JP4227694B2 - ウエハーの表面処理装置 - Google Patents

ウエハーの表面処理装置 Download PDF

Info

Publication number
JP4227694B2
JP4227694B2 JP03145599A JP3145599A JP4227694B2 JP 4227694 B2 JP4227694 B2 JP 4227694B2 JP 03145599 A JP03145599 A JP 03145599A JP 3145599 A JP3145599 A JP 3145599A JP 4227694 B2 JP4227694 B2 JP 4227694B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
ultrapure water
dispersion
tank
chemical
chemical liquid
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP03145599A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2000232086A (ja
Inventor
伸廣 森
文男 山科
浩一郎 阿納
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Takada Corp
Original Assignee
Takada Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Takada Corp filed Critical Takada Corp
Priority to JP03145599A priority Critical patent/JP4227694B2/ja
Publication of JP2000232086A publication Critical patent/JP2000232086A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4227694B2 publication Critical patent/JP4227694B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体又は半導体材料の製造工程でウエハー洗浄に用いられるウエハーの表面処理装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来、半導体又は半導体材料の製造工程内の洗浄工程では、ウエハーの表面に付着した酸化膜(主としてSiO2)や不純物を除去するために、複数の薬液処理工程と超純水によるリンス処理工程を、それぞれ複数の処理槽を用いて行っていた。しかし、高価な洗浄用薬液やリンス用超純水の使用量を削減してコストダウンを図るために、複数の工程を行う機能を持たせた単一の処理槽で、しかも処理槽の容積を小さくしたバッチ式処理槽によって、複数の薬液処理工程とリンス処理工程を行う、槽数を削減した表面処理装置が用いられている。
【0003】
例えば図4に示すように、表面処理装置100によりウエハー110を洗浄処理する場合、処理槽120の下部に複数のノズル131を設けた2本の分散管130を配置し、薬液加熱ヒータによって80〜150℃に加熱された洗浄用薬液を循環ポンプ(図示しない)によりノズル131から処理槽120内に噴出し、洗浄用薬液を矢印で示すように流して処理槽120内の洗浄用薬液の温度を設定温度にする。洗浄用薬液を循環させながら、ウエハー110を収納したカセット111を処理槽120内の分散管130の上方に設けた格子状のカセット受け部121の上に載置し、ウエハー110の表面を所定時間洗浄する。なお、処理槽120の上端からオーバーフローした洗浄用薬液水は排出樋122から循環ポンプに戻る。
洗浄用薬液による処理が終了後、処理槽120内の洗浄用薬液を処理槽120の下部から薬液待避タンク(図示しない)に排出する。その後、分散管130に超純水供給源からリンス用超純水を供給し、ノズル131から噴出させて洗浄用薬液と同様に矢印で示すように流してウエハー110の表面を濯ぐ(リンス処理)。なお、処理槽120の上端からオーバーフローしたリンス用超純水は排出樋122から装置外に排出され、循環はしない。ウエハー110の表面を清浄な状態にしてリンス処理終了後、カセット111を外部に取り出し、リンス用超純水の供給を止めて処理槽120内のリンス用超純水を処理槽120の下部から外部に排出する。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記従来の構成では、次のような解決すべき問題があった。
すなわち、超純水を使用してウエハー表面を洗浄するリンス処理工程では、パーティクル(ごみ)や残存薬液を効率的に処理槽120外に排除するために、図4に矢印で示すように、槽内のリンス用超純水の流れが均一上昇流となるように分散管130のノズル131の噴出方向を例えば斜め下方向に向くように調整することが求められている。
