JP3932618B2 - 薬液処理装置 - Google Patents
薬液処理装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP3932618B2 JP3932618B2 JP26527597A JP26527597A JP3932618B2 JP 3932618 B2 JP3932618 B2 JP 3932618B2 JP 26527597 A JP26527597 A JP 26527597A JP 26527597 A JP26527597 A JP 26527597A JP 3932618 B2 JP3932618 B2 JP 3932618B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- chemical
- discharge
- hole
- discharge pipe
- processed
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 239000000126 substance Substances 0.000 title claims description 194
- 238000011282 treatment Methods 0.000 title claims description 50
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 claims description 102
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 101
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 83
- 238000012993 chemical processing Methods 0.000 claims description 58
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 32
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims description 14
- 239000003814 drug Substances 0.000 claims 4
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 65
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 17
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 17
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 9
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 8
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 8
- 238000010129 solution processing Methods 0.000 description 8
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 8
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 239000008155 medical solution Substances 0.000 description 6
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 4
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 2
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 2
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 1
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- JRKICGRDRMAZLK-UHFFFAOYSA-L peroxydisulfate Chemical compound [O-]S(=O)(=O)OOS([O-])(=O)=O JRKICGRDRMAZLK-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
- 238000012800 visualization Methods 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
- H01L21/67075—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching
- H01L21/67086—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching with the semiconductor substrates being dipped in baths or vessels
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B08—CLEANING
- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
- B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
- B08B3/04—Cleaning involving contact with liquid
- B08B3/10—Cleaning involving contact with liquid with additional treatment of the liquid or of the object being cleaned, e.g. by heat, by electricity or by vibration
- B08B3/102—Cleaning involving contact with liquid with additional treatment of the liquid or of the object being cleaned, e.g. by heat, by electricity or by vibration with means for agitating the liquid
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
- H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
- H01L21/67057—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing with the semiconductor substrates being dipped in baths or vessels
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
- H01L21/67075—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching
- H01L21/6708—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching using mainly spraying means, e.g. nozzles
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Weting (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、薬液処理装置および薬液処理方法に関し、詳細には半導体装置の製造の洗浄処理工程やエッチング工程に用いられる薬液処理装置および薬液処理方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来より、半導体装置の製造分野では、各プロセスにおいて薬液を用いたウエハの処理が行われている。例えば、半導体ウエハの作製プロセスにおいて、ウエハの表面に付着している不要な物質（汚染物）を除去するための洗浄処理や、ウエハに半導体素子を形成するプロセスにおけるウエットエッチング等である。半導体装置が微細化するにつれて、洗浄効果はもちろんのこと、ウエットエッチングの均一性も格段の向上が望まれている。
【０００３】
薬液処理方法の代表例としては、複数枚の被処理ウエハを一度に薬液に浸漬させて処理するディップ式処理が挙げられる。ディップ式処理方法を採用した従来の薬液処理装置の概略を図５（イ）〜（ハ）に示す。この薬液処理装置３０は、ノズル式循環処理槽３１を備えたもので、処理槽３１内の薬液４０を同図（イ）中矢印Ａに示すように処理槽３１からこの外周に設けられた外槽３２へとオーバーフローさせ、薬液４０とともに薬液４０中の汚染物質を外槽３２に排出する。そして外槽３２内の薬液４０をポンプ３３を介してフィルタ３４に導き、そこで濾過して清浄化した後に再び処理槽３１内に供給する。
【０００４】
このとき、処理層３１内の薬液４０に浸漬させた被処理ウエハ５０の表面に薬液４０を効果的に接触させるため、フィルタ３４からの薬液４０を処理槽３１内の底部側に設けられたノズルである吐出管３５に送り、その表面に形成された小さな吐出孔３６を介して処理槽３１内に供給している。
【０００５】
なお、ディップ式処理では、通常、複数枚の被処理ウエハ５０を、互いに略平行にかつ所定の間隔で配列した状態で薬液４０に浸漬させて処理を行う。このため薬液処理装置３０では、上記吐出管３５として、対向配置された一対のものが用いられる。そしてこれら吐出管３５の間でかつ吐出管３５の上方に、複数枚の被処理ウエハ５０がその配列方向を吐出管３５の長さ方向と略平行にした状態で浸漬されるようになっている。また各吐出管３５の吐出孔３６は、隣り合う被処理ウエハ５０の間でかつ被処理ウエハ５０の略中心に向かう図５（イ），（ロ）の矢印Ｂにて示す方向に薬液４０が吐出されるよう形成された孔のみで構成され、この吐出孔３６が各吐出管３５の長さ方向に沿って複数形成されている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
ところが、図５に示す薬液処理装置３０を用いた薬液処理では、吐出管３５から吐出される薬液４０の全てが被処理ウエハ５０の上部側に向かって処理槽３１から外槽３２へとオーバーフローするのではなく、同図（イ）中矢印Ｇにて示すように、一部は対流によって被処理ウエハ５０の上部側から吐出管３５付近に戻ってしまう。この吐出管３５付近に戻った薬液４０は、被処理ウエハ５０から除去された各種の汚染物質を含むもので、図５（ロ）中矢印Ｈにて示すように処理槽３１の底部３１ａ付近で滞留し、これによって底部３１ａ付近に汚い淀み層４１が形成されてしまう。このように処理槽３１の底部３１ａ付近で薬液４０が滞留するのは、吐出管３５付近、特に吐出管３５より下方である処理層３１の底部３１ａ付近にて薬液４０に流れを生じさせるものがないためである。
【０００７】
上記の淀み層４１が形成されると、処理層３１内における薬液４０の循環効率が悪くなる。その結果、例えば薬液処理がウエットエッチング後の水洗処理である場合には、除去すべきウエットエッチング剤が被処理ウエハ５０の表面に多くかつムラになって残存し、被処理ウエハ面内におけるエッチング均一性が悪化するという不具合が生じる。また薬液４０の循環効率が悪くなることにより、被処理ウエハ５０の洗浄効果が低下し、さらには薬液４０中に取り込まれた汚染物が被処理ウエハ５０の表面に再付着するといった不都合も生じる。被処理ウエハ５０が汚染された状態で半導体装置が製造されると、半導体装置の電気的信頼性および製造歩留りが著しく低下してしまうのである。
【０００８】
また、淀み層４１を除去するためには頻繁に処理槽３１を洗浄したり、使用する薬液４０の交換頻度を上げる必要があるため、人手を要する、コストが上がる、薬液処理装置３０の稼働率の低下により製造歩留りが低下する等の問題も生じる。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
そこで、上記課題を解決するために本発明に係る薬液処理装置は、処理槽内の底部側に設けられた吐出管の吐出孔が、上方に薬液を吐出する第１孔と、この第１孔とは異なる方向に薬液を吐出する第２孔とを少なくとも有して構成されたものからなっている。
【００１０】
この発明では、吐出管の吐出孔が上方に薬液を吐出する第１孔と、この第１孔とは異なる方向に薬液を吐出する第２孔とを有しているため、例えば処理層内の吐出管より上方に被処理ウエハを配置して第１孔を被処理ウエハの略中心に向けて薬液を吐出する孔とし、第２孔を被処理ウエハの下方の処理槽の底部側に向けて薬液を吐出する孔とすれば、処理層内に被処理ウエハの略中心から上部側に向かう薬液の流れの他に、処理層の底部側に向かう薬液の流れが形成される。よって、たとえ対流により薬液が被処理ウエハの上部側から吐出管の付近に戻ってきても、処理層の底部側に向かう薬液の流れによって処理層の底部側での滞留が防止されるため、その底部側に淀み層が発生しない。したがって、処理槽内を薬液が効率良く流れることになる。また淀み層が形成されないため、処理槽を洗浄したり薬液を交換する作業を頻繁に行わなくて済む。
【００１１】
また本発明に係る洗浄処理方法は、処理槽内に薬液を満たし、この処理層内に被処理ウエハを浸漬させつつ被処理ウエハの下方から薬液を吐出させて被処理ウエハを処理する際に、被処理ウエハに向かう方向とこの方向とは異なる方向との少なくとも２方向に薬液を吐出させることを特徴としている。
【００１２】
この方法では、被処理ウエハを処理する際に、被処理ウエハに向かう方向とこの方向とは異なる方向との少なくとも２方向に薬液を吐出させるため、被処理ウエハに向かう方向とは異なる方向を、処理槽の底部側に向けて薬液を吐出する方向とすれば、たとえ対流により薬液が被処理ウエハの上部側から薬液を吐出している箇所付近に戻ってきても、その付近で滞留することなく処理槽の底部側に向かう薬液の流れに乗って流れていく。したがって、処理層の底部側に淀み層を形成することなく処理槽内を効率良く流れる薬液によって、被処理ウエハが処理される。また淀み層が形成されないため、処理槽を洗浄したり薬液を交換する作業を頻繁に行わなくて済む。
【００１３】
【発明の実施の形態】
以下、本発明に係る薬液処理装置および薬液処理方法の実施の形態を図面に基づいて説明する。図１は本発明に係る薬液処理装置の第１実施形態の説明図であり、（イ）は概略構成図、（ロ）は（イ）の要部拡大図である。また図１（イ）では処理槽内に被処理ウエハを浸漬させて処理している状態を示している。
【００１４】
図１に示すようにこの薬液処理装置１は、処理槽２から薬液４０をオーバーフローさせつつ複数枚の被処理ウエハ５０を薬液４０に浸漬させてその表面を薬液処理するもので、上記処理槽２の他に、外槽３と、吐出孔５を有する吐出管４と、供給部６とを備えて構成されている。なお、本明細書中において薬液４０とは、半導体装置の製造の薬液処理工程で用いる薬液を意味することとする。このような薬液としては、例えば、純水、アンモニア過水、塩酸過水、硫酸過水、希フッ酸、緩衝フッ酸、発煙硝酸、リン酸、有機溶剤等が挙げられる。
【００１５】
処理槽２は薬液４０を満たすもので、例えば底部２ａと底部２ａの周縁から立ち上がった側壁部２ｂとから平面視略矩形状に形成されている。また外槽３は、処理槽２からオーバーフローした薬液４０を受けるためのもので、処理槽２の上部側に処理槽２の外周に沿って設けられている。
【００１６】
吐出管４は、吐出孔５から薬液４０を吐出するいわゆるノズル管であり、処理槽２の底部２ａ側に設けられている。ここでは吐出管４は、従来と同様に処理槽２内に対向配置された一対のものからなり、それぞれの吐出管４の一端部側に供給部６が接続されたものとなっている。また、それぞれの吐出管４の吐出孔５は、上方に薬液４０を吐出する第１孔５ａと、第１孔５ａとは異なる方向に薬液４０を吐出する第２孔５ｂとを少なくとも有して構成されたものからなる。
【００１７】
この薬液処理装置１を用いた薬液処理では、通常のディップ式薬液処理と同様に、薬液処理に際して複数枚の被処理ウエハ５０が、互いに略平行にかつ所定の間隔で配列した状態でキャリアに収納され、キャリアごと薬液４０に浸漬される。またその際、被処理ウエハ５０の配列方向が吐出管４の長さ方向に略平行となり、かつ一対の吐出管４の上方に被処理ウエハ５０が位置するよう、これら吐出管４の間に浸漬させる。
【００１８】
したがって、第１実施形態において第１孔５ａは、一対の吐出管４の内側、つまり配置される被処理ウエハ５０側で、かつ吐出管４より上方に配置される被処理ウエハ５０の中心に向かう方向（以下、この方向を第１方向Ｂと記す）に薬液４０を吐出するように形成された孔からなる。また第２孔５ｂは、一対の吐出管４の内側でかつ吐出管４の水平方向（図１（ロ）中破線で示す）よりも斜め下方（以下、この方向を第２方向Ｃと記す）に形成された孔からなる。すなわち、第２方向Ｃは、被処理ウエハ５０の下方で対向する吐出管４よりも処理槽２の底部２ａ側に向かう方向となる。
【００１９】
さらに第１実施形態においてそれぞれの吐出管４の吐出孔５は、各吐出管４の略直下方向（以下、この方向を第３方向Ｄと記す）、つまり吐出管４の真下から処理槽２の底部２ａに向けて薬液４０を吐出する第３孔５ｂを有して構成されている。
【００２０】
上記第１孔５ａは、被処理ウエハ５０の間、および被処理ウエハ５０と処理槽２の側壁部２ｂとの間にて、第１方向Ｂに薬液４０を吐出させて被処理ウエハ５０の表面を処理する薬液４０の流れを形成するためのものである。よって、一度の薬液処理にて処理槽２内に浸漬させる被処理ウエハ５０の枚数よりも多い数、吐出管４の長さ方向に沿って形成されている。ここでは、各吐出管４に例えば５０個の第１孔５ａが形成されている。また各第１孔５ａの直径は、良好な線流速を得る上で、例えば１．０ｍｍ〜２．０ｍｍ程度であることが好適である。
【００２１】
また第２孔５ｂは、被処理ウエハ５０の下方の処理槽２の底部２ａ付近に薬液４０の流れを形成するためのものである。よって第２孔５ｂからの薬液４０の吐出方向である第２方向Ｃを、例えば吐出管４の水平方向とこの水平方向よりも４５度斜め下方向との範囲内における所定の方向とすることが好適となっている。水平方向よりも斜め下方向とするのは、複数枚の被処理ウエハ５０を保持するキャリアが吐出管４の水平方向に配置される場合があり、この場合に水平方向に薬液４０を吐出させると、薬液４０がキャリアに当たって被処理ウエハ５０の下方に薬液４０の流れを形成できない恐れがあるためである。またその斜め下方向を水平方向と４５度斜め下方向との範囲内とするのは、その範囲であると、吐出管５の下方で滞留し易い箇所の略中心に向かうよう薬液４０を吐出できると考えられるためである。
【００２２】
また第２孔５ｂは、第１孔５ａの数の１／３以下の数、各吐出管４に形成されている。１／３以下とするのは、第１孔５ａの数の１／３を越えると、第２孔５ｂから吐出された薬液４０の流れが被処理ウエハ５０の表面を処理する薬液４０の流れに悪影響を与え、エッチング均一性や洗浄処理効果等を低下させる恐れがあるためである。しかしながら前述したように、被処理ウエハ５０の下方に薬液４０の流れを形成するため、第２孔５ｂは各吐出管４に少なくとも１個形成されていることが必要である。この第１実施形態では、各吐出管４に、第１孔５ａの数の１／３以下の数である５個の第２孔５ｂが形成されている。さらに第１孔５ａと同様、第２孔５ｂの直径は、良好な線流速を得る上で、例えば１．０ｍｍ〜２．０ｍｍ程度であることが好適である。
【００２３】
上記第３孔５ｃは、各吐出管４の直下に薬液４０の流れを形成するためのもので、第１孔５ａの数の１／５以下の数、各吐出管４に形成されている。１／５以下とするのは、第１孔５ａの数の１／５を越えると、第３孔５ｃから吐出された薬液４０の流れが被処理ウエハ５０の表面を処理する薬液４０の流れに悪影響を与え、エッチング均一性や洗浄処理効果等を低下させる恐れがあるためである。しかしながら、各吐出管４の直下の処理槽２の底部２ａ付近に薬液４０の流れを形成するため、第３孔５ｃは各吐出管４に少なくとも１個形成されていることが必要である。この第１実施形態では、各吐出管４に、第１孔５ａの数の１／５以下の数である５個の第３孔５ｃが形成されている。さらに第１孔５ａと同様、第３孔５ｃの直径は、良好な線流速を得る上で、例えば１．０ｍｍ〜２．０ｍｍ程度であることが好適である。
【００２４】
一方、供給部６は、処理槽２からオーバーフローするように吐出管４に薬液４０を供給するもので、薬液４０を循環させるためのポンプ６ａと、ポンプ６ａからの薬液４０を濾過して汚染物質を取り除くためのフィルタ６ｂとを備えて構成されている。そして、外槽３とポンプ６ａとが配管６ｃを介して接続され、フィルタ６ｂと各吐出管４とが配管６ｄを介して接続されている。
【００２５】
上記のごとく構成された薬液処理装置１では、吐出管４から薬液４０が第１方向Ｂ、第２方向Ｃ、第３方向Ｄヘと吐出しつつ、処理槽２内の薬液４０が処理槽２から外槽３へと矢印Ａに示すようにオーバーフローする。そして外槽３から配管６ｃを介してポンプ６ａ、フィルタ６ｂに順次に入り、そこで濾過されて清浄化された後に配管６ｄを介して吐出管４に供給され、再び吐出管４から処理槽２内に吐出する。
【００２６】
次に、このような薬液処理装置１を用いた被処理ウエハ５０の薬液処理方法に基づき、本発明に係る薬液処理方法の第１実施形態を説明する。
被処理ウエハ５０の表面を薬液処理する場合には、まず処理槽２内に薬液４０を満たす。そして、処理槽２から薬液４０をオーバーフローさせつつかつ吐出管４から薬液４０を吐出させつつ、キャリアに収納した複数枚の被処理ウエハ５０をキャリアごと処理槽２内に浸漬させて、各被処理ウエハ５０の表面を薬液処理する。
【００２７】
薬液４０を吐出させる際には、吐出管４の第１吐出孔５ａ、第２吐出孔５ｂ、第３吐出孔５ｃから薬液４０を吐出させる。これによって、被処理ウエハ５０の間、および被処理ウエハ５０と処理槽２の側壁部２ｂとの間にて第１方向Ｂへの薬液４０の流れを形成するとともに、被処理ウエハ５０の下方に第２方向Ｃへの薬液４０の流れを形成し、かつ吐出管４の下方に第３方向Ｄへの薬液４０の流れを形成する。そして、所定時間が経過した後は、キャリアを処理槽２から搬出し、被処理ウエハ５０を次工程の処理エリアに搬送する。
【００２８】
上記方法に用いる薬液処理装置１では、吐出管４の吐出孔５として、従来と同様の第１方向Ｂに薬液４０を吐出する第１孔５ａの他に、被処理ウエハ５０の下方に向かう第２方向Ｃに薬液４０を吐出する第２孔５ｂと、吐出管３５の略直下方向に向かう第３方向Ｄに薬液４０を吐出する第３孔５ｃとを備えている。
【００２９】
このため、上記の薬液処理方法のように、被処理ウエハ５０の薬液処理に際して、これら第１吐出孔５ａ、第２吐出孔５ｂ、第３吐出孔５ｃから薬液４０を吐出させることにより、被処理ウエハ５０間および被処理ウエハ５０と処理槽２の側壁２ｂとの間に薬液４０の流れを形成できる一方、被処理ウエハ５０の下方の処理槽２の底部２ａ付近と吐出管４の真下の処理槽２の底部２ａ付近とに薬液４０の流れを形成できる。なお、底部２ａ付近に形成された薬液４０の流れは、処理槽２の底部２ａや側壁部２ｂに当たって処理槽２の上部側に向かう流れとなる。
【００３０】
よって、たとえ吐出管４から吐出された薬液４０の一部が対流によって被処理ウエハ５０の上部側から吐出管４付近に戻っても、処理槽２の底部２ａ付近に形成された薬液４０の流れに乗って流れることになるため、吐出管４付近に戻った薬液４０が処理槽２の底部２ａ側で滞留するのを防止できる。その結果、底部２ａ側に淀み層が形成されるのを防ぐことができ、処理槽２内にて薬液４０を効率良く循環させることができる。
【００３１】
第１実施形態の薬液処理装置１によって、被処理ウエハ５０をウエットエッチング処理した結果を図２に示す。この結果は、熱酸化膜の直径が８インチの被処理ウエハ５０表面の熱酸化膜を０．５重量％の希フッ酸からなる薬液４０を用いてウエットエッチングし、次いで水洗処理を行い、最後にスピンドライヤーによって乾燥したときのものである。また比較例として、図５に示した従来の薬液処理装置３０を用いて同様に被処理ウエハ５０を処理したときの結果も図２に示してある。なお、従来の薬液処理装置３０において、吐出孔３６からの薬液４０の吐出方向は、第１実施形態の薬液処理装置１の第１吐出孔５ａの第１方向Ｂと同様である。
【００３２】
図２に示すように、薬液処理装置１を用いれば被処理ウエハ５０面内におけるエッチング均一性（３σ／平均値（Ａｖｅ．））が従来の薬液処理装置３０に比較して約１％以上も向上することが明らかである。このことから、薬液処理装置１では、処理槽２内にて薬液４０が効率良く循環していることが知見される。また、処理層２の底部２ａ側に淀み層が存在していないことも可視化実験で確認されている。
【００３３】
以上の結果からも明らかなように、薬液処理装置１では処理槽２内にて淀み層を形成することなく薬液４０を効率良く循環させることができるため、被処理ウエハ５０の表面全体に十分な量の薬液４０を供給でき、結果として前述のごとく薬液処理がウエットエッチングである場合に被処理ウエハ５０面内におけるエッチング均一性を向上できる効果が得られる。また薬液処理が洗浄処理である場合に、被処理ウエハ５０表面全体をムラなく十分に洗浄できる。さらに、薬液４０中の汚染物質が被処理ウエハ５０の表面に再付着するのを大幅に抑制することができる。
【００３４】
また淀み層が形成されないため、頻繁に処理槽２を洗浄する作業が不要になってこの作業に要する人手を削減できるとともに、使用する薬液４０の延命化も期待でき、さらには薬液４０の延命化による薬液４０のコスト削減、薬液４０のトータル使用量の低減による環境への配慮も達成することできる。また処理層２の洗浄作業や薬液４０の交換を頻繁に行わなくて済むため、薬液処理装置１の稼働率を向上できて製造歩留りの向上を図ることができる。
【００３５】
前述した第１実施形態の薬液処理方法では、このような薬液処理装置１を用い、被処理ウエハ５０の薬液処理に際して、被処理ウエハ５０間および被処理ウエハ５０と処理槽２の側壁２ｂとの間に薬液４０の流れを形成する一方、被処理ウエハ５０の下方の処理槽２の底部２ａ付近と吐出管４の真下の処理槽２の底部２ａ付近とに薬液４０の流れを形成するため、処理槽２内にて淀み層を形成することなく効率良く循環する薬液４０によって被処理ウエハ５０を処理できる。よって、上記薬液処理装置１と同様の効果を得ることができる。
【００３６】
したがって、第１実施形態に係る薬液処理装置１および薬液処理方法によれば、被処理ウエハ５０に対して安定した薬液処理効果を奏する薬液処理プロセスを実施できるため、被処理ウエハ５０を用いて製造される半導体装置の電気的信頼性および製造歩留りの向上を図ることができる。
【００３７】
次に、本発明に係る薬液処理装置の第２実施形態を図３に示す要部平面図に基づいて説明する。なお、図３において第１実施形態の薬液処理装置１と同一の形成要素には同一の符号を付し、ここでの説明を省略する。
第２実施形態の薬液処理装置１１において第１実施形態の薬液処理装置１と相違するところは、一対の吐出管４と供給部６との接続状態にある。すなわち、一対の吐出管４には、それぞれの長さ方向の略中央位置に供給部６の配管６ｄ（図１参照）が接続されている。よって、フィルタ６ｂで清浄化された薬液４０は、配管６ｄを介して図３中矢印Ｅで示すように各吐出管４の長さ方向の略中央から各吐出管４内に供給されるようになっている。
【００３８】
前述したように図５に示した従来の薬液処理装置３０では、各吐出管３５の一端部側から吐出管３５内に薬液４０が流入して供給されるようになっているため、吐出管３５の吐出孔３６から処理層２内に吐出される薬液４０の吐出量は、流入圧力の高い吐出管３５の一端部側と他端部側とで異なっている。よって、吐出管３５の一端部側に配置された被処理ウエハ５０と他端部側に配置された被処理ウエハ５０とでは薬液処理条件が異なって、被処理ウエハ５０間で薬液処理効果にばらつきが生じる。
【００３９】
これに対して、第２実施形態の薬液処理装置１１では、各吐出管４の長さ方向の略中央から吐出管４に薬液４０が流入する状態で供給されるので、薬液４０の吐出管４への流入圧力が左右に分散される。その結果、吐出管４の長さ方向に沿って形成された各第１吐出孔３６から処理層２内に吐出される薬液４０の吐出量のばらつきが従来例に比較して緩和される。したがって、薬液処理装置１１を用いた薬液処理に際して、各吐出管４の各第１吐出孔５ａ、第２吐出孔５ｂ、第３吐出孔５ｃから薬液４０を吐出させつつ各吐出管４に薬液４０を供給することにより、被処理ウエハ５０間の処理条件のばらつきを抑えつつ複数枚の被処理ウエハ５０を処理できる。
【００４０】
よって、この実施形態の薬液処理装置１１によれば、第１実施形態の薬液処理装置１の効果とともに、被処理ウエハ５０間での処理効果のばらつきの少ないという効果を奏する薬液処理プロセスを実施することができる。また、本発明に係る薬液処理方法の第２実施形態は、薬液処理装置１１を用いて各吐出管４の各第１吐出孔５ａ、第２吐出孔５ｂ、第３吐出孔５ｃから薬液４０を吐出させつつ吐出管４に薬液４０を供給し、被処理ウエハ５０を薬液処理する方法であることから、第２実施形態の薬液処理方法によっても薬液処理装置１１と同様の効果を得ることができる。
【００４１】
次に、本発明に係る薬液処理装置の第３実施形態を図４に示す要部平面図に基づいて説明する。なお、図４において第１実施形態の薬液処理装置１と同一の形成要素には同一の符号を付し、ここでの説明を省略する。
第３実施形態の薬液処理装置２１において第１実施形態の薬液処理装置１と相違するところは、一対の供給管４の形成状態と、この供給管４と供給部６との接続状態とにある。
【００４２】
すなわち、一対の吐出管４は、これら吐出管４の一端部同士および他端部同士がそれぞれ連結管７で連結されている。そして、吐出管４の一端部同士を連結する連結管７と他端部同士を連結する連結管７のいずれか一方には、その長さ方向の略中央位置に供給部６の配管６ｄ（図１参照）が接続されている。よって、フィルタ６ｂで清浄化された薬液４０は、配管６ｄを介して図４中矢印Ｆで示すように連結管７の長さ方向の略中央から連結管７内に流入し、各吐出管４に供給されるようになっている。
【００４３】
このように構成された第３実施形態の薬液処理装置２１では、一対の吐出管４が連結管７で連結されて環状体８が形成され、連結管７の長さ方向の略中央から環状体８内に薬液４０が流入されるようになっているため、環状体８内が薬液４０で満たされている状態で連結管７から薬液４０を流入させると、薬液４０の流入圧力が一対の吐出管４の長さ方向のいずれの位置においても同じように加わることになる。その結果、吐出管４の長さ方向に沿って形成された各第１吐出孔３６から処理層２内に吐出される薬液４０の吐出量のばらつきが最小限に抑えられる。
【００４４】
よって、薬液処理装置２１を用いた薬液処理に際して、各吐出管４の各第１吐出孔５ａ、第２吐出孔５ｂ、第３吐出孔５ｃから薬液４０を吐出させつつ連結管７を介して吐出管４に薬液４０を供給することにより、被処理ウエハ５０間での薬液処理条件のばらつきを大幅に抑制することが可能になる。したがって、この第３実施形態の薬液処理装置２１によれば、第１実施形態の薬液処理装置１の効果とともに、被処理ウエハ５０間での処理効果のばらつきが最小限に抑えられて安定した薬液処理プロセスを実施できるという優れた効果を得ることができる。
【００４５】
また、本発明に係る薬液処理方法の第３実施形態は、薬液処理装置２１を用いて各吐出管４の各第１吐出孔５ａ、第２吐出孔５ｂ、第３吐出孔５ｃから薬液４０を吐出させつつ連結管７を介して吐出管４に薬液４０を供給し、被処理ウエハ５０を薬液処理する方法であることから、第３実施形態の薬液処理方法によっても上記薬液処理装置２１と同様の効果を得ることができる。
【００４６】
なお、本発明に係る薬液処理装置および薬液処理方法は、上記第１〜第３実施形態に限られるものでない。例えば、吐出管の吐出孔を上方に薬液を吐出する第１孔と、第１孔とは異なる方向に薬液を吐出する第２孔とを有して構成されるものとしてもよい。また被処理ウエハを処理する際に、被処理ウエハの略中心に向かう方向とこの方向とは異なる方向の２方向に薬液を吐出させてもよい。また本発明の主旨に反しない限り、吐出孔の数や吐出孔の直径等の条件を適宜変更可能であり、また種々の薬液処理に適用できるのはもちろんである。
【００４７】
【発明の効果】
以上説明したように本発明に係る薬液処理装置によれば、吐出管の吐出孔が上方に薬液を吐出する第１孔と、この第１孔とは異なる方向に薬液を吐出する第２孔とを有しているため、例えば処理層内の吐出管より上方に被処理ウエハを配置して第２孔を被処理ウエハの下方の処理槽の底部側に向けて薬液を吐出する孔とすれば、処理層内の底部側に淀み層を形成することなく薬液を効率良く流すことができる。よって、ウエットエッチングの際のエッチング均一性を格段に向上できるとともに、洗浄処理の際に被処理ウエハ表面全体をムラなく十分に洗浄できる等の安定した薬液処理を実施できる。また、薬液中の汚染物質が被処理ウエハの表面に再付着するのを大幅に抑制することができる。さらに、淀み層が形成されないため、処理槽を洗浄したり薬液を交換する作業に要する人手を削減できるとともに、使用する薬液の延命化も期待でき、さらには薬液の延命化による薬液のコスト削減、薬液のトータル使用量の低減による環境への配慮も達成することできる。
【００４８】
本発明に係る洗浄処理方法によれば、被処理ウエハを処理する際に、被処理ウエハに向かう方向とこの方向とは異なる方向との少なくとも２方向に薬液を吐出させるため、被処理ウエハに向かう方向とは異なる方向を、処理槽の底部側に向けて薬液を吐出する方向とすれば、処理層の底部側に淀み層を形成することなく処理槽内を効率良く流れる薬液によって被処理ウエハを処理できる。よって、上記発明の薬液処理装置と同様の効果を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る薬液処理装置の第１実施形態の説明図であり、（イ）は概略構成図、（ロ）は（イ）の要部拡大図である。
【図２】第１実施形態の薬液処理装置を用いてウエットエッチングを行った際のエッチング均一性を調べた結果を示す図である。
【図３】本発明に係る薬液処理装置の第２実施形態を示す要部平面図である。
【図４】本発明に係る薬液処理装置の第３実施形態を示す要部平面図である。
【図５】従来の薬液処理装置の説明図であり、（イ）は概略構成図、（ロ）は（イ）の要部拡大図、（ハ）は要部平面図である。
【符号の説明】
１，１１，２１…薬液処理装置、２…処理槽、２ａ…底部、４…吐出管、５…吐出孔、５ａ…第１孔、５ｂ…第２孔、５ｃ…第３孔、６…供給部、７…連結管、４０…薬液、５０…被処理ウエハ、Ｂ…第１方向、Ｃ…第２方向、Ｄ…第３方向
【発明の属する技術分野】
本発明は、薬液処理装置および薬液処理方法に関し、詳細には半導体装置の製造の洗浄処理工程やエッチング工程に用いられる薬液処理装置および薬液処理方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来より、半導体装置の製造分野では、各プロセスにおいて薬液を用いたウエハの処理が行われている。例えば、半導体ウエハの作製プロセスにおいて、ウエハの表面に付着している不要な物質（汚染物）を除去するための洗浄処理や、ウエハに半導体素子を形成するプロセスにおけるウエットエッチング等である。半導体装置が微細化するにつれて、洗浄効果はもちろんのこと、ウエットエッチングの均一性も格段の向上が望まれている。
【０００３】
薬液処理方法の代表例としては、複数枚の被処理ウエハを一度に薬液に浸漬させて処理するディップ式処理が挙げられる。ディップ式処理方法を採用した従来の薬液処理装置の概略を図５（イ）〜（ハ）に示す。この薬液処理装置３０は、ノズル式循環処理槽３１を備えたもので、処理槽３１内の薬液４０を同図（イ）中矢印Ａに示すように処理槽３１からこの外周に設けられた外槽３２へとオーバーフローさせ、薬液４０とともに薬液４０中の汚染物質を外槽３２に排出する。そして外槽３２内の薬液４０をポンプ３３を介してフィルタ３４に導き、そこで濾過して清浄化した後に再び処理槽３１内に供給する。
【０００４】
このとき、処理層３１内の薬液４０に浸漬させた被処理ウエハ５０の表面に薬液４０を効果的に接触させるため、フィルタ３４からの薬液４０を処理槽３１内の底部側に設けられたノズルである吐出管３５に送り、その表面に形成された小さな吐出孔３６を介して処理槽３１内に供給している。
【０００５】
なお、ディップ式処理では、通常、複数枚の被処理ウエハ５０を、互いに略平行にかつ所定の間隔で配列した状態で薬液４０に浸漬させて処理を行う。このため薬液処理装置３０では、上記吐出管３５として、対向配置された一対のものが用いられる。そしてこれら吐出管３５の間でかつ吐出管３５の上方に、複数枚の被処理ウエハ５０がその配列方向を吐出管３５の長さ方向と略平行にした状態で浸漬されるようになっている。また各吐出管３５の吐出孔３６は、隣り合う被処理ウエハ５０の間でかつ被処理ウエハ５０の略中心に向かう図５（イ），（ロ）の矢印Ｂにて示す方向に薬液４０が吐出されるよう形成された孔のみで構成され、この吐出孔３６が各吐出管３５の長さ方向に沿って複数形成されている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
ところが、図５に示す薬液処理装置３０を用いた薬液処理では、吐出管３５から吐出される薬液４０の全てが被処理ウエハ５０の上部側に向かって処理槽３１から外槽３２へとオーバーフローするのではなく、同図（イ）中矢印Ｇにて示すように、一部は対流によって被処理ウエハ５０の上部側から吐出管３５付近に戻ってしまう。この吐出管３５付近に戻った薬液４０は、被処理ウエハ５０から除去された各種の汚染物質を含むもので、図５（ロ）中矢印Ｈにて示すように処理槽３１の底部３１ａ付近で滞留し、これによって底部３１ａ付近に汚い淀み層４１が形成されてしまう。このように処理槽３１の底部３１ａ付近で薬液４０が滞留するのは、吐出管３５付近、特に吐出管３５より下方である処理層３１の底部３１ａ付近にて薬液４０に流れを生じさせるものがないためである。
【０００７】
上記の淀み層４１が形成されると、処理層３１内における薬液４０の循環効率が悪くなる。その結果、例えば薬液処理がウエットエッチング後の水洗処理である場合には、除去すべきウエットエッチング剤が被処理ウエハ５０の表面に多くかつムラになって残存し、被処理ウエハ面内におけるエッチング均一性が悪化するという不具合が生じる。また薬液４０の循環効率が悪くなることにより、被処理ウエハ５０の洗浄効果が低下し、さらには薬液４０中に取り込まれた汚染物が被処理ウエハ５０の表面に再付着するといった不都合も生じる。被処理ウエハ５０が汚染された状態で半導体装置が製造されると、半導体装置の電気的信頼性および製造歩留りが著しく低下してしまうのである。
【０００８】
また、淀み層４１を除去するためには頻繁に処理槽３１を洗浄したり、使用する薬液４０の交換頻度を上げる必要があるため、人手を要する、コストが上がる、薬液処理装置３０の稼働率の低下により製造歩留りが低下する等の問題も生じる。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
そこで、上記課題を解決するために本発明に係る薬液処理装置は、処理槽内の底部側に設けられた吐出管の吐出孔が、上方に薬液を吐出する第１孔と、この第１孔とは異なる方向に薬液を吐出する第２孔とを少なくとも有して構成されたものからなっている。
【００１０】
この発明では、吐出管の吐出孔が上方に薬液を吐出する第１孔と、この第１孔とは異なる方向に薬液を吐出する第２孔とを有しているため、例えば処理層内の吐出管より上方に被処理ウエハを配置して第１孔を被処理ウエハの略中心に向けて薬液を吐出する孔とし、第２孔を被処理ウエハの下方の処理槽の底部側に向けて薬液を吐出する孔とすれば、処理層内に被処理ウエハの略中心から上部側に向かう薬液の流れの他に、処理層の底部側に向かう薬液の流れが形成される。よって、たとえ対流により薬液が被処理ウエハの上部側から吐出管の付近に戻ってきても、処理層の底部側に向かう薬液の流れによって処理層の底部側での滞留が防止されるため、その底部側に淀み層が発生しない。したがって、処理槽内を薬液が効率良く流れることになる。また淀み層が形成されないため、処理槽を洗浄したり薬液を交換する作業を頻繁に行わなくて済む。
【００１１】
また本発明に係る洗浄処理方法は、処理槽内に薬液を満たし、この処理層内に被処理ウエハを浸漬させつつ被処理ウエハの下方から薬液を吐出させて被処理ウエハを処理する際に、被処理ウエハに向かう方向とこの方向とは異なる方向との少なくとも２方向に薬液を吐出させることを特徴としている。
【００１２】
この方法では、被処理ウエハを処理する際に、被処理ウエハに向かう方向とこの方向とは異なる方向との少なくとも２方向に薬液を吐出させるため、被処理ウエハに向かう方向とは異なる方向を、処理槽の底部側に向けて薬液を吐出する方向とすれば、たとえ対流により薬液が被処理ウエハの上部側から薬液を吐出している箇所付近に戻ってきても、その付近で滞留することなく処理槽の底部側に向かう薬液の流れに乗って流れていく。したがって、処理層の底部側に淀み層を形成することなく処理槽内を効率良く流れる薬液によって、被処理ウエハが処理される。また淀み層が形成されないため、処理槽を洗浄したり薬液を交換する作業を頻繁に行わなくて済む。
【００１３】
【発明の実施の形態】
以下、本発明に係る薬液処理装置および薬液処理方法の実施の形態を図面に基づいて説明する。図１は本発明に係る薬液処理装置の第１実施形態の説明図であり、（イ）は概略構成図、（ロ）は（イ）の要部拡大図である。また図１（イ）では処理槽内に被処理ウエハを浸漬させて処理している状態を示している。
【００１４】
図１に示すようにこの薬液処理装置１は、処理槽２から薬液４０をオーバーフローさせつつ複数枚の被処理ウエハ５０を薬液４０に浸漬させてその表面を薬液処理するもので、上記処理槽２の他に、外槽３と、吐出孔５を有する吐出管４と、供給部６とを備えて構成されている。なお、本明細書中において薬液４０とは、半導体装置の製造の薬液処理工程で用いる薬液を意味することとする。このような薬液としては、例えば、純水、アンモニア過水、塩酸過水、硫酸過水、希フッ酸、緩衝フッ酸、発煙硝酸、リン酸、有機溶剤等が挙げられる。
【００１５】
処理槽２は薬液４０を満たすもので、例えば底部２ａと底部２ａの周縁から立ち上がった側壁部２ｂとから平面視略矩形状に形成されている。また外槽３は、処理槽２からオーバーフローした薬液４０を受けるためのもので、処理槽２の上部側に処理槽２の外周に沿って設けられている。
【００１６】
吐出管４は、吐出孔５から薬液４０を吐出するいわゆるノズル管であり、処理槽２の底部２ａ側に設けられている。ここでは吐出管４は、従来と同様に処理槽２内に対向配置された一対のものからなり、それぞれの吐出管４の一端部側に供給部６が接続されたものとなっている。また、それぞれの吐出管４の吐出孔５は、上方に薬液４０を吐出する第１孔５ａと、第１孔５ａとは異なる方向に薬液４０を吐出する第２孔５ｂとを少なくとも有して構成されたものからなる。
【００１７】
この薬液処理装置１を用いた薬液処理では、通常のディップ式薬液処理と同様に、薬液処理に際して複数枚の被処理ウエハ５０が、互いに略平行にかつ所定の間隔で配列した状態でキャリアに収納され、キャリアごと薬液４０に浸漬される。またその際、被処理ウエハ５０の配列方向が吐出管４の長さ方向に略平行となり、かつ一対の吐出管４の上方に被処理ウエハ５０が位置するよう、これら吐出管４の間に浸漬させる。
【００１８】
したがって、第１実施形態において第１孔５ａは、一対の吐出管４の内側、つまり配置される被処理ウエハ５０側で、かつ吐出管４より上方に配置される被処理ウエハ５０の中心に向かう方向（以下、この方向を第１方向Ｂと記す）に薬液４０を吐出するように形成された孔からなる。また第２孔５ｂは、一対の吐出管４の内側でかつ吐出管４の水平方向（図１（ロ）中破線で示す）よりも斜め下方（以下、この方向を第２方向Ｃと記す）に形成された孔からなる。すなわち、第２方向Ｃは、被処理ウエハ５０の下方で対向する吐出管４よりも処理槽２の底部２ａ側に向かう方向となる。
【００１９】
さらに第１実施形態においてそれぞれの吐出管４の吐出孔５は、各吐出管４の略直下方向（以下、この方向を第３方向Ｄと記す）、つまり吐出管４の真下から処理槽２の底部２ａに向けて薬液４０を吐出する第３孔５ｂを有して構成されている。
【００２０】
上記第１孔５ａは、被処理ウエハ５０の間、および被処理ウエハ５０と処理槽２の側壁部２ｂとの間にて、第１方向Ｂに薬液４０を吐出させて被処理ウエハ５０の表面を処理する薬液４０の流れを形成するためのものである。よって、一度の薬液処理にて処理槽２内に浸漬させる被処理ウエハ５０の枚数よりも多い数、吐出管４の長さ方向に沿って形成されている。ここでは、各吐出管４に例えば５０個の第１孔５ａが形成されている。また各第１孔５ａの直径は、良好な線流速を得る上で、例えば１．０ｍｍ〜２．０ｍｍ程度であることが好適である。
【００２１】
また第２孔５ｂは、被処理ウエハ５０の下方の処理槽２の底部２ａ付近に薬液４０の流れを形成するためのものである。よって第２孔５ｂからの薬液４０の吐出方向である第２方向Ｃを、例えば吐出管４の水平方向とこの水平方向よりも４５度斜め下方向との範囲内における所定の方向とすることが好適となっている。水平方向よりも斜め下方向とするのは、複数枚の被処理ウエハ５０を保持するキャリアが吐出管４の水平方向に配置される場合があり、この場合に水平方向に薬液４０を吐出させると、薬液４０がキャリアに当たって被処理ウエハ５０の下方に薬液４０の流れを形成できない恐れがあるためである。またその斜め下方向を水平方向と４５度斜め下方向との範囲内とするのは、その範囲であると、吐出管５の下方で滞留し易い箇所の略中心に向かうよう薬液４０を吐出できると考えられるためである。
【００２２】
また第２孔５ｂは、第１孔５ａの数の１／３以下の数、各吐出管４に形成されている。１／３以下とするのは、第１孔５ａの数の１／３を越えると、第２孔５ｂから吐出された薬液４０の流れが被処理ウエハ５０の表面を処理する薬液４０の流れに悪影響を与え、エッチング均一性や洗浄処理効果等を低下させる恐れがあるためである。しかしながら前述したように、被処理ウエハ５０の下方に薬液４０の流れを形成するため、第２孔５ｂは各吐出管４に少なくとも１個形成されていることが必要である。この第１実施形態では、各吐出管４に、第１孔５ａの数の１／３以下の数である５個の第２孔５ｂが形成されている。さらに第１孔５ａと同様、第２孔５ｂの直径は、良好な線流速を得る上で、例えば１．０ｍｍ〜２．０ｍｍ程度であることが好適である。
【００２３】
上記第３孔５ｃは、各吐出管４の直下に薬液４０の流れを形成するためのもので、第１孔５ａの数の１／５以下の数、各吐出管４に形成されている。１／５以下とするのは、第１孔５ａの数の１／５を越えると、第３孔５ｃから吐出された薬液４０の流れが被処理ウエハ５０の表面を処理する薬液４０の流れに悪影響を与え、エッチング均一性や洗浄処理効果等を低下させる恐れがあるためである。しかしながら、各吐出管４の直下の処理槽２の底部２ａ付近に薬液４０の流れを形成するため、第３孔５ｃは各吐出管４に少なくとも１個形成されていることが必要である。この第１実施形態では、各吐出管４に、第１孔５ａの数の１／５以下の数である５個の第３孔５ｃが形成されている。さらに第１孔５ａと同様、第３孔５ｃの直径は、良好な線流速を得る上で、例えば１．０ｍｍ〜２．０ｍｍ程度であることが好適である。
【００２４】
一方、供給部６は、処理槽２からオーバーフローするように吐出管４に薬液４０を供給するもので、薬液４０を循環させるためのポンプ６ａと、ポンプ６ａからの薬液４０を濾過して汚染物質を取り除くためのフィルタ６ｂとを備えて構成されている。そして、外槽３とポンプ６ａとが配管６ｃを介して接続され、フィルタ６ｂと各吐出管４とが配管６ｄを介して接続されている。
【００２５】
上記のごとく構成された薬液処理装置１では、吐出管４から薬液４０が第１方向Ｂ、第２方向Ｃ、第３方向Ｄヘと吐出しつつ、処理槽２内の薬液４０が処理槽２から外槽３へと矢印Ａに示すようにオーバーフローする。そして外槽３から配管６ｃを介してポンプ６ａ、フィルタ６ｂに順次に入り、そこで濾過されて清浄化された後に配管６ｄを介して吐出管４に供給され、再び吐出管４から処理槽２内に吐出する。
【００２６】
次に、このような薬液処理装置１を用いた被処理ウエハ５０の薬液処理方法に基づき、本発明に係る薬液処理方法の第１実施形態を説明する。
被処理ウエハ５０の表面を薬液処理する場合には、まず処理槽２内に薬液４０を満たす。そして、処理槽２から薬液４０をオーバーフローさせつつかつ吐出管４から薬液４０を吐出させつつ、キャリアに収納した複数枚の被処理ウエハ５０をキャリアごと処理槽２内に浸漬させて、各被処理ウエハ５０の表面を薬液処理する。
【００２７】
薬液４０を吐出させる際には、吐出管４の第１吐出孔５ａ、第２吐出孔５ｂ、第３吐出孔５ｃから薬液４０を吐出させる。これによって、被処理ウエハ５０の間、および被処理ウエハ５０と処理槽２の側壁部２ｂとの間にて第１方向Ｂへの薬液４０の流れを形成するとともに、被処理ウエハ５０の下方に第２方向Ｃへの薬液４０の流れを形成し、かつ吐出管４の下方に第３方向Ｄへの薬液４０の流れを形成する。そして、所定時間が経過した後は、キャリアを処理槽２から搬出し、被処理ウエハ５０を次工程の処理エリアに搬送する。
【００２８】
上記方法に用いる薬液処理装置１では、吐出管４の吐出孔５として、従来と同様の第１方向Ｂに薬液４０を吐出する第１孔５ａの他に、被処理ウエハ５０の下方に向かう第２方向Ｃに薬液４０を吐出する第２孔５ｂと、吐出管３５の略直下方向に向かう第３方向Ｄに薬液４０を吐出する第３孔５ｃとを備えている。
【００２９】
このため、上記の薬液処理方法のように、被処理ウエハ５０の薬液処理に際して、これら第１吐出孔５ａ、第２吐出孔５ｂ、第３吐出孔５ｃから薬液４０を吐出させることにより、被処理ウエハ５０間および被処理ウエハ５０と処理槽２の側壁２ｂとの間に薬液４０の流れを形成できる一方、被処理ウエハ５０の下方の処理槽２の底部２ａ付近と吐出管４の真下の処理槽２の底部２ａ付近とに薬液４０の流れを形成できる。なお、底部２ａ付近に形成された薬液４０の流れは、処理槽２の底部２ａや側壁部２ｂに当たって処理槽２の上部側に向かう流れとなる。
【００３０】
よって、たとえ吐出管４から吐出された薬液４０の一部が対流によって被処理ウエハ５０の上部側から吐出管４付近に戻っても、処理槽２の底部２ａ付近に形成された薬液４０の流れに乗って流れることになるため、吐出管４付近に戻った薬液４０が処理槽２の底部２ａ側で滞留するのを防止できる。その結果、底部２ａ側に淀み層が形成されるのを防ぐことができ、処理槽２内にて薬液４０を効率良く循環させることができる。
【００３１】
第１実施形態の薬液処理装置１によって、被処理ウエハ５０をウエットエッチング処理した結果を図２に示す。この結果は、熱酸化膜の直径が８インチの被処理ウエハ５０表面の熱酸化膜を０．５重量％の希フッ酸からなる薬液４０を用いてウエットエッチングし、次いで水洗処理を行い、最後にスピンドライヤーによって乾燥したときのものである。また比較例として、図５に示した従来の薬液処理装置３０を用いて同様に被処理ウエハ５０を処理したときの結果も図２に示してある。なお、従来の薬液処理装置３０において、吐出孔３６からの薬液４０の吐出方向は、第１実施形態の薬液処理装置１の第１吐出孔５ａの第１方向Ｂと同様である。
【００３２】
図２に示すように、薬液処理装置１を用いれば被処理ウエハ５０面内におけるエッチング均一性（３σ／平均値（Ａｖｅ．））が従来の薬液処理装置３０に比較して約１％以上も向上することが明らかである。このことから、薬液処理装置１では、処理槽２内にて薬液４０が効率良く循環していることが知見される。また、処理層２の底部２ａ側に淀み層が存在していないことも可視化実験で確認されている。
【００３３】
以上の結果からも明らかなように、薬液処理装置１では処理槽２内にて淀み層を形成することなく薬液４０を効率良く循環させることができるため、被処理ウエハ５０の表面全体に十分な量の薬液４０を供給でき、結果として前述のごとく薬液処理がウエットエッチングである場合に被処理ウエハ５０面内におけるエッチング均一性を向上できる効果が得られる。また薬液処理が洗浄処理である場合に、被処理ウエハ５０表面全体をムラなく十分に洗浄できる。さらに、薬液４０中の汚染物質が被処理ウエハ５０の表面に再付着するのを大幅に抑制することができる。
【００３４】
また淀み層が形成されないため、頻繁に処理槽２を洗浄する作業が不要になってこの作業に要する人手を削減できるとともに、使用する薬液４０の延命化も期待でき、さらには薬液４０の延命化による薬液４０のコスト削減、薬液４０のトータル使用量の低減による環境への配慮も達成することできる。また処理層２の洗浄作業や薬液４０の交換を頻繁に行わなくて済むため、薬液処理装置１の稼働率を向上できて製造歩留りの向上を図ることができる。
【００３５】
前述した第１実施形態の薬液処理方法では、このような薬液処理装置１を用い、被処理ウエハ５０の薬液処理に際して、被処理ウエハ５０間および被処理ウエハ５０と処理槽２の側壁２ｂとの間に薬液４０の流れを形成する一方、被処理ウエハ５０の下方の処理槽２の底部２ａ付近と吐出管４の真下の処理槽２の底部２ａ付近とに薬液４０の流れを形成するため、処理槽２内にて淀み層を形成することなく効率良く循環する薬液４０によって被処理ウエハ５０を処理できる。よって、上記薬液処理装置１と同様の効果を得ることができる。
【００３６】
したがって、第１実施形態に係る薬液処理装置１および薬液処理方法によれば、被処理ウエハ５０に対して安定した薬液処理効果を奏する薬液処理プロセスを実施できるため、被処理ウエハ５０を用いて製造される半導体装置の電気的信頼性および製造歩留りの向上を図ることができる。
【００３７】
次に、本発明に係る薬液処理装置の第２実施形態を図３に示す要部平面図に基づいて説明する。なお、図３において第１実施形態の薬液処理装置１と同一の形成要素には同一の符号を付し、ここでの説明を省略する。
第２実施形態の薬液処理装置１１において第１実施形態の薬液処理装置１と相違するところは、一対の吐出管４と供給部６との接続状態にある。すなわち、一対の吐出管４には、それぞれの長さ方向の略中央位置に供給部６の配管６ｄ（図１参照）が接続されている。よって、フィルタ６ｂで清浄化された薬液４０は、配管６ｄを介して図３中矢印Ｅで示すように各吐出管４の長さ方向の略中央から各吐出管４内に供給されるようになっている。
【００３８】
前述したように図５に示した従来の薬液処理装置３０では、各吐出管３５の一端部側から吐出管３５内に薬液４０が流入して供給されるようになっているため、吐出管３５の吐出孔３６から処理層２内に吐出される薬液４０の吐出量は、流入圧力の高い吐出管３５の一端部側と他端部側とで異なっている。よって、吐出管３５の一端部側に配置された被処理ウエハ５０と他端部側に配置された被処理ウエハ５０とでは薬液処理条件が異なって、被処理ウエハ５０間で薬液処理効果にばらつきが生じる。
【００３９】
これに対して、第２実施形態の薬液処理装置１１では、各吐出管４の長さ方向の略中央から吐出管４に薬液４０が流入する状態で供給されるので、薬液４０の吐出管４への流入圧力が左右に分散される。その結果、吐出管４の長さ方向に沿って形成された各第１吐出孔３６から処理層２内に吐出される薬液４０の吐出量のばらつきが従来例に比較して緩和される。したがって、薬液処理装置１１を用いた薬液処理に際して、各吐出管４の各第１吐出孔５ａ、第２吐出孔５ｂ、第３吐出孔５ｃから薬液４０を吐出させつつ各吐出管４に薬液４０を供給することにより、被処理ウエハ５０間の処理条件のばらつきを抑えつつ複数枚の被処理ウエハ５０を処理できる。
【００４０】
よって、この実施形態の薬液処理装置１１によれば、第１実施形態の薬液処理装置１の効果とともに、被処理ウエハ５０間での処理効果のばらつきの少ないという効果を奏する薬液処理プロセスを実施することができる。また、本発明に係る薬液処理方法の第２実施形態は、薬液処理装置１１を用いて各吐出管４の各第１吐出孔５ａ、第２吐出孔５ｂ、第３吐出孔５ｃから薬液４０を吐出させつつ吐出管４に薬液４０を供給し、被処理ウエハ５０を薬液処理する方法であることから、第２実施形態の薬液処理方法によっても薬液処理装置１１と同様の効果を得ることができる。
【００４１】
次に、本発明に係る薬液処理装置の第３実施形態を図４に示す要部平面図に基づいて説明する。なお、図４において第１実施形態の薬液処理装置１と同一の形成要素には同一の符号を付し、ここでの説明を省略する。
第３実施形態の薬液処理装置２１において第１実施形態の薬液処理装置１と相違するところは、一対の供給管４の形成状態と、この供給管４と供給部６との接続状態とにある。
【００４２】
すなわち、一対の吐出管４は、これら吐出管４の一端部同士および他端部同士がそれぞれ連結管７で連結されている。そして、吐出管４の一端部同士を連結する連結管７と他端部同士を連結する連結管７のいずれか一方には、その長さ方向の略中央位置に供給部６の配管６ｄ（図１参照）が接続されている。よって、フィルタ６ｂで清浄化された薬液４０は、配管６ｄを介して図４中矢印Ｆで示すように連結管７の長さ方向の略中央から連結管７内に流入し、各吐出管４に供給されるようになっている。
【００４３】
このように構成された第３実施形態の薬液処理装置２１では、一対の吐出管４が連結管７で連結されて環状体８が形成され、連結管７の長さ方向の略中央から環状体８内に薬液４０が流入されるようになっているため、環状体８内が薬液４０で満たされている状態で連結管７から薬液４０を流入させると、薬液４０の流入圧力が一対の吐出管４の長さ方向のいずれの位置においても同じように加わることになる。その結果、吐出管４の長さ方向に沿って形成された各第１吐出孔３６から処理層２内に吐出される薬液４０の吐出量のばらつきが最小限に抑えられる。
【００４４】
よって、薬液処理装置２１を用いた薬液処理に際して、各吐出管４の各第１吐出孔５ａ、第２吐出孔５ｂ、第３吐出孔５ｃから薬液４０を吐出させつつ連結管７を介して吐出管４に薬液４０を供給することにより、被処理ウエハ５０間での薬液処理条件のばらつきを大幅に抑制することが可能になる。したがって、この第３実施形態の薬液処理装置２１によれば、第１実施形態の薬液処理装置１の効果とともに、被処理ウエハ５０間での処理効果のばらつきが最小限に抑えられて安定した薬液処理プロセスを実施できるという優れた効果を得ることができる。
【００４５】
また、本発明に係る薬液処理方法の第３実施形態は、薬液処理装置２１を用いて各吐出管４の各第１吐出孔５ａ、第２吐出孔５ｂ、第３吐出孔５ｃから薬液４０を吐出させつつ連結管７を介して吐出管４に薬液４０を供給し、被処理ウエハ５０を薬液処理する方法であることから、第３実施形態の薬液処理方法によっても上記薬液処理装置２１と同様の効果を得ることができる。
【００４６】
なお、本発明に係る薬液処理装置および薬液処理方法は、上記第１〜第３実施形態に限られるものでない。例えば、吐出管の吐出孔を上方に薬液を吐出する第１孔と、第１孔とは異なる方向に薬液を吐出する第２孔とを有して構成されるものとしてもよい。また被処理ウエハを処理する際に、被処理ウエハの略中心に向かう方向とこの方向とは異なる方向の２方向に薬液を吐出させてもよい。また本発明の主旨に反しない限り、吐出孔の数や吐出孔の直径等の条件を適宜変更可能であり、また種々の薬液処理に適用できるのはもちろんである。
【００４７】
【発明の効果】
以上説明したように本発明に係る薬液処理装置によれば、吐出管の吐出孔が上方に薬液を吐出する第１孔と、この第１孔とは異なる方向に薬液を吐出する第２孔とを有しているため、例えば処理層内の吐出管より上方に被処理ウエハを配置して第２孔を被処理ウエハの下方の処理槽の底部側に向けて薬液を吐出する孔とすれば、処理層内の底部側に淀み層を形成することなく薬液を効率良く流すことができる。よって、ウエットエッチングの際のエッチング均一性を格段に向上できるとともに、洗浄処理の際に被処理ウエハ表面全体をムラなく十分に洗浄できる等の安定した薬液処理を実施できる。また、薬液中の汚染物質が被処理ウエハの表面に再付着するのを大幅に抑制することができる。さらに、淀み層が形成されないため、処理槽を洗浄したり薬液を交換する作業に要する人手を削減できるとともに、使用する薬液の延命化も期待でき、さらには薬液の延命化による薬液のコスト削減、薬液のトータル使用量の低減による環境への配慮も達成することできる。
【００４８】
本発明に係る洗浄処理方法によれば、被処理ウエハを処理する際に、被処理ウエハに向かう方向とこの方向とは異なる方向との少なくとも２方向に薬液を吐出させるため、被処理ウエハに向かう方向とは異なる方向を、処理槽の底部側に向けて薬液を吐出する方向とすれば、処理層の底部側に淀み層を形成することなく処理槽内を効率良く流れる薬液によって被処理ウエハを処理できる。よって、上記発明の薬液処理装置と同様の効果を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る薬液処理装置の第１実施形態の説明図であり、（イ）は概略構成図、（ロ）は（イ）の要部拡大図である。
【図２】第１実施形態の薬液処理装置を用いてウエットエッチングを行った際のエッチング均一性を調べた結果を示す図である。
【図３】本発明に係る薬液処理装置の第２実施形態を示す要部平面図である。
【図４】本発明に係る薬液処理装置の第３実施形態を示す要部平面図である。
【図５】従来の薬液処理装置の説明図であり、（イ）は概略構成図、（ロ）は（イ）の要部拡大図、（ハ）は要部平面図である。
【符号の説明】
１，１１，２１…薬液処理装置、２…処理槽、２ａ…底部、４…吐出管、５…吐出孔、５ａ…第１孔、５ｂ…第２孔、５ｃ…第３孔、６…供給部、７…連結管、４０…薬液、５０…被処理ウエハ、Ｂ…第１方向、Ｃ…第２方向、Ｄ…第３方向
Claims (2)
- 薬液を満たす処理槽と、該処理槽内の底部側に設けられて吐出孔から薬液を吐出する吐出管とを備え、前記処理槽内に複数枚の被処理ウエハを浸漬させて処理する薬液処理装置であって、
前記吐出管は対向配置された一対のものからなり、
前記一対の吐出管のそれぞれの吐出孔は、該一対の吐出管の内側でかつ上方に薬液を吐出する第１孔と、前記一対の吐出管の内側でかつ該吐出管の水平方向よりも斜め下方向に薬液を吐出する第２孔と、前記吐出管の略直下方向に薬液を吐出する第３孔とを有して構成されたものからなり、
前記第１孔は、一度の薬液処理にて前記処理槽内に浸漬させる被処理ウエハの枚数よりも多い数、前記吐出管の長さ方向に沿って形成され、
前記第２孔は、前記第１孔の数の１／３以下の数、前記吐出管に形成されている
ことを特徴とする薬液処理装置。 - 薬液を満たす処理槽と、該処理槽内の底部側に設けられて吐出孔から薬液を吐出する吐出管とを備え、前記処理槽内に複数枚の被処理ウエハを浸漬させて処理する薬液処理装置であって、
前記吐出管は対向配置された一対のものからなり、
前記一対の吐出管のそれぞれの吐出孔は、該一対の吐出管の内側でかつ上方に薬液を吐出する第１孔と、前記一対の吐出管の内側でかつ該吐出管の水平方向よりも斜め下方向に薬液を吐出する第２孔と、前記吐出管の略直下方向に薬液を吐出する第３孔とを有して構成されたものからなり、
前記第１孔は、一度の薬液処理にて前記処理槽内に浸漬させる被処理ウエハの枚数よりも多い数、前記吐出管の長さ方向に沿って形成され、
前記第３孔は、前記第１孔の数の１／５以下の数、前記吐出管に形成されている
ことを特徴とする薬液処理装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26527597A JP3932618B2 (ja) | 1997-09-30 | 1997-09-30 | 薬液処理装置 |
| US09/158,572 US6156153A (en) | 1997-09-30 | 1998-09-22 | Chemical treatment apparatus and chemical treatment method |
| KR1019980040617A KR100555857B1 (ko) | 1997-09-30 | 1998-09-29 | 약액처리장치 및 약액처리방법 |
| US09/694,980 US6281137B1 (en) | 1997-09-30 | 2000-10-24 | Chemical treatment apparatus and chemical treatment method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26527597A JP3932618B2 (ja) | 1997-09-30 | 1997-09-30 | 薬液処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11111663A JPH11111663A (ja) | 1999-04-23 |
| JP3932618B2 true JP3932618B2 (ja) | 2007-06-20 |
Family
ID=17414966
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26527597A Expired - Fee Related JP3932618B2 (ja) | 1997-09-30 | 1997-09-30 | 薬液処理装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US6156153A (ja) |
| JP (1) | JP3932618B2 (ja) |
| KR (1) | KR100555857B1 (ja) |
Families Citing this family (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3932618B2 (ja) * | 1997-09-30 | 2007-06-20 | ソニー株式会社 | 薬液処理装置 |
| JP3488158B2 (ja) * | 1999-12-28 | 2004-01-19 | Ｎｅｃエレクトロニクス株式会社 | ウエハの洗浄方法 |
| TW434668B (en) * | 2000-01-27 | 2001-05-16 | Ind Tech Res Inst | Wafer rinse apparatus and rinse method of the same |
| KR20040041763A (ko) * | 2002-11-11 | 2004-05-20 | 삼성전자주식회사 | 반도체 웨이퍼 세정시스템 및 그 방법 |
| KR100706230B1 (ko) * | 2004-03-04 | 2007-04-11 | 삼성전자주식회사 | 습식 세정 장치 |
| DE102005015758A1 (de) * | 2004-12-08 | 2006-06-14 | Astec Halbleitertechnologie Gmbh | Verfahren und Vorrichtung zum Ätzen von in einer Ätzlösung aufgenommenen Substraten |
| KR100710803B1 (ko) * | 2006-01-23 | 2007-04-23 | 삼성전자주식회사 | 기판 세정 장치 |
| JP2009231579A (ja) * | 2008-03-24 | 2009-10-08 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置及び基板処理方法 |
| US9070631B2 (en) * | 2013-03-14 | 2015-06-30 | Mei Llc | Metal liftoff tools and methods |
| CN111785623B (zh) * | 2020-06-15 | 2022-11-04 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 湿法刻蚀方法 |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5488964A (en) * | 1991-05-08 | 1996-02-06 | Tokyo Electron Limited | Washing apparatus, and washing method |
| US5315793A (en) * | 1991-10-01 | 1994-05-31 | Hughes Aircraft Company | System for precision cleaning by jet spray |
| JP3146841B2 (ja) * | 1994-03-28 | 2001-03-19 | 信越半導体株式会社 | ウエーハのリンス装置 |
| US5922138A (en) * | 1996-08-12 | 1999-07-13 | Tokyo Electron Limited | Liquid treatment method and apparatus |
| JP3839553B2 (ja) * | 1997-06-05 | 2006-11-01 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理槽および基板処理装置 |
| JP3932618B2 (ja) * | 1997-09-30 | 2007-06-20 | ソニー株式会社 | 薬液処理装置 |
-
1997
- 1997-09-30 JP JP26527597A patent/JP3932618B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1998
- 1998-09-22 US US09/158,572 patent/US6156153A/en not_active Expired - Lifetime
- 1998-09-29 KR KR1019980040617A patent/KR100555857B1/ko not_active IP Right Cessation
-
2000
- 2000-10-24 US US09/694,980 patent/US6281137B1/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR100555857B1 (ko) | 2006-04-28 |
| JPH11111663A (ja) | 1999-04-23 |
| KR19990030259A (ko) | 1999-04-26 |
| US6156153A (en) | 2000-12-05 |
| US6281137B1 (en) | 2001-08-28 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3932618B2 (ja) | 薬液処理装置 | |
| US20070163627A1 (en) | Nozzle for substrate treatment apparatus | |
| JPH07273077A (ja) | ウエーハのリンス方法及びリンス装置 | |
| JP2006093334A (ja) | 基板処理装置 | |
| KR100710803B1 (ko) | 기판 세정 장치 | |
| JP3164048B2 (ja) | 半導体製造装置 | |
| KR100424913B1 (ko) | 기판 세척 장치 | |
| KR100626869B1 (ko) | 반도체 웨이퍼 세정 시스템 | |
| JPH11145105A (ja) | 洗浄装置 | |
| JP2007105626A (ja) | 基板処理装置 | |
| JPH08195372A (ja) | 洗浄装置およびその方法 | |
| KR20070030542A (ko) | 처리조의 기포 제거장치 | |
| KR0161865B1 (ko) | 제트노즐을 이용한 반도체웨이퍼 세정장치 | |
| KR100593672B1 (ko) | 웨이퍼 세척 장치 | |
| JP3232443B2 (ja) | 液処理方法及びその装置 | |
| KR100665654B1 (ko) | 웨트 스테이션용 웨이퍼 가이드 | |
| JP4227694B2 (ja) | ウエハーの表面処理装置 | |
| KR20050061649A (ko) | 셀프 클리닝 기능을 갖는 케미컬베쓰 및 그 셀프 클리닝방법 | |
| JP3228915B2 (ja) | 半導体処理装置および処理方法 | |
| KR0179781B1 (ko) | 반도체 웨이퍼 세정장치 | |
| KR200177282Y1 (ko) | 반도체 세정장비용 세정조의 세정액 주입구 구조 | |
| KR100621612B1 (ko) | 반도체 제조 장치의 히팅 시스템 | |
| JP2001053044A (ja) | 基板洗浄方法と基板洗浄装置 | |
| KR20000056518A (ko) | 반도체 웨이퍼 세정장치 | |
| KR100675560B1 (ko) | 기판 세정 장치 및 처리조 내로 세정액을 공급하는 방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20050311 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060509 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060707 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20061205 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070202 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20070227 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20070312 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100330 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110330 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120330 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130330 Year of fee payment: 6 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |