端部側から吐出管3
5内に薬液40が流入して供給されるようになっている
ため、吐出管35の吐出孔36から処理層2内に吐出さ
れる薬液40の吐出量は、流入圧力の高い吐出管35の
一端部側と他端部側とで異なっている。よって、吐出管
35の一端部側に配置された被処理ウエハ50と他端部
側に配置された被処理ウエハ50とでは薬液処理条件が
異なって、被処理ウエハ50間で薬液処理効果にばらつ
きが生じる。
【0039】これに対して、第2実施形態の薬液処理装
置11では、各吐出管4の長さ方向の略中央から吐出管
4に薬液40が流入する状態で供給されるので、薬液4
0の吐出管4への流入圧力が左右に分散される。その結
果、吐出管4の長さ方向に沿って形成された各第1吐出
孔36から処理層2内に吐出される薬液40の吐出量の
ばらつきが従来例に比較して緩和される。したがって、
薬液処理装置11を用いた薬液処理に際して、各吐出管
4の各第1吐出孔5a、第2吐出孔5b、第3吐出孔5
cから薬液40を吐出させつつ各吐出管4に薬液40を
供給することにより、被処理ウエハ50間の処理条件の
ばらつきを抑えつつ複数枚の被処理ウエハ50を処理で
きる。
【0040】よって、この実施形態の薬液処理装置11
によれば、第1実施形態の薬液処理装置1の効果ととも
に、被処理ウエハ50間での処理効果のばらつきの少な
いという効果を奏する薬液処理プロセスを実施すること
ができる。また、本発明に係る薬液処理方法の第2実施
形態は、薬液処理装置11を用いて各吐出管4の各第1
吐出孔5a、第2吐出孔5b、第3吐出孔5cから薬液
40を吐出させつつ吐出管4に薬液40を供給し、被処
理ウエハ50を薬液処理する方法であることから、第2
実施形態の薬液処理方法によっても薬液処理装置11と
同様の効果を得ることができる。
【0041】次に、本発明に係る薬液処理装置の第3実
施形態を図4に示す要部平面図に基づいて説明する。な
お、図4において第1実施形態の薬液処理装置1と同一
の形成要素には同一の符号を付し、ここでの説明を省略
する。第3実施形態の薬液処理装置21において第1実
施形態の薬液処理装置1と相違するところは、一対の供
給管4の形成状態と、この供給管4と供給部6との接続
状態とにある。
【0042】すなわち、一対の吐出管4は、これら吐出
管4の一端部同士および他端部同士がそれぞれ連結管7
で連結されている。そして、吐出管4の一端部同士を連
結する連結管7と他端部同士を連結する連結管7のいず
れか一方には、その長さ方向の略中央位置に供給部6の
配管6d(図1参照)が接続されている。よって、フィ
ルタ6bで清浄化された薬液40は、配管6dを介して
図4中矢印Fで示すように連結管7の長さ方向の略中央
から連結管7内に流入し、各吐出管4に供給されるよう
になっている。
【0043】このように構成された第3実施形態の薬液
処理装置21では、一対の吐出管4が連結管7で連結さ
れて環状体8が形成され、連結管7の長さ方向の略中央
から環状体8内に薬液40が流入されるようになってい
るため、環状体8内が薬液40で満たされている状態で
連結管7から薬液40を流入させると、薬液40の流入
圧力が一対の吐出管4の長さ方向のいずれの位置におい
ても同じように加わることになる。その結果、吐出管4
の長さ方向に沿って形成された各第1吐出孔36から処
理層2内に吐出される薬液40の吐出量のばらつきが最
小限に抑えられる。
【0044】よって、薬液処理装置21を用いた薬液処
理に際して、各吐出管4の各第1吐出孔5a、第2吐出
孔5b、第3吐出孔5cから薬液40を吐出させつつ連
結管7を介して吐出管4に薬液40を供給することによ
り、被処理ウエハ50間での薬液処理条件のばらつきを
大幅に抑制することが可能になる。したがって、この第
3実施形態の薬液処理装置21によれば、第1実施形態
の薬液処理装置1の効果とともに、被処理ウエハ50間
での処理効果のばらつきが最小限に抑えられて安定した
薬液処理プロセスを実施できるという優れた効果を得る
ことができる。
【0045】また、本発明に係る薬液処理方法の第3実
施形態は、薬液処理装置21を用いて各吐出管4の各第
1吐出孔5a、第2吐出孔5b、第3吐出孔5cから薬
液40を吐出させつつ連結管7を介して吐出管4に薬液
40を供給し、被処理ウエハ50を薬液処理する方法で
あることから、第3実施形態の薬液処理方法によっても
上記薬液処理装置21と同様の効果を得ることができ
る。
【0046】なお、本発明に係る薬液処理装置および薬
液処理方法は、上記第1〜第3実施形態に限られるもの
でない。例えば、吐出管の吐出孔を上方に薬液を吐出す
る第1孔と、第1孔とは異なる方向に薬液を吐出する第
2孔とを有して構成されるものとしてもよい。また被処
理ウエハを処理する際に、被処理ウエハの略中心に向か
う方向とこの方向とは異なる方向の2方向に薬液を吐出
させてもよい。また本発明の主旨に反しない限り、吐出
孔の数や吐出孔の直径等の条件を適宜変更可能であり、
また種々の薬液処理に適用できるのはもちろんである。
【0047】
【発明の効果】以上説明したように本発明に係る薬液処
理装置によれば、吐出管の吐出孔が上方に薬液を吐出す
る第1孔と、この第1孔とは異なる方向に薬液を吐出す
る第2孔とを有しているため、例えば処理層内の吐出管
より上方に被処理ウエハを配置して第2孔を被処理ウエ
ハの下方の処理槽の底部側に向けて薬液を吐出する孔と
すれば、処理層内の底部側に淀み層を形成することなく
薬液を効率良く流すことができる。よって、ウエットエ
ッチングの際のエッチング均一性を格段に向上できると
ともに、洗浄処理の際に被処理ウエハ表面全体をムラな
く十分に洗浄できる等の安定した薬液処理を実施でき
る。また、薬液中の汚染物質が被処理ウエハの表面に再
付着するのを大幅に抑制することができる。さらに、淀
み層が形成されないため、処理槽を洗浄したり薬液を交
換する作業に要する人手を削減できるとともに、使用す
る薬液の延命化も期待でき、さらには薬液の延命化によ
る薬液のコスト削減、薬液のトータル使用量の低減によ
る環境への配慮も達成することできる。
【0048】本発明に係る洗浄処理方法によれば、被処
理ウエハを処理する際に、被処理ウエハに向かう方向と
この方向とは異なる方向との少なくとも2方向に薬液を
吐出させるため、被処理ウエハに向かう方向とは異なる
方向を、処理槽の底部側に向けて薬液を吐出する方向と
すれば、処理層の底部側に淀み層を形成することなく処
理槽内を効率良く流れる薬液によって被処理ウエハを処
理できる。よって、上記発明の薬液処理装置と同様の効
果を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係る薬液処理装置の第1実施形態の説
明図であり、(イ)は概略構成図、(ロ)は(イ)の要
部拡大図である。
【図2】第1実施形態の薬液処理装置を用いてウエット
エッチングを行った際のエッチング均一性を調べた結果
を示す図である。
【図3】本発明に係る薬液処理装置の第2実施形態を示
す要部平面図である。
【図4】本発明に係る薬液処理装置の第3実施形態を示
す要部平面図である。
【図5】従来の薬液処理装置の説明図であり、(イ)は
概略構成図、(ロ)は(イ)の要部拡大図、(ハ)は要
部平面図である。
【符号の説明】
1,11,21…薬液処理装置、2…処理槽、2a…底
部、4…吐出管、5…吐出孔、5a…第1孔、5b…第
2孔、5c…第3孔、6…供給部、7…連結管、40…
薬液、50…被処理ウエハ、B…第1方向、C…第2方
向、D…第3方向

Claims (13)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 薬液を満たす処理槽と、該処理槽内の底
    部側に設けられて吐出孔から薬液を吐出する吐出管とを
    備えた薬液処理装置において、 前記吐出孔は、上方に薬液を吐出する第1孔と、該第1
    孔とは異なる方向に薬液を吐出する第2孔とを少なくと
    も有して構成されたものからなることを特徴とする薬液
    処理装置。
  2. 【請求項2】 前記吐出管は対向配置された一対のもの
    からなり、 前記一対の吐出管のそれぞれの吐出孔は、該一対の吐出
    管の内側でかつ上方に薬液を吐出する第1孔と、前記一
    対の吐出管の内側でかつ該吐出管の水平方向よりも斜め
    下方向に薬液を吐出する第2孔と、前記吐出管の略直下
    方向に薬液を吐出する第3孔とを有して構成されたもの
    からなることを特徴とする請求項1記載の薬液処理装
    置。
  3. 【請求項3】 前記第2孔が薬液を吐出する方向は、前
    記吐出管の水平方向とこの水平方向よりも45度斜め下
    方向との範囲内の所定の方向であることを特徴とする請
    求項2記載の薬液処理装置。
  4. 【請求項4】 前記処理層内に複数枚の被処理ウエハを
    浸漬させて処理する薬液処理装置であって、 前記第1孔は、一度の薬液処理にて前記処理槽内に浸漬
    させる被処理ウエハの枚数よりも多い数、前記吐出管の
    長さ方向に沿って形成されていることを特徴とする請求
    項2記載の薬液処理装置。
  5. 【請求項5】 前記第2孔は、前記第1孔の数の1/3
    以下の数、前記吐出管に形成されていることを特徴とす
    る請求項4記載の薬液処理装置。
  6. 【請求項6】 前記第3孔は、前記第1孔の数の1/5
    以下の数、前記吐出管に形成されていることを特徴とす
    る請求項4記載の薬液処理装置。
  7. 【請求項7】 前記一対の吐出管のそれぞれには、該吐
    出管の長さ方向に沿って前記第1孔が複数形成されてい
    るとともに、前記吐出管の長さ方向の略中央位置に薬液
    を供給する供給部が接続されていることを特徴とする請
    求項2記載の薬液処理装置。
  8. 【請求項8】 前記一対の吐出管は、これら吐出管の一
    端部同士および他端部同士がそれぞれ連結管で連結され
    てなり、 前記一端部同士を連結する連結管と前記他端部同士を連
    結する連結管とのいずれか一方には、この連結管の長さ
    方向の略中央位置に薬液を供給する供給部が接続されて
    いることを特徴とする請求項2記載の薬液処理装置。
  9. 【請求項9】 処理槽内に薬液を満たし、該処理層内に
    被処理ウエハを浸漬させつつ該被処理ウエハの下方から
    薬液を吐出させて被処理ウエハを処理する薬液処理方法
    において、 前記被処理ウエハを処理する際には、該被処理ウエハに
    向かう方向と該方向とは異なる方向との少なくとも2方
    向に薬液を吐出させることを特徴とする薬液処理方法。
  10. 【請求項10】 前記処理層には、該処理層の底部側に
    一対の吐出管が対向配置されたものを用い、この一対の
    吐出管の上方でかつこれら吐出管の間に被処理ウエハを
    浸漬させつつ前記一対の吐出管のそれぞれから薬液を吐
    出させて被処理ウエハを処理する薬液処理方法であっ
    て、 前記被処理ウエハを処理する際には、被処理ウエハの略
    中心に向かう第1方向と、該被処理ウエハ側でかつ前記
    吐出管の水平方向よりも斜め下方向に向かう第2方向
    と、前記吐出管の略直下方向に向かう第3方向とに薬液
    を吐出させることを特徴とする請求項9記載の薬液処理
    方法。
  11. 【請求項11】 前記第2方向は、前記吐出管の水平方
    向とこの水平方向よりも45度斜め下方向との範囲内の
    所定の方向であることを特徴とする請求項10記載の薬
    液処理方法。
  12. 【請求項12】 前記被処理ウエハを処理する際には、
    前記一対の吐出管のそれぞれの長さ方向の複数箇所にて
    前記第1方向に薬液を吐出させるとともに、前記一対の
    吐出管のそれぞれの長さ方向の略中央位置から該吐出管
    に薬液を供給することを特徴とする請求項10記載の薬
    液処理方法。
  13. 【請求項13】 前記処理層には、該処理層内の底部側
    に前記一対の吐出管が対向配置され、これら吐出管の一
    端部同士と他端部同士がそれぞれ連結管で連結されたも
    のを用い、 前記被処理ウエハを処理する際には、前記一対の吐出管
    のそれぞれの長さ方向の複数箇所にて前記第1方向に薬
    液を吐出させるとともに、前記一端部同士を連結する連
    結管と前記他端部同士を連結する連結管とのいずれか一
    方の長さ方向の略中央位置から薬液を供給することを特
    徴とする請求項10記載の薬液処理方法。
JP26527597A 1997-09-30 1997-09-30 薬液処理装置 Expired - Fee Related JP3932618B2 (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP26527597A JP3932618B2 (ja) 1997-09-30 1997-09-30 薬液処理装置
US09/158,572 US6156153A (en) 1997-09-30 1998-09-22 Chemical treatment apparatus and chemical treatment method
KR1019980040617A KR100555857B1 (ko) 1997-09-30 1998-09-29 약액처리장치 및 약액처리방법
US09/694,980 US6281137B1 (en) 1997-09-30 2000-10-24 Chemical treatment apparatus and chemical treatment method

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP26527597A JP3932618B2 (ja) 1997-09-30 1997-09-30 薬液処理装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH11111663A true JPH11111663A (ja) 1999-04-23
JP3932618B2 JP3932618B2 (ja) 2007-06-20

Family

ID=17414966

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP26527597A Expired - Fee Related JP3932618B2 (ja) 1997-09-30 1997-09-30 薬液処理装置

Country Status (3)

Country Link
US (2) US6156153A (ja)
JP (1) JP3932618B2 (ja)
KR (1) KR100555857B1 (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001189297A (ja) * 1999-12-28 2001-07-10 Nec Corp ウエハの洗浄方法及びウエハ洗浄装置
KR100710803B1 (ko) 2006-01-23 2007-04-23 삼성전자주식회사 기판 세정 장치

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3932618B2 (ja) * 1997-09-30 2007-06-20 ソニー株式会社 薬液処理装置
TW434668B (en) * 2000-01-27 2001-05-16 Ind Tech Res Inst Wafer rinse apparatus and rinse method of the same
KR20040041763A (ko) * 2002-11-11 2004-05-20 삼성전자주식회사 반도체 웨이퍼 세정시스템 및 그 방법
KR100706230B1 (ko) * 2004-03-04 2007-04-11 삼성전자주식회사 습식 세정 장치
DE102005015758A1 (de) * 2004-12-08 2006-06-14 Astec Halbleitertechnologie Gmbh Verfahren und Vorrichtung zum Ätzen von in einer Ätzlösung aufgenommenen Substraten
JP2009231579A (ja) * 2008-03-24 2009-10-08 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置及び基板処理方法
US9070631B2 (en) * 2013-03-14 2015-06-30 Mei Llc Metal liftoff tools and methods
CN111785623B (zh) * 2020-06-15 2022-11-04 上海华虹宏力半导体制造有限公司 湿法刻蚀方法

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5488964A (en) * 1991-05-08 1996-02-06 Tokyo Electron Limited Washing apparatus, and washing method
US5315793A (en) * 1991-10-01 1994-05-31 Hughes Aircraft Company System for precision cleaning by jet spray
JP3146841B2 (ja) * 1994-03-28 2001-03-19 信越半導体株式会社 ウエーハのリンス装置
US5922138A (en) * 1996-08-12 1999-07-13 Tokyo Electron Limited Liquid treatment method and apparatus
JP3839553B2 (ja) * 1997-06-05 2006-11-01 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理槽および基板処理装置
JP3932618B2 (ja) * 1997-09-30 2007-06-20 ソニー株式会社 薬液処理装置

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001189297A (ja) * 1999-12-28 2001-07-10 Nec Corp ウエハの洗浄方法及びウエハ洗浄装置
KR100710803B1 (ko) 2006-01-23 2007-04-23 삼성전자주식회사 기판 세정 장치

Also Published As

Publication number Publication date
US6281137B1 (en) 2001-08-28
KR19990030259A (ko) 1999-04-26
JP3932618B2 (ja) 2007-06-20
US6156153A (en) 2000-12-05
KR100555857B1 (ko) 2006-04-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH11111663A (ja) 薬液処理装置および薬液処理方法
KR19990003266A (ko) 반도체장치 제조용 습식 식각장치 및 습식 식각장치내의 식각액 순환방법
JP2008306104A (ja) ウェット処理装置及びウェット処理方法
JP2837725B2 (ja) 半導体ウェーハの液体処理装置
JPH11145105A (ja) 洗浄装置
KR100424913B1 (ko) 기판 세척 장치
JP2007105626A (ja) 基板処理装置
JPH08195372A (ja) 洗浄装置およびその方法
TWI648804B (zh) 清潔、沖洗並烘乾基板之處理及裝置
KR20070030542A (ko) 처리조의 기포 제거장치
JPH05267262A (ja) 半導体ウェーハ洗浄装置
KR0161865B1 (ko) 제트노즐을 이용한 반도체웨이퍼 세정장치
KR200181482Y1 (ko) 반도체 제조 장비
KR0179781B1 (ko) 반도체 웨이퍼 세정장치
JP4487626B2 (ja) 基板処理装置及びこの基板処理装置を用いた基板処理方法
JPH11319736A (ja) 基板処理方法及びその装置
KR200248000Y1 (ko) 웨이퍼 세정장치
KR20030037899A (ko) 반도체 제조용 공정조
JPH07106293A (ja) 基板処理装置
KR200177330Y1 (ko) 반도체 웨이퍼 세정장치(apparatus for cleansing semiconductor wafer)
JP3600747B2 (ja) 基板処理装置
KR20050063381A (ko) 반도체 웨이퍼 세정장치의 웨이퍼 가이드
KR20050061649A (ko) 셀프 클리닝 기능을 갖는 케미컬베쓰 및 그 셀프 클리닝방법
JPH10189524A (ja) 洗浄処理装置および洗浄処理方法
KR20200131507A (ko) 반도체 기판의 세정 장치 및 그를 이용한 반도체 기판의 세정 방법

Legal Events

Date Code Title Description
A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20050311

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20060509

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20060707

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20061205

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20070202

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20070227

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20070312

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100330

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110330

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120330

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130330

Year of fee payment: 6

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees