KR100664787B1

KR100664787B1 - 세정조의 약액 배출시스템

Info

Publication number: KR100664787B1
Application number: KR1020050132632A
Authority: KR
Inventors: 노득천
Original assignee: 동부일렉트로닉스 주식회사
Priority date: 2005-12-28
Filing date: 2005-12-28
Publication date: 2007-01-04

Abstract

본 발명은 세정조의 약액 배출시스템에 관한 것으로서, 약액조(100)의 하측에는 약액조(100)에서 배출되는 고온의 케미칼을 일시적으로 보관하였다가 배출시키는 냉각탱크(120)가 설치되고, 냉각탱크(120)에는 린스조(200)에서 공급되는 초순수를 순환시키는 초순수순환라인(210)이 순환 통과하도록 설치되어, 냉각탱크의 케미칼이 초순수순환라인(210)을 통하여 흐르는 초순수와 열교환되어 배출되는 것을 특징으로 한다. 따라서 초순수가 흐르고 있는 린스조의 초순수순환라인을 연장하여 냉각탱크를 순환시킴으로써, 세정조에서 배출되는 케미칼의 온도를 초순수와 열교환시켜서 배출시킬 수 있게 되어 별도의 냉각수를 사용하지 않아도 되며, 냉각수 사용에 따른 문제점을 사전에 방지할 수 있는 효과가 있다.

약액조, 케미칼, 린스조, 초순수, 냉각탱크, 초순수순환라인

Description

세정조의 약액 배출시스템{CHEMICAL EXHAUST SYSTEM OF CLEANING BATH}

도 1은 종래의 세정장치를 개략적으로 도시한 것이고,

도 2는 본 발명에 따른 세정조의 약액 배출시스템의 구성도이다.

<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>

100 : 약액조 110 : 배출구

120 : 냉각탱크 200 : 린스조

202 : 초순수공급부 210 : 초순수순환라인

212 : 순환펌프

본 발명은 반도체 웨이퍼 세정장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 세정조에서 배출되는 케미칼의 온도를 효과적으로 낮추어 배출시키기 위한 세정조의 약액 배출시스템에 관한 것이다.

일반적으로 식각 공정이 진행중이거나 또는 소정의 식각공정이 완료된 웨이퍼에는 다량의 이물질이 묻어 있게 되는데, 이 물질을 케미칼(chemical) 또는 초순수(DI water)로 깨끗하게 씻어내는 작업을 세정공정이라 하고, 이러한 세정공정을 수행하는 것을 세정장비라고 한다.

이러한 웨이퍼의 세정공정은 식각이 완료된 웨이퍼를 세정용 베스(bath)내로 이송한 다음에, 그 베스내에 약액 또는 탈이온수를 공급하여 웨이퍼에 묻은 탈이온수를 제거하게 된다.

세정 공정을 수행하는 세정 장치를 첨부된 도면을 이용하여 설명하면 다음과 같다.

도 1은 종래의 세정 장치를 도시한 단면도이다. 도시된 바와 같이, 세정 장치는 웨이퍼(W)가 투입되어 세정액의 공급을 받아 웨이퍼(W)의 세정이 진행되는 베스(10)가 설치된다. 베스(10)는 내부베스(10a)와, 내부베스(10a)의 외측으로 설치되며 내부베스(10a)로부터 오버 플로우(over flow)되는 세정액이 유입되는 외부베스(10b)로 구성되며, 외부베스(10b)의 외측으로 웨이퍼(W)에 묻어 있는 파티클을 제거하기 위한 샤워노즐(30)과, 샤워노즐(30)의 외측으로 유독한 화학물의 대기 노출을 방지하기 위하여 실린더(미도시)에 의해 개폐되도록 작동하는 자동커버(40)(도면에서는 개방된 상태로 도시됨)와, 내부베스(10a)의 하측에 설치되며 내부베스(10a)에 투입된 웨이퍼(W)에 초음파를 전달하여 웨이퍼(W)의 세정을 촉진시키는 메가소닉 발진기(50)를 포함한다.

내부베스(10a)에는 수직방향으로 상하 이동되며 일정 갯수의 웨이퍼(W)를 장착한 쿼츠 리프터(quartz lifter:60)에 의해 상측으로부터 웨이퍼(W)가 투입되며, 투입된

또한, 다종류의 화학약품 사용에 따른 폐액 처리를 위하여 펌프(82)와 연결 되는 배출구(80)가 외부베스(10b)와 연결되어 설치된다. 그리고 배출구(80)의 하측으로는 고온의 케미칼 온도를 어느 정도 떨어뜨린 후, 배출시키기 위한 냉각탱크(90)가 설치되며, 이 냉각탱크(90)에는 생산장비 냉각용 냉각수(Process Cooling Water)가 순환되고 있는 냉각라인(92)이 설치된다. 따라서 냉각라인(92)를 따라 흐르는 생산장비 냉각용 냉각수(Process Cooling Water)와 케미칼과의 열교환으로 130°정도로 온도가 저하된 케미칼을 배출시키게 된다.

그러나, 생산장비 냉각용 냉각수를 장기간 사용하다 보면, 냉각라인에 이물질이 발생하여 냉각 효율을 떨어뜨리는 등의 문제점이 있었다.

본 발명은 상기한 바와 같은 결점을 해소시키기 위하여 안출된 것으로서, 초순수가 흐르고 있는 린스조의 초순수순환라인을 연장하여 냉각탱크를 순환시킴으로써, 별도의 냉각수를 사용하지 않고도 세정조에서 배출되는 케미칼의 온도를 초순수와 열교환시켜서 배출시킬 수 있는 세정조의 약액 배출시스템을 제공하는 것을 그 목적으로 한다.

상술한 목적을 달성하기 위한 본 발명은, 웨이퍼의 세정을 위하여 약액세정 후 케미칼이 배출되는 약액조와 초순수를 이용한 린스세정이 이루어지는 린스조를 포함하는 세정조의 약액 배출시스템에 있어서, 약액조의 하측에는 약액조에서 배출되는 고온의 케미칼을 일시적으로 보관하였다가 배출시키는 냉각탱크가 설치되고, 냉각탱크에는 린스조에서 공급되는 초순수를 순환시키는 초순수순환라인이 순환 통과하도록 설치되어, 냉각탱크의 케미칼이 상기 초순수순환라인을 통하여 흐르는 초 순수와 열교환되어 배출되는 것을 특징으로 하는 세정조의 약액 배출시스템을 제공한다.

본 발명의 상기 목적과 여러 가지 장점은 이 기술 분야에 숙련된 사람들에 의해 첨부된 도면을 참조하여 아래에 기술되는 발명의 바람직한 실시 예로부터 더욱 명확하게 될 것이다.

이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 예에 대하여 상세하게 설명한다.

도 2는 본 발명에 따른 세정조의 약액 배출시스템의 구성도이며, 종래와 동일 부품에 대해서는 설명을 생략한다.

약액 배출시스템은 도 2에서와 같이, 웨이퍼(W)가 투입되어 세정액의 공급을 받아 웨이퍼(W)의 세정이 진행되는 내, 외부베스 구성의 약액조(100)와, 이 약액조(100)의 케미칼을 배출하기 위한 배출구(110)가 약액조(100)의 하단으로부터 이어지게 설치된다.

그리고 배출구(110)의 하측으로는 고온의 케미칼 온도를 어느 정도 떨어뜨린 후, 배출시키기 위한 냉각탱크(120)가 설치된다.

한편, 약액조(100)와 근접하여서는 약액조(100)에서 케미칼을 통한 세정 후 웨이퍼의 표면에 잔존하는 케미칼을 제거하기 위한 린스조(200)가 설치되어 있으며, 이 린스조(200) 내에서는 오버플로우(over flow) 또는 초순수를 순간 배출하는 QDR(quick dump rinse)를 실시하여 린스시키게 된다.

따라서 린스조(200)에는 초순수공급부(202) 외에도 오버플로우되는 초순수를 순환시키기 위한 초순수순환라인(210)이 설치된다.

여기서 초순수순환라인(210)의 일단부는 린스조(200)의 내부로 이어지고, 타단은 냉각탱크(120)를 순환한 후, 린스조(200)에 연결된다.

바람직하게는 냉각탱크(120)에 담겨지는 케미칼과 직접 접촉될 수 있는 내부를 순환한다. 또한, 초순수순환라인(210)을 따라 흐르는 초순수의 원활하고 신속한 순환을 위하여 바람직하게는 초순수순환라인(210) 상에 순환펌프(212)가 더 설치되는 구성을 가진다.

이와 같이 구성된 본 발명에 따른 세정조의 약액 배출시스템을 설명하면 다음과 같다.

다시 도 2를 참고하면, 미도시된 세정액 공급부를 통하여 케미칼이 약액조(100)의 내부로 유입되어 웨이퍼의 세정 공정이 진행되어 지며, 세정이 이루어진 케미칼은 배출구(110)를 통하여 배출되어 진다. 이렇게 배출된 케미칼은 바로 배출되는 것이 아니라 냉각탱크(120)를 거쳐서 어느 정도 온도를 낮춘 후 배출시키게 된다.

따라서 린스조(200)에 초순수를 항시 순환시키는 초순수순환라인(210)이 냉각탱크(120)의 내부를 순환하여 다시 린스조(200)에 연결됨으로써, 냉각탱크(120)에서는 고온의 케미칼이 초순수순환라인(210)을 따라 흐르고 있는 저온의 초순수와 열교환되어 배출될 수 있는 것이다.

이때, 초순수순환라인(210) 상의 순환펌프(212)는 초순수의 원할하고 신속한 순환을 돕게 된다.

이처럼 초순수순환라인(210)을 케미칼의 온도를 낮추어 배출시키기 위하여 냉각탱크(120)에 순환 통과시킴으로써, 종래에 케미칼의 온도를 낮추기 위하여 냉각탱크에 별도의 냉각라인과 이 냉각라인을 흐르는 냉각수가 필요 없게 되었다. 따라서 냉각수 사용에 따른 문제점도 해소가 되었다.

이상에서 설명한 것은 본 발명에 따른 세정조의 약액 배출시스템을 실시하기 위한 하나의 실시예에 불과한 것으로서, 본 발명은 상기한 실시예에 한정되지 않고, 이하의 특허청구범위에서 청구하는 바와 같이 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 누구든지 다양한 변경 실시가 가능한 범위까지 본 발명의 기술적 정신이 있다고 할 것이다.

이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명에 의한 세정조의 약액 배출시스템은, 초순수가 흐르고 있는 린스조의 초순수순환라인을 연장하여 냉각탱크를 순환시킴으로써, 세정조에서 배출되는 케미칼의 온도를 초순수와 열교환시켜서 배출시킬 수 있게 되어 별도의 냉각수를 사용하지 않아도 되며, 냉각수 사용에 따른 문제점을 사전에 방지할 수 있는 효과가 있다.

Claims

웨이퍼의 세정을 위하여 약액세정 후 케미칼이 배출되는 약액조와 초순수를 이용한 린스세정이 이루어지는 린스조를 포함하는 세정조의 약액 배출시스템에 있어서,

상기 약액조의 하측에는 상기 약액조에서 배출되는 고온의 상기 케미칼을 일시적으로 보관하였다가 배출시키는 냉각탱크가 설치되고,

상기 냉각탱크에는 상기 린스조에서 공급되는 초순수를 순환시키는 초순수순환라인이 순환 통과하도록 설치되어,

상기 냉각탱크의 케미칼이 상기 초순수순환라인을 통하여 흐르는 초순수와 열교환되어 배출되는 것을 특징으로 하는 세정조의 약액 배출시스템.
제 1 항에 있어서,

상기 초순수순환라인 상에는 순환펌프가 더 설치되는 세정조의 약액 배출시스템.