ところが、薬液処理工程では、処理槽120内の薬液温度のバラツキをなくし、全ウエハー110の処理速度を同じにすることで、均一な薬液処理が可能となるが、加熱された洗浄用薬液がリンス処理工程と同様の均一上昇流となるようにし、オーバーフローして排出樋122から循環ポンプを介して処理槽120に循環すると、処理槽120の上部と下部で温度差が生じ、均一な薬液処理ができない。薬液処理工程では、処理槽120内の薬液温度を均一にするため、処理槽120内の洗浄用薬液を攪拌する流れが必要である。しかし、ノズル131の噴出方向をリンス処理工程に適した例えば斜め下方向に向くように設定したままでは、薬液処理工程で薬液の攪拌が十分行われず、有効な薬液処理が難しいという問題があった。
本発明はこのような事情に鑑みてなされたもので、リンス処理工程と薬液処理工程の両方に適する液の流れを形成して効果的な洗浄処理を行うウエハーの表面処理装置を提供することを目的とする。
【0005】
【課題を解決するための手段】
前記目的に沿う本発明に係るウエハーの表面処理装置は、処理槽の中に複数枚の直立したウエハーを並行して装入し、ウエハーを処理槽の下部に設けた分散管から供給される洗浄用薬液とリンス用超純水とによって洗浄する表面処理装置であって、
分散管は、処理槽内に供給される洗浄用薬液に攪拌効果をもつ下降流を生じさせる薬液用分散管と、処理槽内に供給されるリンス用超純水に均一上昇流を発生させる超純水用分散管とを有し
薬液用分散管は、処理槽の両側壁に近づけて2本配置され、それぞれの薬液用分散管に設けた洗浄用薬液を噴き出す薬液ノズルは、処理槽の中心より外向きで斜め下に向けており、
超純水用分散管は、処理槽内に複数本配置され、それぞれの超純水用分散管に設けたリンス用超純水を噴き出す複数の超純水ノズルは、間隔を均等にして下方に向け、
しかも2本の薬液用分散管の間に複数の超純水用分散管が等間隔で配置されている
このような構成により、薬液処理工程では薬液用分散管を使用して、処理槽内の洗浄用薬液に攪拌効果をもつ下降流を発生させ、リンス処理工程では超純水用分散管を使用して処理槽内のリンス用超純水に均一上昇流を発生させることができる。したがって、薬液処理工程では処理槽の上部と下部に温度差が生じない均一な温度分布の状態で薬液処理が可能である。また、リンス処理工程ではリンス用超純水が均一上昇流でウエハー表面を濯ぎ、パーティクルや残存薬液を効率的に槽外に排出することができる。
【0006】
ここで、薬液用分散管は、処理槽内に2本配置され、それぞれの薬液用分散管に設けた洗浄用薬液を噴き出す薬液ノズルは、処理槽の中心より外向きで斜め下に向けている
この場合、薬液ノズルから噴出した洗浄用薬液は、処理槽の両側壁に沿って上昇し、ウエハーを収納したカセットの上部やカセットの側壁に設けたスリットを通り、ウエハー間を下降して薬液用分散管からの噴出流と共に再び処理槽の両側壁に沿って上昇する二つの旋回流を生じる。この二つの旋回流によって生じる下降流により、槽内の洗浄用薬液は激しく攪拌されるので、槽内の薬液温度は均一となり、ウエハー表面が均一に処理される。
また、超純水用分散管は、処理槽内に複数本配置され、それぞれの超純水用分散管に設けた超純水を噴き出す複数の超純水ノズルは、間隔が均等になるように下方に向けて設けている
この場合、超純水ノズルから噴出したリンス用超純水は、処理槽の底面に均等に流れて底面付近を攪拌し、汚染物の滞留作用を抑制すると共にリンス用超純水の噴出流の勢いを緩和して上昇に転じ、処理槽の上部への均一上昇流を生じ、処理槽の上端からパーティクルや残存薬液を効率的に槽外に排出する。
【0007】
【発明の実施の形態】
続いて、添付した図面を参照しつつ、本発明を具体化した実施の形態につき説明し、本発明の理解に供する。
ここに、図1は、本発明の一実施の形態に係るウエハーの表面処理装置の構成図、図2は同ウエハーの表面処理装置に設けた処理槽と洗浄用薬液の流れを示す正断面図、図3は同ウエハーの表面処理装置に設けた処理槽とそのリンス用超純水の流れを示す正断面図である。
【0008】
図1、図2及び図3に示すように、本発明の一実施の形態に係るウエハーの表面処理装置10は、処理槽20の下部に底面21から間隔をあけて、かつ処理槽20の両側壁22側にそれぞれ近づけ、複数の薬液ノズル31を設けた2本の薬液用分散管30を水平に配置している。2本の薬液用分散管30の間には複数の超純水ノズル41を設けた2本の超純水用分散管40を等間隔で配置している。洗浄用薬液を噴き出すそれぞれの薬液用分散管30の薬液ノズル31は、処理槽20の中心より外向きで斜め下に向けている。また、リンス用超純水を噴き出すそれぞれの超純水用分散管40の超純水ノズル41は、リンス用超純水が処理槽20の底面21に均等に当たって流れるように超純水用分散管40の下面に間隔が均等になるように下方に向けて設けている。
薬液用分散管30及び超純水用分散管40の上方には間隔をあけてウエハー50を収納したカセット51を載せる格子状のカセット受け部23を水平に設けている。なお、カセット受け部23を格子状に形成したのは、薬液用分散管30及び超純水用分散管40から噴出する洗浄用薬液やリンス用超純水の上昇流又は下降流の流路抵抗を小さくするためである。また、カセット51の側壁52及び底面53にはウエハー50を間隔をあけて保持するためと、洗浄用薬液やリンス用超純水を流通させるために側壁52及び底面53に垂直な面に沿ったそれぞれ複数のスリット54、55を設けて、その中にウエハー50を挿入できるようにしている。
薬液用分散管30には薬液供給管32を連結し、バルブ33、薬液加熱ヒーター34を介して薬液供給ポンプ35から洗浄用薬液を薬液用分散管30に供給するようにしている。超純水用分散管40にはバルブ42を介して超純水供給源43からリンス用超純水を供給する超純水供給管44を連結している。
【0009】
処理槽20の上部外周側には排出樋24を設けて処理槽20の上端からオーバーフローした洗浄用薬液やリンス用超純水を受けている。排出樋24にはバルブ36を介して処理槽20からオーバーフローした洗浄用薬液を排出して循環させる薬液循環管37と、バルブ45を介して処理槽20からオーバーフローしたリンス用超純水を排出する超純水排出管46とを設けている。薬液循環管37には2方向に分岐する管継手38を設け、管継手38の一方には薬液供給ポンプ35に洗浄用薬液を供給する薬液供給管39を、他方にはバルブ61を介して薬液待避タンク60に洗浄用薬液を排出する薬液排出管62を連結している。処理槽20の底面21には排出管25を設け、排出管25には2方向に分岐する管継手26を連結し、管継手26の一方にはバルブ27を介して処理槽20内の洗浄用薬液を薬液待避タンク60に供給する薬液排出管63を連結し、管継手26の他方にはバルブ47を介して超純水排出管46と連通する排出管48を連結している。処理槽20の上方には複数のノズル71を設けたシャワー管70が設けられ、超純水供給源43からバルブ72及び超純水供給管73を介してリンス用超純水を供給し、処理槽20内のウエハー50にリンス用超純水のシャワーをかけるようにしている。
【0010】
なお、洗浄用薬液は一般にRCA洗浄法と呼ばれている洗浄方法で使用している洗浄液を使用する。例えば、金属汚染物や有機物の除去には塩酸と過酸化水素を組成とする溶液を120〜150℃に加熱して使用する。シリコン酸化皮膜の除去にはフッ酸の水溶液を室温で使用する。パーティクルの除去にはアンモニアと過酸化水素との水溶液を80〜90℃に加熱して使用する。
また、薬液洗浄のあと、超純水でリンス(濯ぎ)するが、リンス用超純水には、例えば比抵抗が18メグオーム・cm以上、溶存酸素量、TOC(有機体炭素量)がそれぞれ5マイクログラム/リットル以下、バクテリアが1個/リットル以下、微粒子が1個/ミリリットル以下、シリカが1マイクログラム/リットル以下の超純水が使用される。
【0011】
ここで、処理槽20に装入したウエハー50の表面処理工程について説明する。最初に薬液処理工程を行う。
先ず、バルブ33、61を開いて薬液待避タンク60から洗浄用薬液を薬液供給ポンプ35によって薬液加熱ヒーター34に送り、例えばRCA洗浄法で使用される洗浄用薬液の種類に適した温度に加熱して薬液用分散管30に供給する。時間を経るにつれて処理槽20内の洗浄用薬液が増え、処理槽20の上端から洗浄用薬液がオーバーフローし始める。オーバーフローした洗浄用薬液は排出樋24で回収し、バルブ36を開いて薬液供給ポンプ35に供給し、図2の矢印で示すように、洗浄用薬液を薬液ノズル31から処理槽20内に噴出して循環させる。処理槽20内の温度がRCA洗浄法の設定温度に達したら、複数のウエハー50を直立させて収納したカセット51を処理槽20のカセット受け部23に載置する。そして、ウエハー50の表面を所定時間洗浄する。例えば洗浄用薬液が塩酸と過酸化水素と水の混合液で洗浄するときは10〜20分処理する。
薬液処理が終了後、薬液供給ポンプ35を停止し、処理槽20内の洗浄用薬液はバルブ27を開放して処理槽20の底から排出管25、薬液排出管63を通し、薬液待避タンク60に排出し、バルブ27、33、36を閉じる。
【0012】
次にリンス処理工程を行う。
バルブ72を開いて超純水供給源43からシャワー管70にリンス用超純水を供給し、ノズル71からリンス用超純水を散水させてウエハー50の表面に付着した薬液を流し、バルブ47を開いて処理槽20の底から排出管25を通して排水する。その後、散水を止めてバルブ47を閉じ、バルブ42を開いて超純水用分散管40に超純水供給源43からリンス用超純水を供給し、図3に矢印で示すように、超純水ノズル41から噴出させてウエハー50の表面を濯ぐ(リンス処理)。このとき処理槽20の上端からオーバーフローしたリンス用超純水はバルブ45を介して超純水排出管46、排出管48から外部に排出される。リンス処理を所定時間、例えば3〜10分行い、ウエハー50の表面を清浄な状態にした後、カセット51を外部に取り出し、バルブ42を閉じてリンス用超純水の供給を止める。その後、処理槽20内のリンス用超純水はバルブ47を開いて処理槽20の底から排出管25、48を通し、外部に排出してリンス処理工程を終了する。
再び、薬液待避タンク60から洗浄用薬液を薬液用分散管30に供給して次のウエハー50の薬液処理工程を行う。
【0013】
図2に示すように、このようなウエハーの表面処理装置10により、薬液処理工程では2本の薬液用分散管30を使用して、処理槽20内に洗浄用薬液の攪拌効果をもつ下降流を発生させ、処理槽20の上部と下部に温度差が生じない均一な温度分布の状態で薬液処理を行うことができる。特に、洗浄用薬液を噴き出すそれぞれの薬液用分散管30の薬液ノズル31は、処理槽20の中心より外向きで斜め下を向いているので、薬液ノズル31から噴出した洗浄用薬液は、図2に矢印で示すように、処理槽20の両側壁22に沿って上昇し、ウエハー50を収納したカセット51の上部やカセットの側壁52に設けたスリット54を通り、複数のウエハー50相互間を下降して底面53のスリット55とカセット受け部23を通り、薬液用分散管30からの噴出流と共に再び処理槽20の両側壁22に沿って上昇する二つの旋回流を生じる。一部は処理槽20の上端からオーバーフローして排出樋24に流れ、薬液待避タンク60に送出される。この二つの旋回流によって生じる攪拌効果をもつ下降流によって処理槽20内の洗浄用薬液は激しく攪拌されるので、処理槽20内の薬液温度は均一となり、ウエハー50の表面が均一に処理される。
【0014】
図3に示すように、薬液処理が終了したあと、リンス処理工程では超純水用分散管40を使用して処理槽20内にリンス用超純水に均一上昇流を発生させる。特に、超純水を噴き出すそれぞれの超純水用分散管40の超純水ノズル41は、リンス用超純水が処理槽20の底面21に均等に当たって流れるように超純水用分散管40の下面に間隔が均等になるように下方に向けて設けているので、超純水用分散管40の超純水ノズル41から噴出したリンス用超純水は、処理槽20の底面付近を攪拌し、汚染物の滞留作用を抑制すると共にリンス用超純水の噴出流の勢いを緩和して上昇に転じ、処理槽20の上部への均一上昇流を生じ、一部は処理槽20の上端からオーバーフローして外部に排出され、処理槽20からパーティクルや残存薬液を効率的に槽外に排出することができる。
なお、処理槽20の側壁22とカセット51の側壁52との間隔は、カセット51を処理槽20内に装入・取り出しに必要最小限の間隔より少し大きい程度にして、処理槽20の容積を小さくし、側壁22と側壁52の間を通る洗浄用薬液の流速を上げて攪拌効果をもつ下降流が生じ易くすると共に、処理槽20のコストを低減するようにしてもよい。また、超純水分散管40は2本に限るものではなく、3本以上でも両側の薬液用分散管30の間に装入しうる本数であればよい。
【0015】
【発明の効果】
請求項記載のウエハーの表面処理装置においては、処理槽内に供給される洗浄用薬液に攪拌効果をもつ下降流を生じさせる薬液用分散管と、処理槽内に供給されるリンス用超純水に均一上昇流を発生させる超純水用分散管とを有しているので、薬液処理工程では処理槽の上部と下部に温度差が生じない均一な温度分布の状態で薬液処理が可能であり、リンス処理工程ではリンス用超純水が均一上昇流でウエハー表面を濯ぎ、パーティクルや残存薬液を効率的に槽外に排出することができ、リンス処理工程と薬液処理工程の両方に適する液の流れを形成する効果的な洗浄処理が可能となる。
【0016】
特に、薬液用分散管は、処理槽内に2本配置され、それぞれの薬液用分散管に設けた洗浄用薬液を噴き出す薬液ノズルは、処理槽の中心より外向きで斜め下に向けて設けているので、槽内の洗浄用薬液は激しく攪拌され、槽内の薬液温度は均一となり、ウエハー表面を均一に処理することが可能である。
そして、超純水用分散管は、処理槽内に複数本配置され、それぞれの超純水用分散管に設けた超純水を噴き出す複数の超純水ノズルは間隔が均等になるように下方に向けて設けているので、超純水ノズルから噴出したリンス用超純水は、処理槽の上部への均一上昇流を生じ、処理槽の上端からパーティクルや残存薬液を効率的に槽外に排出し効果的なリンス処理を行うことが可能である。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施の形態に係るウエハーの表面処理装置の構成図である。
【図2】同ウエハーの表面処理装置に設けた処理槽と洗浄用薬液の流れを示す正断面図である。
【図3】同ウエハーの表面処理装置に設けた処理槽とそのリンス用超純水の流れを示す正断面図である。
【図4】従来例のウエハーの表面処理装置に設けた処理槽の正断面図である。
【符号の説明】
10:表面処理装置、20:処理槽、21:底面、22:側壁、23:カセット受け部、24:排出樋、25:排出管、26:管継手、27:バルブ、30:薬液用分散管、31:薬液ノズル、32:薬液供給管、33:バルブ、34:薬液加熱ヒーター、35:薬液供給ポンプ、36:バルブ、37:薬液循環管、38:管継手、39:薬液供給管、40:超純水用分散管、41:超純水ノズル、42:バルブ、43:超純水供給源、44:超純水供給管、45:バルブ、46:超純水排出管、47:バルブ、48:排出管、50:ウエハー、51:カセット、52:側壁、53:底面、54、55:スリット、60:薬液待避タンク、61:バルブ、62、63:薬液排出管、70:シャワー管、71:ノズル、72:バルブ、73:超純水供給管

Claims (1)

  1. 処理槽の中に複数枚の直立したウエハーを並行して装入し、前記ウエハーを前記処理槽の下部に設けた分散管から供給される洗浄用薬液とリンス用超純水とによって洗浄する表面処理装置であって、
    前記分散管は、前記処理槽内に供給される前記洗浄用薬液に攪拌効果をもつ下降流を生じさせる薬液用分散管と、前記処理槽内に供給される前記リンス用超純水に均一上昇流を発生させる超純水用分散管とを有し
    前記薬液用分散管は、前記処理槽の両側壁に近づけて2本配置され、それぞれの前記薬液用分散管に設けた前記洗浄用薬液を噴き出す薬液ノズルは、前記処理槽の中心より外向きで斜め下に向けており、
    前記超純水用分散管は、前記処理槽内に複数本配置され、それぞれの前記超純水用分散管に設けた前記リンス用超純水を噴き出す複数の超純水ノズルは、間隔を均等にして下方に向け、
    しかも2本の前記薬液用分散管の間に複数の前記超純水用分散管が等間隔で配置されていることを特徴とするウエハーの表面処理装置。
JP03145599A 1999-02-09 1999-02-09 ウエハーの表面処理装置 Expired - Fee Related JP4227694B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP03145599A JP4227694B2 (ja) 1999-02-09 1999-02-09 ウエハーの表面処理装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP03145599A JP4227694B2 (ja) 1999-02-09 1999-02-09 ウエハーの表面処理装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2000232086A JP2000232086A (ja) 2000-08-22
JP4227694B2 true JP4227694B2 (ja) 2009-02-18

Family

ID=12331740

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP03145599A Expired - Fee Related JP4227694B2 (ja) 1999-02-09 1999-02-09 ウエハーの表面処理装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP4227694B2 (ja)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010225832A (ja) * 2009-03-24 2010-10-07 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置および基板処理方法
CN110473818A (zh) * 2019-09-25 2019-11-19 广东先导先进材料股份有限公司 一种晶片自动腐蚀喷淋设备

Also Published As

Publication number Publication date
JP2000232086A (ja) 2000-08-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI690979B (zh) 基板處理裝置、基板處理裝置的洗淨方法
WO2006033186A1 (ja) 基板処理装置
KR100673024B1 (ko) 노즐 및 이를 가지는 기판 처리 장치
JP4227694B2 (ja) ウエハーの表面処理装置
JP3419758B2 (ja) 基板の処理法
CN114864448A (zh) 一种用于清洗湿法刻蚀氧化层后半导体晶圆的装置和方法
JP3697063B2 (ja) 洗浄システム
JPH11145105A (ja) 洗浄装置
KR101052821B1 (ko) 기판 처리 장치 및 그 방법
JP3321726B2 (ja) 洗浄処理方法及びその装置
JPH08195372A (ja) 洗浄装置およびその方法
KR101915358B1 (ko) 반도체 세정장치 및 이에 적용된 세정 방법
JP2005244130A (ja) 基板処理法及び基板処理装置
JP2000183024A (ja) 基板処理装置
JP2005166848A (ja) 基板処理法及び基板処理装置
KR100897549B1 (ko) 처리액 공급유닛, 그리고 이를 구비하는 기판 처리 장치 및방법
JPH10163158A (ja) 板状体洗浄装置
JP2000005710A (ja) 基板洗浄装置
JP2018022714A (ja) ウェーハの洗浄方法
JP2000183005A (ja) ウエハの洗浄方法及び洗浄装置
JPH11283947A (ja) 基板処理装置および基板処理方法
KR100664787B1 (ko) 세정조의 약액 배출시스템
JPH10172947A (ja) 単槽式洗浄方法およびその装置
KR20090025840A (ko) 습식세정장치
KR100675560B1 (ko) 기판 세정 장치 및 처리조 내로 세정액을 공급하는 방법

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20060131

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20080819

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20081016

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20081118

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20081201

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111205

Year of fee payment: 3

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 4227694

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111205

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121205

Year of fee payment: 4

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121205

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131205

Year of fee payment: 5

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees